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TW201236755A - Halide free precursors for catalysts - Google Patents

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TW201236755A
TW201236755A TW101116028A TW101116028A TW201236755A TW 201236755 A TW201236755 A TW 201236755A TW 101116028 A TW101116028 A TW 101116028A TW 101116028 A TW101116028 A TW 101116028A TW 201236755 A TW201236755 A TW 201236755A
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TW
Taiwan
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catalyst
gold
palladium
precursor solution
carrier material
Prior art date
Application number
TW101116028A
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English (en)
Inventor
Tao Wang
Les Wade
Barbara F Kimmich
Alfred Hagemeyer
Valery Sokolovskii
Victor Wong
Yu-Min Liu
David M Lowe
Jun Han
Ioan Nicolau
Original Assignee
Celanese Int Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Celanese Int Corp filed Critical Celanese Int Corp
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Description

201236755 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於觸媒、製造觸媒之方法及製造烯基烷醇酸 酯之方法。明確而言，本發明係關於製造乙酸乙烯酯之方 法。 【先前技術】 特定烯基烷醇酸酯如乙酸乙烯酯（VA)為以其單體形式高 度需求之商用化學品。例如，VA用以製造聚乙酸乙烯酯 (PVAc)，其通常用於黏著劑並視為大部分VA用途。其他VA 之用途包括聚乙烯醇（P VOH)、乙烯乙酸伸乙酯（EVH)、乙 酸伸乙乙烯酯（VAE)、聚乙烯丁醛（PVB)、伸乙乙烯醇 (EVOH)、聚乙烯甲越（PVF)及氣化乙稀-乙酸乙稀酯共聚 物。PVOH通常用於織物、薄膜、黏著劑及感光性塗膜。薄 膜與線纜絕緣通常以特定比例使用EVA。氣化乙烯-乙酸乙 烯酯共聚物之主要應用包括塗料、漆料，而黏著劑通常以 特定比例使用具有VA之VAE。含有超過50% VA之VAE主要 用作水泥添加劑、漆料及黏著劑。PVB主要用於層壓屏幕 之下層、塗料及油墨。EVOH用於障壁膜及工程用聚合物。 PVF用於電纜瓷漆及磁帶。 因為VA為許多商用材料及產品之基本材料，所以對VA之 需求很大，VA之生產通常在相當大規模上完成，例如，每 年50,000公噸以上。此大規模生產意指有效經濟規模成為 可能，而在加工、加工條件或觸媒特性方面之相當細微改 變可對VA生產之成本具有顯著經濟衝擊。 4 201236755 許多技術a己載稀基烧醇酸g旨之製造。例如，在製造乂八 中，廣泛使用的技術包括乙烯與乙酸及氧氣之催化氣相反 應’如以下反應所示： C2H4 + CH3COOH + 0.5 〇2 __► CH3C00CH=CH2 + 1^0 若干田]作用會發生，包括如c〇2之形成。此反應之結果根據 反應系統之空間-時間產率（STY)敘述，其中STY為每小時反 應時間每升觸媒產生之VA克（g/l*h)。 進料之組合物可在廣泛限制内改變。通常，進料包括 30-70%乙烯、10-30%乙酸及4_16%氧氣。進料亦可包括作 性材料如C〇2、氮氣、甲烷、乙烷、丙烷、氬氣及/或氦氣。 對進料組合物之主要限制為離開反應器之流出物流内之氧 氣準位必須充分低，使得物流在燃燒區之外側。流出物之 氧氣準位受到原料流内之氧氣準位、反應之〇2轉化速率及 任何流出物内之惰性材料之量影響。 贲施氣相反應，其中原料之進料通過或穿過固定床反應 器。使用反應溫度範圍為_125它至2〇〇。〇可得成功結果，而 通常反應壓力為1_15氣壓。 雖然此等系統提供適當產率，但仍需要減少產生副產 物、VA輸出之較高速率及在製造期間使用較低能量。一種 方法為改良觸媒特性，特別是有關c〇2選擇率及/或觸媒之 舌〖生另種方法為改良反應條件’如原料互相之比率、 反應之〇2轉化率、進料之空間速度（SV)以及操作溫度與壓 力。 C〇2之形成為一態樣，其可透過使用經改良觸媒降低。 201236755 叫之選擇率為進人c〇2轉化之乙烯的百分比。❹叫之 選擇率容許現存卫廠β每單元體積與單元時間較大量 VA ’即使保持所有其他反應條件亦然。 特定反應系統之VA輸出量受到若干其他因素影響，包括 觸媒之活性、原料互相之比率、反應之〇2轉化率、進料之 空間速度（SV)以及操作溫度與壓力。所有因素合起來以決 定反應系統之空間-時間產率（STY)，其中STY根據每小時反 應時間每升觸媒產生之VA克或g/l*h說明。
通常，活性為測定STY之重要因素，但其他因素仍對STY 有顯著衝擊。it常’觸狀祕愈高，觸媒可產生之STY 愈高。 〇2轉化率為在觸媒存在下氧氣反應多少之測量。〇2轉化 速率視溫度而定，使得轉化速率通常隨著反應溫度爬升。 然而所產生之C〇2量亦連同〇2轉化率增加。因此，選擇 〇2轉化速率以得對所產生之eh量平衡之所欲va輸出量。 具有較高活性之觸媒意指當保持相同〇2轉化率時，可降低 總反應溫度。或者，具有較高活性之觸縣規定溫度及空 間速度下可提供較高02轉化速率。 通吊觸媒使用一種或多種負載在相對惰性載體材料上 之催化活性。在VA觸媒之情況下，催化成分通常為金屬之 混合物，其可均勻地分布過載體材料（"所有全遍及式 (all-throughout)觸媒”），僅在載體材料之表面上（”外殼觸媒 ")，僅在載體材料之外殼下方（”蛋白觸媒"）或在载體材料之 核心（"蛋黃觸媒”）。 6 201236755 各種不同載體材料已建議用mVA觸媒，包括氧化矽、摻 雜鈽之氧化石夕、氧化銘、氧化鈦、氧化錘及氧化物遇合物: 但是對於載體材料間之差異之研究則很少完成。總而言 之’實際上#氧化石夕及氧化紹在商業上作為載體材料。 對VA催化一種有用組合為鈀與金。pd/Au觸媒提供適當 c〇2選擇率及活性，但仍需要可製造VA之經濟規模之經改 良觸媒。 製造Pd/Au觸媒之一方法通常包括用鈀與金之水溶性鹽 的水溶液浸潰載體；將經浸潰水溶性鹽與適當鹼性化合物 如氫氧化鈉反應以沉澱（時常稱為固定）金屬元素作為水不 溶性化合物如氫氧化物；洗滌經固定載體材料以改良未固 定化合物並清潔具有任何毒性之觸媒如氣化物；用典型還 原劑如氫、乙烯或肼還原水不溶性化合物，及加入鹼金屬 化合物如乙酸卸或鈉之步驟。 曾建議對此基本方法之各種改良。例如，在美國專利 5,990,344號中’曾建議在還原至其游離金屬形式後，進行 纪之燒結。在美國專利6,〇22,823號中，曾建議可有利地用 纪與金鹽之浸潰後，在非還原氣氛内煅燒載體。在w〇 94/21374中’曾建議在還原及活化後但在其首先使用前， 觸媒可藉連續加熱於氧化、惰性及還原氣氛内預熱。 在美國專利5,466,652號中，曾建議鈀與金之鹽，其為無 經基、齒化物及鋇並可溶於乙酸内，可用以浸潰載體材料。 美國專利4,902,823號曾類似建議，即，使用無鹵化物及硫 之鹽及可溶於具有2個或10個碳原子之未經取代羧酸内之 201236755 鈀之錯合物。 在美國專利ό，486,370號中，曾建議層合觸媒可用於脫氫 法中，其中内層載體材料不同於外層載體材料。同樣，美 國專利5,935,889號建議層合觸媒可用作酸性觸媒。但二建 議在製造烯基烷醇酸酯時皆未使用層合觸媒β 總而言之’本發明人等認同並說明在VA觸媒之領域中連 續改良之需求以提供較低成本之經改良VA製造。 【發明内容】 本發明說明至少四種有關觸媒結構之態樣、製造該等觸 媒之方法及使用該等觸媒供製造稀基院醇酸醋之方法。以 分開或組合一起方式.，本發明之各種態樣針對改良烯基烷 醇酸酯及VA之製造，特別包括副產物之還原及經改良生產 效率。本發明之第一態樣有關獨特鈀/金觸媒或包括铑或其 他金屬之預觸媒（視需要煅燒）。第二態樣有關鈀/金觸媒或 以層合載體材料為主之預觸媒，其中支持層之一層實質上 無催化成力。第二態樣有關鈀/金觸媒或在含有氧化锆之載 體材料上之預觸媒。第四態樣有關鈀/金觸媒或自實質上無 氣化物催化成分產生之預觸媒。 觸媒 為了本發明目的起見，觸媒為任何含有至少一種催化成分 且其可催化反應之載體材料，而預觸媒為任何由本文所述 之觸媒製備步驟造成之材料。 本發明之觸媒與預觸媒可包括該等具有至少以下屬性之 8 201236755 一:：υ觸媒為含有鈀與金之觸媒，#包含至少另一催化 成刀々鍺其中一種或多種催化成分被煅燒；2)觸媒負載 在層。載體上’ 3)觸媒負载在含氧化錯之載體材料上；4) 觸媒係由無氣化物先質或任何前述之組合製成。因此，有 效使用觸媒應有助於改良c〇2選擇性、活性或二者，特別有 關VA製造。 須知本發明敘述於特定例示性具體例之上下文中，但可 =任何態樣數目改變，端視特定應用之需求而定。藉由不 二限制之實例，觸媒可具有均句分布過載體材料之催化成 刀或其可為外殼觸媒，纟中催化成分發現於載體材料核心 周圍之相當薄殼内。蛋白觸媒亦適合，其中催化成分實質 上離開載體材料之中心定位。蛋黃觸媒亦適合。 催化成分 I通常本發明之觸媒及預觸媒包括金屬，特別是包括至 、種金屬之組合。明確而丨，金屬之組合包括至少一種 一自族VIIIB而至少一種來自族IB。須知”催化成分”用以表 不最終提供觸媒催化功能之金屬，而且包括各種狀態之金 屬’例如’鹽、溶液、溶膠·凝膠、懸浮液、游離金屬、合 或其組合。較佳觸媒包括把與金作為催化成分。 觸媒之具體例包括與第三催化成分組合之具有纪與金 催化成分之組合。第三催化成分較佳選自族VIIIB，以Rh 最佳。其他較佳觸媒包括該等觸媒，其中第三催化成分係 選自 W、Ni、Nb、Ta、Ti、Zr、Y、Re、〇sFeCu、c〇、 zn ' In、Sn、Ce、Ge、Ga及其組合。 201236755 觸媒之另一具體例包括催化成分之組合，其包括鈀、金 及铑之組合β視需要而定，第三催化成分（如上所示）亦可取 代Rh包括於此具體例中。在另一具體例中，可使用上述之 一種或多種催化成分。 在一例中，鈀與金可與Rh組合以形成觸媒，比較於缺少 Rh之Pd/Au觸媒’其顯示經改良c〇2選擇率（即，減少形成 C〇2)。此外’ Rh之加入不會顯示不利地影響觸媒之活性。 鈀、金、铑觸媒之C〇2選擇率亦可在觸媒製備期間透過煅燒 及/或透過使用無水溶性函化物先質（以下說明）改良，但其 不需要觀察Rh效應。 第二催化成分對把之原子比可為約〇 〇〇5至約丨〇，更佳為 約0.01至約1.0。在一具體例中’觸媒含有每升觸媒在約〇 〇1 與約5.0克第三催化成分。 觸媒之另一較佳具體例包括每升觸媒在約1至約1〇克 把，及約0 · 5至約1 〇克金之間。金之量，以纪之重量計，較 佳約10至約125重量〇/〇。 在研磨觸媒之一具體例中，Au對Pd原子比在約〇. 5與約 1 .〇〇之間對研磨觸媒較佳。可調整原子比以平衡活性與c〇2 選擇率。較雨Au/Pd重量或原子比之使用趨向有利更活性、 更選擇性觸媒。或者如所述，具有原子比為約〇 6之觸媒對 C〇2為較低選擇性，而且較具有原子比為約〇.8之觸媒具有 更低活性。在研磨載體材料上之高Au/Pd原子比之功效透過 使用相對高過量氫氧化物離子亦會增強，如以下有關固定 步驟所述。研磨觸媒可為一種觸媒’其中催化成分接觸載 201236755 著減少粒子大小(例如，藉研磨或球磨)，或一種 料。、催化成分在載體材料減少尺寸後才接觸載體材 =外殼觸媒，催化成分在載體材料上之外殼之厚度範 圍為約5微米至約5〇〇微米。 300微米。 t佳範圍包括自約5微米至約 載體材料 由恭：不’在本發明之一態樣中’本發明之催化成分通常 載體材料負㈣當載體材料通常包括同一性實質上均 料或材料之混合物。總之，載體材料在進行反應中 為惰性。載體材料可由較佳選擇之任何適當材料所組成， 使得載體材料每單Μ量或體積具有相當高表面積，例 如，多孔結構、分子篩結構、蜂巢結構或其他適當結構。 例如’載體材料可包含氧切、氧化|g、氧化氧化紹、 ”氧化錯、氧化銳、石夕酸鹽、ί呂石夕酸鹽、欽酸鹽、 尖晶石、碳化矽、氮化矽 ’虱化矽、石反、滑石、皂石、膨潤土、黏 浮石、滞石、非沸石分子筛及其 組合荨。任何不同結晶形式之材料亦適合，例如，α-或r -氧化銘。以含有氧切與氧化叙載體材料最佳。此外， 多層載體材料亦適用於本發明。 本發月觸媒之載n材料可由具有任何規則或不規則形狀 求形键片开广圓柱形、盤形、環形、星形或其他形狀 之顆粒所組成。載體材料可具有尺寸如直徑、長度或寬度 為約1至約10毫米，較佳為約3至約9毫来。明確而言，具有 201236755 規則形狀（如球形）之載體材料具有較佳最大尺寸為約4毫米 至約8毫米。此外，研磨或粉狀載體材料亦適合，使得載體 材料具有直徑為約1 〇微米與約丨〇〇〇微米之間，較佳尺寸為 約10微米與約700微米之間，最佳尺寸為約180微米與約450 微米之間之規則或不規則形狀。亦可使用較大或較小尺 寸，以及顆粒大小之多分散收集。例如，關於流體床觸媒， 較佳尺寸範圍包括1〇至15〇微米。關於用於層合觸媒之先 質’以尺寸範圍為1〇至250微米較佳。 支持備化成为可行之表面積，如 and Teller)法所測定，通常可在約丨平方米/克與約5〇〇平方 米/克，較佳約100平方米/克至約2〇〇平方米/克。例如，關 於多孔載體’載體材料之孔隙體積通常可為約〇1至約2毫 升/克，較佳為約0.4至社2毫升/克。希望平均孔大小範圍 為，例如，約50至約2000埃，但非必要。 適當含氧化矽之載體材料之例包括KA16〇，獲自 公司、Aer〇lyst 350 ’獲自DegUssa公司以及其他具 有顆粒大小為約m約1G毫米之生熱或無微孔性氧^ 石夕。 適當含氧化鍅載體材料之例包括該等來自n〇必。 —Sales(America^ 司、Daichi Kigens〇 〜咖 Μ% 及Magnesium Elektron Inc(MEI)者。適當氧化錯載體材料且 有廣泛_之表面積，自低於約5平方米/克至超過平^ 来/克。較佳氧化鍅載體材料具有表面積自約1〇平 至 約135平方米/克。載體材料可透過加熱最初載體材料之锻 12 201236755 燒步驟處理其表面 锻燒）。此提供一種 表面積之裁體材料 。加熱可減少載體材料之表面積（例如， 產生不會自供應商容易獲得之具有特定 之方法。 =另:具體例中，_使用至少^干載體材料之組合， …丨如，1特徵例如’至少二種具有不同特徵之載體材料 ’氧化結）會顯示不同活性及co、竖搲言 个N，在汪夂選擇率，因此容許製 備具有所欲特徵組的觸媒 即觸媒之活性可對觸媒之co2 選擇率平衡。 在-具體例中’複數不同載體用於層合組態中。層合可 於任何不同方式内達成’例b，複數薄片其通常為扁平、 呈波狀或其組合。一特定方式為使用相對於最初核心層之 連續包封層。通常，本文中之載體材料通常包含至少一層 内層及至少局部環繞内層之外層。外層較佳含有較内層4 質上更多催化成分。在-具體例中，内層與外層係由不同 材料製成；但材料可相同。雖然内層可為非孔性，但其他 具體例包括多孔性内層。 層合載體材料較佳導致外殼觸媒之形式。但層合載體材 料提供界疋良好之邊界在具有催化成分之載體材料之區與 不具催化成分之區之間。此外，外層可一致地用所欲厚度 構成。外層之邊界與均勻厚度一起導致外殼觸媒，其為催 化成分之外殼’其為均勻與已知厚度。 若干對產生層合載體材料已知之技術包括該等敘述於美 國專利6,486,370號；5,935,889號；及5,200,382號，其各併 入供參考。在一具體例中’内層之材料亦未由液體實質上 13 201236755 滲透，例如，金屬包括但不限於鋁、鈦及锆。其他内層之 材料之料包括，但不限於，氧化鋁、氧化矽、氧化矽-氧化 銘氧化欽、氧化錯、氧化銳、石夕酸鹽、紹石夕酸鹽、欽酸 鹽、尖晶石、碳化矽、氮化矽、碳、滑石、皂石、膨潤土、 黏土、金屬、玻璃、石英、浮石、沸石、非沸石分子篩及 其組合。較佳内層為氧化石夕及K a 1 6 0。 此等構成内層之材料可為各種形式，如規則形狀顆粒、 不規則形狀顆粒、片形、盤形、環形、星形、車輪形、蜂 窩形或其他形狀體《以球狀顆粒内層較佳。此内層，不論 是否為球形，具有有效直徑為約〇〇2毫米至約1〇〇毫米，較 佳為約0.04毫米至約8.0毫米。 任何多層結構之最外層為多孔、具有表面積範圍為約5 平方米/克至約300平方米/克。外層之材料為金屬、陶究或 其組合，纟-具體例中’其係選自氧化鋁、氧化矽、氧化 矽-氧化鋁、氧化鈦、氧化鍅、氧化鈮、矽酸鹽、鋁矽酸趟、 欽酸鹽、尖晶石、碳化石夕、氮化石夕、碳、滑石、皂石、膨 潤土、黏土、金屬、玻璃、石英、浮石、沸石、非彿石分 子筛及其組合’較佳包括氧㈣、氧切、氧切·氧化叙、 “、非彿石分子_顧）、氧化鈦、氧化鉛及其混合物。 特疋例包括氧化錯、氧切及氧化銘或其组合。 雖然外層通常實質上環繞整個㈣，但此情況並必要， 可使用由外層在内層上之選擇性塗佈。 夕卜層可㈣當方式㈣在底層上q —具體财，使用 卜層材料之衆體。内層用毁體之塗佈可藉方法如輥壓、浸 14 201236755 泡、喷霧、洗滌塗佈、其他漿體塗佈技術、其組合等。_ 較佳技術涉及使用内層顆粒之固定或流化床及將聚體喷入 床内以均勻地塗佈顆粒。漿體可小量重複塗覆與介入# 燥，以提供厚度高度均勻之外層。 用以塗佈内層之漿體亦可包括任何添加劑如界面活性 劑、有助於外層黏著底層之有機或無機黏合劑或其纽合。 此有機黏合劑之例包括但不限於PVA、羥基丙基纖維素、 甲基纖維素及羧甲基纖維素。加入漿體之有機黏合劑之量 可改變，例如，自約1重量％至約15重量％外層與黏合劑之 組合。無機黏合劑之例係選自氧化鋁黏合劑（如B〇hinite)、 氧化矽黏合劑（如Lud〇x，Te〇s)、氧化錘黏合劑（如乙酸氧化 鍅或膠態以化鍅）或其組合。氧化矽黏合劑之例包括矽溶膠 及矽凝膠，而氧化鋁黏合劑之例包括氧化鋁溶膠、膨潤土、 Bohmite及硝酸鋁。無機黏合劑之量可為約2重量。至約Η 重量％外層與黏合劑之組合。外層之厚度可為約5微米至約 500微米，較佳為約2〇微米與約25〇微米之間。 一旦内層用外層塗佈時，所得層合載體可藉如在溫度為 約100C至約320°c下加熱（例如，約丨至約24小時）乾燥，然 後可視需要在溫度為約30(rc至約9〇〇t下煅燒（例如，約〇 $ 至約10小時）以強化外層黏合至底層之至少一部分表面上 並提供層合觸媒載體。㈣與锻燒步驟可組合成一個步 驟。所得層合載體可與催化成分接觸，就如下述在製造觸 媒時任何其他載體材料般。或者，外層載體材料在塗佈在 底屬前與催化成分接觸。 15 201236755 在層合載體之另一具體例中 加入環繞最初外層之第
適當方法包括該等對第一外層所述之方法 也之材料。塗覆 _間層之方法， °所述之有機或 無機黏合劑可適當地用於第二外層之形成。 最初外層可包含或不可包含催化成分。同樣’第二外層 亦可包含或不可包含催化成分。若二外層皆包含催化成分 時，較佳不同催化成分用於各層，但此情況並非必要。在 一較佳具體例中，最初外層不包含任何催化成分❶將催化 成分接觸外層可藉下述浸潰或喷霧塗佈完成。 在最初外層含有催化成分之具體例中，達成此之一方法 為將催化成分在材料塗覆至内層前接觸最初外層之材料。 第二外層可塗覆至純粹或含有催化成分之最初外層。 其他適當技術可用以達成三層式載體材料，其中一層以 上之外層含有催化成分。的確，層合載體材料不限於三層， 但可包括四層以上’一些或所有層可含有催化成分。 此外’催化成分之數目及類型可在層合載體材料之層間 改變’載體材料之其他特徵（例如，孔隙度、顆粒大小、表 面積、孔體積等）可在層間改變。 製造觸媒之方法 通常’此法包括接觸載體材料催化成分並還原催化成 分。本發明之較佳方法包括將催化成分浸潰於載體材料 内、锻燒含催化成分之載體材料、減少催化成分及改良在 201236755 載體材料上之經還原催化成分。額外步驟如固定催化成分 在載體材料上以及洗蘇經固定催化成分亦可包括於製造^ 媒或預觸媒之方法内。有些上述步驟視需要而定而其他步 驟可消除（例如’洗務及/或固定步驟）。&外，有些步驟可 重複（例如，多重浸潰或固定步驟），步驟之順序可不同於上 述步驟（例如，還原步驟在煅燒步驟前面卜至一特定程产， 接觸步驟可決定對觸媒之形成是否需要較後步驟" 接觸步驟 -特定接觸方式為一種依據形成蛋黃觸媒或預觸媒、形 成蛋白觸媒或預觸媒、形成全遍及式觸媒或預觸媒或形成 外殼觸媒或預觸媒或其組合之方式。在—具體例中，以形 成外殼觸媒之技術較佳。 接觸步驟可使隸何上述載體材料實施，以氧切、氧 化結及含氧⑽之層合載體材料最佳。接觸步驟較佳在周 圍溫度及麼力條件下實施；然而，亦可使用減少或升高的 溫度或壓力。 在-較佳接觸步驟中’載體材料係用—種以上催化成分 之水溶液（稱為先質溶液）浸潰。在接觸步驟期間载體材料之 物理狀態可為乾燥固體、漿體、溶膠·凝膠、膠態懸浮液等。 在-具體例中，包含於先質溶液内之催化成分為催化成 分製成之水溶性鹽’包括但不限於，氯化物、其他齒化物、 确酸鹽、亞硝酸鹽、氫氧化物、氧化物、草酸鹽、醋酸鹽 (〇Ac)及胺’以無齒化物之鹽較佳，無氣化物之鹽更佳。適 用於先質溶液之把鹽之例包括pdci2、叫_14、 17 201236755
Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(OH)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(N03)2、Pd(NH3)4(OAc)2、Pd(NH3)2(OAc)2、Pd(OAc)2於 KOH内及 /或 NMe4OH及 /或 NaOH、Pd(NH3)4(HC03)2及草酸 鈀。在含氣化物之鈀先質中，以Na2PdCl4最佳。在無氣化 物之纪先質鹽中，以下四種最佳：Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(N03)2、Pd(NH3)2(N02)2及 Pd(NH3)4(OH)2。適用於先質 溶液之金鹽之例包括AuC13、HAuC14、NaAuCl4、KAu02、
NaAu02、NMe4Au02、Au(OAc)3於 KOH 内及/或 ΝΜε4ΟΙί 以 及HAu(N〇3)4於硝酸内，以KAu〇2為無氣化物之金先質之最 佳。適用於先質溶液之铑鹽之例包括Rhcl3、Rh(〇Ac)3及 Rh(N03)2。亦可選擇上述第三催化成分之類似鹽。 此外’超過一種鹽可用於規定先質溶液内。例如，把鹽 可與金鹽組合或二種不同鈀鹽可於單一先質溶液内組合一 起。先質溶液通常可藉溶解選定鹽或鹽於水中，具有或不 具有溶解度改良劑如酸、驗或其他溶劑而製成。其他非水 性溶劑亦適合。 先質溶液可同時（例如，共浸潰）或按序浸潰於載體材料 内並可透過使用一種或多種先質溶液浸潰。具有三種以上 之催化成分，可使用同時與按序浸潰之組合。例如，鈀及 铑可透過使用單一先質溶液浸潰（稱為共浸潰），接著用金之 先質溶液浸潰。此外，催化成分可在多重步驟中浸潰在載 體材料上，使得每次接觸一部分催化成分。例如，一適當 方式包括用Pd浸潰、接著用Au浸潰、接著用Au浸潰。 用先質溶液浸潰載體材料之順序並不重要；雖然對於緞 18 201236755 燒步驟，如下所述，對特定順序有若干優點。較佳的是， 把催化成分首先浸潰在㈣材料上，在㈣或最後金才被 浸潰。使用時，姥或其他第三催化成分可用纪、用金或本 身浸潰。此外，載體材料亦可用相同催化成分浸潰多次。 例如，可首先接觸一部分包含於觸媒内之全部金，接著接 觸第二部分金…個以上其他步驟可插在金接觸載體材料 之步驟之間，例如，煅燒、還原及/或固定。 先質溶液之以酸為主組態會影響是否使 浸潰。以，在共浸潰步财，應使用具有類似以=^ 組態之先質溶液-起；此可消除任何會污染先質溶液之以 酸為主反應。 關於浸潰步驟，選擇先質溶液之體積，使得其對應在約 85。/。與約11()%間載體材料之孔體積。體積以在約95_約 _曰1載體材料之孔體積較佳，更佳為在約98%與約99% 孔體積。 通常’先質溶液加人載體材料内而讓載體材料吸收先質 溶液。此可以滴落方式進行，直到載體材料之最初座度實 質上達成為止。或者，載體材料可藉等份或分批方式放入 先質溶液内。旋轉·浸潰或其他輔助裝置可透過載體材料與 先質溶液間之接觸達成。此外，可使用喷霧裝置，使得先 質溶液透㉟吸收其之喷嘴喷在載體材料上。#見需要而定， 傾析、加熱或減壓可用以除去任何未由載體材料吸收之過 量液體或在浸潰後乾燥載體材料。 關於浸潰步驟’選擇先質溶液之體積，使得其對應在約 19 201236755 85〇/。與約11G%間載體材料之孔體積。體積以在約9外與約 1〇〇%間載體材料之孔體積較佳，更佳為在約98%與約99% 孔體積。 通常，先質溶液加入載體材料内而讓載體材料吸收先質 溶液。此可以滴落方式進行，直到載體材料之最初溼度實 質上達成為止。或者，載體材料可藉等份或分批方式放入 先質溶液内。旋轉-浸潰或其他輔助裝置可透過載體材料與 先質溶液間之接觸達成。此外，可使用喷霧裝置使得先 質溶液透過吸收其之喷嘴喷在載體材料上。視需要而定， 傾析、加熱或減壓可用以除去任何未由載體材料吸收之過 量液體或在浸潰後乾燥載體材料。 其他接觸技術可用以避免固定步驟，而仍可達成外殼觸 媒。例如，催化成分可透過化學氣相沉積法接觸至載體材 料，如美國專利2001/0048970號所述，其併入本文供參考。 此外，喷塗或層合均勻預浸潰的載體材料作為外層在内層 上可有效地形成外殼觸媒’其亦可敘述為層合載體材料。 在另一技術中，特別對金之催化成分之有機金屬先質可用 以形成外殼觸媒，如美國專利5,700,753號所述，其併入本 文供參考》 物理外殼形成技術亦適於製造外殼觸媒。此處，先質溶 液可喷在加熱載體材料或層合載體材料上，其中先質溶液 之溶劑在與加熱的載體材料接觸時蒸發，因此沉積外殼内 之催化成分在載體材料上。較佳可使用溫度為約4〇與14〇 C之間。外殼之厚度可藉選擇載體材料之溫度及透過喷嘴 20 201236755 之ί谷液流速控制。例如，隨菩，、w洚+ 隨者，皿度在約i〇〇r以上，形成相 當薄之外殼。當使用盔翕仆舲冼衍 攻相 …、氯化物先質以強化在載體材料上之 外威形成時，此具體例特別有用。 組合可為形成經接觸 熟悉此技藝者當可明白接觸步驟之 載體材料之適當方法。 固定步驟 希望變換至少-部分催化成分在經接觸載體材料上，自 水不洛性形式至水溶性形式。該步驟可稱為固定步驟。此 可藉塗覆固定劑（例如，分散於液體如溶液内）至經浸潰載體 材料’其造成至少-部分催化成分沉澱而達成。此固定步 驟有助於形成外殼觸媒，但非必要形成外殼觸媒。 可使用任何適當固定劑，以氫氧化物（例如，鹼金屬氫氧 化物）、矽酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽及碳酸氫鹽於水溶液内較 佳。較佳固定劑為NaOH。固定作用可藉在先質溶液浸潰在 載體材料前、期間或後加入固定劑至載體材料完成。通常， 固定劑在接觸步驟後使用，使得經接觸載體材料容許浸泡 於固定劑溶液内歷約1至約24小時。特定時間端事先質溶液 與固定劑之組合而定。如同浸潰步驟，輔助裝置如旋轉浸 潰裝置，如美國專利5,332,710號所述，其併入本文供參考， 可有利地用於固定步驟中。 固定步驟可於一個以上步驟内完成，稱為共固定或分離 固定。在共固定中，一種以上固定劑溶液之體積，在所有 相關先質溶液接觸至載體材料後，塗覆至經接觸载體材 料’不論接觸是否透過使用一種以上先質溶液完成》例如， 21 201236755 在用先質溶液之按序浸潰後之固定，金先質溶液及錢先質 溶液為共固定，如在用纪/铑先質溶液之共浸潰，接著用金 先質溶液之浸潰之固定。共固定之例可發現於美國專利 5,314,888號所述’其併入本文供參考。 另一方面，分離固定可包括在用先質溶液各浸潰期間或 其後塗覆固定劑溶液。例如，以下方式為分離固定：甸浸 潰鈀、接著固定、接著用金浸潰、接著固定；或b)用把及 姥共浸潰、接著固定、接著用金浸潰、接著固定。在固定 與隨後浸潰之間’可除去任何過量液體及乾燥載體材料， 但在此情況並非必要。分離固定之一例可發現於美國專利 6,〇34,030號所述，其併入本文供參考。 在另一具體例中，固定步驟與接觸步驟同時進行，其一 例敘述於美國專利4,048,096號，其併入本文供參考。例如， 同時固定可為：用鈀浸潰、接著岐、接著用金及固定劑 浸潰。在此具體例之-變例中，固定作用可對催化成份進 行一-人。催化成分在接觸載體材料時可局部固定（稱為"預 固定’’），接著附加最後固定。例如：用鈀浸潰、接著用金 及預固定劑浸潰、接著用最後固定劑固定。此技術可用以 幫助確保外殼型觸媒之形成，相對所有全遍及式觸媒。 在另一特別適用無氣化物先質之具_中，載體材料係 用固定劑預處理以調整載體材料之特性。在此具體例中， 載體材料首先㈣性或驗性溶液，通f無金屬浸潰。在乾 燥後，載體材料用具有與經乾燥載體材料相反酸度/鹼度之 先質溶液浸潰。隨著而來酸-鹼反應形成催化成分之外殼在 22 201236755 載體材料上。例如，硝酸可用以預處理載體材料，其進而 用鹼性先質溶液如Pd(〇H)^tAu(OH)3浸潰。此形成技術可 視為使用固定步驟，接著接觸步驟。 固定劑於溶液内之濃度通常為4耳過量之浸潰在载體 材料上之催化成分之量。固定劑之量應為與存在於水溶性 鹽之催化活性陰離子反應所需之量約1〇至約2〇，較佳為約 1.1至約1.8倍。在一使用高Au/Pd原子或重量比之具體例 中，增加的莫耳過量之氫氧化物離子可增強所得觸媒之c〇 選擇率及活性。 2 所供應之固定劑溶液之體積應為足以覆蓋經浸潰載體材 料之可行游離表面之量。此可藉導入，例如，大於經接觸 載體材料之孔體積之體積而完成。 浸潰與固定步驟之組合可形成外殼形觸媒。但是，無齒 化：先質溶液之使用亦容許外殼觸媒之形成而視需要：去 固疋步驟。在氣化物之不存在下，可排除下述洗滌步驟。 此外，此法亦可免除固定催化成分之步驟，否則其需要存 留=務步驟。因為不需要洗齡驟，所以催化成分不需要 固定以存留洗滌步驟。在製造觸媒中之後續步驟不需要催 化成分固$因而步驟之其餘部分可實施而不用附加預備步 驟。總之’無氣化物先質之使用容許觸媒或預觸媒製造方 法免除洗滌步驟，因而減少製造觸媒所需之步驟數目並除 去處理含氣化物之廢物之需要。 、 洗滌步帮 明確而言，當使用含函化物之先質溶液及其他所欲應用 23 201236755 時，在固定步驟後，經固定載體材料可洗滌以除去任何在 載體上之自化物殘餘物，或經過處理以除去污染物在載體 材料上之潛在負面影響。洗滌步驟包括清洗經固定載體材 料於水中，較佳於去離子水中。；先蘇可以分批或連續方式 完成。在室溫下之洗滌應持續，直到流出物洗滌水具有鹵 化物離子含量為低於約1000 ppm，更佳的是，直到最後流 出物對硝酸銀試驗提供負性結果為止。洗滌步驟可在下述 還原步驟之後或同時實施，但較佳在之前實施。如上所述， 使用無齒化物先質溶液可消除洗滌步驟。 煅燒步驟 在至少一種催化成分接觸載體材料後，可使用煅燒步 驟。煅燒步驟通常在還原步驟前以及在固定步驟（若使用該 步驟）後，但可過程中之其他地方發生。在另一具體例中， 锻燒步驟係在還原步驟後實施。煅燒步驟包括在非還原氣 氛（即’氧化或惰性）内加熱載體材料。在般燒期間，載體材 料上之催化成分至少局部自其鹽分解成其氧化物之混合物 及游離金屬形式。 例如，煅燒步驟係在溫度範圍為約1〇(rc至約7〇〇它，較 佳為約20代至約5〇(^之間實施。用於緞燒之非還原氣體 可包括-種以上惰性或氧化氣體如氦氣、氮氣、氯氣、氛 氣、氧化氮、氧氣、空氣、二氧化碳及其組合等。在一具 體例中，锻燒步驟係在實質上純粹氮氣、氧氣、空氣或其 組合之氣氛内實施。煅燒時間可改變但較佳為約丨與5小時 之間。催化成分之分解程度端視所用溫度及煅燒經浸潰觸 24 201236755 媒^時間長度而定，然後可監視揮發性分解產物。 可使用種以上锻燒步驟，使得在至少一種催化成分接 觸載體材料厚任何時候可炮燒。較佳的是，最後锻燒步驟 在金催化成分接觸氧化錯載體材料前發生。或者，含金之 氧化錯載體材料之锻燒在溫度為約300。(：以下時進行。藉防 在/皿度為約300 C以上锻燒含金之氧化錯載體材料，可降 低不利地影響所得觸媒之C〇2選擇率之危險。 2型包括锻燒步驟之方式包括：a)_浸潰、接著锻燒、 =者用金浸潰；或b)共浸潰把及姥、接著般燒、接著用Au 浸潰；c)用把浸潰、接著锻燒、接著用錄浸潰、接著鍛燒、 接著用金浸潰；或d)用把及姥浸潰、接著用金浸潰、接著 锻燒。 還原步驟 另一步驟本文通常用以至少局部轉換任何殘餘催化成分 自鹽或氧化物形式至催化活性狀態，例如，還原步驟。通常， 此係藉鹽或氧化物之暴露至還原劑完成，還關之例包括氧 化胺、一氧化碳、氫、烴類、烯烴類、醛類、醇類、肼、第 —胺、羧酸類、羧酸鹽類、羧酸酯類及其組合。氫、乙烯、 丙烯、驗性肼與驗性甲搭及其組合為較佳還原齊卜以與惰性 氣體摻合之乙烯及氫特佳。雖然使用氣態環境之還原較佳， 亦可使用負荷液態環境之還原步驟（例如，使用還原溶液卜 選擇供還原之溫度可為周圍溫度至最多約55(rc ^還原時間 通常可改變自約1至約5小時。 25 201236755 因為用以還原催化成分之過程會影響最後觸媒之特徵，可 變用於還原之條件，端視高活性、高選擇率或所欲此等 特性之其餘部分而定。 在具體例中，鈀接觸載體材料，在接觸與還原金前固定 並還原，如美國專利6,486,〇93，6,015,769號及相關專利 所述’其併入本文供參考。 典型包括還原步驟之方式包括：幻用鈀浸潰、接著視需 要锻燒、接著用金浸潰、接著還原；b)用及金共浸潰、 接著般燒、接著視需要锻燒、接著還原；或e)用纪浸潰、 接著視需要煅燒、接著還原、接著用金浸潰。 改良步驟 通常，在還原步驟後及使用觸媒前，改良步驟適合。雖 然觸媒可使用改良步驟’但步驟具有若干有益結果，包括 加長觸媒之操作期限。&良步驟有時稱為活性步驟並可根 據傳統實施方式疋成。#，經還原載體材料與改良劑如鹼 金屬鹽及/或驗金屬氫氧化物在使用前接觸。傳統驗金 屬羧駄鹽如c2_4脂肪族羧酸之鈉、鉀、鋰及鈽鹽用於此目 的製迨VA之較佳活性劑為驗性乙酸鹽，以乙酸卸（K〇Ac) 最佳。 載體材料可視需要較良劑之溶液浸潰。在乾燥後，觸 媒可包含，例如，每升觸媒約1〇至約7〇，較佳為約2〇至約 60克改良劑。 製造烯基烧醇酸酯之方法 26 201236755 本發明可在觸媒存在下用 广用以自鏈烯、鏈烷酸及含氧之氣體 產生烯基院醇㈣。較佳鏈稀原料包含二至四㈣原子⑽ 如乙烯θ稀及正丁缔）。用於本發明方法供製造稀基烧 醇酸酯中之較佳鏈烷酸原料 丁叶a 3 —至四個碳原子（例如，乙 酸、丙酸及丁酸）。此法之較佳漆 屋物為VA、丙酸乙稀酯、丁 酸乙稀S旨及乙酸浠丙醋。最佳历姐头，a 取佳原枓為乙烯及乙酸，以VA為 最佳產物°因此’本發明可用於在觸媒存在下自烯烴系不飽 和化合物、緩酸及氧製造烯烴系不飽和缓酸I雖然說明書 之其餘部分專門討論VA，伸須知雜甜 肩知觸媒、製造觸媒之方法及 製^5方法同樣可應用於其他嫌其，Η1- 井他烯基烷醇酸酯，不希望說明限制 本發明對VA之應用。 當使用本發明觸媒製造VA時，包含乙烯、氧氣或空氣及 乙酸之氣流通過觸媒。氣流之組合物可在廣泛範圍内改變 考慮流出物之㈣區。例如’乙稀對氧氣之莫耳比可為⑼ 20至約98:2,乙酸對乙稀之莫耳比可為1〇〇:丄至約1:⑽ 較佳為約H):⑴：H)’最佳為^ :⑴：8。氣流亦可包 含氣態驗金屬乙酸鹽及/或惰性氣體，如氮氣、二氧化碳及/ 或飽和烴類。可使用之反應溫度為高溫，較佳為約125_22〇 C。所用之壓力可為多少減壓 最多約20氣壓計。 正壓或升壓，較佳為壓力為 酸酯及本發明觸 除了固定床反應器以外，製造晞基烧醇 27 201236755 媒之方法亦可適當用於其他類型反應，例如，流化床反應 【實施方式】 以下實例之提供僅例示性而不希望限制性，溶劑與反應 物之量為大約。Au/Pd原子比可藉以下等式轉化成Au/pd重 量比，反之亦然：Au/Pd原子比=0.54*(Au/pd重量比）及Au/pd 重量比=1.85(Au/Pd原子比卜還原可為縮寫的，R，，接著溫度 (°C )，在該溫度實施還原。同樣，煅燒可為縮寫的，c，，接 著溫度（°C )’在該溫度實施煅燒，而乾燥步驟可縮寫為，乾 燥'。 實例1 -11之觸媒可如實例所述般製備並根據以下程序試 驗，其中自實例1 -7之觸媒可互相比較而自實例8_丨丨之觸媒 可互相比較。提供可行結果。 試驗實例之觸媒對乙烯、氧氣及乙酸之反應製造乙酸乙 烯酯時之各種副產物之活性及選擇率。為了完成此，約6〇 毫升如所述製備之觸媒放入不繡鋼藍内，溫度可藉熱電偶 在籃之頂部與底部測量。藍放入再循環型之8^”連續攪拌 槽反應器内並保持在用電熱套提供約45%氧轉化率之溫度 下。約50正升（在N.T.P.下測定）乙烯、約1〇正升氧氣、約49 正升氮氣、約50克乙酸及約4毫克乙酸鉀之氣態混合物造成 在壓力在約12氣壓下移行過藍，觸媒在二小時運行前，在 此等反應條件下老化至少16小時，其後終止反應。產物之 刀析係藉線上氣態色層分離分析’與線外液態產物組合， 28 201236755 藉在約1 o°c下縮合產物流以得端產物二氧化碳（c〇2)、重質 餾份（HE)及乙酸乙酯（EtOAc)i最佳分析完成，其結果可用 以計算此等材料供各例之％選擇率（c〇2選擇率）^反應之相 對活性，表示為活性因素（活性），可使用一系列相關活性因 素與觸媒溫度（在反應期間）之等式、氧氣轉化率、及一系列 在VA合成期間發生之反應之動態參數予以電腦計算。更通 中的疋，/舌性因素通常與達成怪定氧氣轉化率所需之溫度 有相反關係。 铑觸媒實例 實例1 .含有把及錄之載體材料製備如下：250毫升載體 材料，由SudChemieKA-160氧化石夕球所組成，具有標稱直 控為7毫米、密度為約0.569克/毫升、吸收度為約0 568克 H2〇/克載體、表面積為約160至175平方米/克及孔體積為約 0.68毫升/克’首先由最初溼度用82.5毫升四氯纪（π)納 (NaJdCl4)及氣化三氫化铑（RhCU · 3H20)之水溶液浸潰， 足以提供每升觸媒約7克元素把及約〇.29克元素錯。載體在 溶液内搖動5分鐘以確保溶液之完全吸收。然後，叙及姥在 約5 rpm下藉旋轉浸潰接觸經處理載體2.5小時，固定至載體 作為氫氧化鈀（II)及铑（III)，用283毫升自50% w/w NaOH/H2〇之氫氧化鈉水溶液，以120%所需之量轉化鈀及 铑至其氫氧化物。溶液係自經處理載體排出，然後載體用 去離子水清洗並在100 °C下於流化床乾燥器内乾燥1.2小 時。然後’含有氫氧化鈀及铑之載體材料使用最初溼度法 用含有1.24克自NaAuCU之Au之水溶液（81毫升）及2.71克 29 201236755 50%NaOH水溶液（對Aug〗8當量）浸潰。讓經Na〇H處理丸 粒靜置隔夜以確保Au鹽對不溶性氫氧化物之沉澱。丸粒係 用去離子水徹底洗滌（〜5小時）以除去氣化物離子，隨後在 100 C下於流化床乾燥器内乾燥12小時。然後，含有鈀、 铑及金之載體在400°C下在空氣中烺燒2小時，然後使之自 然冷卻至室溫。鈀、铑及金係由載體與C2H4(1%K氮氣内） 於氣相中在1501下接觸5小時還原。最後，觸媒係由最初 溼度法用10克乙酸鉀於81毫升HA内之水溶液浸潰並在丄〇〇 °C下於流化床乾燥器内乾燥1.2小時。 實例2 :使用氫氧化鈀及铑之載體材料如實例丨所述般製 備。含·有纪及鍵之載體在4〇〇。(：下在空氣中煅燒2小時，然 後使之自然冷卻至室溫。然後，含有氫氧化把及錄之經般 燒載體材料使用最初溼度法用含有124克自NaAuCl4之Au 之水溶液（81毫升）及2·71克50°/。NaOH水溶液（對Au為1.8當 量）浸潰。讓經NaOH處理丸粒靜置隔夜以確保au鹽對不溶 性氫氧化物之沉澱。丸粒係用去離子水徹底洗滌（〜5小時） 以除去氣化物離子，隨後在10(TC下於流化床乾燥器内乾燥 1.2小時。鈀、铑及金係由載體與c2h4(i%於氮氣内）於氣相 中在15 0 C下接觸5小時還原。最後’觸媒係由最初溼度用 10克己酸鉀於81毫升H20内之水溶液浸潰並在1〇〇。〇下於流 化床乾燥器内乾燥1.2小時。 實例3 :含有氫氧化鈀及铑之載體材料如實例1所述般製 備。含有鈀及铑之載體在400°C下在空氣中煅燒2小時，然 後使之自然冷卻至室溫。然後，含有氫氧化鈀及铑之經煅 201236755 燒載體材料係由載體與C2H4(1%於氮氣内）於氣相中在15〇 °C下接觸5小時還原。隨後，含有把及錄金屬之載體係使用 最初Μ度法用含有1.24克自NaAuCU之Au之水溶液（81毫 升）及2.71克50% NaOH水溶液（對Au為1.8當量）浸潰。讓經 NaOH處理丸粒靜置隔夜以確保Au鹽對不溶性氫氧化物之 ί儿殿。丸粒係用去離子水徹底洗條（〜5小時）以除去氣化物 離子，隨後在100°c下於流化床乾燥器内乾燥1.2小時。鈀、 铑及金係由載體與C2H4(1%於氮氣内）於氣相中在150°C下 接觸5小時還原。最後，觸媒係由最初溼度法用丨〇克乙酸钟 於81毫升HaO内之水溶液浸潰並在1 〇〇。〇下於流化床乾燥器 内乾燥1.2小時。 實例4 :含有氫氧化鈀及铑之載體材料如實例1所述般製 備。含有鈀及铑之載體在400°C下在空氣中煅燒2小時，然 後使之自然冷卻至室溫。然後，含有氩氧化鈀及铑之經煅 燒載體材料係由載體與C2H4( 1 %於氮氣内）於氣相中在15〇 °C下接觸5小時還原。隨後’含有鈀及铑金屬之載體係使用 最初溼度法用含有1.1克自KAu〇2之Au之水溶液（8 1毫升）浸 潰。隨後丸粒在100°C下於流化床乾燥器内乾燥1.2小時。 鈀、鍺及金係由載體與C2H4(1°/。於氮氣内）於氣相中在15〇 C下接觸5小時還原。最後’觸媒係由最初澄度法用1 〇克乙 酸鉀於81毫升HzO内之水溶液浸潰並在1 〇〇°c下於流化床乾 燥器内乾燥1.2小時。 實例5 :含有氫氧化把及姥之載體材料如實例1所述般製 備。含有鈀及铑之載體在400eC下在空氣中煅燒2小時，然 31 201236755 後使之自然冷卻至室溫。隨後，含有鈀及姥金屬之載體係 使用最初溼度法用含有1.1克自KAu〇2之Au之水溶液（81毫 升）浸潰。隨後丸粒在100°C下於流化床乾燥器内乾燥2小 時。纪、铑及金係由載體與C2H4(1%於氮氣内）於氣相中在 15 0 C下接觸5小時還原。最後，觸媒係由最初澄度法用1 〇 克乙酸鉀於81毫升ΗζΟ内之水溶液浸潰並在10(TC下於流化 床乾燥器内乾燥1.2小時。 實例ό :含有氫氧化纪及鍵之載體材料如實例丨所述般製 備。含有鈀及铑之載體在400°C下在空氣中煅燒2小時，然 後使之自然冷卻至室溫。然後，含有氫氧化鈀及铑之經煅 燒載體材料係由載體與C2H4(1%於氮氣内）於氣相中在15〇 C下接觸5小時還原。隨後’含有鈀及铑金屬之載體係使用 最初漫度法用含有1.1克自KAu02之Au及10克乙酸鉀之水 溶液（81毫升）浸潰。隨後，丸粒在i〇〇«c下於流化床乾燥器 内乾燥1 · 2小時。 實例7(參考觸媒）：含有鈀金屬之載體材料製備如下：25〇 毫升載體材料，由SudChemieKA-160氧化石夕球所組成，具 有標稱直徑為7毫米、密度為約0.569克/毫升、吸收度為約 0-5 68克ΗζΟ/克載體、表面積為約16〇至175平方米/克及孔體 積為約0.68毫升/克，首先由最初溼度法用82.5毫升四氣鈀 (II)鈉（NafdCl4)之水溶液浸潰，足以提供每升觸媒約7克元 素銳。載體在溶液内搖動5分鐘以確保溶液之完全吸收。然 後’把在約5 rpm下藉旋轉浸潰接觸經處理載體2.5小時，固 定至載體作為氫氧化鈀（Π)，用283毫升自50% w/w 32 201236755
NaOH/H2〇之氫氧化鈉水溶液，以u〇%所需之量轉化鈀至 其氣氧化物。溶液係自經處理載體排出，然後載體用去離 子水清洗並在l〇〇t：下於流化床乾燥器内乾燥1.2小時。然 後’含有氫氧化鈀之載體材料使用最初溼度法用含有丨24 克自NaAuCl4之Au之水溶液（81毫升）及2.71克50% NaOH水 /谷液（對Au為1 · 8當量）浸潰。讓經NaOH處理丸粒靜置隔夜以 確保Au鹽對不溶性氫氧化物之沉澱。丸粒係用去離子水徹 底洗滌（〜5小時）以除去氣化物離子，隨後在1 〇〇下於流化 床乾燥器内乾燥1.2小時。然後，含有鈀及金之載體係由載 體與C2H4( 1 %於氮氣内）於氣相中在丨5〇下接觸5小時還 原。最後’觸媒係由最初渔度法用1 〇克乙酸卸於8 1毫升H2〇 内之水溶液浸潰並在1 〇〇下於流化床乾燥器内乾燥1 2小 時。表2顯示實例1與7之觸媒之比較性c〇2選擇率及活性。 表1 co2選擇率 活性 實例1 9.89 2.32 實例7(參考觸媒） 11.13 2.36 層合载體實例 實例8 : 40克Zr〇2(RC-100, DKK公司供應）在65〇。〇下烺燒 3小時。所得材料具有BET表面積38平方米/克。此材料用12〇 毫升DI水球磨6小時。溶膠與22.5克由DKK(ZA-20)供應之黏 合劑乙酸錯混合並喷在5 5克具有〇D〜7.5毫米之蝴淵土 KA-160之球體上。經塗佈珠體在600°C下锻燒3小時。在顯 微鏡下之檢驗顯示具有厚度為250微米之均句外殼形成。 ·!·ί 33 201236755 實例9: 20克ZrO2(XZ16075, BET表面積55平方米/克）係用 Pd(N03)2溶液（Aldrich公司）浸潰以得Pd負載量為39毫克/克 Zr02。將經浸潰材料乾燥並在450°C下煅燒4小時。此材料 用60毫升DI水球磨4小時、與11克黏合劑（ZA-20)混合並喷 在30克硼潤土 KA-160之球體上。此等珠體在450°C下煅燒3 小時。此程序導致具有厚度為160微米之強固均勻外殼形 成。 實例10 :自實例8之珠體係與乙酸鉀之溶液浸潰以得負載 量為40毫克KOAc/毫升KA-160、乾燥並在30(TC下煅燒4小 時。其後，含有 9·4 mM Pd(自 Pd(NH3)4(〇H)2，由 Heraeus 公司供應）及4.7 mM Au(自1M溶液，Au(OH)3nAlfa"溶解於 1.6 Μ KOH)之溶液喷在此等珠體上。材料係用混合物還 原：5% Η2、95% A在200°C下歷4小時。將珠體壓碎並在實 驗部門所述之條件下於固定床微型反應器内試驗。達成在 45°/。氧氣轉化率下〜6%之C02選擇率。 實例11(參考觸媒）：實例7製備之相同觸媒用作此處參考 觸媒。表2顯示實例9-11之觸媒之比較性C〇2選擇率及活性。 表2 C〇2選擇率 活性 實例9 9.33 2.08 實例10 9.03 1.69 實例11(參考例） 11.13 2.36 氧化锆載體材料與無氣化物先質實例 以下一般程序用於此組實例。氧化锆載體材料觸媒製造 34 201236755 如下：壓碎並篩選各種成形觸媒載體。氧化鍅載體材料係 由 NorPro(XZ16052 及 XZ16075)、DKK 及 MEI公司供應。氧 化石夕載體材料則由Degussa及Sud Chemie公司供應。180-425 微米之篩選部分係用Pd及Au先質溶液浸潰（在11〇。(：下同時 或按序用中間乾燥步驟及視需要用中間煅燒步驟）至最初 溼度，視需要在空氣中煅燒、用5% H2/N2B成氣體還原、 用KOAc溶液後浸漬、在i〇〇t在N2下乾燥及於8x6多通道固 定床反應器内篩選。Au(OH)3於KOH内之溶液用作Au先 質。Pd(NH3)4(0H)2、Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(N03)2及Pd(N03)2 用作Pd先質。 氧化矽載體材料觸媒參考物製造如下：含有鈀及铑之載 體材料製備如下：250毫升載體材料，由Sud Chemie KA-160氧化矽球所組成’具有標稱直徑為7毫米、密度為約 0.569克/毫升、吸收度為約〇 568克^〇/克載體、表面積為 約160至175平方米/克及孔體積為約〇 68毫升/克，首先由最 初座度法用82.5毫升四氯鈀（II)鈉（Na2PdCl4)之水溶液浸 潰5足以提供每升觸媒約7克元素鈀。載體在溶液内搖動5 分鐘以確保溶液之完全吸收。然後，鈀在約5 rpm下藉旋轉 浸潰接觸經處理載體2 5小時，固定至載體作為氫氧化鈀 (II) ’用283毫升自5〇% w/w Na〇H/H2〇之氫氧化鈉水溶液， 以110 /〇所需之量轉化鈀至其氫氧化物。溶液係自經處理載 體排出’然後載體用去離子水清洗並在1〇(rc下於流化床乾 燥益内乾燥1.2小時。然後，含有氫氧化le之載體材料使用 最初溼度法用含有1.24克自NaAuCU之Au之水溶液（81毫
35 201236755 升）及2.71克50% NaOH水溶液（對Au為1.8當量）浸潰。讓經 NaOH處理丸粒靜置隔夜以確保Au鹽對不溶性氫氧化物之 /冗殿。丸粒係用去離子水徹底洗滌（〜5小時）以除去氯化物 離子，隨後在loot下於流化床乾燥器内乾燥12小時。然 後，含有鈀及金之載體係由載體與C2H4(1%於氮氣内）於氣 相中在150°C下接觸5小時還原。最後，觸媒係由最初溼度 法用10克乙酸鉀於81毫升H2〇内之水溶液浸潰並在1〇〇〇c下 於流化床乾燥器内乾燥1.2小時。在試驗前，將觸媒壓碎並 篩選。使用尺寸範圍為180-425微米之經篩選部分。 設計玻璃瓶内列陣為8列x6行之觸媒庫而一排36個玻璃 瓶安裝在旋渦器上及使用CavroTM液體分配自動器授拌並 分配金屬先質溶液。0.4毫升載體用於各庫元件、用於玻璃 瓶合成以及裝載至各反應器容器。 KO Ac負載量以每升觸媒κ〇 Ac克或以KO Ac微莫耳在。 0.4毫升載體上紀錄。關於Au負載量之規格，Ai^ipd之相對 原子比紀錄為Au/Pd。Pd負載量紀錄為每毫升載體體積 Pd克（即’ Pd於反應器容器内之絕對量）。 篩選方式使用溫度爬升以5°C增量自145°C至165°C，在固 定空間速度為175°/。（1.5毫克Pd在0.4毫升載體上）。空 間速度界定為以下流動：5.75 seem氮氣、〇·94 seem氧氣、 5.94 seem乙烯及每分鐘5.38微升乙酸通過各48個觸媒容器 (其皆具有内徑為約4毫米）。繪製c〇2選擇率對氧氣轉化 率、進行直線裝配及在45%氧氣轉化率下經計算（大部分情 況下内插）c〇2選擇率紀錄於以下性能概略表。在45%氧氣 36 201236755 轉化率之溫度係自T坡度計算（亦紀錄C〇2選擇率與氧氣轉 化率對反應溫度之直線裝配）。此經計算溫度愈低，觸媒之 活性則愈高。在45%氧氣轉化率之空間時間產率（sty ;每小 時每毫升觸媒體積產生之VA克）為觸媒生產力之測定。 實例12 : 400微升Zr〇2載體XZ16075(如供應之55平方米/ 克）及XZ16052(在650°C /2小時下锻燒以降低表面積至42平 方米/克）係用三種不同Pd溶液浸潰至最初溼度、在η 〇。〇下 乾燥5小時、用KAu〇2(0.97M Au備用溶液）浸潰至最初溼 度、在110°C下乾燥5小時、在350°C下於5% H2/N2形成氣體 内還原4小時、用KOAc後浸潰並在Π〇°c下乾燥5小時《然 後，Pd/Au/ZrOdJ^品（外殼）用KA160稀釋劑（用40克/升KOAc 預負載）稀釋1/9·3，即，43微升Pd/Au/Zr〇2外殼及357微升稀 釋劑（400微升全部固定床體積）裝入反應器容器内epd負載量 於400微升Zr〇2外殼内為14毫克（或在反應器容器内對所有 庫元件14*43/400=14/9.3 = 1.5毫克Pd)。Pd先質在行1與4中為 Pd(NH3)2(N02)2、在行2與5 中為Pd(NH3)4(OH)2、在行 3與6 中 為 Pd(NH3)4(N〇3)2。在列 2 與列 5 中 Au/Pd=0.3、在列 3 中 Au/Pd=0.6、在列4、列6與列7中Au/Pd=0.9。KOAc負載量在 列2, 3, 5中為114微莫耳而在列4, 6, 7中為147微莫耳。氧化石夕 參考觸媒裝入列1中。庫係使用T坡度篩選方式在固定SV下筛 選。篩選結果概述於表3。 表3 C〇2選擇率 溫度 STY C1先質在Si〇2上 ~ 7.37 156.6 729 37 201236755
Pd(NH4)2(0H)2 在 Zr〇2 上 5.79 152.4 787 卩(1(題3)4(船3)2在Zr〇2上 5.90 152.3 783 Pd(NH3)2(N〇2)2在 Zr〇2 上 5.57 150.7 795 所示*數據係取自二個Au/Pd原子比（即，0.3與0.6)與二個 不同Zr02載體之平均值。 實例13 : 400微升Zr〇2載體XZ16075(如供應之μ平方米/ 克）及XZ16052(在65(TC /2小時下烺燒以降低表面積至42平 方米/克）係用Pd(NH3)4(〇H)2( 1.11 7M Pd備用溶液）浸潰至最
初溼度、在35〇°C下於空氣中煅燒4小時、用KAu〇2(〇.97M
Au備用溶液）浸潰至最初溼度、在11 〇°c下乾燥5小時、在35〇 °C下於5% Hz/N2形成氣體内還原4小.時、用KOAc後浸潰並 在110 C下乾燥5小時。然後’ Pd/Au/Zr〇2樣品（外殼）用 KA160稀釋劑（用40克/升KOAc預負載）稀釋1/12，即，33 3 » 微升？4/八11/2]*〇2外殼及366.7微升稀釋劑（4〇〇微升全部固定 床體積）裝入反應器容器内。庫設計及庫元件組合物如下：
Zr02 XZ16075於行 1-3(庫之左半）及 Zr02 XZ16052(650°C) 於行4-6(庫之右半）。Pd負載量於400微升Zr02外殼内為is 毫克（或在反應器容器内18*33/400=18/12毫克Pd)於單元 G2 ’行3(單元B3-G3) ’單元G5 ’行6(單元B6-G6);於400 微升Zr〇2外殼内為10毫克Pd(或在反應器容器内 10*33/400= 10/12毫克Pd)於行1(單元A1_G1)及行4(單元 A4-G4);於400微升Zr〇2外殼内為14毫克pd(或在反應器容 器内14*33/400 = 14/12毫克Pd)於行2(單元B2-F2)及行5(單元 B5-F5)。在列2與列5中Au/Pd=〇 3、在列3與列6中 38 201236755
Au/Pd-0.5、在列 4與列 7 中 Au/Pd=0.7(除 了單元 Al，A4, 〇2 G5，其中Au/Pd為0.3)。KOAc負載量為114微莫耳（除了單 元D3，G3，D6，G6 ,其中KOAc負載量為147微莫耳）。氧化 矽參考觸媒裝入列1中。庫係使用τ坡度篩選方式在固定sv 下篩選。篩選結果概述於表4。 表4 CO I選擇率 在45°/。轉化率下之溫度 STY Au/Pd原子比 υ. 3 0. 5 0.7 0.3 0.5 0.7 0.3 0.5 C1先質在Si〇2上 6. 98 — 154.8 - - 742.8 - - Zr〇2： XZ16052 6. 06 5. 31 5. 38 153.7 152.3 154.9 776.8 806.0 803.0 Zr〇2： XZ16075 6.18 b. 62 5.71 147.5 151.0 154.4 773. 8 791.6 790.3 實例14 : Zr02載體（由NorPro公司供應，XZ16075，筛選 部分180-425微米、密度1.15克/毫升、孔體積475微升/克、 BET表面積55平方米/克）係用Pd(N〇3)2先質溶液浸潰至最 初溼度、在110°C下乾燥、在250。(〕（行1 -2)、在350。(：（行3_4)、 在450°C (行5-6)下於空氣中煅燒、用KAu〇2溶液（藉Au(〇h)3 於KOH内之溶解製備）浸潰、在110〇c下乾燥、在35〇<5(：下用 5% Ha/N2形成氣體還原4小時以及用KOAc溶液後浸潰。庫 具有KOAc梯次於列2至列7中自25至50克/升。Pd負載量共 達1.5毫克Pd在0.4毫升載體上。選擇二種不同Au負載量（於 行1，3, 5中Au/Pd=0.5而於行2, 4, 6中Au/Pd= 0.7)。氧化石夕 參考觸媒負載於列2中。庫係使用T坡度篩選方式在固定sv 下於MCFB48 VA反應器内篩選。篩選結果概述於表5。 39 201236755 表5 C〇2選擇率 在45%轉化率 下之溫度 STY C1先質在Si〇2上 7.21 154.7 734 Pd(N〇3)2在 Zr〇2 上 6.10 145.3 775 所示*數據係取自二個Au/Pd原子比（即，0.5與0.7)在40克/ 升KOAc、在450〇C下之緞燒及在350〇C下之還原之平均值。 實例15 : Zr02載體（由NorPro公司供應，XZ16075，篩選 部分180-425微米、密度1.15克/毫升、孔體積575微升/克、 BET表面積55平方米/克）係用pd(N〇3)2先質溶液浸潰至最 初溼度、在110°C下乾燥、在45CTC下於空氣中煅燒、用 KAu〇2溶液（藉Au(OH)3於KOH内之溶解製備）浸潰、在11〇 °C 下乾燥、在 200°C (行 1-2)、在 30(TC (行 3-4)或在 400。(：（行 5-6)下用5¾ HVN2形成氣體還原以及用k〇Ac溶液後浸潰。 庫具有KOAc梯次於列2至列7中自15至40克/升。Pd負載量 共達1.5毫克Pd在0.4毫升載體上。選擇二種不同Au負載量 (於行 1，3, 5 中 Au/Pd=0.5 而於行 2, 4, 6 中 Au/Pd=0.7)。氧化 矽參考觸媒負載於列1中。庫係使用T坡度篩選方式在固定 SV下於MCFB48 VA反應器内篩選。篩選結果概述於表6。 表6 C〇2選擇率 在45%轉化率 下之溫度 STY Cl先質在Si〇2上 7.11 154.2 738 Pd(N〇3)^Zr〇2 上 5.11 145.4 797 所示*數據係取自二個Au/Pd原子比（即，〇. 5與0. 7)在40克/ 升KOAc、在45 0〇C下之煅燒及在400〇C下之還原之平均值。 201236755 另可知複數個成份或步驟之功能或結構可組合成單一成 分或步驟，4-個步驟或成&之功能或結構可在複數個步 驟或成刀中为開。本發明涵蓋所有此等組合。除非另予指 月本文所述之各種結構之尺寸及幾何形狀不希望限制本 發明，而其他尺寸及幾何形狀可能。複數個結構成分或步 驟可由單一整合結構或步驟提供❶或者，單一整人妗 步驟可分成分離複數個成分或步驟。此外，雖然本發明1 :件可以僅-個例示具趙例之上下文說明，但該= 合成一個以上其他具體例之其他部件供任何規定應用。自 上述亦可知獨特結構之製造及其操作亦構成根據本發明之 方法。 本文呈現之解釋及例示希望告知熟悉此技藝者本發明之 原理及其實際應用。熟悉此技藝者可以各種形式採用本發 明’如可最適合特u途之需求。_，上述本發明 定具體例不希望消耗或限制本發明。因此，本發明之範圍 並非參照上述說明決^而參照所附中請專利範圍連同該 ::利ΐ圍稱呼之相等物之全部範圍決定。所有文件及參 考物，ι括專利中請案及公告案，為所有目的以
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Claims (1)

  1. 201236755 七、申請專利範圍： 1. 一種適用於幫助烯基鏈烷酸酯生產的觸媒或預觸媒的生 產方法，包括： 使至少一種包含鈀和金之催化先質溶液與載體材料相 接觸，其中該至少一種催化先質溶液是包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(OH)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(OAc)2、Pd(NH3)2(OAc)2、Pd(NH3)4(HC03)2、 NaAu〇2、NMe4Au02、在石肖酸内的HAu(N03)4或其組合中 之一或多者的水溶液；以及 藉由使還原環境與該載體材料相接觸來還原鈀或金。 2. 如請求項1之方法，其中鈀催化先質溶液包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(OH)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(〇Ac)2、Pd(NH3)2(OAc)2、Pd(NH3)4(HC03)2，且 金催化先質溶液包括NaAu02、NMe4Au02、在硝酸内的 HAu(N03)4 〇 3. 如請求項1之方法，其中鈀催化先質溶液包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(〇H)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(〇Ac)2、Pd(NH3)2(〇Ac)2、Pd(NH3)4(HC03)2，且 金催化先質溶液包括KAu02。 4. 如請求項1之方法，其中金催化先質溶液包括NaAu〇2、 NMe4Au02、在硝酸内的hAu(N03)4，且鈀催化先質溶液 包括Pd(N03)2或草酸纪。 5. 如請求項1或2之方法，其中該載體材料包括氧化矽、氧 化鋁、氧化矽-氧化鋁、氧化鈦、氧化錘、氧化鈮、矽酸 201236755 鹽、鋁矽酸鹽、鈦酸鹽、尖晶石、碳化矽、氮化矽、碳、 滑石、膨潤土、黏土、金屬、玻璃、石英、浮石、沸石、 非沸石分子篩或其組合。 6. 如請求項1或2之方法，其中該載體材料包括氧化鍅。 7. 如吻求項丨或2之方法，其中該載體材料包括層合載體材 料。 8. 如明求項7之方法，其中該層合載體材料包含内層及外 層’其中該内層不含鈀和金。 9. 如請求項1或2之方法，其中該接觸步驟包括使每升觸媒 為1至10克之間的鈀和每升觸媒為〇·5至1〇克的金與該載 體材料相接觸’而金量基於鈀的重量為1〇至125重量 10·如請求項1或2之方法，其中該催化先質溶液包含至少一 種含鍺的第三組份。 11·如請求項1或2之方法，還包括使醋酸鉀與該載體材料相 接觸。 12·如請求項11之方法，其中該醋酸鉀的存在量在每升觸媒 為1 0與7 〇克之間。 13. —種用於催化烯基鏈烷酸酯生產的組成物，包括： 一載體材料’其上至少接觸有鈀和金以形成觸媒或預 觸媒’其中該觸媒或預觸媒是由一或多種先質所形成， 該或夕種先質包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(〇H)2、 Pd(NH3)4(N〇3)2、Pd(NH3)4(〇Ac)2、pd(NH3)2(〇Ac)2、 Pd(NH3)4(HC〇3)2、NaAu02、NMe4Au〇2、在石肖酸内的 HAu(N03)4或其組合中之一或多者。 201236755 14.如請求項13之組成物，其中鈀催化先質溶液包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(OH)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(OAc)2、Pd(NH3)2(OAc)2、Pd(NH3)4(HC03)2，且 金催化先質溶液包括NaAu〇2、.NMe4Au〇2、在确酸内的 HAu(N〇3)4。 1 5.如請求項13之組成物，其中鈀催化先質溶液包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(OH)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(OAc)2、Pd(NH3)2(OAc)2、Pd(NH3)4(HC03)2，且 金催化先質溶液包括KAu02。 16. 如請求項13之組成物’其中金催化先質溶液包括 NaAu02、NMe4Au02、在硝酸内的HAu(N03)4，且纪催化 先質溶液包括Pd(N03)2或草酸鈀。 17. 如請求項13或14之組成物，其中該載體材料包括氧化锆。 18. 如請求項13或14之組成物，其中該載體材料包括層合載 體材料。 19. 如請求項13或14之組成物，其中該觸媒或預觸媒包含含 铑的第三組份。 20. 如請求項13或14之組成物，其中該觸媒或預觸媒包含在 每升觸媒為1至10克之間的鈀和每升觸媒為〇.5至1〇克的 金’而金量基於鈀的重量為10至125重量〇/〇。 21·如請求項13或14之組成物，其中該觸媒或預.觸媒包含醋 酸鉀。 22.如請求項21之組成物，其中該醋酸鉀的存在量在每升觸 媒為10與70克之間。 3 201236755 23·如請求項13或14之組成物，其中該載體材料包括粒狀載 體材料或粉狀載體材料。 24. —種製造烯基鏈烷酸酯之方法，包括： 使包含鏈烯、鏈烷酸及氧化劑的進料與觸媒或預觸媒 相接觸’該觸媒或預觸媒包含位在載體材料上的把和 金，其中該觸媒或預觸媒是由一或多種先質所形成，該 一或多種先質包括 Pd(NH3)2(N02)2、Ρί!(ΝΗ3)4(〇ίί)2、 Pd(NH3)4(N03)2、Pd(NH3)4(〇Ac)2、Pd(NH3)2(〇Ac)2、 Pd(NH3)4(HC03)2、NaAu02、NMe4Au02、在硝酸内的 HAu(N〇3)4或其組合中之一或多者。 25. 如請求項24之方法，其中鈀催化先質溶液包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(〇H)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(OAc)2、Pd(NH3)2(〇Ac)2、Pd(NH3)4(HC03)2，且 金催化先質溶液包括NaAu02、NMe4Au02、在硝酸内的 HAu(N03)4。 26. 如請求項24之方法，其中鈀催化先質溶液包括 Pd(NH3)2(N02)2、Pd(NH3)4(〇H)2、Pd(NH3)4(N03)2、 Pd(NH3)4(OAc)2、Pd(NH3)2(OAc)2、Pd(NH3)4(HC03)2，且 金催化先質溶液包括KAu02。 27·如請求項24之方法，其中金催化先質溶液包括NaAu02、 NMe4Au02、在硝酸内的HAu(N03)4，且鈀催化先質溶液 包括Pd(N03)2或草酸鈀。 28.如請求項24至25之方法，其中該鏈烯為乙烯，該鏈烷酸 為醋酸，且該氧化劑為含氧氣體。 201236755 29.如請求項24至25之方法，其中該觸媒或預觸媒包含含铑 的第三組份。 3 0.如請求項24至25之方法，其中該觸媒或預觸媒包含在每 升觸媒為1至10克之間的鈀和每升觸媒為0.5至10克的 金，而金量基於16的重量為10至125重量％。 31. 如請求項24至25之方法，其中該載體材料包括氧化锆。 32. 如請求項24至25之方法，其中該載體材料包括層合載體 材料。 5
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