TW200816416A - Substrate structure and fabrication method thereof - Google Patents
Substrate structure and fabrication method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TW200816416A TW200816416A TW095135475A TW95135475A TW200816416A TW 200816416 A TW200816416 A TW 200816416A TW 095135475 A TW095135475 A TW 095135475A TW 95135475 A TW95135475 A TW 95135475A TW 200816416 A TW200816416 A TW 200816416A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- ring
- conductive
- conductive ring
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
200816416 •九、發明說明: 暴 V【發明所屬之技術領域】 本發明係關於—種半導體製程,尤指-種應用於半導 體封裝件之基板結構及其製法。 【先前技術】 • 對於以基板作為晶片承載件的球柵陣列(Ball Grid :ΑΓΓ8Τ,BGA)半導體封裝件而言,其訊號傳輸設計往往係藉 由基板之設計’而將晶片之訊號透過銲線傳遞至基板上之 銲指(Finger)’再藉由基板之導電貫孔(via)傳遞至基板底 面的!干球墊(Ball Pad),以透過植設於該銲球墊上之銲 球,進而傳遞至外界,同時為提升及維持封裝件之電性功 月匕亦而在該基板上设置電源環(power ring)及接地環 (ground ring),以供晶片透過銲線電性搞合至該電源環及 接地環,如美國專利US5,581 122所揭示者。 祕板之銲指、銲耗、電源環及接地環—般係為金 肩屬銅材質’而為提供銲線或銲球與該基板之電源環、接地 銲減銲球墊良好接著,同時保護該電源環、接地環、 :^曰及#球墊避免受外在環境污染,通常即須在該電源 . 接地%、鋅指及銲球墊表面覆蓋一鎳金層(Ni/Au)。 ,然而,傳統形成鎳金層之製法缺點在於基板之表面必 須額外佈,多數電鍍導線,以進行電鐘錄金層之步驟;因 此’對於南密度之基板,此種設計即有基板面積不足之缺 ^此外’對於高頻產品而言,此些電錢導線將形成天線 (antennaeffect)’而有雜訊之產生,亦將干擾訊號 19593 5 200816416 之傳輸,故而此類結構已漸不符今日產品所需。 為解決此一問題,業界遂發展出兩種不需電鍍導線的 基板製法,包括選擇性電鍍(SelectedG〇ld,SG)製法及無 電鍍線鏡鎳金(Non Piating Line,NPL)製法,以下即分述 其製法流程與所形成的基板結構。 對SG製法而言’其係先如第1A圖所示,於基板芯層 1〇上形成銅層(CuFoil)11,再如第1Bs,利用光阻層12 楚^ k銅層π上定義出如電源環、接地環、銲指及銲球墊 f電性連接部之開口 12〇位置;接著,如第1C目,於該些 浐=開口 120中鍛上錄金層13 ’此錄金層13之電錄面 二=光阻層12之開口 120面積相同;再如第1D圖, :::=層12 ’然後’如第1E圖’圖案化該銅層 ^導電跡線、電源環、接地環、銲指及銲球墊等之電 連接部110,並敷設拒銲層14, ’ ⑽露出該些已錄有錄金層13的電性m14之開口 開口140面積係略小於該鎳金層之面 m該拒鮮層14係覆蓋住部分 110上之鎳金層13周圍。 對NPL製法而言,則係如第2a 層20上形成銅層2卜再如第2B圖,.利:於基板芯 程而圖案化該銅層21,並定義出如電,知曝光顯影製 及銲球墊等電性連接部21();接著,如/、接地=鋒指 如利用無電解電鍍之薄銅層25,再乐2C圖’覆蓋-例 層22,以利用該光阻層22之開口 22〇 j圖’形成光阻 疋義出該電性連接 19593 6 200816416 •部則中預定鍍上錄金層之區域;接著,如第 鎳金層23,並如第_,移除該光阻層&並钱刻掉該 1 銅層25,·最後,如第2G圖,敷設拒銲層24,並令^ 層24之開口 240外露出該電性連接部21〇之錦全層μ、干 =習知上由於形成拒銲層之開口有對位±75"之誤 .差限制,且該拒銲層之解析度誤差有約土5〇_,因此,兮 二金層,大小需略大於該拒銲層開口之大小,兩者間有: ^(7^+50㈣)的重疊區域L(如第2G圖所示)。 此二習知製法雖可免除電鑛導線之設計,改善習 2的電性問題1而,此二製法所形成之基板結構卻另有 、料上之問題。此因拒銲層與鎳金層間的附著性並不佳, 尤其對於基板上相鄰設置之電源環及接地環而言,如第3A 至3C圖所示,其中該第3B&3C圖係為對該第μ圖之不 同J面示%、圖„又於基板表面之拒銲層34係覆蓋於相鄰設 置之電源環361及接地環362上表面錄金層33之各別兩 侧’而外露出該電源環361及接地環362上表面錄金層Μ 中央邛刀,其中位於該電源環361及接地環中間處之 拒銲層34,部分(如$ 3B圖所示),因其兩邊均係各別覆蓋 於該電源環361及接地環362之鎳金層33上,因此很容易 自該,金層33上剝離,產生脫層現象,形成不良品。 是以,如何避免形成於基板電性連接部,尤為接地環 f電源環表面之鎳金層與覆蓋其上之拒銲層間產生脫層問 題,實為半導體相關領域中所亟待解決之課題。 【發明内容】 19593 7 200816416 . 因此,有鑑於前述及其他缺點,本發明之主要目的在 於提供一種避免鎳金層與覆蓋其上之拒銲層產生脫層之基 板結構及其製法。 —本龟明的又一目的在於提供一種可強化鎳金層與覆 盍其上之拒銲層接合力之基板結構及其製法。 :制、、為達成上述及其他目的,本發明所提出的基板結構之 :衣去,係包括:製備一芯層,該芯層表面形成有圖案化之 ㈣結構’且該線路結構中包含有導電環;於該芯層上覆 :阻層、其中该阻層係覆蓋住線路結構部分區域及導電 T邛刀區域,以顯露出該線路結構部分區域及導電環部分 區域,進而定義出預定鑛設區域;於該預定鑛設區域上形 成鎳金層;移除該阻層,以外露出未形成有鎳金層之部分 線路結構及部分導電環;以及於該芯層上覆蓋拒銲層,並 外露出該線路結構及導電環之鎳金層。 、透過剛速製法所製得之基板結構,_包括:芯層;形 •,Hu層上之圖案化線路結構,該線路結構包含有導電 :T ’、鎳金層,係形成於該線路結構部分區域及導電環部分 區域上,以及拒銲層,係敷設於該芯層及線路結構上,且 外露出該線路結構及導電環上之錄金層,其中該拒鲜層係 覆盍该線路結構及導電環中未形成有錄金層之區域。 B因此,相較習知製程中在例如t源環及接地環等導電 環上全面鍍覆鎳金層之方式,本發明即在該原本須完全 鎳孟層之‘私糸上,利用阻層留下至少一個區域未進行= "又錄金層’於外露出該阻層之導電環上It設鎳金層,接著 8 19593 200816416 = =、::形成部分區域鑛有鎳金層及部分區域未鍍 有-桌孟層之h環,之後再於芯層及導電 之部分區域上敷設拒銲層,俾利賴銲層與 =本體的結合力大於拒銲層對形成於導電環上鎳金層的結 :力1免拒銲層與鎳金層間產生脫層問題,改善基板結 構之品質。 【實施方式】 以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方 式,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 瞭解本發明之其他優點與功效。 讀參閱第4A至4H圖,係為本發明之基板結構及其製 法之不意圖,如f 4A及4B圖所示’其中該第㈣係為對 應弟4A圖之剖面圖,首先,製備一芯層4〇,該芯層4〇可 為樹脂,該芯層40表面形成有圖案化之線路結 該線路結構41中包含有導電環411及其它導^跡線412 •及銲墊413’ *中,該導電環411係例如為電源環及接地 環等,且該線路結構41之導電環4n、導電跡線412及銲 墊413之材質係為金屬銅’接著利用如npl製法於其上覆 蓋一無電解電鍍之薄銅層(未圖示)。 〃 如第4C及4D圖所示,其中該第4D圖係為對應第4C 圖之剖面圖,於該芯層40上之薄銅層上覆蓋一阻層42, 其中該阻層4 2係覆蓋住線路結構41部分區域(如導θ電跡線 412)及導電環411部分區域,並顯露出該線路結構41部分 區域(如銲墊413)及導電環411部分區域,以定義出預定 19593 9 200816416 鐘設區域。 圖之及处圖所示,其中該第处圖係為對應第4E H’i面圖,㈣預定錄設區域上形成錄金層, 未為該阻層42所覆芸之“* x f μ 之¥電裱411部分區域及銲墊413 電鍍形成一鎳金層43,接荖卽s 掉該薄鋼層,以外露出未形:有:=a f4 2 ’並㈣ (如^ ώ 成有鎳金層43之部分線路結構 C如導電跡線412)及部分導電環411。 ”4G及4Η圖所示’其中該第4Η圖係為對應第π 面圖’之後於該芯層4〇上覆蓋拒鲜屬44,並外露 邊線路結構(如銲墊413)及導電環411之鎳金層“盆 導電環411而言,部分區域係形成有錄^層… 4刀區域則未敷設鎳金層,如此於形成該拒銲層料時,誃 ,銲層44將覆蓋至該導電環4ni未設有錄金層仏之區/ 域,俾透過該拒銲層44與導電環411本體(銅材質)之結合 度大於與鎳金層43之結合度,使該拒銲層44不易自診 金層43上剝離。 ^ v、 透過前述製法,本發明亦揭示一種基板結構,係包 括:芯層40;形成於該芯層4〇上之圖案化線路結構41, 該線路結構41包含有導電環411;鎳金層43,係^成於該 線路結構41及導電環⑴之部分區域上;以及拒銲層 係敷設於該芯層40及線路結構41上,且外露出該^路結 構41及導電環411上之鎳金層43,其中該拒銲層44係覆 蓋該導電環411中未形成有鎳金層43之區域。另該線路= 構41復包含有導電跡線412及銲墊413,其中該導電埽 19593 10 200816416 411、導電跡線412、及銲墊413之材質為金屬銅,且該導 電環411部分區域及銲墊413上係形成有鎳金層43。 因此,相較習知製程中在例如電源環及接地環等導電 環上全面鍍覆鎳金層之方式,I發明即在該原本須完全= 鎳金層之導電環上’利用阻層留下至少—㈣塊未進行^ 設鎳金層,以於外露出該阻層之導電環上鐘設鎳金層,^ 著移除該阻層’以形成部分區域鍍有錄金層及部分區域未 鍍有鎳金層之導電環,之後再於芯層及導電環未鍍設錄金 層之部分區域上敷設拒銲層,俾湘拒銲層與銅材質之導 電環本體的結合力大於拒銲層對形成於導電環上鎳金層的 結合力’避免拒銲層自該鎳金層上發生剝離問題,改善美 板結構之品質。 ^ 以上所述僅為本發明之較佳實施方式而已,並非用以 限疋本U之® ’亦即,本發明事實上仍可做其他改變, 此’〜舉凡熟f該項技術者在未麟本發明所揭示之精神 1術思想下所完成之—切等效修飾錢變,仍應由後述 之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 ςη·弟1八至則係習知之選擇性電鍍(Selected Gold, SG)製法之示意圖; \ τ .第2A至2G圖係習知之無電鍍線鍍鎳金(Mon Plating Llne,~NPL)製法之示意圖; 弟3A至3C圖将羽丄^發 a 一立 口係白知之基板結構中電源環及接地環區 域不意圖;以及 19593 11 200816416 ^ 第4A至4H圖係本發明之基板結構及其製法示意圖 【主要元件符號說明】 10 芯層 11 銅層 110 電性連接部 .12 光阻層 120 開口 13 鎳金層 • 14 拒銲層 140 開口 20 芯層 21 銅層 210 電性連接部 22 光阻層 220 開口 ^ 23 鎳金層 / 24 拒銲層 :240 開口 、25 薄銅層 33 鎳金層 34, 34, 拒銲層 361 電源環 362 接地環 40 芯層 12 19593 200816416 41 線路結構 411 導電環 412 導電跡線 413 銲墊 42 阻層 43 鎳金層 44 拒鲜層
Claims (1)
- 200816416 •十、申請專利範固: 1 · 一種基板結構,係包括: 芯層; 形成於該芯層上圖案化之線 包含有導電環; 路結構,該線路結鎳金層’係形成於該線路結構部分區域及導 部分區域上;以及 ^ 拒鋅層,係敷設於該芯層及線路結構上,且外霖 路結構及導電環上之鎳金層,其中該拒鮮層係 m 線路結構及導電環中未形成有錄金層之區域。 .如I請專職圍第1項之基板結構,其巾,該導電環 可遥擇為電源環及接地環。 3. iT!專利範圍第1項之基板結構,其中,該芯層係 马知j*脂。 4. =!請專利範圍第1項之基板結構,其中,該線路結 匕含有導電環、導電跡線及銲墊。 5·=請專·圍第4項之基板結構,其中,該線路結 6 之導電裱、導電跡線及銲墊之材質係為金屬銅。 ·=申請專利範圍第4項之基板結構,其中,該銲墊及 7部分導電環區域上形成有鎳金層。 7·如申請專利範圍第ί項之基板結構,其中,該鎳金層 ^ 笔鍍線鑛鎳金(Non Plating Line,NPL)製法及 &擇性電鍍(Selected Gold, SG)製法其中一方式完 成。 14 19593 200816416 ^ 8· 一種基板結構之製法,係包括: 製備一芯層,該芯層表面形成有圖案化之線路社 構,且該線路結構中包含有導電環; 、、° 於該芯層上覆蓋—阻層,其中該阻層係覆蓋住線 路結構部分區域及導電環部分區域,以顯露出該線路 ' 分區域及㈣環部純域,進㈣義出預定鐘 、 $又區域, 於該預定鍍設區域上形成鎳金層; 移除该阻層’以外露出未形成有鎳金層之部八後 路結構及部分導電環;以及 《之#刀線 於該芯層及導電結構上覆苗 線路結構及導電環之鎳金層二干層’並外露出該 其中,該 9·如申請專利範圍第8項之基板結構之製法 導電環可選擇為電源環及接地環。 其中,該 10·如申請專利範圍第8項之基板結構之製法 芯層係為樹脂。 其中,該 U.如申請專利範圍第8項之基板結構之製法 線路結構包含有導電環、導電跡線及鋒塾。 乂如申請專利範圍第丨丨項其 線路結構之導電严、^ 構之製法,其中,該 鋼。 、衣導電跡線及銲墊之材質係為金屬 如申明專利範圍第! j項之基板結 阻層係覆蓋住該導電跡绫及霉^衣法/、中,该 出線¥電展部分區域,並顯露 /、干¥電椒部分區域’以定義出預定鍍設區域。 19593 15 200816416 .14.如申請專利範圍第11項之基板結構之製法,其中,該 銲墊及部分導電環區域上形成有鎳金層。 15.如申請專利範圍第8項之基板結構之製法,其中,該 鎳金層係以無電鍍線鏡鎳金(Non Plating Line, NPL) 製法及選擇性電鍍(Selected Gold,SG)製法其中一方 、 式完成。16 19593
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW095135475A TWI306294B (en) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | Substrate structure and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW095135475A TWI306294B (en) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | Substrate structure and fabrication method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200816416A true TW200816416A (en) | 2008-04-01 |
| TWI306294B TWI306294B (en) | 2009-02-11 |
Family
ID=44769091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095135475A TWI306294B (en) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | Substrate structure and fabrication method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI306294B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI459527B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-11-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體元件用基板結構之製法 |
| TWI489569B (zh) * | 2013-02-08 | 2015-06-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體封裝結構之構件製法 |
-
2006
- 2006-09-26 TW TW095135475A patent/TWI306294B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI459527B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-11-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體元件用基板結構之製法 |
| TWI489569B (zh) * | 2013-02-08 | 2015-06-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體封裝結構之構件製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI306294B (en) | 2009-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI286372B (en) | Semiconductor package substrate with protective metal layer on pads formed thereon and method for fabricating the same | |
| TW508705B (en) | Wiring substrate and fabricating method thereof | |
| TWI357645B (en) | Structure of super thin chip scale package and met | |
| TW473962B (en) | Cavity down ball grid array package and its manufacturing process | |
| TWI241700B (en) | Packaging assembly with integrated circuits redistribution routing semiconductor die and method for fabrication | |
| US6576540B2 (en) | Method for fabricating substrate within a Ni/Au structure electroplated on electrical contact pads | |
| TW200531142A (en) | Semiconductor device and method for making same | |
| TW456013B (en) | Heat spreader substrate structure and the process thereof | |
| TWI343112B (en) | Package substrate having electrical connection structure and method for fabricating the same | |
| CN102456648A (zh) | 封装基板及其制法 | |
| CN101145552A (zh) | 集成电路封装用基板及其制造方法 | |
| JP4352294B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3732378B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW200532811A (en) | Method for fabricating a packaging substrate | |
| TWI240400B (en) | Method for fabricating a packaging substrate | |
| TW200816416A (en) | Substrate structure and fabrication method thereof | |
| TWI333265B (en) | Window manufacture method of semiconductor package type printed circuit board | |
| CN1808701B (zh) | 一种封装基板的制造方法 | |
| TWI301662B (en) | Package substrate and the manufacturing method making the same | |
| TW200901419A (en) | Packaging substrate surface structure and method for fabricating the same | |
| TWI305406B (en) | Method for fabricating a packaging substrate | |
| US6777314B2 (en) | Method of forming electrolytic contact pads including layers of copper, nickel, and gold | |
| CN101414595A (zh) | 封装基板及其制法 | |
| TWI273145B (en) | Method for forming metal line layer on a substrate without planting bar | |
| TWI313716B (en) | Metal electroplating process of electrically connecting pad structure on circuit board and structure thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |