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TW201611179A - 載置台及電漿處理裝置 - Google Patents

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TW201611179A
TW201611179A TW104118551A TW104118551A TW201611179A TW 201611179 A TW201611179 A TW 201611179A TW 104118551 A TW104118551 A TW 104118551A TW 104118551 A TW104118551 A TW 104118551A TW 201611179 A TW201611179 A TW 201611179A
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喜多川大
小泉克之
永井力
林大輔
照內怜
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東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種用以載置被處理體的載置台。本發明之一實施形態的載置台包括支持構件及基台。支持構件具有：具備加熱器的載置區域；以及圍繞載置區域的外周區域。基台具有：第一區域，在其上支持載置區域；以及第二區域，圍繞第一區域。第二區域設有貫穿孔。電性連接於加熱器的配線穿過第二區域的貫穿孔。

Description

載置台及電漿處理裝置
本發明之實施形態係關於載置台及電漿處理裝置。
在半導體裝置之類的電子裝置的製造之中，使用有一種電漿處理裝置，激發處理氣體據以生成電漿，並藉由該電漿處理被處理體。此電漿處理裝置包括：載置台，用以將被處理體載置在其上。
載置台具有靜電夾盤及基台。靜電夾盤具有介電質製的本體部、埋設在該本體部內的夾盤用電極、及加熱器。本體部具有在其上載置被處理體的載置區域。加熱器控制被處理體的溫度。所以，加熱器係設在載置區域內。此外，靜電夾盤使電性連接於加熱器的接點部從載置區域的底面露出。此靜電夾盤設在基台上。在基台內，形成有溫度調整用媒體循環的流道。此外，在基台形成有通往接點部的貫穿孔，且在該貫穿孔內穿過有連接至接點區域的配線。此配線連接有加熱器電源。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-175573號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，對電漿處理裝置而言，會要求被處理體之處理的面內均勻性。為了提昇此面內均勻性，須要使被處理體的面內中之溫度偏差減少。 [解決問題之方式]
本發明之一態樣提供一種用以將被處理體載置在其上的載置台。此載置台包括支持構件、基台、及多條配線。支持構件係用以支持被處理體的構件，且含有本體部、一以上之加熱器、一以上之第一配線層、一以上之第二配線層、及多個接點部。本體部係陶瓷製，且具有：載置區域，將被處理體載置在其上；以及外周區域，圍繞該載置區域。一以上之加熱器係設在本體部內。一以上之第一配線層係在本體部內延展，且分別電性連接於一以上之加熱器的供電側。一以上之第二配線層係在本體部內延展，且電性連接於一以上之加熱器的基準電位側。多個接點部係在外周區域之中從本體部露出，電性連接於一以上之第一配線層及一以上之第二配線層各者。基台具有：第一區域，將載置區域支持在其上；以及第二區域，將外周區域支持在其上。在第二區域，設有分別通往多個接點部的多個第一貫穿孔。多條配線穿過多個第一貫穿孔而分別接合於多個接點部。
於此，形成在基台的貫穿孔能在支持構件產生溫度奇異點。然而，在上述一態樣之載置台之中，通往多個接點部的多個第一貫穿孔，非設有在其上支持載置區域的第一區域，而係設有圍繞第一區域的第二區域。從而，能抑制在支持構件的載置區域中之溫度奇異點的產生。於是具有此載置台的電漿處理，可以使在被處理體的面內中的溫度偏差減少。
於本發明之一形態之中，一以上之加熱器亦可是多個加熱器，且一以上之第一配線層亦可是多個第一配線層，分別連接於多個加熱器的供電側。在載置台之中，伴隨加熱器的個數之增加，而第一貫穿孔的個數增多。依據本形態，因為第一貫穿孔設在第二區域，所以即使伴隨加熱器的個數之增加而第一貫穿孔的個數增加，亦可以抑制支持構件的載置區域中之溫度奇異點的產生。
於本發明之一形態之中，一以上之第二配線層中至少一個亦可連接於前述多個加熱器的二以上之加熱器的基準電位側。於此形態，二以上之加熱器的基準電位側所連接的配線層已共通化。從而，可以使基準電位用接點部的個數、基準電位用配線的數量、及用以令基準電位用配線穿過之貫穿孔的數量減少。
在本發明之一形態之中，在基台亦可形成有受到冷媒供給的冷媒流道。
在本發明之一形態之中，支持構件在本體部內更具有：靜電吸附用電極；第三配線層，電性連接於該靜電吸附用電極；以及其它接點部，電性連接於第三配線層。其它接點部亦可在外周區域從本體部露出，且在第二區域亦可設有：第二貫穿孔，通往前述其它接點部；且載置台亦可更包括：其它配線，穿過第二貫穿孔而接合於其它接點部。於此形態，支持構件作為靜電夾盤而發揮功能。此外，因為第二貫穿孔設在第二區域，所以能抑制載置區域中之溫度奇異點的產生。
在本發明之一形態之中，基台亦可具有導電性之主體部與絕緣部。於此形態，主體部提供前述第一區域及前述第二區域。絕緣部對主體部以可取下的形式安裝，並提供多個第一貫穿孔。多條配線各自含有：具有一端及另一端的可撓性之引線；第一端子，連結於引線的一端並連結於多個接點部中對應的接點部；以及第二端子，連結於引線的另一端；且絕緣部的內面、第一端子、及引線之間存在有空間，其中，此絕緣部的內面劃定第一端子及引線所穿過的第一貫穿孔。依此形態，即使基台產生熱膨脹，起因為該熱膨脹的應力亦藉引線而緩和。從而，提高第一端子與接點部之連結的可靠度。
在本發明之一形態之中，基台更可包括導電性之主體部、第一絕緣部、及第二絕緣部。於此形態，主體部提供前述第一區域及前述第二區域。第一絕緣部對主體部以可取下的形式安裝，並提供多個第一貫穿孔。第二絕緣部對主體部以可取下的形式安裝，並提供第二貫穿孔。第一絕緣部及第二絕緣部亦可係一體化的絕緣構件。多條配線各自含有：具有一端及另一端的可撓性之第一引線；第一端子，連結於第一引線的一端並連結於多個接點部中對應的接點部；以及第二端子，連結於第一引線的另一端；且劃定第一端子及第一引線所穿過的第一貫穿孔之絕緣部的內面，與第一端子及第一引線之間存在有空間。其它配線含有：具有一端及另一端的可撓性之第二引線；第三端子，連結於第二引線的一端並連結於其它接點部中對應的接點部；以及第四端子，連結於第二引線的另一端；且第二絕緣部的內面、第三端子、第二引線之間存在有空間，其中，該第二絕緣部的內面劃定第二端子。依此形態，即使基台產生熱膨脹，起因為該熱膨脹的應力亦藉第一引線及第二引線而弛緩。從而，提高第一端子與接點部之連結的可靠性、及第三端子與其它接點部之連結的可靠性。
在本發明之一形態之中，載置台亦可更包括：筒狀的絕緣部，插設於第三端子與第二絕緣部之間。依此形態，可在第三端子的周圍取得更高的絕緣耐力。
本發明之另一態樣則提供電漿處理裝置。此電漿處理裝置包括處理容器及上述一態樣或各種形態中任一載置台。載置台設在處理容器內。依據此電漿處理裝置，能抑制被處理體的面內之溫度偏差。 [發明之效果]
如同以上説明，本發明提供能使被處理體的面內中之溫度偏差減少的載置台以及電漿處理裝置。
以下，參照圖式而詳細說明各種實施形態。另外，在各圖式對同一或相當的部分標註同一元件符號。
圖1概略顯示一實施形態之電漿處理裝置。圖1概略顯示有一實施形態之電漿處理裝置的縱剖面中的構造。圖1所示的電漿處理裝置10係電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。此電漿處理裝置10包括略圓筒狀的處理容器12。處理容器12例如由鋁構成，且在其表面施加有陽極氧化處理。
處理容器12內設有載置台16。載置台16含有支持構件18及基台20。基台20具有略圓盤狀，且在其主體部係由例如鋁之類的導電性金屬構成。此基台20構成下部電極。基台20由支持部14支持。支持部14係從處理容器12的底部延伸的圓筒狀構件。
基台20隔著阻抗匹配器MU1而電性連接有第一射頻電源HFS。第一射頻電源HFS係一種產生電漿生成用射頻電力的電源，且產生頻率27～100MHz，在一例中係產生40MHz的射頻電力。阻抗匹配器MU1具有用以使第一射頻電源HFS的輸出阻抗與負載側(基台20側)的輸入阻抗加以匹配的電路。
此外，基台20隔著阻抗匹配器MU2而電性連接有第二射頻電源LFS。第二射頻電源LFS產生用以將離子拉入晶圓W的射頻電力(射頻偏壓電力)，並將該射頻偏壓電力供給至基台20。射頻偏壓電力的頻率係400kHz～13.56MHz範圍內的頻率，在一例中係3MHz。阻抗匹配器MU2具有用以將第二射頻電源LFS的輸出阻抗與負載側(基台20側)的輸入阻抗加以匹配的電路。
基台20上設有支持構件18。在一實施形態之中，支持構件18為靜電夾盤。亦即，在一實施形態之中，支持構件18藉由庫侖力等靜電力而吸附晶圓W，並固持該晶圓。支持構件18在陶瓷製的本體部內具有靜電吸附用電極E1。電極E1經由開關SW1而電性連接有直流電源22。
在基台20的上表面之上且係支持構件18的周圍，設有聚焦環FR。聚焦環FR係為了提昇電漿處理的均勻性而設。聚焦環FR係依照待實行的電漿處理而由適當選擇的材料構成，例如得由矽或石英構成。
基台20的內部形成有冷媒流道24。在冷媒流道24，從設在處理容器12之外部的冷卻器單元，經由配管26a供給冷媒。供給至冷媒流道24的冷媒經由配管26b而返回冷卻器單元。另外，含有此基台20及支持構件18的載置台16之細節將後述。
處理容器12內設有上部電極30。此上部電極30在載置台16的上方，與基台20相向配置，且基台20與上部電極30係設為彼此略平行。
上部電極30隔著絕緣性遮蔽構件32而支持在處理容器12的上部。上部電極30能含有電極板34及電極支持體36。電極板34面向處理空間S，並提供多個氣體排出孔34a。此電極板34能由焦耳熱少的低電阻導電體或半導體構成。
電極支持體36係將電極板34支持成自由裝卸，例如能由鋁之類的導電性材料構成。此電極支持體36能具有水冷構造。在電極支持體36的內部設有氣體擴散室36a。由此氣體擴散室36a向下方延伸有連通於氣體排出孔34a的多個氣體通流孔36b。此外，在電極支持體36形成有將處理氣體導向氣體擴散室36a的氣體導入口36c，且此氣體導入口36c連接有氣體供給管38。
氣體供給管38經由閥組42及流量控制器組44連接有氣體源組40。閥組42具有多個開閉閥，流量控制器組44具有質流控制器之類多個流量控制器。此外，氣體源組40具有電漿處理所必須的多種氣體用的氣體源。氣體源組40的多個氣體源經由對應之開閉閥及對應之質流控制器連接於氣體供給管38。
在電漿處理裝置10之中，來自「氣體源組40的多個氣體源中所選擇的一以上之氣體源」的一以上之氣體係供給至氣體供給管38。供給至氣體供給管38的氣體抵達氣體擴散室36a，並經由氣體通流孔36b及氣體排出孔34a而排出至處理空間S。
此外，如圖1所示，電漿處理裝置10更可包括接地導體12a。接地導體12a係略圓筒狀的接地導體，且以從處理容器12的側壁往相較於上部電極30的高度位置更上方延伸的形式設置。
此外，在電漿處理裝置10之中，沿著處理容器12的內壁以裝卸自由的方式設置有沉積物障蔽46。此外，沉積物障蔽46亦設在支持部14的外周。沉積物障蔽46防止蝕刻副產物(沉積物)附著於處理容器12，且能由將Y2 O3 等陶瓷覆蓋在鋁材而構成。
在處理容器12的底部側，支持部14與處理容器12的內壁之間設有排氣板片48。排氣板片48例如能由將Y2 O3 等陶瓷覆蓋在鋁材而構成。在此排氣板片48的下方，處理容器12設有排氣口12e。排氣口12e經由排氣管52而連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有渦輪分子泵等真空泵，能將處理容器12內減壓至所欲的真空度。此外，在處理容器12的側壁設有晶圓W的載入載出口12g，此載入載出口12g可以藉由閘閥54開闔。
此外，電漿處理裝置10更可包括控制部Cnt。此控制部Cnt係包括處理器、記憶部、輸入裝置、顯示裝置等之電腦，並控制電漿處理裝置10的各部份。在此控制部Cnt之中，使用者能使用輸入裝置而施行用以管理電漿處理裝置10的電腦指令之輸入操作等，此外，能藉由顯示裝置，將電漿處理裝置10的運行狀況可視化並顯示。再者，控制部Cnt的記憶部儲存：控制程式，用以藉由處理器而控制在電漿處理裝置10執行的各種處理；以及處理配方，亦即一種使電漿處理裝置10的各構成部因應處理條件來執行處理的程式。
以下，參照圖2～圖6詳細說明載置台16。圖2係顯示一實施形態之載置台的俯視圖。圖3係顯示一實施形態之載置台的基台的俯視圖。圖4係延著圖2的IV-IV線而取的剖視圖。圖5係顯示將一實施形態之支持構件的一部份擴大的剖視圖。此外，圖6係沿著圖2的VI-VI線而取的剖視圖。
如同上述，載置台16具有支持構件18及基台20。支持構件18具有陶瓷製的本體部18m。本體部18m具備略圓盤狀。本體部18m提供載置區域18a及外周區域18b。載置區域18a在俯視中係略圓形的區域。此載置區域18a的上表面之上會載置被處理體，即晶圓W。在一實施形態之中，如圖5所示，載置區域18a的上表面係多個凸部的頂面所構成。此外，載置區域18a的直徑係與晶圓W約略相同的直徑、或稍微小於晶圓W的直徑。外周區域18b係圍繞此載置區域18a的區域，且環狀延展。在一實施形態之中，外周區域18b的上表面係位在低於載置區域18a的上表面之位置。
如同上述，在一實施形態之中，支持構件18係靜電夾盤。此實施形態之支持構件18，在載置區域18a內具有靜電吸附用電極E1。此電極E1如同上述，經由開關SW1而連接於直流電源22。
此外，在載置區域18a內且於電極E1的下方，設有一以上之加熱器HT。在一實施形態之中，如圖2、圖4、及圖5所示，載置區域18a設有多個加熱器HT。例如，如圖2所示，在載置區域18a的中央圓形區域內、及圍繞該圓形區域之同心狀的多個環狀區域，設有多個加熱器HT。此外，在多個環狀區域各自之中，有多個加熱器HT排列在圓周方向。對此等加熱器HT，由圖1所示之加熱器電源HP會供給經個別調整的電力。由此，個別控制各加熱器HT發出的熱，並個別調整載置區域18a內之多個部分區域的溫度。
此外，如圖4及圖5所示，在支持構件18的本體部18m內設有配線層EW1(第一配線層)，電性連接於加熱器HT的供電側。本體部18m內設有多個加熱器HT的狀況下，在本體部18m內設有：多條配線層EW1，分別個別地連接於多個加熱器HT的供電側。各配線層EW1從對應之加熱器HT的供電側延伸至外周區域18b為。例如，各配線層EW1能包含：線條狀的圖案，在本體部18m內水平延伸；以及連接通孔，往對線條狀的圖案交叉的方向(例如垂直方向)延伸。此外，各配線層EW1在外周區域18b之中，電性連接於對應之接點部CT1(參照圖2、圖5、及圖6)。例如，各配線層EW1在外周區域18b之中構成接點部CT1。接點部CT1在外周區域18b之中，從該外周區域18b的底面露出。
此外，支持構件18本體部18m內設有配線層EW2(第二配線層)，其電性連接於加熱器HT的基準電位側。本體部18m內設有多個加熱器HT的狀況下，在該本體部18m內設有多條配線層EW2，其分別個別地連接於多個加熱器HT的基準電位側。或者如圖5所示，多條配線層EW2中至少一條，共通連接於多個加熱器HT中二以上之加熱器HT的基準電位側。在一實施形態之中，多條配線層EW2各自共通連接於多個加熱器HT中對應之二以上之加熱器HT的基準電位側。由此，可以使基準電位用接點部CT2的個數、基準電位用配線WR2的數量、及用以令基準電位用配線WR2穿過之貫穿孔TH2的數量減少。
各配線層EW2延伸至外周區域18b。例如，配線層EW2能包含：線條狀的圖案，在本體部18m內水平延伸；以及連接通孔，往對線條狀的圖案交叉的方向(例如垂直方向)延伸。此外，各配線層EW2在外周區域18b之中，電性連接於對應之接點部CT2(參照圖2、及圖6)。例如，各配線層EW2在外周區域18b之中構成接點部CT2。接點部CT2在外周區域18b之中，從該外周區域18b的底面露出。
再者，支持構件18的本體部18m內設有配線層EW3(第三配線層)，其電性連接於靜電吸附用電極E1。配線層EW3從電極E1延伸至外周區域18b。例如，配線層EW3能包含：線條狀的圖案，在本體部18m內水平延伸；以及連接通孔，往對線條狀的圖案交叉的方向(例如垂直方向)延伸。此外，各配線層EW2在外周區域18b之中，電性連接於對應之接點部CT3(參照圖2、及圖6)。例如，各配線層EW3在外周區域18b之中構成接點部CT3。接點部CT3在外周區域18b之中，從該外周區域18b的底面露出。
如上述方式構成的支持構件18，係設在基台20上。在一實施形態之中，支持構件18係藉由黏接劑AH(參照圖6)而接合於基台20。基台20如圖3及圖4所示，具有第一區域20a及第二區域20b。第一區域20a係於俯視中略圓形的區域，第二區域20b係以圍繞第一區域20a的方式而環狀延展的區域。第一區域20a上搭載有載置區域18a，第二區域20b上搭載有外周區域18b。
第二區域20b設有於鉛直方向貫穿該第二區域20b的一以上之貫穿孔TH1及一以上之貫穿孔TH2。此等貫穿孔TH1及TH2係一實施形態的第一貫穿孔。貫穿孔TH1通往接點部CT1，貫穿孔TH2通往接點部CT2。如圖3所示，一實施形態設有多個貫穿孔TH1及多個貫穿孔TH2。此等貫穿孔TH1及貫穿孔TH2的個數，係因應接點部CT1及接點部CT2的個數而設定。
此外，在一實施形態之中，第二區域20b設有於鉛直方向貫穿該第二區域20b的貫穿孔TH3(第二貫穿孔)。此貫穿孔TH3通往接點部CT3。
再者，在一實施形態之中，如圖6所示，基台20具有主體部20m。主體部20m具備略圓盤狀，例如由鋁之類的導電性金屬構成。主體部20m提供上述第一區域20a及第二區域20b。
此外，基台20更具有絕緣部20i。絕緣部20i係絕緣性構件，例如由樹脂構成。絕緣部20i設在形成於基台20之主體部20m的貫穿孔內，且藉由例如螺絲之類的緊固機構而固定於主體部20m。亦即，絕緣部20i可以從基台20之主體部20m取下。在一實施形態之中，基台20具有多個絕緣部20i。多個絕緣部20i中的一個提供有貫穿孔TH1及貫穿孔TH3，其它絕緣部20i提供有貫穿孔TH1。此外，多個絕緣部20i中的幾個亦可提供有貫穿孔TH2。如圖6所示之絕緣部20i提供有貫穿孔TH1、貫穿孔TH2、及貫穿孔TH3。
貫穿孔TH1穿通有配線WR1。配線WR1係連接加熱器電源HP與接點部CT1的配線。此外，貫穿孔TH2穿通有配線WR2。配線WR2係連接加熱器電源HP與接點部CT2的配線。此外，貫穿孔TH3穿通有配線WR3。配線WR3係連接直流電源22與接點部CT3的配線。此等配線WR1、配線WR2、及配線WR3具有約略同樣的構造。從而，以下有時會將此等配線WR1、配線WR2、及配線WR3通稱為配線WR而説明。
配線WR具有端子ET1、引線LW1、端子ET2、及引線LW2。端子ET1具備一端封閉的筒狀。端子ET1的一端接合於對應之接點部。此外，端子ET1連結有引線LW1的一端。此引線LW1具有可撓性。亦即，引線LW1具有容易對於應力彎曲的性質。此引線LW1的另一端連結於端子ET2。端子ET2係在一端與另一端之間縮小直徑或封閉之約略筒狀的構件。端子ET2的一端連結有引線LW1的另一端，端子ET2的另一端連結有引線LW2。另外，配線WR1的端子ET1(第一端子)、引線LW1(第一引線)、及端子ET2(第二端子)係設於貫穿孔TH1內，配線WR2的端子ET1(第一端子)、引線LW1(第一引線)、及端子ET2(第二端子)係設於貫穿孔TH2內，配線WR3的端子ET1(第三端子)、引線LW1(第二引線)、及端子ET2(第四端子)係設於貫穿孔TH3內。
各配線WR的端子ET1及引線LW1，與將此等端子ET1及引線LW1所穿過的貫穿孔加以劃定的內面(壁面)之間，存在有空間。例如，在絕緣部20i所劃定之貫穿孔的壁面與穿過該貫穿孔內的端子ET1、引線LW1之間，存在有空間。從而，即使基台20熱膨脹並對端子ET2施加應力，能利用引線LW1變形而緩和該應力，且抑制該應力傳遞至端子ET1。於是，提昇端子ET1與對應之接點部之結合的可靠度。
此外，在一實施形態之中，絕緣部20i能具有上部20t及下部20u。上部20t及下部20u可以從彼此分離，且能將絕緣部20i藉由固定在主體部20m的緊固機構而彼此固定。
此外，在一實施形態之中，如圖6所示，配線WR3的端子ET1與絕緣部20i之間設有包圍該端子ET1之筒狀的絕緣部60。此絕緣部60由絕緣性材料構成。配線WR3係用以將電壓施加於靜電吸附用電極E1的配線。從而，配線WR3須要絕緣強度。將此絕緣部60設在配線WR3的端子ET1之周圍，藉以更提昇在端子ET1的周圍之絕緣強度。
在以上説明的載置台16之中，支持構件18的接點部設在外周區域18b，且穿過該接點部的貫穿孔設在基台20的第二區域20b。形成在基台20的貫穿孔能於支持構件18產生溫度奇異點。然而，在載置台16之中，用以令配線WR穿過的貫穿孔，非設在延展於載置區域18a之正下的第一區域20a，而係設在第二區域20b。從而，能抑制載置區域18a中之溫度奇異點的產生。因此，在具有此載置台16的電漿處理之中，可以使晶圓W之類的被處理體的面內之溫度偏差減少。
以上，已說明多種實施形態，但可不限定於上述實施形態而構成各種變形態樣。例如，上述電漿處理裝置10係電容耦合型電漿處理裝置，但載置台16能採用任意的電漿處理裝置。例如，電漿處理裝置亦可係如同下述的電漿處理裝置：感應耦合型電漿處理裝置；以及藉由微波之類的表面波而激發氣體的電漿處理裝置。
此外，在上述實施形態之中，一個絕緣部20i提供有多個貫穿孔，但基台20亦可具有個別提供一個以上的貫穿孔之多個絕緣部20i。例如，基台20亦可具有：多個第一絕緣部，個別提供貫穿孔TH1及貫穿孔TH2；以及第二絕緣部，提供貫穿孔TH3。
此外，在上述實施形態之中，支持構件18係靜電夾盤，但支持構件18只要為其上載置被處理體者，亦可不為靜電夾盤。此狀況下，能在載置台16中省略電極E1、配線WR3、及配線層EW3之類要素。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
12a‧‧‧接地導體
12e‧‧‧排氣口
12g‧‧‧載入載出口
14‧‧‧支持部
16‧‧‧載置台
18‧‧‧支持構件
18a‧‧‧載置區域
18b‧‧‧外周區域
18m‧‧‧本體部
E1‧‧‧靜電吸附用電極
HT‧‧‧加熱器
HP‧‧‧加熱器電源
EW1‧‧‧配線層(第一配線層)
EW2‧‧‧配線層(第二配線層)
EW3‧‧‧配線層(第三配線層)
Cnt‧‧‧控制部
CT1‧‧‧接點部
CT2‧‧‧接點部
CT3‧‧‧接點部
20‧‧‧基台
20a‧‧‧第一區域
20b‧‧‧第二區域
20m‧‧‧主體部
20i‧‧‧絕緣部
20t‧‧‧上部
22u‧‧‧下部
TH1‧‧‧貫穿孔(第一貫穿孔)
TH2‧‧‧貫穿孔(第一貫穿孔)
TH3‧‧‧貫穿孔(第二貫穿孔)
22‧‧‧直流電源
24‧‧‧冷媒流道
26a‧‧‧配管
26b‧‧‧配管
30‧‧‧上部電極
32‧‧‧絕緣性遮蔽構件
34‧‧‧電極板
34a‧‧‧氣體排出孔
36‧‧‧電極支持體
36a‧‧‧氣體擴散室
36b‧‧‧氣體流通孔
36c‧‧‧氣體導入口
38‧‧‧氣體供給管
40‧‧‧氣體源組
42‧‧‧閥組
44‧‧‧流量控制器
46‧‧‧沉積物障蔽
48‧‧‧排氣板片
50‧‧‧排氣裝置
52‧‧‧排氣管
54‧‧‧閘閥
60‧‧‧絕緣部
WR1‧‧‧配線
WR2‧‧‧配線
WR3‧‧‧配線
ET1‧‧‧端子(第一端子或第三端子)
ET2‧‧‧端子(第二端子或第四端子)
LW1‧‧‧引線
LW2‧‧‧引線
MU1‧‧‧阻抗匹配器
MU2‧‧‧阻抗匹配器
HFS‧‧‧第一射頻電源
LFS‧‧‧第二射頻電源
SW1‧‧‧開關
S‧‧‧處理空間
W‧‧‧晶圓
AH‧‧‧接著劑
圖1係概略顯示一實施形態之電漿處理裝置。 圖2係顯示一實施形態之載置台的俯視圖。 圖3係顯示一實施形態之載置台的基台的俯視圖。 圖4係沿著圖2之IV-IV線而取的剖視圖。 圖5係顯示將一實施形態之支持構件的一部份擴大的剖視圖。 圖6係沿著圖2之VI-VI線而取的剖視圖。
18a‧‧‧載置區域
18b‧‧‧外周區域
18m‧‧‧本體部
E1‧‧‧靜電吸附用電極
HT‧‧‧加熱器
20‧‧‧基台
20a‧‧‧第一區域
20b‧‧‧第二區域
24‧‧‧冷媒流道

Claims (9)

  1. 一種載置台，包括：支持構件；基台；以及多條配線； 且該支持構件用以支持被處理體，並含有：陶瓷製本體部，具備用以載置該被處理體的載置區域、及圍繞該載置區域的外周區域；一以上之加熱器，設在該本體部內；一以上之第一配線層，在該本體部內延展，且分別連接於該一以上之加熱器的供電側；一以上之第二配線層，在該本體部內延展，且電性連接於該一以上之加熱器的基準電位側；以及多個接點部，在該外周區域從該本體部露出，且分別電性連接於該一以上之第一配線層及該一以上之第二配線層； 且該基台，支持該支持構件，並具有將該載置區域支持在其上的第一區域、及將該外周區域支持在其上的第二區域，且該第二區域設有分別通往該多個接點部的多個第一貫穿孔； 該多條配線，穿過該多個第一貫穿孔而分別接合於該多個接點部。
  2. 如申請專利範圍第1項之載置台，其中， 該一以上之加熱器係多個加熱器， 該一以上之第一配線層係多個第一配線層，分別連接於該多個加熱器的供電側。
  3. 如申請專利範圍第2項之載置台，其中， 該一以上之第二配線層中至少一個連接於該多個加熱器中二以上之加熱器的基準電位側。
  4. 如申請專利範圍第1～3項中任一項之載置台，其中， 該基台形成有受到冷媒供給的冷媒流道。
  5. 如申請專利範圍第1～3項中任一項之載置台，其中， 該支持構件在該本體部內更具有：靜電吸附用電極；第三配線層，電性連接於該靜電吸附用電極；以及其它接點部，電性連接於該第三配線層的； 且該其它接點部在該外周區域從該本體部露出， 該第二區域設有通往該其它接點部的第二貫穿孔， 且該載置台更包括：其它配線，通過該第二貫穿孔而接合於該其它接點部。
  6. 如申請專利範圍第1～3項中任一項之載置台，其中， 該基台具有： 導電性主體部，提供該第一區域及該第二區域；以及 絕緣部，以可對該主體部裝卸的形式安裝，並提供該多個第一貫穿孔； 且該多條配線各自含有：具有一端及另一端的可撓性之引線；第一端子，連結於該引線的一端並連結於該多個接點部中對應之接點部；以及第二端子，連結於該引線的另一端； 且劃定該第一端子及該引線所穿過之第一貫穿孔的該絕緣部之內面，與該第一端子及該引線之間存在有空間。
  7. 如申請專利範圍第5項之載置台，其中， 該基台具有： 導電性主體部，提供該第一區域及該第二區域； 第一絕緣部，以可對該主體部裝卸的形式安裝，並提供該多個第一貫穿孔；以及 第二絕緣部，以可對該主體部裝卸的形式安裝，並提供該第二貫穿孔； 且該多條配線各自含有：具有一端及另一端的可撓性之第一引線；第一端子，連結於該第一引線的一端並連結於該多個接點部中對應之接點部；以及第二端子，連結於該第一引線的另一端；且劃定該第一端子及該第一引線所穿過之第一貫穿孔之該第一絕緣部的內面，與該第一端子及該第一引線之間存在有空間； 且該其它配線含有：具有一端及另一端的可撓性之第二引線、連結於該第二引線的一端並連結於該其它接點部的第三端子、及連結於該第二引線的另一端的第四端子； 且劃定該第二貫穿孔之該第二絕緣部的內面，與該第三端子及該第二引線之間存在有空間。
  8. 如申請專利範圍第7項之載置台，其中， 更包括：筒狀絕緣部，存在於該第三端子與該第二絕緣部之間。
  9. 一種電漿處理裝置，係一種用以對被處理體進行電漿處理的電漿處理裝置，且包括： 處理容器；以及 如申請專利範圍第1～8項中任一項之載置台，設在該處理容器內。
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