TWI244705B - Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明·係有關於一種發光二極體 y於-種發光二極體晶片封裝體及 ：：地，係 【先前技術】 了衣方法。 LED晶片。、猶曰曰曰片的焊塾係；：打線上的 線來與在該封裝基it及/或導線架上的接=二屬導 而，如此的結構在封裝時程上 電矾連接。然 於折斷以致於習知LED晶片封妒_二^，金屬導線係易 提升。w 曰曰片封衣體的產量與良率無法有效 此外，隨著晶片製程的進步，led 越小，以致於晶片上之焊墊的面 的尺寸係越來 此小之面積的焊墊執行打線處理Γ困難：此，要對具 【發明内容】 又印難的。 有釔^此本案發明人遂以其從事該行業少 驗，並本著精益求精之揞抽， 乂之夕年經 『發光二極體晶片封裝體及其二違遂有本發明 本發明之目的是為提供 體及其“裝方法。所述之問題的發光二極體晶片封裝 接n t:之一特徵’-種發光二極體晶片封事體r 被拯供，该發光二極體晶片封：一 2封凌體係 片，該發光二極體晶片1# I " 3 如先一極體晶 ^ 片具有—烊墊安裝表面、數個安裝於 1244705 五、發明說明（2) 4焊墊安裝表面 後表面；一光線 光二極體晶片的 發光二極體晶片 層，該表面絕緣 並且具有一用於 份的中 絕緣層 係設置 根 係被提 片，該 該焊墊 後表面 光二極 係形成 於該發 露該發 孔及數 件，該 上的焊墊、 反射塗層， 焊墊安裝表 之對應之焊 層係形成於 曝露該發光 一透光元件 央穿孔； 的中央穿 於該發光 據本發明之另一特徵 供，該發 發—"極 安裝表面 及一與該 該光線反 面上並且 墊的焊墊 該發光二 二極體晶 ，該透光 孔内；及數個導電凸 二極體晶片之一對應 種發 焊墊安 射塗層 具有數 曝露孔 極體晶 片之後 元件係 塊，每 的焊塾 光二極 裝表面 係設置 個用於 表 ;一光線 體晶片的 於碑光線 光二極體 光二極體 個用於曝 透光元件 導電凸塊，i每— 一對應的焊墊上 根據本發明 係被提供，該發 光二極體封 體晶片具有 上的焊墊、 反射塗層， 後表面上； 反射塗層上 晶片的焊塾 晶片之焊塾 露對應之焊 係設置於該 個導電凸塊 〇 之再一特徵 光二極體晶 裝體包含：一 一焊墊安 及一與該 該光線反 一絕緣保 ;一絕緣 女*裝表面 安裝表面 墊的焊墊 絕緣層的 係設置於 裝表面 焊墊安 線塗層 護層， 層，該 上並且之中^央 曝露孔 中央穿 該發光 片的後 表面之 設置於 一個導 上。 體晶片 光二極 、數個 裝表面 係設置 該絕緣 絕緣層 具有一 部份的 » 一透 孔内； 二極體 相對的 於該發 曝露該 面絕緣 表面上 中央部 該表面 電凸塊 封裝體 體晶 安裝於 相對的 於該發 保護層 係形成 用於曝 中央穿 光元 及數個 晶片之 :一種發光二極體晶片封 片封褒體包含：一絕緣基板

1244705 五、發明說明（3) 該絕緣基板具有 安裝區域具有_ 晶片安裝 表面 、一 至少一個 晶片安裝 數個貫通該晶片安裝表面 片安裝表面經由對應之貫 一基板絕緣層，該基板絕 板的該至少一個晶片安裝區域的晶 個晶片安 的背面、 個從該晶 電軌跡； 成有一用％曝露該至少 孔；至少 片係設置 有一焊塾 墊 及一 層，該光 的焊墊安 二極體晶 每個導電 應的焊墊 之晶片安 層，該導 在絕緣基 之間的空 晶片之後 根據 體係被提 板，該絕 一個發 於該絕 安裝表 與該焊 破反射 裝表面 片之對 凸體係 且係 裝表面 熱層係 板、該 間來被 着面上 本發明 供，該 緣基板 晶片， 該至少 光二極體 緣基板的 面、數個 墊安裝表 塗層係設 上並且具 應之焊墊 設置於該 與該絕緣基板之該 上之對應的導電轨 導熱材料 發光二極 該 區域，該至少 與έ亥晶片安裝 與5亥为面的貫 孔來延伸到該 緣層係形成於 片安裝表面上 裝區域之中央 至少一個發光 個晶片安裂區 焊墊安裝表面 安裝於該 面相對的後表面；_ 置於該至 有數個用 少一個發光 表面相對 月面的導 該絕緣基 而且係形 區域的開 二極體晶 域並且具 上的焊 線反射塗 極體晶片 措由把'一 至少一個 於曝露該至少一個發光 的焊墊曝露孔；數個導電凸體， 至少一個發光二極體晶片之一對 至少一個晶片安裝區域 ;一導熱 注入形成 體晶片與該等導電凸體 光二極體 跡電氣地連接 經由該I等貫孔 形成，及一形成於該至少一個發 的透光元件。 之又再一特徵，一 發光二極體晶片封 具有至少一個晶片 種發光二極體晶片封裝 裝體包含：一絕緣基 安裝區域，該至少一個

第7頁 1244705 五、發明說明（4) 晶片安裝區 相對的背面 及數個從該 的導電軌跡 緣基板的該 係形成有一用於曝 的開孔；至少一個 體晶片係設置於該 且具有一焊墊安裝 11與該蟬 藉由把 焊墊、及 該導熱層係 域具有一晶片安裝 、數個 晶片安 ;一基 至少一 緣基板、該至少一 的空間來 對應之導 層在靠近 之厚度小 面；一形 成於該金 個導電凸 的焊墊上 晶片安裝 根據 係被k供 被形成； 氧凸體之 晶片之部 的厚度以 成於該絕 屬反射層 if係設置 且係與該 表面上之 本發明之 \該發光 片，該 貫通該晶片 裝表面經由 板絕緣層， 個晶片安裝 露該至少/ 發光二極體 絕緣基板的 表面、數個 墊安裝表面 一導熱材料 個發光二極 —形成於在 間之空間内 h具有一個 致於每個絕 緣材料層之 上的透明保 於該至少一 、絕緣基板之 對應的導電 另一特徵， 二極體晶片 體晶片具有 表面 安裝 對應 該基 區域 個晶 晶片 該至 安裝 相對 經由 體晶 界定 的絕 比在 緣才才 表面 護層 個發 該至 軌跡 -種 封裝 -焊 、一與該晶片 表面與該背面 之貝孔來延伸 板絕緣層係形 的晶片安裝表 片安裝區域之 ，該至少一個 少一個晶片安 於該焊墊安裝 的後表面；一 該等貫孔注入 片與該等導電 每一個開孔之 緣材料層，該 靠近基板絕緣 料層具有一凹 安裝表 的貫孔 到該背 成於該 面上而 中央區 發光二 裝區域 表面上 導熱層 形成在 凸體之 内壁面 絕緣材 層之部 陷的上 層；一 上的金屬反射 ;及數^固導電凸體， 光二極體晶片之一對 少一個晶片安裝區域 電氣地連接。 發光二極體晶 體包含：一發 塾安裝表面、 片封裝 光二極 數個安 面 面 絕 且 域 極 並 的 5 絕 間 與 料 份 表 形 每 應 之 體 體 裝 曰a

$ 8頁 Α、發明說明（5) ------ 的ί 5女ί表面上的焊墊、及一與該焊墊安裝表面相對 發i:極雕：ί線t射ϊ層，該光線反線塗層係設置於該 發光一極：曰:的*干墊女裝表面上並且具有-用於曝露該 :先一極脰日-日片之對應之焊墊的焊墊曝露孔丨一透光元 ’該透光7L件係設置於該發光二極體晶片的後表面上； 晶，t ί 每一個導電凸塊係設置於該發光二極體 曰曰片之一對應的焊墊上。 紐 的封Γίί::;;::::種發光二極體晶片繼 -發光二極：ίΐ 封裝方法包含如下之步驟：提供 面、數個安^ =片，该發光二極體晶片具有一焊墊安裝表 安裝ίΐΓί 焊墊安裝表面上的焊塾、及一與該焊墊 極5晶片的γ 2 ί t面；設置一光線反射塗層於該發光二 於曝露該發‘ 一：^ f:上’該光線反射塗層具有數個用 成-表面絕對應之焊墊的焊墊曝露孔1 絕緣層具有一^於=二、一極體晶片的後表面上，該表面 部份的中身穿孔·；二路該發光二極體晶片之後表面之中央 穿孔内；及:姑政，置一透光元件於該表面絕緣層的中央 凸塊。；μ χ—極體晶片之每個焊^墊上設置一導電 根據本發明之再一 的封裝方％係被提供，種發光二極體晶片封裝體 光二極體晶片，方法包含如下之步驟··提供一發 數個安裝‘該π二ϊ $二極體晶片具有一焊塾安裝表面、 表面相對的二女表表面上的焊墊、及一與該焊墊安裝 、’於該發光二極體晶片的後表面上設置 1244705 五、發明說明（6) 1 -- 一光線反射塗層；於該光線反射塗層上形成一絕緣保護 層，於該發光二極體晶片的焊墊安裝表面上形成一絕緣 層’該絕緣層具有一用於曝露該發光二極體晶片之焊墊安 裝表面之中央部份的中央穿孔及數個用於曝露對應之焊墊 的焊墊曝露孔；於該絕緣層的中央穿孔内設置一透光元 件，及於f亥發光二極體晶片的每個焊墊上設置一導電凸 塊0 根 體的封裝方法 供一絶緣基t板 有一焊 的焊墊、及一 明之又再一特徵，一種發光二 係被提供，該 ，該絕緣基板 片安裝區域具 對的背面、數 數個從該晶片 導電軌跡；於 表面上 一用於曝露該 提供至少一個 片安裝表 該晶片安 面經由對 基板的該 基板絕緣 個晶片安 極體晶片 板的該I至 數個安裝 表面相對 安裝表面 個用於曝 墊曝露孔 置一導電 封裝方法包含如下之步 具有至少一個晶片安裝 片封裝 驟：提 區域， 與該晶 裝表面與該背 應之貫孔來延 個晶片 基板絕 層，該 裝區域之中央 ’該至少一個 少一個晶片安 墊安裝 該至少 片安裝 面的貫 伸到該 安裝區 緣層係 區域的 發光二 裝區域 表面上 該至少 反射塗 發光二 個發光 一個晶 表面相 孔、及 背面的 域晶 形成有 開孔； ϋ體晶 並為具 一個發 層，該 極气晶 一核體 片安裝 片係設 光二極 光線反 片之對 晶片之 置於該 墊安裝 與該焊 體晶片 射塗層 應之焊 每個焊 有一晶 個貫通 安裝表 該絕緣 形成一 至少一 發光二 絕緣基 表面、 墊安裝 的焊墊 具有數 墊的焊 墊上設 面 至少一 於該焊 的後表 上設置 露該至 ;於該 凸體， 面；於 一光線 少一個 至少一 該等導

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五、發明說明（7) 電凸體係與今 安裝表面緣基板之該至少一個晶片安裝區域之晶片 材料經由該=應的導電軌跡電氣地連接；藉由把〆導熱 二極體晶I蛊二^注入形成在絕緣基板、該至少〆個發光 及於該至少二厂等導電凸體之間的空間來形成〆導熱層: 件。 固發光二極體晶片之後表面上設置一透光元 根據本發日月> 裝體的封#古再另一特徵，一種發光二極體晶片封 提供ml 提供，該封裝方法包含如下之步驟： 域，^ 亥絕緣基板具有至少一個晶片安裝區 該晶ί安二：：:曰曰片安襄區域具有-晶片安裝表面、-與 該北&衣表面相對的背面、數個貫通該晶片安裝表面與 21^的、孔、及數個從該晶片安裝表面經由對應之貫孔 到該背面的導電軌跡；於該絕緣基板的該至少一個 =力安裝區域的晶片安裝表面上形成一基板絕緣層，該基 f、、’巴緣層係形成有一用於曝露該至少一個晶片安裝區域之 2央區域的開孔；提供至少一個發光二極體晶片，該至少 一個發光3極體晶片係設置於該絕緣基板的該至少一個曰 2 f裝區域並且具有一焊墊安裳表面、數;個安裝於該焊g 女哀表面上的焊墊、及一與該焊墊安裝表面相對的後表 面；藉由把一導熱材料經由該等貫孔注入形成在絕 該至之一個發光二極體晶片與該等導電凸體之間二空 間來形成一導熱層；於在界定每一個開孔之内壁面與對應 f T電凸體之間之空間内形成-絕緣材料層，該絕緣材料 層在靠近晶片之部份具有一個比在靠近基板絕緣層之部份 1244705 ⑻

、發明說明 ^厚f ^、的厚度以致於每個絕緣材料層具有一凹陷的上表 ;该絕緣材料層之表面上形成一金屬反射層；於該金 射層上形成一透明保護層；及於該至少一個發光二極 ^ = f之每個焊墊上形成〆導電凸塊，該等導電凸塊係與 X、巴緣基板之該至少一個晶片安裝區域之晶片安裝表面上 之對應的導電執跡電氣地連接。 、根據本發明之再另一特徵，一種發光二極體晶片封裝 丑的封I求法係被提供，該封裝方法包含如下之步驟：提 仏 發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有一焊墊安裝 表面數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、及一與該焊 塾安裝表面相對的後表面；於該發光二極體晶片的焊墊安 义表面上置一光線反射塗層，該光線反射塗層具有一用 於曝露該發光二極體晶片之對應之焊墊的焊墊曝露孔；於 g發光二極體晶片的後表面上設置一透光元件；及於該發 光二極體晶片之每個焊墊上設置一導電凸塊。 【實施方式】 在本發明被詳細說明之前，應要注意的是，在整個說 明書中，相似的元件係由相同的標號標示卜另一方面，為 了清楚揭示本發明之特徵，該等附圖並不是按照元件實際 的尺寸及不是按照真實比例來描繪。 第一气四圖是為以製造步驟方式顯示本發明之第一較 佳實例之LEXD晶片封裝體的示意剖視圖。 晴參閱第一圖所示，一發光二極體（led)晶片10係首 先被提供。該LED晶片1〇是為一個尚未從一晶圓（wafer)

第12頁 1244705 五、發明說明（9) 切割出來的晶片，也就是說，本發明的發光二極體晶片封 I體之封裝方法是為一種晶圓級封裝方法。當然，該晶片 也可以是為一個已從一晶圓切割出來的晶片。 該LED晶片10具有一個安裝有數個焊墊102的焊墊安 裝表面1 0 〇及一個與該焊墊安裝表面1 〇 〇相對的後表面 ^01 。在本實施例中，兩個焊墊1〇2係被安裝於該料墊安 裝表面100上。然而，應要了解的是，焊墊1〇2的數目並 不受限於兩個，其係端視應用而定。 —光線反射塗層1 1係被設置於該LED晶片1 〇的焊墊安 / ^面1 0 Q上。该光線反射塗層1 1係由任何適合的材料形 成並且具或數個用於曝露對應之焊墊丨0 2的焊墊曝露孔 請參 於每一個 該等凸體 光阻材料 射塗層11 然後對該 另一 於該LED 絕緣層1 3 表面101 理來在中 中央部份 閱第二圖 焊墊1 0 2 1 2係由像 製成。該 上以光阻 凸體形成 方面，一 曰\片1 0的 係由感光 上之後， 央部份形 的中央穿 所示，在光 上係形成有 聚醯亞胺 等凸體1 2的 材料形成一 層進行曝光 由光阻材料 後表面1 0 1 油墨製成。 該表面絕緣 成一用於曝 孔 1 3 0 〇 線反射塗層1 1的 一凸體1 2。在本 (polyimide)及 形成係藉由首先 凸體形成層（圖 和顯影等處^理來 製成的表面絕緣 上。在本貫施例 在形成於該LED 層1 3係經由曝光 露該晶片1 0之後 形成之後， 實施例中， 其類似般的 在該光線反 中未示）而 達成。 層1 3係形成 中，該表面 晶片1 0的後 和顯影等處 表面1 0 1 之

1244705 五、發明說明（10) 接著，請參閱第三圖所示，於該LED晶片1 〇的每，個 焊墊1 0 2 上係形成有一第一金屬層1 4以致於該焊墊1 〇 2的 表面和在該焊墊1 0 2上的凸體1 2係由該第一金屬層1 4覆 蓋。在本實施例中，該等第一金屬層1 4係由鋁形成。然 而’應要了解的是，該第一金屬層丨4亦可以由其他任何適 合的金屬材料形成。 然後，^在每一個第一金屬層1 4上係形成有一第二金屬 層15 ’因此，每個凸體12及其之對應的第一和第二金屬層 1 4和1 5 —起形成一導電凸塊。在本實施例中，每一個第二 金屬層15係由一鎳層150與一金層151組成。 *最後’ 一透光元件丨6係設置於該後表面絕緣層丨3的中 $穿孔130.&内。在本實施例中，該透光元件16係以聚醯亞 胺為材料來被形成並且具有一圓弧形的頂端部份。铁而， :透土元件16亦可以由任何適合的材料與任何適合的、方法 來被设置。例如，該透光元件1 6係能夠以適合的材料辜弁 製造而成，^而然後再被設置於該表面 内。 曰〜τ天牙孔 =要注意的是，該透光元件丨6係可以^依需要來 埭-ί::?當的偏光劑以致於從該透光元件16射出的L 線旎夠具有合意的顏色。 ⑺出的先 應要，解的是，在本實施例中， 金般的金屬形成該凸體12亦可以由像 …屬層“和15係可以被免除。或者，如在第十士日:中

料形成。然而，請夂㈣+岡所_ °豕凸妝12係由先阻材 1244705 五、發明說明（11) 所示’在以光阻材料形成凸體1 2之前，於每個焊墊1 〇 2上 係形成一界接金屬層2 8。應要注意的是，在本發明中所揭 露之導電凸塊並不受限於在此中所描述的類型和形成方U 式。只要是適於與外部電路電氣連接的話，各式各樣的導 電凸塊和其之形成方式係可應用在本發明。例如，在中華 民國專利申請案第8 9 1 0 0 5 78人03號案和第92 1 1 2 1 6 5號安1 所揭露的導電凸塊及其之形成方式亦可應用於本中 以上外述之LED晶片封裝體具有如下之優點·· 1·該LED晶片封裝體的整體尺寸係與該LED晶片 ，寸大致相同，因此係比目前市面上可得之稱為"〇6〇3"、 0804 、及” 0402"等等之LED晶片封裝體的尺寸小报 2·免%打線處理使整個封裝時程縮短， 產量與良率。 ’双耗升 第五圖疋為顯不本發明楚— — 體晶片封裝體的示意剖視圖。 &貝施例之發光二極 請參閱第五圖所示，本較佳實施例之 封裝體與靜一較佳實施例之 。體日日片 地方是僅在於該透光元件桎體日日片封裝體不同的 平坦的頂端部份 件17係經由研磨•來被形成有— 第/、圖是為顯示本發明二 — 體晶片封气體的部份示意剖視圖了乂土 κ施例之發光二極 請參閱第六圖所示，本 的地方係僅在於進一步包人 /人μ 一較佳實施例不同 的第二透光元件18。該等 二亥^件17之上 九兀仵17，18可以被摻雜有不

1244705 五、發明說明（12) 同波長之魂當的偏光劑以致於從該第二透光元件18射出的 光線可以具有由兩種顏色調和出來的顏色。 第七至九圖是為顯示本發明之第四較佳實施例之發光 二極體晶片封裝體的示意剖視圖。

、f簽閱第七圖所示，一發光二極體（LED)晶片1〇係首 先被提L ^LED晶片1 〇具有一個安裝有數個焊墊丨02的 知墊女衣表面1 〇 〇及一個與該焊墊安裝表面丨〇 〇相對的後 表，1+01 。在本實施例中，兩個焊墊102係被安裝於該焊 墊=衣ί面10 〇上。然而，應要了解的是，焊墊1 〇 2的數 目並不文气於兩個，其係端視應用而定。 光、、在反射塗層1 1係被設置於該L E D晶片1 〇的後表面 101 上。 由光阻f料製成的絕緣保護層1 9係形成於該反射塗 層11上。在本實施例中，該絕緣保護層1 9係由感光油墨製 成。 夂 另方面’一由光阻材料製成的表面絕緣層2 〇係形成 於該LED晶片1〇的焊墊安裝表面1〇〇 i。在本實施例中， 該表面絕緣層2 0係由感光油墨製成。: 曰，著’.¾如在第八圖中所示，在形成於該LEd晶片1 0的 焊墊安装表面1 0 〇 i之後，該表面絕緣層2 〇係經由曝光和 顯影等處ί里來形成—用於曝露該led曰曰曰片1〇之焊墊安裝表 面1 00之中央部份的中央穿孔2〇〇和數個形成於一對應之 焊墊102上的凸體12。 接著，4如在第九圖中所示，於該LED晶片1〇的每一個 1244705

五、發明說明（13) 丈干塾1 0 2上形成一第一金屬層丨4以致於該焊墊丨〇 2的表面 和=該焊墊102上的凸體12係由該第一金屬層14覆蓋。在 本貝施例中’該等第一金屬層丨4係由鋁形成。然而，應要 了解的是，' 該等第一金屬層丨4亦可以由其他任何適合的金 屬材料形成。 iW k，於每一個第一金屬層丨4上係形成一第二金屬層 1 5，因此，每個凸體丨2及其之對應的第一和第二金屬層 和15 —起幾成一導電凸塊。每一個第二金屬層以係由一鎳 層15〇與一金層151組成。 而最後，一透光元件17係設置於該表面絕緣層20的中央 穿孔20 0内。在本實施例中，該透光元件17係以聚醯亞胺 為材料形成。然而，該透光元件丨7亦可以由任何適合的材 料與任何逾合的方法來形成。 第十二至十八圖是為以製造步驟方式顯示本發明之第 五較佳實施例之發光二極體晶片封裝體的示意剖視圖。 請參閱第十二和十三圖所示，至少一個發光二極體 (L E D)晶片l 1 〇係首先被提供。該l e D晶片1 〇具有一個設置 有數個丨干塾102的焊塾安裝表面100及一 個與該焊塾安f 表面1 0 0相對的後表面1 0 1 。與以上的實施例相同，兩個 焊墊1 0 2係被安裝於該料墊安裝表面1 0 0上。然而，應要 了解的是，焊塾1 0 2的數目並不受限於兩個，其係端視廣 用而定。& 一光線反射塗層1 1係被設置於該L E D晶片1 〇的焊墊安 裝表面1 0 0上。該光線反射塗層1 1具有數個用於曝露對應

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之焊墊1 0 2的焊墊曝露孔1 j 〇 接著 實施例中 成。該等 以光阻材 體形成層 ，·於每一個 ，該凸體1 2 凸體1 2的形 料形成一凸 奸塾102上係形成有一凸 進行曝光和 ，於該L E D 屬層1 4以致 上的凸體1公係由該第 屬層1 4係由 1 4亦可以由 隨後 一第一金 等第一金 一金屬層 然後 層1 5 ，因 1 4 和 1 5 _ 鎳層150 係由像聚醯亞胺 成係猎由首先在 體形成層（圖中 顯影等處理來達 晶片1 0的每一個 於該焊墊1 0 2的 一金屬層14覆蓋 症呂形成。然而， 其他任何適合的 在每一個第一金屬層14上 气，每個凸體I2及其之對應 起形成一導電凸塊。每一個 與一金層151組成。 荨等般的 該光線反 未示）而 成。 焊墊1 0 2 表面和在 。在本實 應要了解 金屬材料 係形成有 光阻材料製 射塗層1 1上 然後對該凸 上係形成有 該焊墊1 0 2 施例中，該 的是，該第 形成。 一第二金屬 的第一和第二金屬層 第二金屬層15係由一 現在睛蒼閱第十四和十五圖所示，一絕緣基板2丨係被 提供。該絕緣基板21具有數個晶片安裝區域21()。該等晶 1安裝區域210各具有一晶片安裝表面21j 、一與該晶片 安裝表面2 1 1相對的背面2 1 2 、數個貫通該晶片安裝表面 211與該背面212的貫孔213 、及數個從該晶片安裝表面 2 11經由一對應之貫孔2 1 3來延伸到該背面2丨2的導電執 跡2 14 。气本較佳實施例中，每一個晶片安裝區域21〇之 貝孔2 1 3的數目係與對應之L E D晶片1 ◦之焊墊1 〇 2的數目 相等。 Μ

m ii 第18頁 1 1244705 五、發明說明（15) ”在本貝施例中，5亥、纟巴緣基板2 1為一陶瓷基板，然而， -蜿緣基麵2 1亦可以是為由其他絕緣材料製成的基板，例 如’玻璃基板。 然後’如在第十六圖中所示，一基板絕緣層22係形成 於整個絕緣基板21的晶片安裝表面211上。在本實施例 中5亥基板、纟巴緣層22係由光阻材料製成而且係經由曝光與 顯影等處理、來形成有數個用於曝露對應之晶片安裝區域 21 0之中央區域的開孔22〇 。隨後，於界定每個開孔22〇 的内壁面上係形成有一反光塗層23。 接著，明參閱第十七圖所示，數個如上所述被製備的 \ED晶片i(j係被置於對應的晶片安裝區域21〇内而且在該 曰曰片1 0之焊墊1 〇 2上的導電凸塊係經由一導電體2 4來與在 晶片安裝表面211上之對應的導電執跡214電氣連接Ϊ ♦然後，如在第十八圖中所示，一導熱材料係經由該等 貫孔213來被注入形成在絕緣基板21、對應之LED晶片 10、與對磨之導電體24之間的空間來形成導熱層26。該導 熱材料可以是為金屬絕緣導熱材料或者非金屬絕緣導熱材 另一方面，於每個led晶片10上係形成有一透光元件 25。該透气元件25係由與以上所述之較佳實施例相同的 料及相同的方式形成。 一最後’該絕緣基板2 1係依需要來被切割成數個個別的 發光二極體封裝體。例如，每個發光二極體封裝體可以包 含一個晶片安裝區域210或者可以包含九個成矩陣方式^

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列的晶片安裝區域2 10 。 、應要注意的是，該透光元件25係可以被注入偏光染料 背J或逢光劑以致於從該透光元件2 5發射出來的光線可以具 有合意的顏色。 第十九、至二Η 圖是為以製造步驟方式顯示本發明之 第/、較佳貫施例之發光二極體晶片封裝體的示意側視圖。 在本實施例中，至少一個發光二極體（LED)係如在第 五較佳實施例中所述般首先被製備，因此，其之詳細描述 於此被省略。 一然後，如第十九圖所示，一絕緣基板2 1係被提供。本 芦施例之、纟巴緣基板2 1與弟五車父佳實施例之絕緣基板不同的 地方僅在於本較佳實施例之絕緣基板2丨的每個晶片安裝區 域210具有比較大的面積。 然後A如在第二十圖中所示，與該第五較佳實施例相 同’ 一基板絕緣層22係形成於整個絕緣基板2丨的晶片安裝 表面211上。在本實施例中，該基板絕緣層22係由光阻材 料製成而且係經由曝光與顯影等處理來形成有數個用於曝 露對應之晶片安裝區域2 1 0之中央區域的^開孔2 2 〇 。 接著，請參閱第二十一圖所示，數個預先被製備的 LED晶片1 〇係被置於對應的晶片安裝區域2 j 〇内而且在該 晶片1 0之焊墊1 〇 2上的導電凸塊係經由一導電體2 4來與在 晶片安裝表面2 1 1上之對應的導電執跡2 1 4電氣連接。 然後、一導熱材料係經由該等貫孔213注入形成在由 該絕緣基板2 1、對應之LED晶片1 0、與對應之導電體所

第20頁 Ϊ244705 五、發明說明（17) 形成的空間内來形成導熱層26。該 絕緣導熱材料或者非金屬絕緣導熱=材科可以是為金屬 在形成導熱層26之後，於在屄卞二 / 壁面與對應之導電體24之間的空間内：形：：：:20之： 層29。每一絕緣材料層29在靠近曰片n、:有一絕緣材料 在靠近基板絕緣層22之部份份具有一個比 緣材料層29具有一凹陷的上表：度小的…致於每個絕 來連ϊ ί护：ΐ f f射層30與一透明保護層31係以這順序 連、、、貝地形成於母個絕緣材料層29的 層30係作思如一反射鏡面 =屬反， 能完全被反射出來。 < 於以曰日片發射出來的光線 -样it Γ邑緣基板21係如同在第五較佳實施例中所述 一樣==要來被切割成數個個別的發光二極體封裝體。 < 弟一至—十七圖是為以製作步驟方式顯示一種可 應用於本發明$導電凸塊之例子的Η㈣目。 首先明芩閱第二十二圖所示，於晶元10的每個焊墊 102上形成一如導電金屬球般的導電觸點“。在本實施例 中，该導電觸點32是為金球（gold ball ί 。然而，該導 電觸點γ %可以由任何適合的金屬材料製成。 接著’如在第二十三圖中所示，於晶元1 0的焊墊安裝 表面1 0 〇上係形成—由感光材料形成的第一絕緣層3 3。該 第〇％緣層33係形成有數個曝露對應之導電觸點32的開孔 絕 然後’清參閱第二十四和二十五圖所示，於該第

第21頁 1244705 五、發明說明（18) 緣層33上形成一由感光材料形成的第二絕緣層34。該第一 絕緣層34係形成有數個與第一絕緣層33之對應之開— 連通且比該對應之開孔330大的通孔34〇 。接著，彼 ，的開孔33、0和通孔340係以錫膏充填。之後，經過^ 處理，充填於該等彼此連通之開孔33〇和通孔34〇 ^ 係形成一與對應之導電觸點32電氣連接且端部係凸认， 通孔3 4 0外部的導電焊點3 5。 ；该 請芩气第二十六圖所示，經由研磨處理，導電 之凸伸在通孔340外部的端部係被磨平。 “，、35 最後，該第二絕緣層34係被移去，以致於每個診 電焊點35與對應之導電觸點32 —起作用為一如上所^導 電凸塊，如在第二十七圖中所示。 厅4之導 第二十八至三十二圖是為以製作步驟方式顯示 可應用於本發明之導電凸塊之例子的示意剖視圖。種 中’忒導气觸點3 2是為金球（g〇 j d ba i i )。然而 電觸點亦可以由任何適合的金屬材料製;成。 接著’於該晶元1 〇的焊墊安裝表面丨〇 〇上係形〜 感光材料形成的第-絕緣層33。該第-絕緣層33係形：由 數個曝露對應之導電觸點32之端部的開孔330 。 有 然後’Λ凊參閱第二十九和三十圖所示，於該第〜々 層33上形成—由感光材料形成的第二絕緣層％。該第:巴緣 緣層34係形成有數個與第—絕緣層33之對應之開孔 U 連 首先’、請參閱第二十八圖所示，於晶元丨〇的每個炉 1 〇 2上形成一如導電金屬球般的導電觸點3 2。在本實大Γ ’誘導

第22頁 1244705 五、發明說明（19)

Si二對？；開f33…通孔340。接著，彼此連通 的開孔330 '和通孔34〇係以錫膏充填。之 = 理，充填於該等彼此連通 、，’二匕口蛘處 形成-與對應之導電二和通孔340的錫膏係 孔34。外部的導電焊：：。2電乳連接且端部係凸伸於該通 口月务閱第二十一圖所示，經由 之凸1 申在通，〇外部的端部係被磨平："Ιέ35 電尸二35斑ί —、巴緣層34係被移去，以致於每個該等導 電干，..，占35人對應之導電觸點32 一 體，如在第三十二圖中所示。（作用4如上所述之凸 之第十四圖是為以製造步驟方式顯示本發明 二弟七…施例之發光二極體晶片封裝體的示意剖視 、十 ^^咖^㈣以如在第十二至十三圖中特 ί —㈣，被製#。然後’如在第三十三圖中所 36内部係被注入有像：士兀件36係被提供。該透光元件 般的液態染料或螢域氣體或者像偏光染料劑 成在該透*元件36“/二，—全反射^金屬層37係被形 A y β、$ & _ 的下表面上而一半反射金屬層38係被形 成在该，成兀件36的上表面上。 饿形 接著，如在第-丄 晶片之後表面藉由一設置在該咖 層（圖中未示）7=2層37之間的透明黏性材料 。遠透光兀件36係被設置於該LED晶片1〇 1244705 五、發明說明（20) 緣材i开要:主意：f，：透光元件36亦可以由其他的透明絕 、=材㈣成，例如，透明的環氧樹脂、聚 由其他的透明絕緣材料形成時，： 〃 2 j粒子係被摻雜在該透明絕緣材料内。 封裝Ϊ i所述1 ί ?明t『發光二極體晶片封裝體及其之 之目的盥^叾，此藉土述所揭露之構造、裝置，達到預期 發明專#;之二且申請前未見於刊物亦未公開使用，符合 寻利之新穎、進步等要件。 而已，非^述=揭露之圖式及說明，僅為本發明之實施例 仕，其所伝，1本叙明之實施例；大凡熟悉該項技藝之人 飾，皆應、皆苗!!明之特徵範疇，所作之其他等效變化或修 …〜在以下本案之申請專利範圍内。

•H 第24頁 1244705 圖式簡單說明 第一至、四圖是為以步驟的方式顯示本發明之第一較佳 實施例之發光二極體晶片封裝體的示意剖視圖； 第五圖是為一顯示本發明之第二較佳實施例之發光二 極體晶片封裝體的示意剖視圖； 第六圖是為一顯示本發明之第三較佳實施例之發光二 極體晶片封裝體的示意剖視圖； 第七至九圖是為以步驟的方式顯示本發明之第四較佳 實施例之發光二極體晶片封裝體的示意剖視圖；

第十是為一顯示在本發明中所使用之另一種導電凸塊 之結構的术、意剖視圖， 第十一圖是為一顯示在本發明中所使用之另一種導電 凸塊之結構的示意剖視圖； 第十二至十八圖是為以步驟的方式顯示本發明之第五 較佳實施你(之發光二極體晶片封裝體的示意剖視圖； 第十九至二十一圖是為以步驟的方式顯示本發明之第 六較佳實施例之發光二極體晶片封裝體的示意剖視圖； 第二十二至二十七圖是為以步驟的方式顯示在本發明 中所使用之另一種導電凸塊之結構的示意ί剖視圖；

第二十、八至三十二圖是為以步驟的方式顯示在本發明 中所使用之另一種導電凸塊之結構的示意剖視圖；及 第三十三至三十四圖是為以步驟的方式顯示本發明之 第七較佳實施例之發光二極體晶片封裝體的示意剖視圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 10 發光二極體晶片 100 焊墊安裝表面

第25頁 1244705

圖式簡單說明 101 後 表 面 102 焊 墊 11 光 線 反 射 塗層 110 焊 墊 曝 路 孔 12 凸 體 13 表 面 絕 緣 層 130 中 央 穿 孔 14 第 一 金 屬 層 15 第 二 金 屬 層 150 鎳 層 151 金 層 16 透 光 元 件 28 界 接 金 屬 層 17 透 光 元 件 18 透 光 洽件 19 絕 緣 保 護 層 20 絕 緣 層 200 中 央 穿 孔 21 絕 緣 基 板 210 晶 片 安 裝 區 域 211 晶 片 安 裝 表面 212 背 面 213 貫 孔 214 導 電 軌 跡 22 基 板 絕 緣 層 220 開 孔 23 反 光 塗 層 24 導 電 體 26 導 熱 層 25 透 光 元 件 29 絕 緣 材 料 層 30 金 屬 反 射 層 31 透 明 # 護 層 32 導 電 觸 點 33 第 一 絕 緣 層 330 開 孔 i t f 34 第 二 絕 緣 層 340 通 孔 35 導 電 焊 點 36 透 光 元 件 37 全 反 射 金 屬層 38 半 反 射 金 屬 層

Claims (1)

1244705

六、申請專利範圍 1 · 一種發光二極體晶片封裝體，包含： 一發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有一焊塾 安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、及_ 與該焊墊安裝表面相對的後表面； 一光線反射塗層，該光線反射塗層係設置於該發光 一極體晶片的焊墊女l表面上並且具有數個用於曝露該發 光二極體晶片之對應之焊塾的焊墊曝露孔； 一表面絕緣層’該表面絕緣層係形成於該發光二極 體晶片的後表面上並且具有一用於曝露該發光二極體晶片 之後表面久中央部份的中央穿孔； VC 一透光元件，該透光元件係設置於該表面絕緣層的 中央穿孔内；及 數個導電凸塊，每一個導電凸塊係設置於該發光二 極體晶片之一對應的焊墊上。 2 ·如申請奪利範圍第i項所述之封裝體，其中，該透光元 件具有一圓弧形的頂端部份。 3. 如申請專利範圍第1項所述之封裝體，其中，該透光元 件具有一平坦的頂端部份。 * 4. 如申請气利範圍第3項所述之封裝體/更包含一設置於 該透光元件之頂端部份上的第二透光元件，該等透光元件 係被摻雜有不同波長的偏光劑。 5· t!凊專利範圍第1項所述之封裝·，其中，每個導電 凸塊包含：

第27頁 1244705 六、申請專利範圍 非導電材料形成的凸體； 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上 覆蓋該對應之焊墊之表面及在該對應之焊墊平1 一金屬層及 …之凸體的第 一形成於一對應之第一金屬層上的第二金屬層。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之封裝體，其中，每二^ 一 金屬層係由一錄層與一金層構成。 第 7.如申請气利範圍第】項所述之封裝體，更包含數個 成於一對應之焊墊上的界接金屬層。 7 8·如申請專利範圍第7項所述之封裝體，1中， 凸塊包含： 、 母们¥電 一形成於該發光二極體晶片之一對應之界接金 上之由非攀電材料形成的凸體； “曰 一形成於該發光二極體晶片之一對應之界接 蓋該對應之界接金屬層之表面及在該對應之界i 金屬層上之凸體的第一金屬層；及 1接 q a 气成於—對應之第〆金屬層上的第二金屬層。 • 17申睛專利範圍第8項戶斤述之封裝體，^其中，々一 一 金屬層係由一錄層與一金層構成。 一 10.如申請專利範圍第1項所述之封裝體，中，兮笙.首 電凸塊係由金形成。 八宁该專導 lj.如申請嚀利範圍第i項所述之封裝體， 電凸塊包含： T母個V 一形成於該發光二椏體晶片之一對應之焊墊上的 1244705 六、申請專利範圍 導電觸點；及 一形成於一對應之導電觸點上的導電焊點。 12. —種發光二極體晶片封裝體，包含： 一發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有一焊 墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、 及一與該焊墊安裝表面相對的後表面； ， 一光線反射塗層’該光線反線塗層係設置於該發 光二極體晶片的後表面上； 一絕緣保護層，該絕緣保護層係形成於該光線反 射塗層上； 一絕緣層，該絕緣層係形成於該發光二極體晶片 Ξϊϊΐίί面上並且具有一用於曝露該發光二極體晶片 于墊女衣表面之中央部份的中央穿孔及數個用於曝露對 應之焊墊的焊墊曝露孔； 、“ 央穿孔内;，及光兀件’該透光兀件係設置於該絕緣層的中 數個導電凸塊，备一個導雷 二極體晶片之-對應的：塾上 塊^置於該發光 3件如/Λ專/=圍第12項所述之封裝體:其巾，該透光 ’ x十坦的頂端部份。 於該如專//圍第13項所^封n更包含一設置 件係被摻雜=頂端部份上的f丨二透光元件1等透光元 Φ 1有不同波長的偏光劑。 •如申請^利範圍第12項所述之封裝體，其中，每

1244705 六'申請專利範圍' ~ 電凸塊包含： 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上之 由非導電材料形成的凸體； 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上俾 可覆蓋該fl、應之焊墊之表面及在該對應之焊墊上之凸體的 第一金屬層；及 一形成於一對應之第一金屬層上的第二金屬層。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之封裝體，其中，每一第 一金屬層歲由一鎳層與一金層構成。 1 7 ·如申請專利範圍第1 2項所述之封裝體，更包含數個夂 形成於一對應之焊墊上的界接金屬層。 口 1 8 ·如申凊專利範圍第1 7項所述之封裝體，其中， 電凸塊包含： a V , 一 ％成於一對應之界接金屬層上之由非導電材料 一形成於一對應之界接金屬層上俾可覆蓋該 之界接金屬層之表面及在該對應之界接金屬上Ύ 第一金屬層d及 上之凸體的 ,丨/从一对應I π 此/蜀yf 上 其中，每一第 其中，該等導 其中，每個導 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之封裝體 一金屬層各由一鎳層與一金層構成。 2 0 ·如申請專利範圍第1 2項所述之封裝體 電凸塊係#金形成。 2 1 ·如申請專利範圍第1 2項所述之封骏體

1244705 ----- 、、申請專利範圍 電凸塊包含： 導電觸點 形成於該發光二極體 及 一形成於一對應之導電觸點上的導電焊點。 •一種發光二極體晶片封裝體，包含·· 區心、 絕緣基板，該絕緣基板具有至少一個晶片安裝 Γ /美夕一個晶片安裝區域具有一晶片安裝表面、〆 F/7?令女日 μ h 口口 / I i If I片女#表面相對的背面、數個貫通該晶片安裝表面 背面的貫孔、及數個從該晶片安裝表面經由對應之貫 來延伸到該背面的導電執跡； 板 一.基板絕緣層，該基板絕緣層係形成於該絕緣基 成有亥至^ 一個晶片安裝區域的晶片安裝表面上而且係形 力· 一用於曝露該至少一個晶片安裝區域之中央區域的開 體曰至一個發光二極體晶片，該至少一個發光二極 且^右置於該絕緣基板的該至少一個晶片安裝區域並 卢轨 ^墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的 坪墊、及一與該焊墊安裝表面相對的後表丨面； 一光線反射塗層，該光線反射塗層係設置於該至 少一個發光二極體晶片的焊塾安裴表面上並且具有數個用 於曝露該ί少一個發光二極體晶片之對應之焊墊的焊墊曝 露孑L ， 數個導電凸體，每個導電凸體係設置於該至少一 個發光二極體晶片之一對應的焊墊上且係與該絕緣基板之

第31頁 1244705 六、申請專利範圍 該至少—個晶片安裝區域之晶片安裝表面上之對應的導電 執跡電氣地連接； ^ 、弘 一導熱層，該導熱層係藉由把一導熱材料經由該 等貫孔注入形成在絕緣基板、該至少一個發光二極體晶片 與該等導電凸體之間的空間來被形成；及 一形成於該至少一個發光二極體晶片之後表面上 的透光元件。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之封裝體，更包含一形成 於在界定每一個開孔之内壁面上的反光塗層。 24·如申請溥利範圍第22項所述之封裝體，更包含數個導 電體，每個導電凸體係經由〆對應的導電體來與對應的電 路執跡電氣連接。 μ 一 其中，該導熱 其中，該導熱 2 5 ·如申請專利範圍第2 2項所述之封裝體 層係由金屬、絕緣導熱材料形成。 26·如申請^利範圍第22項所述之封裝體 層係由非金屬絕緣導熱材料形成。 2 7·如申請專利範圍第22項所述之封裝體，其中 元件係被摻雜有染料粉末。 ^ 28.如申請.專利範圍第22項所述之封裝體，其中 電凸塊包含： 一幵> 成於該發光二極體晶片之一對應之烊墊上之 由非導電材料形成的凸體； f成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上俾 士應之煜執夕志而芨力妓斟龜之悝轨μ夕几冑# ..V；"八口么口又/匕一々π肌日日门〜 〜^汗堂」 可覆蓋該對應之焊墊之表面及在該對應之焊墊上之凸

第32頁 1244705 的f二金屬層 六、申請專利範圍 第一金屬層；及 其中，每一第 更包含數個各 其中，每個導 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之封裝體 二金屬層係由一鎳層與一金層構成。 3 0 ·如申請專利範圍第2 8項所述之封裝體 形成於一對應之焊墊上的界接金屬層。 3 1 ·如申請^利範圍第3 0項所述之封裝體 電凸塊包含' : 一形成於一對應之界接金屬層上之由非導 形成的凸體； F命省材枓 一形成於一對應之界接金屬層上俾可霜莫 之界接金暴層之表面及在該對應之界接全 1 ^怎 第-金屬層〆及 接金屬層上之凸體的 一形成於一對應之第一金屬層上的第二 32·如申請專利範圍第31項所述之封裝體，其中了々f : 二金屬層气由一鎳層與一金層構成。 母一第 33·如申請蓴利範圍第28項所述之封裝體，i 電凸塊係由金形成。 〆、宁，该寺導 34.如申請專利範圍第28項所述 電凸塊包含： ’其中’每個導 一形成於該發光二極體晶片之—斟 導電觸點；及 < 對應之焊墊上的 35· 一形成於一對應之導電觸點上的導電 •種發光二極體晶片封裝體，包含： ”、、。

第33頁 1244705 ^絕緣基板，該絕緣基板具有至少-個晶片安裝 與該晶片安裝表面=f:區域广晶片安裝表… 與該背面的貫孔、及：：…數個貫通該晶片安裝表面 孔來延伸到該背面：；：f該晶片安裝表面經由對應之貫 叫的導電執跡； 板的該至^反個^基板絕緣層係形成於該絕緣基 成有-用於曝露該至t衣f域的晶片#裝表面上而且係形 孔； 夕一個晶片安裝區域之中央區域的開 體晶片係設置於該體晶4 ’該至少一個發光二極 且具有—焊墊安、、，彖基板的該至少一個晶片安裝區域並 焊塾、及-與該焊個安裝於料塾安裝表面上的 -導埶層，λ衣表面相對的後表面； 等貫孔注入形成在免緣ζ熱/係藉由把一導熱材料經由該 與該等導^凸歸 、、豕暴板、該至少一個發光二極體晶片 1:上間的空間來被形成； 化成於在只Α Λ« 電凸體之間之空間 疋母一個開孔之内壁面與對應之導 晶片之部份具有二内的絕緣材料層，該絕|緣材料層在靠近 的厚度以臻於备，比在靠近基板絕緣層之部份之厚度小 —形成於j巴^彖材料層具有一凹陷的上表面； —形成於Κι材料層之表面上的金屬反射層； 光 數個導電 屬反射層上的透明保護層；及 二極體晶片 ^ ’每個導電凸體係設置於該至少一 I 9 之—對應的焊墊上且係與該絕緣基板之

第34頁 1244705 六、申請專利範圍 該至少一^固晶片安裝區域之晶片安裝表面上之對應的導電 軌跡電氣地連接。 3 6.如申請專利範圍第3 5項所述之封裝體，更包含數個導 電體，每個導電凸體係經由一對應的導電體來與對應的電 路軌跡電氣連接。 3 7.如申請專利範圍第3 5項所述之封裝體，其中，該導熱 層係由金屬絕緣導熱材料形成。 3 8.如申請專利範圍第35項所述之封裝體，其中，該導熱 層係由非金屬絕緣導熱材料形成。 3 9.如申請專利範圍第3 5項所述之封裝體，其中，每個導 電凸塊包含： 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上之 由非導電材料形成的凸體； 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上俾 可覆蓋該對應之焊墊之表面及在該對應之焊墊上之凸體的 第一金屬嬉；及 一形成於一對應之第一金屬層上的第二金屬層。 4 0.如申請專利範圍第39項所述之封裝體‘其中，每一第 二金屬層係由一錄層與一金層構成。 4 1.如申請#利範圍第3 5項所述之封裝體，更包含數個各 形成於一對應之焊墊上的界接金屬層。 4 2.如申請專利範圍第41項所述之封裝體，其中，每個導 電凸塊包含： 一形成於一對應之界接金屬層上之由非導電材料

第35頁 1244705 六、申請專利範圍、\ 形成的凸體； 一形成於一對應之界接金屬層上俾可覆蓋該對應 之界接金屬層之表面及在該對應之界接金屬層上之凸體的 第一金屬層；及 一把成於一對應之第一金屬層上的第二金屬層。 4 3.如申請專利範圍第42項所述之封裝體，其中，每一第 二金屬層各由一鎳層與一金層構成。 4 4.如申請專利範圍第35項所述之封裝體，其中，該等導 電凸塊係由^金形成。 4 5.如申請專利範圍第3 5項所述之封裝體，其中，每個導 電凸塊包含： 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上的 導電觸點；及 一 %成於一對應之導電觸點上的導電焊點。 4 6. —種發光二極體晶片封裝體，包含： 一發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有一焊 墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、 及一與該珞墊安裝表面相對的後表面；t 一光線反射塗層，該光線反線塗層係設置於該發 光二極體晶片的焊墊安裝表面上並且具有一用於曝露該發 光二極體晶片之對應之焊墊的焊墊曝露孔； 一透光元件’該透光元件係設置於該發光二極體 晶片的後#面上；及 數個導電凸塊，每一個導電凸塊係設置於該發光

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—對應的焊墊上° 4 7 ·如申請專利範圍第4 6項所述之封裝體，更包含一設置 在该發光二極體晶片之後表面與遠透光元件之下表面之間 的全反射金屬層。 4 8 ·如申睛專利範圍第4 7項所述之封裝體，更包含一設置 在該透光元件之上表面上的半反射金屬層。 該透光 該透光 該透光 該透光 該透光 49.如申請專利範圍第46項所述之封裝體，其中， 元件係由玻璃材料形成而真是為一中空透光元件 元件内部係被注入有鈍氣氣髏。 50·如申請專利範圍第46項所述之封裴體，其中， 元件係由玻璃材料形成而真是為一中空透光元件 元件内部係被注入有液態染料或螢光劑。 5 一1 ·如申請專利範圍第4 6項所述之封裴體，其中，該立 凡件係由^雜有偏光染料劑粒子的透明絕緣材料形成。 52·如申請^利範圍第46項所述之封裝體，其中，每個 電凸塊包含： 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上之 由非導電材料形成的凸體； : 一彤成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上俾 y覆蓋該對應之焊墊之表面及在該對應之焊墊上之凸體的 第一金屬層；及 一形成於一對應之第’金屬層上的第二金屬層。 5 一3 ·如申請^利範圍第5 2項所述之封裂體，其中，每一第 一金屬層係]由一鎳層與一金層構成。

第37頁 1244705 六、申請專利範圍 5 4.如申請專利範圍第46項所述之封裝體，更包含數個各 形成於一對應之焊墊上的界接金屬層。 5 5.如申請專利範圍第5 4項所述之封裝體，其中，每個導 電凸塊包含： 一形成於一對應之界接金屬層上之由非導電材料 形成的凸體； 一形成於一對應之界接金屬層上俾可覆蓋該對應 之界接金屬層之表面及在該對應之界接金屬層上之凸體的 第一金屬層；及 一形成於一對應之第一金屬層上的第二金屬層。 5 6.如申請¥利範圍第5 5項所述之封裝體，其中，每一第 二金屬層各由一鎳層與一金層構成。 57.如申請專利範圍第46項所述之封裝體，其中，該等導 電凸塊係由金形成。 5 8.如申請·專利範圍第46項所述之封裝體，其中，每個導 電凸塊包含： 一形成於該發光二極體晶片之一對應之焊墊上的 導電觸點，及 t 一形成於一對應之導電觸點上的導電焊點。 5 9. —種發‘先二極體晶片封裝體的封裝方法，包含如下之 步驟： 提供一發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有 一焊墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、 及一與該焊、墊安裝表面相對的後表面；

第38頁 1244705 六、申請專利範圍 設置一光線反射塗層於該發光二極體晶片的焊墊 安裝表面上，該光線反射塗層具有數個用於曝露該發光二 極體晶片之對應之焊墊的焊墊曝露孔； 形成一表面絕緣層於該發光二極體晶片的後表面 上，該表面絕緣層具有一用於曝露該發光二極體晶片之後 表面之中央部份的中央穿孔； 設置一透光元件於該表面絕緣層的中央穿孔内’ 及 於該發光二極體晶片之每個焊墊上設置一導電 塊。 6 0 ·如申請專利範圍第5 9項所述之封裝方法，其中，在^ 置该透光元件的步驟中，該透光元件具有一圓弧形的了負而 部份。 \ 6 1.如申請專利範圍第5 9項所述之封裝方法，其中，在設 置該透光元件的步驟中，該透光元件具有一平坦的頂端部 份。 62·如申請^利範圍第59項所述之封裝方亨，更包含於該_ 透光元件之頂端部份上設置一第二透光元游的步驟’該等 透光元件係被摻雜有不同波長的偏光劑。 6 3 ·如申請專利範圍第5 9項所述之封裝方法，其中，在設 置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於.該發光二極體晶片之每個焊墊上以非導電材料 形成一凸體； 於該發光二極體晶片之每個焊墊上形成一覆蓋該

第39頁 1244705 ------- 申請專利範圍 墊之表面—及在該焊墊上之凸體的第一金屬層；及 64如一第一金屬層上形成—第二金屬層。 :—申#專利範圍第63項所述之封裝方法，其中，在形 么:二金屬層的步驟中，每一第二金屬層係由一鎳層與一 垾 金層構成 n r 更包含於每 其中，在設 • θ如申請專利範圍第5 9項所述之封裝方法 固焊塾上形成一界接金屬層的步驟。 6.、·如申請專利範圍第65項所述之封裝方法，其中，在設 V電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 雷於該發光二極體晶片之每個界接金屬層上以非導 电材料形成一凸體； 择罢於1¾發光二極體晶片之每—界接金屬層上形成一 後a 4界接金屬層之表面及在該界接金屬層上之凸體的第 一金屬層；及 於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 如申請專利範圍第66項所述之封裝方法，其中，在形 成第一至羼層的步驟中，每一第一金屬層係由一層與〆 金層構成。 ， ” t 68·如申請專利範圍第59項所述之封裝方法，其中，在設 置導電凸塊的步驟中，該等導電凸塊係由金形成。 69·、如申請^利範圍第59項所述之封裝方法，其中，在設 置導電凸I的步驟中，包含如下之步驟： 於该發光二極體晶片之母個焊墊上設置一導電觸 點； 。

第40頁 1244705 、申請專利範圍 __ 絕緣層形成：光:線反射塗層上形成-第-絕緣層，該第一 孔； 有數個曝露對應之導電觸點之至少一部份的開 層係形成弟個^象層上形成一第二絕緣層，第二絕緣 應之開孔大的f -絕緣層之對應之開孔連通且比該對 j錫膏充填彼此連通的開孔和通孔； 孔的錫膏错#^回/處理使充填於該等彼此連通之開孔和通

伸於哕i孔：f 一與對應之導電觸點電氣連接且端部係凸 伸於d通孔外部的導電焊點； 藉声研磨處理把導電焊點之凸伸在通孔外部的端 部磨十，及 把該第二絕緣層移去。 方法’包含如下之 7 0 · 一種發光二極體晶片封裝體的封裝 步驟： 提·供一發光二極體晶片’該發光二極體晶片具有 一焊墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面上的焊墊、 及一與該焊墊安裝表面相對的後表面；^

於該發光二極體晶片的後表面上設置一光線反射 塗層； 於該光線反射塗層上形成一絕緣保護層； 於該發光二極體晶片的焊墊安裝表面上形成一絕 緣層，該絕緣層具有一用於曝露該發光二極體晶片之焊墊 安裝表面之中央部份的中央穿孔及數個用於曝露對應之焊

第41頁 1244705 六、申請專利範圍 墊的焊墊曝露孔； 於該絕緣層的中央穿孔内設置一透光元件；及 於該發光二極體晶片的每個焊墊上設置一導電凸 塊。 7 1.如申請專利範圍第7 0項所述之封裝方法，其中，在設 置透光元件的步驟中，該透光元件具有一平坦的頂端部 份。 7 2.如申請專利範圍第71項所述之封裝方法，其中，在設 置透光元件的步驟中，更包含於該透光元件之頂端部份上 設置一第二^透光元件的步驟，該等透光元件係被摻雜有不 同波長的偏光劑。 7 3.如申請專利範圍第70項所述之封裝方法，其中，在設 置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於諺發光二極體晶片之每個焊墊上以非導電材料 形成一凸體； 於該發光二極體晶片之每個焊墊上形成一覆蓋該 焊墊之表面及在該焊墊上之凸體的第一金屬層；及 f 於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 7 4.如申請^利範圍第73項所述之封裝方法，其中，在形 成第二金屬層的步驟中，每一第二金屬層係由一鎳層與一 金層構成。 75. 如申請專利範圍第70項所述之封裝方法，更包含於該 發光二極载晶片之每個焊墊上形成一界接金屬層的步驟。 76. 如申請專利範圍第75項所述之封裝方法，其中，在設

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置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於母個界接金屬層上以非導電材料形成一凸體； 於每一界接金屬層上形成一覆蓋該界接金屬層之 表面及在該界接金屬層上之凸體的第_金屬層；及曰

於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 77·如申請專利範圍第76項所述之封裴方法，其中，在形 成第二金屬層的步驟中，每/第二金屬層各由一錦層與一 金層構成。 曰〃 78·如申請專利範圍第7〇項所述之封裝方法，其中，該等 導電凸塊係由金形成。 ' 79· —種發1二極體晶片封裝體的封裝方法，包含如下之 步驟： 提供一絕緣基板，該絕緣基板具有至少一個晶片 安裝區域，該至少一個晶片安裝區域具有一晶片安裝表 面、一與議晶片安裝表面相對的背面、數個貫通該晶片安 裝表面與該背面的貫孔、及數個從該晶片安裝表面經由對 應之貫孔來延伸到該背面的導電軌跡； 於該絕緣基板的該至少一個晶片安裝區域的晶片 安裝表面上形成一基板絕緣層，該基板絕緣層係形成有一 用於曝露d至少一個晶片安裝區域之中央區域的開孔； 提供至少一個發光二極體晶片，該至少一個發光 二極體晶片係設置於該絕緣基板的該至少一個晶片安裝區 域並且具有一焊墊安裝表面、數個安裝於該焊墊安裝表面 上的焊墊、^及一與該焊墊安裝表面相對的後表面；

第43頁 1244705 六'申請專利範圍 ^ 於該至少一個發光二極體晶片的焊墊安裝表面上 C ί :光線反射塗層，該光線反射塗層具有數個用於曝露 >、一個發光二極體晶片之對應之焊墊的 露孔； 省@ " 個發光二極體晶片之每個焊墊上設置 J二31该：導電凸體係與該絕緣基板之該至少-個 $接^衣晶片安裝表面上之對應的導，電軌跡電氣地 基板、料經由該等貫孔注入形成在絕緣 空間來形成一導熱^忐二極體晶片與該等導電凸體之間的 、、、q ’及 透光元件於。°亥至/ —個發光二極體晶片之後表面上設置一 8 0 .如申請專利鈴m 界定每-“孔之内第辟79項所/成之，方法’ t包含於在 8!·如申請專利範圍^面上^ 反光塗層的步驟。 數個導電體於對廡/J9項所述广封襄方法’更包含形成 經由-對應的導“？路執跡2步•’每•，電凸體係 8 2.如申請‘專利範圍體，對應f的之電，跡電氣連接。 成導熱層的步驟中Λ;9項戶斤數方法，其中，在形 成。 该導熱詹係由金屬絕緣導熱材料形 8 3.如申請專利誌 成導熱層巧步驟中第79項戶斤述二封裳方法，其中，在形 成。 遠導熱廣係由非金屬絕緣導熱材料形 設 84·如申請專利範 園第7 9項所述之封裝方法，其中，在

1244705 六'申請專利範圍 〇置透光元件的步驟中，該透光元件係祉^ 85.、如申請專利範圍第79項所述之封壯皮^雜有染料粉末。 置導電凸塊的步驟中，包含如下之步衣驟.法，其中，在設 , 於該發光二極體晶片之每個垾. 形成一凸體； 上以非導電材料 於該發光二極體晶片之每個烊 ^ 焊墊之表面及在該焊墊上之凸體的第—形成一覆蓋該 於母一第一金屬層上形成—第二曰，及 8 6 ·如申請專利範圍第8 5項所述之封裝方’二。 , 二金屬層的步驟中，每〆第二金屬層由、一中在 金層構成。 田銲層只 ⑺·如申請利範圍第79項所述之封裝方法，更包含於每 個焊墊上形成一界接金屬層的步驟。 8 8 ·如申請專利範圍第8 7項所述之封裝方法，其中，在設 置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於蠢一界接金屬層上以非導電材料形成一凸體； 於每一界接金屬層上形成一覆蓋該界接金屬層之 表面及在該界接金屬層上之凸體的第一金έ屬層；及 於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 8 9 ·如申請專利範圍第8 8項所述之封裝方法，其中，在形 成第二金屬:Λ層的步驟中，每/第一孟屬層各由一鎳層與一 金層構成。 90.如申請專利範圍第79項戶斤述之封裴方法，其中，在設 置導電凸塊的步驟中，該等導電凸塊係由金形成。

1244705 六、申請專利範圍 91·如申請蓴利範圍 置導電凸塊的步驟中，9項所述之封裝方法，其中，在設 於該發光二辦包曰含μ如下二步驟： 點； |日日片之母個焊墊上設置一導電觸 〜居：么光去線反射塗層上形成-第-絕緣展，，签 孔； 路對應之*電觸點之至少-部份的開 層係形成緣層’第二絕緣 應之開孔身的絕緣層之對應之開孔連通且比該對 =錫胃充填彼此連通的開孔和通孔； 藉由回焊處理使充填於該等彼 =的錫膏係形成-與對應之導電觸點電匕連通之開Μ 伸於該通％、外部的導電焊點； 电矾連接且端部係凸 藉由研磨處理把導電焊點之凸伸 部磨平；及 甲在通孔外部的端 把σ亥弟—絕緣層移去。 Μ· —種發光二極體晶片封裝體的裝漆， 步驟： F 包含如下之 提供一絕緣基板，該絕緣基板具有至少一 安裝區域，該至少一個晶片安裝區域具有一晶片—個曰曰片 面、一與該晶片安裝表面相對的背面、數個貫通二^〜 裝表面與續背面的貫孔、及數個從該晶片安 曰一曰片安 應之貫孔來延伸到該背面的導電軌跡； 、又A由對

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於该絕緣基板的該至少一個晶片 ^表面上形成—基板絕緣 ^的晶片 用於曝露該至少-個晶片安裝區域之中；==有-提供至少一個發光二極體晶片，次的開孔； =極體晶片係、設置於該絕緣基板的該 1二—個發光 有-焊塾安裝表面、數個安裝於該; 上的誶墊/及一與該焊墊安裝表面相對的後表面Τ衣表面 藉‘ ’由把一導熱材料經由該等貫孔 / ’ ^ ^ ^ - ^ # ^ ,a „ Λ t Λ f. ^ Jk Tl/ JL> 、分i T命电凸體之間的

二間來形成一導熱層； j J 於在界定每一個開孔之内壁面與對應之導電凸體 :間之空吸内形成一絕緣材料層，該絕緣材料層在靠近二曰曰 片之部份具有一個比在靠近基板絕緣層之部份之厚度小的 厚度以致於每個絕緣材料層具有一凹陷的上表面； 於該絕緣材料層之表面上形成一金屬反射層；

於5玄金屬反射層上形成一^透明保護層；及 於該至少一個發光二極體晶片之每個焊墊上形成 一導電凸塊，該等導電凸塊係與該絕緣基^:反之該至少一個 晶片安裝區域之晶片安裝表面上之對應的導電執跡電氣地 連接。 9 3 ·如申請，專利範圍第9 2項所述之封裝方法，更包含於每 一導電軌跡< 上形成一導電體的步驟，每個導電凸體係經由 一對應的導電體來與對應的電路軌跡電氣連接。 9 4 ·如申請專利範圍第9 2項所述之封裝方法，其中’在形

第47頁 1244705 六、申請專利範圍 ----- 成導熱層的步驟中，續導埶層係由全眉 成。 Τ 3寺〆、 至屬絶緣導熱材料形 95·如申請專利範圍第92項所述之封裝方法，其中， 成導熱層的步驟中，該導熱層係由非全眉p接、’在形 成。 ^ F至屬絶緣導熱材料形 9 6.如申請專利範圍第9 2項所述之封裝方法，其中，气 置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： °又 f 、 於17亥叙光一極體晶片之母個烊墊上以非導雷奸斗 形成一凸體； 材料 於該發光二極體晶片之每個焊墊上形成_舜 焊墊之表狳及在該焊墊上之凸體的第一金屬層；及没皿“ 於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 9 7 ·如申晴專利範圍第㈣項所述之封裝方法，其中，/ 成第二金屬層的步驟中，每/第二金屬層係由一^ 金層構成、 螺層與一 'K 更包含於每 98.如申請專利範圍第92項所述之封裝方法 4墊上形成一界接金屬廣的步驟。 其中 在形 9 9 ·如申請專利範圍第9 8項所述之封裝方‘ 成導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於％ —界接金屬層上以非導電材料形成一凸體； 於每一界接金屬層上形成一覆蓋該界接金屬層之 表面及在該界接金屬層上之凸體的第一金屬層；及 於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 1 0 0 ·如申t專利範圍第9 9項所述之封裝方法，其中，在形

第48頁 1244705 ----—_ 第二金屬層各由一鎳層與一 述之封裝方法，其中，在設 電凸塊係由金形成。 述之封裝方法，其中，在設 六、申請專利範圍 成第二金屬層的步驟中，每/ 金層構成。 101·如申請專利範圍第92項所 置導電凸塊的步驟中，該等導電凸塊係由金形成 1 0 2 .如申請專利範圍第9 2項所述之封裝方。^ 置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於該發光二極體晶片之每個焊墊上設置一導電觸 點； 於該光線反射塗層上形成一第一絕緣層，該第一 系巴緣層形成有數個曝露對應之導電觸點之至少一部份的開 孑L ; 於該第一絕緣層上形成一第二絕緣層，第二絕緣 ^ ^成#數個與第一絕緣層之對應之開孔連通且比該對 應之開孔大的通孔； f錫膏充填彼此連通的開孔和通孔； 藉由回焊處理使充填於該等彼此連诵夕門a 4 、s 孔的錫貧，形成一與對應之導 ，之開孔和通 伸於該通孔外部的導電焊點μ m連接且端部係凸 藉由研磨處理把導雷捏 部磨平；及 I、沾之凸伸在通孔外部的端 把該第二絕緣層移去。 1 〇3· —種發、光二極體晶片封 步驟： t體的封装方法，包含如下之 提供一發光二極m曰 枝體晶片，該發光二極體晶片具有

苐49頁 1244705 六、申請專利範圍 劑粒子的透明絕緣材料形成。 1 0 9 .如申請專利範圍第1 0 3項所述之封裝方法，其中，在 設置導電凸塊的步驟中，包含如下之步驟： 於該發光二極體晶片之每個焊墊上以非導電材料 形成一凸體； 於該發光二極體晶片之每個烊墊上形成一覆蓋該 焊墊之表面及在該焊墊上之凸體的第一金屬層；及 於每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 1 1 0 .如申請專利範圍第1 0 9項所述之封裝方法，其中，在 形成第二金屬層的步驟中，每一第二金屬層係由一鎳層與 一金層構成。 m.如申請專利範圍第1 〇 3項所述之封裝方法，更包含一 於每一焊墊上形成一界接金屬層的步驟。 1 1 2 .如申請專利範圍第1 1 1項所述之封裝方法，其中，在 人.. 設置導電凸< 塊的步驟中，包含如下之步驟： 於每一界接金屬層上以非導電材料形成一凸體； 於每一界接金屬層上形成一覆蓋該界接金屬層之 表面及在該界接金屬層上之凸體的第一金έ屬層；及 旅每一第一金屬層上形成一第二金屬層。 I 1 3 .如申請專利範圍第11 2項所述之封裝方法，其中，在 形成第二金屬層的步驟中，每一第二金屬層各由一錄層與 一金層構成。 II 4 .如申請專利範圍第1 0 3 項所述之封裝方法，其中，在 設置導電ίί塊的步驟中，該等導電凸塊係由金形成。

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