RU2009134060A - Способ получения высших силанов - Google Patents
Способ получения высших силанов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009134060A RU2009134060A RU2009134060/05A RU2009134060A RU2009134060A RU 2009134060 A RU2009134060 A RU 2009134060A RU 2009134060/05 A RU2009134060/05 A RU 2009134060/05A RU 2009134060 A RU2009134060 A RU 2009134060A RU 2009134060 A RU2009134060 A RU 2009134060A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- general formula
- silicon
- compounds
- residues
- formula
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 7
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 claims abstract 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/0821—Oxynitrides of metals, boron or silicon
- C01B21/0823—Silicon oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/907—Oxycarbides; Sulfocarbides; Mixture of carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/20—Silicates
- C01B33/36—Silicates having base-exchange properties but not having molecular sieve properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
- C01G17/04—Halides of germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/0825—Preparations of compounds not comprising Si-Si or Si-cyano linkages
- C07F7/083—Syntheses without formation of a Si-C bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/30—Germanium compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/86—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by NMR- or ESR-data
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Способ получения димерных и/или тримерных соединений кремния общей формулы (Ia) или соединений германия общей формулы (Ib) ! ! ! где остатки от R1 до R8 означают атомы водорода и/или галогенов, причем галоген выбирают из хлора, брома и/или иода, при этом остатки от R1 до R8 в формуле (Ia) или (Ib) означают одинаковые или разные остатки при условии, что по крайней мере один из остатков от R1 до R8 означает атом галогена, а n принимает значение 0 или 1, в результате протекающей при обработке низкотемпературной плазмой реакции ! а) соединения кремния общей формулы (IIa) ! ! или соединения германия общей формулы (IIb) ! ! где остатки от R9 до R12 означают атомы водорода, органические остатки, причем органический остаток - это линейная, разветвленная и/или циклическая алкильная группа с числом атомов углерода от одного до восемнадцати, линейная, разветвленная и/или циклическая алкенильная группа с числом атомов углерода от двух до восьми, незамещенная или замещенная арильная группа и/или соответствующая бензильная группа, и/или атомы галогенов, при этом галоген выбирают из хлора, брома и/или иода и при этом остатки от R9 до R12 в формуле (IIa) или (IIb) могут быть одинаковыми или разными, а n принимает значения 1 или 2, ! или соединения кремния формулы (IIa) в присутствии одного или нескольких соединений общей формулы (IIIa) ! ! или же соединения германия формулы (IIb) в присутствии одного или нескольких соединений общей формулы (IIIb) ! ! где остатки от R13 до R16 означают атомы водорода, органические остатки, причем органический остаток - это линейная, разветвленная и/или циклическая алкильная группа с числом атомов углерода от одного до восемнадцати, лине�
Claims (20)
- Способ получения димерных и/или тримерных соединений кремния общей формулы (Ia) или соединений германия общей формулы (Ib)где остатки от R1 до R8 означают атомы водорода и/или галогенов, причем галоген выбирают из хлора, брома и/или иода, при этом остатки от R1 до R8 в формуле (Ia) или (Ib) означают одинаковые или разные остатки при условии, что по крайней мере один из остатков от R1 до R8 означает атом галогена, а n принимает значение 0 или 1, в результате протекающей при обработке низкотемпературной плазмой реакцииа) соединения кремния общей формулы (IIa)или соединения германия общей формулы (IIb)где остатки от R9 до R12 означают атомы водорода, органические остатки, причем органический остаток - это линейная, разветвленная и/или циклическая алкильная группа с числом атомов углерода от одного до восемнадцати, линейная, разветвленная и/или циклическая алкенильная группа с числом атомов углерода от двух до восьми, незамещенная или замещенная арильная группа и/или соответствующая бензильная группа, и/или атомы галогенов, при этом галоген выбирают из хлора, брома и/или иода и при этом остатки от R9 до R12 в формуле (IIa) или (IIb) могут быть одинаковыми или разными, а n принимает значения 1 или 2,или соединения кремния формулы (IIa) в присутствии одного или нескольких соединений общей формулы (IIIa)или же соединения германия формулы (IIb) в присутствии одного или нескольких соединений общей формулы (IIIb)где остатки от R13 до R16 означают атомы водорода, органические остатки, причем органический остаток - это линейная, разветвленная и/или циклическая алкильная группа с числом атомов углерода от одного до восемнадцати, линейная, разветвленная и/или циклическая алкенильная группа с числом атомов углерода от двух до восьми, незамещенная или замещенная арильная группа и/или соответствующая бензильная группа, и/или атомы галогенов, причем галоген выбирают из хлора, брома и/или иода и при этом в формуле (IIIa) или (IIIb) остатки от R13 до R16 могут быть одинаковыми или разными, а n принимает значения 1 или 2, в частности, при условии, что это соединение содержит водород, иб) с выделением из образующейся фазы одного или нескольких чистых соединений кремния общей формулы (Ia) или соединений германия общей формулы (Ib).
- 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на стадии процесса б) фазу подвергают дистиллятивной переработке.
- 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на стадии процесса а) обработке низкотемпературной плазмой подвергают тетрахлорид кремния общей формулы (IIa), где остатки от R9 до R12 означают хлор и n=1, и по крайней мере еще одно содержащее водород соединение общей формулы (IIIa).
- 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве содержащего водород соединения общей формулы (IIIa) используют метилтрихлорсилан, трихлорсилан, дихлорсилан, монохлорсилан, моносилан и/или диметилдихлорсилан.
- 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии процесса а) и/или б) проводят по непрерывной схеме.
- 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что соединение кремния общей формулы (Ia) на стадии процесса а) собирают в приемнике устройства для реализации способа.
- 7. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивную переработку на стадии б) проводят по непрерывной схеме ведения процесса в системе колонн, включающей не менее двух колон, и по периодической схеме на не менее чем одной колонне.
- 8. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивную переработку проводят при нормальном давлении, при пониженном давлении или при повышенном давлении.
- 9. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивную переработку проводят при абсолютном давлении от 1 до 1500 мбар.
- 10. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивное выделение соединения кремния формулы (Ia) проводят при температуре в головной части колонны в пределах от 40 до 250°С.
- 11. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку низкотемпературной плазмой на стадии процесса а) проводят при абсолютном давлении от 1 до 1000 мбар.
- 12. Способ по п.1, отличающийся тем, что соединение кремния общей формулы (Ia) представляет собой гексахлордисилан и/или октахлортрисилан.
- 13. Способ по одному из пп.1-12, отличающийся тем, что соединение кремния формулы (Ia) характеризуется чистотой, лежащей по крайней мере в области долей на миллиард.
- 14. Устройство, в частности, для реализации по непрерывной схеме способа по пп.1-13, отличающееся тем, что в его состав входят реактор для генерирования низкотемпературной плазмы, соединенный с ним приемник и следующая далее система колонн для дистиллятивной переработки, включающая не менее двух колонн.
- 15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что реактор представляет собой озонизатор.
- 16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что реактор оборудован стеклянными трубами, в частности трубами из кварцевого стекла.
- 17. Устройство по одному из пп.14-16, отличающееся тем, что стеклянные трубы в реакторе отделены друг от друга с помощью креплений из инертного материала.
- 18. Устройство по п.17, отличающееся тем, что материалом разделяющих креплений является стекло или фторопласт.
- 19. Применение полученного по одному из пп.1-13 соединения кремния общей формулы (Ia) для получения нитрида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния, оксикарбида кремния или оксида кремния или в качестве исходного вещества для получения дисилана или трисилана.
- 20. Применение по п.19 для получения слоев из нитрида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния, оксикарбида кремния или оксида кремния.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007007874A DE102007007874A1 (de) | 2007-02-14 | 2007-02-14 | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
| DE102007007874.0 | 2007-02-14 | ||
| PCT/EP2007/064322 WO2008098640A2 (de) | 2007-02-14 | 2007-12-20 | Verfahren zur herstellung höherer silane |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009134060A true RU2009134060A (ru) | 2011-03-20 |
| RU2470859C2 RU2470859C2 (ru) | 2012-12-27 |
Family
ID=39628085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009134060/05A RU2470859C2 (ru) | 2007-02-14 | 2007-12-20 | Способ получения высших силанов |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8722913B2 (ru) |
| EP (1) | EP2121522B1 (ru) |
| JP (1) | JP5562040B2 (ru) |
| KR (1) | KR101468755B1 (ru) |
| CN (1) | CN101298457B (ru) |
| BR (1) | BRPI0721314A2 (ru) |
| CA (1) | CA2674545A1 (ru) |
| DE (1) | DE102007007874A1 (ru) |
| RU (1) | RU2470859C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008098640A2 (ru) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
| DE102006034061A1 (de) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha | Polysilanverarbeitung und Verwendung |
| DE102006043929B4 (de) * | 2006-09-14 | 2016-10-06 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen |
| DE102007007874A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
| DE102007013219A1 (de) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Plasmagestützte Synthese |
| DE102007014107A1 (de) | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
| CN101687892B (zh) * | 2007-03-30 | 2013-06-05 | 斯伯恩特私人有限公司 | 四卤化硅或有机卤硅烷的等离子体辅助的有机官能化 |
| DE102007048937A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen |
| DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
| DE102007050573A1 (de) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
| DE102007059170A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
| DE102008025261B4 (de) | 2008-05-27 | 2010-03-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102008002537A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
| DE102008047739A1 (de) * | 2008-09-17 | 2010-05-27 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Verfahren zur Herstellung von halogenierten Oligomeren und/oder halogenierten Polymeren von Elementen der III. bis V. Hauptgruppe |
| US9428618B2 (en) | 2008-09-17 | 2016-08-30 | Spawnt Private S.A.R.L. | Method for producing halogenated oligomers and/or halogenated polymers of elements of the third to fifth main group |
| KR101602006B1 (ko) * | 2009-03-30 | 2016-03-17 | 덴카 주식회사 | 헥사클로로디실란의 회수 방법 및 그 방법을 위한 플랜트 |
| DE102009002129A1 (de) | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Hartstoffbeschichtete Körper und Verfahren zur Herstellung hartstoffbeschichteter Körper |
| DE102009027194A1 (de) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Dodecahalogenneopentasilanen |
| DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
| DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
| DE102009056438B4 (de) * | 2009-12-02 | 2013-05-16 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan |
| DE102009056731A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
| DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
| DE102010041842A1 (de) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilanverbindungen |
| DE102010043648A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur selektiven Spaltung höherer Silane |
| DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
| DE102011078749A1 (de) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trisilylamin aus Monochlorsilan und Ammoniak |
| DE102011078942A1 (de) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane mit verbesserter Ausbeute |
| KR101404133B1 (ko) * | 2012-04-26 | 2014-06-13 | 한국기계연구원 | 실란 생성 장치, 실란 생성 방법 및 이를 이용한 규소 강판의 제조방법 |
| DE102013207443A1 (de) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polysilanen |
| DE102013207442A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silanen |
| DE102013207441A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan durch Spaltung von höheren Polychlorsilanen wie Octachlortrisilan |
| DE102013207447A1 (de) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan |
| DE102013207444A1 (de) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polychlorsilanen |
| DE102013016986A1 (de) | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Psc Polysilane Chemicals Gmbh | Elektronenstrahlverfahren zur Modifizierung von Halogensilangemischen |
| JP6194752B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2017-09-13 | ソニー株式会社 | 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド |
| DE102014203810A1 (de) * | 2014-03-03 | 2015-09-03 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung reiner Octachlortrisilane und Decachlortetrasilane |
| DE102014007766B4 (de) * | 2014-05-21 | 2025-10-16 | Christian Bauch | Verfahren zur plasmachemischen Herstellung halogenierter Oligosilane aus Tetrachlorsilan |
| DE102014007767B4 (de) | 2014-05-21 | 2025-08-28 | Christian Bauch | Verfahren zur Herstellung halogenierter Oligosilane aus Silicium und Tetrachlorsilan |
| JP6391389B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2018-09-19 | デンカ株式会社 | オクタクロロトリシランの製造方法並びに該方法により製造されるオクタクロロトリシラン |
| EP3088359B1 (de) | 2015-04-28 | 2018-09-12 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur herstellung von octachlortrisilan und höherer polychlorsilane unter verwertung von hexachlordisilan |
| EP3385223A1 (de) * | 2017-04-05 | 2018-10-10 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur abtrennung von brom, jod, brom und/oder jod enthaltenden verbindungen aus chlorsilanen |
| EP3409645B1 (de) * | 2017-06-01 | 2019-10-02 | Evonik Degussa GmbH | Triphenylgermylsilan und trichlorsilyl-trichlorgerman für die erzeugung von germanium-silizium-schichten sowie verfahren zu deren herstellung aus trichlorsilyl-triphenylgerman |
| US10752507B2 (en) * | 2018-10-11 | 2020-08-25 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes |
| EP3659964A1 (en) | 2018-11-28 | 2020-06-03 | Hysilabs, SAS | Catalysed process of production of hydrogen from silylated derivatives as hydrogen carrier compounds |
| CN113213439B (zh) * | 2021-05-08 | 2022-08-26 | 亚洲硅业(青海)股份有限公司 | 三甲硅烷基胺的制备方法及系统 |
| CN113912066A (zh) * | 2021-09-09 | 2022-01-11 | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 | 一种制备氯代硅烷的方法 |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE362493C (de) | 1919-04-11 | 1922-10-28 | Ignaz Daubner | Vorrichtung zum selbsttaetigen Aussichten der das Glaettwerk verlassenden Pappenbogen nach Dicke |
| DE1014971B (de) | 1953-12-11 | 1957-09-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Siliciumhexachlorid |
| DE1142848B (de) | 1958-06-25 | 1963-01-31 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumhexachlorid |
| US4295986A (en) * | 1979-05-14 | 1981-10-20 | Gordon Roy G | Low temperature catalytic reduction |
| US4568437A (en) | 1984-12-28 | 1986-02-04 | Rca Corporation | Method and apparatus for forming disilane |
| JPH0647727B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-06-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| DE3639202A1 (de) * | 1986-11-15 | 1988-05-19 | Degussa | Verfahren zur herstellung von disilan aus monosilan |
| DE3711444A1 (de) * | 1987-04-04 | 1988-10-13 | Huels Troisdorf | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan |
| JPS63277599A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 炭化珪素ウイスカ−の製造方法 |
| DE3828549A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-08 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen |
| EP0702017B1 (de) * | 1994-09-14 | 2001-11-14 | Degussa AG | Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen |
| DE19516386A1 (de) * | 1995-05-04 | 1996-11-07 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen |
| DE19520737C2 (de) * | 1995-06-07 | 2003-04-24 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen |
| DE19649023A1 (de) * | 1996-11-27 | 1998-05-28 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen |
| DE19746862A1 (de) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Huels Chemische Werke Ag | Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten |
| DE19847786A1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-04-20 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters |
| DE19849196A1 (de) * | 1998-10-26 | 2000-04-27 | Degussa | Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen |
| EP0999214B1 (de) * | 1998-11-06 | 2004-12-08 | Degussa AG | Verfahren zur Herstellung von chloridarmen oder chloridfreien Alkoxysilanen |
| JP2001168092A (ja) | 1999-01-08 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE19918115C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
| DE19918114C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
| DE19963433A1 (de) * | 1999-12-28 | 2001-07-12 | Degussa | Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen |
| DE10116007A1 (de) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen |
| US7540920B2 (en) | 2002-10-18 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Silicon-containing layer deposition with silicon compounds |
| DE10330022A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-20 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen |
| DE102004008442A1 (de) | 2004-02-19 | 2005-09-15 | Degussa Ag | Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips |
| DE102004025766A1 (de) * | 2004-05-26 | 2005-12-22 | Degussa Ag | Herstellung von Organosilanestern |
| DE102004037675A1 (de) | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid |
| DE102004045245B4 (de) | 2004-09-17 | 2007-11-15 | Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen |
| DE102005024041A1 (de) | 2005-05-25 | 2006-11-30 | City Solar Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Halogensilanen |
| DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
| DE102005046105B3 (de) | 2005-09-27 | 2007-04-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Monosilan |
| DE102006003464A1 (de) | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
| DE102007023759A1 (de) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur kontinuierlichen industriellen Herstellung von Fluoralkylchlorsilan |
| DE102007007874A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
| DE102007014107A1 (de) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
| DE102007048937A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen |
| DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
| DE102007050573A1 (de) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
| DE102007059170A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
| DE102008004397A1 (de) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
| DE102009027730A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
| DE102009027728A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Katalysator-Präkursoren |
| DE102009053804B3 (de) * | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
| DE102010002342A1 (de) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
| DE102011078942A1 (de) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane mit verbesserter Ausbeute |
-
2007
- 2007-02-14 DE DE102007007874A patent/DE102007007874A1/de not_active Withdrawn
- 2007-12-20 JP JP2009549784A patent/JP5562040B2/ja active Active
- 2007-12-20 KR KR1020097016879A patent/KR101468755B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-20 US US12/524,371 patent/US8722913B2/en active Active
- 2007-12-20 WO PCT/EP2007/064322 patent/WO2008098640A2/de not_active Ceased
- 2007-12-20 BR BRPI0721314-0A patent/BRPI0721314A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-12-20 EP EP07857943.0A patent/EP2121522B1/de not_active Not-in-force
- 2007-12-20 CA CA002674545A patent/CA2674545A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-20 RU RU2009134060/05A patent/RU2470859C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-02-13 CN CN200810092030.4A patent/CN101298457B/zh active Active
-
2014
- 2014-03-12 US US14/206,554 patent/US20140193321A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-05-29 US US14/725,131 patent/US9550163B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090115725A (ko) | 2009-11-05 |
| RU2470859C2 (ru) | 2012-12-27 |
| BRPI0721314A2 (pt) | 2014-03-25 |
| WO2008098640A2 (de) | 2008-08-21 |
| WO2008098640A3 (de) | 2009-04-23 |
| DE102007007874A1 (de) | 2008-08-21 |
| US20100080746A1 (en) | 2010-04-01 |
| US20150258522A1 (en) | 2015-09-17 |
| US9550163B2 (en) | 2017-01-24 |
| JP5562040B2 (ja) | 2014-07-30 |
| JP2010517922A (ja) | 2010-05-27 |
| KR101468755B1 (ko) | 2014-12-03 |
| US20140193321A1 (en) | 2014-07-10 |
| EP2121522B1 (de) | 2018-03-28 |
| CN101298457B (zh) | 2014-05-14 |
| CN101298457A (zh) | 2008-11-05 |
| CA2674545A1 (en) | 2008-08-21 |
| US8722913B2 (en) | 2014-05-13 |
| EP2121522A2 (de) | 2009-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2009134060A (ru) | Способ получения высших силанов | |
| TWI602780B (zh) | 受碳化合物污染的氯矽烷或氯矽烷混合物的後處理方法 | |
| CN102791630B (zh) | 三氯硅烷的制造方法 | |
| US20140212352A1 (en) | Integrated process for conversion of stc-containing and ocs-containing sidestreams into hydrogen-containing chlorosilanes | |
| WO2014125762A1 (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
| JP4659798B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
| RU2006134502A (ru) | Способ получения кремния | |
| KR101954490B1 (ko) | 옥타클로로트리실란과 같은 고급 폴리클로로실란의 분할에 의한 헥사클로로디실란의 제조 방법 | |
| WO2008059706A1 (en) | Process for production of multicrystal silicon and facility for production of multicrystal silicon | |
| JP4659797B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| JP6586405B2 (ja) | トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法 | |
| WO2011024257A1 (ja) | アミン化合物によるクロロシラン類の精製 | |
| KR102618387B1 (ko) | 할로실란 함유 조성물내 보론 화합물의 함량을 감소시키는 방법 | |
| JP7028604B2 (ja) | ヘキサクロロジシランの製造方法 | |
| RU2341457C1 (ru) | Способ выделения высокочистого трихлорсилана из реакционной смеси метилхлорсиланов | |
| KR100795693B1 (ko) | 모노실란의 정제방법 | |
| CN101495408A (zh) | 多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201221 |