JP2019047115A - 半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体パッケージ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】伝導性素材のベース基板の上面をエッチングしてトレンチ及びポストを形成する段階と、トレンチを樹脂で充填する段階と、ポストの上面と樹脂の上面とが同一レベルを形成するように、トレンチの外部に露出された樹脂を除去する段階と、ポストの上面及び樹脂の上面全体に導電層を形成する段階と、導電層及びベース基板の下面を同時にパターニングし、上部回路配線及び下部回路配線を含む回路配線を形成する段階と、を含む、半導体パッケージ基板の製造方法。【選択図】図８

Description

本発明は、半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板に係り、さらに詳細には、高速応答及び放熱特性に優れつつも、上下面にいずれも回路再配線を備える半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板に関する。

半導体素子は、半導体パッケージ基板にパッケージングされて使用されるところ、このようなパッケージングのために使用される半導体パッケージ基板は、微細回路パターン及び／またはＩ／Ｏ端子を有する。半導体素子の高性能化及び／または高集積化、そしてそれを用いた電子機器の小型化及び／または高性能化などが進められることにより、半導体パッケージ基板の微細回路パターンなどは、その線幅がさらに狭くなり、複雑度も高くなっている。

既存の半導体パッケージ基板製造時には、銅箔（Ｃｏｐｐｅｒ Ｆｏｉｌ）が積層されたＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）を用いて貫通ホールを形成し、貫通ホールの内面をメッキして上面銅箔と下面銅箔とを電気的に連結し、その後、上面銅箔と下面銅箔とをそれぞれフォトレジストを用いてパターニングするなどの過程を経て製造した。しかし、このような従来の半導体パッケージ基板は、電気的、熱的特性低下によって、高速応答及び放熱特性が要求される構造には適さない問題点がある。

本発明は、前記問題点を含んで多くの問題点を解決するためのものであって、高速応答及び放熱特性に優れつつも、上下面にいずれも回路再配線を備える半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板を提供することを目的とする。しかし、このような課題は、例示的なものであって、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一実施例は、伝導性素材のベース基板の上面をエッチングしてトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）及びポスト（ｐｏｓｔ）を形成する段階と、前記トレンチを樹脂で充填する段階と、前記ポストの上面と前記樹脂の上面とが同一レベル（ｌｅｖｅｌ）を形成するように、前記トレンチの外部に露出された樹脂を除去する段階と、前記ポストの上面及び前記樹脂の上面全体に導電層を形成する段階と、前記導電層及び前記ベース基板の下面を同時にパターニングし、上部回路配線及び下部回路配線を含む回路配線を形成する段階と、を含む、半導体パッケージ基板の製造方法を開示する。

本実施例で、前記導電層は、第１導電層及び第２導電層が積層されて形成され、前記第１導電層の厚さは、第２導電層の厚さよりも薄い。

本実施例において、前記第１導電層は、スパッタリング法を用いて形成される。

本実施例において、前記第１導電層は、スパッタリング法を用いて形成され、前記第２導電層は、電気メッキ法を用いて形成される。

本実施例において、前記導電層を形成する段階以前に、前記樹脂に表面処理を行う段階をさらに含んでもよい。

本実施例において、前記下部回路配線を形成する前に、前記ベース基板の下面全体をエッチングする段階をさらに含んでもよい。

本実施例において、前記回路配線を形成した後、前記回路配線の少なくとも一部に回路保護層を形成する段階をさらに含んでもよい。

本実施例において、前記樹脂及び前記回路保護層は、感光性樹脂で形成される。

本実施例において、前記回路保護層の形成後、露出された回路パターン上にメッキ層または有機コーティング層を形成する段階をさらに含んでもよい。

本発明の他の実施例は、樹脂が充填された半導体パッケージ基板において、前記樹脂の上面に配置された上部回路配線と、前記樹脂の下面に配置された下部回路配線と、前記樹脂を貫通するものであって、前記上部回路配線と前記下部回路配線とを連結するポストと、を含み、前記上部回路配線は、前記ポストと別途に備えられ、前記下部回路配線の少なくとも一部は、前記ポストと一体に備えられた、半導体パッケージ基板を開示する。

前記以外の他の側面、特徴、及び利点は、以下の発明を実施するための具体的な内容、特許請求の範囲、及び図面から明確になる。

前記のような本発明の一実施例によれば、高速応答及び放熱特性に優れつつも、上下面にいずれも回路再配線を備える半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板を具現することができる。もちろん、このような効果によって本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。 本発明の他の実施例による半導体パッケージ基板を示す断面図である。

本発明は、多様な変換を加え、多様な実施例を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば、明確になる。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現される。

以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明し、図面を参照して説明するとき、同一であるか対応する構成要素に対しては、同じ図面符号を付し、これに対する重複する説明は省略する。

以下の実施例において、層、膜、領域、板などの各種構成要素が異なる構成要素「上に」あるとするとき、これは、他の構成要素「直上に」ある場合のみならず、その間に他の構成要素が介在された場合も含む。また、説明の便宜上、図面では、構成要素が、その大きさが誇張または縮小される場合がある。例えば、図面に開示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示したので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。

図１から図８は、本発明の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法の工程を概略的に示す断面図である。

本実施例による半導体パッケージ基板の製造方法によれば、まず、図１に図示されたように、伝導性素材のベース基板１０を準備する。ベース基板１０は、電気伝導性物質を含む平板状を有する。電気伝導性物質としては、例えば、Ｃｕや、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｒ、Ｃｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−ＺｎのようなＣｕ合金、Ｆｅや、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−ＣｏのようなＦｅ合金などを含む。

このような伝導性素材のベース基板１０を準備した後、相互反対側である上面１０ａと下面１０ｂのうち、上面１０ａに、図２に図示されたように、トレンチ１０ｃ及びポスト１１を形成する。ここで、トレンチ１０ｃとは、ベース基板１０を完全に貫通しないということを意味する。ポスト１１は、ベース基板１０の上面１０ａと下面１０ｂとを連結する柱であり、追ってベース基板１０の上面１０ａに配置される上部回路配線と下面１０ｂに形成される下部回路配線を電気的に連結する役割を行う。ポスト１１は、複数のトレンチ１０ｃの間に配置される。また、図２は、断面図であって、図示されていないが、ポスト１１は、平面図上では、一方向に延びた形状またはジグザグ状でもある。

このようなトレンチ１０ｃ及びポスト１１は、エッチングによって形成される。例えば、感光性素材のＤＦＲ（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ）をベース基板１０の上面１０ａ上にラミネーティングし、露光及び現像などの過程を経てベース基板１０のトレンチ１０ｃが形成される部分のみ露出させる。以後、ベース基板１０の上面１０ａにおいてＤＦＲが覆われていない部分を塩化銅または塩化鉄のようなエッチング液をスプレー噴射法を用いてエッチングすることで、図２に図示されたように、ベース基板１０を貫通しないように上面１０ａに形成された複数のトレンチ１０ｃ及びその間に配置されたポスト１１を形成することができるが、本発明は、これに限定されない。前記トレンチ１０ｃ及びポスト１１は、多様なエッチング方法によって形成される。例えば、ＤＦＲを使用せず、ポジティブまたはネガティブフォトレジストをコーティングする方法を使用する。また、エッチング液の種類もベース基板１０の物質によって多様に変わる。

図２に図示されたように、ベース基板１０のトレンチ１０ｃの深さは、ベース基板１０の厚さの８０％から９０％になるようにすることが望ましい。例えば、ベース基板１０のトレンチ１０ｃが形成された部分の残存する厚さは、２０μｍ〜４０μｍになる。

もし、トレンチ１０ｃが形成された部分の残存する厚さが、これよりも薄ければ、半導体パッケージ基板の製造過程や後続のパッケージング過程でベース基板１０や半導体パッケージ基板のハンドリングが容易ではない場合がある。また、場合によって、トレンチ１０ｃを形成するに当って、公差などによって、ベース基板１０の上面１０ａと下面１０ｂとを貫通する貫通ホールが形成される場合もある。一方、トレンチ１０ｃが形成された部分の残存する厚さが、これより厚ければ、後続するベース基板１０の下面１０ｂをパターニングして形成する下部回路配線工程が容易ではない場合がある。

以後、図３に図示されたように、ベース基板１０のトレンチ１０ｃを樹脂２０に充填する。樹脂２０は、電気的に導通されていない絶縁性素材であり、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＳＲ（Ｐｈｏｔｏ Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）またはＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）などを含んでもよい。

一実施例において、樹脂２０は、熱処理によって高分子化されて硬化される熱硬化性樹脂である。一実施例において、樹脂２０は、感光性樹脂である。樹脂２０の充填は、液状の樹脂物質を用いても、樹脂成分を含む固相のテープ用いて行ってもよい。樹脂２０を充填した後には、必要によって、オーブンで樹脂２０を熱硬化させる過程を経てもよい。

一方、ベース基板１０のトレンチ１０ｃを樹脂２０で充填する前に、トレンチ１０ｃ内部の表面を粗くするために、ラフな（ｒｏｕｇｈ）メッキ層を形成するか、トレンチ１０ｃ内部にプラズマ処理、紫外線処理、または過水硫酸系溶液を用いてエッチングする工程が追加される。このような工程を通じて、ベース基板１０と樹脂２０との接着力が向上する。一実施例において、トレンチ１０ｃ内部の表面粗度（Ｒａ）は、０．１〜０．５μｍに形成される。一実施例において、ラフなメッキ層は、硫酸銅（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）溶液において電気メッキ方式で形成される。

樹脂２０を充填するとき、図３に図示されたように、樹脂２０がベース基板１０のトレンチ１０ｃのみ充填するものではなく、ベース基板１０の上面１０ａの少なくとも一部を覆うことにもなる。このように樹脂２０が過塗布された場合には、過塗布された樹脂２０をブラッシング、研削または研磨のような機械的な加工によって除去するか、または化学的な樹脂エッチング（Ｒｅｓｉｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって除去することにより、図４に図示されたように、樹脂２０をベース基板１０のトレンチ１０ｃ内にのみ位置させる。また、樹脂２０が感光性樹脂である場合には、露光及び現像過程を通じて、過充填された樹脂を除去し、樹脂２０をトレンチ１０ｃ内にのみ位置させる。これにより、ポスト１１の上面が露出され、ポスト１１の上面と樹脂２０の上面とが同一レベルを形成することができる。

以後、図５に図示されたように、樹脂が充填されたベース基板１０の上面全体に導電層３０を形成する。すなわち、同一レベルを形成するポスト１１の上面と樹脂２０の上面全体に導電層３０を形成する。

導電層３０は、ベース基板１０が含む物質のうち、少なくとも一部を含む物質を含む。例えば、ベース基板１０が銅または銅合金を含むようにする場合、銅を用いて導電層３０を形成することができる。このような導電層３０は、スパッタリング法または無電解メッキ方式で形成することができる。導電層３０は、樹脂２０の上面及びポスト１１の上面に一体に形成されるところ、導電層３０が、樹脂２０とさらに強い接着力を有するようにするためには、スパッタリング法によって形成することが望ましい。無電解メッキ法で導電層３０を形成する場合、純粋な銅層ではなく、パラジウムのような他の物質層も含む導電層にもなるが、このようにパラジウムのような他の物質を含む場合、樹脂２０との接着力が弱いか、不均一である問題点が発生する。したがって、導電層３０は、スパッタリング法で形成することが望ましい。

このような導電層３０は、追って上部回路配線でパターニングされるところ、電気伝導度の確保のための厚さに形成される。一実施例において、導電層３０は、約１０μｍ〜２０μｍの厚さに形成される。

一方、導電層３０を形成する前に、導電層３０と樹脂２０との接着力を確保するために、樹脂２０の上面に表面処理を行うことができる。表面処理は、導電層３０を形成する前に、樹脂２０の上面に表面クリーニング処理、及び／または表面粗度を向上させるためのプラズマ処理であってもよい。プラズマ処理は、真空状態で非活性ガス、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いて行われる。

一実施例において、導電層３０は、第１導電層３１及び第２導電層３２が積層されて形成される。この場合、第１導電層３１は、第２導電層３２に比べて、薄膜に形成され、第１導電層３１は、第２導電層３２のシード（ｓｅｅｄ）層の役割を行う。一実施例において、第１導電層３１は、数十〜数百ｎｍの厚さを有し、第２導電層３２は、数〜数十μｍの厚さを有する。

第１導電層３１は、ベース基板１０が含む物質のうち、少なくとも一部を含む物質を含むことができる。例えば、ベース基板１０が銅または銅合金を含むようにする場合、銅を用いて第１導電層３１を形成することができる。このような第１導電層３１は、スパッタリング法または無電解メッキ方式で形成することができる。第１導電層３１は、樹脂２０の上面及びポスト１１の上面に一体に形成されるところ、第１導電層３１が、樹脂２０とさらに強い接着力を有するようにするためには、スパッタリング法によって形成することが望ましい。無電解メッキ法で第１導電層３１を形成する場合、純粋な銅層ではなく、パラジウムのような他の物質も含む導電層にもなるが、このようにパラジウムのような他の物質を含む場合、樹脂２０との接着力が弱いか、不均一である問題点が発生する。したがって、第１導電層３１は、スパッタリング法で形成することが望ましい。

第２導電層３２もベース基板１０が含む物質のうち、少なくとも一部を含む物質を含んでもよい。例えば、ベース基板１０が銅または銅合金を含むようにする場合、銅または銅合金を用いて第２導電層３２を形成することができる。

このような第２導電層３２は、スパッタリング法、電気メッキ法、無電解メッキ方式など多様な方式で形成されるが、第２導電層３２は、第１導電層３１に比べて厚いところ、時間短縮及び優秀な特性のために、電気メッキ法によって形成することが望ましい。

一方、第１導電層３１を形成する前に、第１導電層３１と樹脂２０との接着力を確保するために、樹脂２０の上面に表面処理を行うことができる。表面処理は、導電層３０を形成する前に、樹脂２０の上面に表面クリーニング処理、及び／または表面粗度を向上させるためのプラズマ処理であってもよい。プラズマ処理は、真空状態で非活性ガス、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いて行ってもよい。

次いで、図６に図示されたように、導電層３０をパターニングして上部回路配線３４を形成し、ベース基板１０の下面１０ｂをパターニングして下部回路配線１４を形成する。上部回路配線３４及び下部回路配線１４は、半導体パッケージ基板に実装される電子装置、及び／または入出力端子と連結される。本発明の実施例は、ベース基板１０の上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ上部回路配線３４及び下部回路配線１４を備えており、入出力端子の増加などによる複雑な回路配線に対応して、回路配線の設計自由度が確保される。

本実施例において、下部回路配線１４及びポスト１１は、ベース基板１０の一部に形成され、ポスト１１は、下部回路配線１４の少なくとも一部と一体に備えられる。上部回路配線３４と下部回路配線１４とを電気的に連結するポスト１１が下部回路配線１４と一体に形成されたということは、ポスト１１と下部回路配線１４とが別途に備えられたものより、インダクタンスが少なく形成されることを意味し、これは、電気的に高速応答が可能であることを意味する。また、ポスト１１と下部回路配線１４とが一体に形成されたので、別途に備えられた場合よりも、放熱特性に優れるという特性を有する。

上部回路配線３４を形成するために、導電層３０の上面にフォトレジスト（ＰＲ）を塗布し、マスク（Ｍａｓｋ）を用いて上部回路配線３４の形状によって露光し、現像した後、導電層３０をエッチングしてパターニングすることができる。エッチングは、湿式エッチング、乾式エッチング、またはこれらの組み合わせによるエッチング方法によって行われる。一実施例において、エッチングは、塩化銅または塩化鉄エッチング液を用いて行われる。

同様に、下部回路配線１４を形成するために、ベース基板１０の下面１０ｂにフォトレジスト（ＰＲ）を塗布し、マスクを用いて下部回路配線１４の形状によって露光し、現像した後、ベース基板１０の下面１０ｂをエッチングしてパターニングすることができる。エッチングは、湿式エッチング、乾式エッチング、またはこれらの組み合わせによるエッチング方法によって行われる。一実施例において、エッチングは、塩化銅または塩化鉄エッチング液を用いて行われる。

一実施例において、上部回路配線３４及び下部回路配線１４のパターニングは、同時に行われる。

すなわち、上部回路配線３４及び下部回路配線１４の形状に対応するように、導電層３０とベース基板１０との下面１０ｂにそれぞれフォトレジスト（ＰＲ）を形成した後、湿式エッチングなどを通じて、同時に上部回路配線３４及び下部回路配線１４をパターニングすることができる。

一方、上部回路配線３４及び下部回路配線１４を形成する前に、ベース基板１０の下面を全面エッチングして下部回路配線１４の厚さを調整することができる。下部回路配線１４の厚さを全体として薄くした後、パターニングを行うことにより、微細パターンの形成時に精度を向上させることができる。

次いで、追加的に、上部回路配線３４及び下部回路配線１４を形成した後、図７で図示されたように、上部回路配線３４及び下部回路配線１４の少なくとも一部に回路保護層４０を形成することができる。

図７において、回路保護層４０が下部回路配線１４の一部を覆うように図示しているが、回路保護層４０は、上部回路配線３４の一部を覆ってもよい。回路保護層４０は、上部回路配線３４及び下部回路配線１４の少なくとも一部を覆うように形成され、ショートを防止する絶縁の役割が行える。回路保護層４０は、ＰＳＲ（Ｐｈｏｔｏ Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）、カバーレイ（ｃｏｖｅｒｌａｙ）などを含んで絶縁可能な材料が備えられる。回路保護層４０は、感光性樹脂からなり、その場合、回路保護層４０は、塗布、露光及び現像の過程を通じて形成される。また、回路保護層４０は、インクジェット方式でダイレクトプリントする方法でも形成される。

次いで、追加的に、図８のように上部回路配線３４及び下部回路配線１４の少なくとも一部にメッキ層または有機コーティング層５０を形成することができる。回路保護層４０が形成された場合であれば、メッキ層または有機コーティング層５０は、回路保護層４０で覆われていない上部回路配線３４及び下部回路配線１４上に形成される。

メッキ層または有機コーティング層５０は、上部回路配線３４及び下部回路配線１４のワイヤボンディングの接着力またはソルダ接着力を向上させる役割を行うか、酸化を防止する役割を行う。メッキ層または有機コーティング層５０をメッキ層で形成する場合、メッキ層は、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの合金などからなる。その場合、メッキ層は、電気メッキまたはＥＮＥＰＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）方式の無電解メッキで形成される。

一方、メッキ層または有機コーティング層５０を有機コーティング層で形成する場合、有機コーティング層は、ＯＳＰ（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｄｅｒｂｉｌｉｔｙ ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）コーティングまたはＡｎｔｉ−Ｔａｒｎｉｓｈコーティングで形成されてもよい。

このように製造された半導体パッケージ基板は、樹脂２０が充填されており、樹脂２０の上面に配置された上部回路配線３４、樹脂２０の下面に配置された下部回路配線１４、及び樹脂２０を貫通するものであって、上部回路配線３４及び下部回路配線１４を連結するポスト１１を含み、上部回路配線３４は、ポスト１１と別途に備えられ、下部回路配線１４の少なくとも一部は、ポスト１１と一体に備えられる。

ポスト１１と下部回路配線１４は、Ｃｕ；Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｒ、Ｃｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−ＺｎのようなＣｕ合金；Ｆｅ；Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−ＣｏのようなＦｅ合金などを含む。

上部回路配線３４は、単層または多層で備えられる。上部回路配線３４の一部は、ポスト１１と直接接触され、上部回路配線３４の一部は、樹脂２０と直接接触される。上部回路配線３４は、半導体パッケージ基板の上面に実装される電子装置及び／または入出力端子と連結され、ポスト１１は、上部回路配線３４と下部回路配線１４とを電気的に連結する役割を行うところ、上部回路配線３４の全体面積は、ポスト１１上面の面積に比べて広い。

本発明の実施例は、ベース基板１０の上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ上部回路配線３４及び下部回路配線１４を備えており、入出力端子の増加などによる複雑な回路配線に対応して回路配線の設計の自由度が確保される。

本実施例において、下部回路配線１４及びポスト１１は、ベース基板１０の一部に形成され、ポスト１１は、下部回路配線１４の少なくとも一部と一体に備えられる。上部回路配線３４と下部回路配線１４とを電気的に連結するポスト１１が下部回路配線１４と一体に形成されたということは、ポスト１１と下部回路配線１４とを別途に備えるものよりも、インダクタンスが少なく形成されることを意味し、これは、電気的に高速応答が可能であるということを意味する。また、ポスト１１と下部回路配線１４とが一体に形成されたので、別途に備えられた場合よりも放熱特性に優れた特性を有する。

図９は、本発明の他の一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法によって製造された半導体パッケージ基板の一部を概略的に示す断面図である。図９に図示されたように、ベース基板１０のトレンチ１０ｃの内部にラフなメッキ層１６を形成することができる。ラフなメッキ層１６は、トレンチ１０ｃ内部の表面粗度を粗くし、ベース基板１０と樹脂２０との接着力を向上させる役割を行う。

ラフなメッキ層１６は、表面粗度が０．１μｍ〜０．５μｍで形成され、アンカー効果（Ａｎｃｈｏｒｉｎｇ Ｅｆｆｅｃｔ）によって樹脂２０との密着力を向上させることができる。ラフなメッキ層１６は、銅（Ｃｕ）で形成し、硫酸銅（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）溶液で電気メッキ方式でも形成される。

前述したように、本発明の実施例においては、ラフなメッキ層１６を形成せず、トレンチ１０ｃ内部にプラズマ処理、紫外線処理、エッチング処理などを通じて、トレンチ１０ｃ内部の表面粗度を粗くして、樹脂２０との接着力を向上させることができるということはいうまでもない。

図９の実施例も、前記実施例と同様に、ベース基板１０の上面１０ａ及び下面１０ｂにそれぞれ上部回路配線３４及び下部回路配線１４を備えており、入出力端子の増加などによる複雑な回路配線に対応して回路配線の設計自由度が確保される。

また、下部回路配線１４及びポスト１１は、ベース基板１０の一部に形成され、ポスト１１は、下部回路配線１４の少なくとも一部と一体に備えられる。上部回路配線３４と下部回路配線１４とを電気的に連結するポスト１１が下部回路配線１４と一体に形成されたということは、ポスト１１と下部回路配線１４とが別途に備えられるものよりもインダクタンスが少なく形成されることを意味し、これは、電気的に高速応答が可能であることを意味する。また、ポスト１１と下部回路配線１４とが一体に形成されたので、別途に備えられた場合よりも放熱特性に優れた特性を有する。

このように本発明は、図面に図示された実施例に基づいて説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、それらから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点が理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められねばならない。

１０ ベース基板
１０ａ 上面
１０ｂ 下面
１０ｃ トレンチ
１１ ポスト
１４ 下部回路配線
２０ 樹脂
３０ 導電体
３４ 上部回路配線
５０ メッキ層または有機コーティング層

Claims (10)

1. 伝導性素材のベース基板の上面をエッチングしてトレンチ及びポストを形成する段階と、
   前記トレンチを樹脂で充填する段階と、
   前記ポストの上面と前記樹脂の上面とが同一レベルを形成するように、前記トレンチの外部に露出された樹脂を除去する段階と、
   前記ポストの上面及び前記樹脂の上面全体に導電層を形成する段階と、
   前記導電層及び前記ベース基板の下面を同時にパターニングして、上部回路配線及び下部回路配線を含む回路配線を形成する段階と、を含む、半導体パッケージ基板の製造方法。
2. 前記導電層は、第１導電層及び第２導電層が積層されて形成され、
   前記第１導電層の厚さは、第２導電層の厚さよりも薄い、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
3. 前記第１導電層はスパッタリング法を用いて形成される、請求項２に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
4. 前記第１導電層は、スパッタリング法を用いて形成され、前記第２導電層は、電気メッキ法を用いて形成される、請求項２に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
5. 前記導電層を形成する段階以前に、前記樹脂に表面処理を行う段階をさらに含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
6. 前記回路配線を形成する前に、前記ベース基板の下面全体をエッチングする段階をさらに含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
7. 前記回路配線を形成した後、前記回路配線の少なくとも一部に回路保護層を形成する段階をさらに含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
8. 前記樹脂及び前記回路保護層は、感光性樹脂で形成される、請求項７に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
9. 前記回路保護層の形成後、露出された回路パターン上にメッキ層または有機コーティング層を形成する段階をさらに含む、請求項７に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
10. 樹脂が充填された半導体パッケージ基板において、
    前記樹脂の上面に配置された上部回路配線と、
    前記樹脂の下面に配置された下部回路配線と、
    前記樹脂を貫通するものであって、前記上部回路配線と前記下部回路配線とを連結するポストと、を含み、
    前記上部回路配線は、前記ポストと別途に備えられ、前記下部回路配線の少なくとも一部は、前記ポストと一体に備えられた、半導体パッケージ基板。