TWI796391B - 切晶帶一體型半導體背面密接膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種不引起半導體晶片之碎片及自背面密接膜之剝離而可使半導體晶圓單片化之切晶帶一體型半導體背面密接膜。 本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及半導體背面密接膜，其可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層；且上述半導體背面密接膜之波長1000 nm之紅外線之直線透過率A與波長1342 nm之紅外線之直線透過率B均為20%以上，上述直線透過率A與上述直線透過率B之比[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]為0.3～1.0。

Description

切晶帶一體型半導體背面密接膜

本發明係關於一種切晶帶一體型半導體背面密接膜。更詳細而言，本發明係關於一種可於半導體裝置之製造過程中使用之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

於具備經覆晶安裝之半導體晶片之半導體裝置之製造中，有時使用半導體背面密接膜作為用以於該晶片之所謂反面形成保護膜之膜。又，亦存在此種半導體背面密接膜係以與切晶帶一體化之形態提供之情形(參照專利文獻1、2)。

此種與切晶帶一體化之半導體背面密接膜(切晶帶一體型半導體背面密接膜)例如係以如下方式使用。首先，將切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜面貼合於作為工件之半導體晶圓上，為了提高背面密接膜對於該晶圓之密接力，藉由加熱使背面密接膜熱硬化，繼而，於在該切晶帶一體型半導體背面密接膜上保持有該晶圓之狀態下，進行用以使晶圓單片化為晶片之刀片切割。於切晶步驟中，晶圓被切斷而單片化為晶片，並且背面密接膜被切斷為晶片相當尺寸之膜小片。

上述刀片切割係為了半導體晶圓之單片化而通常使用之方法，但有時於藉由刀片切割而獲得之半導體晶片上會產生破裂或缺損(碎片)。若因切晶而產生碎片，則於向半導體裝置上之安裝步驟或可靠性試驗等中之加熱中，有時會因晶片之伸縮，破裂擴大至電路面，而導致不良品率增加。

近年來，已知有經過用以使切晶帶一體型半導體背面密接膜中之切晶帶擴張而割斷半導體背面密接膜之步驟之方法。於該方法中，例如，於半導體晶圓之表面(電路形成面)貼附表面保護膜而保護半導體晶圓表面，並於該狀態下對半導體晶圓上之分割預定線照射雷射光而形成改質區域，藉此可利用分割預定線容易地分割半導體晶圓，其後進行背面密接而使半導體晶圓薄化，或於進行背面密接使半導體晶圓薄化後，於該狀態下對半導體晶圓上之分割預定線照射雷射光而形成改質區域，使該半導體晶圓之背面貼附於切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜面，並剝離表面保護膜，其後，使用擴張裝置而將切晶帶一體型半導體背面密接膜之切晶帶向包含半導體晶圓之徑向及圓周方向之二維方向拉伸，藉此均割斷半導體晶圓與半導體背面密接膜，而獲得各半導體晶片(附半導體背面密接膜之半導體晶片)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2011-151360號公報 專利文獻2：國際公開第2014/092200號

[發明所欲解決之問題]

然而，於形成改質區域之膜後進行拉伸而割斷半導體晶圓之方法中，於將形成有改質區域之附膜表面保護膜之半導體晶圓貼附於半導體背面密接膜時，存在因貼附時之壓力半導體晶圓於改質區域被切斷，半導體晶片沒入至表面保護膜中之情形。因此存在半導體晶圓向半導體背面密接膜之貼附變得不充分，或與鄰接之半導體晶片接觸而產生碎片之情形。又，於在附表面保護膜之半導體晶圓於向半導體背面密接膜貼附後剝離表面保護膜時，存在外周部發生切斷之半導體晶片與表面保護膜一併剝離之情形。

本發明係鑒於上述問題而成者，其目的在於提供一種可不引起半導體晶片之碎片及自背面密接膜發生之剝離而使半導體晶圓單片化之切晶帶一體型半導體背面密接膜。 [解決問題之技術手段]

本發明者等人為了達成上述目的而進行努力研究，結果發現，若使用具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及半導體背面密接膜，其可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層；且上述半導體背面密接膜之波長1000 nm之紅外線之直線透過率A與波長1342 nm之紅外線之直線透過率B均為20%以上，[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]為0.3～1.0之切晶帶一體型半導體背面密接膜，則可不引起半導體晶片之碎片及自背面密接膜發生之剝離而使半導體晶圓單片化。本發明係基於該等見解而完成者。

即，本發明提供一種切晶帶一體型半導體背面密接膜，其具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及半導體背面密接膜，其可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層；且上述半導體背面密接膜之波長1000 nm之紅外線之直線透過率A與波長1342 nm之紅外線之直線透過率B均為20%以上，上述直線透過率A與上述直線透過率B之比[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]為0.3～1.0。此種構成之切晶帶一體型半導體背面密接膜可用於半導體裝置之製造過程。

如上所述，本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜之波長1000 nm之紅外線之直線透過率A與波長1342 nm之紅外線之直線透過率B均為20%以上。具有此種構成之本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜由於用以形成改質區域之雷射光(尤其是包含波長1000 nm及1342 nm之紅外線之雷射光)之透過率較高，故而可於向半導體背面密接膜貼附後藉由雷射光於半導體晶圓形成改質區域。因此，於向半導體背面密接膜貼附前無需向半導體晶圓形成改質區域，可不引起貼附時之半導體晶片之碎片或表面保護帶剝離時之自背面密接膜發生之剝離而使半導體晶圓單片化。

關於本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜，進而，上述半導體背面密接膜之上述直線透過率A與上述直線透過率B之比[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]為0.3～1.0。藉由本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜具有此種構成，可使1000 nm與1342 nm之兩者之波長之紅外線更均等地透過，故而可利用兩波長之雷射光於半導體晶圓形成同等之改質區域。因此，可使用之雷射光之種類增多，通用性優異。

於本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜中，半導體背面密接膜之波長區域1000～1342 nm之紅外線之直線透過率A'與上述直線透過率B之比[直線透過率A'(%)/直線透過率B(%)]較佳為0.3～1.0。若本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜具有此種構成，則可使波長1000～1342 nm之區域內之紅外線以與波長1342 nm之紅外線更相同之程度透過，故而可利用上述波長範圍內之雷射光於半導體晶圓形成同等之改質區域。因此，可使用之雷射光之種類變得更多，通用性優異。

關於本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜，波長1342 nm之紅外線之全光線透過率C與直線透過率D之比[全光線透過率C(%)/直線透過率D(%)]較佳為1.0～5.0。具有此種構成之本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜成為容易選擇性地使雷射光透過之傾向，故而於向半導體背面密接膜貼附後，更容易自切晶帶側照射雷射光而於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向半導體背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜之霧度值較佳為80%以下。具有此種構成之本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜不易產生雷射光之散射，故而於向半導體背面密接膜貼附後，可藉由自切晶帶側照射雷射光，而有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向半導體背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

於本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜中，較佳為上述基材背面與上述半導體背面密接膜正面之算術平均表面粗糙度均為100 nm以下。具有此種構成之本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜不易產生雷射光之散射，故而於向半導體背面密接膜貼附後，可藉由自切晶帶側照射雷射光，而有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向半導體背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。 [發明之效果]

若使用本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜，則可不引起半導體晶片之碎片及自背面密接膜發生之剝離而使半導體晶圓單片化。

[切晶帶一體型半導體背面密接膜] 本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜(有時簡稱為「切晶帶一體型背面密接膜」)具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及半導體背面密接膜，其可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層(有時簡稱為「背面密接膜」)。再者，於本說明書中，所謂半導體(工件)之「正面」係指工件之形成有用以進行覆晶安裝之凸塊之面，所謂「背面」係指正面之相反側、即未形成凸塊之面。並且，「背面密接膜」係指密接於半導體之背面而使用之膜，包含用以於半導體晶片之背面(所謂反面)形成保護膜之膜(半導體反面保護膜)。

背面密接膜之波長1000 nm之紅外線之直線透過率(「直線透過率A」)為20%以上，較佳為28%以上，更佳為50%以上，進而較佳為60%以上。藉由上述直線透過率A為20%以上，背面密接膜由於用以形成改質區域之包含波長1000 nm附近之紅外線之雷射光之透過率較高，故而可於向背面密接膜貼附後藉由雷射光於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，可不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而使半導體晶圓單片化。再者，於本說明書中，背面密接膜及切晶帶一體型背面密接膜之直線透過率可使用公知之分光光度計進行測定。

背面密接膜之波長1342 nm之紅外線之直線透過率(「直線透過率B」)為20%以上，較佳為40%以上，更佳為50%以上，進而較佳為70%以上。藉由上述直線透過率B為20%以上，背面密接膜之用以形成改質區域之包含波長1342 nm之紅外線之雷射光之透過率較高，故而可於向背面密接膜貼附後藉由雷射光於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，可不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而使半導體晶圓單片化。

背面密接膜之上述直線透過率A與上述直線透過率B之比[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]為0.3～1.0，較佳為0.5～1.0，更佳為0.55～1.0，進而較佳為0.75～1.0。若上述比為上述範圍內，則可使1000 nm與1342 nm之兩者之波長之紅外線更均等地透過，故而可利用兩波長之雷射光於半導體晶圓形成同等之改質區域。因此，可使用之雷射光之種類增多，通用性優異。

背面密接膜之波長1064 nm之紅外線之直線透過率(直線透過率A₁ )、波長1080 nm之紅外線之直線透過率(直線透過率A₂ )、及波長1099 nm之紅外線之直線透過率(直線透過率A₃ )與上述直線透過率B之比(即，[直線透過率A₁ (%)/直線透過率B(%)]、[直線透過率A₂ (%)/直線透過率B(%)]、及[直線透過率A₃ (%)/直線透過率B(%)]之全部)較佳為0.3～1.0，更佳為0.5～1.0，進而較佳為0.7～1.0。尤其是波長區域1000～1342 nm之紅外線之直線透過率(直線透過率A')與上述直線透過率B之比[直線透過率A'(%)/直線透過率B(%)]較佳為上述範圍內。即，波長區域1000～1342 nm之紅外線之全部直線透過率A'相對於上述直線透過率B之比尤佳為上述範圍內。若上述比為上述範圍內，則可使能夠於半導體晶圓形成改質區域之複數種雷射光所具有之波長1064 nm、1080 nm、1099 nm、及1342 nm之全部(尤其是波長1000～1342 nm之區域內之全部)紅外線以與波長1342 nm之紅外線更相同之程度透過，故而可利用上述波長範圍內之雷射光於半導體晶圓形成同等之改質區域。因此，可使用之雷射光之種類變得更多，通用性優異。

以下對本發明之切晶帶一體型背面密接膜之一實施形態進行說明。圖1係表示切晶帶一體型背面密接膜之一實施形態之剖面模式圖。如圖1所示，切晶帶一體型背面密接膜1具備：切晶帶10、及積層於切晶帶10中之黏著劑層12上之背面密接膜20。於圖1所示之切晶帶一體型背面密接膜1中，背面密接膜20為接著劑層21之單層構成。切晶帶一體型背面密接膜1係於半導體裝置之製造中，於獲得附背面密接膜之半導體晶片之過程中之單片化步驟中使用者。切晶帶一體型背面密接膜1中之切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。再者，為了對應於作為貼合對象之工件的半導體晶圓，背面密接膜20成為與工件相同程度之尺寸。

(接著劑層) 背面密接膜至少包含具有對工件背面之貼合面(例如圖1之21a)之接著劑層。接著劑層為了可於貼合於工件背面後，藉由熱硬化接著於工件背面而進行保護，可具有熱硬化性。再者，於接著劑層為不具有熱硬化性之非熱硬化性之情形時，接著劑層可藉由由感壓等所引起之於界面處之密接性(潤濕性)或化學鍵，接著於工件背面而進行保護。接著劑層可具有單層構造，亦可具有多層構造。

上述接著劑層及形成接著劑層之接著劑組合物(樹脂組合物)較佳為包含熱塑性樹脂。於上述接著劑層具有熱硬化性之情形時，上述接著劑層及形成接著劑層之接著劑組合物可含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂，亦可含有具有可與硬化劑進行反應而產生鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂。於接著劑層包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，該接著劑組合物無需包含熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)。

接著劑層中之熱塑性樹脂例如係承擔黏合劑功能者。作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸系共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，就離子性雜質較少且耐熱性較高之觀點而言，較佳為丙烯酸系樹脂。

上述丙烯酸系樹脂係包含源自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計最多地包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦同樣。

作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳酯等。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之環戊酯、環己酯等。作為上述(甲基)丙烯酸芳酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之苯酯、苄酯。作為具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉將上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之烴基中之1個以上之氫原子取代為烷氧基者，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之2-甲氧基甲酯、2-甲氧基乙酯、2-甲氧基丁酯等。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

以凝聚力、耐熱性等之改質為目的，上述丙烯酸系樹脂可含有源自可與可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體成分之結構單元。作為上述其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體等。作為上述含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可列舉順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。作為上述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。作為上述含縮水甘油基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。作為上述含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。作為上述含磷酸基之單體，例如可列舉丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

關於接著劑層中可包含之丙烯酸系樹脂，就同時實現接著劑層對於工件之接著性與擴張時之良好之割斷性之觀點而言，較佳為適當地選自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、及丙烯酸之單體之共聚物。

於接著劑層包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。上述熱硬化性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。基於存在有可能導致半導體晶片之腐蝕之離子性雜質等之含量較少之傾向之原因，作為上述熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為上述環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂等多官能環氧樹脂。上述環氧樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。其中，就富有與作為硬化劑之酚樹脂之反應性且耐熱性優異之方面而言，較佳為酚系酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。

作為可作為環氧樹脂之硬化劑而發揮作用之酚樹脂，例如可列舉：酚系酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂。又，作為該酚樹脂，亦可列舉可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯(polyoxystyrene)。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

於接著劑層中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分地進行之觀點而言，酚樹脂係相對於環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，以該酚樹脂中之羥基較佳為成為0.5～2.0當量、更佳為成為0.8～1.2當量之量包含。

於接著劑層包含熱硬化性樹脂之情形時，關於上述熱硬化性樹脂之含有比率，就使接著劑層適當地硬化之觀點而言，相對於接著劑層之總質量，較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。

於接著劑層包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含源自含烴基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為最多之結構單元。作為該含烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉作為形成作為上述接著劑層中可包含之熱塑性樹脂之丙烯酸系樹脂之含烴基之(甲基)丙烯酸酯而例示者。另一方面，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基、異氰酸酯基等。其中，較佳為縮水甘油基、羧基。即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，尤佳為含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂、含羧基之丙烯酸系樹脂。又，較佳為一併包含含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂及硬化劑，作為該硬化劑，例如可列舉作為下述黏著劑層形成用之放射線硬化性黏著劑中可包含之交聯劑而例示者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，較佳為使用多酚系化合物，例如可使用上述各種酚樹脂。

接著劑層較佳為含有熱硬化觸媒(熱硬化促進劑)。若包含熱硬化觸媒，則於接著劑層之硬化時，可使樹脂成分之硬化反應充分地進行，或提高硬化反應速度。作為上述熱硬化觸媒，例如可列舉：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三鹵代硼烷系化合物等。作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓三偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-第二-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-第二-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-第二-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-第二-三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等。作為三苯基膦系化合物，例如可列舉：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、溴化四苯基鏻、甲基三苯基鏻、氯化甲基三苯基鏻、甲氧基甲基三苯基鏻、氯化苄基三苯基鏻等。於三苯基膦系化合物中，亦包含兼有三苯基膦結構與三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四對三硼酸鹽、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦三苯基硼烷等。作為胺系化合物，例如可列舉：單乙醇胺三氟硼酸鹽、雙氰胺等。作為三鹵代硼烷系化合物，例如可列舉三氯硼烷等。上述熱硬化觸媒可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

接著劑層可含有填料。藉由包含填料，容易調整接著劑層之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性。作為填料，可列舉無機填料、有機填料。作為無機填料之構成材料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化矽、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽等。又，作為無機填料之構成材料，亦可列舉：鋁、金、銀、銅、鎳等單體金屬、或合金、非晶形碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺。上述填料可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

上述填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。上述填料之平均粒徑較佳為10～1000 nm，更佳為20～700 nm，更佳為30～500 nm。即，接著劑層較佳為含有奈米填料。若含有此種粒徑之奈米填料作為填料，則關於經小片化之背面密接膜，割斷性更優異。又，若平均粒徑較小，則有波長1000～1342 nm之區域內之紅外線之直線透過率提高之傾向、及上述[直線透過率A'/直線透過率B]增大之傾向。填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」、堀場製作所股份有限公司製造)而求出。又，接著劑層含有填料之情形時之該填料之含有比率較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。上述含有比率較佳為60質量%以下，更佳為50質量%以下，更佳為45質量%以下。再者，若上述含有比率較小，則有直線透過率提高之傾向。

接著劑層可含有著色劑。作為接著劑層中之著色劑，例如可列舉作為下述雷射標記層可含有之著色劑而例示者。就於背面密接膜中之雷射標記層側之利用雷射標記之刻印部位與此外之部位之間確保較高之對比度，而對該刻印資訊實現良好之視認性之觀點而言，上述著色劑較佳為黑色系著色劑。上述著色劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，就對利用雷射標記之刻印資訊實現上述良好之視認性之觀點而言，接著劑層中之著色劑之含有比率較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，進而較佳為2質量%以上。上述含有比率較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，進而較佳為5質量%以下。

接著劑層視需要可含有其他成分。作為上述其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合化金屬氫氧化物等金屬氫氧化物、磷腈系化合物、三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 600」)、矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 700」)等。於與金屬離子之間可形成錯合物之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉：三唑系化合物、四唑系化合物、聯吡啶系化合物。該等之中，就於與金屬離子之間形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2',3'-羥丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二-第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羥基、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯等。又，對苯二酚化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基之化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二醇、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、鄰苯三酚等。上述其他成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

接著劑層於23℃下之拉伸儲存模數(硬化前)並無特別限定，較佳為0.5 GPa以上，更佳為0.75 GPa以上，進而較佳為1 GPa以上。若上述拉伸儲存模數為0.5 GPa以上，則可防止附著於搬送載帶。於23℃下之拉伸儲存模數之上限例如為50 GPa。上述拉伸儲存模數可根據樹脂成分之種類或其含量、填料之種類或其含量等而加以調節。

接著劑層之厚度例如為2～200 μm，較佳為4～160 μm，更佳為6～100 μm，進而較佳為8～80 μm。

背面密接膜可為包含上述接著劑層之單層構成，亦可為多層構造。作為多層構造之背面密接膜例如具有包含上述接著劑層、與可利用雷射標記賦予刻印資訊之雷射標記層之積層構造。具有此種多層構造之背面密接膜可採用如下積層構造等：藉由在120℃下2小時之加熱處理，上述接著劑層進行熱硬化，另一方面，上述雷射標記層實質上未熱硬化之積層構造；或藉由在120℃下2小時之加熱處理，上述接著劑層及上述雷射標記層之兩者實質上未熱硬化之無熱硬化之積層構造；接著劑層藉由放射線照射而進行硬化，另一方面，上述雷射標記層實質上未熱硬化之無熱硬化之積層構造。再者，於背面密接膜中，藉由在120℃下2小時之加熱處理實質上未熱硬化之層中包含已硬化之熱硬化型層。

將背面密接膜係包含接著劑層與雷射標記層之多層構造之情形時之本發明之切晶帶一體型背面密接膜之一實施形態示於圖2。於圖2所示之切晶帶一體型背面密接膜1中，背面密接膜20具有包含接著劑層21與雷射標記層22之多層構造，雷射標記層22係可剝離地與切晶帶10中之黏著劑層12密接。於接著劑層21與雷射標記層22為圖2所示之位置關係之情形時，可將背面密接膜20貼合於工件背面，視需要使之熱硬化而使用。

(雷射標記層) 於背面密接膜係具有接著劑層與雷射標記層之多層構造之情形時，對雷射標記層表面，於半導體裝置之製造過程中實施雷射標記。再者，於切晶帶一體型背面密接膜中，上述雷射標記層較佳為於背面密接膜內位於切晶帶側，與切晶帶及其黏著劑層密接。又，雷射標記層及/或接著劑層可為具有熱硬化性之熱硬化型層，亦可為不具有熱硬化性之非熱硬化性之層。於雷射標記層為非熱硬化性之情形時，可為熱硬化性成分進行了熱硬化之熱硬化型層(已熱硬化層)。雷射標記層係藉由使由形成雷射標記層之樹脂組合物形成之熱硬化性之樹脂組合物層硬化而形成。

雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物較佳為包含熱塑性樹脂。於上述雷射標記層為熱硬化型層(即，熱硬化性層或已熱硬化層)之情形時，上述雷射標記層或形成雷射標記層之樹脂組合物可含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂，亦可含有具有可與硬化劑進行反應而產生鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂。

上述熱塑性樹脂例如係於雷射標記層中承擔黏合劑功能者，作為上述熱塑性樹脂，可列舉作為上述接著劑層所可包含之熱塑性樹脂而例示者。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，就離子性雜質較少且耐熱性較高之觀點而言，較佳為丙烯酸系樹脂。

關於雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物中可包含之丙烯酸系樹脂，就同時實現利用雷射標記之刻印資訊之視認性與擴張時之良好之割斷性之觀點而言，較佳為適當地選自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、及丙烯酸之單體之共聚物。

於包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。上述熱硬化性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。基於存在有可能導致半導體晶片之腐蝕之離子性雜質等之含量較少之傾向之原因，作為上述熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為上述環氧樹脂，可列舉作為上述接著劑層所可包含之環氧樹脂而例示者。上述環氧樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

作為可作為環氧樹脂之硬化劑而發揮作用之酚樹脂，可列舉作為上述接著劑層所可包含之酚樹脂而例示者。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

於雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分地進行之觀點而言，酚樹脂係相對於環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，以該酚樹脂中之羥基較佳為成為0.5～2.0當量、更佳為成為0.8～1.2當量之量含有。

於雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物包含熱硬化性樹脂之情形時，關於上述熱硬化性樹脂之含有比率，相對於上述雷射標記層或形成雷射標記層之樹脂組合物之總質量，較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。

於雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，可列舉作為上述接著劑層可包含之含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂而例示者。又，較佳為與含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂一起包含硬化劑，作為該硬化劑，例如可列舉作為下述黏著劑層形成用之放射線硬化性黏著劑可包含之交聯劑而例示者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，較佳為使用多酚系化合物，例如可使用上述各種酚樹脂。

雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物較佳為含有熱硬化觸媒(熱硬化促進劑)。若包含熱硬化觸媒，則於上述樹脂組合物之硬化時，可使樹脂成分之硬化反應充分地進行，或提高硬化反應速度。作為上述熱硬化觸媒，可列舉作為上述接著劑層可包含之熱硬化觸媒而例示者。上述熱硬化觸媒可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物可含有填料。藉由包含填料，容易調整雷射標記層之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性。作為填料，可列舉作為上述接著劑層可包含之填料而例示者。上述填料可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

上述填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。上述填料之平均粒徑較佳為10～1000 nm，更佳為20～700 nm，更佳為30～500 nm。即，雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物較佳為含有奈米填料。若含有此種粒徑之奈米填料作為填料，則關於經小片化之背面密接膜，分割性及割斷性更優異。又，若平均粒徑較小，則有波長1000～1342 nm之區域內之紅外線之直線透過率提高之傾向、及上述[直線透過率A'/直線透過率B]增大之傾向。雷射標記層或上述樹脂組合物含有填料之情形時之該填料之含有比率較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。上述含有比率較佳為60質量%以下，更佳為50質量%以下，更佳為45質量%以下。再者，若上述含有比率較小，則有直線透過率提高之傾向。

雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物可含有著色劑。於含有著色劑之情形時，可發揮出優異之標記性及外觀性，可進行雷射標記，而賦予文字資訊或圖形資訊等各種資訊。又，藉由適當選擇著色劑之顏色，可將藉由標記賦予之資訊(文字資訊、圖形資訊等)設為優異之視認性。進而，藉由著色劑之選擇，可對各製品別進行顏色區分。

上述著色劑可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，例如可列舉：黑色系著色劑、青色系著色劑、洋紅系著色劑、黃色系著色劑等。就利用雷射標記於雷射標記層刻印資訊，對該資訊視認性更優異觀點而言，較佳為黑色系著色劑。上述著色劑可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

作為黑色系著色劑，例如可列舉：碳黑、石墨(black lead)、氧化銅、二氧化錳、偶氮甲鹼偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色染料、偶氮系有機黑色染料等。作為碳黑，例如可列舉：爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、燈黑等。作為黑色系著色劑，亦可列舉：C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、C.I.溶劑黑70；C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71；C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154；C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24；C.I.顏料黑1、C.I.顏料黑7等。又，可列舉：包含Co、Cr、Cu、Mn、Ru、Fe、Ni、Sn、Ti、Ag、Al等金屬元素之金屬氧化物、金屬氮化物等黑色顏料等。

作為青色系著色劑，例如可列舉：C.I.溶劑藍25、C.I.溶劑藍36、C.I.溶劑藍60、C.I.溶劑藍70、C.I.溶劑藍93、C.I.溶劑藍95；C.I.酸性藍6、C.I.酸性藍45；C.I.顏料藍1、C.I.顏料藍2、C.I.顏料藍3、C.I.顏料藍15、C.I.顏料藍15：1、C.I.顏料藍15：2、C.I.顏料藍15：3、C.I.顏料藍15：4、C.I.顏料藍15：5、C.I.顏料藍15：6、C.I.顏料藍16、C.I.顏料藍17、C.I.顏料藍17：1、C.I.顏料藍18、C.I.顏料藍22、C.I.顏料藍25、C.I.顏料藍56、C.I.顏料藍60、C.I.顏料藍63、C.I.顏料藍65、C.I.顏料藍66；C.I.還原藍4、C.I.還原藍60；C.I.顏料綠7等。

作為洋紅系著色劑，例如可列舉：C.I.溶劑紅1、C.I.溶劑紅3、C.I.溶劑紅8、C.I.溶劑紅23、C.I.溶劑紅24、C.I.溶劑紅25、C.I.溶劑紅27、C.I.溶劑紅30、C.I.溶劑紅49、C.I.溶劑紅52、C.I.溶劑紅58、C.I.溶劑紅63、C.I.溶劑紅81、C.I.溶劑紅82、C.I.溶劑紅83、C.I.溶劑紅84、C.I.溶劑紅100、C.I.溶劑紅109、C.I.溶劑紅111、C.I.溶劑紅121、C.I.溶劑紅122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、C.I.溶劑紫13、C.I.溶劑紫14、C.I.溶劑紫21、C.I.溶劑紫27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、C.I.鹼性紅2、C.I.鹼性紅9、C.I.鹼性紅12、C.I.鹼性紅13、C.I.鹼性紅14、C.I.鹼性紅15、C.I.鹼性紅17、C.I.鹼性紅18、C.I.鹼性紅22、C.I.鹼性紅23、C.I.鹼性紅24、C.I.鹼性紅27、C.I.鹼性紅29、C.I.鹼性紅32、C.I.鹼性紅34、C.I.鹼性紅35、C.I.鹼性紅36、C.I.鹼性紅37、C.I.鹼性紅38、C.I.鹼性紅39、C.I.鹼性紅40；C.I.鹼性紫1、C.I.鹼性紫3、C.I.鹼性紫7、C.I.鹼性紫10、C.I.鹼性紫14、C.I.鹼性紫15、C.I.鹼性紫21、C.I.鹼性紫25、C.I.鹼性紫26、C.I.鹼性紫27、28等。又，作為洋紅系著色劑，例如可列舉：C.I.顏料紅1、C.I.顏料紅2、C.I.顏料紅3、C.I.顏料紅4、C.I.顏料紅5、C.I.顏料紅6、C.I.顏料紅7、C.I.顏料紅8、C.I.顏料紅9、C.I.顏料紅10、C.I.顏料紅11、C.I.顏料紅12、C.I.顏料紅13、C.I.顏料紅14、C.I.顏料紅15、C.I.顏料紅16、C.I.顏料紅17、C.I.顏料紅18、C.I.顏料紅19、C.I.顏料紅21、C.I.顏料紅22、C.I.顏料紅23、C.I.顏料紅30、C.I.顏料紅31、C.I.顏料紅32、C.I.顏料紅37、C.I.顏料紅38、C.I.顏料紅39、C.I.顏料紅40、C.I.顏料紅41、C.I.顏料紅42、C.I.顏料紅48：1、C.I.顏料紅48：2、C.I.顏料紅48：3、C.I.顏料紅48：4、C.I.顏料紅49、C.I.顏料紅49：1、C.I.顏料紅50、C.I.顏料紅51、C.I.顏料紅52、C.I.顏料紅52：2、C.I.顏料紅53：1、C.I.顏料紅54、C.I.顏料紅55、C.I.顏料紅56、C.I.顏料紅57：1、C.I.顏料紅58、C.I.顏料紅60、C.I.顏料紅60：1、C.I.顏料紅63、C.I.顏料紅63：1、C.I.顏料紅63：2、C.I.顏料紅64、C.I.顏料紅64：1、C.I.顏料紅67、C.I.顏料紅68、C.I.顏料紅81、C.I.顏料紅83、C.I.顏料紅87、C.I.顏料紅88、C.I.顏料紅89、C.I.顏料紅90、C.I.顏料紅92、C.I.顏料紅101、C.I.顏料紅104、C.I.顏料紅105、C.I.顏料紅106、C.I.顏料紅108、C.I.顏料紅112、C.I.顏料紅114、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅123、C.I.顏料紅139、C.I.顏料紅144、C.I.顏料紅146、C.I.顏料紅147、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅150、C.I.顏料紅151、C.I.顏料紅163、C.I.顏料紅166、C.I.顏料紅168、C.I.顏料紅170、C.I.顏料紅171、C.I.顏料紅172、C.I.顏料紅175、C.I.顏料紅176、C.I.顏料紅177、C.I.顏料紅178、C.I.顏料紅179、C.I.顏料紅184、C.I.顏料紅185、C.I.顏料紅187、C.I.顏料紅190、C.I.顏料紅193、C.I.顏料紅202、C.I.顏料紅206、C.I.顏料紅207、C.I.顏料紅209、C.I.顏料紅219、C.I.顏料紅222、C.I.顏料紅224、C.I.顏料紅238、C.I.顏料紅245；C.I.顏料紫3、C.I.顏料紫9、C.I.顏料紫19、C.I.顏料紫23、C.I.顏料紫31、C.I.顏料紫32、C.I.顏料紫33、C.I.顏料紫36、C.I.顏料紫38、C.I.顏料紫43、C.I.顏料紫50；C.I.還原紅1、C.I.還原紅2、C.I.還原紅10、C.I.還原紅13、C.I.還原紅15、C.I.還原紅23、C.I.還原紅29、C.I.還原紅35等。

作為黃色系著色劑，例如可列舉：C.I.溶劑黃19、C.I.溶劑黃44、C.I.溶劑黃77、C.I.溶劑黃79、C.I.溶劑黃81、C.I.溶劑黃82、C.I.溶劑黃93、C.I.溶劑黃98、C.I.溶劑黃103、C.I.溶劑黃104、C.I.溶劑黃112、C.I.溶劑黃162；C.I.顏料橙31、C.I.顏料橙43；C.I.顏料黃1、C.I.顏料黃2、C.I.顏料黃3、C.I.顏料黃4、C.I.顏料黃5、C.I.顏料黃6、C.I.顏料黃7、C.I.顏料黃10、C.I.顏料黃11、C.I.顏料黃12、C.I.顏料黃13、C.I.顏料黃14、C.I.顏料黃15、C.I.顏料黃16、C.I.顏料黃17、C.I.顏料黃23、C.I.顏料黃24、C.I.顏料黃34、C.I.顏料黃35、C.I.顏料黃37、C.I.顏料黃42、C.I.顏料黃53、C.I.顏料黃55、C.I.顏料黃65、C.I.顏料黃73、C.I.顏料黃74、C.I.顏料黃75、C.I.顏料黃81、C.I.顏料黃83、C.I.顏料黃93、C.I.顏料黃94、C.I.顏料黃95、C.I.顏料黃97、C.I.顏料黃98、C.I.顏料黃100、C.I.顏料黃101、C.I.顏料黃104、C.I.顏料黃108、C.I.顏料黃109、C.I.顏料黃110、C.I.顏料黃113、C.I.顏料黃114、C.I.顏料黃116、C.I.顏料黃117、C.I.顏料黃120、C.I.顏料黃128、C.I.顏料黃129、C.I.顏料黃133、C.I.顏料黃138、C.I.顏料黃139、C.I.顏料黃147、C.I.顏料黃150、C.I.顏料黃151、C.I.顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料黃155、C.I.顏料黃156、C.I.顏料黃167、C.I.顏料黃172、C.I.顏料黃173、C.I.顏料黃180、C.I.顏料黃185、C.I.顏料黃195；C.I.還原黃1、C.I.還原黃3、C.I.還原黃20等。

又，作為其他顏料，例如可列舉：氧化銦錫、氧化銻錫、氧化鋅、鉛白、鋅鋇白、氧化鈦、氧化鉻、氧化鐵、氧化鋁、沈澱硫酸鋇、重晶石粉、鉛丹、氧化鐵紅、鉻黃、鋅黃(氫氧化鉻酸鋅鉀、四鹼式鉻酸鋅)、群青藍、普魯士藍(亞鐵氰化鉀(potassiumferrocyanide))、鋯灰、鐠黃、鉻鈦黃、鉻綠、孔雀藍、維多利亞綠、鐵藍、釩鋯藍、鉻錫紅、錳紅、鮭紅(Salmon pink)、鈦黑、鎢化合物、金屬硼化物等。

關於上述著色劑之含有比率，就對利用雷射標記刻印於雷射標記層之資訊實現較高之視認性之觀點而言，相對於雷射標記層或形成雷射標記層之樹脂組合物之總質量，例如為0.5質量%以上，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上。上述含有比率例如為10質量%以下，較佳為8質量%以下，更佳為5質量%以下。

雷射標記層及形成雷射標記層之樹脂組合物視需要可含有其他成分。作為上述其他成分，可列舉作為上述接著劑層所可包含之其他成分而例示之阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。上述其他成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

雷射標記層於23℃下之拉伸儲存模數(硬化後)並無特別限定，較佳為0.5 GPa以上，更佳為0.75 GPa以上，進而較佳為1 GPa以上。若上述拉伸儲存模數為0.5 GPa以上，則可防止附著於搬送載帶。又，可於熱硬化後更穩固地保護工件背面。於23℃下之拉伸儲存模數之上限例如為20 GPa。上述拉伸儲存模數可根據樹脂成分之種類或其含量、填料之種類或其含量等而加以調節。

於背面密接膜係具有接著劑層與雷射標記層之多層構造之情形時，雷射標記層之厚度相對於接著劑層之厚度之比較佳為1以上，更佳為1.5以上，進而較佳為2以上。上述比例如為8以下。

具有雷射標記層之情形時之雷射標記層之厚度例如為2～180 μm，較佳為4～160 μm。

背面密接膜之厚度例如為2～200 μm，較佳為5～50 μm，更佳為7～45 μm，進而較佳為10～40 μm。若上述厚度為2 μm以上，則可更穩固地保護工件背面。若上述厚度為200 μm以下，則可使背面密接後之工件更薄型。

背面密接膜中之著色劑之含有比率並無特別限定，較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，進而較佳為2質量%以上。上述含有比率較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，進而較佳為5質量%以下。若上述含有比率為10質量%以下，則可容易地製作波長1000 nm及1342 nm之紅外線之直線透過率均為20%以上之背面密接膜。

背面密接膜正面(與和切晶帶密接之側相反之側、即貼合半導體晶圓之表面)之算術平均表面粗糙度較佳為100 nm以下，更佳為80 nm以下，進而較佳為60 nm以下。若背面密接膜正面之算術平均表面粗糙度為100 nm以下，則不易產生為了形成改質區域而照射之雷射光之散射，故而於將半導體晶圓貼附於背面密接膜後，可藉由自切晶帶側照射雷射光，而有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

背面密接膜對於黏著劑層之剝離力(剝離角度180°、剝離速度300 mm/min、硬化後)並無特別限定，較佳為10 N/20 mm以下，更佳為5 N/20 mm以下。若上述剝離力為10 N/20 mm以下，則於拾取時，可自切晶帶容易地拾取晶片。上述剝離力較佳為0.02 N/20 mm以上，更佳為0.05 N/20 mm以上。若上述剝離力為0.02 N/20 mm以上，則於單片化時硬化後之背面密接膜不易自切晶帶剝離。

(基材) 切晶帶中之基材係於切晶帶或切晶帶一體型背面密接膜中作為支持體而發揮功能之元件。作為基材，例如可列舉塑膠基材(尤其是塑膠膜)。上述基材可為單層，亦可為同種或不同種基材之積層體。

作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂等。就於用以於基材中確保良好之熱收縮性，拓寬單片化後之半導體晶片彼此之間隔距離之擴張步驟中，利用切晶帶或基材之局部熱收縮而容易維持晶片相隔距離之觀點而言，基材較佳為包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或聚氯乙烯作為主成分。再者，所謂基材之主成分，係設為於構成成分中占最大之質量比率之成分。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於黏著劑層如下所述般為放射線硬化型黏著劑層之情形時，基材較佳為具有放射線透過性。

於基材為塑膠膜之情形時，上述塑膠膜可為無配向，亦可沿至少一個方向(單軸方向、雙軸方向等)進行配向。於沿至少一個方向進行配向之情形時，塑膠膜可沿該至少一個方向進行熱收縮。若具有熱收縮性，則可使切晶帶之半導體晶圓之外周部分熱收縮，藉此可於擴大經單片化之附背面密接膜之半導體晶片彼此之間隔之狀態下進行固定，故而可容易地進行半導體晶片之拾取。由於基材及切晶帶具有各向同性之熱收縮性，故而基材較佳為雙軸配向膜。再者，上述沿至少一個方向進行了配向之塑膠膜可藉由使未經延伸之塑膠膜沿該至少一個方向進行延伸(單軸延伸、雙軸延伸等)而獲得。關於基材及切晶帶，於加熱溫度100℃及加熱時間處理60秒之條件下進行之加熱處理試驗中之熱收縮率較佳為1%以上，更佳為3%以上，進而較佳為5%以上，尤佳為7%以上。上述熱收縮率較佳為MD(Machine Direction，縱向)方向及TD(Transverse Direction，橫向)方向之至少一個方向之熱收縮率。

為了提高與黏著劑層之密接性、保持性等，基材之黏著劑層側表面例如可實施電暈放電處理、電漿處理、噴砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；利用塗佈劑(底塗劑)之易接著處理等表面處理。又，為了賦予防靜電能，可於基材表面設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之導電性之蒸鍍層。用以提高密接性之表面處理較佳為對基材中之黏著劑層側之整個表面實施。

關於基材之厚度，就確保用以使基材作為切晶帶及切晶帶一體型背面密接膜中之支持體發揮功能之強度之觀點而言，較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為55 μm以上，尤佳為60 μm以上。又，就於切晶帶及切晶帶一體型背面密接膜中實現適度之可撓性之觀點而言，基材之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，進而較佳為150 μm以下。

基材背面(與形成有黏著劑層之側相反之側之面)之算術平均表面粗糙度較佳為100 nm以下，更佳為90 nm以下，進而較佳為80 nm以下。若半導體背面密接膜正面之算術平均表面粗糙度為100 nm以下，則不易產生為了形成改質區域而照射之雷射光之散射，故而於半導體晶圓向背面密接膜貼附後，可藉由自切晶帶側照射雷射光，而有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

(黏著劑層) 切晶帶中之黏著劑層可為於切晶帶一體型背面密接膜之使用過程中可藉由源自外部之作用而有意地減少黏著力之黏著劑層(黏著力可減少型黏著劑層)，亦可為於切晶帶一體型背面密接膜之使用過程中藉由源自外部之作用中黏著力幾乎或完全未減少之黏著劑層(黏著力非減少型黏著劑層)，可根據使用切晶帶一體型背面密接膜而進行單片化之工件之單片化方法或條件等適當地加以選擇。黏著劑層可具有單層構造，亦可具有多層構造。

於黏著劑層為黏著力可減少型黏著劑層之情形時，於切晶帶一體型背面密接膜之製造過程或使用過程中，可分別使用黏著劑層顯示出相對較高之黏著力之狀態與顯示出相對較低之黏著力之狀態。例如，於切晶帶一體型背面密接膜之製造過程中於向切晶帶之黏著劑層上貼合背面密接膜時，或於將切晶帶一體型背面密接膜用於單片化步驟時，可利用黏著劑層顯示出相對較高之黏著力之狀態而抑制、防止背面密接膜自黏著劑層隆起，另一方面，其後，於用以自切晶帶一體型背面密接膜之切晶帶拾取半導體晶片之拾取步驟中，藉由減少黏著劑層之黏著力，可容易地進行拾取。

作為形成此種黏著力可減少型黏著劑層之黏著劑，例如可列舉放射線硬化性黏著劑、加熱發泡型黏著劑等。作為形成黏著力可減少型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。

作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而進行硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而進行硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。

作為上述放射線硬化性黏著劑，例如可列舉含有丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之添加型之放射線硬化性黏著劑。

上述丙烯酸系聚合物係包含源自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計最多地包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉作為上述接著劑層所可包含之丙烯酸系樹脂之結構單元而例示者。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，較佳為丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸系月桂酯。為了於黏著劑層中適當地表現出可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。

上述丙烯酸系聚合物以凝聚力、耐熱性等之改質為目的，可含有源自可與上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體成分之結構單元。作為上述其他單體成分，可列舉作為上述接著劑層所可包含之丙烯酸系樹脂之結構單元而例示之其他單體成分。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層中適當地表現出可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述其他單體成分之合計比率較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。

上述丙烯酸系聚合物為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，可含有源自可與形成丙烯酸系聚合物之單體成分進行共聚之多官能性單體之結構單元。作為上述多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(例如聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、(甲基)丙烯酸聚酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等分子內具有(甲基)丙烯醯基與其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層中適當地表現出可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。

丙烯酸系聚合物可使用於形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。丙烯酸系聚合物之質量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。若質量平均分子量為10萬以上，則有黏著劑層中之低分子量物質較少之傾向，可進一步抑制對背面密接膜或半導體晶圓等之污染。

黏著劑層或形成黏著劑層之黏著劑可含有交聯劑。例如，於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，可使丙烯酸系聚合物交聯，進一步減少黏著劑層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之質量平均分子量。作為上述交聯劑，例如可列舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。於使用交聯劑之情形時，其使用量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份左右以下，更佳為0.1～5質量份。

作為上述放射線聚合性之單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性之低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。關於形成黏著劑層之放射線硬化性黏著劑中之上述放射線聚合性之單體成分及低聚物成分之含量，相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型之放射線硬化性黏著劑，例如可使用於日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示者。

作為上述放射線硬化性黏著劑，亦可列舉如下內在型之放射線硬化性黏著劑，其含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物。若使用此種內在型之放射線硬化性黏著劑，則有可抑制由所形成之黏著劑層內之低分子量成分之移動引起之黏著特性之非期望之經時性變化之傾向。

作為上述內在型之放射線硬化性黏著劑中所含之基礎聚合物，較佳為丙烯酸系聚合物。作為向丙烯酸系聚合物中之放射線聚合性之碳-碳雙鍵之導入方法，例如可列舉如下方法：於使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體進行聚合(共聚)而獲得丙烯酸系聚合物後，於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下，使具有可與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物對丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。

作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸酯基、異氰酸酯基與羥基等。該等之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合、異氰酸酯基與羥基之組合。其中，製作具有反應性較高之異氰酸酯基之聚合物之技術難易度較高，另一方面，就具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性之觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基，且上述第2官能基為異氰酸酯基之組合。作為具有異氰酸酯基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物、即，含放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可列舉包含源自上述含羥基之單體、或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之結構單元者。

上述放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為上述光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿

系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化膦、醯基磷酸酯等。作為上述α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等。作為上述安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫𠮿

系化合物，例如可列舉：9-氧硫𠮿

、2-氯-9-氧硫𠮿

、2-甲基-9-氧硫𠮿

、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿

、異丙基-9-氧硫𠮿

、2,4-二氯-9-氧硫𠮿

、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿

、2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿

等。放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。

上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱進行發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微球等)之黏著劑。作為上述發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑或有機系發泡劑。作為上述無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、氫化硼鈉、疊氮類等。作為上述有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等鹽氟化烷烴；偶氮二異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯基碸-3,3'-二磺醯基醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯基醯肼)等肼系化合物；對甲苯磺醯胺基脲、4,4'-氧基雙(苯磺醯胺基脲)等胺基脲系化合物；5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。作為上述熱膨脹性微球，例如可列舉將藉由加熱而容易地氣化並膨脹之物質封入至殼內之構成之微球。作為上述藉由加熱而容易地氣化並膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、戊烷等。藉由凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱而容易地氣化並膨脹之物質封入至殼形成物質內，藉此可製作熱膨脹性微球。作為上述殼形成物質，可使用顯示出熱熔融性之物質、或有可能因封入物質之熱膨脹作用而破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。

作為上述黏著力非減少型黏著劑層，例如可列舉感壓型黏著劑層。再者，於感壓型黏著劑層中，包含預先藉由放射線照射使由關於黏著力可減少型黏著劑層而於上文中進行了說明之放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層硬化，並且具有一定之黏著力之形態之黏著劑層。作為形成黏著力非減少型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。又，可黏著劑層之整體為黏著力非減少型黏著劑層，亦可一部分為黏著力非減少型黏著劑層。例如，於黏著劑層具有單層構造之情形時，可黏著劑層之整體為黏著力非減少型黏著劑層，亦可黏著劑層中之特定之部位(例如為環狀框之貼合對象區域，且位於中央區域之外側之區域)為黏著力非減少型黏著劑層，且其他部位(例如作為半導體晶圓之貼合對象區域之中央區域)為黏著力可減少型黏著劑層。又，於黏著劑層具有積層構造之情形時，可積層構造中之所有黏著劑層為黏著力非減少型黏著劑層，亦可積層構造中之一部分黏著劑層為黏著力非減少型黏著劑層。

預先藉由放射線照射使由放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層(放射線未照射放射線硬化型黏著劑層)進行了硬化之形態之黏著劑層(放射線已照射之放射線硬化型黏著劑層)即便藉由放射線照射而黏著力減少，亦可顯示出由所含之聚合物成分引起之黏著性，於單片化步驟等中發揮出切晶帶之黏著劑層最低限度所需之黏著力。於使用放射線已照射之放射線硬化型黏著劑層之情形時，於黏著劑層之面擴散方向，可黏著劑層之整體為放射線已照射之放射線硬化型黏著劑層，亦可黏著劑層之一部分為放射線已照射之放射線硬化型黏著劑層，且其他部分為放射線未照射放射線硬化型黏著劑層。再者，於本說明書中，所謂「放射線硬化型黏著劑層」，係指由放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層，包含具有放射線硬化性之放射線未照射放射線硬化型黏著劑層、及該黏著劑層藉由放射線照射而硬化後之已放射線硬化之放射線硬化型黏著劑層之兩者。

作為形成上述感壓型黏著劑層之黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型之黏著劑，可較佳地使用將丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為感壓型之黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為最多之結構單元之聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物，例如可採用作為上述添加型之放射線硬化性黏著劑中可包含之丙烯酸系聚合物而進行了說明之丙烯酸系聚合物。

黏著劑層或形成黏著劑層之黏著劑除上述各成分以外，可調配交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、著色劑(顏料、染料等)等公知或慣用之黏著劑層中所使用之添加劑。作為上述著色劑，例如可列舉藉由放射線照射而著色之化合物。於含有藉由放射線照射而著色之化合物之情形時，可僅將經放射線照射之部分著色。上述藉由放射線照射而著色之化合物係於放射線照射前為無色或淡色，但藉由放射線照射而成為有色之化合物，例如可列舉隱色染料等。上述藉由放射線照射而著色之化合物之使用量並無特別限定，可適當加以選擇。

黏著劑層之厚度並無特別限定，於黏著劑層為由放射線硬化性黏著劑所形成之黏著劑層之情形時，就取得該黏著劑層於放射線硬化之前後之對於背面密接膜之接著力之平衡之觀點而言，較佳為1～50 μm左右，更佳為2～30 μm，進而較佳為5～25 μm。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜(於具有隔離件之情形時，隔離件除外)之波長1000 nm之紅外線之直線透過率較佳為20%以上，更佳為35%以上，進而較佳為50%以上。若上述直線透過率為20%以上，則切晶帶一體型背面密接膜由於為了形成改質區域而照射之波長1000 nm附近之雷射光之透過率較高，故而於向背面密接膜貼附後，可自切晶帶側照射雷射光而於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜(於具有隔離件之情形時，隔離件除外)之波長1342 nm之紅外線之直線透過率(直線透過率D)較佳為20%以上，更佳為40%以上，進而較佳為50%以上。若上述直線透過率D為20%以上，則切晶帶一體型背面密接膜由於為了形成改質區域而照射之波長1342 nm之雷射光之透過率較高，故而於向背面密接膜貼附後，可自切晶帶側照射雷射光而更有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜(於具有隔離件之情形時，隔離件除外)之波長1342 nm之紅外線之全光線透過率(全光線透過率C)較佳為60%以上，更佳為70%以上，進而較佳為80%以上。再者，上述全光線透過率C可使用公知之分光光度計進行測定。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜(於具有隔離件之情形時，隔離件除外)之波長1342 nm之紅外線之上述全光線透過率C與上述直線透過率D之比[全光線透過率C(%)/直線透過率D(%)]較佳為1.0～5.0，更佳為1.0～3.5，進而較佳為1.0～2.0。若上述比為上述範圍內，則切晶帶一體型背面密接膜成為容易選擇性地使為了形成改質區域而照射之雷射光透過之傾向，故而於向背面密接膜貼附後，更容易自切晶帶側照射雷射光而於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。再者，上述全光線透過率C可使用公知之分光光度計進行測定。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜(於具有隔離件之情形時，隔離件除外)之霧度值較佳為80%以下，更佳為73%以下，進而較佳為50%以下。若上述霧度值為80%以下，則切晶帶一體型背面密接膜不易產生為了形成改質區域而照射之雷射光之散射，故而於向背面密接膜貼附後，可藉由自切晶帶側照射雷射光，而有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。上述霧度值可依據JIS K7361-1 (1997)進行測定。

於本發明之切晶帶一體型背面密接膜中，上述基材背面與上述背面密接膜正面之算術平均表面粗糙度均較佳為100 nm以下，更佳為80 nm以下，進而較佳為60 nm以下。若上述算術平均表面粗糙度為100 nm以下，則切晶帶一體型半導體背面密接膜不易產生為了形成改質區域而照射之雷射光之散射，故而於向背面密接膜貼附後，可藉由自切晶帶側照射雷射光，而有效率地於半導體晶圓形成改質區域。因此，無需於向背面密接膜貼附前於半導體晶圓形成改質區域，不引起貼附時之半導體晶片之碎片或自背面密接膜發生之剝離而更容易使半導體晶圓單片化。

於本發明之切晶帶一體型背面密接膜中，基材正面(於圖1及2中，形成有黏著劑層之側之面)之算術平均表面粗糙度並無特別限定，例如可為100 nm以上。於該情形時，較佳為於上述基材正面之凹部填充有上述黏著劑層。若於上述基材正面之凹部填充有黏著劑層，則可抑制由上述凹部所引起之雷射光之漫反射，且可藉由自切晶帶側照射雷射光，而更有效率地於半導體晶圓形成改質區域。作為上述算術平均表面粗糙度為100 nm以上之面，可列舉經壓紋加工之面等。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜(於具有隔離件之情形時，隔離件除外)之厚度例如為70～200 μm，較佳為80～170 μm，更佳為90～150 μm。

本發明之切晶帶一體型背面密接膜可於背面密接膜正面具有隔離件。具體而言，每一切晶帶一體型背面密接膜可為具有隔離件之片狀之形態，亦可隔離件為長條狀且於其上配置有複數之切晶帶一體型背面密接膜，且該隔離件被捲繞而設為捲筒之形態。隔離件係用以被覆背面密接膜正面並進行保護之元件，於使用本發明之切晶帶一體型背面密接膜時自該片材剝離。作為隔離件，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、利用氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行了表面塗佈之塑膠膜或紙類等。

隔離件之厚度例如為10～200 μm，較佳為15～150 μm，更佳為20～100 μm。若上述厚度為10 μm以上，則於隔離件之加工時不易因切口而斷裂。若上述厚度為200 μm以下，則於向基板及框架貼合時，更容易自隔離件剝離切晶帶一體型背面密接膜。

[切晶帶一體型背面密接膜之製造方法] 作為本發明之切晶帶一體型背面密接膜之一實施形態之切晶帶一體型背面密接膜1例如係如下所述般進行製造。

關於圖1及2所示之切晶帶一體型背面密接膜1之切晶帶10，可藉由在所準備之基材11上設置黏著劑層12而製作。例如樹脂製之基材11可藉由公知或慣用之製膜方法進行製膜而獲得。作為上述製膜方法，例如可列舉：壓延製膜法、於有機溶劑中之澆鑄法、於密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。對基材11視需要實施表面處理。於黏著劑層12之形成中，例如於製備黏著劑層形成用之黏著劑組合物(黏著劑)後，首先，將該組合物塗佈於基材11上或隔離件上而形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：滾筒塗敷、網版塗敷、凹版塗敷等。其次，於該黏著劑組合物層中，藉由加熱，視需要進行脫溶劑，又，視需要產生交聯反應。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於黏著劑層12形成於隔離件上之情形時，將附該隔離件之黏著劑層12貼合於基材11。藉此，製作具有基材11與黏著劑層12之積層構造之切晶帶10。

關於接著劑層21，首先，製作包含樹脂、填料、硬化觸媒、溶劑等之形成接著劑層21之組合物(接著劑組合物)。其次，於將接著劑組合物塗佈於隔離件上而形成塗佈膜後，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該塗佈膜固化，而形成接著劑層21。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉：滾筒塗敷、網版塗敷、凹版塗敷等公知或慣用之塗佈方法。又，作為脫溶劑條件，例如係於溫度70～160℃、時間1～5分鐘之範圍內進行。

如圖2所示，於背面密接膜20具有包含接著劑層21與雷射標記層22之積層構造之情形時，單獨地製作接著劑層21與雷射標記層22。接著劑層21能夠以與上述方法同樣之方式製作。另一方面，雷射標記層22可藉由如下方法而製作：於將雷射標記層22形成用之樹脂組合物塗佈於隔離件上而形成樹脂組合物層後，藉由加熱進行脫溶劑或硬化，使該樹脂組合物層固化。於雷射標記層22之製作中，加熱溫度例如為90～160℃，加熱時間例如為2～4分鐘。能夠以上述方式分別以附隔離件之形態製作接著劑層21及雷射標記層22。其後，貼合該等接著劑層21及雷射標記層22之露出面彼此，而製作具有接著劑層21與雷射標記層22之積層構造之背面密接膜20。

其次，於切晶帶10之黏著劑層12側貼合上述中所獲得之背面密接膜20(於具有雷射標記層22之情形時，為雷射標記層22)側。貼合溫度例如為30～50℃，貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm。於黏著劑層12為上述放射線硬化性黏著劑層之情形時，可於該貼合之前對黏著劑層12照射紫外線等放射線，亦可於該貼合之後自基材11之側對黏著劑層12照射紫外線等放射線。或者，於切晶帶一體型背面密接膜1之製造過程中，可不進行此種放射線照射(於該情形時，可於切晶帶一體型背面密接膜1之使用過程中使黏著劑層12進行放射線硬化)。於黏著劑層12為紫外線硬化型之情形時，用以使黏著劑層12硬化之紫外線照射量例如為50～500 mJ/cm² 。於切晶帶一體型背面密接膜1中進行作為黏著劑層12之黏著力減少措施之照射之區域(照射區域R)例如圖1及2所示，係黏著劑層12中之背面密接膜20貼合區域內之除其周緣部以外之區域。

能夠以上述方式製作例如圖1及2所示之切晶帶一體型背面密接膜1。

[半導體裝置之製造方法] 可使用本發明之切晶帶一體型背面密接膜而製造半導體裝置。具體而言，藉由如下製造方法，可製造半導體裝置，該製造方法包括如下步驟：於本發明之切晶帶一體型背面密接膜中之背面密接膜側(尤其是接著劑層側)貼附半導體晶圓背面之步驟(貼附步驟)；藉由雷射光照射沿著半導體晶圓之分割預定線形成改質區域之步驟(雷射光照射步驟)；於相對低溫之條件下，使本發明之切晶帶一體型背面密接膜中之切晶帶擴張，並將半導體晶圓及背面密接膜沿著上述分割預定線割斷而獲得附背面密接膜之半導體晶片之步驟(單片化步驟)；及拾取上述附背面密接膜之半導體晶片之步驟(拾取步驟)。再者，圖3～7係表示使用圖2所示之切晶帶一體型背面密接膜1之半導體裝置之製造方法中之步驟，但亦可使用圖1所示之切晶帶一體型背面密接膜1代替圖2所示之本發明之切晶帶一體型背面密接膜1。

上述半導體裝置之製造方法於上述貼附步驟之前，可具有使半導體晶圓薄化之步驟(晶圓薄化步驟)。於上述晶圓薄化步驟中，如圖3(a)及(b)所示，於在晶圓加工用膠帶(表面保護膜)T1上保持半導體晶圓W之狀態下，藉由自背面Wa之研削加工進行薄化直至半導體晶圓W達到特定之厚度。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置而進行。

(貼附步驟) 於上述貼附步驟中，例如圖4(a)所示，將於上述晶圓薄化步驟中經研削加工之半導體晶圓30於經晶圓加工用膠帶T1保持之狀態下貼附於切晶帶一體型背面密接膜1中之背面密接膜20側(尤其是接著劑層21側)。於半導體晶圓30之表面具備用以進行覆晶安裝之凸塊(省略圖示)。藉由使用本發明之切晶帶一體型背面密接膜，其後可形成改質區域，故而於該階段中無需於半導體晶圓30形成改質區域，因此，半導體晶片不會因半導體晶圓30之貼附時之壓力而沒入至晶圓加工用膠帶T1。並且，其後，如圖4(b)所示，自半導體晶圓30剝離晶圓加工用膠帶T1。藉由使用本發明之切晶帶一體型背面密接膜，無需於半導體晶圓30形成改質區域，因此，於晶圓加工用膠帶T1之剝離時，外周部發生切斷之半導體晶片不會與晶圓加工用膠帶T1一併剝離。

(熱硬化步驟) 於背面密接膜具有熱硬化性接著劑層之情形時，較佳為於上述貼附步驟後，具有使背面密接膜中之接著劑層熱硬化之步驟(熱硬化步驟)。例如，於上述熱硬化步驟中，進行用以使接著劑層21熱硬化之加熱處理。加熱溫度較佳為80～200℃，更佳為100～150℃。加熱時間較佳為0.5～5小時，更佳為1～3小時。具體而言，加熱處理例如係於120℃下進行2小時。於熱硬化步驟中，藉由接著劑層21之熱硬化，切晶帶一體型背面密接膜1之背面密接膜20與半導體晶圓30之密接力提高，切晶帶一體型背面密接膜1及其背面密接膜20對於晶圓之固定保持力提高。又，於背面密接膜不具有熱硬化性接著劑層之情形時，例如可於50～100℃之範圍內進行數小時之烘乾處理，藉此，接著劑層界面之潤濕性提高，對晶圓之固定保持力提高。

(雷射標記步驟) 於背面密接膜具有雷射標記層之情形時，上述半導體裝置之製造方法較佳為具有自切晶帶之基材側對雷射標記層照射雷射而進行雷射標記之步驟(雷射標記步驟)。雷射標記步驟較佳為於上述熱硬化步驟之後進行。具體而言，於雷射標記步驟中，例如對雷射標記層22，自切晶帶10之基材11之側照射雷射而進行雷射標記。藉由該雷射標記步驟，可對每個半導體晶片逐一刻印文字資訊或圖形資訊等各種資訊。於雷射標記步驟中，可於一次之雷射標記製程中，對複數個半導體晶片一次性且高效率地進行雷射標記。作為雷射標記步驟中所使用之雷射，例如可列舉氣體雷射、固體雷射。作為氣體雷射，例如可列舉二氧化碳雷射(CO₂ 雷射)、準分子雷射。作為固體雷射，例如可列舉Nd：YAG雷射。再者，雷射標記步驟可於下述單片化步驟之後、拾取步驟之後等，對每個半導體晶片逐一進行。

再者，於上述貼附步驟之前、上述貼附步驟與上述熱硬化步驟之間、上述熱硬化步驟與上述雷射標記步驟之間、上述雷射標記步驟之後等適當之階段中，於切晶帶一體型背面密接膜1中之切晶帶10之黏著劑層12上貼附環狀框41，其後將附半導體晶圓30之該切晶帶一體型背面密接膜1固定於擴張裝置之保持具42。

(雷射光照射步驟) 於上述雷射光照射步驟中，例如圖5(a)所示，自切晶帶一體型背面密接膜1之切晶帶10側對半導體晶圓30沿著分割預定線照射使聚光點對準半導體晶圓30內部之雷射光，因由多光子吸收所引起之剝蝕(ablation)而於半導體晶圓30內形成改質區域30a。改質區域30a係用以將半導體晶圓30分離為半導體晶片單元之脆弱化區域。關於在半導體晶圓30中藉由雷射光照射而於分割預定線上形成改質區域30a之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中詳細進行了說明，但該實施形態中之雷射光照射條件例如係於以下之條件之範圍內適當地進行調整。 ＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm、1088 nm、1099 nm、或1342 nm 雷射光光點截面面積 3.14×10^-8 cm² 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz以下 脈衝寬度 1 μs以下 輸出 1 mJ以下 雷射光品質 TEM00 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 100倍以下 NA 0.55 相對於雷射光波長之透過率 100%以下 (C)供載置半導體基板之載台之移動速度 280 mm/秒以下

(單片化步驟) 於上述單片化步驟中，例如，如圖5(b)所示般進行相對低溫之條件下之擴張步驟(冷擴張步驟)，將半導體晶圓30單片化為複數個半導體晶片31，並且將切晶帶一體型背面密接膜1之背面密接膜20割斷為小片之背面密接膜20'，而獲得附背面密接膜之半導體晶片31。具體而言，於冷擴張步驟中，於半導體晶圓30中於脆弱之改質區域30a中形成龜裂而產生向半導體晶片31之單片化。並且，於冷擴張步驟中，於與經擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之背面密接膜20中，於半導體晶圓30之各半導體晶片31進行密接之各區域中抑制變形，另一方面，於位於晶圓之龜裂形成部位之圖中垂直方向之部位，於不會產生此種變形抑制作用之狀態下，於切晶帶10中所產生之拉伸應力發揮作用。其結果為，於背面密接膜20中位於半導體晶片31間之龜裂形成部位之圖中垂直方向之部位被割斷。

於冷擴張步驟中，使具備擴張裝置之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶帶一體型背面密接膜1之圖中下側抵接於切晶帶10而上升，並使貼合有半導體晶圓30之切晶帶一體型背面密接膜1之切晶帶10，以沿包含半導體晶圓30之徑向及圓周方向之二維方向拉伸之方式進行擴張。該擴張係於在切晶帶10中產生15～32 MPa、較佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷擴張步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷擴張步驟中之擴張速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為0.1～300 mm/秒。又，冷擴張步驟中之擴張量較佳為3～25 mm

於由上述擴張引起之割斷後，如圖5(c)所示，使頂起構件43下降，而解除切晶帶10之擴張狀態。其後，亦可進行用以拓寬附背面密接膜之半導體晶片31間之間隔距離之擴張步驟。例如，於使頂起構件43再次上升之狀態下自切晶帶10側真空吸附半導體晶片31並固定於平台，解除擴張狀態，對切晶帶10之頂起區域進行加熱而使之收縮(熱收縮)，藉此可維持因擴張而隔開之半導體晶片31間之距離。使頂起構件43再次上升時之擴張量(頂起量)例如為3～25 mm，擴張速度(使頂起構件43上升之速度)例如為0.1～300 mm/秒。熱收縮時之加熱器與頂起區域之間之距離例如為5～100 mm，切晶帶之旋轉速度例如為1～10°/秒。

(放射線照射步驟) 上述半導體裝置之製造方法可具有自基材側對黏著劑層照射放射線之步驟(放射線照射步驟)。於切晶帶之黏著劑層為利用放射線硬化性黏著劑所形成之層之情形時，亦可於上述單片化步驟後，自基材之側對黏著劑層照射紫外線等放射線代替切晶帶一體型背面密接膜之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50～500 mJ/cm² 。於切晶帶一體型背面密接膜中進行作為黏著劑層之黏著力減少措施之照射之區域(圖1及2所示之照射區域R)例如為黏著劑層中之背面密接膜貼合區域內之除其周緣部以外之區域。

(拾取步驟) 上述拾取步驟例如視需要可於經過使用水等洗淨液而洗淨帶有附背面密接膜之半導體晶片31之切晶帶10中之半導體晶片31側之清潔步驟後進行。例如，如圖6所示，自切晶帶10拾取附背面密接膜之半導體晶片31。例如，於將附環狀框41之切晶帶10保持於裝置之保持具42之狀態下，對拾取對象之附背面密接膜之半導體晶片31，於切晶帶10之圖中下側使拾取機構之銷構件51上升，並經由切晶帶10頂起，其後利用吸附夾具52進行吸附保持。於拾取步驟中，銷構件51之頂起速度例如為1～100 mm/秒，銷構件51之頂起量例如為50～3000 μm。

(覆晶安裝步驟) 上述半導體裝置之製造方法較佳為於經過拾取步驟後，具有對附背面密接膜之半導體晶片31進行覆晶安裝之步驟(覆晶步驟)。例如，如圖7所示，對安裝基板61覆晶安裝附背面密接膜之半導體晶片31。作為安裝基板61，例如可列舉：引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板。藉由覆晶安裝，半導體晶片31經由凸塊62而與安裝基板61電性連接。具體而言，半導體晶片31於其電路形成面側具有之基板(電極墊)(省略圖示)與安裝基板61所具有之端子部(省略圖示)經由凸塊62而電性連接。凸塊62例如為焊料凸塊。又，於半導體晶片31與安裝基板61之間介存有熱硬化性之底部填充劑63。

能夠以上述方式使用本發明之切晶帶一體型背面密接膜而製造半導體裝置。 [實施例]

以下列舉實施例更詳細地說明本發明，但本發明並未受到該等實施例之任何限定。

實施例1 ＜切晶帶之製作＞ 於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質量份、作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.4質量份、及作為聚合溶劑之甲苯80質量份之混合物於60℃下於氮氣氣氛下進行攪拌(聚合反應)10小時。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液。其次，將包含含有該丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)之混合物於50℃下於空氣環境下進行攪拌(加成反應)60小時。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸系聚合物P₁ 100質量份為12質量份。藉由該加成反應，獲得含有於側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P₂ 之聚合物溶液。其次，向該聚合物溶液中，添加相對於丙烯酸系聚合物P₂ 100質量份為0.75質量份之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、Tosoh股份有限公司製造)、2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」、BASF公司製造)、及甲苯并進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之黏著劑組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈黏著劑組合物，而形成黏著劑組合物層。其次，對該組合物層利用於120℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上形成厚度30 μm之黏著劑層。其次，使用貼合機，以基材之壓紋加工面與黏著劑層接觸之方式，又，以黏著劑層填充上述壓紋加工面之凹部之方式，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合作為基材之聚丙烯膜(商品名「SCO40PP1-BL」、厚度40 μm、倉敷紡織股份有限公司製造)。對該貼合體，其後於23℃下進行72小時之保存。以上述方式製作實施例1之切晶帶。

＜背面密接膜之製作＞ 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「EPPN-501HY」、日本化藥股份有限公司製造)9質量份、酚樹脂H₁ (商品名「MEH7851-H」、明和化成股份有限公司製造)12質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)69質量份、及著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)7質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度25 μm之實施例1之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於上述實施例1之背面密接膜中露出之面，而製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

實施例2 ＜背面密接膜之製作＞ 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「EPPN-501HY」、日本化藥股份有限公司製造)9質量份、酚樹脂H₁ (商品名「MEH7851-H」、明和化成股份有限公司製造)12質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)69質量份、及著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)4質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度25 μm之實施例2之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於上述實施例2之背面密接膜中露出之面，而製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

實施例3 ＜背面密接膜之製作＞ 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「EPPN-501HY」、日本化藥股份有限公司製造)9質量份、酚樹脂H₁ (商品名「MEH7851-H」、明和化成股份有限公司製造)12質量份、填料F₂ (商品名「YA050C-MJI」、平均粒徑：0.05 μm、Admatechs股份有限公司製造)69質量份、及著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)4質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度25 μm之實施例3之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於上述實施例3之背面密接膜中露出之面，而製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

實施例4 ＜背面密接膜之製作＞ (接著劑層之製作) 將丙烯酸系樹脂A₂ (商品名「Teisan Resin SG-708-6」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「YSLV-80XY」、東都化成股份有限公司製造)19質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「KI-3000-4」、東都化成股份有限公司製造)78質量份、酚樹脂H₂ (商品名「MEH7851-SS」、明和化成股份有限公司製造)89質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)190質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度8 μm之接著劑層。

(雷射標記層之製作) 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「KI-3000-4」、東都化成股份有限公司製造)44質量份、環氧樹脂E₄ (商品名「JER YL980」、三菱化學股份有限公司製造)29質量份、酚樹脂H₂ (商品名「MEH7851-SS」、明和化成股份有限公司製造)77質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)175質量份、著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)13質量份、及熱硬化觸媒Z₁ (商品名「TPP」、北興化學工業股份有限公司製造)21質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑及熱硬化，而於PET隔離件上製作厚度17 μm之雷射標記層(已熱硬化層)。

使用貼合機貼合以上述方法製作之PET隔離件上之雷射標記層與PET隔離件上之接著劑層。具體而言，於溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件下，使雷射標記層及接著劑層之露出面彼此貼合。以上述方式製作實施例4之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 自上述實施例4之背面密接膜剝離雷射標記層側之PET隔離件，使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於背面密接膜中因PET隔離件之剝離而露出之面。以上述方式製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

實施例5 ＜背面密接膜之製作＞ (接著劑層之製作) 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「YSLV-80XY」、東都化成股份有限公司製造)19質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「KI-3000-4」、東都化成股份有限公司製造)52質量份、環氧樹脂E₄ (商品名「JER YL980」、三菱化學股份有限公司製造)22質量份、酚樹脂H₂ (商品名「MEH7851-SS」、明和化成股份有限公司製造)76質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)177質量份、著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份、及熱硬化觸媒Z₂ (商品名「2PHZ-PW」、四國化成股份有限公司製造)5質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度8 μm之接著劑層(熱硬化性層)。

(雷射標記層之製作) 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「EPPN-501HY」、日本化藥股份有限公司製造)66質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「KI-3000-4」、東都化成股份有限公司製造)52質量份、環氧樹脂E₄ (商品名「JER YL980」、三菱化學股份有限公司製造)22質量份、酚樹脂H₁ (商品名「MEH7851-H」、明和化成股份有限公司製造)84質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)177質量份、著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份、及熱硬化觸媒Z₁ (商品名「TPP」、北興化學工業股份有限公司製造)24質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度17 μm之雷射標記層。

使用貼合機貼合以上述方法製作之PET隔離件上之雷射標記層與PET隔離件上之接著劑層。具體而言，於溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件下，使雷射標記層及接著劑層之露出面彼此貼合。以上述方式製作實施例5之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 自上述實施例5之背面密接膜剝離雷射標記層側之PET隔離件，使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於背面密接膜中因PET隔離件之剝離而露出之面。以上述方式製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

實施例6 ＜背面密接膜之製作＞ (雷射標記層之製作) 將丙烯酸系樹脂A₂ (商品名「Teisan Resin SG-708-6」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、丙烯酸系樹脂A₃ (商品名「Teisan Resin SG-N50」、Nagase chemtex股份有限公司製造)25質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「KI-3000-4」、東都化成股份有限公司製造)64質量份、環氧樹脂E₄ (商品名「JER YL980」、三菱化學股份有限公司製造)28質量份、酚樹脂H₂ (商品名「MEH7851-SS」、明和化成股份有限公司製造)96質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)219質量份、著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)16質量份、及熱硬化觸媒Z₁ (商品名「TPP」、北興化學工業股份有限公司製造)27質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑及熱硬化，而於PET隔離件上製作厚度17 μm之雷射標記層(已熱硬化層)。

使用貼合機貼合以上述方法製作之PET隔離件上之雷射標記層、與於上述實施例4中所製作之PET隔離件上之接著劑層。具體而言，於溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件下，使雷射標記層及接著劑層之露出面彼此貼合。以上述方式製作實施例6之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 自上述實施例6之背面密接膜剝離雷射標記層側之PET隔離件，使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於背面密接膜中因PET隔離件之剝離而露出之面。以上述方式製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

比較例1 ＜背面密接膜之製作＞ 將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「EPPN-501HY」、日本化藥股份有限公司製造)9質量份、酚樹脂H₁ (商品名「MEH7851-H」、明和化成股份有限公司製造)12質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)69質量份、著色劑D₁ (商品名「OIL BLACK BS」、Orient Chemical Industries股份有限公司製造)7質量份、及重金屬氧化物系著色劑D₂ (平均粒徑0.02 μm)17質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度25 μm之比較例1之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於上述比較例1之背面密接膜中露出之面，而製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

比較例2 ＜切晶帶之製作＞ 使用貼合機，於室溫下，於實施例1中所製作之黏著劑層之露出面，將作為基材之聚丙烯膜(商品名「SCO40PP1-BL」、厚度40 μm、倉敷紡織股份有限公司製造)以基材之鏡面拋光面與黏著劑層接觸之方式貼合。對該貼合體，其後於23℃下進行72小時之保存。以上述方式製作比較例2之切晶帶。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 使用手壓輥貼合於上述比較例2之切晶帶中露出之黏著劑層、與於上述比較例1之背面密接膜中露出之面，而製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

比較例3 ＜背面密接膜之製作＞ (接著劑層之製作) 將丙烯酸系樹脂A₂ (商品名「Teisan Resin SG-708-6」、Nagase chemtex股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「YSLV-80XY」、東都化成股份有限公司製造)19質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「KI-3000-4」、東都化成股份有限公司製造)78質量份、酚樹脂H₂ (商品名「MEH7851-SS」、明和化成股份有限公司製造)89質量份、填料F₁ (商品名「SO-25R」、平均粒徑：0.5 μm、Admatechs股份有限公司製造)190質量份、及重金屬氧化物系著色劑D₂ (平均粒徑0.02 μm)17質量份添加至甲基乙基酮中並進行混合，而獲得固形物成分濃度28質量%之樹脂組合物。其次，於具有實施了聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈該樹脂組合物而形成樹脂組合物層。其次，對該組合物層利用於130℃下2分鐘之加熱進行脫溶劑，而於PET隔離件上製作厚度8 μm之接著劑層。

使用貼合機貼合於上述實施例4中製作之PET隔離件上之雷射標記層、與以上述方法製作之PET隔離件上之接著劑層。具體而言，於溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件下，使雷射標記層及接著劑層之露出面彼此貼合。以上述方式製作比較例3之背面密接膜。

＜切晶帶一體型背面密接膜之製作＞ 自上述比較例3之背面密接膜剝離雷射標記層側之PET隔離件，使用手壓輥貼合於上述實施例1之切晶帶中露出之黏著劑層、與於背面密接膜中因PET隔離件之剝離而露出之面。以上述方式製作具有包含切晶帶與背面密接膜之積層構造之切晶帶一體型背面密接膜。

＜評價＞ 對實施例及比較例中所獲得之背面密接膜及切晶帶一體型背面密接膜進行以下之評價。將結果示於表1及2。

(1)透過率 對實施例及比較例中所獲得之背面密接膜及切晶帶一體型背面密接膜，分別使用分光光度計(商品名「V-670」、日本分光股份有限公司製造)，進行1000～1342 nm之波長區域中之透過率測定。再者，將於無積分球之條件下測定之情形設為直線透過率，將於有積分球之條件下測定之情形設為全光線透過率。根據測定結果，對背面密接膜，對波長1000 nm之紅外線之直線透過率A、波長1342 nm之紅外線之直線透過率B、該等之比[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]、及1000～1342 nm之波長區域之直線透過率A'與上述直線透過率B之比[直線透過率A'(%)/直線透過率B(%)]進行導出。又，對切晶帶一體型背面密接膜，導出波長1342 nm之紅外線之全光線透過率C及直線透過率D、以及該等之比[全光線透過率C(%)/直線透過率D(%)]。

(2)霧度 對實施例及比較例中所獲得之切晶帶一體型背面密接膜之霧度，使用於上述透過率測定中所獲得之全光線透過率C與直線透過率D，並基於以下之式算出。 霧度(%)＝(全光線透過率C－直線透過率D)/全光線透過率C

(3)算術平均表面粗糙度 對實施例及比較例中所獲得之切晶帶一體型背面密接膜，使用光干涉表面粗糙度計(商品名「WykoNT9100」、日本VEECO股份有限公司製造)，以50倍之倍率進行測定，並分別測定背面密接膜正面及基材背面之算術平均表面粗糙度(Ra)。

(4)割斷評價 對實施例及比較例中所獲得之切晶帶一體型背面密接膜，以如下方式進行割斷評價。首先，於溫度80℃、壓力0.15 MPa之條件下，將厚度300 μm、12英吋尺寸之半導體晶圓貼合於將環狀框貼合於黏著劑層而成之切晶帶一體型背面密接膜之背面密接膜面。繼而，使聚光點對準半導體晶圓之內部，沿著晶格狀(2 mm×2 mm)之分割預定線自切晶帶側照射波長1064 nm之雷射光，於半導體晶圓之內部形成改質區域。其後，於溫度80℃下對每一環狀框進行1小時加熱處理。其後，使用Die Separator(商品名「DDS2300」、DISCO股份有限公司製造)，進行半導體晶圓及背面密接膜之割斷。具體而言，首先，於冷擴張單元中，於溫度-15℃下冷卻2分鐘，於冷擴張時之速度(擴張速度)200 mm/秒、頂起部之頂起量(擴張量)15 mm之條件下進行冷擴張而割斷半導體晶圓。其後，於擴張之狀態下保持1分鐘後，進而於速度(擴張速度)1 mm/秒、擴張量15 mm之條件下進行擴張，將加熱器與切晶帶間之距離設為20 mm，一面以切晶帶之旋轉速度5°/秒使之旋轉，一面使頂起部之切晶帶於200℃下進行熱收縮。於此時之各半導體晶片之四邊中，數出半導體晶片及背面密接膜被割斷之邊之個數，將被割斷之邊之數相對於所有邊之數之比率算出為割斷率。進而，將所照射之雷射光之波長變更為1080 nm、1099 nm、及1342 nm之各波長者而進行同樣之評價。並且，於1064 nm、1080 nm、1099 nm、及1342 nm下之所有評價中，將割斷率為90%以上之情形評價為◎，將60%以上且未達90%之情形評價為○，將30%以上且未達60%之情形評價為△，將未達30%之情形評價為×。再者，於使用所有實施例中之切晶帶一體型背面密接膜之情形時，未產生半導體晶片之碎片及自背面密接膜發生之剝離。

[表1]

[表2]

1‧‧‧切晶帶一體型背面密接膜 10‧‧‧切晶帶 11‧‧‧基材 12‧‧‧黏著劑層 20‧‧‧背面密接膜 20'‧‧‧背面密接膜 21‧‧‧接著劑層 21a‧‧‧貼合面 22‧‧‧雷射標記層 30‧‧‧半導體晶圓 30a‧‧‧改質區域 31‧‧‧半導體晶片 41‧‧‧環狀框 42‧‧‧保持具 43‧‧‧頂起構件 51‧‧‧銷構件 52‧‧‧吸附夾具 61‧‧‧安裝基板 62‧‧‧凸塊 63‧‧‧底部填充劑 R‧‧‧照射區域 T1‧‧‧晶圓加工用膠帶(表面保護膜) W‧‧‧半導體晶圓 Wa‧‧‧背面

圖1係表示本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。 圖2係表示本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜之另一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。 圖3(a)、(b)係表示晶圓薄化步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。 圖4(a)、(b)係表示貼附步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。 圖5(a)～(c)係表示單片化步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。 圖6係表示拾取步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。 圖7係表示覆晶安裝步驟之一實施形態之概略圖(正面剖視圖)。

1‧‧‧切晶帶一體型背面密接膜

10‧‧‧切晶帶

11‧‧‧基材

12‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧背面密接膜

21‧‧‧接著劑層

21a‧‧‧貼合面

R‧‧‧照射區域

Claims (7)

1. 一種切晶帶一體型半導體背面密接膜，其具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及半導體背面密接膜，其可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層；且上述半導體背面密接膜之波長1000nm之紅外線之直線透過率A與波長1342nm之紅外線之直線透過率B均為20%以上，上述直線透過率A與上述直線透過率B之比[直線透過率A(%)/直線透過率B(%)]為0.3~1.0；上述半導體背面密接膜具有接著劑層，上述接著劑層含有填料及/或著色劑。
2. 如請求項1之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述半導體背面密接膜之波長區域1000~1342nm之紅外線之直線透過率A'與上述直線透過率B之比[直線透過率A'(%)/直線透過率B(%)]為0.3~1.0。
3. 如請求項1之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中波長1342nm之紅外線之全光線透過率C與直線透過率D之比[全光線透過率C(%)/直線透過率D(%)]為1.0~5.0。
4. 如請求項2之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中波長1342nm之紅外線之全光線透過率C與直線透過率D之比[全光線透過率C(%)/直線透過率D(%)]為1.0~5.0。
5. 如請求項1至4中任一項之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其霧度值為80%以下。
6. 如請求項1至4中任一項之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述基材背面與上述半導體背面密接膜正面之算術平均表面粗糙度均為100nm以下。
7. 如請求項5之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述基材背面與上述半導體背面密接膜正面之算術平均表面粗糙度均為100nm以下。

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