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TW201923995A - 半導體製程用片材及半導體封裝之製造方法 - Google Patents

半導體製程用片材及半導體封裝之製造方法 Download PDF

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TW201923995A
TW201923995A TW107132378A TW107132378A TW201923995A TW 201923995 A TW201923995 A TW 201923995A TW 107132378 A TW107132378 A TW 107132378A TW 107132378 A TW107132378 A TW 107132378A TW 201923995 A TW201923995 A TW 201923995A
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semiconductor
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wafer
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志賀豪士
佐藤慧
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之半導體製程用片材X具備雙面黏著片材10與部分密封劑層20。雙面黏著片材10係於其黏著面10a、10b間之積層結構中，包含基材11、黏著力減少型之黏著劑層12、及例如感壓性之黏著劑層13。部分密封劑層20位於雙面黏著片材10之黏著面10b上。本發明之半導體封裝之製造方法包括例如如下步驟：將複數個半導體晶片安裝於黏著面10a貼合在支持體之半導體製程用片材X之部分密封劑層20；使以將半導體晶片包埋之方式供給之密封劑及部分密封劑層20硬化，形成密封材部；將密封材部與黏著面10b之間分離；於密封材部上形成配線構造部；及針對每一半導體晶片分割密封材部與配線構造部。該等半導體製程用片材與半導體封裝之製造方法適於效率良好地製造半導體封裝。

Description

半導體製程用片材及半導體封裝之製造方法
本發明係關於一種可用於半導體封裝之製造之半導體製程用片材、及半導體封裝之製造方法。
於內部具有半導體元件之所謂之半導體封裝之製造中，先前，存在利用樹脂材料將半導體元件逐一元件地密封之後，於密封樹脂表面形成與密封樹脂內之半導體元件電性連接之配線或外部電極之情形。關於半導體封裝之製造技術，記載於例如下述專利文獻1中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-88782號公報
[發明所欲解決之問題]
於半導體封裝之製造過程中，逐一元件地進行密封步驟或配線形成步驟等容易招致半導體封裝之製造製程之繁雜化或成本之上升。存在伴隨半導體元件之小型化、高密度化之半導體封裝中之微細配線化、多端子化越發展，則逐一元件地進行密封步驟或配線形成步驟等對製造成本等之影響變得越大之傾向。
本發明係考量如此情況者，其目的在於提供一種適於效率良好地製造半導體封裝之半導體製程用片材及半導體封裝之製造方法。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之第1態樣而提供半導體製程用片材。該半導體製程用片材具備雙面黏著片材及部分密封劑層。雙面黏著片材具有第1黏著面及與該第1黏著面相反之第2黏著面，於該等黏著面間，具有至少包含黏著力減少型黏著劑層、黏著劑層、及位於該等之間之基材之積層結構。黏著力減少型黏著劑層較佳為加熱發泡型黏著劑層或放射線硬化性黏著劑層。部分密封劑層係可剝離地密接於雙面黏著片材中之第2黏著面上。又，雙面黏著片材之積層結構中之例如黏著力減少型黏著劑層較基材位於更靠第1黏著面側，黏著劑層較基材位於更靠第2黏著面側。於該情形時，黏著力減少型黏著劑層可為形成第1黏著面之層，黏著劑層亦可為形成第2黏著面之層。或者，雙面黏著片材之積層結構中，黏著力減少型黏著劑層可較基材位於更靠第2黏著面側，黏著劑層可較基材位於更靠第1黏著面側。於該情形時，黏著力減少型黏著劑層可為形成第2黏著面之層，黏著劑層亦可為形成第1黏著面之層。如此構成之本半導體製程用片材係如關於本發明之第2態樣而於下文所述般，可於半導體封裝之製造過程中使用。
本半導體製程用片材中之部分密封劑層較佳為晶片電極包埋用接著劑層。於該情形時，晶片電極包埋用接著劑層之厚度對於包埋對象晶片電極之高度之比值較佳為0.1～10，更佳為0.2～9。
本半導體製程用片材中之部分密封劑層之厚度較佳為1～300 μm，更佳為5～250 μm，更佳為10～200 μm。
於本半導體製程用片材中，雙面黏著片材之第1黏著面於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對不鏽鋼平面顯示之剝離黏著力對於雙面黏著片材之第2黏著面與部分密封劑層之間的於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中之剝離黏著力之比值較佳為0.003～3，更佳為0.004～2.5。例如，雙面黏著片材中，黏著力減少型黏著劑層形成第1黏著面且黏著劑層形成第2黏著面之情形時，該黏著力減少型黏著劑層於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對不鏽鋼平面顯示之剝離黏著力對於該黏著劑層與部分密封劑層之間的於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中之剝離黏著力之比值較佳為0.003～3，更佳為0.004～2.5。
根據本發明之第2態樣而提供半導體封裝之製造方法。本製造方法係用於使用本發明之第1態樣之上述半導體製程用片材製造半導體封裝之方法，且至少包含以下之晶片安裝步驟、密封步驟、拆離步驟、配線形成步驟、及單片化步驟。
晶片安裝步驟中，將複數個半導體晶片安裝於第1黏著面側貼合於支持體之半導體製程用片材中之部分密封劑層。半導體晶片係例如具有晶片本體及自該晶片本體延出之至少一個晶片電極之附帶延出電極之半導體晶片。本步驟中，既可將半導體晶片所具有之晶片電極朝向部分密封劑層以面朝下方式進行安裝，亦可將與半導體晶片之晶片電極相反之側朝向部分密封劑層以面朝上方式安裝。
密封步驟中，於半導體製程用片材上以將複數個半導體晶片包埋之方式供給密封劑，使該密封劑及部分密封劑層硬化，形成密封材部。藉此，獲得隨著包埋半導體晶片而形成之密封材部(晶片包埋密封材部)。
本製造方法中，可於上述晶片安裝步驟之後，且對半導體製程用片材上供給密封劑之前，進行使部分密封劑層硬化之硬化步驟。於該情形時，密封步驟中，使以包埋複數個半導體晶片之方式供給至半導體製程用片材上之密封劑於已硬化之部分密封劑層上硬化，形成密封材部。根據如此之構成，於半導體製程用片材對半導體晶片之保持力藉由部分密封劑層之硬化而強化之狀態下，進行密封步驟。因此，該構成適合抑制於密封步驟中因密封劑之硬化時之收縮引起之半導體晶片之位置偏移。如此之半導體晶片位置偏移抑制係例如於隨後之配線形成步驟中精度良好地形成包含每一半導體晶片之配線之配線構造部之方面較佳。
拆離步驟包括使半導體製程用片材中之雙面黏著片材之第2黏著面與密封材部之間隔離。拆離步驟較佳為包含對於半導體製程用片材中之黏著力減少型黏著劑層之黏著力減少措施。於黏著力減少型黏著劑層為加熱發泡型黏著劑層之情形時，黏著力減少措施係特定條件下之加熱。於黏著力減少型黏著劑層為放射線硬化性黏著劑層之情形時，黏著力減少措施為特定照射量下之紫外線照射等放射線照射。藉由如此之拆離步驟，可從上述支持體拆除晶片包埋密封材部。又，於拆離步驟之後，亦可視需要，對密封材部進行用以使密封材部內之各半導體晶片之晶片電極露出於外部之研磨加工。
配線形成步驟中，於密封材部上形成包含每一半導體晶片之配線之配線構造部。於每一半導體晶片之配線，包含藉由本製造方法逐一半導體晶片地製造之各半導體封裝中之凸塊電極等外部電極。
單片化步驟中，針對每一半導體晶片分割密封材部及配線構造部，獲得半導體封裝。可以如上方式，製造半導體封裝。
本發明之第2態樣之如此之半導體封裝之製造方法適於效率良好地製造半導體封裝。其原因如下所述。
於使用包含不具備部分密封劑層之雙面黏著片材之先前類型之半導體製程用片材，製造半導體封裝之情形時，在該晶片安裝步驟中，對於一面側貼合於支持體之雙面黏著片材之另一面安裝複數個半導體晶片。此時，進行將半導體晶片之與晶片電極相反之側接合於雙面黏著片材之面朝上方式之安裝。繼而，於雙面黏著片材上，形成將複數個半導體晶片包埋之密封材部。繼而，自隨著包埋複數個半導體晶片而形成之密封材部(先前類型之晶片包埋密封材部)將雙面黏著片材剝離(拆離步驟)。於先前類型之晶片包埋密封材部，在雙面黏著片材已剝離之側之面露出各半導體晶片之所謂之背面。繼而，於如此之密封材部，在雙面黏著片材已剝離之側之面貼合特定之樹脂片材。於密封材部中，在雙面黏著片材已剝離之側之面，如上所述露出有各半導體晶片之背面，且該密封材部之厚度方向上之對稱性較低，故而，該密封材部不可避免地翹曲。於產生如此翹曲之狀態無法使後續之製程確切地進展。因此，於使用包含雙面黏著片材之先前類型半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中，在拆離步驟之後，必須於密封材部中雙面黏著片材已剝離之側之面貼合特定之樹脂片材，對先前類型之晶片包埋密封材部進行所謂之翹曲(warpage)控制。
對此，本發明之第2態樣之半導體封裝之製造方法中，在拆離步驟之後，無需用以對晶片包埋密封材部進行翹曲(warpage)控制之特別步驟。其原因在於，於本製造方法中使用本發明之第1態樣之上述半導體製程用片材。具體而言，其原因在於，於晶片安裝步驟中，將複數個半導體晶片安裝於半導體製程用片材之部分密封劑層，於密封步驟中，由以將複數個半導體晶片包埋之方式設置之密封劑與部分密封劑層或已硬化之部分密封劑層形成密封材部，以此方式形成之晶片包埋密封材部較上述先前類型之晶片包埋密封材部而言，厚度方向上之對稱性更高，更適於抑制翹曲。無需用於對晶片包埋密封材部進行翹曲(warpage)控制之步驟的本製造方法適於效率良好地製造半導體封裝。
如上所述，本發明之第1態樣之半導體製程用片材及第2態樣之半導體封裝之製造方法適於效率良好地製造半導體封裝。
於本半導體封裝之製造方法之晶片安裝步驟中，較佳為，上述各附帶延出電極之半導體晶片以該晶片電極戳入至部分密封劑層之方式安裝於部分密封劑層(面朝下方式之安裝)。
於如此之面朝下方式之晶片安裝步驟中，較佳為，以半導體晶片之晶片電極戳入至半導體製程用片材中之部分密封劑層且到達雙面黏著片材之第2黏著面之方式，將各半導體晶片安裝於部分密封劑層。於該情形時，在隨後之配線形成步驟中，形成包含與於密封材部之表面露出之晶片電極電性連接之配線之配線構造部。根據該等構成，於經過利用如下所述之面朝上方式之晶片安裝步驟之情形時，不進行配線形成步驟前所需之密封材部研磨步驟，便能確切地形成配線構造部。因此，該構成於效率良好地製造半導體封裝之方面較佳。
於本半導體封裝之製造方法之晶片安裝步驟中，可將上述各附帶延出電極之半導體晶片以於該晶片本體中之與晶片電極相反之側接合於部分密封劑層之方式安裝於部分密封劑層。於該情形時，本半導體封裝之製造方法更包含在拆離步驟之後研磨密封材部，使半導體晶片之晶片電極露出之研磨步驟，且於配線形成步驟中，形成包含與於密封材部之表面上露出之晶片電極電性連接之配線的配線構造部。根據如此構成，可確切地形成配線構造部。
圖1係本發明之一實施形態之半導體製程用片材X之局部剖視模式圖。半導體製程用片材X係可於半導體封裝之製造過程中使用者，其具備雙面黏著片材10及部分密封劑層20。雙面黏著片材10具有黏著面10a及與該黏著面10a相反之黏著面10b，於該等黏著面10a、10b間，具有包含基材11、黏著力減少型之黏著劑層12及黏著劑層13之積層結構。部分密封劑層20係可剝離地密接於雙面黏著片材10中之黏著面10b上。
雙面黏著片材10之基材11係雙面黏著片材10乃至半導體製程用片材X中作為支持體發揮作用之要素。基材11係例如塑膠基材，可較佳地將塑膠膜用作該塑膠基材。作為該塑膠基材之構成材料，可列舉例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及矽酮樹脂。作為聚烯烴，可列舉例如低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物，乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)。基材11既可包含一種材料，亦可包含二種以上之材料。基材11既可具有單層結構，亦可具有多層結構。又，基材11於包含塑膠膜之情形時，既可為無延伸膜，亦可為單軸延伸膜，還可為二軸延伸膜。
基材11中之黏著劑層12側表面及黏著劑層13側表面分別可實施用以提昇黏著劑層之密接性之物理性處理、化學性處理、或底塗處理。作為物理性處理，可列舉例如電暈處理、電漿處理、砂墊加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學性處理，可列舉例如鉻酸處理。
關於基材11之厚度，根據確保用於基材11作為雙面黏著片材10乃至半導體製程用片材X中之支持體發揮作用之強度之觀點，較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。又，根據雙面黏著片材10乃至半導體製程用片材X中實現適度之可撓性之觀點，基材11之厚度較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下。
雙面黏著片材10之黏著劑層12含有黏著力減少型之黏著劑。作為黏著力減少型黏著劑，可列舉例如加熱發泡型黏著劑、或下降至黏著力因放射線照射而無法於半導體封裝製造製程中利用之程度之類型(第1類)之放射線硬化性黏著劑。於本實施形態之黏著劑層12中，既可使用一種黏著力減少型黏著劑，亦可使用二種以上之黏著力減少型黏著劑。
黏著劑層12中可使用之加熱發泡型黏著劑至少包含例如黏著主劑、及因加熱而發泡或膨脹之成分。加熱發泡型之黏著劑層中所含之發泡性成分或膨脹性成分受到充分加熱後膨脹，於其表面(黏著面)產生凹凸形狀。若於黏著面貼合於特定之被附體之狀態下，加熱發泡型黏著劑層受到如此之加熱，則該黏著劑層膨脹，於該黏著面產生凹凸形狀，使對於被附體之接著總面積減少，導致對於該被附體之黏著力下降。
作為加熱發泡型黏著劑用之黏著主劑，可列舉例如作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物、橡膠系黏著劑、及矽酮系黏著劑。
作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物較佳為包含來自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之單體單元。作為「(甲基)丙烯酸」係指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。
作為構成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等之含烴基(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙基酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為構成丙烯酸系聚合物之單體單元之單體，既可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用二種以上之(甲基)丙烯酸酯。為使(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性於丙烯酸系黏著劑中確切地呈現，形成丙烯酸系聚合物之全單體成分中之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。
丙烯酸系聚合物亦可為改質其凝集力或耐熱性等而含有來自可與(甲基)丙烯酸酯共聚合之一種或二種以上之其他單體之單體單元。作為如此之其他單體，可列舉例如含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈等含官能基單體。作為含羧基單體，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，可列舉例如順丁烯二酸酐及衣康酸酐。作為含羥基單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基十二烷基酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯。作為含縮水甘油基單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，可列舉例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，可列舉例如2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯。
丙烯酸系聚合物亦可為了於其聚合物骨架中形成交聯結構而含有來自可與(甲基)丙烯酸酯等單體共聚合之多官能性單體之單體單元。作為如此之多官能性單體，可列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(即聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。作為丙烯酸系聚合物單體，既可使用一種多官能性單體，亦可使用二種以上之多官能性單體。關於用於形成丙烯酸系聚合物之全單體成分中之多官能性單體之比率，在可使(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性於丙烯酸系黏著劑中確切地呈現這一方面而言，較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。
丙烯酸系聚合物可由形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉例如溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。
根據使用雙面黏著片材10乃至半導體製程用片材X之半導體封裝之製造方法中之高度之淨化性之觀點，較佳為，雙面黏著片材10中之各黏著劑層中之低分子量成分較少，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。丙烯酸系聚合物之數量平均分子量可由例如所採用之聚合方法、或所用之聚合起始劑之種類及其使用量、聚合反應之溫度及時間、全單體成分中之各種單體之濃度、單體滴加速度等控制。
作為聚合起始劑，根據聚合方法採用例如偶氮系聚合起始劑、或過氧化物系聚合起始劑、氧化還原系聚合起始劑等。作為偶氮系聚合起始劑，可列舉例如2,2'-偶氮二異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、及4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸。作為過氧化物系聚合起始劑，可列舉例如二苯甲醯過氧化物及過氧化順丁烯二酸第三丁酯。
亦可為了提昇丙烯酸系聚合物之數量平均分子量而於例如黏著劑層形成用組合物中調配外部交聯劑。作為與丙烯酸系聚合物反應形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著主劑中之外部交聯劑之含量相對於丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為6質量份以下，更佳為0.1～5質量份。
作為加熱發泡型黏著劑用之因加熱而發泡或膨脹之成分，可列舉例如發泡劑及熱膨脹性微球。
作為加熱發泡型黏著劑用之發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑。作為無機系發泡劑，可列舉例如碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、及疊氮化物類。作為有機系發泡劑，可列舉例如三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟烷烴、偶氮二異丁腈或偶氮二甲醯胺、偶氮二甲酸鋇等偶氮系化合物、對甲苯磺醯肼或二苯碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物、對甲苯基磺醯半卡肼或4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等半卡肼系化合物、5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等之三唑系化合物、以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。
作為加熱發泡型黏著劑用之熱膨脹性微球，可列舉例如因加熱而容易氣化膨脹之物質封入殼內之構成之微球。作為因加熱而容易氣化膨脹之物質，可列舉例如異丁烷、丙烷、及戊烷。藉由將因加熱而容易氣化膨脹之物質利用凝聚法或界面聚合法等封入至殼形成物質內而製作熱膨脹性微球。作為殼形成物質，可使用呈現熱熔融性之物質、或因封入物質之熱膨脹作用而可能破裂之物質。作為如此物質，可列舉例如偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、及聚碸。
於黏著劑層12為包含加熱發泡型黏著劑之黏著力減少型黏著劑層(加熱發泡型黏著劑層)之情形時，該黏著劑層12之厚度為例如5～100 μm。
作為黏著劑層12中可使用之上述第1類放射線硬化性黏著劑，可列舉例如含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基質聚合物、及放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化性黏著劑。
作為用以構成上述第1類放射線硬化性黏著劑之丙烯酸系聚合物，可採用上述者作為構成加熱發泡型黏著劑中之黏著主劑之丙烯酸系聚合物。
作為用以構成上述第1類放射線硬化性黏著劑之放射線聚合性單體成分，可列舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以構成上述第1類放射線硬化性黏著劑之放射線聚合性低聚物成分，可列舉例如胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，且分子量100～30000程度者較為適當。放射線硬化性黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可藉由放射線照射使所形成之黏著劑層12之黏著力確切地下降之範圍內決定，且相對於丙烯酸系聚合物等基質聚合物之100質量份為例如5～500質量份，較佳為40～150質量份。又，作為添加型之放射線硬化性黏著劑，亦可採用例如日本專利特開昭60-196956號公報中揭示者。
作為黏著劑層12中可使用之上述第1類放射線硬化性黏著劑，亦可列舉例如含有於聚合物側鏈或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基質聚合物的內在型之放射線硬化性黏著劑。如此內在型之放射線硬化性黏著劑於抑制所形成之黏著劑層12內之低分子量成移動引起之黏著特性之非預期經時性變化之方面較佳。
作為內在型之放射線硬化性黏著劑中所含之基質聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架者。作為如此之構成基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述者作為構成加熱發泡型黏著劑中之黏著主劑之丙烯酸系聚合物。作為對丙烯酸系聚合物導入放射線聚合性之碳-碳雙鍵之方法，可列舉例如下述方法，即，使包含具有特定之官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚合，獲得丙烯酸系聚合物之後，使具有可與第1官能基之間產生反應而鍵結之特定之官能基(第2官能基)與放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物維持著碳-碳雙鍵之放射線聚合性而對丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
作為第1官能基與第2官能基之組合，可列舉例如羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸酯基、及異氰酸酯基與羥基。該等組合之中，根據反應追蹤之容易性之觀點，羥基與異氰酸酯基之組合、或異氰酸酯基與羥基之組合較為合適。又，因製作具有反應性較高之異氰酸酯基之聚合物存在技術性難易度較高情況，故而，於丙烯酸系聚合物之製作或購買之便利性方面，丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基，且上述第2官能基為異氰酸酯基之情形更合適。又，作為同時具有放射線聚合性碳-碳雙鍵與第2官能基之異氰酸酯基之異氰酸酯化合物，可列舉例如甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基異氰酸乙酯(MOI)、及間異丙烯基-α,α-二甲基異氰酸苄酯。
黏著劑層12中可使用之放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可列舉例如α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基膦酸酯。作為α-酮醇系化合物，可列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，可列舉例如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，可列舉例如安息香乙基醚、安息香異丙基醚、及茴香偶姻甲基醚。縮酮系化合物，可列舉例如苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，可列舉例如2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，可列舉例如1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，可列舉例如二苯甲酮、苯甲醯基安息香酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫系化合物，可列舉例如9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、及2,4-二異丙基9-氧硫。黏著劑層12中可使用之放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基質聚合物之100質量份為例如0.05～20質量份。
作為用於黏著劑層12之放射線硬化性黏著劑，可使用例如藉由電子線、紫外線、α線、β線、γ線、或X線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
於黏著劑層12為包含上述第1類放射線硬化性黏著劑之黏著力減少型黏著劑層(放射線硬化性黏著劑層)之情形時，該黏著劑層12之厚度為例如2～50 μm。
黏著劑層12除了含有上述各成分以外，亦可含有黏著賦予劑、防老化劑、著色劑等。作為著色劑，可列舉顏料及染料。又，著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為如此之化合物，可列舉例如隱色染料。
雙面黏著片材10之黏著劑層13包含黏著劑。作為黏著劑層13用之黏著劑，可列舉例如感壓性黏著劑、或因放射線照射而使黏著力下降但將黏著力維持為可用於半導體封裝製造製程之程度之類型(第2類)之放射線硬化性黏著劑。本實施形態之黏著劑層13中，既可使用一種黏著劑，亦可使用二種以上之黏著劑。
作為黏著劑層13中可使用之感壓性黏著劑，可列舉作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物、橡膠系黏著劑、及矽酮系黏著劑。作為感壓性黏著劑用之丙烯酸系聚合物，可採用上述者作為構成加熱發泡型黏著劑中之黏著主劑之丙烯酸系聚合物。
作為黏著劑層13中可使用之上述第2類放射線硬化性黏著劑，可使用例如含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基質聚合物、具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等之官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化性黏著劑。作為構成該黏著劑之成分，可使用例如對於用於黏著劑層12之添加型之放射線硬化性黏著劑所描述之成分。關於添加型之放射線硬化性黏著劑中之放射線照射造成之黏著力下降之程度，可藉由例如放射線聚合性之碳-碳雙鍵等之官能基之含量、以及光聚合起始劑之種類及調配量來控制。
作為黏著劑層13中可使用之上述第2類放射線硬化性黏著劑，亦可列舉例如含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等之官能基之基質聚合物的內在型之放射線硬化性黏著劑。作為構成該黏著劑之成分，可使用例如對於用於黏著劑層12之內在型之放射線硬化性黏著劑所描述之成分。關於內在型之放射線硬化性黏著劑中之放射線照射造成之黏著力下降之程度，可藉由例如放射線聚合性之碳-碳雙鍵等之官能基之含量、以及光聚合起始劑之種類及調配量來控制。
黏著劑層13之厚度為例如1～50 μm。
黏著劑層13除了含有上述各成分以外，亦可含有黏著賦予劑、防老化劑、著色劑等。作為著色劑，可列舉顏料及染料。又，著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為如此之化合物，可列舉例如隱色染料。
本實施形態中，如上所述，作為黏著力減少型黏著劑層之黏著劑層12係較基材11位於更靠黏著面10a側，且黏著劑層13係較基材11位於更靠黏著面10b側。關於半導體製程用片材X之雙面黏著片材10，亦可取代如此之積層構成，而使黏著劑層12較基材11位於更靠黏著面10b側，黏著劑層13較基材11位於更靠黏著面10a側。
半導體製程用片材X之雙面黏著片材10亦可除了以上之基材11、黏著力減少型之黏著劑層12、及黏著劑層13以外，於積層結構中還含有其他層。作為如此之其他層，可列舉例如設置於黏著劑層12為加熱發泡型黏著劑層之情形時之該黏著劑層12上且構成黏著面之較薄之黏著劑層、或設置於黏著劑層12為加熱發泡型黏著劑層之情形時之該黏著劑層12與基材11之間之橡膠狀有機彈性層。
若於被覆加熱發泡型黏著劑層表面之較薄之黏著劑層貼合於特定之被附體之狀態下，加熱發泡型黏著劑層因加熱而膨脹，使其表面凹凸形狀變形，則與之相伴地該較薄之黏著劑層亦變形，使該被附體接著總面積減少，從而對於該被附體之黏著力下降。可一面利用加熱發泡型黏著劑之黏著力減少機能，一面利用較薄之黏著劑層中之所期望之黏著力。如此之加熱發泡型黏著劑層上之較薄之黏著劑層之厚度為例如2～30 μm。
藉由於基材與加熱發泡型黏著劑層之間設置橡膠狀有機彈性層，而容易利用加熱使加熱發泡型黏著劑層朝向其厚度方向優先地且均一性較高地膨脹。如此之橡膠狀有機彈性層係由例如基於ASTM D-2240之蕭氏D型硬度為50以下之天然橡膠、合成橡膠、或具有橡膠彈性之合成樹脂形成。作為橡膠狀有機彈性層用之合成橡膠或上述合成樹脂，可列舉例如腈系或二烯系、丙烯酸系等合成橡膠、聚烯烴系或聚酯系等熱可塑性彈性體、以及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或聚胺基甲酸酯、聚丁二烯、軟質聚氯乙烯等具有橡膠彈性之合成樹脂。如此之橡膠狀有機彈性層之厚度為例如1～500 μm。
半導體製程用片材X中之部分密封劑層20係如上所述可剝離地密接於雙面黏著片材10中之黏著面10b上。部分密封劑層20之厚度為例如1～300 μm。
部分密封劑層20亦可為用以將作為製造目標物之半導體封裝之一要素之半導體晶片之晶片電極包埋之晶片電極包埋用接著劑層。即，半導體製程用片材X亦可設計為半導體晶片以面朝下方式安裝於部分密封劑層20之類型者。作為晶片電極包埋用接著劑層之部分密封劑層20之厚度較佳為1～300 μm，更佳為5～250 μm，更佳為10～200 μm。又，作為晶片電極包埋用接著劑層之部分密封劑層20之厚度對於包埋對象之晶片電極之高度之比值較佳為0.1～10，更佳為0.2～9。
部分密封劑層20具有例如含有熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂作為樹脂成分之組成。或者，部分密封劑層20亦可具有含有伴有可與硬化劑反應產生鍵結之熱硬化性官能基之熱可塑性樹脂作為樹脂成分之組成。於如此之部分密封劑層20未硬化之狀態下，半導體製程用片材X用於半導體封裝製造製程。
作為部分密封劑層20具有含有熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，可列舉例如環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。部分密封劑層20既可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有二種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂因存在可能成為半導體晶片之腐蝕原因之離子性雜質等之含量較少之傾向，故作為部分密封劑層20中之熱硬化性樹脂較佳。又，作為用以使環氧樹脂呈現熱硬化性之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為環氧樹脂，可列舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂。作為環氧樹脂，亦可列舉乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂、及縮水甘油胺型環氧樹脂。又，部分密封劑層20既可含有一種環氧樹脂，亦可含有二種以上之環氧樹脂。
酚樹脂係作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，作為如此之酚樹脂，可列舉例如酚系酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚系酚醛清漆樹脂、及壬基酚系酚醛清漆樹脂等酚醛型酚樹脂。又，作為該酚樹脂，亦可列舉可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯。作為部分密封劑層20中之酚樹脂，尤佳為酚系酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂。又，部分密封劑層20作為環氧樹脂之硬化劑，既可含有一種酚樹脂，亦可含有二種以上之酚樹脂。
於部分密封劑層20含有環氧樹脂及作為該硬化劑之酚樹脂之情形時，對於環氧樹脂中之環氧基1當量，以酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量更佳為0.8～1.2當量之比率，調配兩樹脂。如此之構成於部分密封劑層20硬化時使該環氧樹脂及酚樹脂充分地進行硬化反應之方面較佳。
關於部分密封劑層20中之熱硬化性樹脂之含有比率，根據使部分密封劑層20確切地硬化之觀點，較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。
部分密封劑層20中之熱可塑性樹脂係承擔例如黏合劑功能者，且作為部分密封劑層20具有含有熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂之組成之情形時之該熱可塑性樹脂，可列舉例如丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。部分密封劑層20既可含有一種熱可塑性樹脂，亦可含有二種以上之熱可塑性樹脂。丙烯酸系樹脂因離子性雜質較少且耐熱性較高，故作為部分密封劑層20中之熱可塑性樹脂較佳。
部分密封劑層20含有丙烯酸系樹脂作為熱可塑性樹脂之情形時構成該丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計最多地含有來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以構成該丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙基酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為構成丙烯酸系聚合物之單體單元之單體，既可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用二種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，如此之丙烯酸系聚合物可將用以形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉例如溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。
丙烯酸系聚合物亦可為了改質其凝集力或耐熱性而含有來自可與(甲基)丙烯酸酯共聚合之一種或二種以上之其他單體之單體單元。作為如此之其他單體，可列舉例如含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。作為含羧基單體，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，可列舉例如順丁烯二酸酐及衣康酸酐。作為含羥基單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯。作為含環氧基單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，可列舉例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，可列舉例如2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯。
於部分密封劑層20具有含有伴有熱硬化性官能基之熱可塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱可塑性樹脂，可使用例如含熱硬化性官能基丙烯酸系樹脂。用以構成該含熱硬化性官能基丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計最多地含有來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為如此之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與上述相同之(甲基)丙烯酸酯作為用以構成部分密封劑層20中所含之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物之構成單體。另一方面，作為用以構成含熱硬化性官能基丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，可列舉例如縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸酯基。該等之中，可較佳地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含熱硬化性官能基丙烯酸系樹脂，可較佳地使用含縮水甘油基丙烯酸系聚合物或含羧基丙烯酸系聚合物。又，根據含熱硬化性官能基丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其產生反應之硬化劑。於含熱硬化性官能基丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用與上述相同之酚樹脂作為環氧樹脂用硬化劑。
用於形成部分密封劑層20之組合物較佳為含有熱硬化觸媒。熱硬化觸媒對部分密封劑層形成用組合物之調配於部分密封劑層20硬化時使樹脂成分之硬化反應充分地進行或提昇硬化反應速度方面較佳。作為如此之熱硬化觸媒，可列舉例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵基硼烷系化合物。作為咪唑系化合物，可列舉例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑，、-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基苯偏三酸咪唑鎓、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑。作為三苯基膦系化合物，可列舉例如三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻、及苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物中，包含兼具三苯基膦構造與三苯基硼烷構造之化合物。作為如此之化合物，可列舉例如四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四-對甲苯基硼酸鹽、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽、及三苯基膦三苯基硼烷。作為胺系化合物，可列舉例如單乙醇胺三氟硼酸鹽及雙氰胺。作為三鹵基硼烷系化合物，可列舉例如三氯硼烷。部分密封劑層形成用組合物既可含有一種熱硬化觸媒，亦可含有二種以上之熱硬化觸媒。
部分密封劑層20亦可含有填料。填料對部分密封劑層20之調配於調整部分密封劑層20之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面較佳。作為填料，可列舉無機填料及有機填料。作為無機填料之構成材料，可列舉例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶二氧化矽、及非晶二氧化矽。作為無機填料之構成材料，亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等單體金屬、或合金、非晶形碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，可列舉例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、及聚酯醯亞胺。部分密封劑層20既可含有一種填料，亦可含有二種以上之填料。該填料具備球狀、針狀、鱗片狀等各種形狀。部分密封劑層20含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.002～10 μm，更佳為0.05～1 μm。該填料之平均粒徑為10 μm以下之構成於部分密封劑層20中獲得充分之填料添加效果並且確保耐熱性之方面較佳。填料之平均粒徑可使用例如光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製作)求出。又，部分密封劑層20含有填料之情形時之該填料之含量較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。該含量較佳為50質量%以下，更佳為47質量%以下，更佳為45質量%以下。
部分密封劑層20於本實施形態中含有著色劑。著色劑既可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，可列舉例如黑色系著色劑、氰系著色劑、洋紅系著色劑、及黃色系著色劑。作為黑色系著色劑，可列舉例如氧化銅、二氧化錳、偶氮次甲基偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、黑鐵、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黒色色素、蒽醌系有機黒色染料、及偶氮系有機黒色染料。作為黑色系著色劑，亦可列舉C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、及C.I.溶劑黑70。作為黑色系著色劑，亦可列舉C.I.正黑17、正黑19、正黑22、正黑32、正黑38、正黑51、及正黑71。作為黑色系著色劑，亦可列舉C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、及C.I.酸性黑154。作為黑色系著色劑，亦可列舉C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、及C.I.分散黑24。作為黑色系著色劑，亦可列舉C.I.顏料黑1及顏料7。部分密封劑層20既可含有一種著色劑，亦可含有二種以上之著色劑。又，部分密封劑層20中之著色劑之含量為例如0.5重量%以上，較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。該含量為例如10重量%以下，較佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。
部分密封劑層20亦可視需要含有一種或二種以上之其他成分。作為該其他成分，可列舉例如阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕獲劑。作為阻燃劑，可列舉例如三氧化銻、五氧化銻、及溴化環氧樹脂。作為矽烷偶合劑，可列舉例如β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。作為離子捕獲劑，可列舉例如鋁碳酸鎂類、氫氧化鉍、含氫氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製作之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製作之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製作之「KYOWAAD 600」)、及矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製作之「KYOWAAD 700」)。可於金屬離子之間形成錯合物之化合物亦可用作離子捕獲劑。作為如此之化合物，可列舉例如三唑系化合物、四唑系化合物、及聯吡啶系化合物。該等之中，根據於金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性之觀點，較佳為三唑系化合物。作為如此之三唑系化合物，可列舉例如1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2,3-二羥丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二-第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑，3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、2-乙基己基-3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、及3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯。又，奎諾化合物、或羥基蒽醌化合物，多酚化合物等特定之含羥基化合物亦可用作離子捕獲劑。作為如此之含羥基化合物，具體而言可列舉1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、及鄰苯三酚。
於以上之半導體製程用片材X中，雙面黏著片材10之黏著面10a於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對於不鏽鋼平面所顯示之剝離黏著力(第2黏著力)對於雙面黏著片材10之黏著面10b與部分密封劑層20之間的於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中之剝離黏著力(第1黏著力)之比值較佳為0.003～3，更佳為0.004～2.5。
對於上述第1黏著力，可使用拉伸試驗機(商品名「autograph AG-X」，島津製作所股份有限公司製作)測定。供該測定之試驗片之製作方法及測定方法具體而言如下所述。首先，使單面黏著帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製作)貼合於半導體製程用片材X中之部分密封劑層20側之表面。該貼合係藉由使2 kg之手壓輥往復1次之壓接作業而進行。繼而，自該貼合體，切取具有半導體製程用片材X(雙面黏著片材10、部分密封劑層20)與單面黏著帶之積層結構之寬度20 mm×長度100 mm之尺寸之試驗片。繼而，使用拉伸試驗機(商品名「autograph AG-X」，島津製作所股份有限公司製作)，於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下對該試驗片進行剝離試驗，測定半導體製程用片材X中之雙面黏著片材10之黏著面10b與其上之部分密封劑層20之間之剝離黏著力(第1黏著力)。
對於上述第2黏著力，可使用拉伸試驗機(商品名「autograph AG-X」，島津製作所股份有限公司製作)進行測定。供該測定之試驗片之製作方法及測定方法具體而言如下所述。首先，自不伴有部分密封劑層20之雙面黏著片材10切取寬度20 mm×長度100 mm之尺寸之試驗片。繼而，將該試驗片以該黏著面10a貼合於不鏽鋼板。該貼合係藉由將2 kg之手壓輥往復1次之壓接作業而進行。繼而，使用拉伸試驗機(商品名「autograph AG-X」，島津製作所股份有限公司製作)，於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下對該試驗片進行剝離試驗，測定半導體製程用片材X中之雙面黏著片材10之黏著面10a對於不鏽鋼板之剝離黏著力(第2黏著力)。
具有以上之構成之半導體製程用片材X既可藉由於雙面黏著片材10之黏著面10b上形成部分密封劑層20而製作，亦可藉由將分隔件上形成之部分密封劑層20貼合於另行製作之雙面黏著片材10之黏著面10b側而製作。雙面黏著片材10既可藉由於基材11上形成黏著劑層12、13而製作，亦可藉由將分隔件上形成之黏著劑層12及另外之分隔件上形成之黏著劑層13貼合於基材11而製作。各層可經由例如針對每一層製備之特定之組合物之塗佈及乾燥而形成。
圖2至圖7表示本發明之一實施形態之半導體封裝之製造方法。本製造方法係使用半導體製程用片材X製造半導體封裝之方法，且本實施形態中包括以下之晶片安裝步驟、密封步驟、拆離步驟、配線形成步驟、薄化步驟、及單片化步驟。
首先，於晶片安裝步驟中，如圖2(a)及圖2(b)所示，複數個半導體晶片C安裝於黏著面10a側貼合於支持體S之半導體製程用片材X中之部分密封劑層20。支持體S係例如金屬製、玻璃製、或透明樹脂製。半導體晶片C具有晶片本體、及自該晶片本體延出之晶片電極E。本實施形態中，將半導體晶片C具有之晶片電極E朝向部分密封劑層20以面朝下方式進行安裝。較佳為，以半導體晶片C之晶片電極E戳入至半導體製程用片材X中之部分密封劑層20且到達雙面黏著片材10之黏著面10b之方式，將各半導體晶片C安裝於部分密封劑層20。
繼而，於密封步驟中，如圖3(a)所示，於半導體製程用片材X上，以將複數個半導體晶片C包埋之方式供給密封劑30'，此後，如圖3(b)所示，將密封劑30'及部分密封劑層20硬化，形成密封材部30。藉此，獲得隨著包埋半導體晶片C而形成之作為密封材部30之封裝P(晶片包埋密封材部)。密封劑30'係包含例如環氧樹脂、酚樹脂等硬化劑、無機填料、硬化促進劑、及黑色系著色劑之組合物，於本密封步驟中，以液狀組合物、粉末、及片材之任一形態供給。作為如此之密封劑30'之構成材料，例如可使用與上述之相同者作為半導體製程用片材X之部分密封劑層20之構成材料。本步驟中，用以形成密封材部30之加熱溫度為例如150～185℃，加熱時間為例如60秒～數小時。
於本製造方法中，於參照圖2所述之晶片安裝步驟之後且對半導體製程用片材X上供給密封劑30'之前，如圖4(a)所示，可使部分密封劑層20硬化(硬化步驟)。於該情形時，密封步驟中，首先，如圖4(b)所示，於半導體製程用片材X上以將複數個半導體晶片C包埋之方式供給密封劑30'，此後，將密封劑30'於已硬化之部分密封劑層20上硬化，如圖3(b)所示地形成密封材部30。根據如此之構成，於半導體製程用片材X對半導體晶片C之保持力因部分密封劑層20之硬化而強化之狀態下，進行密封步驟。因此，該構成於密封步驟中，適合抑制密封劑30'硬化時之收縮引起之半導體晶片C之位置偏移。如此之半導體晶片位置偏移抑制於例如隨後之配線形成步驟中精度良好地形成包含每一半導體晶片C之配線之配線構造部之方面較佳。
繼而，於拆離步驟中，如圖5(a)所示，支持體S對封裝P之支持狀態被解除。於本步驟中，例如使半導體製程用片材X與支持體S之間分離，此後，使雙面黏著片材10乃至該黏著面10b自封裝P(晶片包埋密封材部)分離。或者，使封裝P自支持體S上之雙面黏著片材10分離後，將雙面黏著片材10自支持體S剝離。
於半導體製程用片材X中之雙面黏著片材10之黏著劑層12(黏著力減少型黏著劑層)為加熱發泡型黏著劑層之情形時，可藉由作為黏著力減少措施之加熱而使該黏著劑層12乃至黏著面10a之黏著力下降，將支持體S與雙面黏著片材10之間分離。為此之加熱溫度為例如170～200℃。
於半導體製程用片材X中之雙面黏著片材10之黏著劑層12(黏著力減少型黏著劑層)為上述第1類放射線硬化性黏著劑層之情形時，可藉由作為黏著力減少措施之紫外線照射等放射線照射而使該黏著劑層12乃至黏著面10a之黏著力下降，將支持體S與雙面黏著片材10之間分離。於為此之放射線照射為紫外線照射之情形時，該照射量為例如50～500 mJ/cm2 。
於面朝下方式之上述晶片安裝步驟中，半導體晶片C之晶片電極E未到達半導體製程用片材X之雙面黏著片材10之黏著面10b之情形時，在拆離步驟之後，對於密封材部30進行用以使密封材部30內之各半導體晶片C之晶片電極E露出於外部之研磨加工。
繼而，於配線形成步驟中，如圖5(b)所示，於密封材部30上乃至封裝P上形成包含每一半導體晶片C之配線的配線構造部40。每一半導體晶片C之配線中，包含藉由本製造方法而針對每一半導體晶片C製造而成之各半導體封裝中之凸塊電極等外部電極41。
繼而，於薄化步驟中，圖6(a)所示地於配線構造部40側貼合背面研磨膠帶Y後，如圖6(b)所示，對密封材部30實施研磨加工，將施封裝P薄化。背面研磨膠帶Y具有可將配線構造部40之外部電極41包埋之厚度的黏著層Ya。於本步驟中，例如以露出半導體晶片C之所謂之背面(圖6中為上面)之方式，對密封材部30實施研磨加工。
繼而，如圖7(a)所示，對於由背面研磨膠帶Y保持之封裝P，貼合切割保護膠帶一體型背面保護膜Z。切割保護膠帶一體型背面保護膜Z具備具有黏著層之切割保護膠帶50與該黏著層上之半導體晶片背面保護用之硬化性之膜60，且對封裝P之研磨加工面貼合切割保護膠帶一體型背面保護膜Z之膜60側。半導體晶片背面保護用之膜60係調配有黑色系著色劑等著色劑之接著劑膜。作為膜60用之著色劑，例如可使用與上述相同者作為部分密封劑層20用之著色劑。又，膜60既可為熱硬化類接著劑膜，亦可為例如可藉由於70℃左右之溫度條件下貼合於被附體而對於該被附體呈現充分之密接力的無硬化類接著劑膜。
繼而，將背面研磨膠帶Y去除。於膜60為熱硬化類接著劑膜之情形時，將背面研磨膠帶Y去除後，如圖7(b)所示地將膜60加熱硬化。
繼而，於單片化步驟中，如圖7(c)所示，例如藉由刀片切割而針對每一半導體晶片C分割密封材部30及配線構造部40(圖7(c)中分割部位模式性以粗線表示)。如此單片化所得之各半導體封裝此後自切割保護膠帶50拾取。
可以如上方式，使用半導體製程用片材X製造半導體封裝。如此之半導體封裝之製造方法適合效率良好地製造半導體封裝。其原因如下所述。
於使用包含不具備部分密封劑層20之雙面黏著片材之先前類型之半導體製程用片材製造半導體封裝之情形時，在該晶片安裝步驟中，對於一面側貼合於支持體S之雙面黏著片材之另一面安裝複數個半導體晶片C。此時，進行將半導體晶片C之與晶片電極E相反之側接合於雙面黏著片材之面朝上之安裝。繼而，於雙面黏著片材上，形成將複數個半導體晶片C包埋之密封材部。繼而，自隨著包埋複數個半導體晶片C而形成之密封材部(先前類型之晶片包埋密封材部)將雙面黏著片材剝離(拆離步驟)。於先前類型之晶片包埋密封材部，在雙面黏著片材已剝離之側之面露出各半導體晶片C之所謂背面。繼而，於如此之密封材部，對雙面黏著片材已剝離之側之面貼合特定之樹脂片材。於密封材部中，雙面黏著片材已剝離之側之面如上所述地露出各半導體晶片C之背面，從而該密封材部之厚度方向上之對稱性較低，故而，該密封材部不可避免地翹曲。於如此產生翹曲之狀態下無法確切地進展後續之製程。因此，於使用包含雙面黏著片材之先前類型之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中，必須在拆離步驟之後，於密封材部中對雙面黏著片材已剝離之側之面貼合特定之樹脂片材，對於先前類型之晶片包埋密封材部進行所謂之翹曲(warpage)控制。
與此相對，於本發明之半導體封裝之製造方法中，無需用於對經過參照圖5(a)所述之拆離步驟後之封裝P(晶片包埋密封材部30)進行翹曲(warpage)控制之特別步驟。其原因在於，本製造方法中，於雙面黏著片材10上使用伴有部分密封劑層20之半導體製程用片材X。具體而言，其原因在於，於參照圖2所述之晶片安裝步驟中，將複數個半導體晶片C安裝於半導體製程用片材X之部分密封劑層20，且於此後之密封步驟中，由以將複數個半導體晶片C包埋之方式設置之密封劑30'與部分密封劑層20或已硬化之部分密封劑層20形成密封材部30，從而，以此方式形成之晶片包埋密封材部30(封裝P)較上述先前類型之晶片包埋密封材部，厚度方向上之對稱性更高，更適合抑制翹曲。無需用於對晶片包埋密封材部30乃至封裝P進行翹曲(warpage)控制之步驟的本製造方法適合效率良好地製造半導體封裝。
如上所述，半導體製程用片材X及使用該半導體製程用片材X之半導體封裝之製造方法適合效率良好地製造半導體封裝。
於本實施形態之晶片安裝步驟中，如上所述，較佳為，以半導體晶片C之晶片電極E戳入至半導體製程用片材X中之部分密封劑層20且到達雙面黏著片材10之黏著面10b之方式，將各半導體晶片C安裝於部分密封劑層20。於該情形時，在隨後之配線形成步驟中，形成包含與於密封材部30之表面露出之晶片電極E電性連接之配線的配線構造部40。根據該等構成，於經過後述之面朝上方式之晶片安裝步驟之情形時，不進行配線形成步驟前所需之密封材部30研磨步驟便能確切地形成配線構造部40。因此，該構成於效率良好地製造半導體封裝之方面較佳。
本發明之半導體封裝之製造方法中之晶片安裝步驟中，亦可取代面朝下方式之安裝，而以將半導體晶片C於該晶片本體中之與晶片電極E相反之側接合於部分密封劑層20之方式，進行半導體晶片C對部分密封劑層20之安裝。於該情形時，本半導體封裝之製造方法更包含於參照圖5(a)所述之拆離步驟之後研磨密封材部30而使半導體晶片C之晶片電極E露出的研磨步驟，且，於參照圖5(b)所述之配線形成步驟中，形成包含與於密封材部30之表面露出之晶片電極E電性連接之配線的配線構造部40。根據如此之構成，可確切地形成配線構造部40。
作為以上之總結，將本發明之構成及其變化以下作為附註陳列。
〔附註1〕 一種半導體製程用片材，其具有： 雙面黏著片材，其具備至少包含黏著力減少型黏著劑層、黏著劑層、及位於該等黏著力減少型黏著劑層與黏著劑層之間之基材之積層結構，且具有第1黏著面及與該第1黏著面相反之第2黏著面；及 部分密封劑層，其可剝離地密接於上述雙面黏著片材中之上述第2黏著面上。 〔附註2〕 如附註1之半導體製程用片材，其中上述部分密封劑層係晶片電極包埋用接著劑層。 〔附註3〕 如附註2之半導體製程用片材，其中上述晶片電極包埋用接著劑層之厚度對於包埋對象晶片電極之高度之比值為0.1～10或0.2～9。 〔附註4〕 如附註1至3中任一項之半導體製程用片材，其中上述部分密封劑層具有1～300 μm、5～250 μm、或10～200 μm之厚度。 〔附註5〕 如附註1至4中任一項之半導體製程用片材，其中上述黏著力減少型黏著劑層係加熱發泡型黏著劑層或放射線硬化性黏著劑層。 〔附註6〕 如附註1至5中任一項之半導體製程用片材，其中上述黏著力減少型黏著劑層於上述積層結構中較上述基材位於更靠上述第1黏著面側，且 上述黏著劑層於上述積層結構中較上述基材位於更靠上述第2黏著面側。 〔附註7〕 如附註1至6中任一項之半導體製程用片材，其中上述雙面黏著片材之上述第1黏著面於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對不鏽鋼平面顯示之剝離黏著力對於上述雙面黏著片材之上述第2黏著面與上述部分密封劑層之間的於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中之剝離黏著力之比值為0.003～3或0.004～2.5。 〔附註8〕 一種半導體封裝之製造方法，其係使用如附註1至7中任一項之半導體製程用片材製造半導體封裝之方法，且包括： 晶片安裝步驟，其係將複數個半導體晶片安裝於上述第1黏著面側貼合於支持體之上述半導體製程用片材中之上述部分密封劑層； 密封步驟，其係於上述半導體製程用片材上以將上述複數個半導體晶片包埋之方式供給密封劑，使該密封劑及上述部分密封劑層硬化，形成密封材部； 拆離步驟，其包括使上述密封材部與上述第2黏著面之間隔離； 配線形成步驟，其係於上述密封材部上形成包含每一上述半導體晶片之配線之配線構造部；及 單片化步驟，其係針對每一上述半導體晶片分割上述密封材部及上述配線構造部，獲得半導體封裝。 〔附註9〕 一種半導體封裝之製造方法，其係使用如附註1至7中任一項之半導體製程用片材製造半導體封裝之方法，且包括： 晶片安裝步驟，其係將複數個半導體晶片安裝於上述第1黏著面側貼合於支持體之上述半導體製程用片材中之上述部分密封劑層； 硬化步驟，其係使上述部分密封劑層硬化； 密封步驟，其係於上述半導體製程用片材上以將上述複數個半導體晶片包埋之方式供給密封劑，使該密封劑於已硬化之部分密封劑層上硬化，形成密封材部； 拆離步驟，其包括使上述密封材部與上述第2黏著面之間隔離； 配線形成步驟，其係於上述密封材部上形成包含每一上述半導體晶片之配線之配線構造部；及 單片化步驟，其係針對每一上述半導體晶片分割上述密封材部及上述配線構造部，獲得半導體封裝。 〔附註10〕 如附註8或9之半導體封裝之製造方法，其中上述半導體晶片具有晶片本體、及自該晶片本體延出之至少一個晶片電極， 於上述晶片安裝步驟中，各半導體晶片以上述晶片電極戳入至上述部分密封劑層之方式安裝於該部分密封劑層。 〔附註11〕 如附註10之半導體封裝之製造方法，其中於上述晶片安裝步驟中，各半導體晶片以上述晶片電極戳入至上述部分密封劑層且到達上述第2黏著面之方式安裝於上述部分密封劑層。 〔附註12〕 如附註11之半導體封裝之製造方法，其中於上述配線形成步驟中，形成包含與於上述密封材部之表面露出之上述晶片電極電性連接之配線的配線構造部。 〔附註13〕 如附註8或9之半導體封裝之製造方法，其中上述半導體晶片具有晶片本體、及自該晶片本體延出之至少一個晶片電極，且 於上述晶片安裝步驟中，各半導體晶片以上述晶片本體中之與上述晶片電極相反之側接合於上述部分密封劑層之方式安裝於該部分密封劑層。 〔附註14〕 如附註13之半導體封裝之製造方法，其更包含於上述拆離步驟之後研磨上述密封材部而使上述半導體晶片之上述晶片電極露出之步驟，且 於上述配線形成步驟中，形成包含與於上述密封材部之表面露出之上述晶片電極電性連接之配線之配線構造部。 〔附註15〕 如附註8至14中任一項之半導體封裝之製造方法，其中上述拆離步驟包含對於上述半導體製程用片材中之上述黏著力減少型黏著劑層之黏著力減少措施。
10‧‧‧雙面黏著片材
10a、10b‧‧‧黏著面
11‧‧‧基材
12‧‧‧黏著劑層(黏著力減少型黏著劑層)
13‧‧‧黏著劑層
20‧‧‧部分密封劑層
30'‧‧‧密封劑
30‧‧‧密封材部
40‧‧‧配線構造部
41‧‧‧外部電極
50‧‧‧切割保護膠帶
60‧‧‧半導體晶片背面保護用之硬化性之膜
C‧‧‧半導體晶片
E‧‧‧晶片電極
P‧‧‧封裝
S‧‧‧支持體
X‧‧‧半導體製程用片材
Y‧‧‧背面研磨膠帶
Ya‧‧‧黏著層
Z‧‧‧切割保護膠帶一體型背面保護膜
圖1係本發明之一實施形態之半導體製程用片材之局部剖視模式圖。 圖2(a)、(b)係表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中之一部分步驟。 圖3(a)、(b)係表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中之一部分步驟。 圖4(a)、(b)係表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中之一部分步驟。 圖5(a)、(b)係表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中之一部分步驟。 圖6(a)、(b)係表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中之一部分步驟。 圖7(a)～(c)係表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝之製造方法中之一部分步驟。

Claims (15)

  1. 一種半導體製程用片材，其具有： 雙面黏著片材，其具備至少包含黏著力減少型黏著劑層、黏著劑層、及位於該等黏著力減少型黏著劑層與黏著劑層之間之基材之積層結構，且具有第1黏著面及與該第1黏著面相反之第2黏著面；及 部分密封劑層，其可剝離地密接於上述雙面黏著片材中之上述第2黏著面上。
  2. 如請求項1之半導體製程用片材，其中上述部分密封劑層係晶片電極包埋用接著劑層。
  3. 如請求項2之半導體製程用片材，其中上述晶片電極包埋用接著劑層之厚度對於包埋對象晶片電極之高度之比值為0.1～10。
  4. 如請求項1之半導體製程用片材，其中上述部分密封劑層具有1～300 μm之厚度。
  5. 如請求項1之半導體製程用片材，其中上述黏著力減少型黏著劑層係加熱發泡型黏著劑層或放射線硬化性黏著劑層。
  6. 如請求項1至5中任一項之半導體製程用片材，其中上述黏著力減少型黏著劑層於上述積層結構中較上述基材位於更靠上述第1黏著面側，且 上述黏著劑層於上述積層結構中較上述基材位於更靠上述第2黏著面側。
  7. 如請求項1至5中任一項之半導體製程用片材，其中上述雙面黏著片材之上述第1黏著面於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對不鏽鋼平面顯示之剝離黏著力對於上述雙面黏著片材之上述第2黏著面與上述部分密封劑層之間的於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中之剝離黏著力之比值為0.003～3。
  8. 一種半導體封裝之製造方法，其係使用如請求項1至7中任一項之半導體製程用片材製造半導體封裝之方法，且包括： 晶片安裝步驟，其係將複數個半導體晶片安裝於上述第1黏著面側貼合於支持體之上述半導體製程用片材中之上述部分密封劑層； 密封步驟，其係於上述半導體製程用片材上以將上述複數個半導體晶片包埋之方式供給密封劑，使該密封劑及上述部分密封劑層硬化，形成密封材部； 拆離步驟，其包括使上述密封材部與上述第2黏著面之間隔離； 配線形成步驟，其係於上述密封材部上形成包含每一上述半導體晶片之配線之配線構造部；及 單片化步驟，其係針對每一上述半導體晶片分割上述密封材部及上述配線構造部，獲得半導體封裝。
  9. 一種半導體封裝之製造方法，其係使用如請求項1至7中任一項之半導體製程用片材製造半導體封裝之方法，且包括： 晶片安裝步驟，其係將複數個半導體晶片安裝於上述第1黏著面側貼合於支持體之上述半導體製程用片材中之上述部分密封劑層； 硬化步驟，其係使上述部分密封劑層硬化； 密封步驟，其係於上述半導體製程用片材上以將上述複數個半導體晶片包埋之方式供給密封劑，使該密封劑於已硬化之部分密封劑層上硬化，形成密封材部； 拆離步驟，其包括使上述密封材部與上述第2黏著面之間隔離； 配線形成步驟，其係於上述密封材部上形成包含每一上述半導體晶片之配線之配線構造部；及 單片化步驟，其係針對每一上述半導體晶片分割上述密封材部及上述配線構造部，獲得半導體封裝。
  10. 如請求項8或9之半導體封裝之製造方法，其中上述半導體晶片具有晶片本體、及自該晶片本體延出之至少一個晶片電極， 於上述晶片安裝步驟中，各半導體晶片以上述晶片電極戳入至上述部分密封劑層之方式安裝於該部分密封劑層。
  11. 如請求項10之半導體封裝之製造方法，其中於上述晶片安裝步驟中，各半導體晶片以上述晶片電極戳入至上述部分密封劑層且到達上述第2黏著面之方式安裝於上述部分密封劑層。
  12. 如請求項11之半導體封裝之製造方法，其中於上述配線形成步驟中，形成包含與於上述密封材部之表面露出之上述晶片電極電性連接之配線的配線構造部。
  13. 如請求項8或9之半導體封裝之製造方法，其中上述半導體晶片具有晶片本體、及自該晶片本體延出之至少一個晶片電極，且 於上述晶片安裝步驟中，各半導體晶片以上述晶片本體中之與上述晶片電極相反之側接合於上述部分密封劑層之方式安裝於該部分密封劑層。
  14. 如請求項13之半導體封裝之製造方法，其更包含於上述拆離步驟之後研磨上述密封材部而使上述半導體晶片之上述晶片電極露出之步驟，且 於上述配線形成步驟中，形成包含與於上述密封材部之表面露出之上述晶片電極電性連接之配線的配線構造部。
  15. 如請求項8或9之半導體封裝之製造方法，其中上述拆離步驟包含對於上述半導體製程用片材中之上述黏著力減少型黏著劑層之黏著力減少措施。
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