JP2016001688A - 載置台及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理体を載置するための載置台が提供される。
【解決手段】一実施形態の載置台は、支持部材、及び基台を備える。支持部材は、ヒータを有する載置領域、及び載置領域を囲む外周領域を有する。基台は、その上に載置領域を支持する第１領域、及び、第１領域を囲む第２領域を有する。第２領域には貫通孔が設けられている。ヒータに電気的に接続する配線は、第２領域の貫通孔に通されている。
【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、載置台及びプラズマ処理装置に関するものである。

半導体デバイスといった電子デバイスの製造では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって被処理体を処理するプラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、被処理体をその上に載置するための載置台を備えている。

載置台は、静電チャック及び基台を有している。静電チャックは、誘電体製の本体部、当該本体部内に埋設されたチャック用電極、及び、ヒータを有している。本体部は、その上に被処理体が載置される載置領域を有している。ヒータは、被処理体の温度を制御するものである。したがって、ヒータは載置領域内に設けられている。また、静電チャックは、ヒータに電気的に接続する接点部を、載置領域の下面から露出させている。この静電チャックは基台上に設けられている。基台内には、温度調整用媒体が循環される流路が形成されている。また、基台には、接点部に通じる貫通孔が形成されており、当該貫通孔内には接点領域に接続される配線が通されている。この配線は、ヒータ電源に接続されている。

特開２０１３−１７５５７３号公報

ところで、プラズマ処理装置には、被処理体の処理の面内均一性が要求される。この面内均一性を向上させるためには、被処理体の面内における温度のバラツキを減少させる必要がある。

一側面においては、被処理体をその上に載置するための載置台が提供される。この載置台は、支持部材、基台、及び複数の配線を備えている。支持部材は、被処理体を支持するための部材であり、本体部、一以上のヒータ、一以上の第１配線層、一以上の第２配線層、及び、複数の接点部を含む。本体部は、セラミック製であり、被処理体をその上に載置する載置領域、及び、当該載置領域を囲む外周領域を有する。一以上のヒータは、本体部内に設けられている。一以上の第１配線層は、本体部内において延在しており、一以上のヒータの給電側にそれぞれ電気的に接続されている。一以上の第２配線層は、本体部内において延在しており、一以上のヒータの基準電位側に電気的に接続されている。複数の接点部は、外周領域において本体部から露出されており、一以上の第１配線層及び一以上の第２配線層のそれぞれに電気的に接続されている。基台は、載置領域をその上に支持する第１領域、及び、外周領域をその上に支持する第２領域を有している。第２領域には、複数の接点部にそれぞれ通じる複数の第１貫通孔が設けられている。複数の配線は、複数の第１貫通孔を通って複数の接点部にそれぞれ接合される。

ここで、基台に形成された貫通孔は、支持部材に温度の特異点を生じさせ得る。しかしながら、上記一側面に係る載置台では、複数の接点部に通じる複数の第１貫通孔が、その上に載置領域が支持される第１領域ではなく、第１領域を囲む第２領域に設けられている。したがって、支持部材の載置領域における温度の特異点の発生が抑制され得る。その結果、この載置台を有するプラズマ処理では、被処理体の面内における温度のバラツキを減少させることが可能となる。

一形態では、一以上のヒータは複数のヒータであり、一以上の第１配線層は、複数のヒータの給電側にそれぞれ接続された複数の第１配線層であってもよい。載置台では、ヒータの個数の増加につれて、第１貫通孔の個数が多くなる。本形態によれば、第１貫通孔が第２領域に設けられているので、ヒータの個数が増加につれて第１貫通孔の個数が増加しても、支持部材の載置領域における温度の特異点の発生を抑制することが可能である。

一形態では、一以上の第２配線層のうち少なくとも一つは、前記複数のヒータのうち二以上のヒータの基準電位側に接続されていてもよい。この形態では、二以上のヒータの基準電位側に接続する配線層が共通化されている。したがって、基準電位用の接点部の個数、基準電位用の配線の数、及び、基準電位用の配線を通すための貫通孔の数を減少させることが可能である。

一形態では、基台には、冷媒が供給される冷媒流路が形成されていてもよい。

一形態では、支持部材は、静電吸着用電極、該静電吸着用電極に電気的に接続する第３配線層、及び、第３配線層に電気的に接続する別の接点部を、本体部内に更に有し、別の接点部は、外周領域において本体部から露出されており、第２領域には、前記別の接点部に通じる第２貫通孔が設けられており、載置台は、第２貫通孔を通って別の接点部に接合される別の配線を更に備えていてもよい。この形態では、支持部材は静電チャックとして機能する。また、第２貫通孔が第２領域に設けられているので、載置領域における温度の特異点の発生が抑制され得る。

一形態では、基台は、導電性の主部と絶縁部と、を有していてもよい。この形態では、主部は、前記第１領域及び前記第２領域を提供する。絶縁部は、主部に取り外し可能に取り付けられでおり、複数の第１貫通孔を提供する。複数の配線の各々は、一端及び他端を有する可撓性のリード線、リード線の一端に結合され複数の接点部のうち対応の接点部に結合される第１端子、及び、リード線の他端に結合される第２端子を含み、第１端子及びリード線が通された第１貫通孔を画成する絶縁部の内面と第１端子及びリード線との間には、空間が介在している。この形態によれば、基台の熱膨張が発生しても、当該熱膨張に起因する応力はリード線によって緩和される。したがって、第１端子と接点部との結合の信頼性が高められる。

一形態では、基台は、導電性の主部、第１絶縁部、及び第２絶縁部を更に備え得る。この形態では、主部は、前記第１領域及び前記第２領域を提供する。第１絶縁部は、主部に取り外し可能に取り付けられており、複数の第１貫通孔を提供する。第２絶縁部は、主部に取り外し可能に取り付けられており、第２貫通孔を提供する。第１絶縁部及び第２絶縁部は、一体化された絶縁部材であってもよい。複数の配線の各々は、一端及び他端を有する可撓性の第１リード線、第１リード線の一端に結合され複数の接点部のうち対応の接点部に結合される第１端子、及び、第１リード線の他端に結合される第２端子を含み、第１端子及び第１リード線が通された第１貫通孔を画成する第１絶縁部の内面と第１端子及び該第１リード線との間には、空間が介在している。別の配線は、一端及び他端を有する可撓性の第２リード線、第２リード線の一端に結合され別の接点部に結合される第３端子、及び、第２リード線の他端に結合される第４端子を含み、第２貫通孔を画成する第２絶縁部の内面と第３端子及び第２リード線との間には、空間が介在している。この形態によれば、基台の熱膨張が発生しても、当該熱膨張に起因する応力は第１リード線及び第２リード線によって緩和される。したがって、第１端子と接点部との結合の信頼性、及び、第３端子と別の接点部との結合の信頼性が高められる。

一形態では、載置台は、第３端子と第２絶縁部との間に介在する筒状の絶縁部を更に備えていてもよい。この形態によれば、第３端子の周囲に、より高い絶縁耐力が得られる。

別の側面においては、プラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、処理容器、上述した一側面又は種々の形態のうち何れかの載置台と、を備える。載置台は、処理容器内に設けられている。このプラズマ処理装置によれば、被処理体の面内の温度のバラツキが抑制され得る。

以上説明したように、被処理体の面内における温度のバラツキを減少させ得る載置台、及び、プラズマ処理装置が提供される。

一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一実施形態に係る載置台を示す平面図である。 一実施形態に係る載置台の基台を示す平面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿ってとった断面図である。 一実施形態に係る支持部材の一部を拡大して示す断面図である。 図２のＶＩ−ＶＩ線に沿ってとった断面図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１においては、一実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面における構造が概略的に示されている。図１に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置である。このプラズマ処理装置１０は、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されており、その表面には陽極酸化処理が施されている。

処理容器１２内には、載置台１６が設けられている。載置台１６は、支持部材１８及び基台２０を含んでいる。基台２０は、略円盤形状を有しており、その主部において、例えばアルミニウムといった導電性の金属から構成されている。この基台２０は、下部電極を構成している。基台２０は、支持部１４によって支持されている。支持部１４は、処理容器１２の底部から延びる円筒状の部材である。

基台２０には、整合器ＭＵ１を介して第１の高周波電源ＨＦＳが電気的に接続されている。第１の高周波電源ＨＦＳは、プラズマ生成用の高周波電力を発生する電源であり、２７〜１００ＭＨｚの周波数、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力を発生する。整合器ＭＵ１は、第１の高周波電源ＨＦＳの出力インピーダンスと負荷側（基台２０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。

また、基台２０には、整合器ＭＵ２を介して第２の高周波電源ＬＦＳが電気的に接続されている。第２の高周波電源ＬＦＳは、ウエハＷにイオンを引き込むための高周波電力（高周波バイアス電力）を発生して、当該高周波バイアス電力を基台２０に供給する。高周波バイアス電力の周波数は、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であり、一例においては３ＭＨｚである。整合器ＭＵ２は、第２の高周波電源ＬＦＳの出力インピーダンスと負荷側（基台２０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。

基台２０上には、支持部材１８が設けられている。一実施形態においては、支持部材１８は、静電チャックである。即ち、一実施形態においては、支持部材１８は、クーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着し、当該ウエハを保持する。支持部材１８は、セラミック製の本体部内に静電吸着用の電極Ｅ１を有している。電極Ｅ１には、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２が電気的に接続されている。

基台２０の上面の上、且つ、支持部材１８の周囲には、フォーカスリングＦＲが設けられている。フォーカスリングＦＲは、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、実行すべきプラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されており、例えば、シリコン、又は石英から構成され得る。

基台２０の内部には、冷媒流路２４が形成されている。冷媒流路２４には、処理容器１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻るようになっている。なお、この基台２０及び支持部材１８を含む載置台１６の詳細については、後述する。

処理容器１２内には、上部電極３０が設けられている。この上部電極３０は、載置台１６の上方において、基台２０と対向配置されており、基台２０と上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。

上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４及び電極支持体３６を含み得る。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａを提供している。この電極板３４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から構成され得る。

電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、電極支持体３６にはガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介してガスソース群４０が接続されている。バルブ群４２は複数の開閉バルブを有しており、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を有している。また、ガスソース群４０は、プラズマ処理に必要な複数種のガス用のガスソースを有している。ガスソース群４０の複数のガスソースは、対応の開閉バルブ及び対応のマスフローコントローラを介してガス供給管３８に接続されている。

プラズマ処理装置１０では、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからの一以上のガスが、ガス供給管３８に供給される。ガス供給管３８に供給されたガスは、ガス拡散室３６ａに至り、ガス通流孔３６ｂ及びガス吐出孔３４ａを介して処理空間Ｓに吐出される。

また、図１に示すように、プラズマ処理装置１０は、接地導体１２ａを更に備え得る。接地導体１２ａは、略円筒状の接地導体であり、処理容器１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。

また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。また、デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。

処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。この排気プレート４８の下方において処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧することができる。また、処理容器１２の側壁にはウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。

また、プラズマ処理装置１０は、制御部Ｃｎｔを更に備え得る。この制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。この制御部Ｃｎｔでは、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができ、また、表示装置により、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、制御部Ｃｎｔの記憶部には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち、処理レシピが格納される。

以下、図２〜図６を参照して、載置台１６について詳細に説明する。図２は、一実施形態に係る載置台を示す平面図である。図３は、一実施形態に係る載置台の基台を示す平面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿ってとった断面図である。図５は、一実施形態に係る支持部材の一部を拡大して示す断面図である。また、図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿ってとった断面図である。

上述したように載置台１６は、支持部材１８及び基台２０を有している。支持部材１８は、セラミック製の本体部１８ｍを有している。本体部１８ｍは、略円盤形状を有している。本体部１８ｍは、載置領域１８ａ及び外周領域１８ｂを提供している。載置領域１８ａは、平面視において略円形の領域である。この載置領域１８ａの上面上には、被処理体であるウエハＷが載置される。一実施形態においては、図５に示すように、載置領域１８ａの上面は、複数の凸部の頂面によって構成されている。また、載置領域１８ａの直径は、ウエハＷと略同一の直径であるか、或いは、ウエハＷの直径よりも若干小さくなっている。外周領域１８ｂは、この載置領域１８ａを囲む領域であり、略環状に延在している。一実施形態では、外周領域１８ｂの上面は、載置領域１８ａの上面より低い位置にある。

上述したように、一実施形態では、支持部材１８は、静電チャックである。この実施形態の支持部材１８は、載置領域１８ａ内に静電吸着用の電極Ｅ１を有している。この電極Ｅ１は、上述したように、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２に接続されている。

また、載置領域１８ａ内、且つ、電極Ｅ１の下方には、一以上のヒータＨＴが設けられている。一実施形態では、図２、図４、及び図５に示すように、載置領域１８ａには、複数のヒータＨＴが設けられている。例えば、図２に示すように、載置領域１８ａの中央の円形領域内、及び、当該円形領域を囲む同心状の複数の環状領域に、複数のヒータＨＴが設けられている。また、複数の環状領域のそれぞれにおいては、複数のヒータＨＴが周方向に配列されている。これらヒータＨＴには、図１に示す、ヒータ電源ＨＰから個別に調整された電力が供給される。これにより、各ヒータＨＴが発する熱が個別に制御され、載置領域１８ａ内の複数の部分領域の温度が個別に調整される。

また、図４及び図５に示すように、支持部材１８の本体部１８ｍ内には、ヒータＨＴの給電側に電気的に接続する配線層ＥＷ１（第１配線層）が設けられている。本体部１８ｍ内に複数のヒータＨＴが設けられている場合には、本体部１８ｍ内には、複数のヒータＨＴの給電側にそれぞれ個別に接続される複数の配線層ＥＷ１が設けられる。各配線層ＥＷ１は、対応のヒータＨＴの給電側から外周領域１８ｂまで延びている。例えば、各配線層ＥＷ１は、本体部１８ｍ内において水平に延びるライン状のパターン、及び、ライン状のパターンに対して交差する方向（例えば、垂直方向）に延びるコンタクトビアを含み得る。また、各配線層ＥＷ１は、外周領域１８ｂにおいて、対応の接点部ＣＴ１（図２、図５及び図６参照）に電気的に接続している。例えば、各配線層ＥＷ１は、外周領域１８ｂにおいて接点部ＣＴ１を構成している。接点部ＣＴ１は、外周領域１８ｂにおいて、当該外周領域１８ｂの下面から露出されている。

また、支持部材１８の本体部１８ｍ内には、ヒータＨＴの基準電位側に電気的に接続する配線層ＥＷ２（第２配線層）が設けられている。本体部１８ｍ内に複数のヒータＨＴが設けられている場合には、当該本体部１８ｍ内には、複数のヒータＨＴの基準電位側にそれぞれ個別に接続される複数の配線層ＥＷ２が設けられる。或いは、図５に示すように、複数の配線層ＥＷ２のうち少なくとも一つが、複数のヒータＨＴのうち二以上のヒータＨＴの基準電位側に共通に接続される。一実施形態では、複数の配線層ＥＷ２の各々が、複数のヒータＨＴのうち対応の二以上のヒータＨＴの基準電位側に共通に接続される。これにより、基準電位用の接点部ＣＴ２の個数、基準電位用の配線ＷＲ２の数、及び、基準電位用の配線ＷＲ２を通すための貫通孔ＴＨ２の数を減少させることが可能である。

各配線層ＥＷ２は、外周領域１８ｂまで延びている。例えば、配線層ＥＷ２は、本体部１８ｍ内において水平に延びるライン状のパターン、及び、ライン状のパターンに対して交差する方向（例えば、垂直方向）に延びるコンタクトビアを含み得る。また、各配線層ＥＷ２は、外周領域１８ｂにおいて、対応の接点部ＣＴ２（図２及び図６参照）に電気的に接続している。例えば、各配線層ＥＷ２は、外周領域１８ｂにおいて接点部ＣＴ２を構成している。接点部ＣＴ２は、外周領域１８ｂにおいて、当該外周領域１８ｂの下面から露出されている。

さらに、支持部材１８の本体部１８ｍ内には、静電吸着用の電極Ｅ１に電気的に接続する配線層ＥＷ３（第３配線層）が設けられている。配線層ＥＷ３は、電極Ｅ１から外周領域１８ｂまで延びている。例えば、配線層ＥＷ３は、本体部１８ｍ内において水平に延びるライン状のパターン、及び、ライン状のパターンに対して交差する方向（例えば、垂直方向）に延びるコンタクトビアを含み得る。また、配線層ＥＷ３は、外周領域１８ｂにおいて、対応の接点部ＣＴ３（図２及び図６参照）に電気的に接続している。例えば、配線層ＥＷ３は、外周領域１８ｂにおいて接点部ＣＴ３を構成している。この接点部ＣＴ３は、外周領域１８ｂにおいて、当該外周領域１８ｂの下面から露出されている。

このように構成された支持部材１８は、基台２０上に設けられている。一実施形態においては、支持部材１８は、接着剤ＡＨ（図６参照）によって基台２０に接合されている。基台２０は、図３及び図４に示すように、第１領域２０ａ及び第２領域２０ｂを有している。第１領域２０ａは、平面視において略円形の領域であり、第２領域２０ｂは、第１領域２０ａを囲むよう環状に延在する領域である。第１領域２０ａ上には載置領域１８ａが搭載され、第２領域２０ｂ上には外周領域１８ｂが搭載されている。

第２領域２０ｂには、鉛直方向に当該第２領域２０ｂを貫通する一以上の貫通孔ＴＨ１及び一以上の貫通孔ＴＨ２が設けられている。これら貫通孔ＴＨ１及びＴＨ２は、一実施形態の第１貫通孔である。貫通孔ＴＨ１は接点部ＣＴ１に通じており、貫通孔ＴＨ２は接点部ＣＴ２に通じている。図３に示すように、一実施形態においては、複数の貫通孔ＴＨ１及び複数の貫通孔ＴＨ２が設けられている。これら貫通孔ＴＨ１及び貫通孔ＴＨ２の個数は、接点部ＣＴ１及び接点部ＣＴ２の個数に応じて設定されている。

また、一実施形態において、第２領域２０ｂには、鉛直方向に当該第２領域２０ｂを貫通する貫通孔ＴＨ３（第２貫通孔）が設けられている。この貫通孔ＴＨ３は、接点部ＣＴ３に通じている。

さらに、一実施形態において、図６に示すように、基台２０は、主部２０ｍを有している。主部２０ｍは、略円盤形状を有しており、例えばアルミニウムといった導電性の金属から構成されている。主部２０ｍは、上述した第１領域２０ａ及び第２領域２０ｂを提供している。

また、基台２０は、絶縁部２０ｉを更に有している。絶縁部２０ｉは、絶縁性の部材であり、例えば、樹脂から構成されている。絶縁部２０ｉは、基台２０の主部２０ｍに形成された貫通孔内に設けられており、例えばネジといった締結手段によって主部２０ｍに固定されている。即ち、絶縁部２０ｉは、基台２０の主部２０ｍから取り外し可能である。一実施形態においては、基台２０は、複数の絶縁部２０ｉを有している。複数の絶縁部２０ｉのうち一つは、貫通孔ＴＨ１及び貫通孔ＴＨ３を提供しており、他の絶縁部２０ｉは、貫通孔ＴＨ１を提供している。また、複数の絶縁部２０ｉのうち幾つかは、貫通孔ＴＨ２を提供していてもよい。図６に示す絶縁部２０ｉは、貫通孔ＴＨ１、貫通孔ＴＨ２、及び貫通孔ＴＨ３を提供している。

貫通孔ＴＨ１には、配線ＷＲ１が通っている。配線ＷＲ１は、ヒータ電源ＨＰと接点部ＣＴ１とを接続する配線である。また、貫通孔ＴＨ２には、配線ＷＲ２が通っている。配線ＷＲ２は、ヒータ電源ＨＰと接点部ＣＴ２とを接続する配線である。また、貫通孔ＴＨ３には、配線ＷＲ３が通っている。配線ＷＲ３は、直流電源２２と接点部ＣＴ３とを接続する配線である。これら配線ＷＲ１、配線ＷＲ２、及び配線ＷＲ３は、略同様の構造を有している。したがって、以下では、これら配線ＷＲ１、配線ＷＲ２、及び配線ＷＲ３を、配線ＷＲと総称して説明することがある。

配線ＷＲは、端子ＥＴ１、リード線ＬＷ１、端子ＥＴ２、及びリード線ＬＷ２を有している。端子ＥＴ１は、一端において閉塞された筒形状を有している。端子ＥＴ１の一端は、対応の接点部に接合される。また、端子ＥＴ１にはリード線ＬＷ１の一端が結合されている。このリード線ＬＷ１は、可撓性を有している。即ち、リード線ＬＷ１は、応力に対して容易に屈曲する性質を有している。このリード線ＬＷ１の他端は、端子ＥＴ２に結合されている。端子ＥＴ２は、一端と他端との間で縮径又は閉塞された略筒状の部材である。端子ＥＴ２の一端にはリード線ＬＷ１の他端が結合されており、端子ＥＴ２の他端にはリード線ＬＷ２が結合されている。なお、配線ＷＲ１の端子ＥＴ１（第１端子）、リード線ＬＷ１（第１リード線）、及び端子ＥＴ２（第２端子）は、貫通孔ＴＨ１内に設けられており、配線ＷＲ２の端子ＥＴ１（第１端子）、リード線ＬＷ１（第１リード線）、及び端子ＥＴ２（第２端子）は、貫通孔ＴＨ２内に設けられており、配線ＷＲ３の端子ＥＴ１（第３端子）、リード線ＬＷ１（第２リード線）、及び端子ＥＴ２（第４端子）は、貫通孔ＴＨ３内に設けられている。

各配線ＷＲの端子ＥＴ１とリード線ＬＷ１と、これら端子ＥＴ１とリード線ＬＷ１が通されている貫通孔を画成する内面（壁面）との間には、空間が介在している。例えば、絶縁部２０ｉが画成する貫通孔の壁面と当該貫通孔内に通された端子ＥＴ１とリード線ＬＷ１との間には、空間が介在している。したがって、基台２０が熱膨張して端子ＥＴ２に応力が加わっても、リード線ＬＷ１が変形することで当該応力が緩和され、当該応力が端子ＥＴ１に伝達することが抑制される。その結果、端子ＥＴ１と対応の接点部との結合の信頼性が高められる。

また、一実施形態において、絶縁部２０ｉは、上部２０ｔ及び下部２０ｕを有し得る。上部２０ｔ及び下部２０ｕは、互いから分離可能であり、絶縁部２０ｉを主部２０ｍに固定する締結手段によって互いに固定され得る。

また、一実施形態においては、図６に示すように、配線ＷＲ３の端子ＥＴ１と絶縁部２０ｉとの間には、当該端子ＥＴ１を取り囲む筒状の絶縁部６０が設けられている。この絶縁部６０は、絶縁性材料から構成されている。配線ＷＲ３は、静電吸着用の電極Ｅ１に電圧を印加するための配線である。したがって、配線ＷＲ３には絶縁耐力が要求される。かかる絶縁部６０を、配線ＷＲ３の端子ＥＴ１の周囲に設けることにより、端子ＥＴ１の周囲における絶縁耐力が更に高められる。

以上説明した載置台１６では、支持部材１８の接点部が外周領域１８ｂに設けられており、当該接点部に通じる貫通孔が基台２０の第２領域２０ｂに設けられている。基台２０に形成された貫通孔は、支持部材１８に温度の特異点を生じさせ得る。しかしながら、載置台１６では、配線ＷＲを通すための貫通孔が、載置領域１８ａの直下で延在する第１領域２０ａではなく、第２領域２０ｂに設けられている。したがって、載置領域１８ａにおける温度の特異点の発生が抑制され得る。よって、この載置台１６を有するプラズマ処理では、ウエハＷといった被処理体の面内における温度のバラツキを減少させることが可能である。

以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、上述したプラズマ処理装置１０は、容量結合型のプラズマ処理装置であったが、載置台１６は任意のプラズマ処理装置に採用され得る。例えば、プラズマ処理装置は、誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波によってガスを励起させるプラズマ処理装置のように、任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。

また、上述した実施形態では、一つの絶縁部２０ｉが複数の貫通孔を提供しているが、基台２０は、個別に一つ以上の貫通孔を提供する複数の絶縁部２０ｉを有していてもよい。例えば、基台２０は、貫通孔ＴＨ１及び貫通孔ＴＨ２を個別に提供する複数の第１絶縁部、並びに、貫通孔ＴＨ３を提供する第２絶縁部をしていてもよい。

また、上述した実施形態では、支持部材１８は静電チャックであったが、支持部材１８はその上に被処理体が載置されるものであれば、静電チャックでなくてもよい。この場合には、載置台１６からは、電極Ｅ１、配線ＷＲ３、及び、配線層ＥＷ３といった要素が省略され得る。

１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１６…載置台、１８…支持部材、１８ａ…載置領域、１８ｂ…外周領域、１８ｍ…本体部、Ｅ１…静電吸着用の電極、ＨＴ…ヒータ、ＥＷ１…配線層（第１配線層）、ＥＷ２…配線層（第２配線層）、ＥＷ３…配線層（第３配線層）、ＣＴ１…接点部、ＣＴ２…接点部、ＣＴ３…接点部、２０…基台、２０ａ…第１領域、２０ｂ…第２領域、２０ｍ…主部、２０ｉ…絶縁部、ＴＨ１…貫通孔（第１貫通孔）、ＴＨ２…貫通孔（第１貫通孔）、ＴＨ３…貫通孔（第２貫通孔）、２４…冷媒流路、６０…絶縁部、ＷＲ１…配線、ＷＲ２…配線、ＷＲ３…配線、ＥＴ１…端子（第１端子又は第３端子）、ＥＴ２…端子（第２端子又は第４端子）、ＬＷ１…リード線、ＬＷ２…リード線。

Claims (9)

1. 被処理体を支持するための支持部材であり、
   前記被処理体を載置するための載置領域、及び、該載置領域を囲む外周領域を有するセラミック製の本体部と、
   前記本体部内に設けられた一以上のヒータと、
   前記本体部内において延在する一以上の第１配線層であり前記一以上のヒータの給電側にそれぞれ電気的に接続された該一以上の第１配線層と、
   前記本体部内において延在する一以上の第２配線層であり前記一以上のヒータの基準電位側に電気的に接続された該一以上の第２配線層と、
   前記外周領域において前記本体部から露出された複数の接点部であり、前記一以上の第１配線層及び前記一以上の第２配線層のそれぞれに電気的に接続された該複数の接点部と、
   含む該支持部材と、
   前記支持部材を支持する基台であり、前記載置領域をその上に支持する第１領域、及び、前記外周領域をその上に支持する第２領域を有し、該第２領域に前記複数の接点部にそれぞれ通じる複数の第１貫通孔が設けられた、該基台と、
   前記複数の第１貫通孔を通って前記複数の接点部にそれぞれ接合される複数の配線と、
   を備える、載置台。
2. 前記一以上のヒータは、複数のヒータであり、
   前記一以上の第１配線層は、前記複数のヒータの給電側にそれぞれ接続された複数の第１配線層である、
   請求項１に記載の載置台。
3. 前記一以上の第２配線層のうち少なくとも一つは、前記複数のヒータのうち二以上のヒータの基準電位側に接続されている、
   請求項２に記載の載置台。
4. 前記基台には、冷媒が供給される冷媒流路が形成されている、請求項１〜３の何れか一項に記載の載置台。
5. 前記支持部材は、静電吸着用電極、該静電吸着用電極に電気的に接続する第３配線層、及び、該第３配線層に電気的に接続する別の接点部を、前記本体部内に更に有し、
   前記別の接点部は、前記外周領域において前記本体部から露出されており、
   前記第２領域には、前記別の接点部に通じる第２貫通孔が設けられており、
   前記第２貫通孔を通って前記別の接点部に接合される別の配線を更に備える、
   請求項１〜４の何れか一項に記載の載置台。
6. 前記基台は、
   前記第１領域及び前記第２領域を提供する導電性の主部と、
   前記主部に取り外し可能に取り付けられた絶縁部であり、前記複数の第１貫通孔を提供する、該絶縁部と、
   を有し、
   前記複数の配線の各々は、一端及び他端を有する可撓性のリード線、該リード線の一端に結合され前記複数の接点部のうち対応の接点部に結合される第１端子、及び、前記リード線の他端に結合される第２端子を含み、該第１端子及び該リード線が通された第１貫通孔を画成する前記絶縁部の内面と該第１端子及び該リード線との間には、空間が介在している、
   請求項１〜５の何れか一項に記載の載置台。
7. 前記基台は、
   前記第１領域及び前記第２領域を提供する導電性の主部と、
   前記主部に取り外し可能に取り付けられた第１絶縁部であり、前記複数の第１貫通孔を提供する、該第１絶縁部と、
   前記主部に取り外し可能に取り付けられた第２絶縁部であり、前記第２貫通孔を提供する、該第２絶縁部と、
   を有し、
   前記複数の配線の各々は、一端及び他端を有する可撓性の第１リード線、該第１リード線の一端に結合され前記複数の接点部のうち対応の接点部に結合される第１端子、及び、前記第１リード線の他端に結合される第２端子を含み、該第１端子及び該第１リード線が通された第１貫通孔を画成する前記第１絶縁部の内面と該第１端子及び該第１リード線との間には、空間が介在しており、
   前記別の配線は、一端及び他端を有する可撓性の第２リード線、該第２リード線の一端に結合され前記別の接点部に結合される第３端子、及び、前記第２リード線の他端に結合される第４端子を含み、前記第２貫通孔を画成する前記第２絶縁部の内面と該第３端子及び該第２リード線との間には、空間が介在している、
   請求項５に記載の載置台。
8. 前記第３端子と前記第２絶縁部との間に介在する筒状の絶縁部を更に備える、請求項７に記載の載置台。
9. 被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置であって、
   処理容器と、
   請求項１〜８の何れか一項に記載された載置台であり、前記処理容器内に設けられた該載置台と、
   を備えるプラズマ処理装置。

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