TW200834938A - Image sensor package with die receiving opening and method of the same - Google Patents

Description

200834938 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明與一種面板級（panel level package，pLp)封裝 結構有關，特別是關於一種具有晶粒容納通孔的基底用以 在面板級封裝中容納影像感測器。 【先前技術】 在半導體裝置的領域中，各種半導體元件的密度不斷 增加，而其元件尺寸亦不斷縮小。為了因應上述情形，對 •於此種高密度元件之封裝與互連技術(interconnecti〇n) 之需求亦不斷增加。一般而言，在覆晶接合（flip_chip auachmem)的方法中，晶粒的表面會有焊接凸塊形成。要 形成焊接凸塊，可使用一焊接複合材料穿過一焊接光罩來 產生想要的焊接凸塊圖案。晶片封裝的功能包含電能分 配、訊號分配、熱發散、保護與支援之類。當半導體裝置 變得越來越複雜，一般傳統的封裝技術’如導線架^裝 # (lead frame package)、軟板封装（flex package)或硬板封裝 (rigid package)技術等，已無法滿足其小尺寸、高元件密度 晶片之生產需求。 而且’一般的封裝技術需要將晶圓上一整塊晶粒分成 個別的小晶粒，再將晶粒個別封裝。對製造流程而言，此 類技術相g費B守。由於晶片封裝技術深受積體電路之發展 影響，故對電子元件而言，其尺寸大小變得越來越重要， 而對其封裝技術亦然。基於上述理由，現今封裝技術之趨 勢朝球閘陣列（ball grid array，BGA)、覆晶球閑陣列（fHp 6 200834938 chip BGA，FC_BGA)、晶圓級封裝（讀『^ , ^ ^ ^ θΘθ ^ 封衣與所有互連線路還有其他的製程步驟都 獨立晶片前騎。通常其製財，在所㈣組㈣封裝^ :=，所有獨立的半導體封裂會與晶圓分開。、晶圓級 封衣具有極小的封裝尺寸以及極佳的半導體電性。

s晶圓級封裝技術是一種先進的封裝技術，其晶粒是在 晶圓上製造與測試，其後再施以切割以在表面黏著線 (:face-mount line)上進行組裝。因為晶圓級封震技術採用 正片晶圓作為一個物件，而非採用單一的晶片或晶粒。因 2在施打劃線切割（sedbing)之前，晶粒的封裝與測試會 7L成’再者’晶圓級封農是使用焊線的先進技術，其晶 广·^著（die mounting)與底部填膠（under_fiii)的步驟可以省 略。使用晶圓級封裝技術可以減少製造時間並降低生產成 本，故此技術能滿足電子裝置微型化的需求。 儘管晶圓級封震技術具有上述之優點，其製程中仍存 在些問題影響著半導體產業對晶圓級封裝技術之接受 度。例如，採用晶圓級封裝技術雖然能減輕積體電路盘互 連基底間熱膨脹係數（c〇efficient 〇f th_al叫㈣⑽， CTE)不合的問題，但隨著裝置的微型化，晶圓級封褒結構 的材料之間熱膨脹係數的不合卻又形成了另—個造成機械 結構不穩的重要因素。況且，在晶圓級、晶片尺度的封裝 過♦中，纟丨導體晶粒上形成的焊接墊（bonding pads)會透 過敖的重佈製程（redistribution)進行電路的重新分佈。重 7 200834938 佈製程牵涉到將多個金屬 直接炼接在金屬接塾上，而形式排列。焊接球會 程以陳Μ形+ μ金屬接墊即為上述用重佈製 声都合二：Γ而形成。一般情況下，所有堆疊的重佈 力層（b秦up)上，使得封裝的厚度增 加’因而與縮小晶収寸之需求_。 因：’本發明提出一種擴散式晶圓級封裝結構(―。ut

’ -WLP)’其結構不需要堆叠的增層與重佈層，故能 =封裝厚度來克服前述之問題，並於溫度循環測試中且 有較佳的基板級可靠度（bGardlevel蝴abi吻）。 '、 【發明内容】 本發明提出—種包含基底的封裝結構，其含有晶粒通孔 (t rough hole)結構與接墊通孔結構穿過其中，其終端接塾 在接墊通孔結構的下方形成，而焊線接塾在基底的上表面 形成。-具有微鏡區域的晶粒以黏著方式設置在晶粒通孔 内不。-焊線在晶粒與基底上方形成，其中該焊線與晶粒 鲁=接墊以及基底的接墊搞合(eGuple)。—保護層被形成來 覆蓋焊線並填入晶粒邊緣與晶粒通孔側壁之間的縫隙中以 2附晶粒以及透明面板以外的基底部分。一透明面板以黏 著的方式設置在晶粒通孔内部的晶粒上方以在透明面板與 微鏡區域之間產生-間隙。另有多傭傳導凸塊被耗合至終 端接墊。 ' 須注意，本發明係為提出一種用以形成半導體元件封 裝（如 CMOS 影像感測器，compiementary metal semiconductor)的方法。首先，其製程包含在一工具上配置 8 200834938 一具有晶粒通孔以及接墊通孔穿過其中的基底’其終端接 墊在該接墊通孔結構下方形成而一接墊在該基底的上表面 形成。下一步，將一黏著材料黏在影像感測器晶片的背面 (選擇性製程）。接著，使用一撿放精密對準系統來將好的 影像感測器晶片依理想的間距（pitch)在工具上進行重佈 (redistribution)。一焊線被形成來耦合該晶片與基底上的接 墊。再來，一保護層會被形成來覆蓋該焊線並填入晶粒邊 緣與晶粒通孔側壁之間的缝隙中並進行真空固化（vacuum 春 curing) .，之後再將整體封裝結構與該工具分離。最後，再 半導體元件封裝切割成獨立的單元。 影像感測器晶片的微透鏡上被鍍上一微透鏡保護層（薄 膜），該微透鏡保護層（薄膜)具有防水防油污的特性可避免 微鏡區域受到:雜質粒子的污染。該微透鏡保護層（薄膜）的 厚度約在〇. 1 μπι至0.3μιη之間為佳，而其反射率最好接近 空氣反射率（等於1)。此製程可以S0G(spin on glass)方式 • 來進行，也可以矽晶圓形式來處理。其該微透鏡保護層的 材料可為二氧化石夕（Si02)、氧化銘（Al2〇3)或是II聚合物 (fluoro-polymer)等。 其基底之材質包含有機環氧樹脂類的FR4、FR5、BT (Bismaleimide Triazine)、PCB(印刷電路板）、合金或是金 屬。合金類有包含42合金（42%鎳-58%鐵）或Kovar合金（29 %鎳-17%鈷-54%鐵）。另外，其基底可為玻璃、陶瓷或是 秒材質。 【實施方式】 9 200834938 本明現在將詳細描述較佳實施例以及其附上之圖 式。然而，需瞭解本發明之較佳實施例係僅用以說明。除 y此處提到的較佳實施例外’本發明可在其他未詳述的實 施例中廣泛的實行，且本發明之範嘴並未被明確的限定在 其伴隨之特定專利請求項以外的地方。 本發明提出一種採用基底的面板級封裝（PLP，panel level package)結構，其基底具有預設之晶粒通孔與接墊通 孔（互連線路）形成其中’且基底上之金屬接墊與基底下之 終=接墊透過其通孔内的金屬互相連接，並有多個開孔通 遏穿過該基底。一焊線用以連接影像感測器晶粒上的接墊 以及基底上預先形成的金屬接墊。 圖一為說明根據本發明實施例一 Cis-CSP(CM0S影像 感測器晶片尺寸封裝）之截面圖。如圖一所示，pLp的結構 包含一具有預設的晶粒通孔1 〇，以及接墊（互連）通孔ό的基 底2形成其中以容納一晶粒16。晶粒16最好是一影像感 •測斋晶粒。複數個接墊通孔ό被形成來連通基底2的上表 面與下表面’其中該接墊（互連）通孔6周邊被基底2圍繞。 一導電材質會被填入通孔6以導通電路。（終端）接墊8位 在基底2的下表面上並以該導電材質與接墊通孔6相連。 知線傳導接塾22(如金屬材質）位在基底2的上表面上並也 以該導電材質與接墊通孔6相連。一導電的終端接墊8 設置在基底2的下表面上供以焊接外部的物體。一焊線24 被形成來連接晶粒16上的晶粒接墊20以及基底2上預先 形成的金屬接墊22。一保護層26(如液態化合物）在焊線24 200834938 上方形成並填入晶粒16邊緣與晶粒通孔側壁1〇之 隙中以保護焊線並將其黏合。在—實施例中，保護層％ 的材質包含化合物、液態化合物、石夕膠，且該保護層％ 可以點膠式（dispensing)或印刷式的成形（mQlding)或谬人 方法形成。 ^ 〇 〜晶粒16被配置在晶粒通孔10的内部並以一膠帶14 固定作為其背面的晶背保護層。晶粒通孔1〇的寬度（大小） 母邊可比晶粒16大上ΙΟΟμπι左右。如所知者，晶粒接墊（焊 接墊)20是以金屬電鍍方法在晶粒16上形成。在一實施例 了，保護層（液態化合物)26會被填入通孔1〇内晶粒16 區以外（即晶粒邊緣與晶粒接收通孔側壁之間）的縫隙中將 其隔離與外界。在一實施例中，保護層26為一彈性材料、 感光材料、或是介電（dielectric)材料。此外，可使用金屬 電鍍之類的方法將一屏蔽層32形成在基底2的侧壁上使之 與保護層材質（隔離材料）有更佳的黏著性。另有一黏著材 春料38形成在晶粒16的上方而產生一間隙46，該黏著材料 並與透明面板36黏合而在透明面板36與微鏡區域42之間 產生一間隙46。焊線24形成在晶粒16的上方，其中該焊 線24經由輸出入接墊（1/〇 pads，即晶粒接墊）2〇與焊線接 墊22的連接以保持晶粒16電導通。之後，再形成一互連 接墊以連接終端接墊8。前述之結構建構出一種LGA形式 封裝（Land Grid Array，基板栅格陣列，其終端接墊分佈在 封裝結構的周邊）。 須注意間隙46形成在晶粒16以及微透鏡保護層4〇 200834938 的上方以暴露出CMOS影像感測器（CIS)的微鏡區域42。 微透鏡保護層40可覆蓋在微鏡區域42的微透鏡上。該影 像感測晶片的微鏡區域上被鍍上一層微透鏡保護層 (膜）40 ;微透鏡保護層（膜）40具有防水防油的性質可避免 微鏡區域受到雜質粒子的污染。微透鏡保護層（膜的厚 度約在0·1μιη至0·3μπι之間為佳而其反射率最好接近空氣 的反射率（等於1)。此製程可以採用SOG(spin on glass)方 式來進行，也可以矽晶圓形式來處理。其微透鏡保護層的 _ 材料可為二氧化矽（si〇2)、氧化鋁（ai2o3)或是氟聚合物 (fluoro-polymer)等。 最後，一具有紅外線濾光層的透明面板36(選擇性）形 成在微鏡區域42的上方以保護之。該透明面板36是由玻 璃、石英等成分組成。 圖二所示為本發明另一實施例，傳導錫球30在終端接 塾8的下方形成。此為BGA式（ball grid array，球閘陣列） φ 的封裝類型。在圖二中，接墊（或互連)通孔6(如半球形) 在一穿過基底2的切割道（scribe line)區域上形成。該半球 面輪廓之接墊通孔（未表示）亦可形成在晶粒容納通孔的 侧壁區域中，其他的部分則與圖一相似。故此處省略其相 似部位的元件符號。由於接墊通孔6位於切割道中，每一 封裝單元都只具有半個通孔，故可改善焊接品質並減少封 裝面積（foot print)。基底2的材質以有機基底為佳，如具 有定義開口的 FR5、FR4、BT(Bismaleimide triazine)以及 PCB，或是具有預先蝕刻電路的42合金。具有高玻璃轉換 12 200834938 溫度（Tg)的有機基底為環氧樹脂類的FR5或訂類的 以得到更佳的製程效果。42合金由42%的錄與％^鐵 組成。也可以使用以馆合金’其組成為29%的鎳、η% =以及54%的鐵。玻璃、m㈣㈣因 膨脹係數而被用來作為基底材質。

基底可為©板形式的矩形，其尺寸須能配人焊線機 中。如圖-與圖二所示，焊線24自晶粒擴散而出並盥焊線 接墊22以及輸出人金屬接墊2〇連接。此作法與在晶粒上 豐層的先前技術作法不同’疊層方法會增加了整體封裝的 厚度，違反了減少晶粒封裝厚度之需求。相較之下，^發 明之終端接墊8位於與晶粒接墊對面的表面上。其傳導路 徑藉由接墊通孔6穿過基底2將訊號傳到終端接墊8。因 此，晶粒封裝的厚度明顯地縮小。本發明之 先前技術來的薄。再者，其基底是在封裝製程 的。其晶粒通孔10以及接墊通孔亦是預先定義的。故，其 產能會獲得改善。綜觀前者，本發明揭露了 一種不需在焊 線上堆疊增層（buit up layer)的PLP封裝結構。 圖二a至圖三d為說明一以面板/晶圓形式來製作具有 透明面板的CIS晶片之製程步驟截面圖。如圖三&中所示， 上述之製程包括：用印刷或點膠的方式在透明面板(如 玻璃面板）或是透明層上形成一黏著材料62圖形，以產生 一開口露出其含有間隙之微鏡區域。提供一含有晶片 (或晶粒）的晶圓64，如圖三b所示。然後，藉由黏著材料 62以面板黏結的方式將透明面板6〇黏在晶圓64 上。須>主 13 200834938 #著材料62圍繞著微鏡區域並使其裸露，而透明面板 6〇則保護微透鏡不受污染。接著，在透明面板6〇上定義 光阻圖案68使得該光阻圖案68對齊微鏡區域，如圖三 c所不。隨後以乾飿刻或祕刻之類的方式將透明面板的 製成多個透明面板單元70。殘餘的光阻68隨即被移除。 ，後以劃線切割（scribing and sawing)的方式將晶圓64 分成多個具有透明面板單元7〇的獨立單元（cis晶片），如 圖_ d所示。其切割道（S(;ribing如匀位於各獨立單元間定 義的蝕刻區域以分離各單元。 曰圖四a至圖四e為說明根據本發明另一實施例以面板/ 晶圓形式製作具有透明面板的CIS晶片之製程步驟截面 圖。如圖四a所示，上述之製程包括：提供一透明面板（或 透明層）74黏附在—膠帶72上（如Mue _或—。 透明面板74被劃線分成多個定義的劃線區，如圖四5所 示。一黏著材料78隨後以印刷或點膠的方式形成在透明面 .板74上，以UV固化的方式為佳，以產生一空間來使微鏡 區域裸露，如圖四c所示。須注意黏著材料78亦可以印刷 或點膠的方式形成在CIS晶圓84上。其後，透過該黏著 材料78以面板黏結的方式將透明面板74黏在該具有晶片 8〇(或晶粒）的晶圓84上。須注意黏著材料78圍繞著微鏡 區域並使其裸露，而透明面板74保護微透鏡不受污染，如 圖四d所示。劃線（切割線)76需與黏著材料78對齊，隨後 將膠帶與剩下的面板（玻璃）移除。最後，沿切割道中心線 切剎bb圓以將晶圓84分成多個具有透明面板的獨立單 200834938 元（CIS晶片），如圖四e所示。其切割道（scribing line)位於 各獨立單元的黏著材料78間以分離各單元。 圖五a至圖五f為說明以面板形式製作具有透明面板 的面板級CIS晶片尺寸封裝之製程步驟截面圖。本發明之 製程包括：提供一圖形對準工具（晶片重佈工具）90，其上 有對準圖形形成。再來，將圖形膠印在該工具90上（用來 黏著晶粒的背表面），隨後使用具有晶粒接合（die bonding) 功能的撿放精密對位系統將好的晶粒依理想的間距在工具 _ 上重新分佈（redistribute)。圖形膠會將晶片黏在工具90 上。另外，亦可使用晶粒黏附膠帶。隨後，提供一基底92 在工具90上。該基底92具有晶粒通孔94、接墊通孔96， 其上表面上有焊線接墊2而下表面上有終端接墊8，如圖 五a所示。一導電材料會被填入通孔96之中以導通電路。 再來，一晶粒98(如圖一與圖二中的晶粒，其微透鏡上植 入一保護玻璃（覆蓋層）1〇〇)並在晶粒背面用晶粒黏著膠帶 鲁 10 2將晶粒黏接在基底9 2的晶粒通孔9 4内’如圖五b所 示。再來，焊線104被形成來將晶粒98之接墊與基底92 預先形成的金屬接墊連接，如圖五c所示。接著，一保護 層106，如液態化合物，被形成覆蓋在焊線104上並填入 晶粒邊緣與晶粒通孔侧壁之間的缝隙中以保護並將晶粒與 基底黏結，如圖五d所示。面板在真空固化（vacuum curing) 後從工具90上分離，如圖五e所示。 在銲球植入或錫膏（solder paste)印刷後，熱迴銲 (re-flow)會被實行來焊接基底（BGA式）。其後，使用垂直 15 200834938 式探針卡來進行面板級最終測試（final testing)。在測試之 後，基底92會被沿切割道（劃線Η 〇8切割將封裝分成獨立 的單元’如圖五f所示。隨後，各封裝會被分別夾取並置 於包裝捲帶（tape & reel)上。 請參照圖六，其為本發明中使用CIS’-CSP的一獨立 CMOS影像感測器模組。該晶粒包含CMOS影像感測緝獲 CCD影像感測器。CIS-CSP116的傳導錫球30被連結到一 其上有連接器124形成之軟性印刷電路版（FPC)120的連接 修接墊上（用SMT製程焊接）。CIS-CSP 116為如圖一與圖二 封裝單元。其後，一透鏡128被配置在CIS-CSP 116的透 明面板（玻璃）36上方讓光線可以穿透其中。如同前面描述 的，透鏡128可形成在微鏡區域42上，且晶粒16與透明 面板（玻璃）36之間會產生一間隙46。一鏡座126被固定在 印刷電路板120上以將透鏡128固定在CIS-CSP 116的頂 部。一濾鏡130(如紅外線濾鏡）被固定在鏡座126上。另 0 外，濾鏡13〇亦可為一形成在透明面板（玻璃）36上表面或 下表面的濾光層（如紅外線濾光層）作為一濾鏡。在一實施 例中，紅外線濾光層包含二氧化鈦Ti02與光觸媒材質。透 明面板（玻璃）36可避免微透鏡受到雜質粒子的污染。使用 者可使用液刷或氣刷的方式將雜粒從透明面板（玻璃）36移 除而不會損害到微透鏡。而且，印刷電路板120上可設置 被動元件122。 因此，本發明的優點為： 基底具有預先形成的通孔與焊接線路；由於其晶粒是 200834938 植入基底之中，故它能作成超薄的封裝結構，其厚度在 200μηι以下（自影像感測器表面算起）；藉由填入矽膠戋液 態化合物等材料，它亦可被絲作為—應力緩衝釋放區域 以吸收因石夕晶粒（熱膨脹係數為2.3)與基底㈣航的熱 膨脹係數約為16)之間熱膨脹係數不同而產生的熱應力。 其封裝產能也因為採用以下簡單的製程而增加：黏晶（如 —a、焊線、上保護層以及單元切割，這是由於影像 感測器結構的針腳數較少之故。終端接塾在晶粒動態面對 面的表面上形成（預先形成）。其晶粒置放與目前的製程一 樣都採用黏晶的方式。因為其具有一玻璃罩的配置，故製 程期間本發明模組不會受到任何雜粒污染。在晶粒置入基 底的晶粒通孔後其晶粒與基底之表面高度是一樣。由於其 微透鏡上覆蓋—透明面板36(玻璃），故此封裝結構是可清 先的曰曰片尺度的封裝結構大小約為晶片的各邊長加上 ^5mm。其封該（paekage卜⑽)與基板級（b— by叫的可 .#，’、特，是在基板級的溫度循環測試部分，都比以往來 ^土 k疋由於其基底與pCB母板的熱膨脹係數相同，焊 ^塊或焊接球上不會受到熱機械應力。其成本低且製程 Z:。至於製作流程’特別是在模組組裝部分，可採用SMT 化製程，易於形成組合式封裝結構（雙晶粒封裝）。 s而~裝結構具有周邊形式的終端接塾㈣，利於施行 製程。 去傾本务明實施例業已描述，其相關領域之熟習技藝 到本泉明不應為其所描述之較佳實施例所限制。 17 200834938 而是關於其不同之變 可施行的…發明的精神與範疇内是 ㈣其如以下專利請求項所定義。 【圖式簡單說明】 的广九:月刖述之觀點與許多伴隨之優點將藉由參照下列 、、田即田4連同其隨附之圖式而變得更佳清楚明瞭. ❹f哭一Λ說明根據本發明實施例一 CIS_CSP (CMOS影像 感劂师日日片尺寸封裝）結構之截面圖； Λ二為說明根據本發明實施例-CIS_CSP (CM0S影像 感測恭晶片尺寸封裝）結構之截面圖； 圖一 a至二d為說明一以面板形式在晶圓上製作具有透 明面板的CMOS影像感測器之製程步驟截面圖； 圖四a至四e為說明根據本發明實施例一以面板形式製 作具有透明面板的CMQS影像感測器之製程步驟截面圖： 圖五a至五f為說明一以面板形式製作具有透明面板的 面板級CIS晶片尺寸封裝之製程步驟截面圖： 圖，、a至六b為說明根據本發明實施例一 cIS模組之截 面圖； 【主要元件符號說明】 2 基底 20 晶粒接塾 6 接墊通孔 22 焊線接墊 8 終端接墊 24 焊線 10 晶粒通孔 26 保護層 14 膠帶 30 傳導錫球 16 晶粒 32 屏蔽層 200834938

36 透明面板 84 晶圓 38 黏者材料 90 工具 40 微透鏡保護層 92 基座 42 微鏡區域 94 晶粒通孔 46 間隙 96 接墊通孔 60 透明面板 98 晶粒 62 黏者材料 100 透明面板 64 晶圓 102 膠帶 66 晶片 104 焊線 68 光阻 106 保護層 70 透明面板 116 CIS-CSP 72 膠帶 120 印刷電路板 74 透明面板 122 被動元件 76 切割道 124 連接器 78 黏著材料 126 鏡座 80 晶片 128 透鏡 82 透明面板 130 濾鏡

Claims (1)

1. 200834938 十、申請專利範圍： 1· 一種影像感測器封裝結構，包含： 一基底，具有一晶粒通孔與接墊通孔結構形於其 立 中終端接墊形成於該接㈣孔結構下表面，而烊塾 在該基底的上表面形成；ί " 一具有微鏡11域的晶粒，配置在該晶粒通孔内部； -焊線’在該晶粒與該基底上形成，其線耦 該晶粒與該桿線接墊；1祸口至 • y透明面板，以黏著方式設置在該晶粒通孔内的晶粒上 以在該透明面板與晶粒之間產生一間隙，·及 保羞層，覆蓋在該桿線上並填入該晶粒邊緣與該 的晶粒通孔側壁之間的空隙中。 α 2.=請求们所述之結構，更包含多個 終端接墊。 們口王邊 液 3 求項〗所述之結構，其中該保護層包含化合物、 悲化合物、石夕膠。 4:=:=4其_護層包含彈性材料、 5.結構’更包含-屏蔽層形成在該晶圓 20 200834938 6. 如請求項5所述之結構’其中該屏蔽層包含—金屬層。 7. 如請求項i所述之結構，其中該接墊通孔結構包含一半 :面輪廓之接墊通孔位於切割道區域或該基底之晶粒 通孔側壁區域。 環氧樹 結構，其中該基底的材料包含 η。月长項1所述之結構，其中該基底的材料包含訂、 PCB (印^項1所4之結構，其中該基底的材料包含 (印刷電路板） 金i4項1所述之結構’其中該基底的材料包含合金或 12 ·如凊求項 矽或陶瓷。述°構，其中該基底的材料包含玻璃、 13.如請求項i所述 該微透鎊K^ 構， 微透鏡保護層形成在 保護微透鏡不受雜質粒子的污染。 21 200834938 Μ·如明求項13所述之結構，其中該微透鏡保護層的材料 包含二氧化矽（Si〇2)、氧化鋁（Ab〇3)或是氟聚合队 (fl ⑽r〇，lymer) 物 15.如明求項13所述之結構，其中該微透鏡保護層具有防 水或防油的性質。 φ I6·如明求項1所述之方法，其中該透明面板在該微鏡區域 上方部位鍍有一層紅外線濾光層。 17·—種形成半導體元件封裝之方法，包含： 在一工具上提供一具有晶粒通孔與接墊通孔穿過其間 的基底，其中終端接墊在該接墊通孔結構下形成，而焊 線接塾在該基底的上表面上形成； 將黏著材料黏在影像感測器晶片的背面上； • 個一撿放精密對準系統將該影像感測器將好的晶粒 在工具上以理想的間距進行重佈； 形成一坪線將該晶片與該晶圓的焊線接墊耦合·，及 开y成保濩層來復蓋該焊線並填入該晶粒邊緣與該基 底之晶粒通孔侧壁之間的空隙，再實行真空固化並分離 該工具。 18.如請求項17所述之方法’其中該影像感測器晶片含有 -微透鏡保護廣形成在該微透鏡上以保護該微透鏡不 22 200834938 受雜質粒子的污染。 19·如明求項17所述之方法，其中該影像感測器晶片含有 :透明面板黏著在微透鏡上，且其黏著材料圍繞著微鏡 區域以露出該微鏡區域。 2〇.如請求項17所述之方法，更包含將該半導體元件封裝 切割成獨立單元之步驟。 21 · 一影像感測器模組之結構，包含·· 一軟性印刷電路板（FPC)，具有導線電路、連接接墊以 及連接器； 一焊接膏，用以焊接該FPC之連接接墊與基底之終端 接墊；

   其中該基底含有晶粒通孔結構與接墊通孔結構形成其 間’其中該終端㈣在該㈣m孔結構下形成，而焊線 接墊在該基底的上表面上形成； 一具有微鏡區域的晶粒，配置在該晶粒通孔内部； -焊線，在該晶粒與該基底上形成，其中該焊線麵合至 該晶粒與該焊線接墊；及 口 保護層，覆蓋在該焊線上並填入該晶粒邊緣與該 的晶粒通孔侧壁之間的縫隙中；及 、Λ 著方式設置在在該晶粒通孔内的晶粒 上以在该透明面板與該微透鏡之間產生一間隙；及 晶 圓 23 200834938 一具有透鏡之鏡座，固定在該FPC上並設置在該透明 面板上方以讓光線穿透該微鏡區域。 22·如請求項21所述之方法，更包含被動元件焊接在該FPC 上0

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