TW201906962A - 切晶帶一體型背面保護膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種切晶帶(DT)一體型背面保護膜，其適於在用以於DT上將晶圓單片化為晶片之刀片切割中抑制於晶片側面產生龜裂，並且實現附背面保護膜之晶片自DT之良好之拾取。 本發明之DT一體型背面保護膜X具備作為背面保護膜之膜10與切晶帶20。膜10具有包含雷射標記層11與接著劑層12之積層構造，且以雷射標記層側密接於切晶帶20所具有之黏著劑層22。關於在120℃下經過2小時加熱處理之膜10，於特定條件下對寬度10 mm之膜試片所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上。膜10與黏著劑層22之間於在特定條件下之剝離試驗中可顯示出0.1 N/20 mm以下之黏著力。

Description

切晶帶一體型背面保護膜

本發明係關於一種可於半導體裝置之製造過程中使用之切晶帶一體型背面保護膜。

於具備經覆晶安裝之半導體晶片之半導體裝置之製造中，有時使用用以於該晶片之所謂背面形成保護膜之膜(背面保護膜)。此種背面保護膜有以與切晶帶一體化之形態提供之情形。

先前之切晶帶一體型背面保護膜例如具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶及以能夠剝離之方式密接於其黏著劑層之熱硬化性背面保護膜。此種切晶帶一體型背面保護膜例如以如下方式使用。首先，將切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜面貼合於作為工件之半導體晶圓。其次，藉由加熱使背面保護膜熱硬化以提高背面保護膜對該晶圓之密接力(硬化步驟)。其次，於在切晶帶一體型背面保護膜保持有該晶圓之狀態下，進行用以將晶圓單片化為晶片之刀片切割(切晶步驟)。於切晶步驟中，對晶圓與密接於其之背面保護膜沿晶圓上之切斷預定線進行利用切割刀片之切削。藉此，於切晶帶上，將晶圓切斷而單片化為晶片，並且將背面保護膜切斷為相當於晶片之尺寸之膜小片。即，經過切晶步驟所獲得之晶片獲得伴有用以於其背面形成保護膜之膜的形態。其次，於經過洗淨步驟後，自切晶帶上拾取附膜晶片(拾取步驟)。此時，必須將拾取對象之附膜晶片中之膜自切晶帶之黏著劑層適當地剝離。先前之切晶帶一體型背面保護膜例如以如上方式使用。關於與此種切晶帶一體型背面保護膜相關之技術，例如記載於下述專利文獻1、2中。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-151360號公報 [專利文獻2]國際公開第2014/092200號

[發明所欲解決之問題]

關於上述切晶步驟，已知有於受到利用切割刀片之切削加工之晶圓之背面保護膜側之區域產生龜裂之情形，或背面保護膜對晶圓之密接力或固定保持力越低，則越容易產生此種龜裂。認為因利用切割刀片之切削加工時之衝擊或摩擦而形成於晶圓切斷面即晶片側面之微小缺口(碎屑)或微小裂縫於背面保護膜固定保持晶圓之力不充分之情形時會成長為龜裂。因此，於先前之切晶帶一體型背面保護膜之使用過程中，如上所述必須進行用以提高背面保護膜對晶圓之密接力之硬化步驟。

然而，於上述硬化步驟中，藉由使背面保護膜熱硬化，該膜對晶圓之密接力提高，但背面保護膜對切晶帶或其黏著劑層之密接力亦上升。此種密接力之上升於硬化步驟之後之拾取步驟中，有阻礙附膜晶片之膜自切晶帶黏著劑層之剝離之情形，因此，有阻礙附膜晶片之拾取之情形。

本發明係基於如上情況而想出者，其目的在於提供一種切晶帶一體型背面保護膜，其適於在用以於切晶帶上將晶圓單片化為晶片之刀片切割中抑制晶片於側面產生龜裂，並且實現附背面保護膜之晶片自切晶帶之良好之拾取。 [解決問題之技術手段]

根據本發明，提供一種切晶帶一體型背面保護膜。該切晶帶一體型背面保護膜具備切晶帶及背面保護膜。切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造。背面保護膜具有包含用以構成標記對象面之雷射標記層與用以構成工件貼合面之接著劑層之積層構造，且於雷射標記層側以能夠剝離之方式密接於切晶帶之黏著劑層。於該背面保護膜在120℃下經過2小時加熱處理之情形時，於初期夾頭間距離22.5 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/分鐘之條件下對寬度10 mm之背面保護膜試片所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上，較佳為0.75 GPa以上，更佳為1 GPa以上。背面保護膜試片之厚度例如為25 μm。與此同時，背面保護膜與切晶帶之黏著劑層之間於在23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中，可顯示出0.1 N/20 mm以下、較佳為0.08 N/20 mm以下、更佳為0.06 N/20 mm以下之黏著力。此種構成之切晶帶一體型背面保護膜可於半導體裝置之製造過程中用於獲得伴有晶片背面保護膜形成用膜之半導體晶片。

如上所述，本切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜具有包含密接於切晶帶之黏著劑層之雷射標記層與用以構成工件貼合面之接著劑層之積層構造。即，於本切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜中，密接於切晶帶之層與用以構成工件貼合面之層不同。此種背面保護膜適於採用如下積層構造，即，藉由在120℃下進行2小時之加熱處理，用以構成工件貼合面之接著劑層發生熱硬化，另一方面，密接於切晶帶之雷射標記層實質上不發生熱硬化。背面保護膜中不會藉由在120℃下進行2小時加熱處理而實質上發生熱硬化之層包含已硬化之熱硬化型層。

如上所述，於本切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜在120℃下經過2小時加熱處理之情形時，於初期夾頭間距離22.5 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/分鐘之條件下對寬度10 mm之背面保護膜試片所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上，較佳為0.75 GPa以上，更佳為1 GPa以上。此種構成於切晶帶一體型背面保護膜中適於確保切晶步驟所要求之對晶圓之固定保持力。藉由在120℃下對背面保護膜進行2小時加熱處理而可獲得如上所述般相對較高之拉伸儲存彈性模數的構成適於在將本切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜面貼合於半導體晶圓後使該背面保護膜熱硬化而實現較高之對晶圓之固定保持力。具備適於確保切晶步驟所要求之對晶圓之固定保持力之該構成的本切晶帶一體型背面保護膜適於在用以於切晶帶上將晶圓單片化為晶片之刀片切割中抑制於晶片側面產生龜裂。而且，同時具備適於確保切晶步驟所要求之對晶圓之固定保持力之構成與適於採用積層構造之上述構成的本切晶帶一體型背面保護膜適於抑制該背面保護膜對切晶帶之密接力之上升並且藉由加熱處理確保對晶圓之固定保持力，該積層構造係藉由在120℃下進行2小時加熱處理，接著劑層發生熱硬化，另一方面，雷射標記層實質上不發生熱硬化。背面保護膜中於進行用以確保對晶圓之固定保持力之加熱處理時抑制對切晶帶之密接力之上升之構成有助於在拾取步驟中自切晶帶適當地拾取附背面保護膜之晶片。

如上所述，本切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜(上述加熱處理前之背面保護膜)與切晶帶之黏著劑層之間於在23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中，可顯示出0.1 N/20 mm以下、較佳為0.8 N/20 mm以下、更佳為0.6 N/20 mm以下之黏著力。於切晶帶之黏著劑層為含有放射線硬化性黏著劑之硬化型黏著劑層之情形時，以背面保護膜與硬化後黏著劑層之間之黏著力採用該等值之方式構成本切晶帶一體型背面保護膜。同時具備背面保護膜與切晶帶黏著劑層之間之此種低黏著力之構成、及適於採用積層構造之上述構成的本切晶帶一體型背面保護膜適於在對該背面保護膜進行用以確保對晶圓之固定保持力之加熱處理時抑制對切晶帶之密接力之上升，並且在拾取步驟中實現附背面保護膜之晶片自切晶帶之良好之拾取，該積層構造係藉由在120℃下進行2小時加熱處理，接著劑層發生熱硬化，另一方面，雷射標記層實質上不發生熱硬化。

如以上所述，本發明之切晶帶一體型背面保護膜適於在用以於切晶帶上將晶圓單片化為晶片之刀片切割中抑制於晶片側面產生龜裂，並且實現附背面保護膜之晶片自切晶帶之良好之拾取。

於本切晶帶一體型背面保護膜中，較佳為雷射標記層為經硬化之熱硬化型層，且接著劑層具有熱硬化性。即，較佳為雷射標記層為經硬化過之熱硬化型層，且接著劑層為未硬化狀態之熱硬化型層。此種構成適於在背面保護膜中實現如下積層構造，即，藉由在120℃下進行2小時加熱處理，用以構成工件貼合面之接著劑層發生熱硬化，另一方面，密接於切晶帶之雷射標記層實質上不發生熱硬化。

本切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜於升溫速度10℃/分鐘下之示差掃描熱量測定中之在50～200℃之範圍內之放熱量較佳為40 J/g以下，更佳為35 J/g以下，更佳為30 J/g以下。此種構成於背面保護膜之雷射標記層為經硬化過之熱硬化型層且接著劑層為未硬化狀態之熱硬化型層之情形時，例如於在對該背面保護膜進行用以確保對晶圓之固定保持力之加熱處理時抑制對切晶帶之密接力之上升之方面上較佳，因此有助於在拾取步驟中實現附背面保護膜之晶片之良好之拾取。

於本切晶帶一體型背面保護膜中，雷射標記層之厚度相對於接著劑層之厚度之比的值比的值較佳為1以上，更佳為1.5以上，更佳為2以上。於背面保護膜之雷射標記層為經硬化過之熱硬化型層且接著劑層為未硬化狀態之熱硬化型層之情形時，例如有經硬化過之雷射標記層之厚度於背面保護膜整體之厚度中之比率越大，則越可於刀片切割中抑制於晶片側面產生龜裂之傾向。

圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型背面保護膜X之剖視模式圖。切晶帶一體型背面保護膜X係可於用以獲得伴有半導體晶片背面保護膜形成用之相當於晶片之尺寸之膜的半導體晶片之過程中使用者，具有包含膜10與切晶帶20之積層構造。膜10係貼合於作為工件之半導體晶圓之電路非形成面即背面之背面保護膜。切晶帶20具有包含基材21與黏著劑層22之積層構造。黏著劑層22於膜10側具有黏著面22a。膜10以能夠剝離之方式密接於黏著劑層22或其黏著面22a。又，切晶帶一體型背面保護膜X具有與作為工件之半導體晶圓對應之尺寸之圓盤形狀。

作為背面保護膜之膜10具有包含雷射標記層11與接著劑層12之積層構造。雷射標記層11於膜10中位於切晶帶20側且密接於切晶帶20或其黏著劑層22。於半導體裝置之製造過程中，對雷射標記層11之切晶帶20側之表面施以雷射標記。又，於本實施形態中，雷射標記層11係含有熱硬化性成分之熱硬化型層，且處於已熱硬化之狀態。接著劑層12於膜10中位於供貼合工件之側，於本實施形態中為處於未硬化狀態之熱硬化型層。

膜10中之雷射標記層11可具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有包含伴有可與硬化劑反應而產生鍵之熱硬化性官能基的熱塑性樹脂之組成。

作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。雷射標記層11可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂存在可能導致由膜10以下述方式形成之背面保護膜之保護對象即半導體晶片之腐蝕的離子性雜質等之含量較少之傾向，因此作為膜10之雷射標記層11中之熱硬化性樹脂較佳。又，作為用以使環氧樹脂表現出熱硬化性之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂。作為環氧樹脂，亦可列舉乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂、及縮水甘油胺型環氧樹脂。又，雷射標記層11可含有一種環氧樹脂，亦可含有兩種以上之環氧樹脂。

酚樹脂係作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，作為此種酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂。又，作為該酚樹脂，亦可列舉：可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為雷射標記層11中之酚樹脂尤佳者為苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂。又，雷射標記層11可含有一種酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可含有兩種以上之酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑。

於雷射標記層11含有環氧樹脂及作為其硬化劑之酚樹脂之情形時，兩種樹脂係以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量的比率調配。此種構成於在雷射標記層11之硬化時使該環氧樹脂及酚樹脂之硬化反應充分進行之方面上較佳。

就使雷射標記層11適當地硬化之觀點而言，雷射標記層11中之熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。

雷射標記層11中之熱塑性樹脂係例如承擔黏合劑功能者，作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。雷射標記層11可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為雷射標記層11中之熱塑性樹脂較佳。

雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。

作為用以構成丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系樹脂之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，丙烯酸系樹脂可使用於形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。

關於丙烯酸系樹脂，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可將能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可列舉含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。作為含羧基單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含環氧基單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，例如可列舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。

雷射標記層11中所含之丙烯酸系樹脂較佳為適當選自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、及丙烯酸中之單體之共聚物。此種構成於作為背面保護膜之膜10中，於同時實現利用雷射標記之刻印資訊之視認性與用於割斷用延伸步驟之情形時之良好之割斷性之方面上較佳。

於雷射標記層11具有包含伴有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以構成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與上文中作為雷射標記層11中含有之丙烯酸系樹脂之構成單體敍述者相同之(甲基)丙烯酸酯。關於用以構成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可含有源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可使用上文中作為能夠與用以構成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體敍述者。另一方面，作為用以構成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。於該等中，可適宜地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可適宜地使用含有縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含有羧基之丙烯酸系樹脂。又，對應於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用與上文中作為環氧樹脂用硬化劑敍述者相同之酚樹脂。

用以形成雷射標記層11之組合物較佳為含有熱硬化觸媒。對雷射標記層形成用組合物調配熱硬化觸媒於在雷射標記層11之硬化時使樹脂成分之硬化反應充分進行、或提高硬化反應速度之方面上較佳。作為此種熱硬化觸媒，例如可列舉咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵代硼烷系化合物。作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。作為三苯基膦系化合物，例如可列舉：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、溴化四苯基鏻、溴化甲基三苯基鏻、氯化甲基三苯基鏻、氯化甲氧基甲基三苯基鏻、及氯化苄基三苯基鏻。三苯基膦系化合物亦包含一併具有三苯基膦結構與三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻四對甲苯基硼酸酯、苄基三苯基鏻四苯基硼酸酯、及三苯基膦三苯基硼烷。作為胺系化合物，例如可列舉：單乙醇胺三氟硼酸酯及二氰基二醯胺。作為三鹵代硼烷系化合物，例如可列舉三氯硼烷。雷射標記層形成用組合物可含有一種熱硬化觸媒，亦可含有兩種以上之熱硬化觸媒。

雷射標記層11亦可含有填料。對雷射標記層11調配填料於調整雷射標記層11之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面上較佳。作為填料，可列舉無機填料及有機填料。作為無機填料之構成材料，例如可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、及非晶質二氧化矽。作為無機填料之構成材料，亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等單質金屬、或合金、非晶形碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、及聚酯醯亞胺。雷射標記層11可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、片狀等各種形狀。雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～500 nm，更佳為40～400 nm，更佳為50～300 nm。即，雷射標記層11較佳為含有奈米填料。雷射標記層11含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成於確保會變成小片化之膜10之較高之分斷性或較高之割斷性之方面上較佳。填料之平均粒徑例如可使用光度式粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)求出。又，雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之含量較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。該含量較佳為50質量%以下，更佳為47質量%以下，更佳為45質量%以下。

雷射標記層11於本實施形態中含有著色劑。著色劑可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，例如可列舉黑系著色劑、青色系著色劑、洋紅系著色劑、及黃色系著色劑。就實現藉由雷射標記刻印於雷射標記層11之資訊之較高之視認性之方面，雷射標記層11較佳為含有黑系著色劑。作為黑系著色劑，例如可列舉：碳黑、石墨(black lead)、氧化銅、二氧化錳、偶氮甲鹼偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色染料、及偶氮系有機黑色染料。作為碳黑，例如可列舉：爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、及燈黑。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、及C.I.溶劑黑70。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、及C.I.直接黑71。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、及C.I.酸性黑154。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、及C.I.分散黑24。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.顏料黑1及C.I.顏料黑7。雷射標記層11可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，雷射標記層11中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成於實現藉由雷射標記刻印於雷射標記層11之資訊之較高之視認性之方面上較佳。

雷射標記層11亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。作為阻燃劑，例如可列舉三氧化銻、五氧化銻、及溴化環氧樹脂。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。作為離子捕捉劑，例如可列舉：鋁碳酸鎂類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 600」)、及矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 700」)。於金屬離子之間可形成錯合物之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉三唑系化合物、四唑系化合物、及聯吡啶系化合物。於該等中，就於金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2,3-二羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、2-乙基己基-3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、及3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯。又，氫醌化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、及鄰苯三酚。

膜10中之接著劑層12可具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有包含伴有可與硬化劑進行反應而產生鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成。於接著劑層12具有包含伴有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，該接著劑層12無需進而含有熱硬化性樹脂。

作為接著劑層12具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。接著劑層12可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂具有可能導致由膜10以下述方式形成之背面保護膜之保護對象即半導體晶片之腐蝕的離子性雜質等之含量較少之傾向，因此作為膜10之接著劑層12中之熱硬化性樹脂較佳。

作為接著劑層12中之環氧樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂即環氧樹脂敍述者。苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂由於與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充分且耐熱性優異，故而作為接著劑層12中之環氧樹脂較佳。

作為可作為接著劑層12中之環氧樹脂之硬化劑發揮作用之酚樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之環氧樹脂之硬化劑即酚樹脂敍述者。接著劑層12可含有一種酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可含有兩種以上之酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑。

於接著劑層12含有環氧樹脂及作為其硬化劑之酚樹脂之情形時，兩樹脂係以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量之比率調配。此種構成於進行接著劑層12之硬化時使該環氧樹脂及酚樹脂之硬化反應充分進行之方面上較佳。

就使接著劑層12適當硬化之觀點而言，接著劑層12中之熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。

接著劑層12中之熱塑性樹脂係例如承擔黏合劑功能者。作為接著劑層12具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之熱塑性樹脂敍述者。接著劑層12可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為接著劑層12中之熱塑性樹脂較佳。

接著劑層12含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以構成此種丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用上文中作為雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂之構成單體敍述之(甲基)丙烯酸酯。作為接著劑層12中之丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，關於該丙烯酸系樹脂，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可將能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可使用上文中作為能夠與用以構成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體敍述者。

接著劑層12中所含之丙烯酸系樹脂係適當選自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈及丙烯酸中之單體之共聚物。此種構成於作為背面保護膜之膜10中在同時實現對工件之接著性與用於割斷用延伸步驟之情形時之良好之割斷性之方面上較佳。

於接著劑層12具有包含伴有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以構成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與上文中作為雷射標記層11中所含有之丙烯酸系樹脂之構成單體敍述者相同之(甲基)丙烯酸酯。關於用以構成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可含有源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可使用上文中作為能夠與用以構成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體敍述者。另一方面，作為用以構成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。於該等中，可適宜地使用縮水甘油基及羧基。又，對應於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用與上文中作為環氧樹脂用硬化劑敍述者相同之酚樹脂。

用以形成接著劑層12之組合物較佳為含有熱硬化觸媒。對接著劑層形成用組合物調配熱硬化觸媒於在進行接著劑層12之硬化時使樹脂成分之硬化反應充分進行、或提高硬化反應速度之方面上較佳。作為此種熱硬化觸媒，例如可使用上文中作為能夠調配於雷射標記層形成用組合物中之熱硬化觸媒敍述者。

接著劑層12亦可含有填料。對接著劑層12調配填料於調整接著劑層12之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面上較佳。作為接著劑層12中之填料，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之填料敍述者。接著劑層12可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、片狀等各種形狀。接著劑層12含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為30～500 nm，更佳為40～400 nm，更佳為50～300 nm。即，接著劑層12較佳為含有奈米填料。接著劑層12含有此種粒徑之奈米填料作為填料之構成於避免或抑制貼合或安裝於膜10之工件因接著劑層12中所含之填料而產生損傷之方面上較佳，又，於確保會變成小片化之膜10之較高之分斷性或較高之割斷性之方面上較佳。又，接著劑層12含有填料之情形時之該填料之含量較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。該含量較佳為50質量%以下，更佳為47質量%以下，更佳為45質量%以下。

接著劑層12亦可含有著色劑。作為接著劑層12中之著色劑，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之著色劑敍述者。就於膜10中之雷射標記層11側之利用雷射標記之刻印部位與其以外之部位之間確保較高之對比度而實現該刻印資訊之良好之視認性之方面而言，接著劑層12較佳為含有黑系著色劑。接著劑層12可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，接著劑層12中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成於實現由雷射標記所形成之刻印資訊之上述良好之視認性之方面上較佳。

接著劑層12亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉上文關於雷射標記層11具體地敍述之阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。

於作為背面保護膜之膜10中，雷射標記層11之厚度例如為5～22 μm，接著劑層12之厚度例如為3～20 μm。而且，雷射標記層11之厚度相對於接著劑層12之厚度之比的值較佳為1以上，更佳為1.5以上，更佳為2以上。該比之值例如為8以下。

於膜10在120℃下經過2小時之加熱處理之情形時，於初期夾頭間距離22.5 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/分鐘之條件下對寬度10 mm之背面保護膜試片所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上，較佳為0.75 GPa以上，更佳為1 GPa以上。膜10之拉伸儲存彈性模數之調整例如可藉由調整丙烯酸系樹脂等熱塑性成分與環氧樹脂或酚樹脂等熱硬化性成分之調配比率而進行。關於該拉伸儲存彈性模數，可基於使用動態黏彈性測定裝置(商品名「Solid Analyzer RS GII」，TA Instruments公司製造)進行之動態黏彈性測定而求出。於該測定中，將自背面保護膜切出之試片(背面保護膜試片)之尺寸設為寬度10 mm×長度30 mm(厚度例如為25 μm)，將試片保持用夾頭之初期夾頭間距離設為22.5 mm，將測定模式設為拉伸模式，將測定環境設為氮氣環境下，將測定溫度範圍設為0℃至100℃，將頻率設為1 Hz，將升溫速度設為10℃/分鐘。

又，膜10於升溫速度10℃/分鐘下之示差掃描熱量測定中之在50～200℃之範圍內之放熱量較佳為40 J/g以下，更佳為35 J/g以下，更佳為30 J/g以下。關於膜10之此種放熱量之調整例如可藉由關於調配於膜10之各層之熱硬化觸媒之種類之選擇或調配量之調整而進行調整。示差掃描熱量測定可使用示差掃描熱量計(商品名「DSC Q2000」，TA Instruments公司製造)進行。於該測定中，將測定環境設為氮氣環境下，將測定溫度範圍設為-20℃至300℃，將升溫速度設為10℃/分鐘。於在藉由測定所獲得之DSC圖中在50～200℃之範圍出現放熱峰之情形時，將該圖之於50～200℃下之基準線以上之熱量之累計值設為放熱量。

切晶帶一體型背面保護膜X中之切晶帶20之基材21係於切晶帶20或切晶帶一體型背面保護膜X中作為支持體發揮功能之要素。基材21例如為塑膠基材，作為該塑膠基材，可適宜地使用塑膠膜。作為塑膠基材之構成材料，例如可列舉聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材21可具有單層構造，亦可具有多層構造。於基材21上之黏著劑層22如下述般為紫外線硬化性之情形時，較佳為基材21具有紫外線透過性。於基材21包含塑膠膜之情形時，可為未延伸膜，可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。於本實施形態中，較佳為基材21為聚氯乙烯製基材或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物製基材。

於在使用切晶帶一體型背面保護膜X時藉由例如局部加熱使切晶帶20或基材21收縮之情形時，較佳為基材21具有熱收縮性。又，於基材21包含塑膠膜之情形時，就可使切晶帶20或基材21實現各向同性熱收縮性之方面而言，基材21較佳為雙軸延伸膜。切晶帶20或基材21於在加熱溫度100℃及加熱處理時間60秒之條件下進行加熱處理試驗所得之熱收縮率較佳為2～30%，更佳為2～25%，更佳為3～20%，更佳為5～20%。該熱收縮率係指所謂MD(Machine Direction，縱向)方向之熱收縮率及所謂TD(Transverse Direction，橫向)方向之熱收縮率之至少一種熱收縮率。

基材21中之黏著劑層22側之表面亦可實施用於提高與黏著劑層22之密接性之物理處理、化學處理、或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉電暈處理、電漿處理、噴砂消光加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉鉻酸處理。

關於基材21之厚度，就確保用以使基材21作為切晶帶20或切晶帶一體型背面保護膜X中之支持體發揮功能之強度的觀點而言，較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，更佳為60 μm以上。又，就於切晶帶20或切晶帶一體型背面保護膜X中實現適度之可撓性之觀點而言，基材21之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。

切晶帶20之黏著劑層22含有黏著劑。該黏著劑可為於切晶帶一體型背面保護膜X之使用過程中能夠藉由來自外部之作用而刻意地使黏著力降低之黏著劑(黏著力可降低型黏著劑)，亦可為於切晶帶一體型背面保護膜X之使用過程中黏著力幾乎不會因來自外部之作用而降低或完全不會降低之黏著劑(黏著力不降低型黏著劑)。關於使用黏著力可降低型黏著劑亦或使用黏著力不降低型黏著劑作為黏著劑層22中之黏著劑，可視使用切晶帶一體型背面保護膜X而單片化之半導體晶片之單片化之方法或條件等切晶帶一體型背面保護膜X之使用態樣而適當選擇。於使用黏著力可降低型黏著劑作為黏著劑層22中之黏著劑之情形時，於切晶帶一體型背面保護膜X之使用過程中，可分開使用黏著劑層22顯示出相對較高之黏著力之狀態與顯示出相對較低之黏著力之狀態。

作為此種黏著力可降低型黏著劑，例如可列舉於切晶帶一體型背面保護膜X之使用過程中可藉由放射線照射而硬化之黏著劑(放射線硬化性黏著劑)。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力可降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力可降低型黏著劑。又，可為黏著劑層22之整體由黏著力可降低型黏著劑所形成，亦可為黏著劑層22之一部分由黏著力可降低型黏著劑所形成。例如於黏著劑層22具有單層構造之情形時，可為黏著劑層22之整體由黏著力可降低型黏著劑所形成，亦可為黏著劑層22之特定部位(例如作為工件之貼合對象區域之中央區域)由黏著力可降低型黏著劑所形成，且其他部位(例如為環狀框之貼合對象區域且位於中央區域之外側之區域)由黏著力不降低型黏著劑所形成。又，於黏著劑層22具有多層構造之情形時，可為構成多層構造之所有層由黏著力可降低型黏著劑所形成，亦可為多層構造中之一部分層由黏著力可降低型黏著劑所形成。

作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤其適宜地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。

作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性單體成分或低聚物成分的添加型放射線硬化性黏著劑。

上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以構成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系聚合物之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具體而言，可列舉與上文關於膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂所敍述者相同之(甲基)丙烯酸酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，較佳可列舉丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸月桂酯。又，就使黏著劑層22適當地表現出依存於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之全部構成單體中之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。

關於丙烯酸系聚合物，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體的單體單元。作為此種單體，例如可列舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈，更具體而言，可列舉上文中作為能夠與用以構成膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂的(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體敍述者。

關於丙烯酸系聚合物，為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸酯」及/或「甲基丙烯酸酯」。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就使黏著劑層22適當地表現出依存於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之全部構成單體中之多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。

丙烯酸系聚合物可使用於形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。就使用切晶帶20或切晶帶一體型背面保護膜X之半導體裝置製造方法中之高度之清潔性之觀點而言，較佳為切晶帶20或切晶帶一體型背面保護膜X中之黏著劑層22中之低分子量物質較少，因此丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。

為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，黏著劑層22或用以構成其之黏著劑例如亦可含有外部交聯劑。作為用於與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物進行反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層22或用以構成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份以下，更佳為0.1～5質量份。

作為用以構成放射線硬化性黏著劑之上述放射線聚合性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以構成放射線硬化性黏著劑之上述放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，適宜為分子量100～30000左右者。放射線硬化性黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可使要形成之黏著劑層22之黏著力適當降低之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，較佳為5～500質量份，更佳為40～150質量份。又，作為添加型放射線硬化性黏著劑，例如亦可使用日本專利特開昭60-196956號公報所揭示者。

作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如亦可列舉含有在聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型放射線硬化性黏著劑。此種內在型放射線硬化性黏著劑於抑制因所要形成之黏著劑層22內之低分子量成分之移動所產生之黏著特性之非意圖之經時變化的方面較佳。

作為內在型放射線硬化性黏著劑中所含有之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為構成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述丙烯酸系聚合物。作為放射線聚合性之碳-碳雙鍵對丙烯酸系聚合物之導入方法，例如可列舉如下方法，即，於使包含具有特定之官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與第1官能基之間產生反應而進行鍵結之特定之官能基(第2官能基)與放射線聚合性碳-碳雙鍵的化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。

作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。於該等組合中，就追蹤反應之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、或異氰酸基與羥基之組合。又，由於製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物於技術上難度較高，故而就丙烯酸系聚合物之製作或獲取之容易性之觀點而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於此情形時，作為一併具有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物、即含有放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。

用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫 系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、及2,4-二異丙基9-氧硫。黏著劑層22中之放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。

作為上述黏著力不降低型黏著劑，例如可列舉預先藉由放射線照射使上文關於黏著力可降低型黏著劑所敍述之放射線硬化性黏著劑硬化之形態之黏著劑、或所謂感壓型黏著劑等。放射線硬化性黏著劑根據其含有之聚合物成分之種類及含量，即便於經放射線硬化而降低了黏著力之情形時，亦可顯示出由該聚合物成分所產生之黏著性，而能夠於特定之使用態樣中發揮能夠用於黏著保持被著體之黏著力。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力不降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力不降低型黏著劑。又，可為黏著劑層22之整體由黏著力不降低型黏著劑形成，亦可為黏著劑層22之一部分由黏著力不降低型黏著劑所形成。例如於黏著劑層22具有單層構造之情形時，可為黏著劑層22之整體由黏著力不降低型黏著劑所形成，亦可為如上所述，黏著劑層22之特定部位(例如環狀框之貼合對象區域且位於晶圓之貼合對象區域之外側之區域)由黏著力不降低型黏著劑所形成，且其他部位(例如作為晶圓之貼合對象區域之中央區域)由黏著力可降低型黏著劑所形成。又，於黏著劑層22具有多層構造之情形時，可為構成多層構造之所有層由黏著力不降低型黏著劑所形成，亦可為多層構造中之一部分層由黏著力不降低型黏著劑所形成。

另一方面，作為用於黏著劑層22之感壓型黏著劑，例如可使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層22含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可列舉上文關於放射線硬化性黏著劑所敍述之丙烯酸系聚合物。

黏著劑層22或用以構成其之黏著劑除含有上述各成分以外，亦可含有交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、顏料或染料等著色劑等。著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。

黏著劑層22之厚度較佳為2～20 μm，更佳為3～17 μm，更佳為5～15 μm。此種構成例如於在黏著劑層22含有放射線硬化性黏著劑之情形時取得該黏著劑層22在放射線硬化前後對膜10之黏著力之平衡之方面上較佳。

於切晶帶一體型背面保護膜X中，作為背面保護膜之膜10與切晶帶20之黏著劑層22之間於在23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中，可顯示出0.1 N/20 mm以下、較佳為0.08 N/20 mm以下、更佳為0.06 N/20 mm以下之黏著力。此種低黏著力可藉由將膜10中之切晶帶側之雷射標記層11在貼合於切晶帶20之黏著劑層22之前預先進行熱硬化而實現。關於該黏著力，可使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AG-X」，島津製作所股份有限公司製造)進行測定。供於該測定之試片之製作方法及測定方法具體而言如下所述。首先，於切晶帶一體型背面保護膜X中之膜10之接著劑層側之表面12a貼合單面黏著帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)。該貼合係藉由使2 kg之手壓輥往返1次之壓接作業進行。其次，自該貼合體切出具有切晶帶20、膜10及單面黏著帶之積層構造之寬度20 mm×長度100 mm之尺寸之試片。於黏著劑層22含有放射線硬性黏著劑之情形時，於切晶帶一體型背面保護膜X中自基材21之側對黏著劑層22照射300 mJ/cm² 之紫外線等放射線而使黏著劑層22硬化後，進行試片之切出。然後，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AG-X」，島津製作所股份有限公司製造)，於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下對該試片進行剝離試驗，測定切晶帶一體型背面保護膜X中之黏著劑層22與膜10之間之黏著力。

具有如上構成之切晶帶一體型背面保護膜X例如可藉由以下方式製造。

於切晶帶一體型背面保護膜X中之膜10之製作中，首先，分別製作構成雷射標記層11之樹脂膜(第1樹脂膜)與構成接著劑層12之樹脂膜(第2樹脂膜)。第1樹脂膜可藉由如下方式製作，即，於將雷射標記層形成用樹脂組合物塗佈於特定之隔離件上而形成樹脂組合物層後，藉由加熱使該組合物層乾燥及硬化。作為隔離件，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、以及藉由氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙類等。作為樹脂組合物之塗佈方法，例如可列舉滾筒塗敷、網版塗敷、及凹版塗敷。於第1樹脂膜之製作中，加熱溫度例如為90～160℃，加熱時間例如為2～4分鐘。另一方面，第2樹脂膜可藉由如下方式製作，即，於將接著劑層形成用樹脂組合物塗佈於特定之隔離件上而形成樹脂組合物層後，藉由加熱使該組合物層乾燥。於第2樹脂膜之製作中，加熱溫度例如為90～150℃，加熱時間例如為1～2分鐘。藉由以上方式，可以分別伴有隔離件之形態製作上述第1及第2樹脂膜。繼而，將該等第1及第2樹脂膜之露出面彼此貼合。藉此，製作具有雷射標記層11與接著劑層12之積層構造之膜10。

關於切晶帶一體型背面保護膜X之切晶帶20，可藉由在所準備之基材21上設置黏著劑層22而製作。例如樹脂製基材21可藉由軋光機製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠壓法、T模擠壓法、共擠壓法、乾式層壓法等製膜方法而製作。視需要對製膜後之膜或基材21實施特定之表面處理。於黏著劑層22之形成時，例如於製備黏著劑層形成用黏著劑組合物後，首先，將該組合物塗佈於基材21上或特定之隔離件上而形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉滾筒塗敷、網版塗敷、及凹版塗敷。其次，於該黏著劑組合物層中，視需要藉由加熱使其乾燥，又，視需要使其產生交聯反應。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於在隔離件上形成黏著劑層22之情形時，將伴有該隔離件之黏著劑層22貼合於基材21，其後將隔離件剝離。藉此，製作具有基材21與黏著劑層22之積層構造之切晶帶20。

於切晶帶一體型背面保護膜X之製作中，其次，於切晶帶20之黏著劑層22側貼合膜10之雷射標記層11側。貼合溫度例如為30～50℃，貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm。於黏著劑層22含有如上所述之放射線硬化性黏著劑之情形時，可於進行該貼合前對黏著劑層22照射紫外線等放射線，亦可於進行該貼合後自基材21側對黏著劑層22照射紫外線等放射線。或者，於切晶帶一體型背面保護膜X之製造過程中，亦可不進行此種放射線照射(於此情形時，於切晶帶一體型背面保護膜X之使用過程中能夠使黏著劑層22放射線硬化)。於黏著劑層22為紫外線硬化型之情形時，用於使黏著劑層22硬化之紫外線照射量例如為50～500 mJ/cm² 。於切晶帶一體型背面保護膜X中，進行作為黏著劑層22之黏著力降低措施之照射之區域(照射區域R)例如如圖1所示係黏著劑層22中之貼合膜10之區域內之除其周緣部以外之區域。

藉由以上方式，可製作切晶帶一體型背面保護膜X。於切晶帶一體型背面保護膜X中，亦可於膜10側以至少被覆膜10之形態設置隔離件(省略圖示)。於膜10之尺寸小於切晶帶20之黏著劑層22且於黏著劑層22中存在未貼合膜10之區域之情形時，例如隔離件亦可以至少被覆膜10及黏著劑層22之形態設置。隔離件係用於保護膜10或黏著劑層22避免其露出之要素，於使用切晶帶一體型背面保護膜X時自該膜剝離。

圖2至圖6表示使用上述切晶帶一體型背面保護膜X之半導體裝置製造方法之一例。

於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖2(a)及圖2(b)所示，藉由研削加工將晶圓W薄化(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置進行。晶圓W為半導體晶圓，具有第1面Wa及第2面Wb。於晶圓W之第1面Wa側已製作各種半導體元件(省略圖示)，且於第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)。第2面Wb係所謂背面。本步驟中，於將具有黏著面T1a之晶圓加工用帶T1貼合於晶圓W之第1面Wa側後，於在晶圓加工用帶T1保持有晶圓W之狀態下，自第2面Wb進行研削加工直至晶圓W達到特定之厚度，從而獲得經薄化之晶圓30。

其次，如圖3(a)所示，將保持於晶圓加工用帶T1之晶圓30貼合於切晶帶一體型背面保護膜X之膜10或其接著劑層12。其後，如圖3(b)所示，將晶圓加工用帶T1自晶圓30剝離。

其次，進行用以使接著劑層12熱硬化之加熱處理(硬化步驟)。加熱溫度較佳為80～200℃，更佳為100～150℃。加熱時間較佳為0.5～5小時，更佳為1～3小時。具體而言，加熱處理例如於120℃下進行2小時。本步驟中，藉由接著劑層12之熱硬化，切晶帶一體型背面保護膜X之膜10與晶圓30之密接力提高，切晶帶一體型背面保護膜X或其膜10對晶圓之固定保持力提高。

其次，自切晶帶20之基材21側對切晶帶一體型背面保護膜X中之膜10之雷射標記層11照射雷射而進行雷射標記(雷射標記步驟)。藉由該雷射標記，對其後單片化為半導體晶片之每個半導體元件刻印文字資訊或圖形資訊等各種資訊。本步驟中，可於一雷射標記製程中對晶圓30內之多個半導體元件一併高效率地進行雷射標記。作為本步驟中使用之雷射，例如可列舉氣體雷射及固體雷射。作為氣體雷射，例如可列舉二氧化碳雷射(CO₂ 雷射)及準分子雷射。作為固體雷射，例如可列舉Nd：YAG(Neodymium-doped Yttrium Aluminium Garnet，摻釹釔鋁石榴石)雷射。

其次，於在切晶帶一體型背面保護膜X中之黏著劑層22上貼合環狀框41後，如圖4所示，藉由切晶裝置所具備之切割刀片進行切削加工(切晶步驟)。於圖4中將切削部位模式性地以粗線表示。本步驟中，將晶圓30單片化為晶片31，與此同時，將切晶帶一體型背面保護膜X之膜10切斷為小片之膜10'。藉此，可獲得伴有晶片背面保護膜形成用膜10'之晶片31、即附膜10'之晶片31。

於切晶帶20之黏著劑層22含有放射線硬化性黏著劑之情形時，亦可代替切晶帶一體型背面保護膜X之製造過程中之上述放射線照射，而於上述切晶步驟後自基材21側對黏著劑層22照射紫外線等放射線。照射量例如為50～500 mJ/cm² 。切晶帶一體型背面保護膜X中進行作為黏著劑層22之黏著力降低措施之照射之區域(圖1所示之照射區域R)係例如黏著劑層22中之貼合膜10之區域內之除其周緣部以外之區域。

其次，於視需要經過使用水等洗淨液將伴有附膜10'之晶片31之切晶帶20之晶片31側洗淨之清洗步驟、或用於擴大附膜10'之晶片31間之相隔距離之延伸步驟後，如圖5所示，自切晶帶20拾取附膜10'之晶片31(拾取步驟)。例如於將附環狀框41之切晶帶一體型背面保護膜X保持於裝置之保持器42後，關於拾取對象之附膜10'之晶片31，係於切晶帶20之圖中下側使拾取機構之銷構件43上升而介隔切晶帶20頂起後，由吸附治具44吸附保持。於拾取步驟中，銷構件43之頂起速度例如為1～100 mm/秒，銷構件43之頂起量例如為50～3000 μm。

其次，如圖6所示，將附膜10'之晶片31覆晶安裝於安裝基板51。作為安裝基板51，例如可列舉引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、及配線基板。晶片31係經由凸塊52電性連接於安裝基板51。具體而言，晶片31其電路形成面側所具有之電極墊(省略圖示)與安裝基板51所具有之端子部(省略圖示)係經由凸塊52電性連接。凸塊52例如為焊料凸塊。又，於晶片31與安裝基板51之間介置有熱硬化性底部填充劑53。

藉由以上方式，可使用切晶帶一體型背面保護膜X製造半導體裝置。

於本實施形態之切晶帶一體型背面保護膜X中，如上所述，雷射標記層11為經硬化之熱硬化型層，且接著劑層12具有熱硬化性。此種構成適於在膜10中實現如下積層構造，即，藉由在120℃下進行2小時加熱處理，用以構成工件貼合面之接著劑層12發生熱硬化，另一方面，密接於切晶帶20之雷射標記層11實質上不發生熱硬化。

如上所述，於切晶帶一體型背面保護膜X中之膜10在120℃下經過2小時加熱處理之情形時，於初期夾頭間距離22.5 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/分鐘之條件下對寬度為10 mm且厚度為例如25 μm之膜試片(背面保護膜試片)所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上，較佳為0.75 GPa以上，更佳為1 GPa以上。此種構成於切晶帶一體型背面保護膜X中適於確保切晶步驟所要求之對晶圓之固定保持力。藉由在120℃下對膜10進行2小時加熱處理而獲得如此相對較高之拉伸儲存彈性模數的構成適於在將切晶帶一體型背面保護膜X之膜10貼合於半導體晶圓後使該膜10熱硬化而實現較高之對晶圓之固定保持力。具備適於確保切晶步驟所要求之對晶圓之固定保持力之該構成的切晶帶一體型背面保護膜X適於在用以於切晶帶20上將晶圓30單片化為晶片31之刀片切割中抑制於晶片31之側面產生龜裂。而且，同時具備適於確保切晶步驟所要求之對晶圓之固定保持力之構成與適於實現積層構造之上述構成的切晶帶一體型背面保護膜X適於抑制該膜10對切晶帶之密接力之上升並且藉由加熱處理確保對晶圓之固定保持力，該積層構造係藉由在120℃下進行2小時加熱處理，接著劑層12發生熱硬化，另一方面，雷射標記層11實質上不發生熱硬化。膜10之於進行用於確保對晶圓之固定保持力之加熱處理時抑制對切晶帶之密接力之上升之構成有助於在拾取步驟中自切晶帶20適當地拾取附膜10'之晶片31。

如上所述，切晶帶一體型背面保護膜X中之膜10(上述加熱處理前之膜10)與切晶帶20之黏著劑層22之間於在23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中可顯示出0.1 N/20 mm以下、較佳為0.08 N/20 mm以下、更佳為0.06 N/20 mm以下之黏著力。同時具備膜10與黏著劑層22之間的此種低黏著力之構成與適於實現積層構造之上述構成的切晶帶一體型背面保護膜X適於在進行用於確保該膜10對晶圓之固定保持力之加熱處理時抑制對切晶帶之密接力之上升，並且於拾取步驟中實現附膜10'之晶片31自切晶帶20之良好之拾取，該積層構造係藉由在120℃下進行2小時加熱處理，接著劑層12發生熱硬化，另一方面，雷射標記層11實質上不發生熱硬化。

如以上所述，切晶帶一體型背面保護膜X適於在用以於切晶帶20上將晶圓30單片化為晶片31之刀片切割中抑制於晶片31之側面產生龜裂，並且實現附膜10'之晶片31自切晶帶20之良好之拾取。

如上所述，切晶帶一體型背面保護膜X之膜10於升溫速度10℃/分鐘下之示差掃描熱量測定中之在50～200℃之範圍內之放熱量較佳為40 J/g以下，更佳為35 J/g以下，更佳為30 J/g以下。此種構成於雷射標記層11為經硬化過之熱硬化型層且接著劑層12為未硬化狀態之熱硬化型層的膜10中，於在進行用於確保對晶圓之固定保持力之加熱處理時抑制對切晶帶之密接力之上升之方面上較佳，因此有助於在拾取步驟中實現附膜10'之晶片31之良好之拾取。

於切晶帶一體型背面保護膜X中，如上所述，雷射標記層11之厚度相對於接著劑層12之厚度之比的值較佳為1以上，更佳為1.5以上，更佳為2以上。於雷射標記層11為經硬化過之熱硬化型層且接著劑層12為未硬化狀態之熱硬化型層的膜10中，經硬化過之雷射標記層11之厚度於該膜整體之厚度中之比率越大，則越可於刀片切割中抑制於晶片31之側面產生龜裂。 [實施例]

[實施例1] ＜背面保護膜之製作＞ 於切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜之製作中，首先，分別製作構成雷射標記層(LM層)之第1樹脂膜與構成接著劑層(AH層)之第2樹脂膜。

於第1樹脂膜之製作中，首先，將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisan Resin SG-P3」，重量平均分子量為85萬，玻璃轉移溫度Tg為12℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學公司製造)50質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)20質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)75質量份、填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)175質量份、黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份、及熱硬化觸媒Z₁ (商品名「Curezol 2PZ」，四國化成工業股份有限公司製造)20質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度30質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘之加熱而使其乾燥及熱硬化，於PET隔離件上製作厚度18 μm之第1樹脂膜(構成經硬化過之熱硬化型層即雷射標記層之膜)。

於第2樹脂膜之製作中，首先，將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisan Resin SG-P3」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學公司製造)50質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)20質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)75質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)175質量份、黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份、及熱硬化觸媒Z₂ (商品名「Curezol 2PHZ」，四國化成工業股份有限公司製造)7質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度36質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘之加熱而使其乾燥，於PET隔離件上製作厚度7 μm之第2樹脂膜(構成未硬化狀態之熱硬化型層即接著劑層之膜)。

使用貼合機將以上述方式製作之PET隔離件上之第1樹脂膜與PET隔離件上之第2樹脂膜貼合。具體而言，於溫度100℃及壓力0.85 MPa之條件下，將第1及第2樹脂膜之露出面彼此貼合。藉由以上方式，製作實施例1之背面保護膜。將實施例1以及下述各實施例及各比較例中之雷射標記層(LM層)與接著劑層(AH層)之組成示於表1(表1中，表示各層之組成之各數值之單位係該層內之相對之「質量份」)。

＜切晶帶之製作＞ 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質量份、作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.4質量份、及作為聚合溶劑之甲苯80質量份之混合物於60℃下在氮氣環境下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液。其次，將包含該含有丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫之混合物於50℃下在空氣環境下攪拌60小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸系聚合物P₁ 100質量份為12質量份，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P₁ 100質量份為0.06質量份。藉由該加成反應，獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P₂ 之聚合物溶液。其次，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P₂ 100質量份為2質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)、2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 369」，BASF公司製造)、及甲苯并加以混合，獲得固形物成分濃度28質量%之黏著劑組合物。其次，使用施料器於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈黏著劑組合物而形成黏著劑組合物層。其次，針對該組合物層於120℃下進行2分鐘之加熱乾燥，於PET隔離件上形成厚度30 μm之黏著劑層。其次，使用貼合機，於室溫下將作為基材之聚丙烯膜(商品名「SC040PP1-BL」，厚度40 μm，倉敷紡織股份有限公司製造)貼合於該黏著劑層之露出面。其後，於23℃下對該貼合體進行72小時之保存。藉由以上方式製作切晶帶。

＜切晶帶一體型背面保護膜之製作＞ 將伴有PET隔離件之實施例1之上述背面保護膜沖切加工成直徑330 mm之圓形。其次，於自該背面保護膜剝離PET隔離件且自上述切晶帶剝離PET隔離件後，使用手壓輥將該切晶帶中露出之黏著劑層與背面保護膜中因PET隔離件之剝離而露出之面貼合。其次，將以此方式與背面保護膜貼合之切晶帶以切晶帶之中心與背面保護膜之中心一致之方式沖切加工成直徑390 mm之圓形。藉由以上方式，製作具有切晶帶與背面保護膜之積層構造之實施例1之切晶帶一體型背面保護膜。實施例1之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜具有經硬化過之雷射標記層(LM層)與未硬化之接著劑層(AH層)之積層構造。

[實施例2] 於第1樹脂膜之製作中，將環氧樹脂E₁ 之調配量設為137質量份代替50質量份，將環氧樹脂E₂ 之調配量設為59質量份代替20質量份，將酚樹脂之調配量設為205質量份代替75質量份，將填料之調配量設為355質量份代替175質量份，將黑系染料之調配量設為30質量份代替15質量份，將熱硬化觸媒Z₁ 之調配量設為43質量份代替20質量份，且於第2樹脂膜之製作中，將環氧樹脂E₁ 之調配量設為137質量份代替50質量份，將環氧樹脂E₂ 之調配量設為59質量份代替20質量份，將酚樹脂之調配量設為205質量份代替75質量份，將填料之調配量設為355質量份代替175質量份，將黑系染料之調配量設為30質量份代替15質量份，將熱硬化觸媒Z₂ 之調配量設為13質量份代替7質量份，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例2之切晶帶一體型背面保護膜。實施例2之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜具有經硬化過之雷射標記層(LM層)與未硬化之接著劑層(AH層)之積層構造。

[實施例3] 於第1樹脂膜之製作中，將環氧樹脂E₁ 之調配量設為200質量份代替50質量份，將環氧樹脂E₂ 之調配量設為80質量份代替20質量份，將酚樹脂之調配量設為290質量份代替75質量份，將填料之調配量設為470質量份代替175質量份，將黑系染料之調配量設為40質量份代替15質量份，將熱硬化觸媒Z₁ 之調配量設為57質量份代替20質量份，且於第2樹脂膜之製作中，將環氧樹脂E₁ 之調配量設為200質量份代替50質量份，將環氧樹脂E₂ 之調配量設為80質量份代替20質量份，將酚樹脂之調配量設為290質量份代替75質量份，將填料之調配量設為470質量份代替175質量份，將黑系染料之調配量設為40質量份代替15質量份，將熱硬化觸媒Z₂ 之調配量設為17質量份代替7質量份，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例3之切晶帶一體型背面保護膜。實施例3之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜具有經硬化過之雷射標記層(LM層)與未硬化之接著劑層(AH層)之積層構造。

[比較例1] 將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisan Resin SG-P3」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₃ (商品名「EPPN-501HY」，日本化藥股份有限公司製造)70質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)80質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)175質量份、及黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度30質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘加熱而使其乾燥，於PET隔離件上製作厚度25 μm之背面保護膜。繼而，使用比較例1之該背面保護膜代替實施例1之上述背面保護膜，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作比較例1之切晶帶一體型背面保護膜。比較例1之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜包含單一之熱塑性層。

[比較例2] 將丙烯酸系樹脂(商品名「Teisan Resin SG-P3」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂E₁ (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學公司製造)50質量份、環氧樹脂E₂ (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)20質量份、酚樹脂(商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)75質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)175質量份、黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份、及熱硬化觸媒Z₂ (商品名「Curezol 2PHZ」，四國化成工業股份有限公司製造)7質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度30質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘加熱而使其乾燥，於PET隔離件上製作厚度25 μm之背面保護膜。繼而，使用比較例2之該背面保護膜代替實施例1之上述背面保護膜，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作比較例2之切晶帶一體型背面保護膜。比較例2之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜包含處於未硬化狀態之單一之熱硬化型層。

[比較例3] 於第2樹脂膜之製作中，使用環氧樹脂E₃ (商品名「EPPN-501HY」，日本化藥股份有限公司製造)70質量份代替環氧樹脂E₁ 50質量份與環氧樹脂E₂ 20質量份，將酚樹脂之調配量設為80質量份代替75質量份，且不使用熱硬化觸媒Z₂ ，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作比較例3之切晶帶一體型背面保護膜。比較例3之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜具有經硬化過之雷射標記層(LM層)與作為熱塑性層之接著劑層(AH層)之積層構造。

[拉伸儲存彈性模數] 使用動態黏彈性測定裝置(商品名「Solid Analyzer RS GII」，TA Instruments公司製造)，對實施例1～3及比較例1～3中之上述背面保護膜進行動態黏彈性測定，基於該動態黏彈性測定求出80℃下之拉伸儲存彈性模數(GPa)。自實施例1～3及比較例2之各背面保護膜，於在120℃下實施2小時加熱處理後切出寬度10 mm×長度30 mm之尺寸之試片。自比較例1、3之各背面保護膜，不實施加熱處理而切出寬度10 mm×長度30 mm之尺寸之試片。又，於測定中，將試片保持用夾頭之初期夾頭間距離設為22.5 mm，將測定模式設為拉伸模式，將測定環境設為氮氣環境下，將測定溫度範圍設為0℃至100℃，將頻率設為1 Hz，將升溫速度設為10℃/分鐘。將拉伸儲存彈性模數(GPa)之測定結果示於表1。

＜背面保護膜與切晶帶黏著劑層之間之黏著力＞ 針對實施例1～3及比較例1～3之各切晶帶一體型背面保護膜，研究背面保護膜與切晶帶黏著劑層之間之黏著力。用於其之試片製作方法及黏著力測定方法如下所述。

於試片之製作中，首先，於切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜側貼合單面黏著帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)。該貼合係於對實施例1～3及比較例2之各切晶帶一體型背面保護膜在120℃下實施2小時加熱處理後進行，對於比較例1、3之各切晶帶一體型背面保護膜不實施加熱處理而進行。其次，於對背面保護膜側伴有單面黏著帶之切晶帶一體型背面保護膜之切晶帶之黏著劑層隔著其基材照射300 mJ/cm² 之紫外線而使該黏著劑層硬化後，自該積層體切出寬度20 mm×長度100 mm之尺寸之試片。繼而，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，於23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下對該試片進行剝離試驗，測定將切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜與切晶帶黏著劑層之間剝離所需之力。繼而，將試片之長度方向上之60 mm之中央部分之剝離力之平均值設為測得之黏著力(N/20 mm)。將其結果示於表1。又，關於附膜晶片自切晶帶黏著劑層之拾取性，將該黏著力為0.1 N/20 mm以下之情形評價為良(○)，將大於0.1 N/20 mm之情形評價為不良(×)。該評價亦示於表1。

＜DSC放熱量＞ 針對實施例1～3及比較例1～3之各切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜，使用示差掃描熱量計(商品名「DSC Q2000」，TA Instruments公司製造)進行示差掃描熱量測定，研究該測定中之於50～200℃之範圍內之放熱量。供於測定之試片(直徑3 mm，質量10 mg)係由自切晶帶一體型背面保護膜剝離之背面保護膜切出者。又，於測定中，將測定環境設為氮氣環境下，將測定溫度範圍設為-20℃至300℃，將升溫速度設為10℃/分鐘。繼而，關於藉由測定所獲得之DSC圖中出現於50～200℃之範圍之放熱峰，求出該圖之於50～200℃下之基準線以上之熱量之累計值作為放熱量(J/g)。將其結果示於表1。

＜刀片切割中之晶片側面之龜裂抑制性＞ 使用實施例1～3及比較例1～3之各切晶帶一體型背面保護膜進行半導體晶圓之刀片切割，研究該情形時之晶片側面之龜裂之有無及程度。具體而言如下所述。

首先，對切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜貼合經背面研磨處理過之矽鏡面晶圓(直徑8英吋，厚度200 μm)。該貼合係以溫度75℃、壓力0.15 MPa、及貼合速度10 mm/秒之輥壓接進行。於進行貼合後，於實施例1～3及比較例2之切晶帶一體型背面保護膜之情形時於120℃下進行2小時加熱處理(於比較例1、3之切晶帶一體型背面保護膜之情形時，於貼合後不進行加熱處理)。其次，對於切晶帶一體型背面保護膜上之晶圓，藉由使用切晶裝置(商品名「DFD-6361」，Disco股份有限公司製造)進行之刀片切割而將其單片化為2 mm×2 mm之尺寸之晶片。於該刀片切割中，首先，藉由Z1刀片(商品名「203O-SE 27HCDD」，Disco股份有限公司製造)，於刀片轉數40000 rpm之條件下自晶圓表面將晶圓切削至其厚度一半之深度，其後，藉由Z2刀片(商品名「203O-SE 27HCBB」，Disco股份有限公司製造)於刀片轉數45000 rpm之條件下將切晶帶黏著劑層切削至其厚度一半之深度。如此經單片化之各半導體晶片伴有來自切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜之小片之背面保護膜。其次，於自切晶帶一體型背面保護膜之切晶帶之基材側對黏著劑層照射累計照射光量300 mJ/cm² 之紫外線而使黏著劑層硬化後，自切晶帶拾取附膜晶片。繼而，使用顯微鏡(商品名「數位顯微鏡VHX500」，Keyence股份有限公司製造)對所拾取之附膜晶片之四個側面中作為最後形成之切斷面之側面進行觀察，測量龜裂之形成位置之深度。關於刀片切割中之龜裂抑制性，將龜裂形成位置距晶片與密接於其之背面保護膜之界面之深度未達晶片之厚度整體之15%之情形評價為優(◎)，將為晶片之厚度整體之15%以上且未達30%之情形評價為良(○)，將為晶片之厚度整體之30%以上且未達50%之情形評價為可(△)，將為晶片之厚度整體之50%以上之情形評價為不可(×)。將其結果示於表1。

[評價] 實施例1～3之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜於在120℃下經過2小時加熱處理之情形時，藉由上述動態黏彈性測定所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上。於實施例1～3之切晶帶一體型背面保護膜中，背面保護膜與切晶帶黏著劑層之間於上述剝離試驗中顯示出0.1 N/20 mm以下之黏著力。實施例1～3之切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜於上述示差掃描熱量測定中之在50～200℃之範圍內之放熱量為40 J/g以下。根據此種實施例1～3之切晶帶一體型背面保護膜，可於刀片切割中抑制於晶片側面產生龜裂，並且可實現附背面保護膜之晶片自切晶帶之良好之拾取。

[表1]

10‧‧‧膜(背面保護膜)

10'‧‧‧膜(背面保護膜)

11‧‧‧雷射標記層

12‧‧‧接著劑層

12a‧‧‧表面

20‧‧‧切晶帶

21‧‧‧基材

22‧‧‧黏著劑層

22a‧‧‧黏著面

30‧‧‧晶圓

31‧‧‧晶片

41‧‧‧環狀框

42‧‧‧保持器

43‧‧‧銷構件

44‧‧‧吸附治具

51‧‧‧安裝基板

52‧‧‧凸塊

53‧‧‧底部填充劑

R‧‧‧照射區域

T1‧‧‧晶圓加工用帶

T1a‧‧‧黏著面

W‧‧‧晶圓

Wa‧‧‧第1面

Wb‧‧‧第2面

X‧‧‧切晶帶一體型背面保護膜

圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型背面保護膜之剖視模式圖。 圖2表示使用圖1所示之切晶帶一體型背面保護膜之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖3表示使用圖1所示之切晶帶一體型背面保護膜之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖4表示使用圖1所示之切晶帶一體型背面保護膜之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖5表示使用圖1所示之切晶帶一體型背面保護膜之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖6表示使用圖1所示之切晶帶一體型背面保護膜之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。

Claims (7)

1. 一種切晶帶一體型背面保護膜，其具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及 背面保護膜，其具有包含雷射標記層與接著劑層之積層構造，且於上述雷射標記層側以能夠剝離之方式密接於上述切晶帶之上述黏著劑層； 關於在120℃下經過2小時加熱處理之上述背面保護膜，於初期夾頭間距離22.5 mm、頻率1 Hz及升溫速度10℃/分鐘之條件下對寬度10 mm之背面保護膜試片所測得之於80℃下之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上； 上述背面保護膜與上述黏著劑層之間於在23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中可顯示出0.1 N/20 mm以下之黏著力。
2. 如請求項1之切晶帶一體型背面保護膜，其中上述雷射標記層係經硬化之熱硬化型層。
3. 如請求項1之切晶帶一體型背面保護膜，其中上述接著劑層具有熱硬化性。
4. 如請求項1之切晶帶一體型背面保護膜，其中上述雷射標記層係經硬化之熱硬化型層，且上述接著劑層具有熱硬化性。
5. 如請求項1至4中任一項之切晶帶一體型背面保護膜，其中上述背面保護膜於升溫速度10℃/分鐘下之示差掃描熱量測定中之在50～200℃之範圍內之放熱量為40 J/g以下。
6. 如請求項5之切晶帶一體型背面保護膜，其中上述雷射標記層之厚度相對於上述接著劑層之厚度之比的值為1以上。
7. 如請求項1至4中任一項之切晶帶一體型背面保護膜，其中上述雷射標記層之厚度相對於上述接著劑層之厚度之比的值為1以上。