TWI240011B

TWI240011B - Precursor source mixtures, methods of film deposition, and fabrication of structures

Info

Publication number: TWI240011B
Application number: TW090106411A
Authority: TW
Inventors: Douglas A Buchanan; Ann Neumayer Deborah
Original assignee: Ibm
Priority date: 2000-04-20
Filing date: 2001-03-20
Publication date: 2005-09-21
Also published as: US6984591B1; JP2002060944A; KR20010098415A

Description

1240011 經濟部智慧財產局員工消費合 η 社印製

1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7__. 五、發明說明（2 ) 先質物可能隨時間因熱循環及置於該先質物之熱負載而降解。而且，在較高溫度下，加速分解程序。在慣用起泡器中，汽化過程中先質物的高溫及熱循環可能使該先質物隨時間提早降解。先質物可藉配位基重排、誤的形成或氧化而改變其化學狀態。先質物可與偶然導入起泡器之水或氧反應，其中該導入係藉由吹過該先質物之未經適當純化的攜帶氣體、空氣漏洞或起泡器壁上所吸附的水及氧。普遍用於慣用起泡器技術並具有上述缺點之先質物實例包括氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、炔基、羰基、 6S胺、磷化物、硝酸根、自化物、燒氧化物、碎燒氧化物及矽烷基。熱力上不安定的氫化物如烷基胺鋁烷對CVD及 ALD是特別有吸引力，因爲他們的高反應性通常説明低熱知作度及車父少不純物之慘入。不幸地’眾所皆知燒基胺铭燒在儲存、運送及汽化過程中是不安定的，造成所得膜的再現性不佳。已知烷基胺鋁烷如三甲基胺鋁烷、三乙基胺銘烷及二乙基甲基胺鋁烷在儲存期間及運送至Cvd反應器的過程中大於4 〇 C的溫度下會分解。必須小心地將先質物儲存在室溫或更低溫度下以減少分解。運送及汽化溫度因此受先質物之熱分解所限制，參見，例如，Dario M.

Frigo 及 Gerbrand J.M. van Eijden，材料化學，1994，6， 100-195和C.E. Chryssou及C.W· Pitt，應用物理：材料科學及加工，卷 65，1997，469_475。另一個熱力上不安定的先質物實例爲Cu(IMb合物如（環戊二締）Cu(PEt3)，已知其會在如70°C般低的溫度下失去 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁，> ---11--^訂--- -5- 1240011

五、發明說明（3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 PEt3而分解。其他實例包括燒基如三甲基銦及三乙基鋼。 =乙基銦是-種液體，並且已知其在起泡器中室溫下會分肖午。二甲基銦在室溫下是一種固體，可觀察到其有效蒸、气壓隨時間產生變化，造成不想要的不均勻性及生長無性的結果’參見，G.B. Stringfell()w，有機金屬蒸汽-相取向附生（EPitaxy):理論與實施（聖地牙哥，加州··校園出版社，1989) 〇其他實例包括已知可藉配位基重排、水解、寡聚合化、裱的形成、簇的形成及/或氧化隨時間改變其化學狀態之烷氧化物。在慣用起泡器技術中所遇到的高溫下，會加速= 些分解程序的進行。而且，烷氧化物對水及氧不純物是特別敏感，其可能藉由吹過該先質物之未經適當純化的攜帶氣體、空氣漏洞或吸附在起泡器壁上之水及氧的方式，偶然導入起泡器中。水解反應可能發生，而且這些反應在慣用起泡器技術中普遍遇到的高溫下會加速進行。烷氧化物也可以許多異構物的形式存在，這些形式可隨時間互換，形成可變的蒸汽壓。例如，異丙醇鋁以許多異構物的形式存在’其中這些異構物間之互換速度緩慢。這些異構物的悉汽壓變化範圍寬廣，使其不易控制利用慣用起泡器技術由此化合物所生成之A1203的塗覆速度，參見， R.G. Gordon ’ K Kramer ’ X Liu，MRS Symp Proc·卷446，1997，383 頁。其他貝例包括行爲類似烷氧化物的醯胺，其易進行配位基重排、水解、氧化、寡聚合化、環的形成並以數種可互換的異構物形式存在，隨時間造成無再現性之蒸汽壓。其 -6 - 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^——線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 他實例包括無水金屬硝酸鹽如硝酸鈥、硝酸鍺及硝酸鎵。這些錯合物對空氣及水敏感，而且已知在約1 〇〇°C的溫度下會分解。金屬氧基-硝酸鹽如V0(N03)3及Cr02(N03)2除了對空氣及水敏感之外，也對光敏感，故應儲存在〇下。此係揭示於，例如，D.G.Colombo、D.C.Gilmer、V.G· Young、 S.A.Campbell 及 W.L.Gladfelter化學蒸汽塗覆法，1998，4，第 6期，1998，220 頁。先前曾描述用於CVD生長之溶於溶液中且含有β_二酮酸鹽之先質物。美國專利編號5,204,314、5,225,561、 5,280,012、5,453,494 及 5,919,522揭示利用含有 Ca、Sr 或 Ba 錯合物之溶液增長含有Ca、Sr或Ba之膜，其中Ca、Sr或 B a與至少一個β-二酮酸鹽配位基或β-二酮酸鹽衍生物键結。美國專利編號5,555，154揭示藉由化學蒸汽塗覆進行 PbZrTi〇3的生長，其係利用含有P b、Z r、T i二-(三甲基乙醯基）甲酸酯之四氫呋喃溶液。美國專利編號5,677,002及 5,679,815揭示含鈕及鈮膜之生長，其係利用與至少一個0_ 二酮酸鹽配位基或β-二酮酸鹽衍生物鍵結之Nb及T a溶液。 .美國專利編號5,698,022敎導可用於化學蒸汽塗覆鑭化物金屬/嶙氧化物膜之先質物組合物，其包含由溶於溶劑中之鑭化物金屬β-二酮酸鹽及含磷配位基所組成之先質物化合物。美國專利編號5,783,716敎導藉由CVD利用與至少一個β-二酮酸鹽配位基或β -二酮酸鹽衍生物键結之含P t錯合物溶液長Pt，美國專利編號5,820,664敎導一種可用於化學蒸汽塗覆法之含有金屬配位錯合物的金屬源試劑液體溶液，其 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1!11丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨訂·丨丨丨—丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) 中#亥金屬配位錯合物包含配位键結至至少一個β_二酮酸鹽配位基或β_二酮酸鹽衍生物的金屬。美國專利編號 5,900,279敎導一種由含有β_二酮酸鹽之先質物所組成的溶液’其中該先質物係溶於一種該錯合物之配位基中。美國專利編號5,916,359揭示藉由CVD利用由含有Sr、Bi、Tap-二酮酸鹽之先質物所組成的先質物組合物長SrBi2Ta2〇9，其中該含有Sr、Bi、Taf二酮酸鹽之先質物係溶於兩種不同 Cs-Cufe類及一種以甘醇二甲醚爲基質之溶劑或聚胺所構成的二成份基液中。美國專利編號5，9 8 0，9 8 3敎導將金屬β_ 一酮鹽混合物用於含金屬膜之塗覆。不論β_二酮酸鹽先質物揭示文無數，已知含有β-二g同酸鹽之先質物具有複雜的分解路徑，其可能導致相當量之碳或其他不想要的不純物摻入所得膜中。美國專利編號5,900,279敎導一種含有金屬性有機化合物且可用於CVD之溶液，其中該金屬性有機化合物係被加入基本上由該金屬性有機化合物之配位基所組成的液體中。例如’將Μ ( β-二_酸鹽）溶於β-二酮中。此參考文獻具有分解先質物以成膜過程中存在極過量之配位基的缺點。該配位基溶劑傾向進行與先質物及先質物分解碎片相同的分解路徑，並因此可能阻礙氣相中或該膜表面上先質物的分解。已汽化先質物與部份分解的先質物及已汽化配位基溶劑與其分解副產物之間的氣相反應相似，可能使先質物的揮發性變低，在蒸發器及反應器中形成粒子並因此獲得無再現性之生長速率。 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 __ _ B7 --------------- 五、發明說明（6 ) 鑑於先前技術塗覆程序上的缺點，對發展使用新穎且較佳先質物混合物以形成可用於各種電子元件之薄塗覆層或膜的塗覆程序有持續性的需求。 _發明概述本發明係關於一種可用於CVD及ALD應用之先質物混合物，利用本發明先質物混合物長膜（以及層、塗層及多層物 )的方法及製造電子元件之方法，其中該電子元件摻有藉本發明方法所塗覆之膜。適合藉本發明方法製造的電子元件包括，但不限於：電晶體、電容器、二極體、電阻器、電閘、發光二極體、雷射、配線結構、互連結構或任何其他可將本發明薄膜摻入其中之結構。特別地，本發明先質物混合物包含至少一種由選自包含

Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、Zr、Hf、Sc、Y、La 、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh 、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、B、A卜 Ga、 In、Ή、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及Bi之元素所組成的先貝物’其係與至少一個選自由氫化物、燒基、晞基、環歸基、芳基、炔基、羰基、醯胺基、亞胺基、醯胼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、卣化物、疊氮化物、燒氧基、矽烷氧基、矽烷基及其闺化、磺化或矽烷化衍生物所組成的配位基鍵結，其係溶於、乳化或懸浮於選自包含脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、_化烴、矽烷化烴、硫酸、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸酯、矽酮油、硝烷 -裝--------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -9-

1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------B7_____ 五、發明說明（7 ) 基、垸基硝酸酯及其混合物之惰性液體中。該先質物混合物可爲溶液、乳液或懸浮液，並且係由均勻分佈於該混合物中之固、液及氣相混合物組成的。本發明也關於一種利用本發明先質物混合物在基材上長膜之CVD或ALD方法。此成膜方法包括汽化先質物混合物中的先質物並將已汽化先質物之組成份塗覆在基材上以成膜。在此點上，惰性液體可或不隨該先質物一起汽化。在一個具體實例中，惰性液體係隨先質物一起汽化。在另一個本發明具體實例中，惰性液體未汽化並以液體形態轉離反應器。本發明另一特點係關於多層物結構的製造，其中該結構掺有一或多層藉本發明方法塗覆之薄層。本發明另一特點係關於多成份膜之製造，其中至少一種成份係衍生自本發明先質物混合物。本發明其他特點包括：製造掺有藉本發明方法所塗覆之膜的電子結構。 -製造互補型金屬氧化物半導體（CMOS)積體電路邏輯元件’如圖1中所示，其包含單一基材上所形成之n _型場效應電晶體（NFET)及p-型場效應電晶體（pfeT)，其中該基材掺有藉本發明方法所塗覆之膜。 -製造接有藉本發明方法所塗覆之膜的積體電路電容器，如圖2中所示。 -製造摻有藉本發明方法所塗覆之膜的積體電路配線結構，如圖3 b中所示。 -10- 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !24〇〇1! A7

圖形簡述圖1説明單一基材上具有PFET及NFET元件之積體電路的截面圖。圖2説明積體電路電容器之截面圖。圖3 a-3b説明積體電路配線結構之截面圖。圖4説明電晶體之截面圖。圖5-12説明電晶體之製造的截面圖。圖13説明電晶體之截面圖。圖14-23説明電晶體之製造的截面圖。圖24-28説明組合電容器之製造的截面圖。圖2 9爲供化學蒸汽塗覆或原子層塗覆膜或塗層用之運送系統的流程表示圖。圖30説明渠道型電容器之截面圖。發明細節描述如上所述般，本發明關於一種可用於CDV或ALD的先質物混合物，其包含 (i) 至少一種本發明先質物及 (ii) 一種惰性液體。該先質物被定義爲任何含有選自包含Li、Na、K、Rb、Cs 、Fr、Be、Mg、Ti、Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、 Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、 Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、B、A卜 Ga、In、Ή、Si、Ge、

Sn、Pb、As、P、Sb及Bi之元素的化合物，其中該元素係與至少一個選自由氫化物（H)、烷基（Cr3)、烯基（crCR2)、 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ti--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（9 ) 環晞基、芳基、炔基（CCR)、羰基（C0)、醯胺基（NR2)、亞胺基（NR)、醯肼基（NRNR2)、磷化物（PR2)、亞硝醯基（NO) 、硝醯基（N02)、硝酸根（N〇3)、腈（RCN)、異腈（RNC)、鹵化物（F、a、Br或I)、疊氮化物（N3)、烷氧基（〇R)、矽烷氧基（OSiR3)、矽烷基（SiR3)及其鹵化、磺化或矽烷化衍生物所組成的配位基键結，而且運送至蒸發器時，該先質物可容易地轉變成氣態。配位基之_化衍生物被定義爲以選自包含F、Cl、Br及I之鹵素取代Η取代基。配位基之磺化衍生物被定義爲以S取代Ο取代基。配位基之矽烷化衍生物被定義爲以S i取代C取代基。本發明先質物之通式爲 MR^R^A, 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd 、Hg、B、A1、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb 及

Bi之元素；R1及R2是相同或不同的配位基，其係選自由氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、決基、羰基、醯胺基、亞胺基、醯肼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、鹵化物、疊氮化物、燒氧基、矽燒氧基、梦燒基及其鹵化、橫化或秒貌化衍生物所組成之群；A是視情況配位键結或結合的配位基，其係選自由膦（R3P)、亞磷酸根 12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） * ' * -----------丨丨丨丨丨丨丨訂·丨丨丨丨丨--- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 Δ7 A7 B7 五、發明說明（10) ((RO)3P)、胺類（R3N)、胂類（R3As)、乙醯銻胺 (stibene)(R3Sb)、醚類（R2〇)、硫醚（r2s)、腈類（RCN)、異腈（RNC)、烯類、肼、峨淀、氮雜環、巨環、許夫（schiff) 鹼、環烯類、醇類（ROH)、氧化膦（r3p〇)、亞烷基、亞硝酸根、炔類及水所組成之群；xkl ; x + y =元素Μ的價數；y >0 ;及 z 是 >0。本發明之較佳先質物爲容易汽化的化合物。特別地，較佳的先質物爲二甲基-、二乙基或二異丁基、Al、Ga、 In、As 或 Sb 氫化物；Me2AlH(NEtMe2);四丁基胂； (Me3N)AlH3 ; (EtMe2N)AlH3 ; (Et3N)AlH3 ; CpWH2 ; Cp2MoH2 ;三甲基一、三乙基-、三異丁基-、三-正丙基_、三異丙基-、三-正丁基-、三新戊基-或乙基二甲基-B、A1 、〇3、111、八8或813;四甲基_、四乙基-、四苯基-或四-正丁基-Si、Ge、Sn或Pb ;二甲基_、二乙基-或二異丁基 -B、Al、Ga、In、As或Sb氫化物、氯化物、氟化物、溴化物、碘化物、C p、醯胺、二甲基醯胺或疊氮化物；三乙基-、二異丁基-、二-正丙基-、二異丙基-、三-正丁基-或乙基一甲基-B、Al、Ga、In、As或Sb三甲基胺、二乙基甲基胺、二甲基乙基胺或三乙基胺；二甲基或二乙基Zn、 Cd或Hg ;(新戊基）4Cl· ; Et3Pb(新戊氧基）；Cp2Me2Zr ; (MeNC)2PtMe2 ; CpIr(C2H4)2 ;雙 Cp 一 Co、Mo、Fe、Μη 、Ni、RU、v、Os、Mg 或 Cr ;雙乙基苯-、雙苯-Co、 Mo或Cr ;三苯基-Bi、Sb或As ;三乙烯基硼；參Cp_Sc、 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D、Ho、Er、Tm、Yb -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7 五、發明說明（11) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製或 Lu ;參晞丙基銥；CpCr(C0)2 ; Cp2ZrMe2 ; CpCuPEt3 ; EtCpCuPEt3 ; Cpln ; Cplr(環辛二晞）；CpPd(烯丙基）； CpGaMe2 ; CpGaEt2 ;(環己二烯）FeC03 ;(環辛四烯）FeC03 ;乙基二茂鐵；CpMn(CO)3 ;(環庚三烯）Mo(CO)3 ; NdCp3 ;SmCp3 ; ScCp3 ; TbCp3 ; TICp ; TmCp3 » Cp2WH2 » (必 )W(CO)3 ; CpRe(CO)3 ; CpRh(CO)2 ; Ir(晞丙基）3 ; Pt(婦丙基）2 ; Cplr(環烯烷二酮）；[Ir(OMe)(環辛烷二酮）]2 ; Ru(環辛烷二酮）（烯丙基）2 ; Ru3C012 ; Fe(CO)5 ; Co2(CO)8 ; Ru(CO)3( 1，3 環己二烯）；0s3C012 ; Cr(CO)6 ; CpCo(Co)2 ; Mn2(CO)10 ; CpMn(CO)3 ; Mo(CO)6 ; Ni(CO)4 ; Re2(CO)10 ; CpRe(CO)3 ; CpRh(CO)2 ; Ru3(CO)12 ; W(CO)6 ; CpV(CO)4 ; CF3Co(CO)4;Pt(Co)2(環辛烷二酮）；Ir(CO)2(環辛烷二酮）； (CO)4Fe[P(OCH3)3] ; (CO)4Fe[N(CH3)3] ; CoNO(CO)3 ; 丁氧基、OCH(CF3)2、OCMe2(CF3)、OCMe(CF3)2、OSi(CH3)3、 OC(CH3)3、OC(SiMe3)3 或 OC(CF3)3 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、 Cu、Ag、Au、Hg或T1 ;四-甲氧基、四-乙氧基-、四異丙氧基-、四丁氧基、四正丁氧基·、四異丁氧基·、四-第三丁氧基、OCH(CF3)2、OCMe2(CF3)、OCMe(CF3)2、OC(CH3)3、 OC(SiMe3)3、OC(CF3)3或OSi(CH3)3 Si、Ge、Sn、Pb、Ti、Zr或 Hf;VO(異丙氧基）3、三-異丙氧基-、三·第二丁氧基、三-正丁氧基、三-異丁氧基、三甲氧基、三乙氧基、 (OCH(CF3)2)3、（OCMe2(CF3))3、（〇CMe(CF3)2)3、（OC(CH3)3)3 、（OC(SiMe3)3)3、（OC(CF3)3)3或（〇Si(CH3)3)3 B、A卜 Ga、In、 P、As或Sb ; Et3Pb(異丙醇鹽）；（四丁氧基）CuPMe3 ;肆（二 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 Α7 Β7 五、發明說明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲基胺基）、肆（二乙基胺基）Ti、Zr、Hf、Si、Ge、Sn或Pb ; 二乙基胺基二乙基肿；二乙基胺基肺二氯化物；雙二甲基胺基胂氯化物；Mejn(三乙基胺）2;二乙基胺基二甲基錫烷（stannane);參（二甲基胺基）膦；參（二甲基胺基）銻；參（二甲基胺基）胂；參（二甲基胺基）乎；參-雙（三甲基矽烷基 )铒醯胺；雙（二甲基胺基）（三甲基乙基伸乙基二胺基）鋁； (CO)4Fe[N(CH3)3] ; Li、Na或 K N(SiMe3)、五-二甲基胺基妲 ;二乙基胺基二甲基錫；六-二甲基胺基二鎢；參-二甲基胺基（三甲基伸乙基二胺基）鈦；CpCu(三苯基膦）；（第三丁

氧基）CuPMe3 ; Pt(PF3)4 ; Ni(PF3)4 ; Cr(PF3)6 ; (Et3P)3Mo(CO)3 ;Ir(PF3)4 ; Ti(N03)4 ; Zr(N03)4 ; Hf(N03)4 ; Si(CH3)3(N03); RuN0(N03)3 ;硝酸鎵；Sn(N03)4 ; Co(N03)3 ; VO(N〇3)3 ; Cr02(N03)2 ; TiCl4 ; HfCl4 ; ZrCl4 ; InCl2 ; ZnCl2 ; ZnCl2 ; A1C13 ; SiCl4 ; GaCl3 ; SnCl4 ; CoCl3 ;二甲基、二乙基-或二異丁基、A1、B、Ge、Si 或 As鹵化物；N(SiMe3)2 Li、Na 或K ;B(CH2SiMe3)3 ; {(Me3Si)2N}3-B、A卜 Ga或 In ; (Me3SiCH2V Ti、Zr或Hf ; {(Me3Si)2N}2 -Zn、Cd或 Hg ;其中 Cp 係爲環戊經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .二烯基或經取代的環戊二烯基，其中預期H取代基係被甲基、乙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、三甲基矽烷基或其他類似取代基所取代。惰性液體係被定義爲任何在本發明先質物儲存期間及汽化過程中與該先質物接觸時不會分解的液體。較特別地，先質物混合物中所用的惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、酸類、酮類、酸類、驗類、酯類、胺 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 A7 B7 五、發明說明（13 ) 類、烷基腈、自化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氨酸g旨、異氰酸酯、硫氰酸酯、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸醋及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。較佳爲惰性液體基本上係由CVCi2坑所構成的。*基本上係由*所構成的*在本發明中被定義爲70- 100體積％。視情況可包含添加劑，條件爲其在惰性液體中所佔體積不超過3 〇〇/〇。惰性液體的選擇係基於下列標準：具有足夠惰性，與先質物接觸時不會分解，或在先質物的汽化過程中，穿過反應器的熱區不會不利地吸附在所生成膜表面，結果使不想要的不純物摻入所得膜中。本發明先質物混合物可爲溶液、乳液或懸浮液，並且係由均勻分佈於該混合物中之固、液及氣相混合物組成的。本發明先質物混合物可用於任何具有目前所使用之任何運送裝置的CVD或ALD程序中。因此，本發明不限於特定 CVD或ALD裝置或任何運送系統。化學蒸汽塗覆法（CVD)係定義爲同時將多種試劑導入反應器中。原子層塗覆（ald) 係定義爲依序將多種試劑導入反應器中，其包括，但不限於：原子層取向附生法、數字化學蒸汽塗覆法、脈衝化學蒸汽塗覆法及其他類似方法。根據本發明，膜係利用本發明先質物混合物於任一 CVD 或ALD程序中形成於基材上。該膜係藉汽化該先質物混合物中的先質物，之後將已汽化的先質物組成份塗覆在基材上而形成。在此點上，該惰性液體可或不隨該先質物一起汽化。在一個本發明具體實例中，該惰性液體係與先質物 -16- 本紙張尺度適财目國冢標準（CNS)A4規4 (21Q x 297公麓了 ------------ΛΨ (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂— Φ· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 B7 五、發明說明（14 ) 一起汽化。在另一個具體實例中，惰性液體未被汽化並以液體形態轉離反應器。除了形成膜之外，先質物混合物可用於掺有一或多層本發明膜層之多層結構物的製造，< 多成份膜之製造，其中至少一成份係衍生自本發明方法之先質物混合物。本發明先質物混合物也可用於結構之製造，即摻有藉本發明方法所塗覆之膜的電子元件結構。*電子元件結構* — 詞在本發明中係用於指示電晶體、電容器、二極體、電阻器、可變電阻(醫iStor)、電閘、發光二極體、雷射、配線結構及/或互連結構。再者，先質物混合物可用於製造互補型金屬氧化物半導體（CMOS)積體電路邏輯元件。較特別地，本發明係關於具有η-型場效應電晶體（NFET)及卜型場效應電晶體（pFET)之 CMOS積體電路，其中此兩種電晶體者係形成於單—基材上。如圖1中所示，NFET元件u係形成於基材1〇之卜型導電區13上，而且包含形成於閘介電層15上之閘電極η及形成於閘電極14側邊反面上之一對^型導電源/排放區16。相同地，PFET元件17係形成於基材1〇之^型導電區“上，而且包含形成於閘介電層15上之閘電極19及沿著閘電極Η 側壁反面所形成的一對p_型導電源/排放區2〇。NFET及 PFET元件係被淺溝隔離物21及間隔物22所分開。在此本發明特點中’至少一個電晶體成份係藉本發明方法所塗覆而成的，其包括閘電極14 '閘電極19及/或閘介電層^及/或間隔物2 2。 θ -----------ΛΨ {請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁> 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17- 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣五、發明說明（15) 本發明先質物混合物也可用於製造積體電路電容器。如圖2中所示，典型的電容器係形成於基材3〇上並藉插塞31 與電晶體相連，其具有一隔離層32並係由底部電極33、介電材料3 4及頂部電極35所組成的，其中該介電材料可能是或不是鐵電材料。在此本發明特點中，至少一個電容零成份係藉本發明方法所塗覆而成的，其包括插塞3丨、隔離層 32、底邵電極33、介電材料34及/或頂部電極35。該電容器可進行組合或鑿渠道。，先質物混合物也可用於製造積體電路配線結構之結構物。如圖3a中所示，典型的配線結構係藉深入介電層43蝕刻出渠道41及通路42的方式所形成的。介電層43下方是金屬薄膜線44及配線層之介電層45。在圖3b中，渠道及通路係被隔離材料46及配線金屬47所填滿。在此本發明特點中，至少一個配線結構成份係藉本發明方法所塗覆而成的，包括介電層43及45、金屬薄膜線44、隔離材料46及/或配線金屬47。 7 利用本發明先質物混合物也製造適合塗佈雙波紋結構之蝕刻特徵的隔離層。口上文係爲本發明的一般概述，下面描述提供本發明詳盡的細節描述。里盒氧化物之化至_物的先質物混^^ 較佳的含氫化物之化合物的先質物混合物包含： ⑴ MRWyAz 馨 i • 1 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18-

1240011 A7 B7 五、發明說明（16 ) 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Ti、Zr、 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、 Rh、Ir、Ni、Pd、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、B、A1、Ga、In 、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb及 Bi之元素，車交佳爲 B、A1、 Ga、In、As、Sb、Si、Ge、Sn、Pb、Zn、Cd及 Hg ; R 1 是氫化物；R2爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、块基、藏基、醯胺基、亞胺基、醯耕基、磷化物、亞硝酿基、硝酸基、硝酸根、腈、_化物、疊氮化物、燒氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其S化、磺化或矽烷化衍生物的配位基；A是視情況配位键結的配位基，其係選自由膦、亞磚酸根、芳基、胺類、胂類、乙酸録胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、晞類、決類、胼、p比淀、氮雜環、巨環、許夫驗、環稀類、醇類、氧化膦、亞燒基、亞硝酸根及水所組成之群；X 21 ; y ; z是X);及X + y =元素Μ的價數〇 (ii)惰性液體經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、碡氰酸酯、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。惰性液體基本上最好係由Cs-Cu嫁所構成的。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 A7 B7 五、發明說明（17 ) (iii)視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解之不安定含氫化物之化合物的例子中，可加入額外非氫化物之配位基至混合物中以改善該化合物的安定性。在不安定的含氫化物之化合物加成物的例子中’可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安定性，其包括，但不限於，：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、肺類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、吡啶、雜環、四氫吱喃、二甲基甲醯胺、巨環、許夫驗、環烯類、醇類、氧化膦或炔類。所有視情況選用之添加劑的含量不超過惰性液體體積之3 0〇/〇。極佳的先質物混合物包含至少一種溶於、乳化或懸浮於基本上由CrCu烷液體所構成之液體中的含氫化物之化合物，其包括，但不限於：二甲基、二乙基-或二異丁基_B、 A卜 Ga、In、As或 Sb氫化物；四丁基胂；CpWH^Cp2MoH2 。其他較佳先質物混合物係包含至少一種被乳化或懸浮於基本上由Cs-Cu燒液體所構成並視情況加入胺（不超過惰性液體體積的3 0 % )的液體中之含氫化物的化合物，其包括，但不限於：Me2AlH(NEtMe2) ; (Me3N)AlH3 ; (EtMe2N)A1H3 或 (Et3N)AlH3。含烷基化合物之先質物混合物較佳的含垸基化合物之先質物混合物包含： -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 B7 五、發明說明（18) (i) MR^R'yA, C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Ti、2r、 Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、C；0、 Rh、Ir、Ni、Pd、Cu、Ag、An、Zn、Cd、Hg、B、A1、Ga、in 、T1、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb及 Bi之元素，較佳爲 b、、

Ga、In、As、Sb、Si、Ge、Sn、Pb、Zn、Cd、Hg ; R1 是基或C^-C〗2環坑基；R2爲選自包含氫化物、燒基、綿基、環晞基、芳基、块基、羰基、醯胺基、亞胺基、g盛胼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、_化物、疊氮化物、烷氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其卣化、磺化或石夕烷化衍生物的配位基，R1及R2可能是或不是相同的配位基 ;A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞鱗酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯_胺（stibene)、醚類、繞、腊類、異赌、晞類、块類、耕、p比淀、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群；x21 ; y20 ; Z是20 ;及x + y=元素Μ的價數。 (ii) 惰性液體經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸酯、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（19) 體之混合物所組成之群。惰性液體基本上最好係由C5_Ci2烷所構成的。 (iii)視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解之不安定的含烷基化合物之例子中’可加入額外烷基配位基至混合物中以改善該化合物的安定性。在不安定的含烷基化合物之加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安足性，其包括，但不限於：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、吡啶、雜環、四氫峡喃、二甲基甲醯胺、巨環、許夫驗、環烯類、醇類、氧化膦或块類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之3 〇 %。極佳的先質物混合物包含至少一種溶於、乳化或懸浮於 Cs-Cu烷液體中之含烷基的化合物，其包括：三甲基·、三乙基-、三異丁基_、三·正丙基_、三異丙基·、三_正丁基_ 、二新戊基-或乙基一甲基-B、Al、Ga、In、As或Sb ;四甲基、四乙基、四苯基或四正丁基_Si、Ge、Sn或pb ;二甲基-、二乙基或二異丁基·Β、A：l、Ga、In、As或Sb、氫化物、鼠化物、獻i化物、溪化物、破化物、Cp、g盛胺、二甲基酸胺或疊氮化物；三乙基-、三異丁基·、三-正丙基_、三異丙基、三正丁基-或乙基二甲基-B、Al、Ga、In、As -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — « — — — — — —I — - (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（20 ) 或Sb三甲基胺、二乙基甲基胺、二甲基乙基胺或三乙基胺 ;二甲基或二乙基-Zn、Cd或Hg ;(新戊基）4Cr ; Et3Pb(新戊氧基）；Cp2Me2Zr ; (MeNC)2PtMe2 ;或 CpIr(C2H4)2，其中 Cp 係爲環物二缔基或經取代之環物二晞基，其中Η取代基係被甲基、乙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、三甲基矽烷基或其他類似取代基所取代。其他較佳的先質物混合物係包含至少一種被乳化或懸浮於基本上由c5_Ci2烷液體所構成並視情況加入甲跪或乙燒（不超過惰性液體體積的3 0 % )之液體中的含燒基化合物，其包括，但不限於三甲基或三乙基化合物。含婦基化合物之先質物混合物較佳的含烯基化合物之先質物混合物包含：

⑴mrW 其中 Μ爲選自包含Li、Na、K、Rb、Cs、FI·、Be、Mg、Ti、

Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、lr、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、

Hg、B、A1、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及 Bi之元素，車交佳爲 Bi、As、Cr、Zr、Cu、Co、In、Ir、Fe、La、Mg 、Mn、Mo、Ni、Os、RU、Tl或 W ; R1 是 CVC8烯基、〇：4-(：12環烯基或芳基；R2爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、炔基、羰基、醯胺基、亞胺基、醯肼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、_化物、疊氮化 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ---------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（21 匆、fe氧基、石夕燒氧基、矽烷基及/或其卣化、磺化或矽燒化折生物的配位基，Ri&R2可能是或不是相同的配位基； A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞轉酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、炔類、胼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群，X》1，y>〇 ; 2：是>〇 ;及x + y =元素Μ的價數。 (ii)惰性液體其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化fe、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸醋、碎酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。惰性液體基本上最好係由充所構成的。 (iii)视情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解之不安定含烯基化合物的例子中’可加入額外晞基配位基至混合物中以改善該化合物的安足性。在不安定的含烯基化合物之加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安定 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------ΛΨ------- —訂---I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 Α7 Β7 五、發明說明（22 ) (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) 性，其包括，但不限於：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、肺類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、缔類、吡啶、雜環、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、巨環、許夫驗、環晞類、醇類、氧化膦或炔類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之3 0 %。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製極佳的先質物混合物包含至少一種溶於、乳化或懸浮於 CVC!2燒液體中之含烯基化合物，其中該含烯基化合物係選自由雙 Cp Co、Mo、Fe、Mn、Ni、Ru、V、〇s、Mg或 Cr ;雙乙基苯、雙苯Co、Mo或Cr ;三苯基Bi、Sb或As ;三乙晞基领月；參 Cp Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D、 Ho、Er、Tm、Yb或 Lu ;四 CpTh、Pa、V、Np、Pu或 Am ;參烯丙基銥；CpCr(CO)2 ; Cp2ZrMe2 ; CpCuPEt3 ; Cpln ; Cpl< 環辛二烯）；CpPd(烯丙基）；CpGaMe2 ; CpGaEt2 ;(環己二烯）FeC03 ;(環辛四烯）FeC03 ;乙基二茂鐵；CpMn(CO)3 ;( 多衣庚二婦）Mo(CO)3 ; NdCp3 ; SmCp3 ; ScCp3 ; TbCp3 ; TICp ; Cp2WH2 ;(必）W(CO)3 ; CpRe(CO)3 ; CpRh(CO)2 ; Ir(缔丙基 )3 ; Pt(烯丙基）2 ; Cplr(環烯烷二酮）；[Ir(OMe)(環辛烷二、酮）]2;或Ru(環辛烷二酮）（烯丙基）2，其中Cp係爲環戊二烯基或經取代之環戊二烯基，其中Η取代基係被甲基、乙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、三甲基矽烷基或其他類似取代基所取代。含羰基化合物之先皙物混合物較佳的含羰基化合物之先質物混合物包含： -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 A7 B7 五、發明說明（23 ) (i) MR^R^Az (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中 M 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、 Hg、B、A卜 Ga、In、Ή、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及 Bi之元素，較佳爲 RU、Fe、Co、Os、Cr、Μη、Mo、Ni、Re、Rh、 W、Pt或Ir ; R1是羰基；R2爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、炔基、羰基、醯胺基、亞胺基、醯肼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、_化物、疊氮化物、烷氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其_化、磺化或石夕燒化衍生物的配位基，Ri及R2可能是或不是相同的配位基；A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、炔類、肼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫驗、環烯類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群；; y>〇 ; z是>0 ;及x + y =元素Μ的價數。 (ii) 惰性液體經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、酸類、酮類、酸類、酴類、自旨類、胺類、燒基腈、鹵化煙、秒烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸醋、碎酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2ΐθ X 297公釐） 1240011 Α7 Β7 五、發明說明（24) 體之混合物所組成之群。液體基本上最好係由c5_c12燒所構成的。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (Hi)視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解之不安定含羰基化合物的例子中’可加入非羰基配位基至混合物中以改善該化合物之安足性。在不士足的含羰基化合物之加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安定性，其包括，但不限於：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、叶匕啶、雜環、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦或炔類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之3 0%。極佳的先質物混合物包含至少一種溶於、乳化或懸浮於 C5-Ci2燒液體中之含窥基先質物，包括Ru3C01:2 ; Fe(CO)5 ; C〇2(CO)8 ; Ru(CO)3(1，3-環己二烯）；〇s3C012 ; Cr(CO)6 ; CpCo(Co)2 ; Mn2(CO)1() ; CpMn(CO)3 ;(環庚三烯）]^〇((：0)3; Mo(CO)6 ； Ni(CO)4 ； Re2(CO)i〇； CpRe(CO)3 ； CpRh(CO)2 ； Ru3(CO)12 ; W(CO)6 ; CpV(CO)4 ; CF3Co(CO)4 ; Pt(Co)2(環辛烷二酮）；Ir(CO)2(環辛烷二酮）；（CO)4Fe[P(OCH3)3]; (CO)4Fe[N(CH3)3]或CoNO(CO)3，其中Cp係爲環戊二烯基或經取代之環戊二晞基，其中Η取代基係被甲基、乙基、異 -27- 本紙張尺度刺中關家鮮（CNS)A4規格⑽x 297公璧） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I I I I 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（25) 丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、三甲基矽烷基或其他類似取代基所取代。含垸氣基化合物之先質物混合物較佳的含烷氧基化合物之先質物混合物包含： (i) MR^R^A, 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、An、Zn、Cd、 Hg、B、A卜 Ga、In、Ή、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb 及 Bi之元素，較佳爲 B、A卜 Ga、In、As、Sb、Si、Ge、Ti、Zr 或 Hf ;R1是烷氧基或矽烷氧基；r2爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、炔基、羰基、醯胺基、亞胺基、醯胼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、卣化物、疊氮化物、烷氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其卣化、磺化或矽烷化衍生物的配位基，R1及R2可能是或不是相同的配位基；A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、炔類、肼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群；x21 ; y>〇 ; z是20 ;及x + y=元素Μ的償數0 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ·ϋ ϋ n flu 1 n I 一sI 1 n 11 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 五、發明說明（％ ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (ii)惰性液體 /、中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸醋、碎酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。液體基本上最好係由C5_Ci2烷所構成的。 (iii)視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解或化學重排之不安定含烷氧基化合物的例子中，可加入額外醇鹽配位基至混合物中以改吾该化合物之安定性。在不安定的含燒氧基化合物之加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善该化合物之安定性，其包括，但不限於：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙酿銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、晞類、说淀、雜環、四氫吱喃、二甲基甲酸胺、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦或炔類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之3 〇 %。極佳的先質物混合物包含至少一種溶於、乳化或懸浮於 Cs-Cu烷液體中之含烷氧基先質物，包括丁氧基、 OCH(CF3)2、〇CMe2(CF3)、OCMe(CF3)2、OSi(CH3)3、 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — ^ · I I I--— II - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7 五、發明說明（27) OC(CH3)3、OC(SiMe3)3 或OC(CF3)3 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、 Cu、Ag、Au、Hg或Tl;四-甲氧基、四-乙氧基-、四異丙氧基-、四-第三丁氧基、四-異丁氧基、四丁氧基、四-OCH(CF3)2、四-OCMe2 (CF3)、四-OCMe(CF3)2、四-OC(CH3)3 、四-OC(SiMe3)3、四-OC(CF3)3 或四-OSi(CH3)3 Si、Ge、Sn、 Pb、Ti、Zr或Hf ; VO(異丙氧基）3、三-異丙氧基-、三-第二 -丁氧基、三-正丁氧基、三-異丁氧基、三甲氧基、三乙氧基、三-OCH(CF3)2、三-OCMe2(CF3)、三-OCMe(CF3)2、三-OC(CH3)3、三-OC(SiMe3)3、三-OC(CF3)3或三-OSi(CH3)3、B、 Al、Ga、In、P、As或Sb ; Et3Pb(異丙醇鹽）或（四丁氧基） CuPMe3 0 含胺1基化合物之先質物混合物較佳的含胺基化合物之先質物混合物包含： (i) MR^R^A, 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、 Hg、B、Al、Ga、In、TI、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及 Bi之元素，較佳爲 B、A卜 Ga、In、As、Sb、Si、Ge、Sn、Pb、Zn 、Cd、Hg、Ti、Zr或Hf ; R1是胺基；R2爲選自包含氫化物、貌基、晞基、環晞基、芳基、块基、羧基、SS胺基、亞胺基、醯胼基、鱗化物、亞硝醯基、硝酸基、硝酸根、腈、 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------處 Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（28 ) 鹵化物、疊氮化物、烷氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其鹵化、磺化或矽烷化衍生物的配位基，Ri及R2可能是或不是相同的配位基，A是視情況配位键結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、块類、肼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞燒基、亞硝酸根及水所組成之群；d ; y ; Z是;及X + y =元素 Μ的價數。 (ii)惰性液體其中惰性液體係選自由脂族經類、芳族煙類、醇類、酸類、酸類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、_ 化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸醋、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。液體基本上最好係由Cs_Ci2烷所構成的。 (iii)視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解或化學重排之不安定含胺基化合物的例子中，可加入額外胺基配位基至混合物中以改善該化合物之安定性。在不安定的含胺基化合物之加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽χ挪 t ϋ ϋ I n ϋ n n 一 δν I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（29) 安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安定性，其包括，但不限於：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯鋒胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、p比淀、雜環、四氫吱喃、二甲基甲酸胺、巨環、許夫驗、環晞類、醇類、氧化膦或块類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之30%。極佳的先質物混合物包含至少一種溶於、乳化或懸浮於 C5_Ci2：fe液體與額外胺中之含胺基先質物，包括：肆（二甲基胺基）、肆（一乙基胺基）Ti、Zr、Hf、Si、Ge、Sn或Pb ;二乙基胺基二乙基肺；二乙基胺基肿二氯化物；雙二甲基胺基胂氯化物；Mejn(三乙基胺）2;二乙基胺基二甲基錫烷 ;參（二甲基胺基）膦；參（二甲基胺基）銻；參（二甲基胺基 )胂；參（二甲基胺基）乎；參-雙（三甲基矽烷基）餌醯胺；雙（二甲基胺基）（三甲基乙基伸乙基二胺基）銘； (CO)4Fe[N(CH3)3]、Li、Na或 K N(SiMe3);五-二甲基胺基短 ;二乙基胺基二甲基錫；六-二甲基胺基二鵪或參·二甲基胺基（三甲基伸乙基二胺基）鈦。含轉化物之化合物的先質物混合物較佳的含磷化物之化合物的先質物混合物包含： (i) 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

1240011 A7 B7__ 五、發明說明（30 ) 、:Rai、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、 Hg、B、A1、Ga、In、T1、Si、Ge、Sn、Pb、As、p、sb及 Bi之元素，較佳爲Cu、Ni、Pt、Ir、Cr或Mo ; R1及R2爲選自包含氫化物、坑基、晞基、環烯基、芳基、块基、黢基、酿胺基、亞胺基、醯肼基、璘化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、i化物、疊氮化物、燒氧基、秒垸氧基、碎燒基及/或其鹵化、續化或珍燒化衍生物的配位基，Rl及R2可能是或不是相同的配位基，A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺 (stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、块類、肼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞燒基、亞硝酸根及水所組成之群；X ; y ; z是》〇 ;及 x + y=元素Μ的價數。 (ii)惰性液體 --------訂ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸酯、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。液體基本上最好係由C5-C12烷所構成的。 (iii)視情況選用的添加劑 33 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（31 ) 在儲存或汽化期間易分解或化學重排之不安定含磷化物 I化合物的例子中，可加入額外磷化物配位基至混合物中以改吾琢化合物之安定性。在不安定的含磷化物之化合物加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改吾孩化合物之安定性，其包括，但不限於：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、月月類、異腈、晞類、峨淀、雜環、四氫唉喃、二甲基甲酸胺、巨環、蛑夫驗、環晞類、醇類、氧化膦或块類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之3 〇 % 0 極佳的先質物混合物係包含溶於、乳化或懸浮於C 5_ c 12 烷液體與過量膦中之CpCu(PEt3) ; CpCu(三苯基膦）；（四丁氧基）CuPMe3 ; Pt(PF3)4 ; Ni(PF3)4 ; Cr(PF3)6 ; (Et3P)3Mo(CO)3 ;或Ir(PF3)4，其中Cp係爲環戊二晞基或經取代之環戊二烯基，其中Η取代基係被甲基、乙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、三甲基石夕垸基或其他類似取代基所取代。含硝酸根化合物之先質物混奋物較佳的含硝酸根化合物之先質物混合物包含： (i) MR、R2yAz 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 -34 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1240011 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（32 )

Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、AV、Μη、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、

Hg、B、A1、Ga、In、T1、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及 Bi之元素，較佳爲 Ti、Zr、Hf、Si、Ga、Sn、Co、V或 C r ; R1 是硝酸根；R2爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、块基、黢基、醯胺基、亞胺基、醯胼基、磷化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、卣化物、疊氮化物、烷氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其||化、磺化或矽烷化衍生物的配位基，R1及R2可能是或不是相同的配位基，A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、炔類、肼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環晞類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群；X 之1 ; y X) ; z是之0 ;及X + y =元素Μ的價數。 (ii)惰性液體其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、醛類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰、秒綱油、硝燒基、坑基硝酸自旨及/或—或多種上述液體之混合物所組成之群。液體基本上最好係烷所構成的。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線秦 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011

五、發明說明（33 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (出）視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解或化學重排之不安定含確酸根化合物的例子中，可加入額外配位基至混合物中以改盖該化合物^定性。在不安定的含硝酸根化合物之加成物的例子中，可加人額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化泛物之士足性，其包括，但不限於：膦、亞瑪酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、吡哫、雜環、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、巨環、许夫驗、環烯類、醇類、氧化膦或块類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之30 〇/〇。極佳的先質物混合物係包含溶於、乳化或懸浮於c5_Ci2燒液體中之 Ti(N03)4 ; Zr(N〇3)4 ; Hf(N03)4 ; Si(CH3)3(N〇3); RuN0(N03)3 ;硝酸鎵；Sn(N03)4 ; Co(N03)3 ; V〇(N03)3 ;或 Cr02(N03)2 〇含鹵化物之化合物的先質物混合物較佳的含自化物之化合物的先質物混合物包含： (i) MR^R^Az 其中 M 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、AV、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂----- ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（34)

Hg、B、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及 Bi之元素，較佳爲 Ti、Zr、Hf、Si、Ga、Sn、Co、V或 Cr ; R1 是鹵化物；R2爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、块基、窥基、醯胺基、亞胺基、酿耕基、鱗化物、亞硝醯基、硝醯基、硝酸根、腈、鹵化物、疊氮化物、烷氧基、矽烷氧基、矽烷基及/或其卣化、磺化或矽烷化衍生物的配位基，R1及R2可能是或不是相同的配位基，A是視情況配位鍵結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、烯類、炔類、肼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群；X 2 1 ; y20 ; z是20 ;及x + y =元素Μ的價數。 (ii)惰性液體其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚類、酸類、酮類、酸類、酚類、酯類、胺類、烷基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸酯、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。液體基本上最妤係*C5-Ci2燒所構成的。 (iii)視情況選用的添加劑 -37 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------—-------丨—丨丨丨訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（35 ) 在儲存或汽化期間易分解或化學重排之不安定含鹵化物之化合物的例子中，可加入額外自化物配位基至混合物中以改善該化合物之安定性。在不安定的含1¾化物之化合物加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安定性，包括：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、肺類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、晞類、p比淀、雜環、四氫吱喃、二甲基甲酿胺、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦或炔類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之3 0 %。極佳的先質物混合物係包含溶於、乳化或懸浮於C5-C12l 液體中之TiCl4 ; ZnCl2 ; ZrCl4 ; HfCl4 ; A1C13 ; SiCl4 ; GaCl3 ; SnCl4 ; CoCl3 ;二甲基、二乙基或二異丁基、A卜 B、Ge、Si 或As自化物。含矽烷基化合物之先質物混合物較佳的含矽烷基化合物之先質物混合物包含： (i) MR!xR2yAz 其中 Μ 爲選自包含 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、 Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe 、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、An、Zn、Cd、 Hg、B、A1、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及 Bi之元素，較佳爲 Ti、Zr、Hf、Si、Ga、Sn、Co、V或 Cr ; R1 是矽 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（36) 烷基，R爲選自包含氫化物、烷基、烯基、環烯基、芳基、块基、羧基、醯胺基、亞胺基、醯肼基、磷化物、亞硝酿基、硝酿基、硝酸根、腈、自化物、疊氮化物、烷氧基、碎k氧基、矽垸基及/或其_化、續化或矽燒化衍生物的配位基’ R1及R2可能是或不是相同的配位基，A是視情況配位键結的配位基，其係選自由膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙驗銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、晞類、块類、胼、吡啶、氮雜環、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦、亞烷基、亞硝酸根及水所組成之群；X之 1 ; y>〇 ; 2是>〇 ;及x + y =元素Μ的價數。 (ii)惰性液體其中惰性液體係選自由脂族烴類、芳族烴類、醇類、醚滿酿類、_類、酸類、驗類、酯類、胺類、燒基腈、鹵化烴、矽烷化烴、硫醚、胺類、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸酯、矽酮油、硝烷基、烷基硝酸酯及/或一或多種上述液體之混合物所組成之群。液體基本上最好係由^,^烷所構成的。 (Hi)視情況選用的添加劑在儲存或汽化期間易分解或化學重排之不安定含矽院基化合物的例子中，可加入額外矽烷基配位基至混合物中以 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •39-

!24〇〇11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（37 ) 改善該化合物之安定性。在不安定的含矽烷基化合物之加成物的例子中，可加入額外加成物至混合物中以改善該化合物的安定性。也可加入其他配位化合物至混合物中以改善該化合物之安定性，包括：膦、亞磷酸根、芳基、胺類、胂類、乙醯銻胺（stibene)、醚類、硫醚、腈類、異腈、晞類、吡啶、雜環、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、巨環、許夫鹼、環烯類、醇類、氧化膦或炔類。所有視情況選用之添加劑的含量將不超過惰性液體體積之30%。極佳的先質物混合物係包含溶於、乳化或懸浮於(：5-(：12烷液體中之 N(SiMe3)2Li、Na或 K ; B(CH2SiMe3)3 ; {(Me3Si)2N}3 B、A卜 Ga或 In ; (Me3SiCH2)4 Ti、Zr或 Hf ; {(Me3Si)2N}2 Zn、 Cd或 Hg〇提供下列實例以説明本發明並表示一些由其所產生的優實例1 在化學蒸汽塗覆反應器中利用先質物混合物進行膜之塗覆在此實例中，基材被置於適當的CVD反應器中並利用兩種不同的先質物混合物塗覆含Hf及A1之多成份金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬矽化物膜。

含铪之先質物混合物係由5 0克肆（二甲基胺基）铪及1克二甲基胺溶於1公升戊燒中所組成的。含銘之先質物混合物係由5 0克三甲基胺鋁烷及1克三甲基胺溶於1公升戊烷中所組成的。在此實例中，在蒸發器中將該先質物混合物汽化並將蒸汽導入CVD反應器中。該先質物混合物係在40° -260°C -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ϋ ϋ ϋ n n * MM ΜΗΙ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 124〇〇11 A7 、----— R7_ 友、發明說明（38 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’車父佳係40。-180°C下汽化。基材溫度係從約1〇〇。-12〇〇°c ，較佳係200。-70(TC。爲了塗覆金屬膜，將包括，但不限衣氫、形成氣體及其混合物之還原反應物導入。較佳的還帛J疋形成氣。爲了塗覆金屬氧化物膜，將包括，但不限於氧、臭氧、水、過氧化氫、一氧化二氮及其混合物之氧化劑導入。較佳的氧化劑爲氧。爲了塗覆金屬氮化物膜舲包括，但不限於氨、二、疊氮化氫、四丁基胺及其混口物之氮化反應物導入。較佳的氮化反應物爲氨。爲了塗覆金屬矽化物膜，將包括，但不限於矽烷、二矽烷、氯矽烷、矽烷基胺及矽氨烷之矽烷化劑及還原劑隨著先質物蒸汽導入CVD反應器中。將先質物混合物及反應物之蒸汽同時導入，較佳係經由不同的入口。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製可將所描述的本發明方法延伸至包括利用兩或多種不同的先質物混合物或利用含有兩或多種先質物之先質物混合物，藉由化學蒸汽塗覆法所塗覆之任何多成份金屬、金^ 氧化物、金屬氮化物或金屬矽化物膜的生長。所描述的本發明方法可被延伸至包括藉由化學蒸汽塗覆法所塗覆之任何多成份金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬矽化物膜的生長，若至少一種該多成份膜之成份係衍生自先質物混合物。該膜的其他成份可利用慣用起泡器技術或未涵業在本發明範圍内之先質物塗覆之。可將所描述的本發S3法延伸至包括利用一種只含一種先質物之先質物混:物，藉由化學蒸汽塗覆法所塗覆之任何單成份金屬、金屬氧化= 、金屬氮化物或金屬矽化物膜的生長。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（39 ) 實例2 惰性液體未汽化之膜生長方法在此實例中，惰性液體未被汽化並轉離CVD或ALD反應器。先質物混合物包含先質物及惰性液體，其中該惰性氣體係在比先質物南的溫度下汽化。先質物混合物被導入蒸發器中並於該處汽化先質物。該惰性液體未被汽化，但以液體形態轉離反應器。一種可能的裝置構型係表示於圖2 9中。如圖2 9中所示，先質物混合物將從小玻璃瓶流至蒸發器。先質物混合物中的先質物在蒸發器中汽化，但惰性液體則不會。已汽化之先質物被送至反應器中，無汽化的惰性液體將自蒸發器排出並收集於阱中。蒸發器的溫度將設在低於惰性液體滞點處。一種較佳方法包括由二甲基乙基胺鋁烷及癸烷（沸點174 °C )所組成的先質物混合物及設在9 〇的蒸發器溫度。所描述的本發明方法可被延伸至包括藉由化學蒸汽塗覆法或原子層塗覆法所塗覆之任何單或多成份膜的生長，其條件爲蒸發器溫度足以汽化先質物並低於先質物混合物中之惰性液體的沸點。實例3 在原子層塗覆反應器中利用先質物混合物進行金屬、金屬氧化物或金屬氮化物之塗覆在此具體實例中，基材被置於適當的ALD反應器中，例如Microchemistry所製造之商用f-200反應器並利用兩種不 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ϋ ·ϋ ϋ n 1 n n 一so、 l I ϋ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1240011

五、發明說明（40) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製同的先質物混合物塗覆含zr&Hf之多成份金屬、金屬氧化物或金屬氮化物膜。ALD係以依序交替送入已汽化先質物、反應物及沖洗氣體之循環方式完成。含锆心先質物混合物係由5 〇克硝酸锆溶於1公升戊烷中所形成的。含铪之先質物混合物係由5 〇克四丁醇铪溶於J 公升戊烷中所形成的。在此實例中，先質物混合物在蒸發备中、/¾化並私蒸Ά以循環方式導入反應器中。爲了塗覆金屬膜，將包括，但不限於氫、形成氣體及其混合物之還原反應物導入。較佳的還原劑是形成氣體。爲了塗覆金屬氧化物膜，將包括，但不限於氧、臭氧、水、過氧化氫、一氧化二氮及其混合物之氧化劑導入。較佳的氧化劑爲氧。爲了塗覆金屬氮化物膜，將包括，但不限於氨、二、疊氮化氫、四丁基胺及其混合物之氮化反應物導入。較佳的氮化反應物爲氨。該先質物混合物係在40° -260°C，較佳係40。-180°C下汽化。基材溫度係約100。_ 1200°C，較佳係150。-500°C。將先質物、反應物及惰性沖洗氣體（N2或Ar或其他惰性氣體）以下列順序輸入反應器中： 1·含Hf先質物混合物之蒸汽 2.惰性沖洗氣體 3 .反應物 4 .惰性沖洗氣體 5.含Z r先質物混合物之蒸汽 6·惰性沖洗氣體 -43· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------ir--------- (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 - --—--------- 五、發明說明（41 ) 7.反應物 8 .惰性沖洗氣體持續輸入先質物及反應物（各別在步驟1及5和3及7中 )0· 1 -1和，較佳係〇· 5秒。持續輸入惰性沖洗氣體（步驟2、4 、6及8 ) 0.2- 5秒，較佳係2秒。整個步驟i _ 8爲一循環，完成一循環結果可塗覆約〇 · 4 _ 2單層之含z r H f膜或約〇. i毫微米。在此實例中，所塗覆之ZrHf膜的較佳厚度爲5〇毫微米，因此完成500次上述氣體轉換循環。，可將所描述的本發明方法延伸至包括利用兩或多種不同的先質物混合物或利用含有兩或多種先質物之先質物混合物，藉由原子層塗覆法所塗覆之任何多成份金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬矽化物膜的生長。所描述的本發明方法可被延伸至包括藉由原子層塗覆法所塗覆之任何多成份金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬矽化物膜的生長，條件爲至少一種該多成份膜之成份係衍生自先質物混合物。孩膜的其他成份可利用慣用起泡器技術或未涵蓋在本發明範圍内之先質物塗覆之。可將所描述的本發明方法，延伸至包括利用一種只含一種先質物之先質物混合物，藉由原子層塗覆法所塗覆之任何單成份金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬矽化物膜的生長。在另一個具體實例中，惰性液體未被汽化並如實例2中所描述般轉離ALD反應琴。實例4 在原子層塗覆反應器中利用先質物混合物進行金屬石夕化物之塗覆 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（42 ) 在此實例中，基材被置於適當的ALD反應器中，例如 Microchemistry所製造之商用F-200反應器並塗覆矽化鈷膜。ALD係依序交替輸入已汽化先質物、反應物及沖洗氣體之循環方式完成。在此實例中，矽烷被用於作爲矽烷化劑，氫用作反應物。此含鈷先質物混合物係由5 0克Co2 (C0) 8及1公升戊烷所組成的。在此實例中，先質物混合物在蒸發器中汽化並將蒸汽以循環方式導入反應器中。該先質物混合物係在40° -260Ό，較佳係40。- 180°C下汽化。基材溫度係約100。_ 1200°C，較佳係200。-800°C。將先質物、反應物及惰性沖洗氣體（N2或Ar或其他惰性氣體）以下列順序輸入反應器中： 1 ·含C 〇先質物混合物之蒸汽 2. 惰性沖洗氣體 3. 氫 4 ·惰性沖洗氣體 5 ·矽燒，6 ·惰性沖洗氣體 7.氫 8 ·惰性沖洗氣體持續輸入先質物及反應物（各別在步驟1及5和3及7中 )0.1-1秒，較佳係0.5秒。持續輸入惰性沖洗氣體（步驟2、4 、6及8 ) 0.2- 5秒，較佳係2秒。整個步驟1 _ 8爲一循環，完成一循環結果可塗覆約0.4- 2單層之含C 〇矽化物或約〇. 1毫 -45· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 Α7 Β7 五、發明說明（43) 微米。在此實例中，所塗覆之c 〇矽化物膜的較佳厚度爲 5〇〇亳微米，因此完成500次上述氣體轉換循環。可將所描述的本發明方法延伸至包括利用至少一種先質物混合物及氫或其他還原劑依序與矽烷或包括，但不限於石夕燒、二矽烷、氯矽烷、矽烷基胺、矽氨烷之其他矽烷化劑進行原子層塗覆程序所塗覆之包括，但不限於C〇Si2、

HfSi2、MoSi2、NbSi2、Pd2Si、PtSi、TaSi2、TiSi2、VSi2 、WSi2、ZrSb之任何金屬矽化物及多成份金屬矽化物的生長。在另一個具體實例中，可將矽烷劑導入先質物混合物中。實例5 銅之塗覆在此實例中，本發明方法係用於塗覆銅。含銅之先質物混合物係由100克（環戊二烯）Cu(PEt3)、1克pEt3及1公升戊燒所組成的。將該先質物混合物運送至蒸發器中，使此混合物於孩處6 0 °C下汽化並將蒸汽送入含有還原劑如氫的化學悉A k覆反應器中，因此銅膜被塗覆在已加熱至i 00。-300°C，較佳係120。_25(rc之基材上。實例6 嫣之塗覆在此實例中’本發明方法係用於塗覆鎢。先質物混合物係由100克六羰基化鎢溶於！公升己烷所形成的。將該先質物混合物運送至蒸發器中，使此混合物於該處8〇Ό下汽化並將备汽送入含有還原劑如氫的化學蒸汽塗覆反應器中， -46- 本紙張尺度_ + _家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- 線#. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 _____B7___ 五、發明說明（44 ) 因此鎢膜被塗覆在已加熱至200。_70(rc，較佳係6〇〇。〇之基材上。實例7 氮化鈕之塗覆在此實例中，本發明方法係用於塗覆氮化妲。含妲之先質物混合物係由100克五-二甲基胺基妲、二甲基胺基及 1公升戊烷所組成的。將該先質物混合物運送至蒸發器中，使此混合物於該處60。(：下汽化並將蒸汽送入含有氮化劑如氨的化學蒸汽塗覆反應器中，因此氮化妲膜被塗覆在已加熱至200° _700°C，較佳係50〇°C之基材上。實例8 氮化銦之塗覆在此實例中，本發明方法係用於塗覆氮化銦。含銦之先質物混合物係由100克三甲基銦二甲基乙基胺、二甲基乙基胺及1公升戊烷所組成的。將該先質物混合物運送至蒸發器中，使此混合物於該處6(rc下汽化並將蒸汽本氮化劑如氨的化學蒸汽塗覆反應器中，因此氮化銦膜^塗覆在已加熱至100。_700°C，較佳係3〇〇°C之基材上。實例9 矽酸锆之塗覆在此實例中，本發明方法係用於塗覆矽酸鍺。先質物混合物係由100克四丁醇锆溶於1公升己烷中所形成的。'第二種先質物混合物係由1〇〇克四乙氧基矽烷溶於i公升己烷中所形成的。將先質物混合物運送至蒸發器中，使此混合物 --------------------訂----- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

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五、發明說明（45) 於該處80°C下汽化並將蒸汽送入含有氧化劑如氧的化學蒸汽塗覆反應器中，因此矽酸鍺膜被塗覆在已加熱至200。_ 700°C，較佳係500°C之基材上。 μ 實例1 0 電晶體用之Al2〇3閘介電層的製造在此實例中，本發明方法係用於塗覆α1203以形成如圖1 中所示之PFET及NFET的閘介電層15。使用具有式樣化結構之Si晶片基材。基材之選擇區域包含位於電晶體位置間的淺溝隔離（STI)氧化物，其他區域包含場氧化物，選擇裸 S1的區域係位於欲放置電晶體的區域中。然後將基材放在適合的模組具中，在利用本發明CVD程序塗覆Al2〇3層至i _ 100¾微米厚之前，處理裸si表面並於原處形成si〇xNy層而典破壞興空度。然後將晶片送至模組具的第二部件中，閘遠極可於该處被^覆在八丨2〇3原位上而無破壞眞空度。對於利用本發明方法塗覆a12〇3，先質物混合物係由1〇3克二甲基乙基胺錯烷及1 〇克二甲基乙基胺溶於1公升己烷中所形成的。將此先質物混合物送至蒸發器中，使此混合物於該處8 0 °C下汽化，將蒸汽送入該模組具之含有氧化劑的化學蒸汽塗覆部件中並在2〇〇χ：下塗覆八12〇3膜，其中該氧化劑包括，但不限於：氧、臭氧、N2〇、水或其混合物。實例1 1 電晶體用之ZrOJg介電層的製造在此實例中，本發明方法係用於塗覆Zr〇2以形成如圖1中所示之PFET及NFET的閘介電層15。使用具有式樣化結構 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐 ------------，裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 A7 B7 五、發明說明（46 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之s 1晶片基材。基材之選擇區域包含位於電晶體位置間之淺溝隔離（STI)氧化物，其他區域包含場氧化物，選擇裸s i 的區域係位於欲放置電晶體的區域中。然後將此基材放在適合的模組具中’在利用本發明CVD程序塗覆Zr02層至1 _ 1〇〇毫微米厚之前，處理裸“表面並於原處形成si〇xNy層而無破壞眞空度。然後將晶片送至模組具的第二部件中，閘電極可於該處被塗覆在心〇2原位上而無破壞眞空度。對於利用本發明方法塗覆Zr〇2，先質物混合物係由1〇〇克二四丁醇锆溶於1公升己烷中所形成的。將此先質物混合物送土蒸發器中，使此混合物於該處8 〇。(；下汽化，將蒸汽送入該模組具之含有氧化劑的化學蒸汽塗覆部件中並在4〇〇。〇下塗覆Zr〇2膜，其中該氧化劑包括，但不限於：氧、臭氧、N20、水或其混合物。實例1 2 電晶體用之閘介電層的製造經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此實例中，本發明方法係用於塗覆電晶體的閘介電層。如圖4中所示，電晶體元件係形成於導電區5 1上，並且 .其包含形成於閘介電層5 3上之閘電極5 2及閘電極5 2之側邊反面上所形成的一對n_型導電源/排放區54。藉本發明方法所塗覆之閘介電層5 3可由摻有雜質或未摻雜質的混合物、不同材料層或其組合物所組成的。閘介電層5 3之視情況選用的上層5 7可作爲所摻雜質擴散的屏障並在塗覆閘電極 52期間安定結構。介電層53之視情況選用的下層55可作爲電子隔離層及作爲加工期間防止下層矽氧化之隔離層或兩 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011

五、發明說明（47) 者。介電層53的中間層56是高K介電層。適合的下層5 5係由矽基材氧化或氮化所製成或分別塗覆而成之介電材料所構成的，其中該介電材料包括，但不限於：Si〇2、SiOxNy、SisN4。其他適合的下層材料包括金屬氧化物或金屬矽酸鹽。中間高K介電層5 6係由介電材料所構成的’其包括，但不限於：Ta2〇5、Ti〇2、ΖιΌ2、HfC^、 AI2O3 La2〇3、Υ2〇3、铭叙叙、銘故綱 >、秒酸鑭、硬酸益乙、石夕酸給、矽酸锆、其摻有雜質或未摻雜質的混合物、層或組合物。此中間層也可由數種不同的材料層組合而成，如氧化給層夹在氧化鋁層之間，或含有相當均勻的混合物如氧化錐與氧化铪的混合物所形成之層。視情況選用的上層 5 7可爲經氧化或經氮化之中間層表面，或所塗覆之介電材料包括，但不限於：Si02、SiOxNy、Si3N4、Zr〇2、Hf〇2、 ai2o3、矽酸鋁、矽酸釔、矽酸锆、矽酸給、矽酸鑭、其摻有雜質或未摻雜質的混合物、層或組合物。較佳的問介電層係由SiOxNy下層，AbO3、Zr〇2或Hf〇2之中間層及氮化金屬氧化物之上隔離層所構成的。至少一種閘介電層5 3中之成份係藉包含先質物混合物、該先質物混合物之汽化及在 CVD或ALD反應器中將該蒸汽塗覆成膜之本發明方法塗覆而成的。圖5至1 2係表示利用本發明方法之較佳電晶體製造方法的截面圖。閘介電層5 3的製造係在如應用材料公司所製造的模組具中原處完成。在圖5中，以具有乾淨表面（沒有天 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -----—— (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1240011 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（48) 然义02)之矽基材50爲起點。在圖ό中，藉氧化/氮化矽基材 5 0形成SiOxNy層以形成下層55。在圖6中，藉本發明方法形成氧化錐之中間層5 6，其包括利用第三丁醇鍺與己烷之先質物混合物、在8 〇 t下汽化該先質物混合物，及在化學瘵A塗覆反應器中，於4〇〇°c和氧化劑如氧、臭氧、N2〇、或其混合物的存在下，將Zr〇2膜塗覆在Si〇xNy層上。在圖7中，上層5 7係藉電漿氮化Zr〇2表面所形成的。在圖8中，塗覆聚碎以當作閘電極52。在圖9至1 2中，形成閘、完成延伸嵌入、形成間隔物58及完成導電源/排放嵌入以製造完整形成元件。並未顯示出接點形成等後續步驟。實例1 3 利用金屬閘之電晶體的製造在此實例中，本發明方法係用於製造利用金屬閘之電晶體。如圖1中所示’ CMOS積體電路包含形成於單一基材1〇上之η _型％效應電晶體（nfeT)及ρ -型場效應電晶體（pfeT) 。NFET元件1 1係形成於基材10之ρ-型導電區13上，而且包含形成於閘介電層i 5上之閘電極i 4及閘電極丨4側邊反面上所形成的一對n-型導電源/排放區16。相同地，pFET元件1 7係形成於基材丨〇in_型導電區18上，而且包含形成於閘介電層1 5上之閘電極丨9及沿著閘電極〗9側壁反面所形成的一對ρ -型導電源/排放區2〇。NFET及PFET元件係被淺溝隔離物2 1及間隔物2 2所分離。在此實例中，閘電極1 4或 19係包含大量具有適當功函數之金屬或合金。適合用於 NFET元件11之閘電極14的金屬包括，但不限於：Al、Ag、 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------1--- 丨丨-訂-----I---^^^1 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（49 ) Βι、Cd、Fe、Ga、Hf、In、Μη、Nb、Y及 Zr 或其合金。至小一種適合NFET的金屬也可掺雜w、Mo、Cr及Cu以形成開泰極14。適合用於PFET元件17之閘電極19的金屬包括，: 1— 不限於：Ni、Pt、Be、Ir、Te、Re及R7h。至少一種適人 PFET的金屬也可掺雜w、Mo、Cr及Cu以形成閘電極1 9。在此具體實例中，至少一種NFET及PFET係藉本發明方法所塗覆而成的，其包括閘電極14、閘電極19及/或閘介電層j $ 。閘電極15可如實例2中所描述般藉本發明方法塗覆而成。實例1 4 電晶體之製造在此實例中，本發明方法係用於製造利用金屬閘之電晶體。圖13顯示包含NFET及PFET之一般元件結構。在此具體實例中，NFET及PFET係形成於單一p_型導電基材6〇上。NFET元件61係形成於基材6〇的p -型導電區上，並且包含閘介電層64上所形成的閘電極62和閘電極62之側邊反面上所形成的一對n_型導電源/排放區65。相同地，pFET元件71係形成於被淺溝隔離物73所隔離之基材6〇的卜型井 7 2上，並且包含閘介電層6 4上所形成的閘電極7 4及沿著閘包極7 4側壁反面所形成的一對p _型導電源/排放區7 6。圖1 4至2 3爲表示一個標準CM〇s流之可能製造順序實例的刀截面圖。在圖i 4中，將具有淺溝隔離物（STI) 7 3及井72的矽基材60形成於一部份严型導電基材上。圖15 中’閘介電層6 4及遮蔽層（例如&3Ν4) 7 7形成於基材上。閘 J弘層6 4可根據本發明方法如實例^ 2中所述般進行塗覆。 ----I--- 訂----- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -52- 1240011 A7 B7 五、發明說明（5〇 ) (請先閱讀背面之注音S事項再填寫本頁) 圖16中’在遮蔽層77上形成一供NFET閘行進的開口。在圖1 7中’形成NFET閘電極6 2。適合用於NFET閘電極6 2的材料包括’但不限於：聚石夕、W、MO、Ti、Cr、Cu、Fe、

Μη、Nb、V、Re、Pt、Ag、Bi、Cd、Fe、Ga、Hf、In、Μη、Y 、Zr、其摻有雜質或未摻雜質的合金、混合物及多層物。 NFET閘電極6 2可藉本發明方法塗覆之。圖j 8中，完成化學-機械拋光（CMP)以平面化該表面。在圖1 9至2 1中，顯示這些重複圖16-18的步驟以製造pFET元件。圖j 9中，在遮蔽層77上形成一供PFET閘行進的開口。在圖2〇中，形成 PFET閘電極74。適合用於PFET之閘電極74的材料包括，但不限於：聚石夕、Ni、W、MO、Ti、Cr、Te、Cu、Pd、Pt、

Be ' Au、Ir、Te、Rh、其摻有雜質或未摻雜質的合金、混合物及多層物。PFET閘電極7 4可藉本發明方法塗覆之。在圖 2 1中’進行化學_機械拋光（CMp)步驟以平面化該表面。在圖22中，對NFET及PFET各進行一次延伸嵌入，其各穿過阻擋層。在圖2 3中，間格物7 8形成程序之後，對nfet及 PFER各進行—次導電源/排放嵌入，其各穿過阻擋層以完成兀件之製造。在此具體實例中，該多層物中至少一或多層或層中一成份，包括匣介電層、匣電極係藉包含先質物混經濟部智慧財產局員工消費合作社印製合物，該先質物混合物之汽化及在CVD或ALD反應器中利用该先質物混合物之蒸汽塗覆成膜之本發明方法塗覆而成的0 實例1 5 組合電容器之製造 -53- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制r 五、發明說明（51 ^ 财，製造摻有至少—種藉本發明方法所塗覆之成伤的積體電路電容器。如岡 “奋斋。如圖2中所示般，典型的電容器係 =基材30與隔離層32上並藉插塞31與電晶體相連，而郅電極33、介電材料34及頂部電極㈣組成的 ’，、β介電材料3 4可爲或不是鐵電材料。在此具體實例中，至少一種電容器成份係藉本發明方法塗覆而成的，其包括插塞31、隔離層32、底部電極”、介電材料34及/或頂部電極3 5。、圖24至28係表示一個電容器之可能製造順序實例的部份截面圖。在圖24中，形成具有渠遒的基材30。基材包括，但不限於：含Si半導體基材、矽於絕緣體基材上、Ge基材 SiGe基材、GaAs基材及其他類似基材、介電材料、金屬、有機基材、玻璃、金屬氧化物、塑膠聚合體基材及其混合物、組合物及多層物。在圖2 5中，形成插塞3 i及視情況選用的隔離層3 2。插塞材料係由慣用導電材料所構成的，其包括，但不限於：聚矽、W、Mo、Ti、Cr、Cu，並且可利用本發明方法塗覆而成的。視情況選用的導電隔離層3 2係由丨貝用導電材料所構成的，其包括，但不限於：、

TaSiN、TiAIN、TiSiN、TaSiN、TaWN、TiWN、TaSiN、 TaAIN、NbN、ZrN、TaTiN、TiSiN、TiAIN、Ir〇2、SiC、TiPt 、TiNPt、TiAlN_Pt、Ru、Ru〇2、RuPt、Ru〇2、WSi、Ti、TiSi 、掺有雜質及未掺雜質的聚石夕、A1、Pd、Ir、Ir〇x、〇s、 OsOx、MoSi、TiSi、Re〇2、其混合物或多層物且可利用本發明方法塗覆而成的。在圖2 6中，形成底邵電極3 3。該底部 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1240011 A7 B7 五、發明說明（52) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電極係由導電材料所構成的，其包括，但不限於：聚矽、 Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Ru、Ir、Rh、IrOx、RuOx、TaN、 TaSiN、Ta、SrRu03、LaSrCo03、其掺有雜質及未掺雜質的合金、混合物或多層物。在圖2 7中，形成介電材料3 4。該介電材料係由任何絕緣材料所構成的，其包括，但不限於 :Si02、SiOxNy、Si 3N 4，金屬氧化物如 Ta205、Ti02、Zr02 、Hf02、Al2〇3、La203、Y203、其合金、混合物或多層物，或多成份金屬氧化物如結構式爲AB〇3之pervoskite型氧化物，其中B爲至少一種酸氧化物，其含有選自包含Al、Ti、Zr 、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Cu之金屬，A爲至少一種具有從約1至約3之正形式電荷的額外陽離子。實例包括，但不限於：鋇鳃鈦酸鹽、錐酸鹽、铪酸鹽，鈦酸鉛、鋁酸釔、鋁酸鑭、鈦酸鉛鍺，矽酸鹽如矽酸铪、矽酸锆，包括掺有稀土金屬的矽酸鹽。在圖2 8中，形成頂部電極3 5。該頂部電極係由導電材料所構成的，其包括，但不限於：聚石夕、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Ru、Ir、Rh、IrOx、RuOx、 TaN、TaSiN、Ta、SrRu 0 3、LaSrCo03、其有雜質及未掺雜質的合金、混合物或多層物。頂部及底部電極可或不可相似。在此具體實例中，該多層物中至少一或多層，包括插塞、隔離層、底部電極、介電材料及/或頂部電極係藉包含先質物混合物，該先質物混合物之汽化及在CVD或ALD反應器中利用該先質物混合物之蒸汽塗覆成膜之本發明方法塗覆而成的。實例1 6 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 A7 B7 五、發明說明（53) 渠道電容器之製造 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此實例中，製造掺有至少一種藉本發明方法所塗覆之成份的積體電路渠道電容器。一種在基材30上製造渠道電容器之可能實例係表示於圖3 0中。在基材3 0上形成電容器凹槽，其係經由插塞3 1與下層線路相連。該線路被介電絕緣層（隔離介電層）8 3所覆蓋。基材包括，但不限於含S i半導體基材、矽於絕緣體基材上、Ge基材、SiGe基材、GaAs 基材及其他類似基材、介電材料、金屬、有機基材、玻璃、金屬氧化物、塑膠聚合體基材及其混合物、組合物及多層物。介電絕緣層（隔離介電層）8 3係選自任何絕緣材料，其包括Si02、SiOxNy、Si3N4、磷矽酸鹽玻璃或金屬氧化物如ai2o3、其摻有雜質或未摻雜質之混合物或多層物。在插塞及電容器凹槽上，依序塗上視情況選用的導電隔離層32 、底部電極層3 3、介電材料層3 4及頂部電極層3 5和視情況選用的介電缓衝層3 6。插塞材料係由慣用導電材料所構成的，其包括，但不限於：聚矽、W、Mo、Ti、Cr、Cu，並且可利用本發明方法塗覆而成的。視情況選用的導電隔離層 3 2係由慣用導電材料所組成的，其包括，但不限於：TaN 、TaSiN、TiAIN、TiSiN、TaSiN、TaWN、TiWN、TaSiN、 TaAIN、NbN、ZrN、TaTiN、TiSiN、TiAIN、Ir02、SiC、TiPt 、TiNPt、TiAlN-Pt、Ru、Ru02、RuPt、Ru02、WSi、Ti、TiSi 、摻有雜質及未摻雜質的聚矽、A1、Pd、Ir、IrOx、Os、 OsOx、MoSi、TiSi、Re02、其混合物或多層物，且可利用本發明方法塗覆而成的。底部電極3 3係由導電材料所構成的 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（54) ’其包括’但不限於：聚硬、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Ru 、Ir、Rh、IrOx、RuOx、TaN、TaSiN、Ta、SrRu03、LaSrCo03 、其掺有雜質及未掺雜質之合金、混合物或多層物。介電材料3 4係由任何絕緣材料所構成的，其包括，但不限於： Si〇2、SiOxNy、SisN#，金屬氧化物如 Ta2〇5、Ti02、Zr02、 Hf02、Al2〇3、La203、Y203、其合金、混合物或多層物，或多成份金屬氧化物如結構式爲ΑΒ〇3之pervoskite型氧化物，其中B爲至少一種酸氧化物，其含有選自包含Al、Ti、Zr、 Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Cu之金屬，A爲至少一種具有從約1至約3之正形式電荷的額外陽離子。實例包括，但不限於：鋇鳃鈦酸鹽、锆酸鹽、铪酸鹽，鈦酸鉛、鋁酸釔、銘酸鑭、鈥酸錯锆，梦酸鹽如秒酸铪、硬酸鍺，包括掺有稀土金屬的碎酸鹽。頂部電極3 5係由導電材料所構成的，其包括，但不限於：聚矽、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Ru 、Ir、Rh、IrOx、RuOx、TaN、TaSiN、Ta、SrRu03、LaSrCo03 、其有雜質及未捧雜質的合金、混合物或多層物。頂部及底部電極可或不可相似。此視情況選用的介電隔離層係由，任何絕緣材料所構成的，其包括，但不限於·· Si02、SiOxNy 、Si3N4、TiON、AIN、SiN、TiN，金屬氧化物如 Ta205、Ti02 、Zr02、Hf02、A1203、La203、Y203、其合金、混合物或多層物，或多成份金屬氧化物。平面化依序所塗覆之多層物以在電容器凹槽中產生渠道電容器。絕緣鈍化層3 7及層間介電層38被塗覆在電容器凹槽中的渠道電容器上以形成隔離結構。絕緣鈍化層3 7係由任何絕緣材料所構成的，其包 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）冒裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- 1240011 A7 B7 五、發明說明（55 括，但不限於：SiC)。、\T . Τ·Ν 八麗-於 λ x y、Sl3N4、Ti〇N、AIN、SiN、

TiN，至屬虱化物如T γ n v ^ 2 Zr〇2、Hf02、A1203、 (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 化物3。、=金、混合物或多層物，或多成份金屬氧層38係選自任何絕緣材料，其包括，但不如A10轉喊4、料酸鹽破璃或金屬氧化物如AhO3、其摻有雜質或未離結構中形成通路。將擴合物或多層物。在隔 P齷…、二層81及鍍金屬層82塗覆在

構通路上。擴散隔離層81包.括，但不限於：WN 、TiN或T aN。鍍金屬層8 2係選自杯/蓄馮…係選自任何導電材料，其包括、’;^ 人W'M°'Ti、Cl·或Cu，其摻有和未捧雜質之合金、混合物或多層物。在此具體實例中，i少一種渠道電容器成份係藉本發明方法塗覆而成的，其包括，但不限於：導電離層、底部電極、彳電材料、頂部電極 '絕緣純化層、層間介電層、擴散隔離層'隔離介電層及鐘金屬層。實例1 7 配線結構之製造經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此實例中’製造摻有至少—種藉本發明方法所塗覆之成份的積體電路配電結構。如圖3af所示般，典型的配線結構係藉深入介電層43蝕刻出渠道41及通路〇的方式所形成的，其中該介電層係選自任何絕緣材料，包括，但不限於· Si〇2、SiOxNy、SigN4、磷矽酸鹽玻璃或金屬氧化物如 AlW3、其摻有雜質或未摻雜質之混合物或多層物。此鍍金屬層可藉波紋或雙波紋程序或藉石版印刷術及蝕刻式^化 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1240011 A7 B7 五、發明說明（56) I。藉電層43下方是選自任何導電材料的金選自任何絕緣材料之介電層45，其中導電材料勺4 限於八卜^編^心或〜合金^合物或並^物但^ :緣：料包括，但不限於Sl〇2、Si〇xNy、Si3N:、；酸鹽金屬氧化物如Al2〇3、其摻有雜質或未摻㈣物或夕層物。在圖3b中，渠道及通路係被包括，作簡、™或TaN之隔離材料46及選自任何導電材料之配線至屬47所填滿，其中導電材料包括，去 =二—合金 ίΓ 配線結構成份係藉本發明方法所塗復而成的，其包括介電層、金屬薄配線金屬。料Ιϋ離材料及/或當本發明已特別地藉其相關較佳具體實例表示及描述之 :的^熟諸此技者將了解可進行前文及其他形式和細節丄：：操背離本發明精神及範園。因此希望本發明不明的正確形式及細節所限制，但落在所附 ▼裝--------訂---------^^^1 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -59-

Claims

i24m! 090106411號專利申請案中文申請專利範圍替換本(93年9月）申請專利範圍

8 8 8 8 A B c D

1 . 一種先質物混合物，其包含至少一種溶解、乳化或懸浮於惰性液體中之先質物化合物其中至少一種先質物化合物為二甲基-、二乙基-或二異丁基_6、八1、0&、111、八3或 Sb氫化物；Me2AlH(NEtMe2);四丁基胂；（Me3N)AlH3 ;(EtMe2N)AlH3 ; (Et3N)AlH3 ; CpWH2 ; Cp2MoH2 ;三甲基-、三乙基-、三異丁基-、三·正丙基-、三異丙基-、三-正丁基-、三新戊基-或乙基二甲基-B、Al、Ga、In 、As或Sb;四甲基-、四乙基-、四苯基-或四-正丁基-Si 、Ti、Zr、Hf、Ge、Sn 或 Pb ;二甲基-、二乙基-或二異丁基-B、A1、Ga、In、As或Sb、氫化物、氯化物、|L化物、溴化物、碘化物、Cp、醯胺、二甲基醯胺或疊氮化物 ;三乙基-、三異丁基-、三-正丙基-、三異丙基正丁基-或乙基二甲基-B、A卜Ga、In、As或Sb三甲基胺、二乙基甲基胺、二甲基乙基胺或三乙基胺；二甲基-或二乙基-Zn、Cd或Hg ;(新戊基）4Cr ; Et3Pb(新戊氧基）； Cp2Me2Zr ; (MeNC)2PtMe2 ; CpIr(C2H4)2 ;雙 Cp-Co、Mo 、Fe、Μη、Ni、Ru、V、Os、Mg或 Cr ;雙乙基苯、雙苯-Co、Mo或Cr ;三苯基-Bi、Sb或As ;三乙烯基硼；參Cp_ Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D、Ho、Er 、Tm、Yb或 Lu ;四 Cp-Th、Pa、U、Np、Pu或 Am參烯丙基銥；CpCr(CO)2 ； Cp2ZrMe2 ； CpCuPEt3 ； Cpln ； Cplr( 環辛二烯）；CpPd(烯丙基）；CpGaMe2 ; CpGaEt2 ;(環己二烯）FeC03 ;(環辛四烯）FeC03 ;乙基二茂鐵； CpMn(CO)3 ;(環庚三烯）Mo(CO)3 ; TICp ; Cp2WH2 ;(菜本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 8 8 8 8 A B c D 1240011 六、申請專利範圍 )W(CO)3 ; CpRe(CO)3 ; CpRh(CO)2 ; Ir(烯丙基）3 ; Pt(烯丙基）2 ; Cplr(環晞烷二酮）；[Ir(OMe)(環辛烷二酮）]2 ; Ru(環辛烷二酮）（婦丙基）2 ; Ru3C012 ; Fe(CO)5 ; Co2(CO)8 ; Ru(CO)3(l，3-環己二烯）；0s3C012 ; Cr(CO)6 ; CpCo(Co)2 ; Mn2(CO)1() ; CpMn(CO)3 ;(環庚三烯）Mo(CO)3、Mo(CO)6 ; Ni(CO)4 ; Re2(CO)10 ; CpRe(CO)3 ; CpRh(CO)2 ； Ru3(CO)12 ； W(CO)6 ； CpV(CO)4 ; CF3Co(CO)4 ; Pt(Co)2(環辛烷二酮）； Ir(CO)2(環辛烷二酮）；(CO)4Fe[P(OCH3)3]； (CO)4Fe[N(CH3)3] ; CoNO(CO)3 ; 丁氧基、OCH(CF3)2、 OCMe2(CF3)、OCMe(CF3)2、OSi(CH3)3、OC(CH3)3、 OC(SiMe3)3 或 OC(CF3)3 Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Cu、Ag 、Au、Hg或T1 ;四-甲氧基、四-乙氧基-、四異丙氧基-、四丁氧基、四-第三丁氧基-、四異丁氧基-、四一 OCH(CF3)2 ' 四-OCMe2(CF3)、四-OCMe(CF3)2、四-OC(CH3)3、四-〇C(SiMe3)3、四-OC(CF3)3或四-OSi(CH3)3 Si、Ge、Sn、Pb、Ti、Zr 或 Hf ; VO(異丙氧基）3、三-異丙氧基-、三-第二丁氧基、三-正丁氧基、三-異丁氧基、三甲氧基、三乙氧基、三-OCH(CF3)2、三-OCMe2(CF3) 、三-〇CMe(CF3)2、三-OC(CH3)3、三-OC(SiMe3)3、三-〇C(CF3)3 或三-〇Si(CH3)3、B、Al、Ga、In、P、As或 Sb ; Et3Pb(異丙醇鹽）；（四丁氧基）CuPMe3 ;肆（二甲基胺基）、肆（二乙基月安基）Ti、Zr、Hf、Si、Ge、Sn或Pb ;二乙基胺基二乙基胂；二乙基胺基胂二氯化物；雙二甲基胺基 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1240011 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍胂氯化物；Me2Zn(三乙基胺）2 ;二乙基胺基二甲基錫烷 •，參（二甲基胺基）膦；參（二甲基胺基）銻；參（二甲基胺基）胂；參（二甲基胺基）；參-雙（三甲基矽烷基）餌醯胺；雙（二曱基胺基）（三甲基乙基伸乙基二胺基）鋁； (CO)4Fe[N(CH3)3]、Li、Na或 K N(SiMe3)、五-二甲基胺基鈕；二乙基胺基二甲基錫；六-二甲基胺基二鎢；參-二甲基胺基（三甲基伸乙基二胺基）鈦；CpCu(PEt3)、 CpCu(三苯基膦）；（第三丁氧基）CuPMe3 ; Pt(PF3)4 ; Ni(PF3)4 ; Cr(PF3)6 ; (Et3P)3Mo(CO)3 ; Ir(PF3)4 ; Ti(N03)4 ;Zr(N03)4 ; Hf(N03)4 ; Si(CH3)3(N03) ; RuN0(N03)3 ;硝酸鎵；Sn(N03)4 ; Co(N03)3 ; VO(N〇3)3 ; Cr02(N03)2 ; TiCl4 ; ZnCl2、ZrCl4 ; HfCl4 ; A1C13 ; SiCl4 ; GaCl3 ; SnCl4 ;CoCl3 ;二甲基-、二乙基-或二異丁基-、Ai、B、Ge、 Si 或 As 鹵化物；N(SiMe3)2Li、Na 或 K ; B(CH2SiMe3)3 ; {(Me3Si)2N}3 -Β、A1、Ga或 In ; (Me3SiCH2)4 Ti、Zr或 Hf ; 或{(MejihN}2 Zn、Cd或Hg ;其中Cp為環戊二烯基。 2 · —種用於化學蒸汽塗覆或原子層塗覆之方法，其包括：汽化申請專利範圍第1項之先質物混合物中的先質物化合物’將已汽化之先質物與視情沉添加之其他共-反應物導入化學蒸汽塗覆或原子層塗覆反應器中並將已汽化先質物之組成份塗覆在基材上以形成膜。 3.根據申請專利範圍第2項之方法，其中該膜為一電子元件成份。 4 ·根據申請專利範圍第2項之方法，其中將該共反應物與本紙張尺度適财關家料(CNS) A4»(21GX -3-

已汽化之先質物分開導入。 5 ·根據申請專利範圍第2項之方法，其包括汽化先質物混合物中的先質物，將已汽化先質物與分開添加之其他共-反應物及惰性沖洗氣體導入原子層塗覆反應器中，並藉依序交替導入已汽化先質物、沖洗氣體、共反應物及沖洗氣體流以塗覆膜於基材上。 6.根據申請專利範圍第2項之方法，其中該共反應物為還原劑、氧化劑、氮化劑或砍燒化劑。 7 ·根據申請專利範圍第6項之方法，其中該還原劑係選自由氫、形成氣體、矽烷及其組合物所組成之群。 8 ·根據申請專利範圍第6項之方法，其中該氧化劑係選自由氧、臭氧、水、過氧化氫、一氧化二氮及其組合物所組成之群。 9 ·根據申請專利範圍第6項之方法，其中該氮化劑係選自由氨、胼、疊氮化氫、四丁基胺、異丙基胺及其組合物所組成之群。 •根據申請專利範圍第6項之方法，其中該矽烷化劑係選自由矽烷、二矽烷、氯矽烷、矽烷基胺、矽氨烷合物所組成之群。 1 1 ·根據中請專利範圍第2項之方法，#包括將三或多種不同的氣體依序交替送入該基材中，其中該氣體之一包本該，質物混合物《已汽化先質#，該氣體中另一種為; 洗氣體及該氣體中另一種為還原劑。 u·根據中請專利範圍第2項之方法，纟包括將三或多種不 -4- 1240011 8 8 8 8 A BCD 々、申請專利範圍同的氣體依序交替送入該基材中，其中該氣體之一包含該先質物混合物之該已汽化先質物，該氣體中另一種為沖洗氣fa及该氣體中另一種為氮化劑。 1 3 .根據申請專利範圍第2項之方法，其包栝將四或多種不同的氣體依序交替送入該基材中，其中該氣體之一包含該先質物混合物之該已汽化先質物，該氣體中另一種為沖洗氣體、該氣體中另一種為氧化劑及該氣體中另一種為選自包含任何已汽化先質物及根據申請專利範圍第1 項之先質物混合物之已汽化先質物。 1 4 ·根據申請專利範圍第2項之方法，其包括將四或多種不同的氣體依序交替送入該基材中，其中該氣體之一包含該先質物混合物之已汽化先質物，該氣體中另一種為沖洗氣體、該氣體中另一種為氮化劑及該氣體中另一種為選自包含任何已汽化先質物及根據申請專利範圍第i項之先質物混合物之已汽化先質物。 1 5 ·根據申請專利範圍第2項之方法，其包括將四或多種不同的氣體依序交替送入該基材中，其中該氣體之一包含該先質物混合物之已汽化先質物，該氣體中另一種為沖洗氣體、該氣體中另一種為還原劑及該氣體中另一種為選自包含任何已汽化先質物及根據申請專利範圍第i項之先質物混合物之已汽化先質物。 1 6 ·根據申請專利範圍第2項之方法，其包括將五或多種不同的氣體依序交替送入該基材中，其中該氣體之一包含該先質物混合物之已汽化先質物，該氣體中另一種為沖 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1240011 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍洗氣體、該氣體中另一種為還原劑及該氣體中另一種為選自包含任何含S i之已汽化先質物及根據申請專利範圍第1項之先質物混合物之含梦的已汽化先質物。 1 7 ·根據申請專利範圍第2項之方法，其中該基材為選自包含半導體基材、介電材料、金屬、有機基材、玻璃、金屬氧化物及塑膠聚合體基材、含Si之半導體基材、陶瓷、矽於絕緣體基材上、Ge基材、SiGe基材、GaAs基材及其混合物或多層物。 18·根據申請專利範圍第3項之方法，其中該電子元件為電晶體、電容器、二極體、電阻器、電閘、發光二極體、雷射、配線結構或互連結構。 19· 一種在該電容器上製造組合或渠道電容器結構之方法，其中該電容器係經由插塞及視情況選用之隔離層與下層線路相連，而且該電容器結構係包含底部電極、介電^ 、頂部電極層及視情況選用的介電緩衝層，其中至少一種電容器結構成份係根據申請專利範圍第2項之方法塗覆而成的。 ' 20·根據申請專利範圍第19項之方法’其中視情況選用之介電隔離層係選自包含Si〇2、Si〇xNy、叫凡、Ti〇N、膝、TiN、Ta2〇5、Ti〇2、Zr〇2、Hf〇2、Ai2〇3、La^ ' Y2〇3、其合金、混合物或多層物及多成份金屬氧化物。 21.=據中請專利範圍第19項之方法，其中該介電材料為鐵電材料。 22·根據中請專利範圍第㈣之方法，其中插塞材科係選自 -6 1240011 A8 B8 C8 D8 穴、申請專利耗圍包含聚矽、W、MO、Ti、Cr、Cu及其摻有雜質或未摻雜質的合金、混合物及多層物。 2 3 .根據申請專利範圍第1 9項之方法，其中該導電隔離層係選自包含 TaN、TaSiN、TiAIN、TiSiN、TaSiN、TaWN、 TiWN、TaSiN、TaAIN、NbN、ZrN、TaTiN、TiSiN、 TiAIN、IrOx、Os、OsOx、MoSi、TiSi、Re02及其摻有雜質及未捧雜質的合金、混合物及多層物。 24·根據申請專利範圍第19項之方法，其中該底部電極係選自由包含導電材料、聚矽、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、 Ru、Ir、Rh、OrOx、TaN、TaSiN、Ta、SrRu03、LaSrCo03 及其捧有雜質及未捧雜質之合金、混合物或多層物。 2 5 ·根據申請專利範圍第1 9項之方法，其中該介電材料係選自包含 Si02、SiOxNy、Si3N4、Ta205、Ti02、Zr02、Hf02 、Al2〇3、La2〇3、Y203、多成份金屬氧化物、結構式為 AB〇3之pervoskite型氧化物，其中B為至少一種酸氧化物，其含有選自包含A卜Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo 、W&Cu之金屬，而且A為至少一種具有從1至3之正形式電荷的額外陽離子、鈦酸鋇鳃、誥酸鋇鳃、铪酸鋇鳃 ’鈦酸鉛、鋁酸釔、鋁酸鑭、鈦酸鉛锆、钽酸鳃鉍、鈮酸鳃鉍、鈦酸鉍、矽酸鑭、矽酸釔、矽酸鈴、矽酸結、摻有稀土金屬之矽酸鹽及其摻有雜質或未摻雜質的合金、混合物及多層物。 2 6 ·根據申請專利範圍第1 9項之方法，其中該頂部電極係選自包含聚石夕、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Ru、Ir、Rh、本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1240011

8 8 8 8 Λ BCD IrOx、TaN、TaSiN、Ta、SrRu〇3、LaSrC〇〇3、及其摻有雜質和未摻雜質之合金、混合物或多層物。 27. -種製造配線結構之方法，纟中該結構係由深入介電層所蝕刻出的渠道及通路、介於介電及配線材料間之视情況選用的隔離材料及配線材料所組成的，其中至少一種配線結構成份係根據申請專利範圍第2項之方法塗覆而成的。 28·根據中請專利範圍第27項之方法，其中該介電層係選自包含Si〇2、SiOxNy、SisN4、磷矽酸鹽破璃、金屬氧化物、AhO3及其摻有雜質和未摻雜質之合金、混合物或多層物0 29·根據中請專利範圍第27項之方法，纟中視情況選用的隔離材料係選自包含WN、TiN、TaN、Si0 2、Si〇xNy、以小4 、磷矽酸鹽玻璃、金屬氧化物、AhO3及其掺有雜質和未摻雜質之合金、混合物或多層物。 3〇·根據申請專利範圍第27項之方法，其中該配線材料係選自包含聚矽、A卜W、Mo、Ti、Cr、Cu及其摻有雜質和未摻雜質之合金、混合物或多層物。 3 1 · —種製造電子元件之方法，其中該元件係由具有導電源及排放區和介於該導電源與排放區間之電路區的基材、與該電路區對齊並置於其頂端之匣介電層及與該匣介電層對齊並置於其頂端之匣電極所構成的，其中至少一種電子元件成份係根據申請專利範圍第2項之方法塗覆而成的。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）六、申請專利範園 2.根射請專利範圍第31項之方法，其中g電極係選自包含训2、SiO為、叫乂、Ta2〇5、Ti〇2、Μ〗、Hf〇2、 AhOrLaHO3、多成份金屬氧化物、結構式為 ab〇3之pervoskit-氧化物，其中B為至少一種酸氧化物 ’其含有選自包含A卜Ti、Zr、Hf、v、Nb、Ta、Cr、M〇、界及。之金屬，A為至少一種具有從山之正形式電荷的額外陽離子、鈇酸㈣、錯酸鋇總、給酸㈣，献酸鉛、鋁酸釔、鋁酸鑭、鈦酸鉛鈷、翹酸鳃鉍、鈮酸勰鉍、鈦酸鉍、矽酸鑭、矽酸釔、矽酸給、矽酸錯、摻有 # 土至屬的碎奴鹽及其摻有雜質或未摻雜質的合金、.混合物及多層物。 3 3 ·根據申請專利範圍第3丨項之方法，其中匣介電層包含超過*層。 3 4 ·根據申请專利範圍第3 1項之方法，其中匣電極係選自包含聚矽、A卜 Ag、Bi、Cd、Fe、Ga、Hf、In、Mn、Nb、Y 、Zr、Ni、Pt、Be、Ir、Te、Re、Rh、W、Mo、Cr、Fe、Pd 、An、Rh、Ti、Cr、Cu及其摻有雜質或未摻雜質之合金、混合物及多層物。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)