201121007 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法，尤指一 種形成半導體裝置之連通孔內的導體及其製造方法。 【先前技術】 在日本特開2008_42063號公報揭示藉由在基板形成導 通孔，並在導通孔塡充導體，而取得安裝於基板之一面的 半導體晶片之電極與形成於基板另一面之外部電極的電性 連接者。 再者，因爲將半導體晶片安裝於基板上，基板之厚度 導致半導體裝置整體變厚。因此，嘗試將半導體晶片安裝 於絕緣膜上。絕緣膜單體則由於絕緣膜變形，因此係在將 絕緣膜支撐於支撐基材的狀態下，在其絕緣膜上安裝半導 體晶片。而後，在其絕緣膜上模塑成形封裝層後，以蝕刻 等除去基材。其後，藉由在絕緣膜形成貫穿至半導體晶片 之電極的導通孔後，在導通孔內設置導體，或是使連通孔 貫穿於絕緣膜及封裝層後，在連通孔之壁面設置導體之鍍 層，而進行層間連接。而後，在絕緣膜或封裝層之表面將 配線圖案化。 但是，在連通孔之壁面實施導體之鍍層情況下，存在 既費時且成本高的問題。 本發明之課題係迅速且廉價地形成半導體裝置之連通 孔內的導體。 -4- 201121007 【發明内容】 一種半導體裝置具備：半導體晶片，係具有電極；第 1絕緣膜，係設置與電極電性連接之第1配線’並在一面 固定半導體晶片；第2絕緣膜’係與第1絕緣膜之固定半 導體晶片的面相對配置’並設置第2配線；柱’係由設於 第1絕緣膜與第2絕緣膜相對面之一方’且爲半導體晶片 之側方，而電性連接第1配線與第2配線之導體而構成； 及封裝層，係封裝設於第1絕緣膜與第2絕緣膜間之半導 體晶片及柱。因此’可迅速且廉價地形成半導體裝置之連 通孔內的導體。 本發明一個樣態提供—種半導體裝置，其具備：半導 體晶片（11)，係具有電極（12);柱（40);封裝層（70)，係封 裝前述半導體晶片（11)及前述柱（40);第1配線（33)，係設 於前述封裝層（70)之一面，並與前述電極（12)及前述柱（4 0) 電性連接；及第2配線（83)，係設於前述封裝層（7 0)之另一 面，並與前述柱（40)電性連接；且具有電性連接前述第1 配線（3 3、36)與前述柱（40)之導通孔導體（101)、及電性連 接前述第2配線（83)與前述柱（40)之導通孔導體（102)的至 少任何一個，前述柱（40)在前述柱（40)與前述導通孔導體彼 此接觸之界面的面積比前述導通孔導體在前述界面之面積 大。 本發明之其他樣態提供一種半導體裝置之製造方法， 係以封裝層（70)封裝具有電極（12)之半導體晶片（11)與柱 (40);在前述封裝層（7 0)之一面形成與前述電極（12)電性連 201121007 接之第1配線（33);及在前述封裝層（70)之另一面形成第2 配線（83)，並藉由前述柱（40)電性連接前述第1配線（3 3)與 前述第2配線（83)。 採用本發明可使在半導體裝置之表面配線的自由度提 高。 【實施方式】 以下，就用於實施本發明之適合形態，使用圖式作說 明。但是以下所述之實施形態係爲了實施本發明而作了技 術上適合之各種限定，不過本發明之範圍並非限定於以下 之實施形態及圖示例者。 <第1種實施形態> 第1圖係本發明第1種實施形態之半導體裝置1 A的剖 面圖。該半導體裝置1A係封裝有半導體構成體10者。半 導體構成體10具備半導體晶片11及複數個電極12。半導 體晶片11係在矽基板之半導體基板上設置積體電路者。複 數個電極12設於半導體晶片11之下面。電極12係由銅而 構成者。另外，電極12亦可爲配線之一部分。 如第1圖所示’半導體構成體10之下面藉由接著樹脂 層20而接著於第1絕緣膜30的上面。接著樹脂層20由環 氧系樹脂之熱硬化性樹脂而構成，且具有絕緣性。接著樹 脂層20未予以纖維強化。 第1絕緣膜3 0係纖維強化樹脂膜。具體而言，第1絕 緣膜30由玻璃布基材環氧樹脂、玻璃布基材聚醯亞胺樹脂 及其他玻璃布基材絕緣性樹脂複合材料而構成。 201121007 第1絕緣膜30及接著樹脂層20上’在與電極12對應 之位置分別形成有導通孔3 1、2 1。此外，在第1絕緣膜3 0 之上面，與半導體構成體10鄰接而形成由導體構成之複數 個柱4〇。第1絕緣膜30上’在與複數個柱40對應之位置 分別形成導通孔3 2。 在第1絕緣膜30之下面’與塡充於導通孔21、31、 3 2之導體一體地設有下層配線（第1配線）3 3。下層配線 33使電極12與柱40導通。 下層配線33藉由下層外護層60被覆。在下層外護層 60中重疊於下層配線33之接觸焊墊34的部分形成開口 61。接觸焊墊34上形成焊錫凸塊等。 在第1絕緣膜30之上面設有封裝半導體構成體10及 柱40之封裝層70。封裝層70由環氧系樹脂、聚醯亞胺系 樹脂及其他絕緣性樹脂而構成。封裝層7 0宜由含有塡料之 熱硬化性樹脂（例如環氧樹脂）而構成。另外，封裝層70 並非如玻璃布基材絕緣性樹脂係予以纖維強化者，不過亦 可爲由纖維強化樹脂而構成者。 在封裝層70之上面設有第2絕緣膜80。第2絕緣膜 80係纖維強化樹脂膜。具體而言，第2絕緣膜80由玻璃 布基材環氧樹脂、玻璃布基材聚醯亞胺樹脂及其他玻璃布 基材絕緣性樹脂複合材料而構成。 第2絕緣膜80及封裝層7〇上，在與複數個柱4〇對應 之位置分別形成導通孔8 1、7 1。 在第2絕緣膜80之上面，與塡充於導通孔81、71之 201121007 導通孔導體1〇2~體地設有上層配線83。上層配線83與 柱40導通。柱40在柱40與導通孔導體101，102彼此接觸 之界面的面積，比導通孔導體101，102在界面之面積大。 上層配線83藉由上層外護層90被覆。在上層外護層 90中重疊於上層配線83之接觸焊墊84的部分形成開口 91 〇 另外，在開口 61，91內，亦可在接觸焊墊34, 84之表 面形成鍍層（例如由金鍍層構成之單鏟層、由鎳鍍層與金 鍍層構成之雙鍍層等）。 下層配線33、上層配線83及柱40由銅或鎳或銅與鎳 之積層體而構成。另外，下層配線33、上層配線83及柱 40亦可由其他金屬構成。 其次，就半導體裝置1A之製造方法作說明。首先如第 2圖所示，在由金屬構成之第1基材1〇1上依序積層第1 絕緣膜30及金屬層41，並藉由熱壓合成形而如第3圖所 示地一體化。 第1基材101係爲了容易處理第1絕緣膜30而設的載 體，具體而言係銅箔。金屬層41由與柱40相同材料而構 成。 如此準備之第1絕緣膜30及金屬層41的尺寸，成爲 藉由切割而取得複數個第1圖所示之半導體裝置1A的尺 寸。此外，第1基材101之尺寸亦可比第1絕緣膜30及金 屬層41之尺寸大。 其次，藉由蝕刻金屬層41，如第4圖所示地形成圓錐 201121007 台形狀之柱40。其次如第5圖所示，在第1絕緣膜3 0之 上面且在柱40間之位置塗布接著樹脂層20，並將半導體 構成體1 〇面朝下接合於其上面。具體而言，係藉由印刷法 或配料機法塗布非導電性膏（NCP; Non-Conductive Paste) 後，或是預先供給非導電性膜（NCF;Non-ConductiveFilm) 後，使半導體構成體1 〇之下面朝向非導電性膏或非導電性 膜下降而加熱壓合。非導電性膏或非導電性膜硬化而成爲 r 接著樹脂層20。 其次，如第6圖所示，準備在由金屬構成之第2基材 1 02的一面形成第2絕緣膜80，並且準備熱硬化性樹脂片 70a。第2基材102之材料與第1基材101之材料相同，第 2絕緣膜8 0之材料與第1絕緣膜3 0之材料相同。熱硬化 性樹脂片70a係使環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及其他熱 硬化性樹脂含有塡料，而將其熱硬化性樹脂在半硬化狀態 下形成板狀者。 其次，如第6圖所示，在柱40上放置熱硬化性樹脂片 7〇a，在熱硬化性樹脂片70a及半導體構成體10之上，使 第2絕緣膜80側在下而放置第2基材102，並將此等夾入 —對熱盤103, 104之間。而後，藉由熱盤103, 104熱壓合 第1基材101、第1絕緣膜30、熱硬化性樹脂片70a、第2 絕緣膜80及第2基材102。藉由加熱加壓而在第2絕緣膜 80與第1絕緣膜30之間壓縮熱硬化性樹脂片70a而硬化， 如第7圖所示地形成封裝半導體構成體1〇及接著樹脂層 20之封裝層70。 201121007 其次’如第8圖所示，藉由蝕刻（例如化學蝕刻 式蝕刻）而除去第1基材1〇1及第2基材102。即使 基材101，102’仍可藉由封裝層70、第2絕緣膜80及 絕緣膜30之積層構造確保充分之強度。此外，由於除 製程中必要之基材101, 102，因此可減少完成之半導 置1A的厚度。 其次’藉由從第1絕緣膜3 0側照射雷射光至電| 及柱40露出於與電極12及柱40對應之位置，而如第 所示地在第1絕緣膜30及接著樹脂層20形成導通孔 3 1、3 2。此外，從第2絕緣膜8 0側照射雷射光於與ί 對應之位置，而在第2絕緣膜80及封裝層70形成導 81、 71。 雷射宜使用碳酸氣體雷射（C02雷射）。因爲下 緣膜3 0係由纖維強化樹脂而構成。另外，形成導通孔 32、81後，亦可藉由紫外線雷射（UV雷射）或低輸 CO雷射而形成導通孔21、71。 其次，在導通孔21、31、32、71、81內實施除膠 理。 其次，如第1〇圖所示，藉由依序進行無電解電 理、電鍍處理，而在第2絕緣膜80及第1絕緣膜30 個表面形成金屬電鍍膜35、85。此時，導通孔21、3] 藉由金屬電鍍膜35之一部分掩埋，並且導通孔71，81 金屬電鍍膜85之一部分掩埋。 其次，如第1 1圖所示，藉由光微影法及蝕刻法將 、濕 除去 第1 去在 體裝 1 12 9圖 21、 主40 通孔 層絕 3 1、 出之 渣處 鍍處 的整 、32 藉由 金屬 -10- 201121007 電鍍膜35、85圖案化，而將金屬電鑛冑35加工於下層配 線33,並將金屬電鍍膜85加工於第2配線83。另外，亦 可不藉由上述之減去法進行下層配線33及第2配線㈠的 圖案化’ Μ由部分力嶋或是完全力咖㈣下層配線 3 3及第2配線8 3之圖案化。 其次，如第12圖所示，在第1絕緣膜3〇之表面上及 下層配線3 3上印刷樹脂材料，藉由使其樹脂材料硬化而將 下層外護層60圖案化。同樣地，在第2絕緣膜8〇之表面 上及第2配線83上將上層外護層90圖案化。藉由下層外 護層60及上層外護層90之圖案化而形成開口 61，91，焊 墊34，84在開口 61，91內露出。 另外’亦可在第1絕緣膜3 0、下層配線3 3、第2絕緣 膜80及第2配線83之整個表面，藉由浸塗法或旋塗法塗 布感光性樹脂，並藉由曝光及顯影而將下層外護層60及上 層外護層90圖案化。 其次，在開口 61，91內，進行藉由無電解電鍍法使金 鍍層或鎳鍍層及金鍍層生長於焊墊34，84表面的端子處 理。 其次，如第13圖所示，藉由切割處理切成複數個半導 體裝置1Α。另外，亦可在開口 61，91內形成焊錫凸塊。 如此製造之半導體裝置1Α，因爲可在電極12或柱4〇 之範圍，於任意之位置形成導通孔21、31、32、71、81 ’ 所以導通孔21、31、32、71' 81形成位置之自由度局。此 外，因爲接端面微小，所以下層配線3 3或第2配線8 3之 -11- 201121007 自由度高。此外，取代柱4 0而改用IV Η基板情況下，無法 使中間層薄達IV Η基板之厚度以上，不過使用柱4 〇情況 下，可藉由降低柱4 0而將中間層變薄。 <第2種實施形態> 第14圖係本發明第2種實施形態之半導體裝置1Β的 剖面圖。另外，就與第1種實施形態同樣之結構，係註記 相同符號，而省略說明。 本實施形態中，塡充於導通孔21、31之由導體構成的 塡充材料37，與塡充於導通孔32之由導體構成的塡充材 料3 8分離。此外，在第1絕緣膜3 0之上面設有埋入配線 (第1配線）3 6。埋入配線3 6由配線層3 6 a與蝕刻障壁層 3 6b構成，且一端設於與電極12對應之位置，另一端設於 與柱40對應之位置。 第15圖係埋入配線36之平面圖。如第15圖所示，埋 入配線36中，在形成導通孔21之部分形成貫穿孔36c。 塡充材料37與塡充材料38藉由埋入配線36而導通。 在第1絕緣膜30之下面，設有與塡充劑38 —體形成 之接觸焊墊34，接觸焊墊34形成焊錫凸塊39。 其次，就半導體裝置1B之製造方法作說明。首先，在 金屬層41上依序積層蝕刻障壁層36b及成爲配線層36a之 金屬層，藉由圖案化而如第1 6圖所示地形成埋入配線3 6 » 金屬層41係由與配線層36a相同之金屬構成。 其次，如第17圖所示，在第1基材101上積層第1絕 緣膜30，並且將形成埋入配線36之面朝向第1絕緣膜30 -12- 201121007 側而積層金屬層41。其後藉由熱壓合成形如第i 地一體化時’埋入配線36埋入第1絕緣膜30。 其次，藉由蝕刻金屬層41，如第19圖所示 4 〇。此時，因爲有蝕刻障壁層3 6 b，所以配線層3 其次’如第20圖所示，在埋入配線3 6之形 3 6c的部分塗布接著樹脂層20，並且以在其上電稻 置於貫穿孔36c之上部的方式，面朝下接合半導 10° 其次，準備在由金屬構成之第2基材102的 第2絕緣膜80者，並且準備熱硬化性樹脂片70a 第21圖所示，在柱40之上放置熱硬化性樹脂片 在熱硬化性樹脂片7〇a及半導體構成體1 〇之上， 緣膜80側在下而放置第2基材1 02，將此等夾入 103，104之間。而後，藉由熱盤103，104熱壓合 101、第1絕緣膜30、熱硬化性樹脂片70a、第 80及第2基材102。藉由加熱加壓而在第2絕緣蹈 1絕緣膜3 0之間壓縮熱硬化性樹脂片70a，並使 而如第22圖所示地形成封裝半導體構成體10及 層20之封裝層70。 其次，如第2 3圖所示，藉由蝕刻（例如化學 式蝕刻）而除去第1基材1〇1及第2基材102。 基材101，102，仍可藉由封裝層7〇、第2絕緣膜 絕緣膜30之積層構造而確保充分的強度。此外’ 在製程中必要之基材101，102，因此可使完成之 8圖所示 地形成柱 6 a殘留。 成貫穿孔 ί 1 2係配 體構成體 一面形成 。而後如 70a，並 使第2絕 一對熱盤 第1基材 2絕緣膜 i 80與第 其硬化， 接著樹脂 蝕刻、濕 即使除去 80及第1 由於除去 半導體裝 -13- 201121007 置1 B的厚度變薄。 其次，藉由從第1絕緣膜3 0側照射雷射至電極1 2及 埋入配線36露出於埋入配線36之兩端部’而如第24圖所 示地在第1絕緣膜30及接著樹脂層20中形成導通孔21、 31、32。此時，如第25圖所示，使用埋入配線36作爲遮 罩，僅在雷射光L通過貫穿孔3 6c之部分形成導通孔2 1。 同樣地，從第2絕緣膜80側照射雷射於與柱40對應 之位置，而在第2絕緣膜80及封裝層70形成導通孔81、 7 1 〇 其次，在導通孔21、31、32、71、81內實施除膠渣處 理。 其次，如第26圖所示，藉由依序進行無電解電鍍處 理、電鍍處理，而在第2絕緣膜80及第1絕緣膜30的整 個表面形成金屬電鍍膜35、85。此時，導通孔21、31、32 藉由金屬電鏟膜35之一部分掩埋，並且導通孔71，81藉由 金屬電鍍膜85之一部分掩埋。 其次’藉由光微影法及蝕刻法將金屬電鍍膜35、85圖 案化’如第27圖所示，將金屬電鍍膜35加工於塡充材料 37、38’並將金屬電鍍膜85加工於第2配線83。另外， 亦可不藉由上述之減去法進行塡充材料37、38及第2配線 83的圖案化，而藉由部分加成法或是完全加成法進行塡充 材料37、38及第2配線83之圖案化。 其後’在第1絕緣膜30之表面上及塡充材料37、38 上印刷樹脂材料’ _由使其樹脂材料硬化而將下層外護層 -14- 201121007 60圖案化。同樣地，在第2絕緣膜80之表面上及第2配 線83上將上層外護層90圖案化。藉由下層外護層60及上 層外護層90之圖案化而形成開口 61，91，接觸焊墊34, 84 在開口 61，91內露出。 另外，亦可在第1絕緣膜3 0、下層配線3 3、第2絕緣 膜80及第2配線83之整個表面，藉由浸塗法或旋塗法塗 布感光性樹脂，並藉由曝光及顯影而將下層外護層60及上 層外護層90圖案化。 其次，在開口 61, 91內，進行藉由無電解電鍍法使金 鍍層或鎳鍍層、金鍍層生長於焊墊34, 84表面的端子處理。 其次，如第28圖所示，藉由切割處理切成複數個半導 體裝置1B。另外，亦可在開口 61，91內形成焊錫凸塊。 本寘施形態中，亦因接端面微小，所以下層配線3 3或 第2配線83之自由度高。此外，由於埋入配線36之貫穿 孔36c成爲形成導通孔21時之遮罩，因此可精確形成導通 孔21。 <變形例1 > 另外，如第29圖所示，亦可形成在第2絕緣膜80之 下面設埋入配線（第2配線）86,並藉由塡充於導通孔71、 81之由導體構成的塡充材料87使柱40與埋入配線86導 通，並且與塡充於第2絕緣膜80所設之導通孔82的導體 一體地設置第2配線83之構造的半導體裝置1C。 埋入配線86由配線層86a與触刻障壁層86b而構成。 在第2絕緣膜80形成埋入配線86之方法’與在第1絕緣 -15- 201121007 膜30之下面形成埋入配線36之方法相同。導通孔7i係將 埋入配線86之貫穿孔86c作爲遮罩而形成。 <變形例2 > 或是如第30圖所示’亦可將柱40設於第2絕緣膜80 之下面’並且在與埋入配線36之導通孔32相同的位置設 貫穿孔36d’將埋入配線36之貫穿孔36d作爲遮罩而在封 裝層70形成導通孔72,並在導通孔72塡充塡充材料38。 藉由將貫穿孔36d作爲遮罩，可精確形成導通孔72。 <第3種實施形態> 第31圖係本發明第3種實施形態之半導體裝置1E的 剖面圖。另外，就與第2種實施形態同樣之結構，係註記 相同符號，而省略說明。 本實施形態中，係在第2絕緣膜80之下面設有柱40。 此外，埋入配線3 6之一端延伸至柱4 0之下部，在柱4 0之 下部且導通孔32之上部設有貫穿孔3 6d。 在封裝層70，於貫穿孔36d之上部且柱40之下部設 有導通孔72 »在導通孔72、32及貫穿孔36d塡充塡充材 料3 8。 在第2絕緣膜80之下面設有埋入配線86。埋入配線 86由配線層86a與蝕刻障壁層86b構成，且一端設於與柱 40對應之位置，另一端設於半導體構成體10之上部。在 第2絕緣膜80之下面形成埋入配線86之方法，與在第1 絕緣膜3 0之下面形成埋入配線3 6之方法相同。 第2絕緣膜80設有從上面貫穿至埋入配線86之半導 -16- 201121007 體構成體10側的端部之導通孔82，並在第2絕緣膜80之 上面與塡充於導通孔82之導體一體地設有第2配線83。 其次，就半導體裝置1B之製造方法作說明。首先，與 第2實施例同樣地，如第32圖所示，對第1基材101與形 成埋入配線3 6之第1絕緣膜3 0的積層體，在埋入配線3 6 之形成貫穿孔36c的部分塗布接著樹脂層20，並以在其上 電極12係配置於貫穿孔36c之上部的方式，而面朝下接合 半導體構成體1 0。 其次，準備第2基材102與形成埋入配線86及柱40 之第2絕緣膜80的積層體，並且準備熱硬化性樹脂片70a。 而後如第33圖所示，以在半導體構成體10之間放置熱硬 化性樹脂片70a，在熱硬化性樹脂片70a之上配置柱40之 方式，使第2絕緣膜80側在下而放置第2基材102，將此 等夾入一對熱盤103，104之間。而後，藉由熱盤103，104 熱壓合第1基材1〇卜第1絕緣膜30、熱硬化性樹脂片70a、 第2絕緣膜80及第2基材102。藉由加熱加壓而在第2絕 緣膜80與第1絕緣膜30之間壓縮熱硬化性樹脂片70a， 並使其硬化，而如第34圖所示地形成封裝半導體構成體 10及接著樹脂層20之封裝層70。 其次，如第3 5圖所示，藉由蝕刻（例如化學蝕刻、濕 式蝕刻）而除去第1基材101及第2基材102。即使除去 基材101，102，仍可藉由封裝層70、第2絕緣膜80及第1 絕緣膜30之積層構造而確保充分的強度。此外，由於除去 在製程中必要之基材101，102，因此可使完成之半導體裝 -17- 201121007 置1E的厚度變薄。 其次，藉由從第1絕緣膜3 0側照射雷射至電極1 2、 柱40及埋入配線36露出於埋入配線36之兩端部’而如第 36圖所示地在第1絕緣膜30、接著樹脂層20及封裝層70 形成導通孔21、31、32、72。此時’係使用貫穿孔36c作 爲形成導通孔21時之遮罩，並使用貫穿孔36d作爲形成導 通孔72時之遮罩。 同樣地，從第2絕緣膜8 0側照射雷射於與埋入配線 86之端部對應的位置，而在第2絕緣膜80形成導通孔82。 其次，在導通孔21、31、32、82內實施除膠渣處理。 其次，藉由依序進行無電解電鍍處理、電鍍處理，而 在第2絕緣膜80及第1絕緣膜30的整個表面形成金屬電 鍍膜35、85。此時，導通孔21、31、32、72藉由金屬電 鑛膜35之一部分掩埋’並且導通孔82藉由金屬電鍍膜85 之一部分掩埋。 其次’如第37圖所示’藉由光微影法及蝕刻法將金屬 電鍍膜35、85圖案化，將金屬電鍍膜35加工於塡充材料 37、38，並將金屬電銨膜85加工於第2配線83。另外， 亦可不藉由上述之減去法進行塡充材料37、38及第2配線 83的圖案化，而藉由部分加成法或是完全加成法進行塡充 材料37、38及第2配線83之圖案化。 其後’如第38圖所示’在第1絕緣膜3〇之表面上及 塡充材料3 7、3 8上印刷樹脂材料，藉由使其樹脂材料硬化 而將下層外護層60圖案化。同樣地，在第2絕緣膜8〇之 -18- 201121007 表面上及第2配線83上將上層外護層90圖案化。藉由下 層外護層60及上層外護層90之圖案化而形成開口 61， 91，焊墊34, 84在開口 61，91內露出。 另外，亦可在第1絕緣膜30、下層配線33、第2絕緣 膜80及第2配線83之整個表面，藉由浸塗法或旋塗法塗 布感光性樹脂，並藉由曝光及顯影而將下層外護麿60及上 層外護層90圖案化。 其次，在開口 61，91內，進行藉由無電解電鍍法使金 鍍層或鎳鍍層、金鍍層生長於焊墊34, 84表面的端子處理。 其次，如第39圖所示，藉由切割處理切成複數個半導 體裝置1Ε»另外，亦可在開口 61，91內形成焊錫凸塊。 本實施形態中，亦因接端面微小，所以下層配線3 3或 第2配線8 3之自由度高。此外，由於埋入配線3 6之貫穿 孔3 6c、3 6d成爲形成導通孔21、72時之遮罩，因此可精 確形成導通孔21、72。 <變形例3 > 以上之實施形態中，亦可使用由可剝離銅箔板構成之 第1基材101A。如第40圖所示，可剝離銅箔板係在由銅 板或厚的銅箔等構成之載體金屬板101c的上面形成剝離 層l〇lb’並在剝離層101b之上面以電解電鍍形成銅箔i〇ia 者。 使用由可剝離銅箔板構成之第1基材i 0丨A情況下，如 第40圖所示’在形成有銅箔101a之面形成第1絕緣膜3〇, 在第〗絕緣膜30上塗布接著樹脂層20，並在其上以電極 -19- 201121007 12配置於貫穿孔36c之上部的方式而面朝下接合半導體構 成體10。 其次，準備在由金屬構成之第2基材102的一面形成 第2絕緣膜8 0者，並且準備如第6圖所示之熱硬化性樹脂 片70a。而後，在柱40之上放置熱硬化性樹脂片70a，並 在熱硬化性樹脂片70a及半導體構成體1〇之上使第2絕緣 膜80側在下而放置第2基材102，藉由熱壓合此等，如第 41圖所示，形成封裝半導體構成體10及接著樹脂層20之 封裝層70。 其次，如第42圖所示，剝離第1基材101A之載體金 屬板1 〇 1 c。其後，如第43圖所示，藉由蝕刻（例如化學 蝕刻、濕式蝕刻）除去殘留之剝離層l〇lb、銅箔101a及 第2基材102。如此，藉由剝離載體金屬板l〇lc而除去， 可縮短蝕刻製程。 另外，第2基材102亦可使用可剝離銅箔板。 <變形例4 > 此外，亦可取代載體金屬板l〇lc，而使用如第44圖 至第46圖所示之在樹脂層101e的兩面形成銅箔l〇lf、i〇lf 而構成之現有的基板材料lOld。 使用現有之基板材料l〇ld的第1基材101B情況下， 如第44圖所示，在形成銅箔101a之面上形成第1絕緣膜 30，在第1絕緣膜30上塗布接著樹脂層20，並在其上以 將電極12配置於貫穿孔36c之上部的方式而面朝下接合半 導體構成體10。 -20- 201121007 其次，準備在由金屬構成之第2基材102的一面形成 第2絕緣膜80者，並且準備熱硬化性樹脂片7〇a°而後’ 在柱40之上放置熱硬化性樹脂片7〇a ’並在熱硬化性樹脂 片7〇a及半導體構成體10之上使第2絕緣膜80側在下而 放置第2基材102’藉由熱壓合此等’如第45圖所示’形 成封裝半導體構成體10及接著樹脂層20之封裝層70。 其次，如第46圖所示，剝離第1基材101B之基板材 料1 01 d。其後，與第43圖同樣地，藉由蝕刻（例如化學 蝕刻、濕式蝕刻）除去殘留之剝離層1 〇 1 b '銅箔1 0 1 a及 第2基材102。如此，本變形例中，亦可藉由與變形例3 同樣之製程來製造半導體裝置。藉由使用現有之基板材料 101D，具有與現有生產線之整合性高的優點。 另外，第2基材102亦可使用同樣之基板材料。 此外，上述實施形態中，封裝前之半導體構成體10亦 可爲第47A圖至第47C圖之任何一種形狀。 亦即’如第47A圖所示，亦可爲在半導體晶片11之一 面形成絕緣膜13，在其絕緣膜13形成導通孔14，藉由電 極12之一部分掩埋導通孔14之形狀的半導體構成體 1 0 A °絕緣膜1 3係無機絕緣層（例如氧化矽層或氮化矽層） 或樹脂絕緣層（例如聚醯亞胺樹脂層）或此等之積層體。 絕緣膜13係積層體之情況，亦可將無機絕緣層成膜於半導 體晶片11之下面，而樹脂絕緣層成膜於其無機絕緣層之表 面，反之亦可。 再者’如第47B圖所示’亦可爲在電極1 2凸設例如由 -21 - 201121007 銅構成之柱15的形狀之半導體構成體10Β» 或是如第47C圖所示，亦可爲覆蓋電極12及絕緣膜 13之表護層16成膜之形狀的半導體構成體l〇C。此外，即 使如第47B圖地形成柱15之情況，亦可進一步如第47C 圖地藉由表護層1 6覆蓋電極1 2及絕緣膜1.3。該情況下， 柱15亦可藉由表護層16覆蓋，亦可不覆蓋。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明第1種實施形態之半導體裝置1 A的剖 面圖。 第2圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第3圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第4圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第5圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第6圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第7圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第8圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第9圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第10圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第11圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第12圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第13圖係半導體裝置1A之製造方法的說明圖。 第14圖係本發明第2種實施形態之半導體裝置1B的 剖面圖。 第15圖係埋入配線36之平面圖。 -22- 201121007 第16圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第17圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第18圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第19圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第20圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第21圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第22圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第23圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第24圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第25圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第26圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第27圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第28圖係半導體裝置1B之製造方法的說明圖。 第29圖係本發明第1種變形例之半導體裝置1 C的剖 面圖。 第30圖係本發明第2種變形例之半導體裝置1D的剖 面圖。 第3 1圖係本發明第3種實施形態之半導體裝置1 E的 剖面圖。 第32圖係半導體裝置1E之製造方法的說明圖。 第33圖係半導體裝置1E之製造方法的說明圖。 第34圖係半導體裝置1E之製造方法的說明圖。 第35圖係半導體裝置1E之製造方法的說明圖。 第36圖係半導體裝置1E之製造方法的說明圖。 -23- 201121007 第37圖係半導體裝置1Ei製造方法的說明圖。 第38圖係半導體裝置1E之製造方法的說明圖。 第39圖係半導體裝置丨£之製造方法的說明圖。 第40圖係本發明第3種變形例的半導體裝置之製造方 • 法的說明圖。 第41圖係本發明第3種變形例的半導體裝置之製造方 法的說明圖。 第42圖係本發明第3種變形例的半導體裝置之製造方 法的說明圖。 第43圖係本發明第3種變形例的半導體裝置之製造方 法的說明圖。 第44圖係本發明第4種變形例的半導體裝置之製造方 法的說明圖。 第45圖係本發明第4種變形例的半導體裝置之製造方 法的說明圖。 第46圖係本發明第4種變形例的半導體裝置之製造方 法的說明圖。 第4?A圖至第47C圖係顯示其他形態之半導體構成體 的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1A-1E 半導體裝置 1〇 半導體構成體 10A 半導體構成體 10B 半導體構成體 -24- 201121007 11 半導體晶片 12 電極 13 絕緣膜 14 導通孔 15 柱 16 表護層 20 接著樹脂層 2 1 導通孔 30 第1絕緣膜 3 1 導通孔 32 導通孔 3 3 下層配線 34 接觸焊墊 3 5 金屬電鍍膜 3 5a 導通孔導體 3 6 埋入配線 3 6a 配線層 3 6b 蝕刻障壁層 3 6c 貫穿孔 3 6d 貫穿孔 3 7 塡充材料 3 8 塡充材料 3 9 焊錫凸塊 40 柱 -25 201121007 4 1 金 60 下 6 1 開 70 封 70a 熱 7 1 導 72 導 80 第 8 1 導 82 導 83 第 84 接 85 金 85a 導 86 埋 86a 配 86b 蝕 86c 貫 87 塡 90 上 9 1 開 10 1 第 1 0 1 A 第 1 0 1 B 第 屬層 層外護層 □ 裝層 硬化性樹脂片 通孔 通孔 2絕緣膜 通孔 通孔 2配線 觸焊墊 屬電鍍膜 通孔導體 入配線 線層
刻障壁層 穿孔 充材料 層外護層 P 1基材 1基材 1基材 -26- 201121007 10 1a 銅箔 10 1b 剝離層 10 1c 載體金屬板 1 0 1 d 基板材料 1 0 1 e 樹脂層 1 0 1 f 銅箱 102 第2基材 103 熱盤 104 熱盤 -27-