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CN112969814A - 含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜 - Google Patents

含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜 Download PDF

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CN112969814A CN201980074082.5A CN201980074082A CN112969814A CN 112969814 A CN112969814 A CN 112969814A CN 201980074082 A CN201980074082 A CN 201980074082A CN 112969814 A CN112969814 A CN 112969814A
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Abstract

本发明提供含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜，本发明的含钼薄膜的制造方法使用钼(0)基碳氢化合物和特定反应气体，从而能够通过简单的工艺容易地制造高纯度薄膜。

Description

含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜
技术领域
本发明涉及含钼薄膜的制造方法以及通过该制造方法制造的含钼薄膜，并且更详细地涉及将钼(0)基碳氢化合物作为薄膜沉积前驱体来与作为特定反应气体的碘、烷基碘(alkyl iodide)、碘化硅烷(silyl iodide)或它们的混合物进行反应以制造含钼薄膜的方法以及通过该方法制造的含钼薄膜。
背景技术
含有钼的薄膜可在有机发光二极管、液晶显示器、等离子体显示面板、场发射显示器、薄膜太阳能电池、低电阻欧姆(ohmic)、其它电子装置和半导体装置中使用，并且主要被用作势垒膜等的电子零件的部件。
钼、钼氧化物和钼氮化物因低电阻、大功函数(work function)和热/化学稳定性而广泛地使用在多种领域中。金属钼具有15μΩcm以下的低比电阻，因此可适用为显示装置的布线，钼氧化物(MoO2)展现出出色的类金属导电性且可适用于碳氢氧化催化剂、固体氧化物燃料电池(SOFC)阳极和高(high)容量可逆锂离子电池(LIB)阳极，并且三氧化钼(MoO3)展现出电致变色(electrochromic)特性和催化剂特性且可适用于纳米结构的气体传感器和固态锂离子电池。
另外，在半导体器件中作为薄膜沉积法，正在研究着使用分子束生长法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)等的方法。最近，随着半导体器件的小型化，设计规则减少，而由此作为满足低温工艺、精确的厚度控制、薄膜的均匀性和涂覆性的沉积方法，正在广泛研究着使用根据自限表面反应机理(self-limiting surfacereaction mechanism)的原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)的薄膜成型。
用于含有钼氧化物的薄膜制造的化学气相生长法用原料，已报道过诸如羰基钼[Mo(CO)6]、乙酰丙酮钼、氯化钼(MoCl3或MoCl5)、氟化钼(MoF6)、MoO2(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)2、双环戊二烯基二氢化钼、双甲基环戊二烯基二氢化钼、双乙基环戊二烯基二氢化钼、双异丙基环戊二烯基二氢化钼、双环戊二烯基酰亚胺钼的有机钼化合物以及氯氧化钼(MoO2Cl2或MoOCl4)。此外，作为通过ALD的含有钼水的薄膜成型用原料，已报道过钼酰胺亚胺化合物。
然而，传统的含钼薄膜沉积工艺将氧用作反应气体，因此存在着必须进行还原工艺的问题。
因此，需要通过简单的工艺减少薄膜内的杂质的含量来制造高纯度的含钼薄膜的方法。
发明内容
要解决的技术问题
本发明旨在解决如上所述的问题，其提供将钼(0)基碳氢化合物用作含钼薄膜沉积用前驱体的同时使用特定反应气体的含钼薄膜的制造方法以及通过该制造方法制造的含钼薄膜。
此外，本发明提供包含钼(0)基碳氢化合物和特定反应气体的含钼薄膜沉积用组合物。
解决问题的手段
本发明提供在将钼(0)基碳氢化合物用作前驱体的同时使用特定反应气体从而通过简单的工艺的高纯度的含钼薄膜的制造方法，
本发明的含钼薄膜的制造方法的特征在于包括以下步骤：
将钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体，以及
将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体来制造含钼薄膜。
根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法可通过原子层沉积(ALD)法、气相沉积(CVD)法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、低压气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强气相沉积法(PECVD)或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)来执行。
优选地，根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法包括以下步骤：
a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃；
b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物；以及
c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜。
优选地，根据本发明的一实施例，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，可使用0.1至200摩尔的反应气体。
根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法还可包括以下步骤：在c)步骤之后进行热处理，并且热处理可在200至700℃中执行。
优选地，根据本发明的一实施例的钼(0)基碳氢化合物可由下述化学式1、化学式2或化学式3表示，
[化学式1]
Figure BDA0003058502350000031
在所述化学式1中，R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基，
[化学式2]
Figure BDA0003058502350000032
[化学式3]
Figure BDA0003058502350000041
在所述化学式3中，R1和R2彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
优选地，根据本发明的一实施例的反应气体可为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2或SiH2I2，并且所述输送气体可为选自氮(N2)、氢、氩和氦中的任一种或两种以上。
此外，本发明提供包括钼(0)基碳氢前驱体化合物、以及作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体的含钼薄膜沉积用组合物。
优选地，根据本发明的含钼薄膜沉积用组合物的一实施例，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，可使用0.1至200摩尔的反应气体，并且钼(0)基碳氢化合物可为选自由所述化学式1、化学式2和化学式3表示的钼(0)基碳氢化合物中的任一种或两种以上。
优选地，根据本发明的含钼薄膜沉积用组合物的一实施例的反应气体可为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2或SiH2I2。
此外，本发明提供使用根据本发明的一实施例的所述含钼薄膜沉积用组合物制造的含钼薄膜，并且所述制造的含钼薄膜的比电阻可为200μΩ.cm以下，并且其氧含量可为10％以下。
优选地，根据本发明的一实施例的本发明的含钼薄膜的碳含量可为30％以下。
发明效果
本发明的含钼薄膜的制造方法将钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体，并且使用作为特定反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体，因此由于不包括氧而无需额外的还原工艺，进而可通过简单的工艺来制造含钼薄膜。
此外，本发明的含钼薄膜的制造方法可在2nm以下的薄膜厚度中制造表面均匀的薄膜，并且能够实现高端差包覆性(step coverage)和没有空隙(void)的间隙填充(gapfill)。
此外，本发明的含钼薄膜的制造方法不将氧用作反应气体而是将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体，从而使碳、氧、氢等的杂质的含量最小化，进而使薄膜的纯度出奇的优秀。
此外，本发明的含钼薄膜的制造方法能够将多种钼(0)基碳氢化合物用作前驱体。
此外，本发明的含钼薄膜沉积用组合物将作为特定化合物的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体，从而可在使用其来使含钼薄膜成型时容易地获得具有优秀的端差包覆性和间隙填充并且具有高密度的高纯度薄膜。
通过根据本发明的制造方法制造的含钼薄膜可被沉积为对于根据半导体器件的小型化而具有高纵横比的沟图案、接触图案或通孔图案为均匀的且具有优秀的端差包覆性(step coverage)。
附图说明
图1是在实施例1中沉积的含钼薄膜的X射线衍射分析结果。
具体实施方式
下面将对本发明的含钼薄膜的制造方法、含钼薄膜沉积用组合物以及使用其制造的含钼薄膜进行详细说明，但是此时，对于所使用的技术术语和科学术语，如果没有不同的定义，否则具有本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义，并且省略在下述说明中可能不必要地混淆本发明的要旨的公知功能和配置的说明。
本说明书中记载的“烷基”、以及此外包含“烷基”部分的取代物包括直链或支链形态两者，并且具有1至10个碳原子，优选地具有1至7个碳原子，并且更优选地具有1至3个碳原子。
此外，本说明书中记载的“烯烃化合物”作为非环状或环状的碳氢化合物，其为由包含一个以上的双键的碳氢衍生的有机自由基，
“杂烯烃样化合物”作为在烯烃化合物中包含一个以上的杂原子的烯烃化合物，其可为非环状或环状，并且虽然杂原子可选自氮、氧、硫、磷等，但是优选地可为氧或氮，并且可包括一个或两个以上的氧或氮。
本说明书中记载的含羰基化合物可用作钼(0)基碳氢化合物的配体，并且具有羰基的化合物均可，但是作为优选的一实例，可为CO或乙酰丙酮，但并不限定于此。
本发明提供通过将钼(0)基碳氢化合物用作前驱体，并且使用作为特定反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物，从而无需额外的还原工艺而是通过简单的工艺制造高纯度的含钼薄膜的方法，其可在2nm以下的薄膜厚度中制造表面均匀的薄膜，并且能够实现高端差包覆性和没有空隙(void)的间隙填充。
本发明的含钼薄膜的制造方法包括以下步骤：
将钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体，以及
将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体来制造含钼薄膜。
本发明的含钼薄膜的制造方法由于不使用作为传统使用的反应气体的氧，因此可制造高纯度的薄膜，并且由于无需用于去除包含在薄膜中的氧的额外的还原工艺，因此可通过简单的工艺制造含钼薄膜。
根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法可通过原子层沉积(ALD)法、气相沉积(CVD)法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、低压气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强气相沉积法(PECVD)或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)来执行，并且就具有高纯度和优秀的物性而言，优选地可为原子层沉积(ALD)法或气相沉积(CVD)法。
本发明的含钼薄膜的制造方法只要是使作为前驱体的钼(0)基碳氢化合物与作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体进行反应以制造含钼薄膜的方法即可，并且优选地，根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法可包括以下步骤：
a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃；
b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物；以及
c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜。
在根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法中，用作所述前驱体的钼(0)基碳氢化合物在常温常压中可为液状的化合物，并且为了薄膜沉积而通过加热等的方法变换为气体状态并投入到工艺室。
在根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法中，所述反应气体可通过加热等的方法变换为气体状态并且投入到存在着吸附有钼(0)基碳氢化合物的基板的工艺室。
在根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法中，钼(0)基碳氢化合物和反应气体可彼此有机地或彼此独立地供给到室。此外，钼(0)基碳氢化合物和反应气体可分别连续地或不连续地供给到室，并且不连续的供给可包括脉冲(pulse)形态。
当然，在根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法中，在b)步骤和/或c)步骤之后，为了排出未反应的钼(0)基碳氢化合物或副产的气体或未反应的反应气体，还可执行在室内供给惰性气体来进行吹扫(purging)的步骤。所述惰性气体可为选自氮(N2)、氩和氦中的任一种或两种以上。
即，根据本发明的一实施例的制造方法可包括：a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃的步骤；b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物的步骤；d1)使用惰性气体对室内部进行吹扫的吹扫步骤；c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜的步骤；以及d2)使用惰性气体对室内部进行吹扫的吹扫步骤。
根据本发明的一实施例的基板只要是技术人员认可的范围内可使用的基板即可，此外，基板的温度不受限定，但是优选地可为200至400℃，并且所述温度范围是取决于用作前驱体的钼(0)基碳氢化合物自身的分解特性以及与诸如用作反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的其它物质的反应特性的温度范围。
本发明的一实施例中可使用的基板可为包含Si、Ge、SiGe、GaP、GaAs、SiC、SiGeC、InAs和InP中的一种以上的半导体材料的基板、SOI(Silicon On Insulator)基板、石英基板或显示器用玻璃基板、聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET，PolyEthyleneTerephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，PolyEthylene Naphthalate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Poly Methyl MethAcrylate)、聚碳酸酯(PC，PolyCarbonate)、聚醚砜(PES)、聚酯纤维(Polyester)等的柔性塑料基板、钨基板，但并不限定于此。
根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法除了将钼(0)基碳氢化合物用作前驱体并且使用作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以外，相关薄膜沉积条件可根据待制造的薄膜的结构和热特性来进行调节。
作为根据本发明的一实施例的沉积条件，可示例出作为前驱体的钼(0)基碳氢化合物的投入流量、输送气体的投入流量、压力、RF功率、基板温度等，并且作为这种沉积条件的非限定性实例，钼(0)基碳氢化合物的投入流量可在1至1000cc/min范围内进行调节，输送气体可在1至1000cc/min范围内进行调节，反应气体的流量可在1至1000cc/min范围内进行调节，压力可在0.1至100托范围内进行调节，RF功率可在200至1000W范围内进行调节，以及基板温度可在80至500℃范围内进行调节，优选地，可在200至400℃范围内进行调节，但并不限定于此。
优选地，根据本发明的一实施例，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，可使用0.1至200摩尔的反应气体，但并不限定于此，并且可根据薄膜沉积条件进行调节。作为一实例，在原子层沉积(ALD)法或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)的情况下，优选地，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，可使用10至100摩尔，更优选地可使用10至50摩尔，并且更加优选地可使用10至30摩尔。
根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法还可包括：在c)步骤之后进行热处理的步骤，热处理可在200至700℃中执行30分钟至4小时，优选地在300至600℃中执行1小时至2小时，并且可在氢氛围下执行。
根据本发明的一实施例的钼(0)基碳氢化合物为可用作含钼薄膜沉积用前驱体的钼(0)基碳氢化合物即可，但是作为与作为反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的优选组合，钼(0)基碳氢化合物可由下述化学式1、化学式2或化学式3表示。
[化学式1]
Figure BDA0003058502350000091
在所述化学式1中，R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
[化学式2]
Figure BDA0003058502350000092
[化学式3]
Figure BDA0003058502350000093
在所述化学式3中，R1和R2彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
更优选地，根据本发明的一实施例的钼(0)基碳氢化合物可为选自下述结构中的化合物，但是并不限定于此。
Figure BDA0003058502350000101
优选地，根据本发明的一实施例的反应气体可为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或SiH2I2，并且更优选地，可为CH3CH2I、CH2I2、CH2I2、ICH2CH2CH2I或SiH2I2。
在根据本发明的一实施例的含钼薄膜的制造方法中，钼(0)基碳氢化合物可与输送气体一同供给到室。具体地，输送气体可为选自氮(N2)、氢、氩和氦中的任一种或两种以上，并且作为与本发明的特定反应气体的优选组合，可为选自氮(N2)、氩和氦中的任一种或两种以上的惰性气体。
含钼薄膜只要是气相供给钼前驱体来制造含钼薄膜的本发明所属技术领域的技术人员认可的范围内能够制造的薄膜即可。作为具体且实质性的一实例，含钼薄膜可为通常具有导电性的钼、钼氧化膜、它们的复合膜，并且除此之外，在技术人员认可的范围内可制造多种含有钼的高品质薄膜。
此外，本发明提供包含钼(0)基碳氢前驱体化合物和作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体的含钼薄膜沉积用组合物。
优选地，根据本发明的含钼薄膜沉积用组合物的一实施例，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，可使用0.1至200摩尔的反应气体，优选地可使用10至100摩尔的反应气体，更优选地可使用10至50摩尔的反应气体，并且更加优选地可使用10至30摩尔的反应气体，并且钼(0)基碳氢化合物可为选自由所述化学式1、化学式2和化学式3表示的钼(0)基碳氢化合物中的任一种或两种以上。
优选地，根据本发明的含钼薄膜沉积用组合物的一实施例的反应气体可为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或SiH2I2。
此外，本发明提供使用根据本发明的一实施例的所述含钼薄膜沉积用组合物制造的含钼薄膜，并且所述制造的含钼薄膜的比电阻可为200μΩ.cm以下，并且其氧含量可为10％以下，优选地可为6％以下。
优选地，根据本发明的一实施例的含钼薄膜的碳含量可为30％以下，并且优选地可为26％以下。
本发明的含钼薄膜使用钼(0)基碳氢化合物和作为特定反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物，从而能够通过简单的工艺制造具有高纯度/高密度和高耐久性的含钼薄膜。此外，在制造含钼薄膜时将并不是氧的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体，从而在沉积工艺中可不使下部膜氧化，并且在形成之后也可不使含钼薄膜的下部膜氧化。由此，可防止含钼薄膜与下部膜之间的接触电阻因形成在与下部膜的界面上的氧化物而增加。
此外，在制造含钼薄膜时使用钼(0)基碳氢化合物和作为特定反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物，从而可提高结晶品质，进而可将薄膜的比电阻减小到200μΩ.cm以下，优选地减小到150μΩ.cm以下，并且更优选地减小到110μΩ.cm以下，并且薄膜内的氧含量可减小到10％以下，并且优选地减小到6％以下。
下面，将通过下述实施例对本发明进行更加具体的说明。在此之前，在本说明书和权利要求书中使用的术语或单词不应解释为限定于通常含义或词典含义，并且在发明人可适当地定义术语的概念以通过最佳的方法对其自身的发明进行说明的原则上应解释为符合本发明的技术思想的含义和概念。
因此，本说明书中记载的实施例和附图中所示的配置仅为本发明的最优选的一实施例，并且不代表本发明的所有技术思想，因此应理解，在本申请的观点上存在着能够替代它们的多种等同物和变形例。
此外，下面的所有实施例使用商业化的花洒方式的200mm的单片式(single wafertype)AL设备(CN1，Atomic Premium)利用公知的原子层沉积法(ALD)来执行。
沉积的含钼薄膜利用薄膜电阻测量仪(4pointprobe，DASOLENG，ARMS-200C)来测量比电阻，通过透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，FEI(Netherlands)Tecnai G2F30S-Twin)来测量厚度，并且利用X射线光电子分析来分析薄膜的组分。
[实施例1]含钼薄膜的制造
将
Figure BDA0003058502350000121
(化合物1)用作含钼前驱体，将二碘甲烷(CH2I2)用作反应气体，并且通过原子层沉积法(Atomic layer deposition)来形成含钼薄膜。
首先，氧化硅膜基板保持为250℃，并且将化合物1填充到不锈钢起泡容器中并保持为70℃。将氩气(50sccm)用作输送气体来在1秒期间(0.0003g)将在不锈钢起泡容器内汽化的化合物1输送到氧化硅膜基板从而使其吸附在氧化硅膜基板上。随后，利用氩气(4000sccm)在10秒期间去除未反应的化合物1。之后，在0.5秒期间(0.00625g)供给加热到90℃的二碘甲烷(CH2I2)来形成含钼薄膜。最后，利用氩气(4000sccm)在30秒期间去除反应副产物和残留反应气体。对于含钼前驱体(化合物1)1摩尔，使用22.2摩尔的反应气体(二碘甲烷)。将如上所述的工艺作为1个周期并且反复800个周期来形成含钼薄膜。详细的反应条件示出在下述表1中。
形成的所述钼薄膜在氢氛围下在500℃中进行了2小时的热处理。
[比较例1]含钼薄膜的制造
除了在实施例1中将二碘甲烷用作反应气体以外，在没有反应气体的情况下以与实施例1相同的方式实施来制造含钼薄膜，并且具体的含钼薄膜沉积条件表示在下述表1中。
形成的所述钼薄膜在氢氛围下在500℃中进行2小时的热处理。
【表1】
Figure BDA0003058502350000131
用在所述实施例1和比较例2中制造的含钼薄膜的厚度和薄膜电阻计算的比电阻以及通过X射线光电子分析法的组分表示在下述表2中。
【表2】
Figure BDA0003058502350000132
如所述表2中所示，在将烷基碘用作反应气体的实施例1中沉积的含钼薄膜的比电阻为108μΩcm，并且在不将烷基碘用作反应气体的比较例1中示出了沉积的含钼薄膜的3分之1水平的低数值。
此外，将烷基碘用作反应气体的实施例1的含钼薄膜的X射线光电子分析结果可确认薄膜内含有69.3％(约70％)的钼，并且薄膜内的氧含量为5％，而与不将烷基碘用作反应气体的比较例1相比可确认薄膜内的氧含量为显著低的。
此外，在实施例1中沉积的含钼薄膜的X射线衍射分析结果示出在图1中，并且由此沉积的含钼薄膜确认为Mo2C相和Mo相。

Claims (15)

1.一种含钼薄膜的制造方法，包括以下步骤：
将钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体并且将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体来制造含钼薄膜。
2.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述制造方法通过原子层沉积(ALD)法、气相沉积(CVD)法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、低压气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强气相沉积法(PECVD)或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)来执行。
3.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，包括以下步骤：
a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃；
b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物；以及
c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜。
4.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，使用0.1至200摩尔的所述反应气体。
5.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法，还包括以下步骤：
在所述c)步骤之后进行热处理。
6.如权利要求5所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述热处理在200至700℃中执行。
7.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述钼(0)基碳氢化合物为由下述化学式1、化学式2或化学式3表示的钼(0)基碳氢化合物，
[化学式1]
Figure FDA0003058502340000021
在所述化学式1中，R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基，
[化学式2]
Figure FDA0003058502340000022
[化学式3]
Figure FDA0003058502340000023
在所述化学式3中，R1和R2彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
8.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述反应气体为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或SiH2I2。
9.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述输送气体为选自氮、氢、氩和氦中的任一种或两种以上。
10.一种含钼薄膜沉积用组合物，包括：
钼(0)基碳氢前驱体化合物；以及
作为反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷烷或它们的混合物。
11.如权利要求10所述的含钼薄膜沉积用组合物，其中，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，使用0.1至200摩尔的所述反应气体。
12.如权利要求10所述的含钼薄膜沉积用组合物，其中，所述钼(0)基碳氢化合物为由下述化学式1、化学式2或化学式3表示的钼(0)基碳氢化合物，
[化学式1]
Figure FDA0003058502340000031
在所述化学式1中，R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基，
[化学式2]
Figure FDA0003058502340000032
[化学式3]
Figure FDA0003058502340000033
在所述化学式3中，R1和R2彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
13.如权利要求10所述的含钼薄膜沉积用组合物，其中，所述反应气体为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或Si2H2I2。
14.一种含钼薄膜，其中，所述含钼薄膜使用选自权利要求10至13中的任一项所述的含钼薄膜沉积用组合物制造，其比电阻为200μΩ.cm以下，并且其氧含量为10％以下。
15.如权利要求14所述的含钼薄膜，其中，所述含钼薄膜的碳含量为30％以下。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10573522B2 (en) 2016-08-16 2020-02-25 Lam Research Corporation Method for preventing line bending during metal fill process
KR20250116174A (ko) 2018-11-19 2025-07-31 램 리써치 코포레이션 텅스텐을 위한 몰리브덴 템플릿들
SG11202108217UA (en) 2019-01-28 2021-08-30 Lam Res Corp Deposition of metal films
US12334351B2 (en) 2019-09-03 2025-06-17 Lam Research Corporation Molybdenum deposition
KR20220082023A (ko) 2019-10-15 2022-06-16 램 리써치 코포레이션 몰리브덴 충진
KR102898793B1 (ko) * 2020-06-24 2025-12-18 솔브레인 주식회사 박막 형성용 프리커서, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막 제조 방법
KR20220009838A (ko) * 2020-07-16 2022-01-25 솔브레인 주식회사 박막 전구체 화합물, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 이로부터 제조된 반도체 기판
KR102901317B1 (ko) * 2020-08-25 2025-12-17 주식회사 아이켐스 몰리브데넘 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 몰리브데넘 함유 박막.
KR20220058434A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴 증착 방법
US11459347B2 (en) 2021-01-12 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Molybdenum(IV) and molybdenum(III) precursors for deposition of molybdenum films
US11434254B2 (en) 2021-01-12 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Dinuclear molybdenum precursors for deposition of molybdenum-containing films
US11390638B1 (en) 2021-01-12 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Molybdenum(VI) precursors for deposition of molybdenum films
JP2024517288A (ja) * 2021-05-14 2024-04-19 ラム リサーチ コーポレーション 高選択性ドープハードマスク膜
US20230002888A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05 Applied Materials, Inc. Method of depositing metal films
JP2024544133A (ja) 2021-11-10 2024-11-28 インテグリス・インコーポレーテッド モリブデン前駆体化合物
JP2024540610A (ja) * 2021-11-25 2024-10-31 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． 膜質改善剤、それを利用した薄膜形成方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子
US12281387B2 (en) 2021-12-30 2025-04-22 Applied Materials, Inc. Method of depositing metal films
KR20250025477A (ko) * 2022-06-23 2025-02-21 램 리써치 코포레이션 금속의 플라즈마 강화 저온 원자층 증착
CN120344714A (zh) * 2022-10-13 2025-07-18 朗姆研究公司 含金属膜的沉积
JP2025031687A (ja) * 2023-08-24 2025-03-07 ダイキン工業株式会社 金属錯体
US20250179627A1 (en) * 2023-12-04 2025-06-05 Dnf Co., Ltd. Composition for depositing a molybdenum-containing thin film, method for manufacturing a molybdenum-containing thin film, and molybdenum-containing thin film manufactured thereby

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB787076A (en) * 1954-10-20 1957-12-04 Ohio Commw Eng Co Improvements in or relating to gas plating
GB1100396A (en) * 1964-08-10 1968-01-24 Gen Electric Improvements in metallic carbide and/or boride article and method for its production
GB1107620A (en) * 1966-03-29 1968-03-27 Matsushita Electronics Corp Method of manufacturing semiconductor devices
GB1275339A (en) * 1970-06-04 1972-05-24 Gen Technologies Corp Process of plating by pyrolytic deposition
JPH01238027A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Mitsubishi Kasei Corp 硫化亜鉛膜の製造法
US20020182320A1 (en) * 2001-03-16 2002-12-05 Markku Leskela Method for preparing metal nitride thin films
TWI240011B (en) * 2000-04-20 2005-09-21 Ibm Precursor source mixtures, methods of film deposition, and fabrication of structures
US20070232820A1 (en) * 2005-01-19 2007-10-04 Meiere Scott H Organometallic precursor compounds
WO2012146647A2 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Carl Zeiss Sms Gmbh Method and apparatus for processing a substrate with a fo-cussed particle beam
US20130202794A1 (en) * 2010-07-22 2013-08-08 American Air Liquide, Inc. Metal film deposition
KR20130122102A (ko) * 2012-04-30 2013-11-07 한국에너지기술연구원 동시기화법을 이용한 코어-쉘 구조의 금속-탄소 복합체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 코어-쉘 구조의 금속-탄소 복합체
CN104136448A (zh) * 2012-01-26 2014-11-05 辛格玛艾瑞契有限责任公司 钼烯丙基络合物和其于薄膜沉积中的用途
US20160133837A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Intermolecular Inc. Low-Temperature Deposition of Metal Silicon Nitrides from Silicon Halide Precursors
CN105957970A (zh) * 2016-05-30 2016-09-21 哈尔滨工业大学 一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法
JP2018035375A (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 株式会社Adeka 原子層堆積法による金属薄膜の製造方法
KR20180117357A (ko) * 2017-04-19 2018-10-29 영남대학교 산학협력단 루테늄 박막 형성 방법
CN109072424A (zh) * 2016-02-19 2018-12-21 默克专利股份有限公司 使用羰基钼前驱体沉积钼薄膜
KR20190049587A (ko) * 2017-11-01 2019-05-09 (주)디엔에프 루테늄함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 루테늄함유 박막

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5869134A (en) 1996-06-21 1999-02-09 International Business Machines Corporation CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using iodide
KR100413482B1 (ko) 2001-06-12 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 화학적 강화제(ｃｅ) 처리 챔버
US7041596B1 (en) * 2004-04-08 2006-05-09 Novellus Systems, Inc. Surface treatment using iodine plasma to improve metal deposition
WO2014140672A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour I'etude Et I'exploitation Des Procedes Georges Claude Bis(alkylimido)-bis(alkylamido)molybdenum molecules for deposition of molybdenum-containing films
US10745430B2 (en) 2014-03-13 2020-08-18 Merck Patent Gmbh Molybdenum silylcyclopentadienyl and silylallyl complexes and use thereof in thin film deposition
US10510590B2 (en) * 2017-04-10 2019-12-17 Lam Research Corporation Low resistivity films containing molybdenum

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB787076A (en) * 1954-10-20 1957-12-04 Ohio Commw Eng Co Improvements in or relating to gas plating
GB1100396A (en) * 1964-08-10 1968-01-24 Gen Electric Improvements in metallic carbide and/or boride article and method for its production
GB1107620A (en) * 1966-03-29 1968-03-27 Matsushita Electronics Corp Method of manufacturing semiconductor devices
GB1275339A (en) * 1970-06-04 1972-05-24 Gen Technologies Corp Process of plating by pyrolytic deposition
JPH01238027A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Mitsubishi Kasei Corp 硫化亜鉛膜の製造法
TWI240011B (en) * 2000-04-20 2005-09-21 Ibm Precursor source mixtures, methods of film deposition, and fabrication of structures
US6984591B1 (en) * 2000-04-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Precursor source mixtures
US20020182320A1 (en) * 2001-03-16 2002-12-05 Markku Leskela Method for preparing metal nitride thin films
US20070232820A1 (en) * 2005-01-19 2007-10-04 Meiere Scott H Organometallic precursor compounds
US20130202794A1 (en) * 2010-07-22 2013-08-08 American Air Liquide, Inc. Metal film deposition
WO2012146647A2 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Carl Zeiss Sms Gmbh Method and apparatus for processing a substrate with a fo-cussed particle beam
CN104136448A (zh) * 2012-01-26 2014-11-05 辛格玛艾瑞契有限责任公司 钼烯丙基络合物和其于薄膜沉积中的用途
KR20130122102A (ko) * 2012-04-30 2013-11-07 한국에너지기술연구원 동시기화법을 이용한 코어-쉘 구조의 금속-탄소 복합체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 코어-쉘 구조의 금속-탄소 복합체
US20160133837A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Intermolecular Inc. Low-Temperature Deposition of Metal Silicon Nitrides from Silicon Halide Precursors
CN109072424A (zh) * 2016-02-19 2018-12-21 默克专利股份有限公司 使用羰基钼前驱体沉积钼薄膜
CN105957970A (zh) * 2016-05-30 2016-09-21 哈尔滨工业大学 一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法
JP2018035375A (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 株式会社Adeka 原子層堆積法による金属薄膜の製造方法
KR20180117357A (ko) * 2017-04-19 2018-10-29 영남대학교 산학협력단 루테늄 박막 형성 방법
KR20190049587A (ko) * 2017-11-01 2019-05-09 (주)디엔에프 루테늄함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 루테늄함유 박막

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEN, HY,ETC: "\"Synthesis,characterization and application of nano-structured Mo(2)C thin films\"" *
HOSHYARGAR,F,ETC: ""Diffusion-Driven Formation of MoS2 Nanopods\"" *
WANG,Y等: "Chemistry of CH2I2 on MoAl alloy thin films formed on dehydroxylated alumina: Insight into methylene insertion reactions", 《JOURNAL OR PHYSICAL CHEMISTRY B》 *
李飞翔: "基于共价功能化二硫化钼的电催化及高分子复合材料的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW202028523A (zh) 2020-08-01
US11459653B2 (en) 2022-10-04
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