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DE102007050199A1 - Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen - Google Patents

Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen Download PDF

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DE102007050199A1
DE102007050199A1 DE102007050199A DE102007050199A DE102007050199A1 DE 102007050199 A1 DE102007050199 A1 DE 102007050199A1 DE 102007050199 A DE102007050199 A DE 102007050199A DE 102007050199 A DE102007050199 A DE 102007050199A DE 102007050199 A1 DE102007050199 A1 DE 102007050199A1
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inorganic
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Withdrawn
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DE102007050199A
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English (en)
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Hartwig Dr. Rauleder
Ekkehard Dr. Müh
Jaroslaw Dr. Monkiewicz
Hans Jürgen Dr. Höne
Raymund Dr. Sonnenschein
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Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Evonik Degussa GmbH
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Publication date
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, wobei die Zusammensetzung mit mindestens einem Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht wird und Gewinnen der Zusammensetzung, in der der Gehalt an Fremdmetall und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist sowie eine entsprechende Zusammensetzung mit einem reduzierten Fremdmetallgehalt, als auch die Verwendung von organischen Harzen, Aktivkohlen, Silikaten und/oder Zeolithen zur Reduzierung von Fremdmetallen und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen in Zusammensetzungen anorganischer Silane.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, wobei die Zusammensetzung mit mindestens einem Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht wird und Gewinnen der Zusammensetzung, in der der Gehalt an Fremdmetall und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist sowie eine entsprechende Zusammensetzung mit einem reduzierten Fremdmetallgehalt, als auch die Verwendung von organischen Harzen, Aktivkohlen, Silikaten und/oder Zeolithen zur Reduzierung von Fremdmetallen und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen in Zusammensetzungen anorganischer Silane.
  • Siliciumverbindungen, die in der Mikroelektronik zum Einsatz kommen, wie beispielsweise zur Herstellung von hochreinem Silicium mittels Epitaxie oder Siliciumnitrid (SiN), Siliciumoxid (SiO), Siliciumoxinitrid (SiON), Siliciumoxicarbid (SiOC) oder Siliciumcarbid (SiC), müssen besonders hohe Anforderungen an Ihre Reinheit erfüllen. Dies gilt insbesondere bei der Herstellung dünner Schichten dieser Materialien. In der Chip-Herstellung führt eine Kontamination der Siliciumverbindungen mit metallischen Verunreinigungen zu einer unerwünschten Dotierung der epitaktischen Schichten, z. B. epitaktische Siliciumschichten.
  • Beispielsweise wird Siliciumtetrachlorid (SiCl4) unter anderem zur Herstellung von Lichtwellenleitern verwendet. Für diese Anwendungen wird SiCl4 in sehr hoher Reinheit benötigt. Insbesondere sind dabei metallische und/oder auf Metallen basierende Verunreinigungen von maßgeblichem Nachteil, selbst wenn sie nur im Bereich der Nachweisgrenze oder in Mengen von wenigen μg/kg (= ppb) enthalten sind. Metallische Verunreinigungen in Halogensilanen beeinflussen das Dämpfungsverhalten von Lichtwellenleitern negativ, indem sie die Dämpfungswerte erhöhen und damit die Signalübertragung reduzieren.
  • Zudem ist hochreines HSiCl3 ein wichtiger Einsatzstoff bei der Herstellung von Solarsilicium. Allgemein sind Halogensilane und/oder Hydrogenhalogensilane hoher Reinheit, im Bereich der Elektronik, der Halbleiterindustrie als auch in der Pharmazeutischen Industrie begehrte Ausgangsverbindungen.
  • Bedingt durch den Herstellprozess von beispielsweise Tetrachlorsilan aus Silicium werden die im Silicium vorliegenden Verunreinigungen meist ebenfalls chloriert und teilweise mit in die nachfolgenden Syntheseschritte verschleppt. Insbesondere diese chlorierten metallischen Verunreinigungen wirken sich nachteilig bei der Herstellung von Bauteilen im Bereich der Elektronik aus.
  • Aus der EP 0 684 245 A2 ist bekannt den Gehalt an Kohlenwasserstoffen in Halogensilanen durch Adsorption dieser an einem Adsorbens zu verringern.
  • Der vorliegenden Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Reduktion des Fremdmetallgehaltes und/oder des Gehaltes einer Fremdmetall enthaltenden Verbindung in anorganischen Silanen bereitzustellen. Zudem sollte das Verfahren kostengünstig und einfach handhabbar sein. Ferner bestand die Aufgabe anorganische Silane mit geringstem Fremdmetallgehalt und/oder geringstem Gehalt an Fremdmetall enthaltenden Verbindungen bereitzustellen.
  • Gelöst werden die Aufgaben entsprechend den Angaben in den Patentansprüchen.
  • Überraschend wurde gefunden, dass durch Behandlung einer Zusammensetzung, umfassend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, durch in Kontaktbringen mit mindestens einem Adsorptionsmittel, insbesondere einem trockenen Adsorptionsmittel, und Gewinnen der Zusammensetzung, der Gehalt des Fremdmetalls und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung deutlich vermindert wird.
  • Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, wobei die Zusammensetzung mit mindestens einem Adsorptionsmittel, insbesondere einem trockenen Adsorptionsmittel, in Kontakt gebracht wird und eine Zusammensetzung gewonnen wird, deren Gehalt an Fremdmetall und/oder mindestens einer Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist. Dabei ist es von besonderem Vorteil, dass der Fremdmetallgehalt und/oder der Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung, – in der Regel handelt es sich um einen Restgehalt an Fremdmetall oder Fremdmetall enthaltender Verbindung, der sich destillativ schlecht bzw. nicht weiter abtrennen lässt – insbesondere unabhängig voneinander, jeweils auf einen Gehalt im Bereich von unter 100 μg/kg, insbesondere unter 25 μg/kg, bevorzugt unter 15 μg/kg, besonders bevorzugt unter 10 μg/kg reduziert werden kann.
  • Die Bestimmung der Fremdmetalle oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindungen kann in der Regel durch quantitative Analysemethoden, wie sie dem Fachmann an sich bekannt sind, erfolgen, beispielsweise mittels Atomabsorptionsspektroskopie (AAS) oder Photometrie, insbesondere durch Induktiv-gekoppelte-Plasma-Massenspektrometrie (ICP-MS) sowie Induktiv-gekoppelte-Plasma-optische Emissions-Spektrometrie (ICP-OES) – um nur einige Möglichkeiten zu nennen.
  • Als anorganische Silane werden insbesondere Halogensilane, Hydrogenhalogensilane, mit mindestens einem organischen Rest substituierte Halogensilane und/oder mit mindestens einem organischen Rest substituierte Hydrogenhalogensilane, als auch Mischungen dieser Silane verstanden. Gemäß einer Ausführungsform können auch reine Hydrogensilane umfasst sein. In den Halogen enthaltenden anorganischen Silanen kann jedes Halogen unabhängig von weiteren Halogenatomen ausgewählt sein aus der Gruppe Fluor, Chlor, Brom oder Jod, so dass beispielsweise auch gemischte Halogensilane wie SiBrCl2F oder SiBr2ClF enthalten sein können.
  • Zu den anorganischen Silanen zählen bevorzugt die chlorsubstiuierten, vorwiegend monomeren Silane, wie beispielsweise Tetrachlorsilan, Trichlorsilan, Dichlorsilan, Monochlorsilan, Methyltrichlorsilan, Trichlormethylsilan, Trimethylchlorsilan, Dimethyldichlorsilan, Phenylmethyldichlorsilan, Phenyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, Dihydrogendichlorsilan. Aber auch die monomeren Silane, wie Tetramethylsilan, Trimethylsilan, Dimethylsilan, Methylsilan, Monosilan oder Organohydrogensilane oder auch Disilan, Trisilan, Tetrasilan und/oder Pentasilan sowie höhere homologe Silane können gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren in ihrem Fremdmetallgehalt vermindert werden. Neben diesen bevorzugten, vorwiegend monomeren Verbindungen können aber auch weitere dimere Verbindungen, wie Hexachlordisilan, oligomere Verbindungen, wie Octachlortrisilan, Decachlortetrasilan, und höhere homologe Halogenpolysilane sowie gemischt hydriert halogenierte Polysilane, wie z. B. Pentachlorhydrogendisilan oder Tetrachlordihydrogendisilan, sowie Mischungen dieser mit monomeren, linearen, verzweigten und/oder cyclischen oligomeren und/oder polymeren anorganischen Silanen entsprechend in ihrem Fremdmetallgehalt reduziert werden. Zu den cyclischen oligomeren Verbindungen zählen Verbindungen des Typs SinX2n, mit n > 3, wie Si5Cl10, und zu den polymeren anorganischen Verbindungen beispielsweise Halogenpolysilane, d. h. Polysiliciumhalogenide SinX2n+2 mit n ≥ 5 und/oder Polysiliciumhydrogenhalogenide SinHaX[(2n+2)-a] mit n ≥ 2 und 0 ≤ a ≤ (2n + 2), wobei X jeweils für ein Halogen steht, wie F, Cl, Br, J, insbesondere Cl.
  • Als Fremdmetalle und/oder Fremdmetall enthaltende Verbindungen werden jene angesehen, bei denen das Metall nicht Silicium entspricht. Die Adsorption des mindestens einen Fremdmetalls und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindung erfolgt insbesondere selektiv aus der anorganische Silane enthaltenden Zusammensetzung, dabei kann die Adsorption sowohl in Lösung als auch in der Gasphase erfolgen. Als Fremdmetalle oder Fremdmetall enthaltende Verbindungen werden auch Halbmetalle oder Halbmetalle enthaltende Verbindungen verstanden, wie beispielsweise Bor und Bortrichlorid.
  • Insbesondere handelt es sich bei den zu vermindernden Fremdmetallen und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen um Metallhalogenide, Metallhydrogenhalogenide und/oder Metallhydride sowie Mischungen dieser Verbindungen. Aber auch die mit organischen Resten, wie Alkyl- oder Aryl-Gruppen, funktionalisierten Metallhalogenide, Metallhydrogenhalogenide oder Metallhydride können mit sehr guten Ergebnissen aus anorganischen Silanen entfernt werden. Beispiele dafür können Aluminiumtrichlorid oder auch Eisen-(III)-chlorid sowie auch mitgeschleppte partikuläre Metalle sein, die aus kontinuierlich ablaufenden Prozessen stammen können.
  • Bevorzugt können die Gehalte an Bor, Aluminium, Kalium, Lithium, Natrium, Magnesium, Calcium und/oder Eisen reduziert werden, insbesondere werden auf diesen Metallen basierende Verbindungen abgetrennt.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders für die Abtrennung bzw. Reduzierung von Fremdmetall enthaltenden Verbindungen deren Siedepunkt im Bereich des Siedepunktes eines anorganischen Silans liegt oder mit diesem als Azeotrop übergehen würden. Diese Fremdmetall enthaltenden Verbindungen können teilweise nur schwer destillativ oder überhaupt nicht abgetrennt werden. Als Siedepunkt, der im Bereich des Siedepunktes einer anorganischen Silanverbindung liegt, wird ein Siedepunkt angesehen, der im Bereich von ± 20°C des Siedepunktes eines der anorganischen Silane bei Normaldruck (etwa 1013,25 hPa oder 1013,25 mbar) liegt.
  • Im Allgemeinen kann das Fremdmetall und/oder die Fremdmetall enthaltende Verbindung um 50 bis 99 Gew.-% vermindert werden. Bevorzugt wird der Fremdmetallgehalt um 70 bis 99 Gew.-%, besonders bevorzugt um 85 bis 99 Gew.-% vermindert. Für Eisen enthaltende Zusammensetzungen ermöglicht das Verfahren eine Reduktion des Restgehaltes um 95 bis 99 Gew.-%. Im Allgemeinen kann beispielsweise der Aluminiumgehalt einer Zusammensetzung von anorganischen Silanen um 50 bis 99 Gew.-%, bevorzugt 85 bis 99 Gew.-% und der Borgehalt um wenigstens 70 Gew.-%, bevorzugt um 95 bis 99,5 Gew.-% reduziert werden.
  • Der Fremdmetallgehalt und/oder der Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung in einer Zusammensetzung kann bevorzugt in Bezug auf die metallische Verbindung, insbesondere unabhängig voneinander, jeweils auf einen Gehalt im Bereich von unter 100 μg/kg, insbesondere von unter 25 μg/kg, bevorzugt unter 15 μg/kg, besonders bevorzugt 0,1 bis 10 μg/kg bis hin zur jeweiligen Nachweisgrenze reduziert werden.
  • Zur Durchführung des Verfahrens können zweckmäßig sowohl anorganische als auch organische Adsorptionsmittel (synonym zu Adsorbentien) verwendet werden, die zudem hydrophil und/oder hydrophob sein können. Je nachdem, welche Fremdmetalle oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen abzutrennen sind kann es zweckmäßig sein, dass ein Gemisch aus hydrophilen und hydrophoben Adsorptionsmitteln oder auch ein Adsorptionsmittel, das beide Funktionen aufweist eingesetzt wird. Ausgewählt sein können die Adsorptionsmittel aus der Gruppe der organischen Harze, Aktivkohlen, Silikate, insbesondere aus Silicagelen bzw. Kieselgelen, und/oder Zeolithe. Bevorzugte Adsorptionsmittel sind AmberliteTM XAD-4 Harz von Röhm Haas, Aktivkohle, insbesondere Norit Aktivkohle, Montmorillonite, insbesondere Montmorillonit K 10, Zeolithe, wie Wessalith F 20, als auch Kieselgele, wie pyrogene Kieselsäure oder Fällungskieselsäure, insbesondere Silica Gel Grace Type 432 (extrudiert bei 550°C) oder Aerosil® 200.
  • Im Allgemeinen wird die erfindungsgemäße Behandlung von anorganischen Silanen enthaltenden Zusammensetzungen derart durchgeführt, dass zunächst das Adsorptionsmittel sorgfältig getrocknet wird, um eine Hydrolyse der aufzureinigenden Silane zu unterbinden. Anschließend wird das getrocknete Adsorptionsmittel unter Schutzgasatmosphäre mit der Zusammensetzung in Kontakt gebracht, gegebenenfalls wird gerührt. Geeigneterweise erfolgt die Behandlung bei Raumtemperatur und Normaldruck über mehre Stunden. Üblicherweise wird die Zusammensetzung zwischen 1 Minute bis zu 10 Stunden, in der Regel bis zu 5 Stunden mit dem Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht. Die Gewinnung oder Abtrennung der gereinigten Zusammensetzung erfolgt in der Regel durch Filtration, Zentrifugieren oder Sedimentation. Die Verfahrensführung kann je nach Bedarf diskontinuierlich oder kontinuierlich erfolgen. Die erhaltene Zusammensetzung, basierend auf anorganischen Silanen, weist einen, um 50 bis 99 Gew.-%, reduzierten Fremdmetallgehalt und/oder Gehalt an Fremdmetall enthaltender Verbindung auf.
  • Gegenstand der Erfindung ist ebenso ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, gemäß dem oben beschriebenen Verfahren, wobei mindestens ein anorganisches Silan der allgemeinen Formel I entspricht, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I) wobei 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12 und jedes X im Silan voneinander unabhängig einem Halogen, ausgewählt aus der Gruppe Fluor, Chlor, Brom oder Jod, und jede Gruppe R im Silan voneinander unabhängig einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entsprechen. Wobei als eine Aryl-Gruppe auch alkylsubstituierte Aryle, mit linearen, verzweigten oder cyclischen Alkyl-Gruppen mit 1 bis 8 C-Atomen, verstanden werden. Besonders bevorzugt entspricht mindestens ein Silan der allgemeinen Formel I mit n = 1, X = Chlor, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 und a + b ≤ 3 und R einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe.
  • Zu den besonders bevorzugten anorganischen Silanen zählen die chlorsubstiuierten monomeren Silane mit n = 1 und X = Cl, wie beispielsweise Tetrachlorsilan, Trichlorsilan, Trichlormethylsilan, Trimethylchlorsilan, Dimethyldichlorsilan, Phenylmethyldichlorsilan, Phenyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, Dihydrogendichlorsilan, Dichlorsilan, Monochlorsilan, Methyltrichlorsilan.
  • Bevorzugt geignet ist das Verfahren auch zur Behandlung von Zusammensetzungen die Verbindungen des Typs der allgemeinen Formel I enthalten, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I)wobei n = 1, a = 4 oder 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 und a + b ≤ 3 ist, oder dimeren Verbindungen mit n = 2, 0 ≤ a ≤ 4, 0 ≤ b ≤ 4 und, wobei jedes X im Silan voneinander unabhängig einem Halogen, ausgewählt aus der Gruppe Fluor, Chlor, Brom oder Jod, und jede Gruppe R im Silan voneinander unabhängig einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entsprechen. Wobei als eine Aryl-Gruppe auch alkylsubstituierte Aryle, mit linearen, verzweigten oder cyclischen Alkyl-Gruppen mit 1 bis 8 C-Atomen, verstanden werden. In trimeren linearen Verbindungen entspricht n = 3, 0 ≤ a ≤ 8, 0 ≤ b ≤ 8, wobei das Substitutionsmuster von X und R wie vorstehend aufgeführt sein kann. Entsprechend ist das Substitutionsmuster in tetrameren Verbindungen n = 4, 0 ≤ a ≤ 10, 0 ≤ b ≤ 10 und in pentameren linearen Verbindungen n = 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12, wobei das Substitutionsmuster von X und R wie vorstehend aufgeführt sein kann, wobei die halogensubstituierten Verbindungen bevorzugt sind.
  • Der Fremdmetallgehalt und/oder der Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung dieser Zusammensetzung kann bevorzugt in Bezug auf die metallische Verbindung, insbesondere unabhängig voneinander, jeweils auf einen Gehalt im Bereich von unter 100 μg/kg, insbesondere von unter 25 μg/kg, bevorzugt unter 15 μg/kg, besonders bevorzugt unter 10 μg/kg reduziert werden.
  • Zur Durchführung des Verfahrens können die bereit genannten sowohl anorganischen als auch organischen hydrophilen und/oder hydrophoben Adsorptionsmittel verwendet werden.
  • Ferner betrifft die Erfindung eine Zusammensetzung enthaltend mindestens ein anorganisches Silan der allgemeinen Formel I, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I)wobei 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12 und jedes X im Silan voneinander unabhängig einem Halogen und jede Gruppe R im Silan voneinander unabhängig einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entsprechen, wobei der Fremdmetallgehalt und/oder der Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung, insbesondere unabhängig voneinander, jeweils unter 100 μg/kg, insbesondere unter 25 μg/kg, bevorzugt unter 15 μg/kg, besonders bevorzugt unter 10 μg/kg, liegt. Als Fremdmetalle gelten insbesondere Bor, Aluminium, Eisen, Calcium, Magnesium, Kalium und/oder Lithium. Besonders bevorzugte Zusammensetzungen enthalten mindestens ein anorganisches Silan mit n = 1, X = Chlor, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 und a + b ≤ 3, wobei R, insbesondere unabhängig voneinander, einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entspricht.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch die Verwendung eines organischen Harzes, von Aktivkohle, eines Silikates, insbesondere eines Silicagels, und/oder eines Zeoliths zur Reduzierung des Gehaltes mindestens eines Fremdmetalls und/oder mindestens einer Fremdmetall enthaltenden Verbindung aus Zusammensetzungen enthaltend anorganische Silane der allgemeinen Formel I, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I)wobei 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12 und jedes X im Silan voneinander unabhängig einem Halogen und jede Gruppe R im Silan voneinander unabhängig einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entsprechen. Bevorzugt enthält die Zusammensetzung ein anorganisches Silan ausgewählt aus den Verbindungen der allgemeinen Formel I mit n = 1, X = Chlor, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 und a + b ≤ 3, wobei R unanhängig voneinander einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entspricht.
  • Die Erfindung wird durch die nachfolgenden Beispiele näher erläutert.
  • Beispiele
  • Beispiel 1.1
  • Vorbehandlung des Adsorptionsmittels
  • Die Adsorptionsmittel werden vor der Verwendung in dem Verfahren sorgfältig getrocknet, um eine Hydrolyse der aufzureinigenden Silane zu verhindern.
  • Beispiel 1.2
  • Allgemeine Verfahrensvorschrift zur Behandlung des mit Fremdmetallen und/oder metallischen Verbindungen kontaminierten Silans
  • Eine definierte Menge an Adsorptionsmittel wird in eine 500 ml Rührapparatur, umfassend einen Glasvierhalskolben mit Kühler (Wasser, Trockeneis), Tropftrichter, Rührer, Thermometer und Stickstoffanschluss, vorgelegt und unter Vakuum (< 1 mbar) und etwa 170°C über 5 Stunden getrocknet, nachfolgend wird mit trockenem Stickstoff langsam belüftet und abgekühlt. Anschließend erfolgt die Zugabe von 250 ml des zu reinigenden Silans über den Tropftrichter. Über einen Zeitraum von 5 Stunden wird der Adsorptionsvorgang unter Normaldruck bei Raumtemperatur unter Schutzgasatmosphäre durchgeführt. Abgetrennt wird das Adsorptionsmittel vom Silan, indem es über eine Fritte (Por. 4) in einen evakuierten 500 ml Glaskolben mit Ablaßvorrichtung gezogen wird. Nachfolgend wird der Glaskolben mit Stickstoff belüftet und in eine mit Stickstoff gespülte Schottglasflasche abgelassen.
  • Beispiel 1.3
  • Das folgende Beispiel wurde gemäß der allgemeinen Verfahrensvorschrift mit den hier angegebenen Mengen durchgeführt.
  • 119,97 g AmberliteTM XAD 4 wurden gemäß der allgemeinen Vorschrift, wie unter Beispiel 1.2 beschrieben, vorbehandelt und 250 ml Trichlorsilan zugegeben. Die Metallgehalte vor und nach der Behandlung wurden mittels ICP-MS bestimmt. Tabelle 1.3 Fremdmetallgehalte vor und nach der Behandlung:
    Metall Gehalt vor Behandlung Gehalt nach Behandlung
    Aluminium 130 μg/kg 18 μg/kg
    Bor 1100 μg/kg < 10 μg/kg
    Eisen 130 μg/kg 6,0 μg/kg
  • Beispiel 1.4
  • Das folgende Beispiel wurde gemäß der allgemeinen Verfahrensvorschrift mit den hier angegebenen Mengen durchgeführt.
  • 40,01 g Montmorillonit K 10 wurden, wie in der allgemeinen Vorschrift unter Beispiel 1.2 beschrieben, vorbehandelt und 250 ml Trichlorsilan zugegeben. Die Metallgehalte vor und nach der Behandlung wurden mittels ICP-MS bestimmt. Tabelle 1.4 Fremdmetallgehalte vor und nach der Behandlung:
    Metall Gehalt vor Behandlung Gehalt nach Behandlung
    Aluminium 130 μg/kg < 0,7 μg/kg
    Bor 1100 μg/kg < 10 μg/kg
    Eisen 130 μg/kg 3,3 μg/kg
  • Beispiel 1.5
  • Das folgende Beispiel wurde gemäß der allgemeinen Verfahrensvorschrift mit den hier angegebenen Mengen durchgeführt.
  • 20,17 g Wessalith F 20 wurden, wie in der allgemeinen Vorschrift unter Beispiel 1.2 beschrieben, vorbehandelt und 250 ml Trichlorsilan zugegeben. Die Metallgehalte vor und nach der Behandlung wurden mittels ICP-MS bestimmt. Tabelle 1.5 Fremdmetallgehalte vor und nach der Behandlung:
    Metall Gehalt vor Behandlung Gehalt nach Behandlung
    Aluminium 130 μg/kg 66 μg/kg
    Bor 1100 μg/kg < 10 μg/kg
    Eisen 130 μg/kg 4,0 μg/kg
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 0684245 A2 [0006]

Claims (20)

  1. Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung mit mindestens einem Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht wird und Gewinnen der Zusammensetzung, in der der Gehalt an Fremdmetall und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Silane ausgewählt sind aus Halogensilanen, Hydrogenhalogensilanen, Organohydrogensilanen, Hydrogensilanen aus mit mindestens einem organischen Rest substituierten Halogensilanen und/oder aus mit mindestens einem organischen Rest substituierten Hydrogenhalogensilanen und/oder Mischungen dieser Silane.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Halogen Chlor ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Silane monomer, dimer, oligomer und/oder polymer vorliegen.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Fremdmetall enthaltende Verbindung ausgewählt ist aus Metallhalogeniden, Metallhydriden, mit organischen Resten substituierten Metallhalogeniden und/oder mit organischen Resten substituierten Metallhydriden.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Siedepunkt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung im Bereich von 20°C des Siedepunktes eines anorganischen Silans bei Normaldruck liegt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Fremdmetall und/oder die Fremdmetall enthaltende Verbindung Bor, Aluminium, Natrium, Kalium, Lithium, Magnesium, Calcium und/oder Eisen umfasst.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Gehalt des Fremdmetalls und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung um 50 bis 99 Gew.-% vermindert wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Fremdmetallgehalt und/oder der Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung jeweils auf unter 100 μg/kg reduziert wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Adsorptionsmittel hydrophil und/oder hydrophob ist.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Adsorptionsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe der organischen Harze, Aktivkohlen, Silikate und/oder Zeolithe.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren diskontinuierlich oder kontinuierlich betrieben wird.
  13. Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein anorganisches Silan der allgemeinen Formel I entspricht, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I)wobei 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12 und jedes X im Silan voneinander unabhängig einem Halogen und jede Gruppe R im Silan voneinander unabhängig einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entsprechen.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das anorganische Silan mit n = 1, X = Chlor, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 und a + b ≤ 3 der allgemeinen Formel I genügt, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I)und R einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entspricht.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Silan Monosilan, Monochlorsilan, Dichlorsilan, Trichlorsilan, Tetrachlorsilan, Methyltrichlorsilan, Dimethyldichlorsilan und/oder Trimethylchlorsilan ist.
  16. Zusammensetzung enthaltend mindestens ein anorganisches Silan der allgemeinen Formel I, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I) wobei 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12 und jedes X im Silan voneinander unabhängig einem Halogen und jede Gruppe R im Silan voneinander unabhängig einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entsprechen, dadurch gekennzeichnet, dass der Fremdmetallgehalt und/oder der Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung jeweils unter 100 μg/kg liegt.
  17. Zusammensetzung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das anorganische Silan mit n = 1, X = Chlor, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 und a + b ≤ 3 der allgemeinen Formel I genügt, SinHaRbX((2n+2)-a-b) (I)und R einer linearen, verzweigten und/oder cyclischen Alkyl-Gruppe mit 1 bis 16 C-Atomen oder einer Aryl-Gruppe entspricht.
  18. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Fremdmetallgehalt und/oder Gehalt der Fremdmetall enthaltenden Verbindung jeweils unter 25 μg/kg liegt.
  19. Verwendung eines organischen Harzes, einer Aktivkohle, eines Silikats und/oder eines Zeolithes zur Reduzierung des Gehaltes mindestens eines Fremdmetalls und/oder mindestens einer Fremdmetall enthaltenden Verbindung aus Zusammensetzungen enthaltend anorganische Silane.
  20. Verwendung nach Anspruch 19, zur Reduzierung des Gehaltes mindestens eines Fremdmetalls und/oder mindestens einer Fremdmetall enthaltenden Verbindung aus Zusammensetzungen enthaltend anorganische Silane nach einem der Ansprüche 16 bis 18.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011006697A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und verwendung von aminofunktionellen harzen zur dismutierung von halogensilanen und zur entfernung von fremdmetallen
WO2011006695A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von fremdmetallen aus anorganischen silanen
CN105531229A (zh) * 2013-10-23 2016-04-27 信越化学工业株式会社 多晶硅的制造方法
US10457559B2 (en) 2014-09-08 2019-10-29 Psc Polysilane Chemicals Gmbh Method for purifying halogenated oligosilanes
WO2021034526A1 (en) * 2019-08-22 2021-02-25 Dow Silicones Corporation Process for purifiying silicon compounds

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004045245B4 (de) * 2004-09-17 2007-11-15 Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE102005041137A1 (de) 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102005046105B3 (de) * 2005-09-27 2007-04-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Monosilan
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007007874A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007059170A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Evonik Degussa Gmbh Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
JP5206185B2 (ja) * 2008-07-14 2013-06-12 東亞合成株式会社 高純度クロロポリシランの製造方法
DE102008054537A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration
SG178848A1 (en) * 2009-08-27 2012-04-27 Denki Kagaku Kogyo Kk Method for purifying chlorosilane
DE102009053804B3 (de) 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
DE102010002342A1 (de) 2010-02-25 2011-08-25 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren
CN101913610B (zh) * 2010-09-21 2012-07-25 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 去除三氯氢硅中硼杂质的方法
DE102011004058A1 (de) 2011-02-14 2012-08-16 Evonik Degussa Gmbh Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
WO2012167126A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Purdue Research Foundation Ion generation using modified wetted porous materials
CN102701217A (zh) * 2012-06-19 2012-10-03 中国恩菲工程技术有限公司 一种二氯二氢硅除杂设备
CN102701216B (zh) * 2012-06-19 2015-06-03 中国恩菲工程技术有限公司 一种二氯二氢硅除杂方法
CN103553058B (zh) * 2013-11-11 2015-07-22 新特能源股份有限公司 一种高纯精制三氯氢硅的生产工艺
DE102014203810A1 (de) * 2014-03-03 2015-09-03 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung reiner Octachlortrisilane und Decachlortetrasilane
RU2605126C1 (ru) * 2014-06-05 2016-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВПО ВГУ) Способ получения гидрофобизированного клиноптилолитового туфа
DE102014220539A1 (de) 2014-10-09 2016-04-14 Wacker Chemie Ag Reinigung von Chlorsilanen mittels Destillation und Adsorption
US9786478B2 (en) 2014-12-05 2017-10-10 Purdue Research Foundation Zero voltage mass spectrometry probes and systems
JP6948266B2 (ja) 2015-02-06 2021-10-13 パーデュー・リサーチ・ファウンデーションPurdue Research Foundation プローブ、システム、カートリッジ、およびその使用方法
DE102016206090A1 (de) 2016-04-12 2017-10-12 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Abtrennung von Aluminiumchlorid aus Silanen
CN109553636B (zh) * 2017-09-27 2021-03-09 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种有机硅氧烷混合环体除杂的方法
CN109179426A (zh) * 2018-11-19 2019-01-11 天津科技大学 一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法
EP3659964A1 (de) 2018-11-28 2020-06-03 Hysilabs, SAS Katalysiertes verfahren zur herstellung von wasserstoff aus silylierten derivaten als wasserstoffträgerverbindungen
CN109575065B (zh) * 2018-12-25 2023-05-16 金宏气体股份有限公司 一种高纯正硅酸乙酯的生产方法及生产系统
CN114247180B (zh) * 2021-12-24 2023-07-04 亚洲硅业(青海)股份有限公司 一种含氧基团的活性炭在去除四氯化硅中的杂质的应用
CN116459788B (zh) * 2022-01-11 2024-09-17 烟台万华电子材料有限公司 一种乙硅烷提纯剂及其制备方法和应用
CN116924415B (zh) * 2023-06-26 2024-10-25 中化学华陆新材料有限公司 一种超高纯度石英砂的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0684245A2 (de) 1994-05-23 1995-11-29 Dow Corning Corporation Verfahren zur Reinigung von Halosilane

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2877097A (en) * 1958-05-06 1959-03-10 Guenter A Wolff Method of purification of silicon compounds
DE2546957C3 (de) * 1975-10-20 1980-10-23 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Reinigung von Halogensilanen
IT1088820B (it) * 1977-12-05 1985-06-10 Smiel Spa Processo di purificazione di clorosilani impiegabili nella preparazione di silicio per elettronica
US4713230A (en) * 1982-09-29 1987-12-15 Dow Corning Corporation Purification of chlorosilanes
JPH0688772B2 (ja) * 1985-02-27 1994-11-09 昭和電工株式会社 ジクロロシランの精製法
US4786493A (en) * 1985-11-22 1988-11-22 Estee Lauder Inc. Hair protection composition
DE3711444A1 (de) * 1987-04-04 1988-10-13 Huels Troisdorf Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan
DE3744211C1 (de) * 1987-12-24 1989-04-13 Huels Troisdorf Verfahren zur Herstellung von Cyanopropylalkoxysilanen und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE3828549A1 (de) * 1988-08-23 1990-03-08 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen
JP2570409B2 (ja) * 1988-12-06 1997-01-08 三菱マテリアル株式会社 クロロポリシランの精製方法
DE3908791A1 (de) * 1989-03-17 1990-09-20 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur herstellung von siliciumorganischen verbindungen
DE4021869A1 (de) * 1990-07-09 1992-01-16 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur verhinderung von verfaerbungen in vinylacetoxysilanen
US5208359A (en) * 1990-07-09 1993-05-04 Huels Aktiengesellschaft Process for the preparation of di-tert.butoxydiacetoxysilane
DE4025866A1 (de) * 1990-08-16 1992-02-20 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur herstellung von mercaptosilanen
EP0702017B1 (de) * 1994-09-14 2001-11-14 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen
DE4434200C2 (de) * 1994-09-24 2002-06-27 Degussa Verfahren zur Herstellung von 3-Acryloxypropylalkoxysilanen
DE4435390C2 (de) * 1994-10-04 2001-07-26 Degussa Verfahren zur Herstellung von Aminopropylalkoxysilanen in Gegenwart von geformten polymeren Rhodiumkomplex-Katalysatoren und deren Verwendung
DE4438032C2 (de) * 1994-10-25 2001-09-27 Degussa Verfahren zur Herstellung von Hydrogenalkoxysilanen
CA2161181A1 (en) * 1994-10-25 1996-04-26 Frank Kropfgans Process for the preparation of 3-halo- and -pseudohaloalkylsilane esters
DE19516386A1 (de) * 1995-05-04 1996-11-07 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen
DE19520737C2 (de) * 1995-06-07 2003-04-24 Degussa Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen
US6168652B1 (en) * 1995-10-23 2001-01-02 Dow Corning Corporation Process for purifying halosilanes
DE19632157A1 (de) * 1996-08-09 1998-02-12 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von 3-Halogen-Propyl-Organosilanen
JP3965734B2 (ja) * 1997-09-11 2007-08-29 株式会社ニコン 石英ガラスおよびその製造方法
DE19644561C2 (de) * 1996-10-26 2003-10-16 Degussa Verfahren zur Herstellung von Fluoralkyl-Gruppen tragenden Silicium-organischen Verbindungen
DE19649023A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen
DE19649028A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Carbonoyloxysilanen
DE19649027A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von Organocarbonoyloxysilanen
TW436500B (en) * 1997-06-17 2001-05-28 Huels Chemische Werke Ag N-[ω-(methyl),ω-(silyl)]alkyl-N-organocarboxamides, oligomeric and polycondensed Si-containing compounds thereof, processes for their preparation, and their use
DE19746862A1 (de) * 1997-10-23 1999-04-29 Huels Chemische Werke Ag Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten
DE19805083A1 (de) * 1998-02-09 1999-08-12 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von 3-Glycidyloxypropyltrialkoxysilanen
DE19821156B4 (de) * 1998-05-12 2006-04-06 Degussa Ag Verfahren zur Minderung von Resthalogengehalten und Farbzahlverbesserung in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen und die Verwendung von Aktivkohle dazu
DE19837010A1 (de) * 1998-08-14 2000-02-17 Degussa Verfahren zur Herstellung von Acetoxysilanen
DE19847786A1 (de) * 1998-10-16 2000-04-20 Degussa Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters
DE19849196A1 (de) * 1998-10-26 2000-04-27 Degussa Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen
EP0999215B1 (de) * 1998-11-06 2004-07-28 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von Alkoxysilanen
ATE284406T1 (de) * 1998-11-06 2004-12-15 Degussa Verfahren zur herstellung von chloridarmen oder chloridfreien alkoxysilanen
DE19918114C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19918115C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19934576C2 (de) * 1999-07-23 2003-12-18 Degussa Verfahren zur Herstellung von Epoxysilanen
DE19954635A1 (de) * 1999-11-13 2001-05-17 Degussa Verfahren zur Herstellung von Alkoxysilanen
DE19963433A1 (de) * 1999-12-28 2001-07-12 Degussa Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen
DE10057482A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Solarworld Ag Verfahren zur Reinigung von Trichlorsilan
DE10058620A1 (de) * 2000-11-25 2002-05-29 Degussa Verfahren zur Herstellung von Aminoalkylsilanen
DE10116007A1 (de) * 2001-03-30 2002-10-02 Degussa Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen
DE10126669A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-05 Degussa Verfahren zur Spaltung von cyclischen Organosilanen bei der Herstellung von aminofunktionellen Organoalkoxysilanen
EP1306381B1 (de) * 2001-10-10 2012-09-12 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur Hydrosilylierung ungesättigter aliphatischer Verbindungen
DE10243022A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-25 Degussa Ag Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor
DE10330022A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-20 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen
DE10357091A1 (de) * 2003-12-06 2005-07-07 Degussa Ag Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung feinster Partikel aus der Gasphase
DE102004008442A1 (de) * 2004-02-19 2005-09-15 Degussa Ag Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips
DE102004010055A1 (de) * 2004-03-02 2005-09-22 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium
US20070212291A1 (en) * 2004-03-19 2007-09-13 Entegris, Inc. Method And Apparatus For Purifying Inorganic Halides And Oxyhalides Using Zeolites
DE102004025766A1 (de) * 2004-05-26 2005-12-22 Degussa Ag Herstellung von Organosilanestern
DE102004027563A1 (de) * 2004-06-04 2005-12-22 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Silizium sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004037675A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Degussa Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid
DE102004038718A1 (de) * 2004-08-10 2006-02-23 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium
DE102004045245B4 (de) * 2004-09-17 2007-11-15 Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE502006008382D1 (de) * 2005-03-05 2011-01-05 Jssi Gmbh Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium
DE102005041137A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102005046105B3 (de) * 2005-09-27 2007-04-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Monosilan
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007023759A1 (de) * 2006-08-10 2008-02-14 Evonik Degussa Gmbh Anlage und Verfahren zur kontinuierlichen industriellen Herstellung von Fluoralkylchlorsilan
DE102007007874A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007052325A1 (de) * 2007-03-29 2009-05-07 Erk Eckrohrkessel Gmbh Verfahren zum gleitenden Temperieren chemischer Substanzen mit definierten Ein- und Ausgangstemperaturen in einem Erhitzer und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102007048937A1 (de) * 2007-10-12 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen
DE102007059170A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Evonik Degussa Gmbh Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen
DE102009053804B3 (de) * 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0684245A2 (de) 1994-05-23 1995-11-29 Dow Corning Corporation Verfahren zur Reinigung von Halosilane

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011006697A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und verwendung von aminofunktionellen harzen zur dismutierung von halogensilanen und zur entfernung von fremdmetallen
WO2011006695A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von fremdmetallen aus anorganischen silanen
US9908781B2 (en) 2009-07-15 2018-03-06 Evonik Degussa Gmbh Process and use of amino-functional resins for dismutating halosilanes and for removing extraneous metals
CN105531229A (zh) * 2013-10-23 2016-04-27 信越化学工业株式会社 多晶硅的制造方法
EP3061727A4 (de) * 2013-10-23 2017-03-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur herstellung von polykristallinsilizium
CN105531229B (zh) * 2013-10-23 2018-02-23 信越化学工业株式会社 多晶硅的制造方法
US10457559B2 (en) 2014-09-08 2019-10-29 Psc Polysilane Chemicals Gmbh Method for purifying halogenated oligosilanes
WO2021034526A1 (en) * 2019-08-22 2021-02-25 Dow Silicones Corporation Process for purifiying silicon compounds
US11975976B2 (en) 2019-08-22 2024-05-07 Dow Silicones Corporation Process for purifying silicon compounds

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