TW202039728A - 切晶帶一體型半導體背面密接膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種切晶帶一體型半導體背面密接膜，其具有對於貼合之二次加工性。 本發明之複合膜X(切晶帶一體型半導體背面密接膜)具備膜10(半導體背面密接膜)及切晶帶20。相較於膜10與切晶帶20之間之以特定之第1條件進行之剝離試驗中所測得的第1剝離黏著力，70℃下對矽晶圓平面貼合之源自膜10之試片與上述矽晶圓平面之間之以第1條件進行之剝離試驗中所測得的第2剝離黏著力更大。又，相較於膜10與切晶帶20之間之以特定之第2條件進行之剝離試驗中所測得的第3剝離黏著力，70℃下對矽晶圓平面貼合之源自膜10之試片與上述矽晶圓平面之間之以第2條件進行之剝離試驗中所測得的第4剝離黏著力更小。

Description

切晶帶一體型半導體背面密接膜

本發明係關於一種切晶帶一體型半導體背面密接膜，其能夠於半導體裝置之製造過程中使用。

於具備覆晶安裝之半導體晶片之半導體裝置之製造中，有時使用切晶帶一體型半導體背面密接膜來獲得晶片背面伴隨有保護膜之半導體晶片。切晶帶一體型半導體背面密接膜例如具有包含基材及黏著劑層之切晶帶、及與其黏著劑層側可剝離地密接之半導體背面密接膜。半導體背面密接膜具有與作為工件之半導體晶圓對應之尺寸之圓盤形狀，相對於具有尺寸超過該尺寸之圓盤形狀之切晶帶同心圓狀地貼合於其黏著劑層側。

切晶帶一體型半導體背面密接膜例如以如下方式而使用。首先，將切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜貼合於半導體晶圓(貼合步驟)。該步驟中，對於以環狀框包圍半導體晶圓之態樣所配置之一組半導體晶圓及環狀框，以切晶帶或其黏著劑層之半導體背面密接膜周圍之區域貼合於環狀框，並且半導體背面密接膜貼合於晶圓之方式進行切晶帶一體型半導體背面密接膜之貼合作業。繼而，於半導體晶圓被保持於切晶帶一體型半導體背面密接膜之狀態下，例如藉由刀片切割將該半導體晶圓單片化為晶片。藉此，可獲得背面伴隨有源自半導體背面密接膜之晶片尺寸之保護膜之半導體晶片，即附保護膜之半導體晶片。該晶片覆晶安裝於特定之基板。關於與此種切晶帶一體型半導體背面密接膜相關之技術，例如於下述專利文獻1、2中有記載。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-151360號公報 [專利文獻2]國際公開第2014/092200號

[發明所欲解決之問題]

如上所述之貼合步驟中，有時會於與作為工件之半導體晶圓和與其相伴之環狀框相對應之切晶帶一體型半導體背面密接膜之貼合位置產生偏移(黏貼偏移)。伴隨有對半導體晶圓及包圍其之環狀框之黏貼偏移之切晶帶一體型半導體背面密接膜存在於貼合步驟後之步驟中無法進行隔著該環狀框之處理。

本發明係基於以上情況而思考出者，其目的在於提供一種具有對於貼合之二次加工性之切晶帶一體型半導體背面密接膜。 [解決問題之技術手段]

本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜係具備切晶帶及半導體背面密接膜之複合膜。切晶帶具有包含基材及黏著劑層之積層構造。半導體背面密接膜可剝離地與切晶帶之黏著劑層密接。此種切晶帶一體型半導體背面密接膜於半導體裝置之製造過程中可用於獲得附晶片背面保護膜之半導體晶片。

關於本切晶帶一體型半導體背面密接膜(複合膜)，相較於第1試片(利用本複合膜進行準備)之切晶帶與半導體背面密接膜之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第1剝離黏著力，70℃下對矽晶圓平面貼合之第1半導體背面密接膜試片(利用本複合膜進行準備)與矽晶圓平面之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第2剝離黏著力更大。第1試片係自本複合膜進行切取而準備之試片(關於下述之第2～第4試片亦相同)。第1半導體背面密接膜試片係自本複合膜將半導體背面密接膜剝離，於該藉由剝離而露出之側之面貼合襯底膠帶，並自該貼合體進行切取而準備之試片(關於下述之第2～第4半導體背面密接膜試片亦相同)。第2剝離黏著力相當於本複合膜之半導體背面密接膜之工件密接面(與切晶帶相反之側之面)與矽晶圓平面之間之剝離黏著力(關於下述之第4、第6、及第8剝離黏著力亦相同)。又，於本發明中，對矽晶圓平面之剝離黏著力係指對藉由2000號之研削材進行過拋光之矽晶圓平面之剝離黏著力。

此種構成適合於確保將本複合膜利用其半導體背面密接膜貼合於作為工件之半導體晶圓之後的例如於室溫及其附近溫度下之對該晶圓之良好之密接力。

與此同時，關於本複合膜，相較於第2試片(利用本複合膜進行準備)之切晶帶與半導體背面密接膜之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第3剝離黏著力，70℃下對矽晶圓平面貼合之第2半導體背面密接膜試片(利用本複合膜進行準備)與矽晶圓平面之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第4剝離黏著力更小。

此種構成適合於將本複合膜利用其半導體背面密接膜貼合於作為工件之半導體晶圓之後例如加溫至60℃之後自同晶圓剝離，因此，適合於對於貼合之二次加工。

如上所述，本發明之切晶帶一體型半導體背面密接膜適合於確保對半導體晶圓之良好之密接力，並且具有對於貼合之二次加工性。

關於本複合膜，較佳為相較於歷經80℃、1小時之加熱處理之第3試片(利用本複合膜進行準備)之切晶帶與半導體背面密接膜之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第5剝離黏著力，歷經70℃下對矽晶圓平面之貼合及其後之80℃、1小時之加熱處理之第3半導體背面密接膜試片(利用本複合膜進行準備)與矽晶圓平面之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第6剝離黏著力更大。

此種構成適合於將本複合膜例如無黏貼偏移地貼合於半導體晶圓及環狀框之後，藉由例如以80℃及1小時之條件對本複合膜或半導體背面密接膜進行加熱處理而抑制該貼合後本複合膜或其半導體背面密接膜自半導體晶圓剝離。

關於本複合膜，較佳為相較於歷經80℃、1小時之加熱處理之第4試片(利用本複合膜進行準備)之切晶帶與半導體背面密接膜之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第7剝離黏著力，歷經70℃下對矽晶圓平面之貼合及其後之80℃、1小時之加熱處理之第4半導體背面密接膜試片(利用本複合膜進行準備)與矽晶圓平面之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第8剝離黏著力更大。

此種構成適合於將本複合膜例如無黏貼偏移地貼合於半導體晶圓及環狀框之後，藉由例如以80℃及1小時之條件對本複合膜或半導體背面密接膜進行加熱處理而抑制該貼合後本複合膜或其半導體背面密接膜自半導體晶圓剝離。

上述第1剝離黏著力較佳為0.2～3 N/20 mm。第2剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以上。第3剝離黏著力較佳為0.2～3 N/20 mm。第4剝離黏著力較佳為0.2 N/20 mm以下。第5剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以下。第6剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以上。第7剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以下。第8剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以上。該等構成適合於實現上述剝離黏著力之大小關係。

圖1及圖2表示作為本發明之一實施形態之切晶帶一體型半導體背面密接膜之複合膜X。圖1係複合膜X之俯視圖，圖2係複合膜X之剖面模式圖。複合膜X具有包含膜10及切晶帶20之積層構造。膜10係本發明之一實施形態之半導體背面密接膜，且係貼合於作為工件之半導體晶圓之電路非形成面即裏面或背面之膜。切晶帶20具有包含基材21及黏著劑層22之積層構造。黏著劑層22於膜10側具有黏著面22a。膜10對黏著劑層22或其黏著面22a可剝離地密接。又，膜10具有與作為工件之半導體晶圓對應之尺寸之圓盤形狀，切晶帶20具有尺寸超過上述尺寸之圓盤形狀。

複合膜X例如以如下方式使用。首先，將複合膜X之膜10貼合於半導體晶圓(貼合步驟)。該步驟中，對於以環狀框包圍半導體晶圓之態樣所配置之一組半導體晶圓及環狀框，以切晶帶20或其黏著劑層22之膜10周圍之區域貼合於環狀框，並且膜10貼合於晶圓之方式進行複合膜X之貼合作業。繼而，於半導體晶圓被保持於複合膜X之狀態下，例如，藉由刀片切割將該半導體晶圓單片化為晶片。藉此，獲得背面伴隨有源自膜10(半導體背面密接膜)之晶片尺寸之保護膜之半導體晶片，即附保護膜之半導體晶片。該晶片被覆晶安裝於特定之基板。

作為半導體背面密接膜之膜10具有包含雷射標記層11及接著層12之積層構造。雷射標記層11於膜10中位於切晶帶20側，與切晶帶20或其黏著劑層22密接。於半導體裝置之製造過程中，對雷射標記層11之切晶帶20側之表面實施雷射標記。於本實施形態中，雷射標記層11處於熱硬化性之樹脂組合物層已被熱硬化之狀態。接著層12於膜10中位於供工件貼合之側，具有工件密接面12a，本實施形態中，為具有熱塑性之非熱硬化型樹脂組合物層。具有包含該等雷射標記層11及接著層12之積層構造之膜10係實質上不具有熱硬化性之非熱硬化型膜。

膜10中之雷射標記層11可具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有包含附熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成，該熱硬化性官能基可與硬化劑反應而產生鍵結。

作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。雷射標記層11可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂較佳為作為膜10之雷射標記層11中之熱硬化性樹脂，其原因在於：存在可能成為由利用膜10以下述方式所形成之背面保護膜所保護之對象即半導體晶片之腐蝕原因的離子性雜質等之含量較少之傾向。又，作為用以使環氧樹脂表現出熱硬化性之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為環氧樹脂，例如可例舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂。作為環氧樹脂，亦可例舉乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂、及縮水甘油胺型環氧樹脂。又，雷射標記層11可含有一種環氧樹脂，亦可含有兩種以上之環氧樹脂。

酚樹脂係作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，作為此種酚樹脂，例如可例舉：苯酚酚醛清漆型樹脂、酚系芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆型樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆型樹脂等酚醛清漆型酚樹脂。又，作為該酚樹脂，亦可例舉可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為雷射標記層11中之酚樹脂尤佳的是苯酚酚醛清漆型樹脂或酚系芳烷基樹脂。又，雷射標記層11可含有一種酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可含有兩種以上之酚樹脂。

於雷射標記層11含有環氧樹脂及作為其硬化劑之酚樹脂之情形時，以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量之比率調配兩種樹脂。此種構成於在雷射標記層11之硬化時使該環氧樹脂及酚樹脂之硬化反應充分地進行之方面較佳。

關於雷射標記層11中之熱硬化性樹脂總量之含有比率，就使雷射標記層11適當地硬化之觀點而言，較佳為25～60質量%，更佳為35～55質量%。

雷射標記層11中之熱塑性樹脂例如係承擔黏合劑功能者，作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可例舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。雷射標記層11可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂就離子性雜質較少且耐熱性較高之方面而言，作為雷射標記層11中之熱塑性樹脂較佳。

於雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元最多。「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。

作為用以形成丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，即作為丙烯酸系樹脂之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，丙烯酸系樹脂可將用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合方法，例如可例舉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。

例如為了其凝集力或耐熱性之改質，丙烯酸系樹脂亦可將可與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可例舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。作為含羧基單體，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可例舉順丁烯二酸酐及衣康酸酐。作為含羥基單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯。作為含環氧基單體，例如可例舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲酯縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，例如可例舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，例如可例舉丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯。

於雷射標記層11具有包含附熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以形成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元最多。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與作為雷射標記層11所含有之丙烯酸系樹脂之構成單體於上文所述者相同之(甲基)丙烯酸酯。例如為了其凝集力或耐熱性之改質，用以形成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂亦可包含源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可使用作為可與雷射標記層11中之用以形成丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體於上文所述者。另一方面，作為用以形成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可例舉縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。該等之中，可良好地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可良好地使用含有縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含有羧基之丙烯酸系樹脂。又，根據含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，而選擇可與其產生反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用作為環氧樹脂用硬化劑於上文所述者相同之酚樹脂。

用以形成雷射標記層11之組合物較佳為含有熱硬化觸媒。關於熱硬化觸媒在雷射標記層形成用組合物中之調配，就雷射標記層11之硬化時使樹脂成分之硬化反應充分地進行、或提高硬化反應速度之方面而言較佳。作為此種熱硬化觸媒，例如可例舉咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵代硼烷系化合物。作為咪唑系化合物，例如可例舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。作為三苯基膦系化合物，例如可例舉：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻、及苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物亦包含同時具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可例舉：四苯基硼酸四苯基鏻、四對甲苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸苄基三苯基鏻、及三苯基膦三苯基硼烷。作為胺系化合物，例如可例舉：單乙醇胺三氟硼酸鹽及雙氰胺。作為三鹵代硼烷系化合物，例如可例舉三氯硼烷。雷射標記層形成用組合物可含有一種熱硬化觸媒，亦可含有兩種以上之熱硬化觸媒。

雷射標記層11亦可含有填料。雷射標記層11中之填料之調配就調整雷射標記層11之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為填料，可例舉無機填料及有機填料。作為無機填料之構成材料，例如可例舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、酸化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、及非晶質二氧化矽。作為無機填料之構成材料，亦可例舉：鋁、金、銀、銅、鎳等單質金屬、或合金、非晶形碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，例如可例舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、及聚酯醯亞胺。雷射標記層11可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。於雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～1000 nm，更佳為40～700 nm，更佳為50～500 nm。即，雷射標記層11較佳為含有奈米填料。雷射標記層11含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成就對於待小片化之膜10確保較高之分斷性而言較佳。填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)求出。又，於雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之含量例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上。於雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之含量較佳為70質量%以下，更佳為60質量%以下。

雷射標記層11於本實施形態中含有著色劑。著色劑可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，例如可例舉：黑色系著色劑、青色系著色劑、洋紅系著色劑、及黃色系著色劑。就藉由雷射標記對刻印於雷射標記層11之資訊實現較高之視認性之方面而言，雷射標記層11較佳為含有黑色系著色劑。作為黑色系著色劑，例如可例舉：碳黑、石墨(graphite)、氧化銅、二氧化錳、偶氮次甲基偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、磁鐵礦(magnetite)、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色染料、及偶氮系有機黑色染料。作為碳黑，例如可例舉：爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、及燈黑。作為黑色系著色劑，亦可例舉：C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、及C.I.溶劑黑70。作為黑色系著色劑，亦可例舉：C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、及C.I.直接黑71。作為黑色系著色劑，亦可例舉：C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、及C.I.酸性黑154。作為黑色系著色劑，亦可例舉：C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、及C.I.分散黑24。作為黑色系著色劑，亦可例舉：C.I.顏料黑1及C.I.顏料黑7。雷射標記層11可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，雷射標記層11中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上。雷射標記層11中之著色劑之含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下。與著色劑含量相關之該等構成就藉由雷射標記對刻印於雷射標記層11之資訊實現較高之視認性之方面而言較佳。

雷射標記層11亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可例舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。

雷射標記層11之厚度例如為5～35 μm。

膜10之接著層12可具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有不含熱硬化性樹脂之組成。

作為於接著層12具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。作為接著層12中之熱硬化性樹脂，具體而言，可例舉作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂於上文所述者。接著層12可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂較佳為作為膜10之接著層12中之熱硬化性樹脂，其原因在於：有可能成為由利用膜10以下述方式所形成之背面保護膜而引起的作為保護之對象之半導體晶片之腐蝕原因的離子性雜質等之含量較少之傾向。

接著層12中之熱塑性樹脂例如為承擔黏合劑功能者。作為接著層12中之熱塑性樹脂，例如可例舉作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之熱塑性樹脂於上文所述者。接著層12可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為接著層12中之熱塑性樹脂較佳。

於接著層12含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元最多。作為用以形成此種丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用作為雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂之構成單體於上文所述之(甲基)丙烯酸酯。作為接著層12中之丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，例如為了其凝集力或耐熱性之改質，該丙烯酸系樹脂亦可將可與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可使用作為可與雷射標記層11中之用以形成丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體於上文所述者。

接著層12亦可含有填料。接著層12中之填料之調配就調整接著層12之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為接著層12中之填料，例如可例舉作為雷射標記層11中之填料於上文所述者。接著層12可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。接著層12含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～500 nm，更佳為40～400 nm，更佳為50～300 nm。即，接著層12較佳為含有奈米填料。接著層12含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成就避免或抑制由於接著層12中含有之填料對貼合或安裝於膜10之工件產生損傷之方面而言較佳，又，就對供小片化之膜10確保較高之分斷性之方面而言較佳。又，接著層12含有填料之情形時之該填料之含量例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上。接著層12含有填料之情形時之該填料之含量較佳為未達75質量%。

接著層12亦可含有著色劑。作為接著層12中之著色劑，例如可例舉作為雷射標記層11中之著色劑於上文所述者。就於膜10中之雷射標記層11側之經雷射標記之刻印部位與除該部位以外之部位之間確保較高之對比度而實現對該刻印資訊良好之視認性之方面而言，接著層12較佳為含有黑色系著色劑。接著層12可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，接著層12中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。接著層12中之著色劑之含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。與著色劑含量相關之該等構成就對藉由雷射標記而得之刻印資訊實現上述良好之視認性之方面而言較佳。

接著層12亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可例舉阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。

接著層12之厚度例如為5～20 μm。

具有如以上之構成之膜10之厚度例如為10～40 μm。

複合膜X(切晶帶一體型半導體背面密接膜)之切晶帶20之基材21係於切晶帶20或複合膜X中作為支持體發揮功能之要素，例如為塑膠膜。作為基材21之構成材料，例如可例舉：聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯基硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可例舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材21可具有單層構造，亦可具有多層構造。又，基材21於包含塑膠膜之情形時，可為無延伸膜，亦可為單軸延伸膜，還可為雙軸延伸膜。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材21可具有單層構造，亦可具有多層構造。於基材21上之黏著劑層22如下文所述為紫外線硬化性之情形時，基材21較佳為具有紫外線透過性。

亦可對基材21之黏著劑層22側之表面實施用以提高與黏著劑層22之密接性之物理處理、化學處理、或底塗處理。作為物理處理，例如可例舉：電暈處理、電漿處理、砂墊加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及游離放射線(Ionizing radiation)處理。作為化學處理，例如可例舉鉻酸處理。

關於基材21之厚度，就確保用以使基材21作為切晶帶20或複合膜X之支持體發揮功能之強度之觀點而言，較佳為40 μm以上，較佳為50 μm以上，更佳為60 μm以上。又，就於切晶帶20或複合膜X中實現適度之可撓性之觀點而言，基材21之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。

切晶帶20之黏著劑層22含有黏著劑。該黏著劑可為能夠藉由來自外部之作用有意識地降低黏著力之黏著劑(黏著力可降低型黏著劑)，亦可為藉由來自外部之作用幾乎或完全不降低黏著力之黏著劑(黏著力非降低型黏著劑)。

作為黏著力可降低型黏著劑，例如可例舉可藉由放射線照射而硬化之黏著劑(放射線硬化性黏著劑)。本實施形態之黏著劑層22中可使用一種黏著力可降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力可降低型黏著劑。

作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可例舉藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射會硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射會硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。

作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可例舉含有為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型放射線硬化性黏著劑。

上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元最多。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，即作為丙烯酸系聚合物之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具體而言，可例舉與關於膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂於上文所述者相同之(甲基)丙烯酸酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，就藉由(甲基)丙烯酸酯於黏著劑層22中適當地表現出黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之構成單體整體中之(甲基)丙烯酸酯之比率例如為40質量%以上。

例如為了其凝集力或耐熱性之改質，丙烯酸系聚合物亦可包含源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可例舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈，更具體而言，可例舉作為可與膜10之雷射標記層11中之用以形成丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體於上文所述者。

為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，丙烯酸系聚合物亦可包含源自可與(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可例舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸酯」及/或「甲基丙烯酸酯」。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就藉由(甲基)丙烯酸酯於黏著劑層22中適當地表現出黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之構成單體整體中之多官能性單體之比率例如為40質量%以下。

關於丙烯酸系聚合物，可將用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合方法，例如可例舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。

為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，黏著劑層22或用以形成其之黏著劑例如亦可含有外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可例舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層22或用以形成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份例如為0.1～5質量份。

作為用以形成放射線硬化性黏著劑之上述放射線聚合性單體成分，例如可例舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成放射線硬化性黏著劑之上述放射線聚合性低聚物成分，例如可例舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，分子量100～30000左右者較適宜。放射線硬化性黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量可於可適當地降低所形成之黏著劑層22之黏著力之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份。又，作為添加型放射線硬化性黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示者。

作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如亦可例舉含有於聚合物側鏈、聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型放射線硬化性黏著劑。此種內在型放射線硬化性黏著劑就抑制由低分子量成分於所形成之黏著劑層22內之移動引起的黏著特性之非刻意之經時性變化之方面而言較佳。

作為內在型放射線硬化性黏著劑所含有之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述丙烯酸系聚合物。作為於丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性碳-碳雙鍵之方法，例如可例舉如下方法：使包含具有特定官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚而獲得丙烯酸系聚合物，其後，使具有可與第1官能基之間產生反應而鍵結之特定官能基(第2官能基)及放射線聚合性碳-碳雙鍵的化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之情況下對丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。

作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可例舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、或異氰酸基與羥基之組合。又，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物由於技術難度較高，故而就丙烯酸系聚合物之製作或購入之容易性之觀點而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情況。此種情形時，作為同時具有放射線聚合性碳-碳雙鍵及作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物，即含有放射線聚合性不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可例舉：甲基丙烯醯異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。

用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可例舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿

系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可例舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可例舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-𠰌啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可例舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可例舉苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可例舉2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可例舉：1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可例舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫𠮿

系化合物，例如可例舉：9-氧硫𠮿

、2-氯-9-氧硫𠮿

、2-甲基-9-氧硫𠮿

、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿

、異丙基-9-氧硫𠮿

、2,4-二氯-9-氧硫𠮿

、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿

、及2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿

。黏著劑層22中之放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。

作為上述黏著力非降低型黏著劑，例如可例舉：將關於黏著力可降低型黏著劑於上文所述之放射線硬化性黏著劑預先藉由放射線照射而硬化之形態之黏著劑、或所謂之感壓型黏著劑等。放射線硬化性黏著劑根據其含有聚合物成分之種類及含量之不同，即便於進行放射線硬化而使黏著力降低之情形時，亦可表現出由該聚合物成分引起之黏著性，能夠以特定之使用態樣發揮出可用於黏著保持被黏著體之黏著力。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力非降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非降低型黏著劑。

另一方面，作為用於黏著劑層22之感壓型黏著劑，例如可使用以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層22含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元最多。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可例舉關於放射線硬化性黏著劑於上文所述之丙烯酸系聚合物。

用於黏著劑層22或形成黏著劑層22之黏著劑可除上述各成分以外含有交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、顏料或染料等著色劑等。著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可例舉隱色染料。

黏著劑層22之厚度例如為2～20 μm。此種構成例如於黏著劑層22包含放射線硬化性黏著劑之情形時，於取得該黏著劑層22於放射線硬化之前後對膜10之黏著力之平衡性方面較佳。

關於作為切晶帶一體型半導體背面密接膜之複合膜X，相較於第1試片(利用複合膜X所準備)之膜10與切晶帶20之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第1剝離黏著力，70℃下對矽晶圓平面貼合之第1半導體背面密接膜試片(利用複合膜X或其膜10所準備)與矽晶圓平面之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第2剝離黏著力更大。第1試片係自複合膜X切取所準備之試片。第1半導體背面密接膜試片係自複合膜X將膜10剝離，並於該藉由剝離所露出之側之面貼合襯底膠帶，自該貼合體進行切取所準備之試片。第2剝離黏著力相當於複合膜X之膜10(半導體背面密接膜)之工件密接面12a與矽晶圓平面之間之剝離黏著力。又，於本實施形態中，對矽晶圓平面之剝離黏著力係指對藉由2000號之研削材進行過拋光之矽晶圓平面之剝離黏著力。

此種構成適合於確保將複合膜X利用其膜10貼合於作為工件之半導體晶圓之後之對例如於室溫及其附近之同晶圓之良好之密接力。

關於複合膜X，相較於第2試片(利用複合膜X所準備)之膜10與切晶帶20之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第3剝離黏著力，70℃下對矽晶圓平面貼合之第2半導體背面密接膜試片(利用複合膜X或其膜10所準備)與矽晶圓平面之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第4剝離黏著力更小。第2試片係自複合膜X切取所準備之試片。第2半導體背面密接膜試片係自複合膜X將膜10剝離，並於該藉由剝離所露出之側之面貼合襯底膠帶，自該貼合體進行切取所準備之試片。第4剝離黏著力相當於複合膜X之膜10(半導體背面密接膜)之工件密接面12a與矽晶圓平面之間之剝離黏著力。

此種構成適合於在將複合膜X利用其膜10貼合於作為工件之半導體晶圓之後例如加溫至60℃之基礎上自該晶圓剝離，因此適合於對於貼合之二次加工。

如以上所述，複合膜X適合於確保對半導體晶圓之良好之密接力，並且具有對於貼合之二次加工性。

本實施形態中，關於複合膜X，相較於歷經80℃、1小時之加熱處理之第3試片(利用複合膜X所準備)之膜10與切晶帶20之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第5剝離黏著力，歷經70℃下對矽晶圓平面之貼合及其後之80℃、1小時之加熱處理之第3半導體背面密接膜試片(利用複合膜X或其膜10所準備)與矽晶圓平面之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第6剝離黏著力更大。第3試片係自複合膜X切取所準備之試片。第3半導體背面密接膜試片係自複合膜X將膜10剝離，並於該藉由剝離所露出之側之面貼合襯底膠帶，自該貼合體進行切取所準備之試片。第6剝離黏著力相當於複合膜X之膜10(半導體背面密接膜)之工件密接面12a與矽晶圓平面之間之剝離黏著力。

此種構成適合於將複合膜X例如無黏貼偏移地貼合於半導體晶圓及環狀框之後，藉由例如以80℃及1小時之條件對複合膜X或膜10進行加熱處理而抑制該貼合後複合膜X(切晶帶一體型半導體背面密接膜)或膜10自半導體晶圓剝離。

本實施形態中，關於複合膜X，相較於歷經80℃、1小時之加熱處理之第4試片(利用複合膜X所準備)之膜10與切晶帶20之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第7剝離黏著力，歷經70℃下對矽晶圓平面之貼合及其後之80℃、1小時之加熱處理之第4半導體背面密接膜試片(利用複合膜X或其膜10所準備)與矽晶圓平面之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第7剝離黏著力更大。第4試片係自複合膜X進行切取所準備之試片。第4半導體背面密接膜試片係自複合膜X將膜10剝離，並於該藉由剝離所露出之側之面貼合襯底膠帶，自該貼合體進行切取所準備之試片。第8剝離黏著力相當於複合膜X之膜10(半導體背面密接膜)之工件密接面12a與矽晶圓平面之間之剝離黏著力。

此種構成適合於將複合膜X例如無黏貼偏移地貼合於半導體晶圓及環狀框之後，藉由例如以80℃及1小時之條件對複合膜X或膜10進行加熱處理而抑制該貼合後複合膜X(切晶帶一體型半導體背面密接膜)或膜10自半導體晶圓剝離。

上述第1剝離黏著力較佳為0.2～3 N/20 mm。第2剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以上。第3剝離黏著力較佳為0.2～3 N/20 mm。第4剝離黏著力較佳為0.2 N/20 mm以下。第5剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以下。第6剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以上。第7剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以下。第8剝離黏著力較佳為3 N/20 mm以上。該等構成適合於實現上述剝離黏著力之大小關係。

複合膜X之膜10與切晶帶20之間之剝離黏著力之調整例如可藉由膜10或其雷射標記層11所包含之丙烯酸系聚合物等聚合物之構成單體組成之調整、以及切晶帶20之黏著劑層22中之丙烯酸系聚合物等聚合物之構成單體組成之調整及交聯劑含量之調整而進行。又，膜10之工件密接面12a與矽晶圓平面之間之剝離黏著力之調整例如可藉由膜10或其接著層12中之丙烯酸系聚合物等聚合物之構成單體組成之調整及無機填料等填料之含量之調整而進行。

具有如以上之構成之複合膜X例如可如以下地製造。

於複合膜X之膜10之製作中，首先，分別製作形成雷射標記層11之膜、及形成接著層12之膜。形成雷射標記層11之膜可藉由如下方式而製作：將雷射標記層形成用之樹脂組合物塗佈於特定隔離件上形成樹脂組合物層，其後，藉由加熱使該組合物層乾燥及硬化。作為隔離件，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、以及藉由氟系剝離劑或長鏈丙烯酸烷基酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙類等。作為樹脂組合物之塗佈方法，例如可例舉：輥塗佈、絲網塗佈、及凹版塗佈。於形成雷射標記層11之膜之製作中，加熱溫度例如為90～160℃，加熱時間例如為2～4分鐘。另一方面，形成接著層12之膜可藉由如下方式而製作：將接著層形成用之樹脂組合物塗佈於特定隔離件上形成樹脂組合物層，其後，藉由加熱使該組合物層乾燥。於形成接著層12之膜之製作中，加熱溫度例如為90～150℃，加熱時間例如為1～2分鐘。可按照以上方式以分別伴隨有隔離件之形態製作上述兩種膜。繼而，將該等膜之露出面彼此貼合。藉此製作具有雷射標記層11與接著層12之積層構造之膜10(兩面附隔離件)。

關於複合膜X之切晶帶20，可藉由於所準備之基材21上設置黏著劑層22而製作。例如樹脂製之基材21可藉由壓延製膜法、於有機溶劑中之流延法、於密閉系統中之膨脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等製膜方法而製作。對製膜後之膜或基材21可視需要實施特定之表面處理。於黏著劑層22之形成中，例如製備黏著劑層形成用之黏著劑組合物之後，首先，將該組合物塗佈於基材21上或特定隔離件上形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可例舉輥塗佈、絲網塗佈、及凹版塗佈。繼而，於該黏著劑組合物層中藉由加熱視需要使之乾燥，又，視需要使之產生交聯反應。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於黏著劑層22形成於隔離件上之情形時，將該伴隨有隔離件之黏著劑層22貼合於基材21，其後，將隔離件剝離。藉此，可製作具有基材21與黏著劑層22之積層構造之切晶帶20。

於複合膜X之製作中，將伴隨有隔離件之膜10沖切加工成特定直徑之圓盤形，其後，自膜10之雷射標記層11側將隔離件剝離，並將膜10之雷射標記層11側貼合於切晶帶20之黏著劑層22側。貼合溫度例如為30～50℃，貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm。繼而，以此方式將與膜10貼合之切晶帶20以切晶帶20之中心與膜10之中心一致之方式沖切加工成特定直徑之圓盤形。

可按照以上方式製作複合膜X。關於隔離件，於使用複合膜X時，自該膜剝下。

膜10亦可具有單層構成來代替如上所述之多層構成。於膜10具有單層構成之情形時，該膜10於本實施形態中為具有熱硬化性之樹脂組合物層，即處於未硬化狀態或半硬化狀態之熱硬化型層。於膜10具有單層構成之情形時，會於半導體裝置之製造過程中對該膜10之切晶帶20側之表面實施雷射標記。此種單層構成之膜10例如可藉由如下方式而製作：將用以形成上述雷射標記層11之樹脂組合物塗佈於特定隔離件上形成樹脂組合物層，其後，於不使該組合物層完全硬化之情況下加熱乾燥。

作為膜10具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。膜10可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。作為膜10中之環氧樹脂，例如可例舉作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂即環氧樹脂於上文所述者。關於膜10為單層構成之情形時之膜10中之熱硬化性樹脂總量之含有比率，就使膜10適當地硬化之觀點而言，較佳為20～45質量%，更佳為25～40質量%。

膜10中之熱塑性樹脂係例如承擔黏合劑功能者。作為膜10具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可例舉作為雷射標記層11具有包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之組成之情形時之熱塑性樹脂於上文所述者。膜10可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。

於膜10含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元最多。作為用以形成此種丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用作為雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂之構成單體於上文所述之(甲基)丙烯酸酯。作為膜10中之丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，例如為了其凝集力或耐熱性之改質，該丙烯酸系樹脂亦可將可與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可使用作為可與雷射標記層11中之用以形成丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體於上文所述者。

膜10亦可含有填料。膜10中之填料之調配就調整膜10之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為膜10中之填料，例如可例舉作為雷射標記層11中之填料於上文所述者。膜10可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。於膜10含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～1000 nm，更佳為40～700 nm，更佳為50～500 nm。即，膜10較佳為含有奈米填料。膜10含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成就避免或抑制由於膜10中含有填料對貼合或安裝於膜10之工件產生損傷之方面而言較佳，又，就對供小片化之膜10確保較高之分斷性之方面而言較佳。又，於膜10含有填料之情形時之該填料之含量例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上。於膜10含有填料之情形時之該填料之含量較佳為未達75質量%。

於膜10具有單層構造之情形時，該膜10含有著色劑。作為膜10中之著色劑，例如可例舉作為雷射標記層11中之著色劑於上文所述者。就於膜10中之雷射標記層11側之經雷射標記之刻印部位與除該部位以外之部位之間確保較高之對比度而實現對該刻印資訊良好之視認性之方面而言，膜10較佳為含有黑色系著色劑。膜10可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，膜10中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。膜10中之著色劑之含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。與著色劑含量相關之該等構成就對藉由雷射標記而得之刻印資訊實現上述良好之視認性之方面而言較佳。

膜10亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可例舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。

於膜10具有單層構成之情形時之該膜10之厚度例如為5～40 μm。

圖3至圖7表示使用上述複合膜X之半導體裝置製造方法之一例。

於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖3(a)及圖3(b)所示，藉由研削加工將晶圓W薄化(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置而進行。晶圓W為半導體晶圓，具有第1面Wa及第2面Wb。於晶圓W之第1面Wa側已製作有各種半導體元件(省略圖示)，且於第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)。第2面Wb為所謂之裏面或背面。本步驟中，將具有黏著面T1a之晶圓加工用膠帶T1貼合於晶圓W之第1面Wa側之後，以晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T1之狀態自第2面Wb進行研削加工直至晶圓W達到特定之厚度，而獲得經薄化之晶圓30。

繼而，如圖4(a)所示，將複合膜X貼合於晶圓30及環狀框41。具體而言，對於保持於晶圓加工用膠帶T1之晶圓30及以包圍其之方式所配置之環狀框41，以複合膜X之膜10貼合於晶圓30，並且切晶帶20或其黏著劑層22貼合於環狀框41之方式進行複合膜X之貼合作業。其後，如圖4(b)所示，自晶圓30將晶圓加工用膠帶T1剝下。

繼而，自切晶帶20之基材21側對複合膜X之膜10之雷射標記層11照射雷射，進行雷射標記(雷射標記步驟)。藉由該雷射標記，對其後單片化為半導體晶片之每個半導體元件刻印文字資訊或圖形資訊等各種資訊。本步驟中，於一雷射標記製程中，可對晶圓30內之眾多半導體元件一次性且高效率地進行雷射標記。作為本步驟中所使用之雷射，例如可例舉氣體雷射及固體雷射。作為氣體雷射，例如可例舉二氧化碳雷射(CO₂ 雷射)及準分子雷射。作為固體雷射，例如可例舉Nd：YAG雷射。

繼而，於將環狀框41貼合於複合膜X之黏著劑層22上之後，將附環狀框41之複合膜X保持於裝置之保持具42，然後，如圖5所示，藉由具備切割裝置之切割刀片進行切削加工(切割步驟)。圖5中，以粗實線模式性地表示切削部位。本步驟中，晶圓30被單片化為晶片31，並且複合膜X之膜10被切斷為小片之膜10'。藉此，獲得伴隨有晶片背面保護膜形成用之膜10'之晶片31，即附膜10'之晶片31。

於切晶帶20之黏著劑層22含有放射線硬化性黏著劑之情形時，亦可於上述切割步驟之後自基材21側對黏著劑層22照射紫外線等放射線代替複合膜X之製造過程中之上述放射線照射。照射累計光量例如為50～1000 mJ/cm² 。於複合膜X中進行作為黏著劑層22之黏著力降低措施之照射之區域例如圖2所示，為黏著劑層22之膜10貼合區域內之除其周緣部以外之區域R。

繼而，視需要歷經使用水等洗淨液將伴隨有附膜10'之晶片31之切晶帶20之晶片31側洗淨之清洗步驟、或用以擴大附膜10'之晶片31間之分離距離之擴開步驟，其後，如圖6所示，自切晶帶20拾取附膜10'之晶片31(拾取步驟)。例如，於使附環狀框41之複合膜X保持於裝置之保持具42之基礎上，針對拾取對象即附膜10'之晶片31，於切晶帶20之圖中下側使拾取機構之頂銷構件43上升，隔著切晶帶20頂起後，藉由吸附治具44進行吸附保持。於拾取步驟中，頂銷構件43之頂起速度例如為1～160 mm/秒，頂銷構件43之頂起量例如為50～3000 μm。

繼而，如圖7所示，對於安裝基板51覆晶安裝附膜10'之晶片31。作為安裝基板51，例如可例舉引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、及配線基板。晶片31與安裝基板51經由凸塊52電性連接。具體而言，晶片31之於其電路形成面側具有之電極墊(省略圖示)與安裝基板51所具有之端子部(省略圖示)經由凸塊52電性連接。凸塊52例如為焊錫凸塊。又，於晶片31與安裝基板51之間介置有熱硬化性之底膠劑53。

可按照以上方式使用複合膜X製造半導體裝置。 [實施例]

[實施例1] ＜半導體背面密接膜之製作＞ 於半導體背面密接膜之製作中，首先將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」，重量平均分子量為85萬，玻璃轉移溫度Tg為12℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)80質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)34質量份、酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)119質量份、填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)250質量份、黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)33質量份、及熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)6質量份加入至甲基乙基酮中進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之接著劑組合物。繼而，於具有實施過聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上使用敷料器塗佈該接著劑組合物而形成接著劑組合物層。繼而，對該組合物層以130℃進行2分鐘之加熱使之乾燥，於PET隔離件上製作厚度25 μm之實施例1之半導體背面密接膜(形成處於未硬化狀態之熱硬化型單層之膜)。將實施例1以及下述之各實施例及比較例之各層之組成揭示於表1、2中(表1、2中，各層之組成係以成分之質量比表示)。

＜切晶帶之製作＞ 於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)19質量份、作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.4質量份、及作為聚合溶劑之甲苯80質量份之混合物以60℃於氮氣氛圍下攪拌10小時(聚合反應)。藉由該聚合反應，獲得含有丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液。繼而，於含有丙烯酸系聚合物P₁ 之該溶液中加入12質量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)，其後，以50℃於空氣氛圍下攪拌60小時(加成反應)。藉此，獲得含有側鏈具有甲基丙烯醯基之丙烯酸系聚合物P₂ 之聚合物溶液。繼而，將該聚合物溶液、相對於該聚合物溶液所包含之丙烯酸系聚合物P₂ 100質量份為0.25質量份之交聯劑(商品名「Coronate L」，聚異氰酸酯化合物，Tosoh股份有限公司製造)、2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，BASF公司製造)、及特定量之甲苯進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之黏著劑組合物。繼而，於具有實施過聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件之聚矽氧脫模處理面上使用敷料器塗佈黏著劑組合物而形成黏著劑組合物層。繼而，對該組合物層以120℃進行2分鐘之加熱乾燥，於PET隔離件上形成厚度10 μm之黏著劑層。繼而，使用貼合機將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「RB0103」，厚度125 μm，Kurabo Industries股份有限公司製造)於室溫下貼合於該黏著劑層之露出面。按照以上方式製作包含基材及紫外線硬化性之黏著劑層之積層構造之實施例1之切晶帶。將實施例1以及下述之各實施例及比較例之切晶帶(DT)黏著劑層中之交聯劑之調配量揭示於表1、2。

＜切晶帶一體型半導體背面密接膜之製作＞ 將伴隨有PET隔離件之實施例1之上述半導體背面密接膜沖切加工成直徑330 mm之圓盤形。繼而，自上述切晶帶將PET隔離件剝離，其後，使用手壓輥將該切晶帶中所露出之黏著劑層與伴隨有PET隔離件之半導體背面密接膜貼合。繼而，將以此方式與半導體背面密接膜貼合之切晶帶以切晶帶之中心與半導體背面密接膜之中心一致之方式沖切加工成直徑370 mm之圓盤形。按照以上方式製作具有包含切晶帶及半導體背面密接膜之積層構造之實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[實施例2、3] 於切晶帶黏著劑層之形成中，將交聯劑(商品名「Coronate L」)之量設為1質量份(實施例2)或5質量份(實施例3)代替0.25質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作實施例2、3之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[實施例4] 於半導體背面密接膜之製作中，將環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)之量設為52質量份代替80質量份，將環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)之量設為22質量份代替34質量份，將酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)之量設為76質量份代替119質量份，將填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)之量設為188質量份代替250質量份，將黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)之量設為25質量份代替33質量份，及將熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)之量設為4質量份代替6質量份，除此以外，以與實施例1之半導體背面密接膜相同之方式製作實施例4之半導體背面密接膜。於切晶帶黏著劑層之形成中，將交聯劑(商品名「Coronate L」)之量設為1質量份代替0.25質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶相同之方式製作實施例4之切晶帶。並且，使用實施例4之半導體背面密接膜及切晶帶代替實施例1之半導體背面密接膜及切晶帶，除此以外，以與實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作實施例4之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[實施例5] 於半導體背面密接膜之製作中，將環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)之量設為34質量份代替80質量份，將環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)之量設為15質量份代替34質量份，將酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)之量設為51質量份代替119質量份，將填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)之量設為150質量份代替250質量份，將黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)之量設為20質量份代替33質量份，及將熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)之量設為4質量份代替6質量份，除此以外，以與實施例1之半導體背面密接膜相同之方式製作實施例5之半導體背面密接膜。於切晶帶黏著劑層之形成中，將交聯劑(商品名「Coronate L」)之量設為1質量份代替0.25質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶相同之方式製作實施例5之切晶帶。並且，使用實施例5之半導體背面密接膜及切晶帶代替實施例1之半導體背面密接膜及切晶帶，除此以外，以與實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作實施例5之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[實施例6] ＜半導體背面密接膜之製作＞ 於實施例6之半導體背面密接膜之製作中，首先，分別製作形成雷射標記層(LM層)之第1膜、及形成接著層(AH層)之第2膜。

於第1膜之製作中，首先，將丙烯酸系樹脂A₁ (商品名「Teisan Resin SG-P3」，重量平均分子量為85萬，玻璃轉移溫度Tg為12℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)43質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)11質量份、酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)55質量份、填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)229質量份、黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)9質量份、及熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)11質量份加入至甲基乙基酮中進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之接著劑組合物。繼而，於具有實施過聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上使用敷料器塗佈該接著劑組合物形成接著劑組合物層。繼而，對該組合物層以130℃進行2分鐘之加熱使之乾燥，於PET隔離件上製作厚度12.5 μm之第1膜(形成經過硬化之熱硬化型層即雷射標記層之膜)。

於第2膜之製作中，首先，將丙烯酸系樹脂A₂ (商品名「Teisan Resin SG-708-6」，重量平均分子量為70萬，玻璃轉移溫度Tg為4℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)213質量份、及填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)258質量份加入至甲基乙基酮中進行混合，獲得固形物成分濃度28質量%之接著劑組合物。繼而，於具有實施過聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件之聚矽氧脫模處理面上使用敷料器塗佈該接著劑組合物形成接著劑組合物層。繼而，對該組合物層以130℃進行2分鐘之加熱使之乾燥，於PET隔離件上製作厚度12.5 μm之第2膜(形成非熱硬化型之接著層之膜)。

使用貼合機將以上述方式所製作之PET隔離件上之第1膜與PET隔離件上之第2膜貼合。具體而言，以溫度100℃及壓力0.6 MPa之條件將第1及第2膜之露出面彼此貼合。按照以上方式製作實施例1之半導體背面密接膜。

＜切晶帶之製作＞ 於切晶帶黏著劑層之形成中，將交聯劑(商品名「Coronate L」)之量設為1質量份代替0.25質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶相同之方式製作實施例6之切晶帶。

＜切晶帶一體型半導體背面密接膜之製作＞ 將伴隨有PET隔離件之實施例6之上述半導體背面密接膜沖切加工成直徑330 mm之圓盤形。繼而，自該半導體背面密接膜之第1膜側將PET隔離件剝離且自實施例6之切晶帶將PET隔離件剝離，其後，使用手壓輥將伴隨有PET隔離件之半導體背面密接膜經由其第1膜側對該切晶帶之黏著劑層進行貼合。繼而，以此方式將與半導體背面密接膜貼合之切晶帶以切晶帶之中心與半導體背面密接膜之中心一致之方式沖切加工成直徑370 mm之圓盤形。按照以上方式製作具有包含切晶帶及半導體背面密接膜之積層構造之實施例6之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[實施例7] 於形成接著層之第2膜之製作中，將填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)之量設為168質量份代替258質量份，除此以外，以與實施例6之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作實施例7之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[比較例1] 於半導體背面密接膜之製作中，將環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)之量設為10質量份代替80質量份，將環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)之量設為10質量份代替34質量份，將酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)之量設為22質量份代替119質量份，將填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)之量設為101質量份代替250質量份，將黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)之量設為9質量份代替33質量份，及將熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)之量設為4質量份代替6質量份，除此以外，以與實施例1之半導體背面密接膜相同之方式製作比較例1之半導體背面密接膜。於切晶帶黏著劑層之形成中，將交聯劑(商品名「Coronate L」)之量設為5質量份代替0.25質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶相同之方式製作比較例1之切晶帶。並且，使用比較例1之半導體背面密接膜及切晶帶代替實施例1之半導體背面密接膜及切晶帶，除此以外，以與實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作比較例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[比較例2] 於半導體背面密接膜之製作中，將環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)之量設為10質量份代替80質量份，將環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)之量設為10質量份代替34質量份，將酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)之量設為22質量份代替119質量份，將填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)之量設為101質量份代替250質量份，將黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)之量設為9質量份代替33質量份，及將熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)之量設為4質量份代替6質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作比較例2之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[比較例3] 於半導體背面密接膜之製作中，將環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，東都化成股份有限公司製造)之量設為138質量份代替80質量份，將環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)之量設為138質量份代替34質量份，將酚樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)之量設為291質量份代替119質量份，將填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)之量設為471質量份代替250質量份，將黑色系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)之量設為40質量份代替33質量份，及將熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成工業股份有限公司製造)之量設為17質量份代替6質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作比較例3之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[比較例4] 於第2膜之製作中，將填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)之量設為313質量份代替258質量份，除此以外，以與實施例6之半導體背面密接膜相同之方式製作比較例4之半導體背面密接膜。於切晶帶黏著劑層之形成中將交聯劑(商品名「Coronate L」)之量設為5質量份代替0.25質量份，除此以外，以與實施例1之切晶帶相同之方式製作比較例4之切晶帶。並且，使用比較例4之半導體背面密接膜及切晶帶代替實施例6之半導體背面密接膜及切晶帶，除此以外，以與實施例6之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作比較例4之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

[比較例5] 於第2膜之製作中，將填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)之量設為78質量份代替258質量份，除此以外，以與實施例6之半導體背面密接膜相同之方式製作比較例5之半導體背面密接膜。並且，使用比較例5之半導體背面密接膜及與實施例1之切晶帶相同之切晶帶代替實施例6之半導體背面密接膜及切晶帶，除此以外，以與實施例6之切晶帶一體型半導體背面密接膜相同之方式製作比較例5之切晶帶一體型半導體背面密接膜。

＜第1剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜，對25℃時之切晶帶與半導體背面密接膜之間之剝離黏著力進行測定。首先，使用手壓輥將襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)貼合於切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜側。繼而，自該伴隨有襯底膠帶之切晶帶一體型半導體背面密接膜切取寬度20 mm及長度200 mm之尺寸之試片(第1試片)。繼而，將該試片之切晶帶側經由強黏著力之兩面黏著帶貼附於矽晶圓。並且，針對該試片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行剝離試驗，測定出切晶帶與半導體背面密接膜之間之第1剝離黏著力F₁ (N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為25℃，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。將其結果揭示於表1、2中。

＜第2剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜之工件貼合面，研究對矽晶圓之25℃時之剝離黏著力。首先，自切晶帶一體型半導體背面密接膜中切晶帶之基材之側對黏著劑層照射累計照射光量300 mJ/cm² 之紫外線使黏著劑層硬化，其後，自該切晶帶一體型半導體背面密接膜之切晶帶將半導體背面密接膜剝離。繼而，於所剝離之半導體背面密接膜之切晶帶側表面(藉由剝離所露出之側之面)貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)。繼而，自該貼合體切取具有半導體背面密接膜與襯底膠帶之積層構造之寬度20 mm×長度200 mm之尺寸之試片(第1半導體背面密接膜試片)。繼而，針對載置於70℃之加熱板上之具有藉由2000號之研削材進行過拋光之研磨面(鏡面拋光面)之矽晶圓(直徑8英吋，厚度500 μm)，於確認其表面溫度為70℃之後，於該矽晶圓之鏡面拋光面貼合試片之半導體背面密接膜側之面。貼合係藉由使2 kg之手壓輥往返2次之壓接作業而進行。貼合之後，將伴隨有試片之該晶圓於加熱板上靜置1分鐘。並且，針對該試片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行剝離試驗，測定出試片(第1半導體背面密接膜試片)與矽晶圓平面之間之第2剝離黏著力F₂ (N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為25℃，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。將其結果揭示於表1、2中。關於該剝離試驗中於襯底膠帶(商品名「BT-315」)與半導體背面密接膜之界面產生剝離之情形時，將第2剝離黏著力F₂ 超過8 N/20 mm之要點示於表內(關於測定半導體背面密接膜與矽晶圓之間之剝離黏著力之後記剝離試驗之測定結果亦相同)。

＜第3剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜，對60℃時之切晶帶與半導體背面密接膜之間之剝離黏著力進行測定。具體而言，以與第1剝離黏著力測定用之試片相同之方式製作第3剝離黏著力測定用之試片(第2試片)，針對該試片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行剝離試驗，測定出切晶帶與半導體背面密接膜之間之第3剝離黏著力F₃ (N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為60℃，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。將其結果揭示於表1、2中。

＜第4剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜之工件貼合面，研究對矽晶圓之60℃時之剝離黏著力。具體而言，以與第2剝離黏著力測定用之試片相同之方式製作第3剝離黏著力測定用之試片(第2半導體背面密接膜試片)，將剝離試驗中之測定溫度設為60℃代替25℃，除此以外，與關於第2剝離黏著力測定於上文所述者相同地進行對矽晶圓之半導體背面密接膜試片之貼合至剝離試驗，測定出試片與矽晶圓平面之間之第4剝離黏著力F₄ (N/20 mm)。將其結果揭示於表1、2中。

＜25℃時之對晶圓密接性評價＞ 對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜之25℃時之對矽晶圓之密接性進行研究。首先，使用貼合機於具有藉由2000號之研削材進行過拋光之研磨面(鏡面拋光面)之矽晶圓(直徑8英吋，厚度500 μm)之鏡面拋光面貼合切晶帶一體型半導體背面密接膜，其後，將附切晶帶一體型半導體背面密接膜之矽晶圓於室溫環境下靜置20分鐘。於貼合中，溫度為70℃，貼合速度為10 mm/min，壓力為0.15 MPa。繼而，將附切晶帶一體型半導體背面密接膜之矽晶圓以該晶圓與加熱板面接觸之態樣置於25℃之加熱板上，於其30秒後，用手緩慢地拉拽切晶帶一體型半導體背面密接膜之切晶帶以進行用以自晶圓剝下之剝離作業。該剝離作業中，切晶帶之剝離角度係設為落入100°～180°之範圍之程度，拉伸速度為1～300 mm/min左右。關於半導體背面密接膜之25℃時之對晶圓密接性，將藉由剝離作業於切晶帶與半導體背面密接膜之界面產生剝離之情形評價為“良”，將藉由剝離作業於半導體背面密接膜與矽晶圓之界面產生剝離之情形評價為“不良”。將其評價結果揭示於表1、2中。

＜60℃時之對晶圓剝離性評價＞ 對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜之60℃時之自矽晶圓之剝離性進行研究。具體而言，將加熱板之溫度設為60℃代替25℃，除此以外，與關於晶圓之下25℃之密接性評價於上文所述者相同地進行於矽晶圓之切晶帶一體型半導體背面密接膜之貼合至剝離作業。關於半導體背面密接膜之60℃時之對晶圓剝離性，將藉由剝離作業於半導體背面密接膜與矽晶圓之界面產生剝離之情形評價為“良”，將藉由剝離作業於切晶帶與半導體背面密接膜之界面產生剝離之情形評價為“不良”。將其評價結果揭示於表1、2中。

＜第5剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜，對歷經特定加熱處理後之25℃時之切晶帶與半導體背面密接膜之間之剝離黏著力進行測定。首先，於恆溫槽內，將切晶帶一體型半導體背面密接膜於80℃時進行1小時之加熱處理。繼而，使用手壓輥於20分鐘之放置冷卻後之切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體背面密接膜側貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)。繼而，自該伴隨有襯底膠帶之切晶帶一體型半導體背面密接膜切取寬度20 mm及長度200 mm之尺寸之試片(第3試片)。並且，針對該試片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行剝離試驗，測定出切晶帶與半導體背面密接膜之間之第5剝離黏著力F₅ (N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為25℃，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。將其結果揭示於表1、2中。

＜第6剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜之工件貼合面，對歷經特定加熱處理後之25℃時之對矽晶圓之剝離黏著力進行研究。首先，自切晶帶一體型半導體背面密接膜中切晶帶之基材之側對黏著劑層照射累計照射光量300 mJ/cm² 之紫外線使黏著劑層硬化，其後，自該切晶帶一體型半導體背面密接膜之切晶帶將半導體背面密接膜剝離。繼而，於所剝離之半導體背面密接膜之切晶帶側表面(藉由剝離所露出之側之面)貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)。繼而，自該貼合體切取具有半導體背面密接膜與襯底膠帶之積層構造之寬度20 mm×長度200 mm之尺寸之試片(第3半導體背面密接膜試片)。繼而，針對載置於70℃之加熱板上之具有藉由2000號之研削材進行過拋光之研磨面(鏡面拋光面)之矽晶圓(直徑8英吋，厚度500 μm)，於確認其表面溫度為70℃之後，於該矽晶圓之鏡面拋光面貼合試片之半導體背面密接膜側之面，其後，將伴隨有試片之該晶圓於加熱板上靜置1分鐘。貼合係藉由使2 kg之手壓輥往返2次之壓接作業而進行。繼而，於恆溫槽內，將伴隨有試片之該晶圓於80℃時進行1小時之加熱處理。並且，於20分鐘之放置冷卻之後，針對該試片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行剝離試驗，測定出試片(第3半導體背面密接膜試片)與矽晶圓平面之間之第6剝離黏著力F₆ (N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為25℃，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。將其結果揭示於表1、2中。

＜第7剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜，對歷經特定加熱處理後之60℃時之切晶帶與半導體背面密接膜之間之剝離黏著力進行測定。具體而言，以與第5剝離黏著力測定用之試片相同之方式製作第3剝離黏著力測定用之試片(第4試片)，針對該試片，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行剝離試驗，測定出切晶帶與半導體背面密接膜之間之第7剝離黏著力F₇ (N/20 mm)。於本測定中，將溫度條件設為60℃，將剝離角度設為180°，將拉伸速度設為300 mm/min。將其結果揭示於表1、2中。

＜第8剝離黏著力＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜之工件貼合面，對歷經特定加熱處理後之60℃時之對矽晶圓之剝離黏著力進行研究。具體而言，以與第6剝離黏著力測定用之試片相同之方式製作第8剝離黏著力測定用之試片(第4半導體背面密接膜試片)，將剝離試驗中之測定溫度設為60℃代替25℃，除此以外，以與關於第6剝離黏著力測定於上文所述者相同地進行自對矽晶圓之半導體背面密接膜試片之貼合至剝離試驗，測定出試片(第4半導體背面密接膜試片)與矽晶圓平面之間之第8剝離黏著力F₈ (N/20 mm)。將其結果揭示於表1、2中。

＜加熱處理後之25℃時之對晶圓密接性評價＞ 針對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜，對歷經特定加熱處理後之25℃時之對矽晶圓之密接性進行研究。首先，使用貼合機於具有藉由2000號之研削材進行過拋光之研磨面(鏡面拋光面)之矽晶圓(直徑8英吋，厚度500 μm)之鏡面拋光面貼合切晶帶一體型半導體背面密接膜。於該貼合中，溫度為70℃，貼合速度為1 m/min，壓力為0.15 MPa。繼而，於恆溫槽內，將附切晶帶一體型半導體背面密接膜之矽晶圓於80℃時進行1小時之加熱處理。其後，將附切晶帶一體型半導體背面密接膜之矽晶圓於室溫環境下放置冷卻20分鐘。繼而，將附切晶帶一體型半導體背面密接膜之矽晶圓以該晶圓與加熱板面接觸之態樣置於25℃之加熱板上，於其30秒後，用手緩慢地拉拽切晶帶一體型半導體背面密接膜之切晶帶以進行用以自晶圓剝下之剝離作業。該剝離作業中，切晶帶之剝離角度係設為落入100°～180°之範圍之程度，拉伸速度為1～300 mm/min左右。關於半導體背面密接膜之加熱處理後之25℃時之對晶圓密接性，將藉由剝離作業於切晶帶與半導體背面密接膜之界面產生剝離之情形評價為“良”，將藉由剝離作業於半導體背面密接膜與矽晶圓之界面產生剝離之情形評價為“不良”。將其評價結果揭示於表1、2中。

＜加熱處理後之60℃時之對晶圓剝離性評價＞ 對實施例1～7及比較例1～5之各切晶帶一體型半導體背面密接膜中之半導體背面密接膜之歷經特定加熱處理後之60℃時之自矽晶圓之剝離性進行研究。具體而言，將加熱板之溫度設為60℃代替25℃，除此以外，與關於對晶圓之25℃時之密接性評價於上文所述者相同地進行於矽晶圓之切晶帶一體型半導體背面密接膜之貼合至剝離作業。關於半導體背面密接膜之加熱處理後之60℃時之對晶圓剝離性，將藉由剝離作業於切晶帶與半導體背面密接膜之界面產生剝離之情形評價為“良”，將藉由剝離作業於半導體背面密接膜與矽晶圓之界面產生剝離之情形評價為“不良”。將其評價結果揭示於表1、2中。

[表1]

	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	實施例6
半導體背面密接膜之層構成	單層	單層	單層	單層	單層	LM層	AH層
丙烯酸系樹脂A1 (Teisan Resin SG-P3)	100	100	100	100	100	100	-
丙烯酸系樹脂A2 (Teisan Resin SG-708-6)	-	-	-	-	-	-	100
環氧樹脂E1 (KI-3000-4)	80	80	80	52	34	43	-
環氧樹脂E2 (JER YL980)	34	34	34	22	15	11	-
酚樹脂(MEH-7851SS)	119	119	119	76	51	55	213
填料(SO-25R)	250	250	250	188	150	229	258
黑色系染料(OIL BLACK BS)	33	33	33	25	20	9	-
熱硬化觸媒(2PHZ-PW)	6	6	6	4	4	11	-
DT黏著劑層之交聯劑(Coronate L)	0.25	1	5	1	1	1
第1剝離黏著力F1 (N/20 mm)	2.5	1.5	0.25	1.4	1.3	1.2
第2剝離黏著力F2 (N/20 mm)	8＜	8＜	8＜	8＜	8＜	8＜
第3剝離黏著力F3 (N/20 mm)	2.0	1.2	0.22	1.0	1.1	1.0
第4剝離黏著力F4 (N/20 mm)	0.17	0.17	0.17	0.10	0.05	0.06
25℃下之對晶圓密接性評價	良(F1 ＜F2 )	良(F1＜F2 )	良(F1 ＜F2 )	良(F1 ＜F2 )	良(F1 ＜F2 )	良(F1 ＜F2 )
60℃時之對晶圓剝離性評價	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )
第5剝離黏著力F5 (N/20 mm)	2.5	1.5	0.25	1.4	1.3	1.2
第6剝離黏著力F6 (N/20 mm)	8＜	8＜	8＜	8＜	8＜	8＜
第7剝離黏著力F7 (N/20 mm)	2.0	1.2	0.22	1.0	1.1	1.0
第8剝離黏著力F8 (N/20 mm)	8＜	8＜	8＜	8＜	8＜	8＜
加熱處理後之25℃時之對晶圓密接性評價	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )
加熱處理後之60℃時之對晶圓剝離性評價	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )

[表2]

	實施例7	比較例1	比較例2	比較例3	比較例4	比較例5
半導體背面密接膜之層構成	LM層	AH層	單層	單層	單層	LM層	AH層	LM層	AH層
丙烯酸系樹脂A1 (Teisan Resin SG-P3)	100	-	100	100	100	100	-	100	-
丙烯酸系樹脂A2 (Teisan Resin SG-708-6)	-	100	-	-	-	-	100	-	100
環氧樹脂E1 (KI-3000-4)	43	-	10	10	138	43	-	43	-
環氧樹脂E2 (JER YL980)	11	-	10	10	138	11	-	11	-
酚樹脂(MEH-7851SS)	55	213	22	22	291	55	213	55	213
填料(SO-25R)	229	168	101	101	471	229	313	229	78
黑色系染料(OIL BLACK BS)	9	-	9	9	40	9	-	9	-
熱硬化觸媒(2PHZ-PW)	11	-	4	4	17	11	-	11	-
DT黏著劑層之交聯劑(Coronate L)	1	5	0.25	0.25	5	0.25
第1剝離黏著力F1 (N/20 mm)	1.2	0.22	2.3	2.6	0.26	2.5
第2剝離黏著力F2 (N/20 mm)	8＜	0.15	0.15	8＜	0.13	8＜
第3剝離黏著力F3 (N/20 mm)	1.0	0.20	2.0	2.3	0.23	2.0
第4剝離黏著力F4 (N/20 mm)	0.15	0.10	0.10	7.0	0.10	7
25℃時之對晶圓密接性評價	良(F1 ＜F2 )	不良	不良	良(F1 ＜F2 )	不良	良(F1 ＜F2 )
60℃時之對晶圓剝離性評價	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )	良(F3 ＞F4 )	不良	良(F3 ＞F4 )	不良
第5剝離黏著力F5 (N/20 mm)	1.2	0.22	2.3	2.6	0.26	2.5
第6剝離黏著力F6 (N/20 mm)	8＜	2.5	3.0	8＜	5	8＜
第7剝離黏著力F7 (N/20 mm)	1.0	0.20	2.0	2.0	0.23	2.0
第8剝離黏著力F8 (N/20 mm)	8＜	1.6	2.4	8＜	4.0	8＜
加熱處理後之25℃時之對晶圓密接性評價	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )	良(F5 ＜F6 )
加熱處理後之60℃時之對晶圓剝離性評價	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )	不良	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )	良(F7 ＜F8 )

10:膜(半導體背面密接膜) 10':膜(半導體背面密接膜) 11:雷射標記層 12:接著層 12a:工件密接面 20:切晶帶 21:基材 22:黏著劑層 22a:黏著面 30:晶圓 31:晶片 41:環狀框 42:保持具 43:頂銷構件 44:吸附治具 51:安裝基板 52:凸塊 53:底膠劑 R:照射區域 T1:晶圓加工用膠帶 T1a:黏著面 W:晶圓 Wa:第1面 Wb:第2面 X:複合膜(切晶帶一體型半導體背面密接膜)

圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型半導體背面密接膜之俯視圖。 圖2係本發明之一實施形態之切晶帶一體型半導體背面密接膜之剖面模式圖。 圖3(a)、(b)係表示使用圖1及圖2所示之切晶帶一體型半導體背面密接膜之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖4(a)、(b)係表示繼圖3所示之步驟之後之步驟。 圖5係表示繼圖4所示之步驟之後之步驟。 圖6係表示繼圖5所示之步驟之後之步驟。 圖7係表示繼圖6所示之步驟之後之步驟。

10:膜(半導體背面密接膜)

11:雷射標記層

12:接著層

12a:工件密接面

20:切晶帶

21:基材

22:黏著劑層

22a:黏著面

R:照射區域

X:複合膜(切晶帶一體型半導體背面密接膜)

Claims (9)

1. 一種切晶帶一體型半導體背面密接膜，其具備：具有包含基材及黏著劑層之積層構造之切晶帶、及 與上述切晶帶之上述黏著劑層可剝離地密接之半導體背面密接膜；且 相較於第1試片之上述切晶帶與上述半導體背面密接膜之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第1剝離黏著力，於70℃下對矽晶圓平面貼合之第1半導體背面密接膜試片與上述矽晶圓平面之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第2剝離黏著力更大； 相較於第2試片之上述切晶帶與上述半導體背面密接膜之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第3剝離黏著力，於70℃下對矽晶圓平面貼合之第2半導體背面密接膜試片與上述矽晶圓平面之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第4剝離黏著力更小。
2. 如請求項1之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述第1剝離黏著力為0.2～3 N/20 mm。
3. 如請求項1或2之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述第2剝離黏著力為3 N/20 mm以上。
4. 如請求項1或2之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述第3剝離黏著力為0.2～3 N/20 mm。
5. 如請求項1或2之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述第4剝離黏著力為0.2 N/20 mm以下。
6. 如請求項1或2之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中相較於歷經80℃、1小時之加熱處理之第3試片之上述切晶帶與上述半導體背面密接膜之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第5剝離黏著力，歷經70℃下對矽晶圓平面之貼合及其後之80℃、1小時之加熱處理之第3半導體背面密接膜試片與上述矽晶圓平面之間之以25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第6剝離黏著力更大。
7. 如請求項6之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述第6剝離黏著力為3 N/20 mm以上。
8. 如請求項1或2之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中相較於歷經80℃、1小時之加熱處理之第4試片之上述切晶帶與上述半導體背面密接膜之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第7剝離黏著力，歷經70℃下對矽晶圓平面之貼合及其後之80℃、1小時之加熱處理之第4半導體背面密接膜試片與上述矽晶圓平面之間之以60℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件進行之剝離試驗中所測得的第8剝離黏著力更大。
9. 如請求項8之切晶帶一體型半導體背面密接膜，其中上述第8剝離黏著力為3 N/20 mm以上。

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