1277165 (1) 政、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於設定在晶圓狀的基板（以下稱爲[晶 圓]。）w上的探測區域（即檢索區域）的方法與系統，以及 具備同系統的探測裝置’更詳細爲關於檢測形成於晶圓外 周的被檢查體（以下稱爲[晶片]。）可自動地設定探測區域 的探測區域的設定方法與系統，以及具備同系統的探測裝 置。 【先前技術】 習知的探測裝置具備傳送晶圓（w a f e r)並且預先定向 (pre-alignment)晶圓的裝載機室（i〇acjei* chamber)，與由此 裝載機室接受晶圓檢查晶片（c h i p)的電氣特性的探針室 (prober chamber)。在探針室載置晶圓的載置台（stage)(以 下稱爲[主吸盤（main chuck)])移動於X、γ、Z以及0方 向。根據定向（alignment)機構所檢測的晶圓的邊緣位置設 定探測區域（probe area)。探測區域是在晶圓w上形成有 應檢查的晶片的範圍。探測裝置使用具備複數個探針的探 針卡（probe card)，檢查此探測區域的範圍內的晶片。在探 測區域的設定終了後進行晶圓與配置於主吸盤上方的探針 卡的探測的對位。藉由使載置晶片的載置台上升，晶片的 電極與探針電氣地接觸。藉由配置於探針與測試器（tester) 之間的測試頭，測試器檢查晶圓的電氣特性。 習知藉由操作者將外周被檢查體（以下稱爲[邊緣晶 -6 - (2) 1277165 片]。）的设g十上的位置座標（位址（a d d r e s s))輸入到輸入裝 置以設定探測區域。 【發明內容】 正常形狀的晶圓本來在檢查例如一部分爲缺損的破裂 晶圓、形成有小晶片的晶圓或形成於形狀不一定的不定形 的晶圓等的晶片的情形下’ f采作者將設計上的邊緣晶片的 位址輸入到輸入裝置非常困難。因此，有探測區域的設定 需要長時間，實質上設定探測區域很難的課題。因此，在 曰本特開平7- 5 8 1 76號公報提出有破裂晶圓用的晶圓檢查 裝置，但此公報探測區域的設定未提出。 本發明的目的爲解決上述課題的至少一個。依照本案 發明的一個觀點，定形晶圓本來在上述不定形的晶圓中也 藉由檢索邊緣晶片的位置而能確實且容易地設定探測區 域。 本發明的進一步的課題以及優點如以下的記載。其一 部分由該揭示爲自明，或者由本發明的實施可明暸。本發 明的目的以及優點可由此處特別指出的手段及其組合而實 現。 依照本發明的第一觀點，提供在具備載置台以及拍攝 該載置台表面用的攝影裝置的探測裝置中，在載置於載置 台的晶圓狀的基板上設定探測區域的方法。根據本發明的 第一觀點的探測區域的設定方法，可具備以下（1)〜（1 0)的 較佳構成的任一個或組合以下構成內的任一個的構成。 (3) 1277165 u) U)、在載置台載置基板。（b)、以形成於基板的最 外周的被檢查體作爲外周被檢查體而選擇，特定其位置。 (C)、藉由使載置台以及攝影裝置的至少一個移動於X、γ 方向的任一方向，一邊轉換攝影裝置的檢索方向成X、γ 方向的任一方向，一邊檢索形成於基板上的外周的所有的 外周被檢查體，特定其位置。（d)、根據由上述（C)特定的 所有的外周被檢查體的位置決定探測區域。 (2) 上述（b)是藉由移動載置台於X、γ方向而實施。 (3) 上述（c)更具備以被上述（b)特定的外周被檢查體 爲始點’在基板的旋轉方向依次檢索接鄰於被特定的外周 被檢查體的被檢查體，特定基板上的所有的外周被檢查 體。此外周被檢查體的特定具備以下（cl)以及（c2): (cl)檢索形成於X方向兩端的外周的各個被檢查體 的X方向兩端的檢索。此X方向兩端的檢索是由已經被 特定的外周被檢查體在第一 γ方向移動檢索位置以檢索被 檢查體。其中（c 1 -1)在第一 γ方向有被檢查體的情形， 由該處更在X方向外方移動檢索位置。而且在移動的位置 有被檢查體的情形在被檢查體消失爲止一直在X方向外方 移動檢索位置，在移動的位置無被檢查體的情形返回到一 個眼前的被檢查體，在該被檢查體特定爲外周被檢查體 後，再度移動檢索位置於第一 Y方向。（cl_2)在第一 Y 方向無被檢查體的情形，在X方向內方移動檢索位置，而 且在移動的方向有被檢查體的情形在該被檢查體特定爲外 周被檢查體後，再度移動檢索位置.於第一 γ方向，在移動 -8 - (4) 1277165 的方向無被檢查體的情形進行Y方向端的檢索。 (c 2)檢索形成於Υ方向兩端的外周的各個被檢查體 的Υ方向兩端的檢索。此Υ方向兩端的檢索是由已經被 特定的外周被檢查體在第一 X方向移動檢索位置以檢索被 檢查體。其中（C2-1)在第一 X方向有被檢查體的情形， 由該處更在Υ方向外方移動檢索位置。而且在移動的位置 有被檢查體的情形進行X方向端的檢索，在移動的位置無 被檢查體的情形返回到一個之前的被檢查體，在該被檢查 體特定爲外周被檢查體後，再度移動檢索位置於第一 X方 向。（c2-2)在第一 X方向無被檢查體的情形，在γ方向內 方移動檢索位置進行X方向端的檢索。 (4)上述（c)更具備以被上述（b)特定的外周被檢查體 爲始點’在基板的旋轉方向依次檢索接鄰於被特定的外周 被檢查體的被檢查體，特定基板上的所有的外周被檢查 體。此外周被檢查體的特定具備以下（c3)以及（c4)。 (c3)檢索形成於X方向兩端的外周的被檢查體的X 方向兩端的檢索。此X方向兩端的檢索是由已經被特定的 外周被檢查體在第一 Y方向移動每複數個被檢查體份檢索 位置以檢索被檢查體。其中（c 3 -1)在第一 γ方向有被檢 查體的情形，由該處更在X方向外方移動每一個被檢查體 份檢索位置。而且在移動的位置有被檢查體的情形在被檢 查體消失爲止一直在X方向外方移動，在移動的位置無被 檢查體的情形返回到一個眼前的被檢查體，在該被檢查體 特定爲外周被檢查體後，再度移動檢索位置於第一 γ方 -9 - (5) 1277165 向。（c 3-2)在第一 Y方向無被檢查體的情形，在X方向內 方移動每一個被檢查體份檢索位置。而且在移動於X方向 內方的方向有被檢查體的情形在該被檢查體特定爲外周被 檢查體後，再度移動檢索位置於第一 Υ方向，在移動於X 方向內方的方向無被檢查體的情形返回到之前的外周被檢 查體的一個下一被檢查體，朝X方向內方移動每一個被檢 查體份檢索位置。 (c4)檢索形成於Υ方向兩端的外周的被檢查體的Υ 方向兩端的檢索。此Y方向兩端的檢索是由已經被特定的 外周被檢查體在第一 X方向移動每複數個被檢查體份檢索 位置以檢索被檢查體。其中（c4-l)在第一 X方向具有被 檢查體的情形，由該處更在Y方向外方移動每一個被檢查 體份檢索位置。而且在移動的位置有被檢查體的情形進行 X方向端的檢索，在移動的位置無被檢查體的情形返回到 一個之前的被檢查體，在該被檢查體特定爲外周被檢查體 後’再度移動檢索位置於第一 X方向。（c4-2)在第一 X 方向無被檢查體的情形，在Y方向內方移動每一個被檢查 體份檢索位置進行X方向端的檢索。 (5) 上述（c)是以在上述（b)中特定的外周被檢查體爲 始點’在基板的旋轉方向依次檢索接鄰於被特定的外周被 檢查體的被檢查體，特定基板上的所有的外周被檢查體。 (6) 設定上述探測區域的晶圓狀的基板爲預先特定外 Ώ的被檢查體的{ll置困難的缺損的基板、不定形的基板以 及被檢查體小的基板以內的一個晶圓狀的基板。 -10- (6) 1277165 (7) 在上述（c)中，依次特定形成於上述外周的複數個 被檢查體的位置用的檢索是在朝X方向的檢索位置的移動 預先設定界限。 (8) 檢索在超過界限時以及到達界限時的任何時候由 X方向轉換基板的檢索位置的移動方向到γ方向。 (9) 以位於連結前後特定的兩個外周被檢查體的線上 的被檢查體作爲外周被檢查體來特定。 (10) 自檢索對象脫離使被檢查體與元件圖案不同白勺 被檢查體。 而且’依照本發明的第二觀點，提供檢索形成於晶圓 狀的基板之上的複數個被檢查體，設定基板的探測區域的 系統。根據本案發明的第二觀點的系統，可具備以下 (11)〜（15)的較佳構成的任一個或組合以下構成內的任一個 的構成。 (1 1)上述系統具備： 載置台； 記憶被檢查體的元件圖案的第二記憶手段； 拍攝載置於載置台上的被檢查體的元件圖案用的攝影 手段； 選擇最初的外周被檢查體的手段； 以最初所選擇的外周被檢查體爲始點，在基板的旋轉 方向依次檢索形成於基板上的被檢查體，並且特定形成於 基板的最外周的外周被檢查體的位置的控制/演算處理 部。 -11 - (7) 1277165 此控制/演算處理部比較攝影手段所拍攝的像與記憶 於第二記憶手段的元件圖案，判斷攝影手段所拍攝的像是 否與元件圖案一致。 (1 2)控制/演算處理部由接鄰於被特定的外周被檢查 體的被檢查體依次檢索，在旋轉晶圓W的方向使檢索位 置移動而設定探測區域。 (1 3)控制/演算處理部朝X、γ方向移動每複數個被 檢查體份被檢查體的檢索位置。 (1 4)控制/演算處理部以位於連結前後特定的兩個外 周被檢查體的線上的被檢查體作爲外周被檢查體來特定。 (1 5)控制/演算處理部在由基板的中心位置移動檢索 位置於預定的外方向，開始被檢查體的檢索後，以在方向 中被特定的外周被檢查體作爲以後的檢索的始點。 而且，依照本發明的第三觀點，提供具備檢索形成於 半導體晶圓上的複數個被檢查體，設定基板的探測區域的 系統的探測裝置。此探測裝置包含： 馨 載置台； 記憶被檢查體的元件圖案的第二記憶手段； 拍攝載置於載置台上的被檢查體的元件圖案用的攝影 手段；以及 在基板的旋轉方向依次檢索形成於基板上的被檢查 體，特定形成於基板的最外周的外周被檢查體的位置的控 制/演算處理部。 此控制/演算處理部比較攝影手段所拍攝的像與記憶 -12- (8) 1277165 方'、第一記憶手段的元件圖案，判斷攝影手段所拍攝的像是 否與元件圖案一致。 【實施方式】 以下一邊參照圖一邊說明本發明。如圖1 A以及1 B 所示’第一實施形態的探測裝置1 〇具有裝載機室丨丨與探 針室12。在裝載機室11傳送晶圓w並且對晶圓W進行 預先定向。在探針室1 2由裝載機室1 1傳送來的晶圓W 的電氣特性被檢查。探測裝置1 〇如圖2 A所示可具備控制 這兩室1 1、1 2內的機器的控制裝置1 3與輸入裝置14以 及顯示裝置1 5。本實施形態的探測裝置1 〇可依照習知的 探測裝置而構成。輸入裝置1 4可由例如鍵盤或搖桿等構 成。顯示裝置1 5可顯示攝影手段所拍攝的畫像並且顯示 與檢查關聯的種種設定畫面等。 如圖1B所示，裝載機室11具備晶圓傳送機構（以下 稱爲[晶圓傳送夾具（pin set)])16以及次吸盤17。晶圓傳送 機構 16可在例如晶圓匣盒（wafer cassette) C與探針室 12 間傳送晶圓W。晶圓傳送夾具1 6在傳送晶圓W間，次吸 盤17可以晶圓W的定向平邊（orientation flat)或定向缺口 (notch)爲基準對晶圓W進行預先定向。 探針室1 2如圖1 A以及1 B所示，可具備載置晶圓W 的主吸盤18，與移動主吸盤18於X、Y以及Z方向的 XY台等的移動機構19，與定向機構21。定向機構2 1可 藉由移動機構1 9移動主吸盤1 8於X、Y方向，以進行晶 -13- 1277165 Ο) 圓W與配置於其上方的探針卡2 0的探針2 Ο A的定位（定 向）。探針卡20可被固定於形成探針室1 2的上璧的頭板 (head plate)22。對探針卡20可電氣連接非接觸地配置有 測試頭T。 定向機構21如圖1A、B所示，可具備拍攝晶圓w的 上攝影機 21A，與支持上攝影機 21A的定向橋接 (orientation bridge)21B，與可移動地支持定向橋接21B於 Y方向的一對導軌（guide rail)2 1C，與附設於主吸盤18且 拍攝探針卡20的下攝影機21D。上攝影機21 A沿著導軌 2 1 C進出到探針的中心（探針中心），可拍攝晶圓w。下攝 影機21D拍攝探針20A。以由這些上下攝影機21A、21B 拍攝的畫像爲基礎進行兩者的定向。此樣子可顯示在顯示 裝置1 5。 本發明的第一實施形態的探測裝置具備檢索形成於晶 圓W上的複數個晶片，設定晶圓W的探測區域的系統。 此系統的實施例可具有載置台1 8，與記憶晶片的元件圖 案的第二記憶手段1 3 B，與拍攝載置於載置台上的晶圓W 的晶片的元件圖案用的上攝影機2 1 A，與選擇最初的邊緣 晶片的手段，與構成控制裝置1 3的控制/演算處理部 13C。 控制/演算處理部13C依次比較由上攝影機21 A所拍 攝的各晶片的像與記憶於第二記憶手段的元件圖案，判斷 是否一致。藉由在晶圓 W的旋轉方向依次檢索形成於晶 圓W上的晶片，每一晶片進彳了此判斷，特定形成於晶圓 -14- (10) 1277165 W的最外周的邊緣晶片的位置。在此判斷中，與記憶於第 二記憶手段的元件圖案不同的圖案的晶片可由邊緣晶片的 檢索對象脫離。 在第一實施形態的控制裝置1 3收容有自動地設定探 測區域的軟體。即控制裝置1 3如圖2 A所示具備第一、第 二記憶裝置13A、13B以及控制/演算處理部13C。第一記 憶裝置1 3 A收容探測設定用的程式或其他控制用程式。這 些程式被讀入第二記憶裝置13B，控制/演算處理部13C 依照此程式驅動探測裝置1 0。 探測區域的設定可藉由上攝影機2 1 A拍攝各個晶片的 元件圖案而進行。此時，上攝影機2 1 A必須對準所拍攝的 晶片的位置。該晶片與上攝影機2 1 A的定位可移動上攝影 機2 1 A而進行，惟也能藉由移動機構1 9移動載置晶圓W 的主吸盤而進行。在第一實施形態的探測裝置控制裝置 13控制移動機構19，移動主吸盤於X、Y方向進行對 位。 依照探測區域設定用的程式，載置晶圓W的主吸盤 在X、Y方向移動，上攝影機2 1 A可自動地拍攝檢索位於 晶圓W外周的複數個邊緣晶片。依照本案發明的實施形 態的探測裝置可具備不被晶圓W的形狀左右而設定探測 區域的程式。此程式如圖2B所示，在顯示裝置1 5的顯示 畫面1 5 A顯示探測區域的設定畫面，使得使用此顯示畫面 設定探測區域用的各種條件的設定爲可能。 顯示裝置1 5例如可在畫面右側顯示操作畫面15 B， -15- (11) 1277165 可在畫面左側顯示晶圓w的攝影畫像或晶圓圖表（wafer map)等的畫像。若與操作畫面上的例如[自動區域設定]接 觸的話，則在畫面顯示有如圖2C的步進尺寸（step size)輸 入畫面1 5 C。對於若與[自動區域設定]接觸的話，在晝面 左側顯示有攝影機畫像的情形顯示攝影機畫像，對於顯示 有晶圓圖表的情形可顯示晶圓圖表。步進尺寸爲以晶片尺 寸表示晶圓W上的檢索位置的移動距離，在識別邊緣晶 片後僅進行指定晶片份移動，由該處再度開始邊緣晶片的 識別用的參數。步進尺寸的設定範圍例如可令1〜99。若 輸入Π ]的話朝X方向或Y方向步進移動檢索位置每一晶 片份，若輸入[2]的話可步進移動檢索位置每兩個晶片 份。在步進尺寸的輸入畫面1 5C除了步進尺寸外同時顯示 有[開始]以及[中止]，在輸入步進尺寸後若與[開始]接觸 的話，可開始探測區域的自動設定，若與中止]接觸的 話，可中止探測區域的自動設定。此外，不使用自動區域 設定以手動設定探測區域的情形，在圖2B的操作畫面中 可輸入位址。 再者未圖示，若探測區域的自動設定開始的話，畫像 顯示部分可擴大晶片而顯示。此處，可令開始探測區域的 設定的最初的邊緣晶片（例如晶圓W上側的邊緣晶片）爲起 動晶片（start chip)，例如可藉由搖桿來選擇。此時藉由對 準起動晶片的一部分到畫面中央的十字標記，可指定起動 晶片。十字標記也能對準晶片的任何部位，例如可對準晶 片的角。在指定此起動晶片後，藉由接觸操作畫面的[確 -16- (12) 1277165 定終了]開始探測區域的自動設定。若開始探測區域的自 動設定則令最初的邊緣晶片爲開始點，依次移動主吸盤 1 8於X或Y方向，在晶圓的旋轉方向依次檢索晶圓W的 邊緣晶片。藉由在旋轉方向檢索邊緣晶片，可使檢索路徑 最短，可有效地設定探測區域。此時的旋轉方向可爲順時 鐘方向或反時鐘方向的任何方向，但在本實施形態係說明 在反時鐘方向檢索的例子。在完成所有的邊緣晶片的檢索 的時點，可使探測區域被設定。 而且，起動晶片的特定不如上述使用搖桿也能自動地 進ί了。例如一*邊移動檢索位置由主吸盤1 8的中心部到預 定的外方向例如上方一邊自動檢索晶片，在其方向中也能 令被識別爲邊緣晶片的晶片爲起動晶片。此處，晶圓W 的外方是指由晶圓 W的中心朝外周的方向，內方是指由 晶圓W外周部朝中心的方向。 其次，一邊參照圖一邊具體地說明適用有本發明的探 測區域的設定方法的探測裝置1 0的動作。若探測裝置1 0 起動的話，裝載機室11內以及探針室1 2內的各機器在控 制裝置1 3的控制下驅動。即在裝載機室1 1內晶圓傳送夾 具1 6取出一片晶圓匣盒C內的晶圓W，載置於次吸盤ί 7 上。在次吸盤17上進行晶圓W的預先定向後，晶圓傳送 夾具1 6將晶圓W傳送到探針室12。在探針室1 2主吸盤 18待機，如圖3Α所不在主吸盤18上載置晶圓W(S1)。在 探針室12內主吸盤18以及定向機構21使晶圓W定向 (S 2)。其次，爲了識別檢索晶片而使用的元件圖案（以下稱 -17- (13) 1277165 爲[成爲基準的元件圖案])，上攝影機2 1 A拍攝形成於晶 W w的晶片。所拍攝的畫像在畫像處理部（23)處理後，控 带ί] /ί寅算處理部丨3(：進行畫像識別。此成爲基準的元件圖 案被第一記憶裝置丨3 β記憶。此時，所拍攝的晶片爲晶圓 W _h的代表的晶片也可以，或拍攝複數個晶片也可以。或 者若：晶片的元件圖案爲已知的話，在檢查開始前預先輸入 到第二記憶裝置也可以（S3)。其次，起動探測區域設定用 的程式’上攝影機2 1 A依次自動識別位於晶圓W外周的 邊緣晶片’設定探測區域（S4)。在設定探測區域後，依次 .檢查探測區域內的各晶片（s 5)。完成所有晶片的檢查後晶 圓傳送夾具16卸下主吸盤is上的晶圓w(S 6)，返回到晶 圓匣盒C。 在S 3的探測區域自動識別製程中說明自動地檢索起 動晶片的順序。如圖3B所示首先設定檢索開始位置爲位 於晶圓W中心的晶片（中心晶片）（s丨丨）。其次，攝影機由 中心晶片朝預定的外方向例如γ方向拍攝每一晶片，比較 各晶片的像與預先記憶於第二記憶裝置的成爲基準的元件 圖案。藉由重複此比較，判斷晶片的有無，找出位於γ方 向上端的邊緣晶片（S 1 2)。該晶片是當作起動晶片來決 定。此時’藉由上攝影機2 1 A拍攝的各晶片的元件圖案也 能直接送到控制/演算處理部丨3C進行比較，惟暫時記憶 於控制裝置1 3內的記憶裝置也可以。 然後，例如如圖4A所示令起動晶片爲始點，一邊旋 轉晶圓W —邊特定邊緣晶片。旋轉晶圓w的方向可爲順 -18- (14) 1277165 時鐘方向以及反時鐘方向的任何方向，但在本實施例如圖 4A以及4B所示係說明在反時鐘方向檢索的動作。此處， 在如箭頭（1)所示的方向的 Y方向上側的邊緣晶片的檢索 (以下稱爲[上側檢索])、在如箭頭（2)所示的方向的X方向 左側的邊緣晶片的檢索（以下稱爲[左側檢索])、在如箭頭 (3)所示的方向的Y方向下側的邊緣晶片的檢索（以下稱爲 [下側檢索])、在如箭頭（4)所示的方向的X方向右側的邊 緣晶片的檢索（以下稱爲[右側檢索])依次檢索邊緣晶片 (S1 3)。此時如在同圖以往複箭頭所示的，往複移動檢索 位置於邊緣晶片的外側，確認在邊緣晶片的外側無晶片， 可確認邊緣晶片。繞晶圓 W的外周一圏檢索所有的邊緣 晶片後，完成探測區域的自動設定（S 14)。而且，對不定 形的晶圓W也如圖4B的各箭頭所示可在反時鐘方向依次 檢索繞一圏邊緣晶片。如此，如果依照本發明的實施形 態，即使是例如如圖5所示的缺損的晶圓W或不定形的 晶圓W或晶片小的晶圓W等預先特定邊緣晶片的位置困 難的晶圓W，也能以同樣的順序確實地檢索所有的邊緣晶 片（在同圖以黑圏表示），設定探測區域。再者，因比較檢 索晶片的兀件圖案與成爲基準的元件圖案，故也能將缺損 的邊緣晶片自探測區域除外。 其次，一邊參照圖6〜圖9 一邊說明以起動晶片爲始 點在反時鐘方向檢索其他邊緣晶片，設定探測區域的順 序。此外，第一實施形態係將步進尺寸設定爲[1 ]的情 形。 -19- (15) 1277165 首先，實行朝X方向右方步進移動主吸盤18，朝χ 方向左方檢索Y方向上端的邊緣晶片的上側檢索。例如一 邊參照圖6A以及6B —邊說明此上側檢索。 在圖6A所示的上側檢索，由起動晶片Ts如以實線的 箭頭所示在第一 X方向檢索。此處，朝X方向左方步進 移動檢索位置一晶片份，檢測第一個晶片T 1。判斷該晶 片T 1的元件圖案是否與預先記憶於第二記憶裝置的成爲 基準的元件圖案一致，若一致則判斷爲有晶片。其次，由 該晶片T1如以虛線的箭頭所示朝Y方向外方（上方）移動 檢索位置一晶片份，檢索晶片的有無。在此情形下判斷無 晶片，檢索位置返回到晶片T1。而且，以此第一個晶片 T 1作爲Y方向上端的邊緣晶片而確定。同樣地在晶圓如 以實線箭頭所示朝X方向左方步進移動一晶片份後’如虛 線箭頭所示朝Y方向上方移動’其次’返回到原來的位 置，令第二個晶片T 2爲Y方向上端的邊緣晶片而確定。 同樣地在移動到第三個晶片T3後’朝Y方向外方（上方） 移動一晶片份檢索晶片的有無。此情形因在第三個晶片 T3的Y方向上方有晶片’故轉換檢索方向成X方向端檢 索（此處爲右側檢索）。而且’之後進行後述的右側檢索’ 朝Y方向上方檢索X方向右端的邊緣晶片。 而且，在上側檢索中與圖6 A相反如圖6 B所示’在 離起動晶片Ts第三個邊緣晶片T3的Y方向內方（下方）有 晶片的情形，檢索方向轉換成左側檢索。如圖6 B的情开乡 由晶片T3在X方向左方移動檢索位置時，判斷爲無晶 -20- (16) 1277165 片。於是檢索位置被移動於Y方向內方（下側）。而且，之 後進行後述的左側檢索，X方向左端的邊緣晶片朝Y方向 下方被檢索。 若如圖6 B所示的上側檢索終了的話，主吸盤1 8被移 動到Y方向上方。換言之在Y方向內方（下方）步進移動晶 圓W上的檢索位置，移到檢索邊緣晶片的左側檢索。一 邊參照例如圖7 A以及7 B —邊說明此左側檢索。 在圖7A所示的左側檢索，由起動晶片Ts如以實線箭 頭所示朝Y方向下方步進移動檢索位置一晶片份，檢測第 一個晶片T 1。判斷該晶片T 1是否與元件圖案一致，若一 致則判斷爲有晶片。其次，檢索方向由Y方向轉換成X 方向，由該晶片T1如以虛線箭頭所示朝X方向外方檢 索。此情形朝左方移動檢索每一晶片份。朝此X方向外方 係一邊確認晶片的有無一邊步進移動到晶片消失爲止。在 圖7A由第四個晶片更朝X方向左方步進移動的話晶片 會消失。於是，檢索位置爲一個眼前的晶片，此情形返回 到第四個晶片，此晶片是以邊緣晶片T E被確認。而且， 檢索位置由此邊緣晶片Te再度朝Y方向下方步進移動， 左側檢索同樣地持續。 在第一實施形態朝X方向步進移動檢索邊緣晶片時’ 檢索位置的移動界限可當作檢索範圍極限（即檢索界限）而 設定。即使爲例如圖7A的例子在朝Y方向下方步進移動 後，由晶片T 1朝X方向左方步進移動時判斷該步進移動 是否爲檢索範圍極限內的移動。即使朝檢索位置的X方向 -21 - (17) 1277165 的移動範圍達到檢索範圍極限在晶片無消失的情形下可轉 換檢索方向成Y方向的檢索，此處爲上側檢索。因藉由設 定這種檢索範圍極限，可沿著晶圓w的外周修正檢索方 向，可防止浪費的檢索，故可縮短探測區域的設定所需的 時間。 而且，在圖7B所75的左側檢索即使由起動晶片T s如 以實線箭頭所示朝Y方向下方步進移動一晶片份也不檢測 晶片。對於此情形判斷在該位置的X方向內方（右方）具有 邊緣晶片，檢索方向由Y方向轉換成X方向。而且，一 邊朝X方向右方判斷晶片的有無一邊步進移動到達檢索範 圍極限爲止，對於判斷在檢索範爵極限內有晶片的情形， 以該晶片爲邊緣晶片T E而確定。對於檢索邊緣晶片Τ E的 情形，朝Y方向下方步進移動一晶片份，重複左側檢索。 另一方面，對於到達檢索範圍極限無晶片的情形，由左側 檢索轉換成下側檢索，可一邊朝X方向右方步進移動一邊 檢索邊緣晶片。 若完成圖7 B所示的左側檢索的話，朝X方向左方移 動主吸盤1 8，換言之朝X方向右方移動晶圓W上的檢索 位置，移到檢索Y方向下端的邊緣晶片的下側檢索。一邊 參照例如圖8A以及8B —邊說明此下側檢索。 在圖8A所示的下側檢索，由起動晶片Ts如以實線的 箭頭所示朝X方向右方步進移動檢索位置一晶片份，檢測 第一個晶片T 1。判斷該晶片T1是否與元件圖案一致，若 一致則判斷爲有晶片。其次，由該晶片T 1如以虛線的箭 -22- (18) 1277165 頭所示朝Y方向下方移動一晶片份，檢索晶片的有無。 於此情形因判斷爲無晶片’故返回到晶片Τ1，以該晶 丁 1爲Υ方向下端的邊緣晶片而確定。同樣地在檢索位 如以實線箭頭所示朝X方向右方步進移動一晶片份後， 以虛線箭頭所示檢索Υ方向下方的晶片。此處，若無晶 則返回檢索位置到原來的位置，令第二個晶片τ 2爲γ 向下端的邊緣晶片而確定。问樣地在由弟一個晶片Τ 2 X方向右方移動檢索位置的話’對於此情形判斷爲無 片。於是，檢索位置移動到γ方向內方此情形爲上方， 下側檢索轉換成右側檢索。 而且，在圖8 Β所示的下側檢索中，在離起動晶片 第三個邊緣晶片Τ3的Υ方向下方有晶片。對於此情形 換成X方向端的檢索，此情形進行左側檢索。 若完成圖8Α所示的下側檢索的話’朝Υ方向下方 進移動主吸盤18，移到朝Υ方向內方（下方）檢索X方 右端的邊緣晶片的右側檢索。一邊參照例如圖9Α以及 一邊說明此右側檢索。 在圖9Α所示的右側檢索，由起動晶片Ts如以實線 頭所示朝Y方向上方步進移動檢索位置一晶片份，檢測 一個晶片T 1。判斷該晶片T1是否與元件圖案一致，若 致則判斷爲有晶片。其次，由該晶片T1如以虛線箭頭 示朝X方向右方一邊確認每一晶片的有無一邊步進移動 此移動持續到在上述檢索範圍極限內晶片消失爲止。在 9A由第四個晶片更朝X方向右方步進移動的話晶片會 對 片 置 如 片 方 朝 晶 由 Ts 轉 步 向 9B 拉 m 第 所 〇 圖 消 -23- (19) 1277165 失，判斷爲無晶片。因此，檢索位置返回到第四個晶片， 該晶片作爲邊緣晶片Te而確定。若第四個晶片作爲邊緣 晶片TE被確定的話，檢索位置再度朝Y方向上方步進移 動，依次右端的邊緣晶片同樣地被檢索。另一方面，對於 當朝X方向右方檢索晶片時’即使到達檢索車E圍極限晶片 也存在的情形，檢索位置移動到γ方向內方’轉換成X 方向端的檢索。圖9Α的情形係右側檢索轉換成下側檢 索。而且，檢索位置更朝X方向右方步進移動，使邊緣晶 片被檢索。 而且，在圖9Β所示的右側檢索，如以實線箭頭所示 檢索位置由起動晶片Ts朝Υ方向上方步進移動一晶片份 時，判斷爲無晶片。此情形轉換檢索方向成X方向內方， 步進移動到晶片被發現爲止。此移動進行到到達檢索範圍 極限爲止。當在檢索極限的範圍內發現晶片時，該晶片作 爲邊緣晶片TE而確定。對於邊緣晶片Te被確定的情形， 檢索位置朝Y方向上方步進移動每一晶片份，持續右側檢 索。另一方面，即使到達檢索範圍極限仍無晶片的情形轉 換成Y方向端的檢索。圖9 B的情形是由右側檢索轉換成 上側檢索。 如上述’藉由依次貫彳了上側檢索、左側檢索、下側檢 索以及上側檢索，可檢索晶圓W全周的邊緣晶片。若晶 圓 W全周的邊緣晶片被檢索，探測區域被設定的話，探 測區域自動識別製程終了。 如以上說明如果依照第一實施形態，可進行一邊比較 -24- (20) 1277165 檢索藉由上攝影機2 1 A的成爲基準的元件圖案的攝影，與 預先記憶有位於X方向兩端的複數個邊緣晶片每一個的元 件圖案的成爲基準的元件圖案之X方向兩端檢索’與一邊 比較檢索預先記憶有位於Y方向兩端的複數個邊緣晶片每 一個的元件圖案的成爲基準的元件圖案之γ方向兩端檢 索。而且，因一邊在晶圓W的旋轉方向移動檢索位置一 邊檢索邊緣晶片，故即使爲圖4 B所示的不定形晶圓W或 圖5所示的破裂晶圓W，也能去除不適合的晶片，可確實 檢索邊緣晶片。據此，可容易且有效地設定探測區域。而 且，藉由在左側檢索、右側檢索設定X方向的移動界限 (檢索範圍極限），在超過檢索範圍極限時轉換晶圓W的檢 索方向，可無遺漏地確實檢索X方向兩端的邊緣晶片，設 定探測區域。 圖1 0〜圖1 2是顯示依照本發明的第二實施形態設定 探測區域的方法。在第二實施形態例如可設定步進尺寸爲 [3]。此情形檢索位置被步進移動每三個晶片份，依次被 進行上側檢索、左側檢索、下側檢索以及右側檢索。藉由 邊緣晶片均被特定使探測區域被設定。 在圖1 0所不的弟一^貫施形si的左側檢索，檢索位置 由起動晶片T s朝Y方向下方步進移動三晶片份，檢測第 一個晶片T 1。判斷該晶片T 1的元件圖案是否與預先記憶 於第二記憶裝置的成爲基準的元件圖案一致，若一致則判 斷爲有晶片。其次，與圖7所示的左側檢索一樣，檢索位 置由該晶片T1如以箭頭所示朝X方向左方步進移動每一 -25- (21) 1277165 晶片份。此移動持續到晶片消失爲止。在檢索位置移動處 無晶片的情形，檢索位置返回到一個眼前的晶片，以該晶 片作爲邊緣晶片Te而確定。若邊緣晶片TE被特定的話， 檢索位置再度朝Y方向下方步進移動三晶片份。藉由重複 此操作，依次特定左端的邊緣晶片。在右側檢索中也依照 上述的左側檢索，朝Y方向上方步進移動檢索位置每三晶 片份，檢索邊緣晶片。此外，在圖10中標記爲黑圏的晶 片爲藉由後述的方法特定的邊緣晶片。 在圖11所示的第二實施形態的下側檢索，如以圖11 的虛線箭頭所示由左側檢索到達起動晶片Ts。由該晶片 Ts轉換成下側檢索，X方向此情形係朝右方步進移動三晶 片份，檢索第一個晶片。若判斷爲有晶片的話，此第一個 晶片作爲邊緣晶片Te而確定。其次，由此邊緣晶片TE如 以實線箭頭所示朝X方向右方步進移動三晶片份，同樣地 檢索晶片。由於這一次判斷爲無晶片，故檢索位置移動到 Y方向內方。而且，下側檢索被轉換成右側檢索。 其次，一邊參照圖12 —邊說明以步進尺寸[3]在反時 鐘方向檢索晶圓W全周的情形。首先，藉由座標上的位 置以手動選擇起動晶片T s (此情形圖1 2的Y方向上端的 中央的晶片）。進行上攝影機2 1 A的攝影畫像的畫像處理 以確認在該座標位置是否存在晶片。若起動晶片Ts存在 的話，開始藉由程式的探測區域的自動設定，由該位置首 先朝X方向左方步進移動每一晶片份以檢索晶片。朝X 方向左方移動到晶片消失爲止。對於圖1 2的情形，因在 -26- (22) 1277165 由起動晶片Ts步進移動一*晶片份的位置具有晶 該晶片作爲邊緣晶片Te而確定。在此邊緣晶片 方向左方確認晶片的有無，若判斷爲無晶片的話 晶片Te中上側檢索被轉換成左側檢索。 左側檢索與圖1 0所示的情形一樣朝Y方向 移動三晶片份，檢測第一個晶片τ 1。判斷該晶片 件圖案是否與預先記憶於第二記憶裝置的元件圖 若一致則判斷爲有晶片。其次，由該晶片τ 1如 朝X方向左方檢索位置被移動每一晶片份。朝此 動是一邊檢索每一個晶片而進行。當判斷爲在移 晶片時，返回到一個之前的晶片，以該晶片爲 (在此處爲TE2)而特定。 如此特定的邊緣晶片（τE2)與在其一個之前被 緣晶片（TE)於其間存在尙未被特定的邊緣晶片（在 左側標記黑色圓形的兩個晶片）。這些尙未被特 晶片是以直線連結夾著這些晶片已經特定的邊糸 圖12爲 Te與TE2)，藉由位於此直線上，作爲邊 特定。如此，在步進尺寸被設定爲1以上的檢索 直線連結以所設定的步進尺寸在檢索位置移動的 的邊緣晶片，可以位於其線上的晶片作爲邊緣 定。藉由此方法，可比一個一個檢索晶片還能縮 間，可使探測區域的設定容易。 接著，由邊緣晶片Tb2朝Y方向下方步進移 份進行左側檢索。此時’當判斷爲無晶片日寸檢糸 片，故以 T E的更X ’在邊緣 下方步進 ‘ τ 1的元 案一致， 箭頭所示 方向的移 動之處無 邊緣晶片 特定的邊 圖12於 定的邊緣 I晶片（在 緣晶片而 方法，以 前後特定 晶片而特 短檢索時 重力二晶片 方向被轉 -27- (23) 1277165 換成X方向右方。而且，檢索位置在檢索範圍極限內被步 進移動每一晶片份。若判斷爲在此檢索範圍極限內的檢索 有晶片的話，該晶片作爲邊緣晶片（TE3)而確定。由此邊緣 晶片TE3更持續左側檢索，再度朝Y方向下方步進移動三 晶片份。此處，如圖1 2所示當判斷爲無晶片時檢索方向 轉換成X方向右方。而且，在檢索範圍極限內步進移動檢 索位置每一晶片份以檢索晶片。 在朝此方向的檢索中，當判斷爲在檢索範圍極限內無 晶片時，由之前特定的邊緣晶片TE3返回到一個下一晶片 即Τη之下的晶片。而且，由該晶片的位置再度朝X方向 右方使晶片被檢索，若判斷爲有晶片的話，該晶片作爲邊 緣晶片Τ Ε 4而特定。再者，由此邊緣晶片Τ Ε 4朝Υ方向下 方僅步進移動一晶片份，若判斷爲無晶片則檢索方向由γ 方向下方轉換成X方向右方。而且，朝X方向右方使晶 片被檢索，若判斷爲在檢索範圍極限內無晶片的話，檢索 位置由該位置朝Υ方向上方步進移動一晶片份使晶片被檢 索。在圖12判斷爲有晶片，該晶片被特定爲邊緣晶片 Τε5 °由此邊緣晶片ΤΕ5這次被進行Υ方向端（下側）檢索， 阜月X方向右方檢索位置被步進移動二晶片份。 若在此時的移動目的地無晶片的話，由該移動目的地 檢索到下一個邊緣晶片爲止返回每一晶片份的檢索位置， 在判斷爲有晶片的時點，該晶片作爲邊緣晶片ΤΕ6被特 疋 然後’以此邊緣晶片ΤΕ6作爲起動晶片，由下側檢索 轉換成右側檢索。 -28- (24) 1277165 在圖1 2的右側檢索朝γ方向內方（上方）步進移動三 晶片份’檢索右端的邊緣晶片。若該移動目的地無晶片的 話’檢索方向由Y方向上方轉換成X方向左方，檢索位 置被步進移動每一晶片份。而且，若判斷爲在該移動目的 地有晶片的話’以該晶片作爲邊緣晶片TE7而確定。然 後’再度於Y方向上方檢索，步進移動每三晶片份同樣地 重複檢索。 在圖1 2中’在藉由右側檢索檢索邊緣晶片Te8後，如 以同圖的箭頭（1)所示在γ方向上方移動三晶片份的話， 會超過起動晶片所屬的行。這種情形如以同圖的箭頭（2) 所示朝Y方向僅移動一晶片份，藉由右側檢索在與起動晶 片Ts同一行檢索最後的邊緣晶片Te9的時點可完成檢索。 而且假設即使在比起動晶片Ts與最後的邊緣晶片Τη還靠 Υ方向上方存在晶片線，也不進行該線的檢索，可節約檢 索時間。另一方面，對於自動檢索起動晶片的情形，可在 返回到起動晶片T s處完成檢索。 如以上所說明如果依照第二實施形態，具備藉由上攝 影機21Α的晶片的元件圖案的攝影，與一邊比較位於X 方向兩端的複數個邊緣晶片的元件圖案與上述元件圖案一 邊在Y方向步進移動每三晶片份，檢索X方向兩端的邊 緣晶片之X方向兩端檢索，與一邊比較位於Y方向兩端 的複數個邊緣晶片的元件圖案與上述元件圖案一邊在X方 向步進移動每三晶片份，檢索Y方向兩端的邊緣晶片之Y 方向兩端檢索，因在旋轉的方向檢索晶圓W，故除了與第 -29- (25) 1277165 一實施形態同樣的作用功效外，也能縮短探測區域的設定 時間。 更於第二實施形態中，與X方向、Y方向一起以相同 步進尺寸步進移動也可以。例如在圖12由TE到T1在Y 方向步進移動，由T1在X方向外方以同一步進尺寸進行 移動，若無晶片的情形也能在反方向返回每一步進，特定 邊緣晶片。上述步進移動在圖12的所有的方向中都一 樣。 此外，本發明並非對上述各實施形態作任何限制，只 要不違反本發明的要旨就能種種變更探測區域的設定。例 如在順時鐘方向檢索晶圓W也可以。而且，在上述實施 形態雖然針對由晶圓W的上端檢索的情形來說明，惟由 晶圓W的任意端部開始檢索也可以。 如果依照本案發明的實施形態，可提供藉由以攝影機 拍攝晶片的元件圖案，依次檢索邊緣晶片的構成，可自動 地進行探測區域的設定的探測裝置以及探測方法。 而且，如果依照本案發明的實施形態，藉由根據條件 一邊在X、Y方向移動檢索位置一邊檢索邊緣晶片’旋轉 晶圓可檢索邊緣晶片，可有效地短時間地進行探測區域的 設定。 而且，如果依照本案發明的實施形態，可提供即使是 像有缺損等不定形的晶圓或晶片小的晶圓等無法特定外周 的晶片位置的晶圓，也能自動地檢索外周的晶片’可確實 且容易地設定探測區域的探測區域的設定方法及探測裝 -30- (26) 1277165 置。 而且，如果依照本案發明的實施形態，令已經被特定 的邊緣晶片爲始點，藉由在晶圓的旋轉方向依次檢索與被 特定的邊緣晶片接鄰的晶片，特定晶圓W上的所有的邊 緣晶片，可使檢索位置的移動最短，可有效地進行探測區 域的設定。 而且，如果依照本案發明的實施形態，藉由使檢索位 置由晶圓的中心位置移動到預定的外方向檢索晶片’令在 其方向中特定的邊緣晶片爲以後的檢索的始點的構成’可 完全自動地進行探測區域的設定。 而且，如果依照本案發明的實施形態，藉由在依次檢 索形成於外周的複數個晶片時，對朝X方向的檢索位置的 移動設定界限，在移動超過界限時轉換檢索位置的移動方 枸由X方向到Y方向，因可沿著晶圓W的外周修正檢索 方向，防止浪費的檢索，故可縮短探測區域的設定所需的 時間。 而且，如果依照本案發明的實施形態，藉由以位於連 結前後檢索的兩個外周被檢查體的線上的被檢查體作爲外 周被檢查體來特定，可比一個一個檢索晶片還縮短檢索時 間，使探測區域的設定容易。 更進一步的特徵以及變更爲對熟習該項技術領域者容 易構想的。故本發明爲站在更廣的觀點，並非限定於在此 所揭示的特定的詳細的說明以及代表的實施例。因此，在 不脫離像由添附的申請專利範圍以及其均等物定義的一般 -31 - (27) 1277165 的發明的槪念的旨趣與範圍’可進行種種的變更。 【圖式簡單說明】 添附的圖面被放入說明書及構成其一部分，顯示本發 明的較佳實施例。而且，圖面藉由關於上述記述的一般的 記述的較佳實施例的詳細說明，使用於本發明的說明。 圖1 A、1 B是顯示適用本發明的探測區域的設定方法 的探測裝置的一實施形態的圖，圖1 A是使其一部分破斷 而顯示的前視圖，圖1 B爲其俯視圖。 圖2A、2B以及2C是顯示圖1的探測裝置的主要部 位的圖，圖2A是其方塊圖，圖2B是顯示畫面，圖2C是 顯示步進尺寸輸入畫面的圖。 圖3A是顯示圖1所示的探測裝置的探針室內的動作 的流程圖，圖3 B是顯示本發明的探測區域的設定方法的 槪要的流程圖。 圖4A、4B分別爲顯示使用本發明的探測區域的設定 方法檢索邊緣晶片的樣子的說明圖。 圖5是顯示使用本發明的探測區域的設定方法的一實 施形態檢索破裂晶圓的邊緣晶片的結果的說明圖。 圖6A、6B是使用本發明的探測區域的設定方法的一 實施形態進行晶圓的上側檢索時的說明圖。 圖7A、7B是使用本發明的探測區域的設定方法的一 實施形態進行晶圓的左側檢索時的說明圖。 圖8A、8B是使用本發明的探測區域的設定方法的一 - 32- (28) 1277165 實施形態進行晶圓的下側檢索時的說明圖。 圖9 A、9 B是使用本發明的探測區域的設定方法的一 實施形態進行晶圓的右側檢索時的說明圖。 圖1 0是使用本發明的探測區域的設定方法的其他實 施形態進行晶圓的左側檢索時的說明圖。 圖1 1是使用本發明的探測區域的設定方法@ #胃 施形態進行晶圓的下側檢索時的說明圖。 圖1 2是以使用圖1 0以及1 1所示的其他實施形態' @ 探測區域的設定方法檢索晶圓全周的邊緣晶片日寺W $ 圖0 【圖號說明】 10:探測裝置 11:裝載機室 1 2:探針室 13··控制裝置 1 3 A :第一記憶裝置 1 3 B :第二記憶裝置 13C:控制/演算處理部 1 4 :輸入裝置 1 5 :顯示裝置 1 5 C :步進尺寸的輸入畫面 1 6 :晶圓傳送夾具 1 7 :次吸盤 -33- (29) 1277165 1 8 :主吸盤 1 9 :移動機構 20:探針卡 2 0 A :探針
2 1 :定向機構 2 1 A :上攝影機 2 1 B :定向橋接 2 1 C :導軌 2 1 D :下攝影機 2 2 :頭板 C :晶圓匣盒 T:測試頭
Te、Te.2、TE3、TE5、TE9:邊緣晶片
T 1 :第一個晶片 Ts:起動晶片 W:晶圓 -34-