JPH06168866A - 液浸式投影露光装置 - Google Patents
液浸式投影露光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用する露光光源の波長に関わらずどの波長
でもそれぞれの波長に応じた効果を期待できる低コスト
でかつ生産性の高い露光装置、さらには従来のプロセス
技術を生かせる露光装置を提供する。 【構成】 原版のパターンを照明する照明手段、基板を
保持する保持手段、および照明手段によって照明される
原版のパターン像をこの保持手段によって保持された基
板上に投影する投影光学系を備えた投影露光装置におい
て、投影光学系の基板表面に対向する光学素子を、投影
光学系本体とは分離しており、かつ相互に平行な2つの
表面を有する平板状素子とし、この平板状素子とこれに
対向する基板との間に液体を充填するための閉空間を構
成する容器を具備し、平板状素子はこの容器の上部を構
成している。
でもそれぞれの波長に応じた効果を期待できる低コスト
でかつ生産性の高い露光装置、さらには従来のプロセス
技術を生かせる露光装置を提供する。 【構成】 原版のパターンを照明する照明手段、基板を
保持する保持手段、および照明手段によって照明される
原版のパターン像をこの保持手段によって保持された基
板上に投影する投影光学系を備えた投影露光装置におい
て、投影光学系の基板表面に対向する光学素子を、投影
光学系本体とは分離しており、かつ相互に平行な2つの
表面を有する平板状素子とし、この平板状素子とこれに
対向する基板との間に液体を充填するための閉空間を構
成する容器を具備し、平板状素子はこの容器の上部を構
成している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、特に
半導体製造工程においてウエハ等の基板上に微細な回路
パターンを露光するための液侵式投影露光装置に関す
る。
半導体製造工程においてウエハ等の基板上に微細な回路
パターンを露光するための液侵式投影露光装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の微細化が進み、従来、露光
光源として高圧水銀灯のg線から、より波長の短いi線
へと移行してきた。そしてより高解像力を必要とするた
め、投影レンズのNA(開口数)を大きくしなければな
らず、そのため、焦点深度はますます浅くなる傾向にあ
る。これらの、関係は一般に良く知られているように、
次式で表すことができる。
光源として高圧水銀灯のg線から、より波長の短いi線
へと移行してきた。そしてより高解像力を必要とするた
め、投影レンズのNA(開口数)を大きくしなければな
らず、そのため、焦点深度はますます浅くなる傾向にあ
る。これらの、関係は一般に良く知られているように、
次式で表すことができる。
【0003】(解像力)=k1 (λ/NA) (焦点深度)=±k2 λ/NA2 ここに、λは露光に使用する光源の波長、NAは投影レ
ンズのNA(開口数)、k1 ,k2 はプロセスに関
係する係数である。
ンズのNA(開口数)、k1 ,k2 はプロセスに関
係する係数である。
【0004】近年では、従来の高圧水銀灯のg線、i線
から、より波長の短いエキシマレーザと呼ばれる(Kr
F,ArF)光源、更には、X線による露光、あるいは
電子ビーム(EB)による直接描画も検討されている。
また、一方では、位相シフトマスク、あるいは変形照明
などによる高解像力、高深度化の検討もなされ、実用さ
れ始めている。
から、より波長の短いエキシマレーザと呼ばれる(Kr
F,ArF)光源、更には、X線による露光、あるいは
電子ビーム(EB)による直接描画も検討されている。
また、一方では、位相シフトマスク、あるいは変形照明
などによる高解像力、高深度化の検討もなされ、実用さ
れ始めている。
【0005】また、光学式顕微鏡の解像力をあげる方法
としては、従来から、対物レンズと試料の間を高屈折率
の液体で満たす、所謂、液浸法が知られている(例え
ば、D.W. Pohl, W. Denk & M.
Lanz, Appl. Phys. Lett.
44652 (1984)) 。この効果を半導体素子
の微細回路パターンの転写に応用した例としては、H.
Kawata, J.M. Carter, A.
Yen, H. I. Smith, Microel
ectronic Engineering 9(19
89) 、あるいは、T. R. Corle, G.
S. Kino, USP 5,121,256
(Jun 9,1992) がある。また、Tabar
elli,Werner W., Dr., EP 0
023 231 A1 (04.02.1981)
は、X、YおよびZ方向に移動可能なステージ上に、液
浸のための容器を載せ、その中にウエハ、ウエハチャッ
クおよび液体を入れ、これらを移動させて露光する構成
を開示している。
としては、従来から、対物レンズと試料の間を高屈折率
の液体で満たす、所謂、液浸法が知られている(例え
ば、D.W. Pohl, W. Denk & M.
Lanz, Appl. Phys. Lett.
44652 (1984)) 。この効果を半導体素子
の微細回路パターンの転写に応用した例としては、H.
Kawata, J.M. Carter, A.
Yen, H. I. Smith, Microel
ectronic Engineering 9(19
89) 、あるいは、T. R. Corle, G.
S. Kino, USP 5,121,256
(Jun 9,1992) がある。また、Tabar
elli,Werner W., Dr., EP 0
023 231 A1 (04.02.1981)
は、X、YおよびZ方向に移動可能なステージ上に、液
浸のための容器を載せ、その中にウエハ、ウエハチャッ
クおよび液体を入れ、これらを移動させて露光する構成
を開示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エキシ
マレーザ、X線、EBを利用する方法は、装置コストが
高くなり、位相シフトマスク、変形照明等を利用する方
法は、回路パターンによっては効果が期待できない場合
もある等の問題を抱えている。
マレーザ、X線、EBを利用する方法は、装置コストが
高くなり、位相シフトマスク、変形照明等を利用する方
法は、回路パターンによっては効果が期待できない場合
もある等の問題を抱えている。
【0007】また、前記D.W. Pohl らの論文
は、露光における液浸の効果を検討したものであるが、
実用的な半導体露光装置としての構成を論じていない。
また、前記USP 5,121,256 は、液浸レン
ズをウエハの表面近くに置く方法を開示しているに過ぎ
ない。
は、露光における液浸の効果を検討したものであるが、
実用的な半導体露光装置としての構成を論じていない。
また、前記USP 5,121,256 は、液浸レン
ズをウエハの表面近くに置く方法を開示しているに過ぎ
ない。
【0008】また、前記EP 0 023 231の方
法によると、移動させる部分の重量が重くなり、スルー
プット(生産性)が悪くなることは否めない。EP 0
023 231はさらに、液体の温度をコントロール
するために、容器に液体の循環のための配管を接続する
方法も開示しているが、このような容器を移動させるよ
うな構成では、配管の材料を柔らかいものを使用したと
しても、今日の半導体素子の微細化を考えると、ステー
ジの位置決め精度に悪影響を及ぼすことは十分考えられ
る。加えて、上面が解放された容器に液体を入れて、こ
れをステップ・アンド・リピート動作させることは、液
体の流動や流出を招くために、高速でステージ移動させ
ることは困難であり、製造装置としての生産性の低下を
余儀なくされる。
法によると、移動させる部分の重量が重くなり、スルー
プット(生産性)が悪くなることは否めない。EP 0
023 231はさらに、液体の温度をコントロール
するために、容器に液体の循環のための配管を接続する
方法も開示しているが、このような容器を移動させるよ
うな構成では、配管の材料を柔らかいものを使用したと
しても、今日の半導体素子の微細化を考えると、ステー
ジの位置決め精度に悪影響を及ぼすことは十分考えられ
る。加えて、上面が解放された容器に液体を入れて、こ
れをステップ・アンド・リピート動作させることは、液
体の流動や流出を招くために、高速でステージ移動させ
ることは困難であり、製造装置としての生産性の低下を
余儀なくされる。
【0009】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、g線、i線、あるいはエキシマレーザ等の
使用する露光光源の波長に関わらずどの波長でもそれぞ
れの波長に応じた効果を期待できる低コストでかつ生産
性の高い露光装置、さらには従来のプロセス技術を生か
せる露光装置を提供することにある。
題点に鑑み、g線、i線、あるいはエキシマレーザ等の
使用する露光光源の波長に関わらずどの波長でもそれぞ
れの波長に応じた効果を期待できる低コストでかつ生産
性の高い露光装置、さらには従来のプロセス技術を生か
せる露光装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、レチクル等の原版のパターンを照明する照
明手段、ウエハ等の基板を保持する保持手段、および照
明手段によって照明される原版のパターン像をこの保持
手段によって保持された基板上に投影する投影光学系を
備えた投影露光装置において、投影光学系の基板表面に
対向する光学素子を、投影光学系本体とは分離してお
り、かつ相互に平行な2つの表面を有する平板状素子と
し、この平板状素子とこれに対向する基板との間に液体
を充填するための閉空間を構成する容器を具備し、平板
状素子はこの容器の上部を構成していることを特徴とし
ている。
本発明では、レチクル等の原版のパターンを照明する照
明手段、ウエハ等の基板を保持する保持手段、および照
明手段によって照明される原版のパターン像をこの保持
手段によって保持された基板上に投影する投影光学系を
備えた投影露光装置において、投影光学系の基板表面に
対向する光学素子を、投影光学系本体とは分離してお
り、かつ相互に平行な2つの表面を有する平板状素子と
し、この平板状素子とこれに対向する基板との間に液体
を充填するための閉空間を構成する容器を具備し、平板
状素子はこの容器の上部を構成していることを特徴とし
ている。
【0011】また、通常は、投影光学系による投影像に
対する原版の水平方向の位置関係を検出するアライメン
ト計測系、投影光学系のフォーカス位置と原版の上下方
向の位置との位置関係を検出するフォーカス位置検出
系、および、これら検出系の検出結果に基き原版上のパ
ターンを前記投影像に合致させるために保持手段をX、
Y、θおよびZ方向に移動させならびに傾ける手段、前
記容器を保持手段上に搬入しおよび搬出する搬送手段、
前記閉空間への液体の充填を前記保持手段上で、あるい
は前記保持手段上とは異なる位置において行う手段を有
する。
対する原版の水平方向の位置関係を検出するアライメン
ト計測系、投影光学系のフォーカス位置と原版の上下方
向の位置との位置関係を検出するフォーカス位置検出
系、および、これら検出系の検出結果に基き原版上のパ
ターンを前記投影像に合致させるために保持手段をX、
Y、θおよびZ方向に移動させならびに傾ける手段、前
記容器を保持手段上に搬入しおよび搬出する搬送手段、
前記閉空間への液体の充填を前記保持手段上で、あるい
は前記保持手段上とは異なる位置において行う手段を有
する。
【0012】また、原版が前記容器の底部を構成する場
合と、保持手段の原版を直接保持する部分が分離してお
り、この部分が前記容器の底部を構成しかつ保持手段の
他の部分がこの容器を保持する場合とがある。いずれの
場合においても、原版は通常、前記容器から着脱可能で
ある。
合と、保持手段の原版を直接保持する部分が分離してお
り、この部分が前記容器の底部を構成しかつ保持手段の
他の部分がこの容器を保持する場合とがある。いずれの
場合においても、原版は通常、前記容器から着脱可能で
ある。
【0013】さらに前記容器は、それが構成する前記閉
空間を陽圧または負圧にし得る構造を有し、一部が低熱
膨張材料で構成され、一部が断熱材で覆われ、外壁面の
うち少なくとも隣接する2面が前記アライメント検出系
の測長用の参照ミラーを構成し、前記平板状素子が着脱
可能であり、内部に液体を注入しおよび排出するための
バルブ付きの配管を備え、前記保持手段上に配置する際
の基準マークあるいは前記保持手段の他の部分に位置決
めする際の基準となる部材を有し、そして、基板を取り
出し得るように開閉可能であるのが好ましい。
空間を陽圧または負圧にし得る構造を有し、一部が低熱
膨張材料で構成され、一部が断熱材で覆われ、外壁面の
うち少なくとも隣接する2面が前記アライメント検出系
の測長用の参照ミラーを構成し、前記平板状素子が着脱
可能であり、内部に液体を注入しおよび排出するための
バルブ付きの配管を備え、前記保持手段上に配置する際
の基準マークあるいは前記保持手段の他の部分に位置決
めする際の基準となる部材を有し、そして、基板を取り
出し得るように開閉可能であるのが好ましい。
【0014】さらに、前記充填された液体については、
液体の圧力を検出するための圧力計、液体の圧力を制御
する手段、液体の圧力を負圧にするための真空ポンプ、
液体の温度を計測するための温度計、液体の温度を制御
する手段、液体を超音波加振する手段、液体の液体を前
記閉空間内に流入させおよび排出させるためのポンプ、
液体をろ過させるろ過装置、液体を注入する際に前記容
器を斜めもしくは垂直にし下方から注入を行う手段など
を備えるのが好ましい。
液体の圧力を検出するための圧力計、液体の圧力を制御
する手段、液体の圧力を負圧にするための真空ポンプ、
液体の温度を計測するための温度計、液体の温度を制御
する手段、液体を超音波加振する手段、液体の液体を前
記閉空間内に流入させおよび排出させるためのポンプ、
液体をろ過させるろ過装置、液体を注入する際に前記容
器を斜めもしくは垂直にし下方から注入を行う手段など
を備えるのが好ましい。
【0015】また、前記閉空間への液体の充填は、露光
とは無関係のタイミングで行うようにしてもよい。ま
た、保持手段が前記容器の底部を構成している場合は、
それに設けられた、原版を真空吸引により保持するため
の管路を介して液体が流入するのを防止する開閉可能な
シャッタを有する。また、前記容器に対する必要な電気
的接続および空圧あるいは真空的な連通を行う手段を有
する。さらに、前記容器内に露光に際しての照度むらを
測定する照度むら測定器などを有するのが好ましい。
とは無関係のタイミングで行うようにしてもよい。ま
た、保持手段が前記容器の底部を構成している場合は、
それに設けられた、原版を真空吸引により保持するため
の管路を介して液体が流入するのを防止する開閉可能な
シャッタを有する。また、前記容器に対する必要な電気
的接続および空圧あるいは真空的な連通を行う手段を有
する。さらに、前記容器内に露光に際しての照度むらを
測定する照度むら測定器などを有するのが好ましい。
【0016】
【作用】本発明は、投影光学系を構成する対物レンズの
一部を、液体を充填した容器の側に構成し、この容器と
ともに原版を露光位置に搬送し、あるいはこの容器の搬
送、原版の搬送および液体の充填を露光位置で行い、露
光するという発想の転換により、現在開発されている生
産設備としての投影露光装置を僅か変更するだけで簡単
に従来例の諸欠点を改良できるようにしたものである。
一部を、液体を充填した容器の側に構成し、この容器と
ともに原版を露光位置に搬送し、あるいはこの容器の搬
送、原版の搬送および液体の充填を露光位置で行い、露
光するという発想の転換により、現在開発されている生
産設備としての投影露光装置を僅か変更するだけで簡単
に従来例の諸欠点を改良できるようにしたものである。
【0017】本発明は、上記構成により、液浸の効果を
利用するものであるが、ここで言う「液浸の効果」と
は、λ0 を露光光の空気中での波長とし、図10に示
すようにnを液浸に使用する液体23の空気に対する屈
折率、αを光線の収束半角とし、NA0 =sinαと
すると、液浸した場合、前述の解像力、および焦点深度
は、次式のようになることを意味する。
利用するものであるが、ここで言う「液浸の効果」と
は、λ0 を露光光の空気中での波長とし、図10に示
すようにnを液浸に使用する液体23の空気に対する屈
折率、αを光線の収束半角とし、NA0 =sinαと
すると、液浸した場合、前述の解像力、および焦点深度
は、次式のようになることを意味する。
【0018】 (解像力)=k1 (λ0 /n)/NA0 (焦点深度)=±k2 (λ0 /n)/(NA0 )2 すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用
するのと等価である。言い換えると、同じNAの投影光
学系を設計した場合、液浸により、焦点深度をn倍にす
ることができる。これは、あらゆるパターンの形状に対
しても有効であり、さらに、現在検討されている位相シ
フト法、変形照明法などと組み合わせることも可能であ
る。この効果を生かすためには、液体の純度、均一性、
温度などの精密な管理が必要であり、ステップ・アンド
・リピート動作でウエハ上に逐次露光していく露光装置
では、動作中に発生する液体の流動や振動を極力少なく
すること、ウエハを液体に搬入する際のウエハ表面に残
留する気泡をいかにして除去するかなどが問題になる。
するのと等価である。言い換えると、同じNAの投影光
学系を設計した場合、液浸により、焦点深度をn倍にす
ることができる。これは、あらゆるパターンの形状に対
しても有効であり、さらに、現在検討されている位相シ
フト法、変形照明法などと組み合わせることも可能であ
る。この効果を生かすためには、液体の純度、均一性、
温度などの精密な管理が必要であり、ステップ・アンド
・リピート動作でウエハ上に逐次露光していく露光装置
では、動作中に発生する液体の流動や振動を極力少なく
すること、ウエハを液体に搬入する際のウエハ表面に残
留する気泡をいかにして除去するかなどが問題になる。
【0019】本発明では、実施例でも詳細に説明するよ
うに、これらの諸問題を解決するための構成を有し、液
浸の効果を十分生かせる生産機械としての液浸式露光装
置が提供される。従来、256Mbit〜1Gbitの
DRAMの生産では、X線、あるいは電子ビーム(E
B)を用いた露光装置が必要と考えられていたが、本発
明によって、i線、あるいはエキシマレーザを光源とす
る従来のステッパを用い、かつ従来の製造プロセスを流
用することができ、技術的に確立された製造プロセス
で、コスト的にも有利な生産が行われる。さらに本発明
は、ウエハ上に付着するコンタミネーションの問題も解
決し、プロセスを経て平面度の劣化したウエハに対する
平面矯正も行えるなどの利点があり、ますます微細化す
る半導体素子の製造において、有利な装置を提供するも
のである。以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
うに、これらの諸問題を解決するための構成を有し、液
浸の効果を十分生かせる生産機械としての液浸式露光装
置が提供される。従来、256Mbit〜1Gbitの
DRAMの生産では、X線、あるいは電子ビーム(E
B)を用いた露光装置が必要と考えられていたが、本発
明によって、i線、あるいはエキシマレーザを光源とす
る従来のステッパを用い、かつ従来の製造プロセスを流
用することができ、技術的に確立された製造プロセス
で、コスト的にも有利な生産が行われる。さらに本発明
は、ウエハ上に付着するコンタミネーションの問題も解
決し、プロセスを経て平面度の劣化したウエハに対する
平面矯正も行えるなどの利点があり、ますます微細化す
る半導体素子の製造において、有利な装置を提供するも
のである。以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
【0020】
【実施例】実施例1 図1は本発明の第1の実施例に係る液侵式投影露光装置
の模式的な側面図である。この装置は、同図に示すよう
に、予めカセット9に収納され、液浸されたウエハを、
搬送して露光するものである。
の模式的な側面図である。この装置は、同図に示すよう
に、予めカセット9に収納され、液浸されたウエハを、
搬送して露光するものである。
【0021】これらの図において、1はレチクル、3は
レチクル1上の回路パターンを感光剤を塗布したウエハ
上に投影するためのシャッタおよび調光装置等を備えた
照明光学系、4はそのような投影を行う投影光学系、5
はレチクル1を保持して所定の位置に位置決めするため
のレチクルステージ、6はレチクル1を位置決めするた
め、およびレチクル像をウエハ上に既に転写されている
回路パターンに合致させるためのアライメント光学系で
ある。7は投影光学系4のウエハの表面に対向するレン
ズであり、これを第2の光学素子と呼ぶことにする。こ
の第2の光学素子7は、図2に示すように、平行平面ガ
ラスで構成される。これは、第2の光学素子7を投影光
学系4から分離し、ウエハステージで移動可能なカセッ
ト9の一部に構成する上で重要である。また、第2の光
学素子7のウエハ2に対向する面を平面にすることは、
液侵する際に、第2の光学素子7表面に空気層や気泡が
残らないようにするために重要である。また、液浸され
る光学素子7の表面およびウエハ上の感光剤の表面は、
液浸に使用する液体と浸和性のあるコーチングを施すこ
とが望ましい。また、図2に示すように、第2の光学素
子7およびウエハ2とカセット9の間には液体23の漏
れを防ぐため、およびカセット9の気密を保たたせるた
めのシール8が設けられている。
レチクル1上の回路パターンを感光剤を塗布したウエハ
上に投影するためのシャッタおよび調光装置等を備えた
照明光学系、4はそのような投影を行う投影光学系、5
はレチクル1を保持して所定の位置に位置決めするため
のレチクルステージ、6はレチクル1を位置決めするた
め、およびレチクル像をウエハ上に既に転写されている
回路パターンに合致させるためのアライメント光学系で
ある。7は投影光学系4のウエハの表面に対向するレン
ズであり、これを第2の光学素子と呼ぶことにする。こ
の第2の光学素子7は、図2に示すように、平行平面ガ
ラスで構成される。これは、第2の光学素子7を投影光
学系4から分離し、ウエハステージで移動可能なカセッ
ト9の一部に構成する上で重要である。また、第2の光
学素子7のウエハ2に対向する面を平面にすることは、
液侵する際に、第2の光学素子7表面に空気層や気泡が
残らないようにするために重要である。また、液浸され
る光学素子7の表面およびウエハ上の感光剤の表面は、
液浸に使用する液体と浸和性のあるコーチングを施すこ
とが望ましい。また、図2に示すように、第2の光学素
子7およびウエハ2とカセット9の間には液体23の漏
れを防ぐため、およびカセット9の気密を保たたせるた
めのシール8が設けられている。
【0022】10はカセット9をストックするカセット
ストッカである。11−1〜11−3はカセットストッ
カ10からカセット9を搬入しウエハステージ上にセッ
トするためのカセット搬送装置およびカセットの粗位置
決め装置の一部もしくは全体である。すなわち11−1
はカセット9の搬送を行うためのカセット搬送装置、1
1−2はカセット位置粗検出機構(通常、プリアライメ
ント機構と呼んでいる)、11−3はカセット9送り込
み用のハンドである。12はカセット9底部に装着され
たウエハをカセットごと保持するためのウエハチャッ
ク、13はカセット9に入ったウエハを所定の位置に位
置決めするためのXYステージ、14はXYステージ1
3上に配置され、ウエハのθ位置の補正機能、Z位置の
調整機能、ウエハの傾きを補正するためのチルト機能を
有する微動ステージ、15はステージ位置を計測するた
めのレーザ干渉計、16は微動ステージ14の上面にX
およびY方向に取り付けられ(Y方向は不図示)、レー
ザ干渉計15の光を反射させるための参照ミラーであ
る。
ストッカである。11−1〜11−3はカセットストッ
カ10からカセット9を搬入しウエハステージ上にセッ
トするためのカセット搬送装置およびカセットの粗位置
決め装置の一部もしくは全体である。すなわち11−1
はカセット9の搬送を行うためのカセット搬送装置、1
1−2はカセット位置粗検出機構(通常、プリアライメ
ント機構と呼んでいる)、11−3はカセット9送り込
み用のハンドである。12はカセット9底部に装着され
たウエハをカセットごと保持するためのウエハチャッ
ク、13はカセット9に入ったウエハを所定の位置に位
置決めするためのXYステージ、14はXYステージ1
3上に配置され、ウエハのθ位置の補正機能、Z位置の
調整機能、ウエハの傾きを補正するためのチルト機能を
有する微動ステージ、15はステージ位置を計測するた
めのレーザ干渉計、16は微動ステージ14の上面にX
およびY方向に取り付けられ(Y方向は不図示)、レー
ザ干渉計15の光を反射させるための参照ミラーであ
る。
【0023】カセット9の周囲には、外部との熱伝導を
遮断して温度を維持するための断熱材17が設けられて
いる。断熱材17は、カセット9自体を断熱効果のある
材料、例えばエンジニアリングセラミックで構成すれ
ば、不要である。さらに、カセット9の材質を低熱膨張
材、例えばゼロジュール、スーパーインバー(いずれも
商品名)等を使用し、レーザ干渉計15の参照ミラー1
6をその側面に構成すれば、計測精度の向上も期待でき
る。さらにこの場合、カセット9の上面でかつウエハ表
面から離れた位置に取り付けられた第2の光学素子7の
表面に塵埃が付着しても、ウエハ表面には転写されにく
くなるので、ウエハの搬送時に表面に付着する塵埃、コ
ンタミネーション等の問題も解決でき、ますます微細化
する半導体素子の製造において有利である。
遮断して温度を維持するための断熱材17が設けられて
いる。断熱材17は、カセット9自体を断熱効果のある
材料、例えばエンジニアリングセラミックで構成すれ
ば、不要である。さらに、カセット9の材質を低熱膨張
材、例えばゼロジュール、スーパーインバー(いずれも
商品名)等を使用し、レーザ干渉計15の参照ミラー1
6をその側面に構成すれば、計測精度の向上も期待でき
る。さらにこの場合、カセット9の上面でかつウエハ表
面から離れた位置に取り付けられた第2の光学素子7の
表面に塵埃が付着しても、ウエハ表面には転写されにく
くなるので、ウエハの搬送時に表面に付着する塵埃、コ
ンタミネーション等の問題も解決でき、ますます微細化
する半導体素子の製造において有利である。
【0024】露光に際しては、まず、図2に示すように
あらかじめ感光剤を塗布してあるウエハ2を装着し内部
を液浸のための液体23で満たしたカセット9をカセッ
ト搬送装置11−1を用いてカセットストッカ10から
取り出し、カセット位置粗検出機構11−2に載せ、粗
位置決めした後に、ハンド11−3でカセット9をハン
ドリングし、ウエハステージ上のウエハチャック12上
に移動し、そして位置決めして吸着固定する。次に、通
常のウエハの露光装置と同様に、ウエハ2の精密位置決
め(アライメント、フォーカスなど)をしてから、露光
を行う。このとき、ステップ・アンド・リピート動作に
より、液体23の流動が発生するが、第2の光学素子7
とウエハ2の表面の間隔が数mmから数十mm程度であ
り、液体23が粘性を有することから、比較的短時間
で、カセット9内における液体23の流動はなくなる。
カセット9の外周は、断熱材で覆ってあるため、通常、
1枚のウエハを処理する時間程度は、一定温度を保つこ
とが可能であり温度制御をする必要はない。ウエハ2の
全面の露光が完了すると、搬出ハンド11−4で、ウエ
ハチャック12上のカセット9をハンドリングして、他
方のカセットストッカ10に収納する。
あらかじめ感光剤を塗布してあるウエハ2を装着し内部
を液浸のための液体23で満たしたカセット9をカセッ
ト搬送装置11−1を用いてカセットストッカ10から
取り出し、カセット位置粗検出機構11−2に載せ、粗
位置決めした後に、ハンド11−3でカセット9をハン
ドリングし、ウエハステージ上のウエハチャック12上
に移動し、そして位置決めして吸着固定する。次に、通
常のウエハの露光装置と同様に、ウエハ2の精密位置決
め(アライメント、フォーカスなど)をしてから、露光
を行う。このとき、ステップ・アンド・リピート動作に
より、液体23の流動が発生するが、第2の光学素子7
とウエハ2の表面の間隔が数mmから数十mm程度であ
り、液体23が粘性を有することから、比較的短時間
で、カセット9内における液体23の流動はなくなる。
カセット9の外周は、断熱材で覆ってあるため、通常、
1枚のウエハを処理する時間程度は、一定温度を保つこ
とが可能であり温度制御をする必要はない。ウエハ2の
全面の露光が完了すると、搬出ハンド11−4で、ウエ
ハチャック12上のカセット9をハンドリングして、他
方のカセットストッカ10に収納する。
【0025】図2は、カセット9内部を負圧にしてウエ
ハ2をカセット9に装着し内部を液浸のための液体23
で満たしたカセット9に固定するためのカセット液浸処
理装置を示す模式的な断面図である。また、図3は、カ
セット9内部を陽圧にして、ウエハ2をカセット9に固
定する場合の断面図である。このような装置を前記投影
露光装置に併置して、ウエハの処理をすることも可能で
ある。
ハ2をカセット9に装着し内部を液浸のための液体23
で満たしたカセット9に固定するためのカセット液浸処
理装置を示す模式的な断面図である。また、図3は、カ
セット9内部を陽圧にして、ウエハ2をカセット9に固
定する場合の断面図である。このような装置を前記投影
露光装置に併置して、ウエハの処理をすることも可能で
ある。
【0026】このカセット液浸処理装置は、図2に示す
ように、液体23の温度を測定する温度計18、この出
力に基き液体23の温度を調整する温度コントローラ1
9、液体23の量を制御するとともに温度制御された液
体23を循環させる機能および液体23の圧力をコント
ロールする機能も備えた循環ポンプ20、液体23中の
不純物をろ過するためのフィルタ21、液体23を均質
にするとともにウエハ2表面や第2の光学素子7の表面
に気泡が付着するのを防ぐ目的で設置された超音波加振
装置22、カセット9の内部を負圧にして液体23中の
気泡を除去するための真空ポンプ24、真空ポンプ24
に接続されたバルブ25−1、液体23の配管系に接続
されたバルブ25−2および25−3、第2の光学素子
7を固定するための金具26、および、カセット9の内
圧を測定するための圧力計27を備える。
ように、液体23の温度を測定する温度計18、この出
力に基き液体23の温度を調整する温度コントローラ1
9、液体23の量を制御するとともに温度制御された液
体23を循環させる機能および液体23の圧力をコント
ロールする機能も備えた循環ポンプ20、液体23中の
不純物をろ過するためのフィルタ21、液体23を均質
にするとともにウエハ2表面や第2の光学素子7の表面
に気泡が付着するのを防ぐ目的で設置された超音波加振
装置22、カセット9の内部を負圧にして液体23中の
気泡を除去するための真空ポンプ24、真空ポンプ24
に接続されたバルブ25−1、液体23の配管系に接続
されたバルブ25−2および25−3、第2の光学素子
7を固定するための金具26、および、カセット9の内
圧を測定するための圧力計27を備える。
【0027】図4はこのカセット液侵処理装置に用いら
れる搬送手段等を示す模式図である。図4において、2
8はウエハストッカ、29はウエハストッカ28からウ
エハを搬出し、ウエハ粗位置決め装置30に送るための
ウエハ搬入ハンド、31はカセットストッカ10からカ
セット9を取り出して所定の位置に移動するためのカセ
ット搬出ハンド、32はカセット9を固定し、各種の配
管およびセンサなどをカセット9に自動的に接続するた
めのカセットチャックおよびウエハ2を固定するウエハ
チャックを具備するカセットステーション、33はカセ
ットステーション32を傾けるための機構、34は位置
決めしたウエハ2をウエハチャック112上に移動する
ためのウエハ移動ハンドである。
れる搬送手段等を示す模式図である。図4において、2
8はウエハストッカ、29はウエハストッカ28からウ
エハを搬出し、ウエハ粗位置決め装置30に送るための
ウエハ搬入ハンド、31はカセットストッカ10からカ
セット9を取り出して所定の位置に移動するためのカセ
ット搬出ハンド、32はカセット9を固定し、各種の配
管およびセンサなどをカセット9に自動的に接続するた
めのカセットチャックおよびウエハ2を固定するウエハ
チャックを具備するカセットステーション、33はカセ
ットステーション32を傾けるための機構、34は位置
決めしたウエハ2をウエハチャック112上に移動する
ためのウエハ移動ハンドである。
【0028】図5は露光処理が終了したカセット9の後
処理を行うための構成を示す模式図である。同図におい
て、36は露光処理が終了したカセット9内の液体23
を搬出する機構を有する後処理ステーション、35は露
光を終了したカセット9を後処理ステーション36に移
動するためのカセット搬出ハンド、38はウエハ2をカ
セット9から取り出し、ウエハストッカ28に搬送する
ためのハンド、そして39は空になったカセット9をカ
セットストッカ10に収納するためのハンドである。
処理を行うための構成を示す模式図である。同図におい
て、36は露光処理が終了したカセット9内の液体23
を搬出する機構を有する後処理ステーション、35は露
光を終了したカセット9を後処理ステーション36に移
動するためのカセット搬出ハンド、38はウエハ2をカ
セット9から取り出し、ウエハストッカ28に搬送する
ためのハンド、そして39は空になったカセット9をカ
セットストッカ10に収納するためのハンドである。
【0029】液侵処理に際しては、図4に示すように、
まず、ウエハストッカ28から感光剤を塗布したウエハ
2を、ウエハ搬入ハンド29で取り出し、ウエハ粗位置
決め装置30に載せて、ウエハ2の粗位置決めを行う。
これにより位置決めしたウエハ2を、ウエハ移動ハンド
34でカセットステーション32上のウエハチャック上
に位置決めし、真空吸着する。次に、カセットストッカ
10から、カセット搬出ハンド31で空のカセットを取
り出し、カセットステーション32上のウエハチャック
112にセットする。この状態で、各種の配管と、各種
のセンサを、ウエハチャック112等を介してカセット
9に結合する。これにより、ウエハ2もカセット9の底
部に位置決めされることになる。次に、機構33を動作
させて、カセット9をカセットステーション32ごと斜
めに傾け、あるいは垂直に立てる。そして、循環ポンプ
20を動作させ液体23をカセット9内に送り込み、液
量が一定の量になると循環ポンプ20を停止させる。
まず、ウエハストッカ28から感光剤を塗布したウエハ
2を、ウエハ搬入ハンド29で取り出し、ウエハ粗位置
決め装置30に載せて、ウエハ2の粗位置決めを行う。
これにより位置決めしたウエハ2を、ウエハ移動ハンド
34でカセットステーション32上のウエハチャック上
に位置決めし、真空吸着する。次に、カセットストッカ
10から、カセット搬出ハンド31で空のカセットを取
り出し、カセットステーション32上のウエハチャック
112にセットする。この状態で、各種の配管と、各種
のセンサを、ウエハチャック112等を介してカセット
9に結合する。これにより、ウエハ2もカセット9の底
部に位置決めされることになる。次に、機構33を動作
させて、カセット9をカセットステーション32ごと斜
めに傾け、あるいは垂直に立てる。そして、循環ポンプ
20を動作させ液体23をカセット9内に送り込み、液
量が一定の量になると循環ポンプ20を停止させる。
【0030】このとき、ウエハカセット9内の上部には
空気が僅かに残る可能性があるためその部分には真空ポ
ンプ24が接続されており、これを作動させて、液体2
3中に混入している空気を除去する。このとき、超音波
加振装置22を作動させてカセット9の内壁およびウエ
ハ2表面に付着した小さな気泡を除去するようにすれ
ば、より短時間に液体23を均一にすることができる。
カセット9内の空気を除去すると、カセット9に組み込
まれている真空ポンプ用バルブ25−1を閉じ、循環ポ
ンプ20を再び動作させて、液体23をカセット9内に
満たし、圧力計27で内圧を計測しながら僅か減圧す
る。この、ウエハ2をカセット9底部に固定するための
減圧量は、大気圧の0.99〜0.80倍程度で十分で
ある。内圧が所定の圧力になった時点で、循環ポンプ2
0を停止させ、カセット9内の各々の配管に組み込んで
あるバルブ25−2および25−3を閉じる。この状態
で、カセットステーション32を水平に戻し、液浸が完
了したカセット9をカセット搬送ハンド31でカセット
ストッカ10に収納する。
空気が僅かに残る可能性があるためその部分には真空ポ
ンプ24が接続されており、これを作動させて、液体2
3中に混入している空気を除去する。このとき、超音波
加振装置22を作動させてカセット9の内壁およびウエ
ハ2表面に付着した小さな気泡を除去するようにすれ
ば、より短時間に液体23を均一にすることができる。
カセット9内の空気を除去すると、カセット9に組み込
まれている真空ポンプ用バルブ25−1を閉じ、循環ポ
ンプ20を再び動作させて、液体23をカセット9内に
満たし、圧力計27で内圧を計測しながら僅か減圧す
る。この、ウエハ2をカセット9底部に固定するための
減圧量は、大気圧の0.99〜0.80倍程度で十分で
ある。内圧が所定の圧力になった時点で、循環ポンプ2
0を停止させ、カセット9内の各々の配管に組み込んで
あるバルブ25−2および25−3を閉じる。この状態
で、カセットステーション32を水平に戻し、液浸が完
了したカセット9をカセット搬送ハンド31でカセット
ストッカ10に収納する。
【0031】以上の動作を順次繰り返し、ウエハ2を液
浸状態にセットをする。この装置を図1の露光装置に組
み込む場合は、液浸されたカセット9をカセット送込み
ハンド11−3でウエハステージ上のウエハチャック1
2に直接搬送しても良い。このような構成にすると、図
1のカセット搬送装置11−1およびカセット位置粗検
出機構11−2は、それぞれ、カセット搬送ハンド31
とカセットステーション32で置き換えることができ
る。
浸状態にセットをする。この装置を図1の露光装置に組
み込む場合は、液浸されたカセット9をカセット送込み
ハンド11−3でウエハステージ上のウエハチャック1
2に直接搬送しても良い。このような構成にすると、図
1のカセット搬送装置11−1およびカセット位置粗検
出機構11−2は、それぞれ、カセット搬送ハンド31
とカセットステーション32で置き換えることができ
る。
【0032】また、露光を終了したカセットの回収は、
図1の搬出ハンド11−4の代わりに、カセット搬出ハ
ンド35を使用し、後処理ステーション36に載せ、液
体の搬出機構で液体23を除去した後に、ハンド38で
カセット9を開け、ウエハ2を取り出し、ウエハストッ
カ28に収納する。空のカセットは、ハンド39でカセ
ットストッカ10に収納する。
図1の搬出ハンド11−4の代わりに、カセット搬出ハ
ンド35を使用し、後処理ステーション36に載せ、液
体の搬出機構で液体23を除去した後に、ハンド38で
カセット9を開け、ウエハ2を取り出し、ウエハストッ
カ28に収納する。空のカセットは、ハンド39でカセ
ットストッカ10に収納する。
【0033】なお、この図2〜図5の装置は、図1の露
光装置とは、独立した単独の装置として構成することも
可能である。また、ここでは、液体23をカセット9に
流入させる際に、カセット9を斜め、もしくは垂直に立
て、下方から液体を満たすような構成にしてあり、内部
に気泡が残留しないような工夫がなされているととも
に、液体中の気泡除去の目的で、超音波加振装置22、
真空ポンプ装置24などが用いられているため、より効
果的に気泡の残留が防止される。また、後処理ステーシ
ョン36上でカセット9からウエハ2を搬出した後に、
エアブローを行う装置40を介して、ウエハ2を乾燥さ
せることも可能である。
光装置とは、独立した単独の装置として構成することも
可能である。また、ここでは、液体23をカセット9に
流入させる際に、カセット9を斜め、もしくは垂直に立
て、下方から液体を満たすような構成にしてあり、内部
に気泡が残留しないような工夫がなされているととも
に、液体中の気泡除去の目的で、超音波加振装置22、
真空ポンプ装置24などが用いられているため、より効
果的に気泡の残留が防止される。また、後処理ステーシ
ョン36上でカセット9からウエハ2を搬出した後に、
エアブローを行う装置40を介して、ウエハ2を乾燥さ
せることも可能である。
【0034】実施例2 図6は本発明の第2の実施例に係る液侵式投影露光装置
のカセットチャック部分を示す断面図である。この装置
では、カセット9内にウエハチャック601が設けられ
ており、微動ステージ14(図1)上には図1の装置に
おけるウエハチャック12の代わりに、カセット9をバ
キューム吸着によって位置決めし固定するためのカセッ
トチャック612を備える。この場合、カセット9は、
ウエハ2を出し入れするための開閉機構631を有し、
これにより第2の光学素子7が着脱可能な構成となって
いる。また、カセットチャック612には、カセット9
を位置決めするための位置決めピン617が3か所に埋
め込まれている。他の部分の構成は図1の装置の場合と
同様であり、また、露光も、予め液侵してあるカセット
9を用い、同様にして行われる。
のカセットチャック部分を示す断面図である。この装置
では、カセット9内にウエハチャック601が設けられ
ており、微動ステージ14(図1)上には図1の装置に
おけるウエハチャック12の代わりに、カセット9をバ
キューム吸着によって位置決めし固定するためのカセッ
トチャック612を備える。この場合、カセット9は、
ウエハ2を出し入れするための開閉機構631を有し、
これにより第2の光学素子7が着脱可能な構成となって
いる。また、カセットチャック612には、カセット9
を位置決めするための位置決めピン617が3か所に埋
め込まれている。他の部分の構成は図1の装置の場合と
同様であり、また、露光も、予め液侵してあるカセット
9を用い、同様にして行われる。
【0035】実施例3 図7は本発明の第3の実施例に係る液侵式投影露光装置
のカセットチャック部分を示す断面図である。この装置
では、カセット9の底面がウエハチャック601を構成
しており、ウエハチャック601がカセット9本体と分
離できるようになっている。この分離によりウエハ2の
出し入れが可能となっている。他の構成は図6の場合と
同様である。
のカセットチャック部分を示す断面図である。この装置
では、カセット9の底面がウエハチャック601を構成
しており、ウエハチャック601がカセット9本体と分
離できるようになっている。この分離によりウエハ2の
出し入れが可能となっている。他の構成は図6の場合と
同様である。
【0036】実施例4 図8は本発明の第4の実施例に係る液侵式投影露光装置
のカセットチャック部分を示す断面図である。この装置
では、カセットチャック612上にカセット9を搬送し
固定してから液侵が行われる。図8において、801は
カセット9内の液体23の高さを測定するための液面ゲ
ージ、803は液体23の屈折率を測定するための測定
器、805はカセット9とカセットチャック612を電
気的に結合するためのコネクタ、807は真空ポンプ2
4に接続されたバルブ、601はカセット9の底面を構
成するとともにカセット9本体から分離可能なウエハチ
ャック、631はウエハチャック601を分離してウエ
ハ2を出し入れするための開閉機構である。なお、他の
図における要素と同様の部分は同じ符号を付してある。
のカセットチャック部分を示す断面図である。この装置
では、カセットチャック612上にカセット9を搬送し
固定してから液侵が行われる。図8において、801は
カセット9内の液体23の高さを測定するための液面ゲ
ージ、803は液体23の屈折率を測定するための測定
器、805はカセット9とカセットチャック612を電
気的に結合するためのコネクタ、807は真空ポンプ2
4に接続されたバルブ、601はカセット9の底面を構
成するとともにカセット9本体から分離可能なウエハチ
ャック、631はウエハチャック601を分離してウエ
ハ2を出し入れするための開閉機構である。なお、他の
図における要素と同様の部分は同じ符号を付してある。
【0037】この構成において、カセット9は実施例1
の場合と同様にしてカセットチャック612上に搬送
し、バキューム吸着によって位置決め固定する。これに
よってカセット9とカセットチャック612とが結合す
ると、同時に、前記各種センサや、真空ポンプ装置24
や循環ポンプ20等からの配管系が自動的に接続される
ので、温度コントローラ19で一定温度に制御された液
侵用の液体23を循環ポンプ20によってカセット9内
にフィルタ21を介して送り込む。液体23を所定量送
り込むと、液面ゲージ801がこれを検知するので、こ
れに基きポンプ20を停止する。
の場合と同様にしてカセットチャック612上に搬送
し、バキューム吸着によって位置決め固定する。これに
よってカセット9とカセットチャック612とが結合す
ると、同時に、前記各種センサや、真空ポンプ装置24
や循環ポンプ20等からの配管系が自動的に接続される
ので、温度コントローラ19で一定温度に制御された液
侵用の液体23を循環ポンプ20によってカセット9内
にフィルタ21を介して送り込む。液体23を所定量送
り込むと、液面ゲージ801がこれを検知するので、こ
れに基きポンプ20を停止する。
【0038】次に、カセット9上部近傍に接続してある
真空ポンプ24を動作させ、液体23中の気泡を除去す
る。これと同時に、超音波加振装置22を動作させて、
液体23中の気泡、ウエハ2表面に付着した気泡、およ
び第2の光学素子7表面に付着した気泡も除去する。こ
の超音波加振は、液体23自体を均一にする効果も有し
ており、振動の振幅が小さく、周波数が高いために、ウ
エハの位置決めあるいは露光には影響しない。
真空ポンプ24を動作させ、液体23中の気泡を除去す
る。これと同時に、超音波加振装置22を動作させて、
液体23中の気泡、ウエハ2表面に付着した気泡、およ
び第2の光学素子7表面に付着した気泡も除去する。こ
の超音波加振は、液体23自体を均一にする効果も有し
ており、振動の振幅が小さく、周波数が高いために、ウ
エハの位置決めあるいは露光には影響しない。
【0039】気泡を除去し終わると、真空ポンプ24を
停止し、バルブ807を閉じるとともに、加圧・循環ポ
ンプ20を動作させ、液体23の加圧を始める。これに
より圧力計27が所定の圧力になったことを検出する
と、温度計18によって液体23の温度の常時監視を開
始し、所定の温度から外れたときは再度加圧・循環ポン
プ20を動作させ、一定温度の液体23を循環させる。
このとき、液体23の循環により液体23の流動が起こ
り、液体23の均一性が崩れる。したがって、屈折率測
定器803で均一性の測定を行い、均一性を確認してか
ら露光を行う。
停止し、バルブ807を閉じるとともに、加圧・循環ポ
ンプ20を動作させ、液体23の加圧を始める。これに
より圧力計27が所定の圧力になったことを検出する
と、温度計18によって液体23の温度の常時監視を開
始し、所定の温度から外れたときは再度加圧・循環ポン
プ20を動作させ、一定温度の液体23を循環させる。
このとき、液体23の循環により液体23の流動が起こ
り、液体23の均一性が崩れる。したがって、屈折率測
定器803で均一性の測定を行い、均一性を確認してか
ら露光を行う。
【0040】露光は上述と同様にして行うが、ステップ
・アンド・リピート動作による液体23の流動の影響を
防止するため、各ショット毎にステップ移動後に遅延時
間をとるか、あるいは屈折率測定器803で流動状態を
測定し、流動が停止した時点でシーケンスを継続させる
ようにすれば良い。また、加圧した液体23の圧力によ
ってウエハチャック601上のウエハ2の平面矯正能力
を増加させることも可能である。
・アンド・リピート動作による液体23の流動の影響を
防止するため、各ショット毎にステップ移動後に遅延時
間をとるか、あるいは屈折率測定器803で流動状態を
測定し、流動が停止した時点でシーケンスを継続させる
ようにすれば良い。また、加圧した液体23の圧力によ
ってウエハチャック601上のウエハ2の平面矯正能力
を増加させることも可能である。
【0041】露光終了後は、循環ポンプ20を動作さ
せ、カセット9内部の液体23を排出し、ウエハチャッ
ク601内のシャッタを閉じてから、上述と同様にして
カセット9をウエハストッカ10に収納することによ
り、ウエハ1枚の露光処理を終了する。
せ、カセット9内部の液体23を排出し、ウエハチャッ
ク601内のシャッタを閉じてから、上述と同様にして
カセット9をウエハストッカ10に収納することによ
り、ウエハ1枚の露光処理を終了する。
【0042】実施例5 図9は本発明の第5の実施例に係る、液侵処理装置を露
光装置に付加するための構成を示す模式図である。この
構成は、図6や図7に示すようなウエハチャック内蔵型
のカセットを使用する場合に適用される。図4のものと
異なるのは、カセットハンド31の代わりにカセット9
の開閉機構をも有するカセットハンド901を用い、ウ
エハチャック112の代わりに、カセットチャック90
3を備え、ハンド34はウエハをカセットチャック90
3上のカセット9内に入れるように構成されているとい
う点である。
光装置に付加するための構成を示す模式図である。この
構成は、図6や図7に示すようなウエハチャック内蔵型
のカセットを使用する場合に適用される。図4のものと
異なるのは、カセットハンド31の代わりにカセット9
の開閉機構をも有するカセットハンド901を用い、ウ
エハチャック112の代わりに、カセットチャック90
3を備え、ハンド34はウエハをカセットチャック90
3上のカセット9内に入れるように構成されているとい
う点である。
【0043】この構成において、液侵を行うには、ま
ず、カセットストッカ10からカセットハンド901で
空のカセット9を取り出し、カセットチャック903上
にセットする。この状態で、図8で説明したと同様に各
種配管と各種センサが結合される。これと同時に、カセ
ットハンド901のカセット開閉機構によりカセット9
を開き、ウエハストッカ28から感光剤を塗布したウエ
ハ2をハンド29で取り出し、ウエハ粗位置決め機構3
0上に載せ、粗位置決めを行う。粗位置決めされたウエ
ハ2をハンド34でカセット9内のウエハチャック上に
位置決めし、真空吸着する。次に、カセットハンド90
1でカセット9を閉じ、ロックしてから、カセット9を
カセットステーション32ごと斜めに傾けあるいは垂直
に立てる。次に、上述と同様にして、液体23をカセッ
ト9内に送り込み、液体23中の空気の除去を行ない、
そして加圧する。所定の圧力に達したら循環ポンプを停
止してカセット9内に組み込んである各配管のバルブを
閉じる。そしてカセットステーション32を水平に戻
し、液侵の完了したカセット9をカセットハンド901
でカセットストッカ10に収納する。
ず、カセットストッカ10からカセットハンド901で
空のカセット9を取り出し、カセットチャック903上
にセットする。この状態で、図8で説明したと同様に各
種配管と各種センサが結合される。これと同時に、カセ
ットハンド901のカセット開閉機構によりカセット9
を開き、ウエハストッカ28から感光剤を塗布したウエ
ハ2をハンド29で取り出し、ウエハ粗位置決め機構3
0上に載せ、粗位置決めを行う。粗位置決めされたウエ
ハ2をハンド34でカセット9内のウエハチャック上に
位置決めし、真空吸着する。次に、カセットハンド90
1でカセット9を閉じ、ロックしてから、カセット9を
カセットステーション32ごと斜めに傾けあるいは垂直
に立てる。次に、上述と同様にして、液体23をカセッ
ト9内に送り込み、液体23中の空気の除去を行ない、
そして加圧する。所定の圧力に達したら循環ポンプを停
止してカセット9内に組み込んである各配管のバルブを
閉じる。そしてカセットステーション32を水平に戻
し、液侵の完了したカセット9をカセットハンド901
でカセットストッカ10に収納する。
【0044】この場合も、図4で説明したのと同様にし
て図1の露光装置に組み込むことができる。また、露光
後の後処理は、図5での説明と同様にして行うことがで
きる。
て図1の露光装置に組み込むことができる。また、露光
後の後処理は、図5での説明と同様にして行うことがで
きる。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、液
侵の作用を従来の露光装置に対し、極めて容易に導入す
ることができ、したがって、g線、i線、あるいはエキ
シマレーザ等の使用する露光光源の波長に関わらずどの
波長でもそれぞれの波長に応じた解像度向上および焦点
深度の向上の効果を期待できる低コストでかつ生産性の
高い露光装置、さらには従来のプロセス技術を生かせる
露光装置を提供することができる。
侵の作用を従来の露光装置に対し、極めて容易に導入す
ることができ、したがって、g線、i線、あるいはエキ
シマレーザ等の使用する露光光源の波長に関わらずどの
波長でもそれぞれの波長に応じた解像度向上および焦点
深度の向上の効果を期待できる低コストでかつ生産性の
高い露光装置、さらには従来のプロセス技術を生かせる
露光装置を提供することができる。
【図1】 本発明の第1の実施例に係る液侵式投影露光
装置の模式的な側面図である。
装置の模式的な側面図である。
【図2】 図1の装置に適用し得るカセット液浸処理装
置を示す模式的な断面図である。
置を示す模式的な断面図である。
【図3】 図1の装置で用いられる他のカセットを示す
断面図である。
断面図である。
【図4】 図2の液侵処理装置に用いられる搬送手段等
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図5】 図1の装置において露光処理が終了したカセ
ットの後処理を行うための構成を示す模式図である。
ットの後処理を行うための構成を示す模式図である。
【図6】 本発明の第2の実施例に係る液侵式投影露光
装置のカセットチャック部分を示す断面図である。
装置のカセットチャック部分を示す断面図である。
【図7】 本発明の第3の実施例に係る液侵式投影露光
装置のカセットチャック部分を示す断面図である。
装置のカセットチャック部分を示す断面図である。
【図8】 本発明の第4の実施例に係る液侵式投影露光
装置のカセットチャック部分を示す断面図である。
装置のカセットチャック部分を示す断面図である。
【図9】 本発明の第5の実施例に係る、液侵処理装置
を露光装置に付加するための構成を示す模式図である。
を露光装置に付加するための構成を示す模式図である。
【図10】 液浸の効果を説明するための模式図であ
る。
る。
1:レチクル、3:照明光学系、4:投影光学系、5:
レチクルステージ、6:アライメント光学系、7:光学
素子、8:シール、9:カセット、10:カセットスト
ッカ、11−1:カセット搬送装置、11−2:カセッ
ト位置粗検出機構、11−3:ハンド、11−4:搬出
ハンド、12:ウエハチャック、13:XYステージ、
14:微動ステージ、15:レーザ干渉計、16:参照
ミラー、17:断熱材、18:温度計、19:温度計コ
ントローラ、20:循環ポンプ、21:フィルタ、2
2:超音波加振装置、23:液体、24:真空ポンプ、
25,807:バルブ、26:金具、27:圧力計、2
8ウエハストッカ、29:ウエハ搬入ハンド、30:ウ
エハ粗位置決め装置、31,35:カセット搬出ハン
ド、32:カセットステーション、33:機構、34:
ウエハ移動ハンド、36:処理ステーション、38:ハ
ンド、601:ウエハチャック、612,903:カセ
ットチャック、631:開閉機構、801:液面ゲー
ジ、803:屈折率測定器、805:コネクタ、90
1:カセットハンド。
レチクルステージ、6:アライメント光学系、7:光学
素子、8:シール、9:カセット、10:カセットスト
ッカ、11−1:カセット搬送装置、11−2:カセッ
ト位置粗検出機構、11−3:ハンド、11−4:搬出
ハンド、12:ウエハチャック、13:XYステージ、
14:微動ステージ、15:レーザ干渉計、16:参照
ミラー、17:断熱材、18:温度計、19:温度計コ
ントローラ、20:循環ポンプ、21:フィルタ、2
2:超音波加振装置、23:液体、24:真空ポンプ、
25,807:バルブ、26:金具、27:圧力計、2
8ウエハストッカ、29:ウエハ搬入ハンド、30:ウ
エハ粗位置決め装置、31,35:カセット搬出ハン
ド、32:カセットステーション、33:機構、34:
ウエハ移動ハンド、36:処理ステーション、38:ハ
ンド、601:ウエハチャック、612,903:カセ
ットチャック、631:開閉機構、801:液面ゲー
ジ、803:屈折率測定器、805:コネクタ、90
1:カセットハンド。
Claims (31)
- 【請求項1】 原版のパターンを照明する照明手段、基
板を保持する保持手段、および照明手段によって照明さ
れる原版のパターン像をこの保持手段によって保持され
た基板上に投影する投影光学系を備えた投影露光装置に
おいて、投影光学系の基板表面に対向する光学素子を、
投影光学系本体とは分離しており、かつ相互に平行な2
つの表面を有する平板状素子とし、この平板状素子とこ
れに対向する基板との間に液体を充填するための閉空間
を構成する容器を具備し、平板状素子はこの容器の上部
を構成していることを特徴とする液侵式投影露光装置。 - 【請求項2】 投影光学系による投影像に対する原版の
水平方向の位置関係を検出するアライメント計測系、投
影光学系のフォーカス位置と原版の上下方向の位置との
位置関係を検出するフォーカス位置検出系、および、こ
れら検出系の検出結果に基き原版上のパターンを前記投
影像に合致させるために保持手段をX、Y、θおよびZ
方向に移動させならびに傾ける手段を備えることを特徴
とする請求項1記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項3】 前記容器を保持手段上に搬入しおよび搬
出する搬送手段を備えることを特徴とする請求項1記載
の液侵式投影露光装置。 - 【請求項4】 前記閉空間への液体の充填を前記保持手
段上で行う手段を有することを特徴とする請求項3記載
の液侵式投影露光装置。 - 【請求項5】 前記閉空間への液体の充填を前記保持手
段上とは異なる位置において行う手段を有することを特
徴とする請求項3記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項6】 原版は前記容器の底部を構成すること特
徴とする請求項3記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項7】 保持手段は、原版を直接保持する部分が
分離しており、この部分は前記容器の底部を構成してお
り、かつ保持手段の他の部分はこの容器を保持するもの
であることを特徴とする請求項1記載の液侵式投影露光
装置。 - 【請求項8】 原版は前記容器から着脱可能であること
を特徴とする請求項6記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項9】 前記容器はそれが構成する前記閉空間を
陽圧または負圧にし得る構造を有することを特徴とする
請求項1〜8記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項10】 前記容器の一部が低熱膨張材料で構成
されていることを特徴とする請求項1〜8記載の液侵式
投影露光装置。 - 【請求項11】 前記容器の外壁の一部が断熱材で覆わ
れていることを特徴とする請求項1〜8記載の液侵式投
影露光装置。 - 【請求項12】 前記アライメント検出系は測長用の参
照ミラーを有し、前記容器の外壁面のうち少なくとも隣
接する2面が相互に直交しており、また、この2面が、
原版の表面に対してほぼ垂直になっており、前記参照ミ
ラーを構成していることを特徴とする請求項2記載の液
侵式投影露光装置。 - 【請求項13】 前記平板状素子は前記容器から着脱可
能であることを特徴とする請求項1〜8記載の液侵式投
影露光装置。 - 【請求項14】 前記容器は、前記閉空間内に液体を注
入しおよび排出するためのバルブ付きの配管を備えるこ
とを特徴とする請求項1〜8記載の液侵式投影露光装
置。 - 【請求項15】 前記容器は、前記保持手段上に配置す
る際の基準マークを有することを特徴とする請求項1〜
8記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項16】 前記充填された液体の圧力を検出する
ための圧力計を有することを特徴とする請求項1〜8記
載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項17】 前記充填された液体の圧力を制御する
手段を有することを特徴とする請求項1〜8記載の液侵
式投影露光装置。 - 【請求項18】 前記充填された液体の圧力を負圧にす
るための真空ポンプを有することを特徴とする請求項1
〜8記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項19】 前記充填された液体の温度を計測する
ための温度計を有することを特徴とする請求項1〜8記
載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項20】 前記充填された液体の温度を制御する
手段を有することを特徴とする請求項1〜8記載の液侵
式投影露光装。 - 【請求項21】 前記充填された液体を超音波加振する
手段を有することを特徴とする請求項1〜8記載の液侵
式投影露光装。 - 【請求項22】 前記閉空間内に液体を流入させおよび
排出させるためのポンプを有することを特徴とする請求
項1〜8記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項23】 前記ポンプに前記液体をろ過させるろ
過装置が接続されていることを特徴とする請求項22記
載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項24】 前記容器を斜めもしくは垂直にする手
段を有し、前記閉空間に液体を注入する際には、これに
より前記容器を斜めもしくは垂直にし、下方から注入を
行うことを特徴とする請求項1〜8記載の液侵式投影露
光装置。 - 【請求項25】 前記閉空間への液体の充填は、露光と
は無関係のタイミングで行われることを特徴とする請求
項5記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項26】 前記容器は、基板をその内部に配置し
およびその内部から取り出し得るように、開閉可能であ
ることを特徴とする請求項1〜8記載の液侵式投影露光
装置。 - 【請求項27】 前記保持手段は原版を真空吸引により
保持するための管路を有し、この管路を介して液体が流
入するのを防止する開閉可能なシャッタを有することを
特徴とする請求項7記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項28】 前記容器内に露光に際しての照度むら
を測定する照度むら測定器を備えることを特徴とする請
求項1〜8記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項29】 前記容器は前記保持手段の他の部分に
位置決めする際の基準となる部材を有することを特徴と
する請求項7記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項30】 前記容器に対する必要な電気的接続お
よび空圧あるいは真空的な連通を行う手段を有すること
を特徴とする請求項1〜8記載の液侵式投影露光装置。 - 【請求項31】 前記充填された液体の屈折率を測定す
る手段を有することを特徴とする請求項1〜8記載の液
侵式投影露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4339510A JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 液浸式投影露光装置 |
| DE69321571T DE69321571T2 (de) | 1992-11-27 | 1993-11-26 | Projektionsvorrichtung zur Tauchbelichtung |
| EP93309460A EP0605103B1 (en) | 1992-11-27 | 1993-11-26 | Projection apparatus for immersed exposure |
| US08/464,062 US5610683A (en) | 1992-11-27 | 1995-06-05 | Immersion type projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4339510A JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 液浸式投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168866A true JPH06168866A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2753930B2 JP2753930B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=18328165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4339510A Expired - Fee Related JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 液浸式投影露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5610683A (ja) |
| EP (1) | EP0605103B1 (ja) |
| JP (1) | JP2753930B2 (ja) |
| DE (1) | DE69321571T2 (ja) |
Cited By (127)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004053957A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| WO2004053951A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
| WO2004053952A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004053953A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004053950A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004053958A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004053954A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004053956A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2004207711A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2004207710A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2004079800A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
| WO2004081999A1 (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Nikon Corporation | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004105106A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
| WO2005006417A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005006416A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2005031820A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
| WO2005031824A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP2005101488A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2005101487A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| WO2005036622A1 (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2005036623A1 (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2005036621A1 (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2005036624A1 (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2005116571A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005038888A1 (ja) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
| WO2005048328A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2005057636A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| WO2005059977A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| JP2005183416A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Tadahiro Omi | 露光方法、及び液浸型露光装置 |
| WO2005067013A1 (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2005067011A1 (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Tokyo Electron Limited | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
| WO2005071717A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005076321A1 (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005076322A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Yoshihiko Okamoto | 露光装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2005078777A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| JP2005268747A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2005286286A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
| JP2005294838A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2005333134A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005124835A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2006013806A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2006041086A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2006140459A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2006148092A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 浸漬リソグラフィのための方法及び装置 |
| JP2006148133A (ja) * | 2004-11-23 | 2006-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | メガソニック超音波リンスを使用するイマージョン式フォトリソグラフィ |
| JP2006190971A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2006196575A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Jsr Corp | 液浸型露光方法によるレジストパターン形成方法 |
| JP2006528835A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法 |
| JP2007502539A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 浸漬リソグラフィシステムの監視・制御方法及び装置 |
| JP2007504646A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を乾燥させる方法とシステム。 |
| WO2007023813A1 (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007046415A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法 |
| JP2007142460A (ja) * | 2002-11-12 | 2007-06-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置 |
| KR100728844B1 (ko) * | 2004-08-27 | 2007-06-14 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 이머션 리소그래피 시스템 내 이동에 의한 교란을감소시키기 위한 시스템 및 방법 |
| KR100733124B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2007-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 |
| JP2007519238A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| JP2007208279A (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置 |
| JP2007235179A (ja) * | 2003-06-09 | 2007-09-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JPWO2005031823A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2007-11-15 | 株式会社ニコン | 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2008010892A (ja) * | 2003-06-11 | 2008-01-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US7345737B2 (en) | 2003-09-09 | 2008-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus having a projection optical system in which a projection gap is filled with liquid |
| JPWO2006006565A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2008-04-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7379162B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-holding technique |
| US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008172214A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-07-24 | Asml Netherlands Bv | 基板支持体およびリソグラフィプロセス |
| JPWO2006080250A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2008-08-07 | Jsr株式会社 | 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法 |
| JP2008227547A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
| JP2008543034A (ja) * | 2005-05-23 | 2008-11-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100444315C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-12-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
| JP2009033201A (ja) * | 2004-04-14 | 2009-02-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
| US7501220B2 (en) * | 2003-01-31 | 2009-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
| JP2009071316A (ja) * | 2003-10-15 | 2009-04-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US7522258B2 (en) | 2005-06-29 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination |
| JP2009088552A (ja) * | 2004-02-09 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
| JP2009302585A (ja) * | 2009-09-28 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
| US7700268B2 (en) | 2003-12-17 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Exposure system and pattern formation method using the same |
| JP2010093298A (ja) * | 2003-04-11 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| JP2010153933A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-07-08 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7771918B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| JP2010199615A (ja) * | 2003-05-28 | 2010-09-09 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2010283405A (ja) * | 2004-04-19 | 2010-12-16 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2011049607A (ja) * | 2003-07-09 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2011066458A (ja) * | 2003-06-19 | 2011-03-31 | Asml Holding Nv | 浸漬フォトリソグラフィシステム |
| US7948604B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| JP2012124540A (ja) * | 2005-12-30 | 2012-06-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| JP2012134558A (ja) * | 2004-06-09 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2012134512A (ja) * | 2004-06-21 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
| JP2012151493A (ja) * | 2003-07-28 | 2012-08-09 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| JP2012169641A (ja) * | 2003-04-11 | 2012-09-06 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
| US8344341B2 (en) | 2002-11-12 | 2013-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8446568B2 (en) | 2002-11-12 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| KR20130138862A (ko) * | 2004-02-04 | 2013-12-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2014017533A (ja) * | 2003-07-09 | 2014-01-30 | Nikon Corp | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
| KR101371917B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2014-03-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| KR101381538B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101380989B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2014103408A (ja) * | 2003-08-21 | 2014-06-05 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
| JP2014132666A (ja) * | 2004-03-25 | 2014-07-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101442448B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
| TWI474380B (zh) * | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| KR101529844B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2015-06-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| KR20150112038A (ko) * | 2004-11-18 | 2015-10-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 계측 방법, 위치 제어 방법, 계측 방법, 로딩 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2016001314A (ja) * | 2003-09-29 | 2016-01-07 | 株式会社ニコン | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US9256136B2 (en) | 2010-04-22 | 2016-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method involving gas supply |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| JP2016177322A (ja) * | 2003-11-14 | 2016-10-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および装置製造方法 |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2017037350A (ja) * | 2003-04-10 | 2017-02-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2017054130A (ja) * | 2003-07-16 | 2017-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置 |
| US9632431B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-04-25 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US9639006B2 (en) | 2003-07-28 | 2017-05-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9684250B2 (en) | 2003-12-23 | 2017-06-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2023512911A (ja) * | 2020-02-06 | 2023-03-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法及びリソグラフィ装置 |
Families Citing this family (390)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6405610B1 (en) * | 1995-11-14 | 2002-06-18 | Nikon Corporation | Wafer inspection apparatus |
| US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| US6239861B1 (en) * | 1996-11-19 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | Exposure method and scanning type exposure apparatus |
| US6714278B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-03-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JPH10209040A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 露光装置 |
| IL130137A (en) | 1996-11-28 | 2003-07-06 | Nikon Corp | Exposure apparatus and an exposure method |
| US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
| US6071748A (en) * | 1997-07-16 | 2000-06-06 | Ljl Biosystems, Inc. | Light detection device |
| US6982431B2 (en) * | 1998-08-31 | 2006-01-03 | Molecular Devices Corporation | Sample analysis systems |
| KR20010030903A (ko) * | 1997-11-12 | 2001-04-16 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
| US6511914B2 (en) * | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
| US6356337B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-03-12 | Anvik Corporation | Two-sided substrate imaging using single-approach projection optics |
| TW559855B (en) * | 2000-09-06 | 2003-11-01 | Olympus Optical Co | Wafer transfer apparatus |
| US20020170887A1 (en) * | 2001-03-01 | 2002-11-21 | Konica Corporation | Optical element producing method, base material drawing method and base material drawing apparatus |
| DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
| EP1532489A2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-05-25 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
| US20040167663A1 (en) * | 2002-11-11 | 2004-08-26 | Hiatt William M. | Handling system for use with programmable material consolidation systems and associated methods |
| DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| EP2495613B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| EP1429188B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
| CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
| EP1420302A1 (en) * | 2002-11-18 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1424599B1 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE60319658T2 (de) * | 2002-11-29 | 2009-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| WO2004053959A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
| US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| DE10257766A1 (de) * | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| AU2003295177A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| DE10261775A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
| US7130037B1 (en) | 2003-01-09 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspecting wafers and reticles with increased resolution |
| EP1610361B1 (en) | 2003-03-25 | 2014-05-21 | Nikon Corporation | Exposure system and device production method |
| AU2003219097A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Device for the low-deformation replaceable mounting of an optical element |
| WO2004090956A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR20110104084A (ko) * | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
| EP2950148B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-09-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| WO2004090633A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
| EP3352010A1 (en) * | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
| JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
| JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
| KR101516142B1 (ko) | 2003-05-06 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
| US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP4025683B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
| JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10324477A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
| EP1489461A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP3104396B1 (en) | 2003-06-13 | 2018-03-21 | Nikon Corporation | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
| JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1494079B1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus |
| EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE60308161T2 (de) * | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
| US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
| DE60321779D1 (de) * | 2003-06-30 | 2008-08-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
| EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7236232B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
| EP1652003B1 (en) * | 2003-07-08 | 2015-01-07 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
| CN101576717B (zh) * | 2003-07-09 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
| CN101470361A (zh) * | 2003-07-09 | 2009-07-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
| EP1498781B1 (en) * | 2003-07-16 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060285091A1 (en) * | 2003-07-21 | 2006-12-21 | Parekh Bipin S | Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application |
| EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1650787A4 (en) * | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
| US7006209B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
| CN101436002B (zh) * | 2003-07-28 | 2011-07-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法 |
| US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
| US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7370659B2 (en) | 2003-08-06 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
| US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| SG109614A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-03-30 | Taiwan Semiconductor Mfg | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
| US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
| US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
| KR101171809B1 (ko) | 2003-08-26 | 2012-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 및 노광장치 |
| US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
| EP1659620A4 (en) * | 2003-08-29 | 2008-01-30 | Nikon Corp | LIQUID RESTORING DEVICE, EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2261740B1 (en) * | 2003-08-29 | 2014-07-09 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
| US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
| TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
| KR101162527B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2012-07-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2005083800A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP4444920B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7713841B2 (en) * | 2003-09-19 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for thinning semiconductor substrates that employ support structures formed on the substrates |
| US20050064679A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Farnworth Warren M. | Consolidatable composite materials, articles of manufacture formed therefrom, and fabrication methods |
| US20050064683A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Farnworth Warren M. | Method and apparatus for supporting wafers for die singulation and subsequent handling |
| WO2005031465A2 (de) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Infineon Technologies Ag | Immersions-lithographie-verfahren und vorrichtung zum belichten eines substrats |
| US7158211B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101441840B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
| JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
| EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7751129B2 (en) | 2003-10-22 | 2010-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
| US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2267537B1 (en) * | 2003-10-28 | 2017-09-13 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
| JP4605014B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
| CN100461336C (zh) * | 2003-10-31 | 2009-02-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
| JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| US7113259B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
| EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| JP2007511778A (ja) * | 2003-11-18 | 2007-05-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 位置決め装置及び方法 |
| US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
| US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
| US7245357B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
| US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
| US8067147B2 (en) * | 2003-12-23 | 2011-11-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Removable pellicle for immersion lithography |
| US7324274B2 (en) * | 2003-12-24 | 2008-01-29 | Nikon Corporation | Microscope and immersion objective lens |
| US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
| JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
| US20070058146A1 (en) * | 2004-02-04 | 2007-03-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device |
| JP4548341B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
| WO2005081291A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
| CN100524616C (zh) * | 2004-02-19 | 2009-08-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 |
| JP5076497B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP4974049B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-07-11 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US20050186513A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-08-25 | Martin Letz | Liquid and method for liquid immersion lithography |
| US7741012B1 (en) | 2004-03-01 | 2010-06-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for removal of immersion lithography medium in immersion lithography processes |
| US7215431B2 (en) * | 2004-03-04 | 2007-05-08 | Therma-Wave, Inc. | Systems and methods for immersion metrology |
| US8488102B2 (en) * | 2004-03-18 | 2013-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| JP4671051B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2011-04-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
| JPWO2005096354A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-02-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに面形状検出装置 |
| JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
| US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050231695A1 (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for immersion lithography using high PH immersion fluid |
| KR100557222B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2006-03-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 |
| US7244665B2 (en) * | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
| US7379159B2 (en) * | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070103661A1 (en) * | 2004-06-04 | 2007-05-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| KR101264936B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2013-05-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
| US20080192226A1 (en) * | 2004-06-07 | 2008-08-14 | Nikon Corporation | Stage Unit, Exposure Apparatus, and Exposure Method |
| KR101323967B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2013-10-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트 |
| US20070222959A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP3067749B1 (en) | 2004-06-10 | 2017-10-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP4543767B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101178755B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2012-08-31 | 가부시키가이샤 니콘 엔지니어링 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US20070139628A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8508713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8717533B2 (en) * | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8373843B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
| EP1756663B1 (en) * | 2004-06-17 | 2015-12-16 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
| US8698998B2 (en) * | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
| US7517639B2 (en) * | 2004-06-23 | 2009-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Seal ring arrangements for immersion lithography systems |
| US7738193B2 (en) | 2004-06-29 | 2010-06-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Positioning unit and alignment device for an optical element |
| US8654308B2 (en) * | 2004-07-12 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Method for determining exposure condition, exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device |
| US20070268470A1 (en) * | 2004-07-16 | 2007-11-22 | Nikon Corporation | Support Method and Support Structure of Optical Member, Optical Unit, Exposure Apparatus, and Device Manufacturing Method |
| US7161663B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| CN101002127B (zh) * | 2004-08-03 | 2012-07-04 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、曝光装置以及曝光方法 |
| US7224427B2 (en) * | 2004-08-03 | 2007-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method |
| TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
| US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20070048164A (ko) * | 2004-08-18 | 2007-05-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060046211A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Effectively water-free immersion lithography |
| JP4772306B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
| JP2006080143A (ja) | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
| SG188914A1 (en) * | 2004-09-17 | 2013-04-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
| EP1804279A4 (en) * | 2004-09-17 | 2008-04-09 | Nikon Corp | SUBSTRATE FOR EXPOSURE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| KR101106496B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2012-01-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7133114B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060060653A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Carl Wittenberg | Scanner system and method for simultaneously acquiring data images from multiple object planes |
| US7522261B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7355674B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
| US7894040B2 (en) | 2004-10-05 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7209213B2 (en) * | 2004-10-07 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20090213357A1 (en) * | 2004-10-08 | 2009-08-27 | Dai Arai | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| CN100477083C (zh) * | 2004-10-13 | 2009-04-08 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
| EP1806772B1 (en) * | 2004-10-15 | 2014-08-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102004050642B4 (de) * | 2004-10-18 | 2007-04-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Überwachung von Parametern eines Belichtungsgerätes für die Immersionslithographie und Belichtungsgerät für die Immersionslithographie |
| US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101285951B1 (ko) * | 2004-10-26 | 2013-07-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
| CN100533662C (zh) | 2004-11-01 | 2009-08-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
| JP2006310724A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5008280B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TW200636816A (en) | 2004-11-11 | 2006-10-16 | Nikon Corp | Exposure method, device manufacturing method and substrate |
| US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7251013B2 (en) | 2004-11-12 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7414699B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7411657B2 (en) * | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101191056B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2012-10-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7145630B2 (en) * | 2004-11-23 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7623218B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-11-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing a miniaturized device |
| EP1840943A4 (en) * | 2004-11-25 | 2010-04-21 | Nikon Corp | MOBILE BODY SYSTEM, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
| US7289193B1 (en) * | 2004-12-01 | 2007-10-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Frame structure for turbulence control in immersion lithography |
| US20080192222A1 (en) * | 2004-12-02 | 2008-08-14 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method |
| US7256121B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
| US7161654B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20080106718A1 (en) * | 2004-12-02 | 2008-05-08 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
| CN100485865C (zh) * | 2004-12-02 | 2009-05-06 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
| US20060122038A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Tsai Lien Chou Lin | Folding and inclination adjustable device for treadmills |
| US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP5154007B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP4926433B2 (ja) | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
| EP1821337B1 (en) * | 2004-12-06 | 2016-05-11 | Nikon Corporation | Maintenance method |
| KR20070100865A (ko) * | 2004-12-06 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
| US7248334B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Sensor shield |
| KR20070100864A (ko) * | 2004-12-07 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4752473B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| EP3428724A1 (en) * | 2004-12-15 | 2019-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7491661B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
| US20060147821A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7450217B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| CN1804724A (zh) * | 2005-01-14 | 2006-07-19 | 朱晓 | 芯片光刻制程中油浸式曝光方法 |
| SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TW200629008A (en) * | 2005-01-18 | 2006-08-16 | Nikon Corp | Liquid removing apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2006080427A1 (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| WO2006080516A1 (ja) | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN101128775B (zh) * | 2005-02-10 | 2012-07-25 | Asml荷兰有限公司 | 浸没液体、曝光装置及曝光方法 |
| US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
| US7224431B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7378025B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8018573B2 (en) * | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006270057A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置 |
| US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
| US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
| US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
| JP2006261606A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8638422B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-01-28 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, method for producing device, and method for evaluating exposure apparatus |
| JP4844186B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-12-28 | 株式会社ニコン | プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
| US9239524B2 (en) * | 2005-03-30 | 2016-01-19 | Nikon Corporation | Exposure condition determination method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method involving detection of the situation of a liquid immersion region |
| WO2006106833A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US20090047607A1 (en) * | 2005-03-31 | 2009-02-19 | Hiroyuki Nagasaka | Exposure method, exposure apparatus and device fabricating methods |
| TW200644079A (en) * | 2005-03-31 | 2006-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
| US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7291850B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2006112436A1 (ja) | 2005-04-18 | 2006-10-26 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
| EP1876635A4 (en) * | 2005-04-25 | 2010-06-30 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE DEVICE |
| CN101156226B (zh) * | 2005-04-27 | 2012-03-14 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法 |
| EP1876636A1 (en) * | 2005-04-28 | 2008-01-09 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device producing method |
| KR101479392B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2015-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060250588A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
| US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006319064A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Canon Inc | 測定装置、露光方法及び装置 |
| JP4718893B2 (ja) | 2005-05-13 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| US7265815B2 (en) * | 2005-05-19 | 2007-09-04 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an illumination beam adjusting system |
| KR100638107B1 (ko) * | 2005-06-09 | 2006-10-24 | 연세대학교 산학협력단 | 이머젼 박막층을 구비하는 광변조 미세개구 어레이 장치 및이를 이용한 고속 미세패턴 기록시스템 |
| WO2006133800A1 (en) | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same |
| US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070085989A1 (en) * | 2005-06-21 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method |
| US7924416B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US20090033896A1 (en) * | 2005-06-28 | 2009-02-05 | Hiroyuki Nagasaka | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US7834974B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20080204682A1 (en) * | 2005-06-28 | 2008-08-28 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US20090033890A1 (en) * | 2005-06-29 | 2009-02-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, substrate processing method, and device producing method |
| JP2007012375A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toyota Motor Corp | 燃料電池、燃料電池用電極触媒層の製造方法、及び燃料電池の運転方法 |
| US20070004182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
| JP5194792B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7583358B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
| US7535644B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US8054445B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8070145B2 (en) * | 2005-08-26 | 2011-12-06 | Nikon Corporation | Holding unit, assembly system, sputtering unit, and processing method and processing unit |
| JP5007949B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-08-22 | 株式会社ニコン | 保持装置、組立てシステム、並びに加工方法及び加工装置 |
| US7456928B2 (en) * | 2005-08-29 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography |
| US7812926B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-10-12 | Nikon Corporation | Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice |
| US8111374B2 (en) * | 2005-09-09 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Analysis method, exposure method, and device manufacturing method |
| KR101388345B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2014-04-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| JP2009508327A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学撮像特性設定方法および投影露光装置 |
| US20070070323A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
| US8202460B2 (en) * | 2005-09-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Microelectronic substrate having removable edge extension element |
| US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
| JP4761907B2 (ja) | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP4804950B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-11-02 | 東京応化工業株式会社 | 有機膜の液浸リソグラフィ溶解成分測定方法 |
| US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007109741A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
| US20070127135A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US20070127002A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7656501B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7864292B2 (en) * | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7803516B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-09-28 | Nikon Corporation | Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus |
| US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7773195B2 (en) * | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
| US8125610B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
| US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
| KR100768849B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법 |
| US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
| US7839483B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
| US7242454B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and apparatus and method for measuring an object position in a medium |
| US8411271B2 (en) * | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
| US8472004B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
| TWI605491B (zh) | 2006-01-19 | 2017-11-11 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法 |
| US7848516B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-12-07 | Chiou-Haun Lee | Diffused symmetric encryption/decryption method with asymmetric keys |
| US7714980B2 (en) * | 2006-02-15 | 2010-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and exposure system |
| US8134681B2 (en) * | 2006-02-17 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
| SG178816A1 (en) | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
| KR101495471B1 (ko) | 2006-02-21 | 2015-02-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101346581B1 (ko) | 2006-02-21 | 2014-01-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US7893047B2 (en) * | 2006-03-03 | 2011-02-22 | Arch Chemicals, Inc. | Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives |
| WO2007105645A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nikon Corporation | 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
| US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102006021797A1 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
| CN101438385B (zh) * | 2006-05-10 | 2011-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光装置及元件制造方法 |
| US7602471B2 (en) * | 2006-05-17 | 2009-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for particle monitoring in immersion lithography |
| US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
| WO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
| JP5151981B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP3418807A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-12-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| TWI655517B (zh) | 2006-08-31 | 2019-04-01 | 日商尼康股份有限公司 | Exposure apparatus and method, and component manufacturing method |
| KR101634893B1 (ko) | 2006-08-31 | 2016-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| TWI434326B (zh) | 2006-09-01 | 2014-04-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method |
| TWI623825B (zh) | 2006-09-01 | 2018-05-11 | Nikon Corporation | 曝光裝置及方法、以及元件製造方法 |
| US7826030B2 (en) * | 2006-09-07 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
| US8253922B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
| US8208116B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
| JP5055971B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
| US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
| US8040490B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8013975B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-09-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US20080156356A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
| US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7791709B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
| US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
| US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
| US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
| US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
| US7900641B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
| US7866330B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
| WO2008146819A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
| US8164736B2 (en) * | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US20080304025A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
| DE102007028115B4 (de) * | 2007-06-19 | 2015-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Bestimmung einer für eine Myokardablation bei einem Patienten optimalen Leistung eines Ablationskatheters sowie zugehörige medizinische Einrichtungen |
| US20080316461A1 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9013682B2 (en) * | 2007-06-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Clamping device and object loading method |
| US8446566B2 (en) * | 2007-09-04 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100871749B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2008-12-05 | 주식회사 동부하이텍 | 이머전 리소그라피 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| US20090086187A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-02 | Asml Netherlands | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method |
| US8681308B2 (en) * | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
| CN101815969B (zh) * | 2007-10-02 | 2013-07-17 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的投射物镜 |
| JP4950101B2 (ja) | 2008-03-05 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | フォトレジスト層を有するワークの加工方法 |
| KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
| JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
| NL2003363A (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP2011009309A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Canon Inc | 露光システム、露光装置の制御装置およびデバイス製造方法 |
| NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US8946514B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection |
| NL2005874A (en) * | 2010-01-22 | 2011-07-25 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| JP6362312B2 (ja) | 2013-09-09 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
| DE102018221670A1 (de) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | Karlsruher Institut für Technologie | Vorrichtung und Verfahren zur optischen Charakterisierung oder Bearbeitung eines Objekts |
| EP4062233A1 (en) * | 2019-11-18 | 2022-09-28 | ASML Netherlands B.V. | A fluid handling system, method and lithographic apparatus |
| US12287580B2 (en) * | 2020-07-14 | 2025-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling system, method and lithographic apparatus |
| CN117377911A (zh) * | 2021-04-09 | 2024-01-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法、平板显示器的制造方法及曝光方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4131363A (en) * | 1977-12-05 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle cover for projection printing system |
| ATE1462T1 (de) * | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
| US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
| JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| JPS60158626A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| DE3584798D1 (de) * | 1984-07-17 | 1992-01-16 | Nec Corp | Anreizverfahren und vorrichtung fuer photochemische reaktionen. |
| JPS6197924A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 保護カバ− |
| US4742376A (en) * | 1985-01-14 | 1988-05-03 | Phillips Edward H | Step-and-repeat alignment and exposure system |
| JPS61278141A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-09 | Canon Inc | 投影倍率調整方法 |
| US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
| JP5428716B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-02-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 方向性結合器 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4339510A patent/JP2753930B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-26 EP EP93309460A patent/EP0605103B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-26 DE DE69321571T patent/DE69321571T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-05 US US08/464,062 patent/US5610683A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (380)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10962891B2 (en) | 2002-11-12 | 2021-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2010135857A (ja) * | 2002-11-12 | 2010-06-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US9588442B2 (en) | 2002-11-12 | 2017-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7593093B2 (en) | 2002-11-12 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2010212713A (ja) * | 2002-11-12 | 2010-09-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9740107B2 (en) | 2002-11-12 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9366972B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9360765B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-06-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9885965B2 (en) | 2002-11-12 | 2018-02-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7388648B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
| US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9195153B2 (en) | 2002-11-12 | 2015-11-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007208279A (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置 |
| JP2007142460A (ja) * | 2002-11-12 | 2007-06-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置 |
| JP2012119720A (ja) * | 2002-11-12 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置及び基板取り扱いシステム |
| US9097987B2 (en) | 2002-11-12 | 2015-08-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9091940B2 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method involving a fluid inlet and a fluid outlet |
| US9057967B2 (en) | 2002-11-12 | 2015-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10191389B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10222706B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8344341B2 (en) | 2002-11-12 | 2013-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10261428B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10620545B2 (en) | 2002-11-12 | 2020-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8446568B2 (en) | 2002-11-12 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10788755B2 (en) | 2002-11-12 | 2020-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100444315C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-12-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
| US8089611B2 (en) | 2002-12-10 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| WO2004053951A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
| US7639343B2 (en) | 2002-12-10 | 2009-12-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2004053952A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004053953A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7589820B2 (en) | 2002-12-10 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7589821B2 (en) | 2002-12-10 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2009105472A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 真空システム、液浸露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2009105471A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2009105473A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| WO2004053950A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2005101487A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| WO2004053958A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7515246B2 (en) | 2002-12-10 | 2009-04-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US7505111B2 (en) | 2002-12-10 | 2009-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2005101488A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2004053957A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| WO2004053954A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7466392B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-12-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US7460207B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-12-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7948604B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7446851B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-11-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2004053956A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| CN100429748C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
| US7436487B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7436486B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2004207711A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2004207710A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| KR101066084B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-09-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
| US7379158B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-05-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7501220B2 (en) * | 2003-01-31 | 2009-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
| US8198004B2 (en) | 2003-01-31 | 2012-06-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
| KR101381538B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR20150052334A (ko) * | 2003-02-26 | 2015-05-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2004079800A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
| WO2004081999A1 (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Nikon Corporation | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| JP2018041111A (ja) * | 2003-04-10 | 2018-03-15 | 株式会社ニコン | 液浸露光装置 |
| JP2017037350A (ja) * | 2003-04-10 | 2017-02-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| US9958786B2 (en) | 2003-04-11 | 2018-05-01 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer |
| JP2011171758A (ja) * | 2003-04-11 | 2011-09-01 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| JP2010093298A (ja) * | 2003-04-11 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| JP2013251573A (ja) * | 2003-04-11 | 2013-12-12 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| JP2012138624A (ja) * | 2003-04-11 | 2012-07-19 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| KR101225829B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법 |
| JP2017037333A (ja) * | 2003-04-11 | 2017-02-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| KR101508810B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2015-04-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
| JP2016053721A (ja) * | 2003-04-11 | 2016-04-14 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| JP2012169641A (ja) * | 2003-04-11 | 2012-09-06 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
| JP2018025818A (ja) * | 2003-04-11 | 2018-02-15 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学系の洗浄方法 |
| US9946163B2 (en) | 2003-04-11 | 2018-04-17 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| US9500960B2 (en) | 2003-04-11 | 2016-11-22 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| JP2014225703A (ja) * | 2003-04-11 | 2014-12-04 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
| JPWO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2006-07-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4552853B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101498439B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| TWI474380B (zh) * | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| KR101472249B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2014-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US9939739B2 (en) | 2003-05-23 | 2018-04-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US9933708B2 (en) | 2003-05-23 | 2018-04-03 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| KR101464098B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2014-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101411799B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2014-06-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR20170021924A (ko) * | 2003-05-23 | 2017-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101311564B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2013-09-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US7399979B2 (en) | 2003-05-23 | 2008-07-15 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US9977336B2 (en) | 2003-05-23 | 2018-05-22 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| WO2004105106A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
| KR20160009710A (ko) * | 2003-05-23 | 2016-01-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US10082739B2 (en) | 2003-05-28 | 2018-09-25 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| JP2010199615A (ja) * | 2003-05-28 | 2010-09-09 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2011018942A (ja) * | 2003-05-28 | 2011-01-27 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2012129558A (ja) * | 2003-05-28 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2011044725A (ja) * | 2003-05-28 | 2011-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US9488920B2 (en) | 2003-05-28 | 2016-11-08 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US10180629B2 (en) | 2003-06-09 | 2019-01-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9541843B2 (en) | 2003-06-09 | 2017-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a sensor detecting a radiation beam through liquid |
| US9152058B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a member and a fluid opening |
| JP2007235179A (ja) * | 2003-06-09 | 2007-09-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010161421A (ja) * | 2003-06-09 | 2010-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US10678139B2 (en) | 2003-06-09 | 2020-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9081299B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving removal of liquid entering a gap |
| JP2010239158A (ja) * | 2003-06-11 | 2010-10-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置 |
| US9964858B2 (en) | 2003-06-11 | 2018-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008010892A (ja) * | 2003-06-11 | 2008-01-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8730450B2 (en) | 2003-06-19 | 2014-05-20 | Asml Holdings N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| US9715178B2 (en) | 2003-06-19 | 2017-07-25 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| US9709899B2 (en) | 2003-06-19 | 2017-07-18 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| JP2011066458A (ja) * | 2003-06-19 | 2011-03-31 | Asml Holding Nv | 浸漬フォトリソグラフィシステム |
| KR101529844B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2015-06-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| US8817230B2 (en) | 2003-06-19 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| US9810995B2 (en) | 2003-06-19 | 2017-11-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US10191388B2 (en) | 2003-06-19 | 2019-01-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8670105B2 (en) | 2003-06-19 | 2014-03-11 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| US9551943B2 (en) | 2003-06-19 | 2017-01-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US10007188B2 (en) | 2003-06-19 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP4835155B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-12-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7433019B2 (en) | 2003-07-09 | 2008-10-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2011049607A (ja) * | 2003-07-09 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2014017533A (ja) * | 2003-07-09 | 2014-01-30 | Nikon Corp | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP4844123B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-12-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2005006417A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JPWO2005006417A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2006-08-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005006416A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JPWO2005006416A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2006-08-24 | 株式会社ニコン | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US9977352B2 (en) | 2003-07-09 | 2018-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2010219558A (ja) * | 2003-07-09 | 2010-09-30 | Nikon Corp | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2010263230A (ja) * | 2003-07-09 | 2010-11-18 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2017054130A (ja) * | 2003-07-16 | 2017-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置 |
| US10151989B2 (en) | 2003-07-16 | 2018-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2019045868A (ja) * | 2003-07-16 | 2019-03-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置 |
| US10656538B2 (en) | 2003-07-16 | 2020-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2018132771A (ja) * | 2003-07-16 | 2018-08-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置 |
| JP2006528835A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法 |
| US9639006B2 (en) | 2003-07-28 | 2017-05-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| JP2016170437A (ja) * | 2003-07-28 | 2016-09-23 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| US9760026B2 (en) | 2003-07-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
| JP2017194723A (ja) * | 2003-07-28 | 2017-10-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2014140079A (ja) * | 2003-07-28 | 2014-07-31 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| JP2012151493A (ja) * | 2003-07-28 | 2012-08-09 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| US10185232B2 (en) | 2003-07-28 | 2019-01-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
| JP2015172772A (ja) * | 2003-07-28 | 2015-10-01 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| US10303066B2 (en) | 2003-07-28 | 2019-05-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| JP2007502539A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 浸漬リソグラフィシステムの監視・制御方法及び装置 |
| JP2014103408A (ja) * | 2003-08-21 | 2014-06-05 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
| JP2015029160A (ja) * | 2003-08-21 | 2015-02-12 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
| JP2016048384A (ja) * | 2003-08-21 | 2016-04-07 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
| JP2017068277A (ja) * | 2003-08-21 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
| JP2007504646A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を乾燥させる方法とシステム。 |
| KR101380989B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101371917B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2014-03-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| JP2017016158A (ja) * | 2003-09-03 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
| JP2018028701A (ja) * | 2003-09-03 | 2018-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステムにおいてレンズと基板との間の空間から流体を回収する方法及び液浸リソグラフィ装置 |
| US7345737B2 (en) | 2003-09-09 | 2008-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus having a projection optical system in which a projection gap is filled with liquid |
| WO2005031820A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
| US8035797B2 (en) | 2003-09-26 | 2011-10-11 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, cleaning and maintenance methods of a projection exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8724076B2 (en) | 2003-09-26 | 2014-05-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, cleaning and maintenance methods of a projection exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101238134B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법 |
| WO2005031824A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP2016189029A (ja) * | 2003-09-29 | 2016-11-04 | 株式会社ニコン | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JPWO2005031823A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2007-11-15 | 株式会社ニコン | 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016001314A (ja) * | 2003-09-29 | 2016-01-07 | 株式会社ニコン | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US8797502B2 (en) | 2003-09-29 | 2014-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device with electricity removal device by adding additive to liquid |
| KR101443001B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2005116571A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005036623A1 (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| KR101319109B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
| WO2005036621A1 (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2009094541A (ja) * | 2003-10-08 | 2009-04-30 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、基板搬送方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2005036622A1 (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2018028692A (ja) * | 2003-10-09 | 2018-02-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2005268747A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2016014901A (ja) * | 2003-10-09 | 2016-01-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| US10209623B2 (en) | 2003-10-09 | 2019-02-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP2015039036A (ja) * | 2003-10-09 | 2015-02-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2010087531A (ja) * | 2003-10-09 | 2010-04-15 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2011181937A (ja) * | 2003-10-09 | 2011-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2017004029A (ja) * | 2003-10-09 | 2017-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2014103404A (ja) * | 2003-10-09 | 2014-06-05 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2005036624A1 (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| JP2009071316A (ja) * | 2003-10-15 | 2009-04-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8570486B2 (en) | 2003-10-15 | 2013-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8174674B2 (en) | 2003-10-15 | 2012-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7973906B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device |
| US9829807B2 (en) | 2003-10-22 | 2017-11-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device |
| KR101332543B1 (ko) * | 2003-10-22 | 2013-11-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법 |
| US9581913B2 (en) | 2003-10-22 | 2017-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device |
| US8896813B2 (en) | 2003-10-22 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device |
| US7643129B2 (en) | 2003-10-22 | 2010-01-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device |
| WO2005038888A1 (ja) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
| US7948608B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| KR100733124B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2007-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| WO2005048328A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US9952515B2 (en) | 2003-11-14 | 2018-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2016177322A (ja) * | 2003-11-14 | 2016-10-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および装置製造方法 |
| US10345712B2 (en) | 2003-11-14 | 2019-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| KR101431944B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
| KR101442448B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
| US7379162B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-holding technique |
| US7602476B2 (en) | 2003-12-08 | 2009-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-holding technique |
| KR101281397B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2013-07-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
| JP2012142609A (ja) * | 2003-12-15 | 2012-07-26 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2019015984A (ja) * | 2003-12-15 | 2019-01-31 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| JP2017201429A (ja) * | 2003-12-15 | 2017-11-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| KR20160139051A (ko) * | 2003-12-15 | 2016-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
| US9798245B2 (en) | 2003-12-15 | 2017-10-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, and exposure method, with recovery device to recover liquid leaked from between substrate and member |
| JP2014103414A (ja) * | 2003-12-15 | 2014-06-05 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2015232730A (ja) * | 2003-12-15 | 2015-12-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| KR20150031456A (ko) * | 2003-12-15 | 2015-03-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
| JP2011091455A (ja) * | 2003-12-15 | 2011-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP4720506B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| KR101499405B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
| WO2005057636A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| JPWO2005057636A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-12-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| JP2011146722A (ja) * | 2003-12-15 | 2011-07-28 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2005059977A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
| JP2005183416A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Tadahiro Omi | 露光方法、及び液浸型露光装置 |
| US7700268B2 (en) | 2003-12-17 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Exposure system and pattern formation method using the same |
| US9817321B2 (en) | 2003-12-23 | 2017-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10613447B2 (en) | 2003-12-23 | 2020-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9684250B2 (en) | 2003-12-23 | 2017-06-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10768538B2 (en) | 2003-12-23 | 2020-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2005067013A1 (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| KR20140081905A (ko) * | 2004-01-05 | 2014-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR20170070260A (ko) * | 2004-01-05 | 2017-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US9910369B2 (en) | 2004-01-05 | 2018-03-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
| US8064044B2 (en) | 2004-01-05 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
| KR101440743B1 (ko) * | 2004-01-05 | 2014-09-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US9588436B2 (en) | 2004-01-05 | 2017-03-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
| JP2005223315A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| TWI403853B (zh) * | 2004-01-05 | 2013-08-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2012089889A (ja) * | 2004-01-05 | 2012-05-10 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2005067011A1 (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Tokyo Electron Limited | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
| US7530749B2 (en) | 2004-01-07 | 2009-05-12 | Tokyo Electron Limited | Coater/developer and coating/developing method |
| JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| JP2007519238A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| US7697110B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-04-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2005071717A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8330934B2 (en) | 2004-01-26 | 2012-12-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US9684248B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-06-20 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus having substrate table and sensor table to measure a patterned beam |
| US10139737B2 (en) | 2004-02-02 | 2018-11-27 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US9632431B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-04-25 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US10007196B2 (en) | 2004-02-02 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US9665016B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-05-30 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate table and sensor table to hold immersion liquid |
| JP4506674B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005076321A1 (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2011160000A (ja) * | 2004-02-03 | 2011-08-18 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101227211B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US10151983B2 (en) | 2004-02-03 | 2018-12-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JPWO2005076321A1 (ja) * | 2004-02-03 | 2008-01-10 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010103576A (ja) * | 2004-02-03 | 2010-05-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101377815B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2012134553A (ja) * | 2004-02-03 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US9316921B2 (en) | 2004-02-04 | 2016-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| KR20130138862A (ko) * | 2004-02-04 | 2013-12-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US10048602B2 (en) | 2004-02-04 | 2018-08-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JP4529141B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-08-25 | 好彦 岡本 | 露光装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPWO2005076322A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2008-02-21 | 好彦 岡本 | 露光装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2010153922A (ja) * | 2004-02-09 | 2010-07-08 | Yoshihiko Okamoto | 半導体装置の製造方法 |
| USRE42849E1 (en) | 2004-02-09 | 2011-10-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2009088552A (ja) * | 2004-02-09 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
| JP2011066452A (ja) * | 2004-02-09 | 2011-03-31 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
| WO2005076322A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Yoshihiko Okamoto | 露光装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2005078777A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2005286286A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
| JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| JP2015092623A (ja) * | 2004-03-25 | 2015-05-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2016029513A (ja) * | 2004-03-25 | 2016-03-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2014132666A (ja) * | 2004-03-25 | 2014-07-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2008306217A (ja) * | 2004-04-01 | 2008-12-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2005294838A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2009033201A (ja) * | 2004-04-14 | 2009-02-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
| US9989861B2 (en) | 2004-04-14 | 2018-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9207543B2 (en) | 2004-04-14 | 2015-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a groove to collect liquid |
| JP2009044186A (ja) * | 2004-04-14 | 2009-02-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
| JP2009044185A (ja) * | 2004-04-14 | 2009-02-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
| US10234768B2 (en) | 2004-04-14 | 2019-03-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9829799B2 (en) | 2004-04-14 | 2017-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9568840B2 (en) | 2004-04-14 | 2017-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10705432B2 (en) | 2004-04-14 | 2020-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2010283405A (ja) * | 2004-04-19 | 2010-12-16 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2005333134A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US10761438B2 (en) | 2004-05-18 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| US9623436B2 (en) | 2004-05-18 | 2017-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
| JP2015232734A (ja) * | 2004-06-09 | 2015-12-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2015029155A (ja) * | 2004-06-09 | 2015-02-12 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101422964B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2014-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2017021392A (ja) * | 2004-06-09 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2012134558A (ja) * | 2004-06-09 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2017116969A (ja) * | 2004-06-09 | 2017-06-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法及び露光方法 |
| KR101440746B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2014-09-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2014060459A (ja) * | 2004-06-09 | 2014-04-03 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7771918B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| US9645505B2 (en) | 2004-06-09 | 2017-05-09 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid |
| JP2012134512A (ja) * | 2004-06-21 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
| WO2005124835A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP5119666B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法 |
| US8368870B2 (en) | 2004-06-21 | 2013-02-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US9904182B2 (en) | 2004-06-21 | 2018-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US9470984B2 (en) | 2004-06-21 | 2016-10-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US10739684B2 (en) | 2004-07-07 | 2020-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2009088563A (ja) * | 2004-07-07 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2010183099A (ja) * | 2004-07-07 | 2010-08-19 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US10338478B2 (en) | 2004-07-07 | 2019-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9104117B2 (en) | 2004-07-07 | 2015-08-11 | Bob Streefkerk | Lithographic apparatus having a liquid detection system |
| US9250537B2 (en) | 2004-07-12 | 2016-02-02 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and method with detection of liquid on members of the apparatus |
| JPWO2006006565A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2008-04-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4894515B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2012-03-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法 |
| WO2006013806A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| CN102998910A (zh) * | 2004-08-03 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置的控制方法、曝光方法及组件制造方法 |
| US9063436B2 (en) | 2004-08-03 | 2015-06-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8169591B2 (en) | 2004-08-03 | 2012-05-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| KR100728844B1 (ko) * | 2004-08-27 | 2007-06-14 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 이머션 리소그래피 시스템 내 이동에 의한 교란을감소시키기 위한 시스템 및 방법 |
| JP2006190971A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-07-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2006041086A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2006140459A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| KR20150112038A (ko) * | 2004-11-18 | 2015-10-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 계측 방법, 위치 제어 방법, 계측 방법, 로딩 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2006148092A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 浸漬リソグラフィのための方法及び装置 |
| JP2006148133A (ja) * | 2004-11-23 | 2006-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | メガソニック超音波リンスを使用するイマージョン式フォトリソグラフィ |
| US7732123B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion photolithography with megasonic rinse |
| JP2008227548A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
| US8941811B2 (en) | 2004-12-20 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008227547A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
| JP2008263221A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-10-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
| JP2008277854A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-11-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
| US10509326B2 (en) | 2004-12-20 | 2019-12-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2012044227A (ja) * | 2004-12-20 | 2012-03-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US9703210B2 (en) | 2004-12-20 | 2017-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006196575A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Jsr Corp | 液浸型露光方法によるレジストパターン形成方法 |
| JPWO2006080250A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2008-08-07 | Jsr株式会社 | 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法 |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2008543034A (ja) * | 2005-05-23 | 2008-11-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 |
| US7522258B2 (en) | 2005-06-29 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination |
| WO2007023813A1 (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US8018571B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-09-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| JP5040653B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007046415A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法 |
| US8947631B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2012124540A (ja) * | 2005-12-30 | 2012-06-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US9436096B2 (en) | 2005-12-30 | 2016-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11669021B2 (en) | 2005-12-30 | 2023-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10222711B2 (en) | 2005-12-30 | 2019-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11275316B2 (en) | 2005-12-30 | 2022-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8941810B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10761433B2 (en) | 2005-12-30 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9851644B2 (en) | 2005-12-30 | 2017-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008172214A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-07-24 | Asml Netherlands Bv | 基板支持体およびリソグラフィプロセス |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2009302585A (ja) * | 2009-09-28 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2010153933A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-07-08 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US10620544B2 (en) | 2010-04-22 | 2020-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9846372B2 (en) | 2010-04-22 | 2017-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10209624B2 (en) | 2010-04-22 | 2019-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9256136B2 (en) | 2010-04-22 | 2016-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method involving gas supply |
| JP2023512911A (ja) * | 2020-02-06 | 2023-03-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法及びリソグラフィ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69321571T2 (de) | 1999-04-08 |
| EP0605103A1 (en) | 1994-07-06 |
| US5610683A (en) | 1997-03-11 |
| DE69321571D1 (de) | 1998-11-19 |
| EP0605103B1 (en) | 1998-10-14 |
| JP2753930B2 (ja) | 1998-05-20 |
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