JP2017038031A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子の発光により発生する熱をより効率的に放熱可能な発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、実装領域１１を有する実装基板１０と、実装領域１１の表面に裏面が接着された多孔質材料で形成された架台４０と、架台４０の表面に裏面が接着された発光素子３０と、発光素子３０の表面に形成された素子電極３２、３３に接続されたボンディングワイヤ３１と、架台４０、発光素子３０及びボンディングワイヤ３１を封止する封止樹脂６０と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。

セラミック基板及び金属基板などの汎用基板の上にＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子が実装されたＣＯＢ（Chip On Board）とも称される発光装置が知られている。こうした発光装置では、蛍光体を含有する樹脂により例えば青色光を発光するＬＥＤ素子を封止し、ＬＥＤ素子からの光により蛍光体を励起させて得られる光を混合させることにより、用途に応じて白色光などを得ている。発光装置では、発光素子の輝度が向上するに従って、発光素子の発光により発生する熱が増加するが、発光素子の発光により発生した熱が放熱されないと、発光素子の周囲温度が上昇して発光素子の発光強度が低下するおそれがある。発光素子の発光強度の低下を防止するために、発光素子の発光により発生した熱を放熱する種々の技術が知られている。

例えば、特許文献１には、金属体が厚み方向に貫通して設けられたセラミックスで形成された絶縁基部と、絶縁基部の表面に積層されたセラミックスで形成された上側表層絶縁層と、上側表層絶縁層に搭載された発光素子を有する発光装置が記載される。特許文献１に記載される発光装置では、上側表層絶縁層は、金属体の表面に位置し発光素子が搭載される上側緻密質部と、上側緻密質部の周囲に形成され上側緻密質部よりも緻密度が低い上側多孔質部により形成される。

特許文献１に記載される発光装置では、発光素子の発光により発生した熱が、上側緻密質部を介して金属体に伝導して拡散されることにより、放熱特性が向上する。また、発光素子が搭載される上側緻密質部の周囲に上側多孔質部が配置されることにより、上側多孔質部中のボイド粒界で発光素子からの光が乱反射することにより、基板表面における反射率を向上し、発光装置の発光効率が向上する。

特開２０１１−２０５００９号公報

しかしながら、特許文献１に記載される発光装置では、発光素子は、上側表層絶縁層及び金属体よりも熱伝導率が低い樹脂を含む接着剤により上側表層絶縁層に接着されるため放熱効率が低下して、発光素子の温度が上昇し発光効率が低下するおそれがある。

そこで、本発明は、発光素子の発光により発生する熱をより効率的に放熱可能な発光装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る発光装置は、実装領域を有する実装基板と、実装領域の表面に裏面が接着された多孔質材料で形成された架台と、架台の表面に裏面が接着された発光素子と、発光素子の表面に形成された素子電極に接続されたボンディングワイヤと、架台、発光素子及びボンディングワイヤを封止する封止樹脂とを有する。

さらに、本発明に係る発光装置は、複数の発光素子と、それぞれが複数の発光素子の何れか１つに対応するように配置される複数の架台を有することが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、架台には、複数の発光素子が接着されることが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置は、架台の表面に形成される反射層を更に有することが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、架台は、多孔質セラミックスであることが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、実装基板は、一方の面に架台が配置された金属板を含むことが好ましい。

また、本発明に係る発光装置を製造する製造方法は、多孔質材料で形成された架台の表面に発光素子の裏面を接着し、実装基板の実装領域の表面に架台の裏面を接着し、発光素子表面に形成された素子電極にボンディングワイヤを接続し、架台、発光素子及びボンディングワイヤを封止する封止樹脂を充填することを含む。

本発明では、発光素子の発光により発生する熱をより効率的に放熱可能な発光装置を提供するが可能となる。

（Ａ）は第１実施形態に係る発光装置の斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す発光装置の断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の部分拡大断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す発光装置の部分拡大断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第１製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第２製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第３製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第４製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第５製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第６製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は図１に示す発光装置の第７製造工程を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に対応する断面図である。 （Ａ）は第１比較例に係る発光装置の部分断面図であり、（Ｂ）は第２比較例に係る発光装置の部分断面図であり、（Ｃ）は図１に示す発光装置の部分断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は図１０（Ａ）に示す発光装置におけるＬＥＤ素子の実装状態を示す図であり、（Ｄ）〜（Ｆ）は図１に示す発光装置におけるＬＥＤ素子の実装状態を示す図である。 （Ａ）は第２実施形態に係る発光装置の斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す発光装置の断面図である。 （Ａ）は第３実施形態に係る発光装置の斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す発光装置の断面図である。

以下、図面を参照しつつ、発光装置及びその製造方法について説明する。ただし、本発明は図面又は以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。

（実施形態に係る発光装置の概要）
実施形態に係る発光装置では、発光素子は、多孔質材料で形成された架台を介して実装基板の実装領域に接着される。多孔質材料で形成された架台と発光素子及び実装基板とが接着剤により接着されるときに、余分な接着剤が架台の内部に毛細管現象により浸透することにより、架台と発光素子及び実装基板との界面の接着剤の厚さは、最小限の厚さになる。熱伝導率が低い接着剤の厚さが最小限の厚さになることにより、発光素子を実装領域に接着剤によって接着した場合と比較して、実施形態に係る発光装置の放熱効率は、向上する。

（第１実施形態に係る発光装置の構造及び機能）
図１（Ａ）は完成品としての第１実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のIA-IB線に沿った断面図である。

発光装置１は、発光素子としてＬＥＤ素子を含み、例えば照明用ＬＥＤ、ＬＥＤ電球などの種々の照明装置として利用される。発光装置１は、実装基板１０と、回路基板２０と、複数のＬＥＤ素子３０と、複数の架台４０と、樹脂枠５０と、封止樹脂６０と、熱伝導部材６１とを有する。

実装基板１０は、一例として正方形の形状を有し、その表面の中央にＬＥＤ素子３０が実装される円形の実装領域１１を有する金属基板である。実装基板１０は、ＬＥＤ素子３０により発生した熱を放熱させる放熱基板としても機能するため、例えば、耐熱性及び放熱性に優れたアルミニウムで構成される。なお、実装基板１０の材質は、耐熱性と放熱性に優れたものであれば、例えば銅など、別の金属又はセラミックスでもよい。

回路基板２０は、一例として、実装基板１０と同じ大きさの正方形の形状を有し、その中心部に円形の開口部２１を有する。回路基板２０は、その裏面が例えば接着シートにより実装基板１０の上に貼り付けられて固定される。回路基板２０の表面には、開口部２１を取り囲むように、ＬＥＤ素子３０の配線パターン２３が形成される。また、回路基板２０の表面で対角に位置する２つの角部には、発光装置１を外部電源に接続するための一対の接続電極２４が形成される。接続電極２４の一方はアノードであり、接続電極２４の他方はカソードである。一対の接続電極２４が外部電源に接続されて電圧が印加されることにより、発光装置１は発光する。

図２（Ａ）は図１（Ａ）において矢印Ａで示される部分の部分拡大断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）において矢印Ｂで示される部分の部分拡大断面図である。

複数のＬＥＤ素子３０のそれぞれは、発光素子の一例であり、例えば発光波長帯域が４５０〜４６０ｎｍ程度の青色光を発光する青色ＬＥＤである。複数のＬＥＤ素子３０のそれぞれは、回路基板２０の開口部２１から露出している実装基板１０の実装領域１１に、架台４０を介して実装される。複数のＬＥＤ素子３０のそれぞれは、実装基板１０の実装領域１１に格子状に配列される。ここでは、２１個のＬＥＤ素子３０が実装された例が示される。また、ＬＥＤ素子３０は表面に一対の素子電極３２及び３３を有し、隣接するＬＥＤ素子３０の素子電極３２は、ボンディングワイヤ３１により電気的に接続される。開口部２１の外周側に位置するＬＥＤ素子３０の素子電極３３に一端が接続されたボンディングワイヤ３１の他端は、回路基板２０の配線パターン２３に接続される。配線パターン２３と複数のＬＥＤ素子３０の素子電極３２及び３３を直列接続するにより、複数のＬＥＤ素子３０のそれぞれは、ボンディングワイヤ３１を介して配線パターン２３から電流が供給される。

複数の架台４０のそれぞれは、熱伝導率の比較的高い多孔質材料で形成された立方体の部材であり、一例ではアルミナを含む多孔質セラミックにより形成される。また、他の例では、架台４０は、アルミニウム等の金属の紛体を加熱等により固着して形成された多孔質金属により形成される。一例では、帯域が４５０〜４６０ｎｍである光を反射する時の架台４０の反射率は、９７％である。複数の架台４０のそれぞれは、複数のＬＥＤ素子３０の何れか１つに対応するように配置される。架台４０の表面はＬＥＤ素子３０の裏面と接着され、架台４０の裏面は実装基板１０の表面に接着される。架台４０は、実装基板１０の表面に配置された接着剤に押圧されることにより、実装基板１０の表面に接着される。架台４０が実装基板１０の表面に押圧されるとき、図２（Ｂ）において矢印Ｃで示されるように、実装基板１０の表面に配置された接着剤の一部は実装基板１０の表面に位置して架台４０の裏面との接着に寄与する。しかしながら、余分な接着剤は、架台４０が実装基板１０の表面に押圧されるときに、多孔質材料で形成された架台４０の内部に毛細管現象により浸透する。同様に、架台４０の表面とＬＥＤ素子３０の裏面とを接着するとき、図２（Ｂ）において矢印Ｄで示されるように、接着剤の一部は接着に寄与し、余分な接着剤は多孔質材料で形成された架台４０の内部に毛細管現象により浸透する。架台４０の裏面と実装基板１０の表面とを接着する接着剤は、所望の特性を有するものが採用される。例えば、架台４０の裏面と実装基板１０の表面とを接着する接着剤は、シリコーン樹脂である。

架台４０を形成する多孔質材料は、多数のセラミック粒子又は金属粒子の集合体であり、多数のセラミック粒子又は金属粒子の間に微小の空孔が多数形成された多孔質体である。多孔質材料の空孔は、外気と通じた空孔である開気孔と、内部に閉じ込められた空孔である閉気孔の２つの空孔に分類される。架台４０を形成する多孔質材料は、外気と通じた空孔である開気孔が、架台４０の接着に使用される接着剤の余分な接着剤を浸透可能であるか否かにより決定される。すなわち、架台４０を形成する多孔質材料の開気孔の容積が、少なくともLED素子の接着に使用される接着剤の体積と架台４０の接着に使用される接着剤の体積の合計の体積よりも大きくなればよい。

樹脂枠５０は、回路基板２０の開口部の大きさに合わせて例えば白色の樹脂で構成された円形の枠体であり、回路基板２０の表面で、開口部２１を縁取るように形成された配線パターン２３に重なる位置に固定される。樹脂枠５０は、封止樹脂６０の流出しを防止するためのダム材であり、また、ＬＥＤ素子３０から側方に出射された光を、ＬＥＤ素子３０の表面方向である発光装置１の上方に向けて反射させる反射材としても機能する。

封止樹脂６０は、開口部２１内に注入されて、複数の架台４０、複数のＬＥＤ素子３０及びボンディングワイヤ３１を一体に被覆して、保護し且つ封止する。例えば、封止樹脂６０としては、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂などの無色かつ透明な樹脂を、特に耐熱性がある樹脂を使用することが好ましい。封止樹脂６０は、図１（Ａ）に示した例では樹脂枠５０により実装基板１０上に円板状に形成される。

また、封止樹脂６０には、例えば緑色蛍光体及び赤色蛍光体などの蛍光体が分散混入される。発光装置１は、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子３０からの青色光と、それによって緑色蛍光体及び赤色蛍光体を励起させて得られる緑色光及び赤色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。緑色蛍光体は、ＬＥＤ素子３０が出射した青色光を吸収して緑色光に波長変換する、例えば（ＢａＳｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋などの粒子状の蛍光体材料である。赤色蛍光体は、ＬＥＤ素子３０が出射した青色光を吸収して赤色光に波長変換する、例えばＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋などの粒子状の蛍光体材料である。なお、封止樹脂６０に混入される蛍光体の組合せは緑色蛍光体と赤色蛍光体に限らず、例えばＹＡＧ（yttrium aluminum garnet）などの黄色蛍光体をさらに混入させてもよいし、黄色蛍光体と赤色蛍光体などの上記とは異なる組合せを用いてもよい。あるいは、発光装置１の用途によっては、封止樹脂６０は１種類のみの蛍光体を含有してもよい。

（第１実施形態に係る発光装置の製造工程）
図３〜９は、発光装置１の製造工程を示す図である。図３は第１工程の斜視図であり、図４（Ａ）は第１工程に続く第２工程の斜視図であり、図５（Ａ）は第２工程に続く第３工程の斜視図であり、図６（Ａ）は第３工程に続く第４工程の斜視図である。図７（Ａ）は第４工程に続く第５工程の斜視図であり、図８（Ａ）は第５工程に続く第６工程の斜視図であり、図９（Ａ）は第６工程に続く第７工程の斜視図であり、図１０（Ａ）は第７工程に続く第８工程の斜視図である。図４（Ｂ）は図４（Ａ）のIIA-IIB線に沿った断面であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のIIIA-IIIB線に沿った断面であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のIVA-IVB線に沿った断面である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のVA-VB線に沿った断面であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のVIA-VIB線に沿った断面であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のVIIA-VIIB線に沿った断面である。図４（Ｃ）は、ＬＥＤ素子３０及び架台４０が接着された状態を示す図である。

発光装置１の製造時には、まず、図３に示すように、複数のＬＥＤ素子３０が形成されたウェハー３００と、多孔質材料４００とが不図示の接着剤により接着される。ウェハー３００と多孔質材料４００とが接着されるとき、接着剤の一部は接着に寄与し、余分な接着剤は多孔質材料４００の内部に浸透する。次いで、図４（Ａ）及び４（Ｂ）に示すように、接着されたウェハー３００及び多孔質材料４００をＬＥＤ素子３０のそれぞれの形成領域毎にダイシングして、図４（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子３０及び架台４０を接着された状態で切り出す。

次いで、図５（Ａ）及び５（Ｂ）に示すように、実装基板１０と、開口部２１を有する回路基板２０とが、重ね合わされて貼り合わされる。次いで、図６（Ａ）及び６（Ｂ）に示すように、回路基板２０の開口部２１から露出している実装基板１０の実装領域１１のＬＥＤ素子３０を実装する領域に接着剤７０が配置される。次いで、図７（Ａ）及び７（Ｂ）に示すように、回路基板２０の開口部２１から露出している実装基板１０の実装領域１１に配置された接着剤に、架台４０にそれぞれ搭載された複数のＬＥＤ素子３０が押圧されて接着される。実装基板１０と架台４０にそれぞれ搭載された複数のＬＥＤ素子３０とが接着剤７０によって接着されるとき、接着剤７０の一部は接着に寄与し、余分な接着剤は架台４０の内部に浸透する。

次いで、図８（Ａ）及び８（Ｂ）に示すように、近接するＬＥＤ素子３０同士がボンディングワイヤ３１で互いに電気的に接続され、開口部２１の外周側のＬＥＤ素子３０から出たボンディングワイヤ３１は、回路基板２０の配線パターン２３に接続される。一例では、ボンディングワイヤ３１は、超音波溶着によりＬＥＤ素子３０に接続される。次いで、図９（Ａ）及び９（Ｂ）に示すように、回路基板２０の配線パターン２３の上に樹脂枠５０が固定される。そして、開口部２１内に、蛍光体を含むシリコーン樹脂などが充填されて、封止樹脂６０を形成する。以上の工程により、図１（Ａ）及び１（Ｂ）に示す発光装置１が完成する。

（第１実施形態に係る発光装置の作用効果）
発光装置１では、複数の発光素子であるＬＥＤ素子３０のそれぞれが、熱伝導率が高い多孔質材料で形成された架台４０を介して実装基板１０の実装領域１１に実装される。ＬＥＤ素子３０及び架台４０を実装領域１１に実装するときに配置された接着剤７０が架台４０の裏面と実装領域１１の界面に位置して架台４０と実装領域１１との接着に寄与する。また、余分な接着剤は、架台４０が実装基板１０の表面に押圧されるときに、架台４０の内部に浸透する。余分な接着剤が架台４０の内部に浸透することにより、熱導電率が比較的低い接着剤は、最小限の厚さで架台４０の裏面と実装領域１１の表面との界面に位置することになる。同様に、ＬＥＤ素子３０の裏面と架台４０の表面との界面に位置する接着剤は最小限の厚さになる。実装領域１１及びＬＥＤ素子３０と架台４０との界面に位置する接着剤の厚さが最小限の厚さになることにより、発光装置１は、接着剤による熱伝導率の低下を最小限に抑え、ＬＥＤ素子３０からの放熱効率を向上させることができる。なお、ＬＥＤ素子３０及び架台４０は、封止樹脂６０で封止されるので、実装領域１１及びＬＥＤ素子３０と架台４０との間の接着強度は、封止樹脂６０で封止された発光装置１の信頼性には影響を与えない。実装領域１１及びＬＥＤ素子３０と架台４０との間の接着強度は、ＬＥＤ素子３０にボンディングワイヤ３１が超音波溶着により接続可能な強度であればよい。

図１０（Ａ）は第１比較例に係る発光装置の部分断面図であり、図１０（Ｂ）は第２比較例に係る発光装置の部分断面図であり、図１０（Ｃ）は発光装置１の部分断面図である。

第１比較例に係る発光装置１０１では、ＬＥＤ素子３０は、実装基板１０に接着剤８０を介して実装される。接着剤８０は、シリコーン樹脂からなり、熱伝導率は０．２（Ｗ/ｍ＊Ｋ）程度である。第２比較例に係る発光装置１０２では、ＬＥＤ素子３０は、実装基板１０に金属粒子８２を含有する接着剤８１を介して実装される。接着剤８１は、金属粒子８２を含有することにより接着剤よりも高い熱伝導率を有し、一例では熱伝導率は１（Ｗ/ｍ＊Ｋ）程度である。第１実施形態に係る発光装置１では、ＬＥＤ素子３０は、実装基板１０に表面及び裏面に最小限の厚さの接着剤が位置する架台４０を介して実装され、実装基板１０とＬＥＤ素子３０との間の熱伝導率は、１０（Ｗ/ｍ＊Ｋ）以上にすることができる。第１実施形態に係る発光装置１の実装基板１０とＬＥＤ素子３０との間の熱伝導率は、シリコーン樹脂を含む接着剤８０で実装基板１０とＬＥＤ素子３０とが接着される第１比較例に係る発光装置１０１のよりも２桁以上高くすることできる。また、第１実施形態に係る発光装置１の実装基板１０とＬＥＤ素子３０との間の熱伝導率は、金属粒子８２を含有する接着剤８１で実装基板１０とＬＥＤ素子３０とが接着される第２比較例に係る発光装置１０２のよりも１桁以上高くすることできる。

また、発光装置１では、余分な接着剤を架台４０に浸透させることにより、実装領域１１及びＬＥＤ素子３０と架台４０との界面に位置する接着剤の厚さを最小限にする。発光装置１では、実装領域１１及びＬＥＤ素子３０と架台４０との界面に位置する接着剤の厚さを最小限にすることより、実装領域１１とＬＥＤ素子３０との間の距離を架台４０の高さと略同一にすることができる。発光装置１では、実装領域１１とＬＥＤ素子３０との間の距離を架台４０の高さと略同一にすることにより、実装領域１１とＬＥＤ素子３０との間の距離を均一にすることができる。

図１１（Ａ）〜１１（Ｃ）は第１比較例に係る発光装置１０１におけるＬＥＤ素子３０の実装状態を示す図であり、図１１（Ｄ）〜１１（Ｆ）は第１実施形態に係る発光装置１におけるＬＥＤ素子３０の実装状態を示す図である。図１１（Ａ）及び１１（Ｄ）は第１状態であり、図１１（Ｂ）及び１１（Ｅ）は第１状態に続く第２状態であり、図１１（Ｃ）及び１１（Ｆ）は第２状態に続く第３状態である。

第１比較例に係る発光装置１０１では、図１１（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子３０は、実装基板１０の表面に配置された接着剤８０に押圧された後に、図１１（Ｂ）に示すように、接着剤８０を介して実装基板１０に接着される。ＬＥＤ素子３０は、接着剤８０が硬化するまでの間、自重により徐々に降下して、図１１（Ｃ）に示すように、接着剤８０を介して実装基板１０に実装される。実装時の実装基板１０とＬＥＤ素子３０との間の距離は、押圧時の圧力及び周囲の温度等の実装条件に応じて相違するため、実装時の実装基板１０とＬＥＤ素子３０との間の距離を均一にすることは容易ではない。

一方、第１実施形態に係る発光装置１では、図３及び１１（Ｄ）に示すように、ＬＥＤ素子３０と架台４０とが接着剤７１を介して接着された後に、図７及び１１（Ｄ）に示すように、実装基板１０の表面に配置された接着剤７０に押圧される。これにより、図１１（Ｅ）に示すように、ＬＥＤ素子３０は、架台４０並びに接着剤７０及び７１を介して実装基板１０に接着される。接着剤７０及び７１は、硬化するまでの間、温度が上昇して粘度が低下してくると架台４０の内部に徐々に浸透して、図１１（Ｆ）に示すように、実装時の実装基板１０とＬＥＤ素子３０との間の距離は、架台４０の高さと略同一になる。

（第２実施形態に係る発光装置）
図１２（Ａ）は完成品としての第２実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１２（Ａ）のVIIIA-VIIIB線に沿った断面図である。

発光装置２は、架台４０の代わりに架台４１が配置されることが発光装置１と相違する。架台４１以外の発光装置２の構成は、同一符号が付された発光装置１の構成と同様の構成及び機能を有するので、ここでは詳細な説明は省略する。

架台４１は、開口部２１と略同一径の円形の形状を有する多孔質材料で形成された部材である。架台４１は、架台４１と同様に熱伝導率は比較的高い多孔質セラミック又は多孔質金属により形成される。架台４１には、複数のＬＥＤ素子３０が搭載される。図１２（Ａ）及び１２（Ｂ）に示す例では、架台４１には、２１個のＬＥＤ素子３０の全てが搭載される。

発光装置２の製造工程は、図３に示す工程に対応する工程がないこと、及び図５に示す工程と図６に示す工程との間に架台４１を実装基板１０の実装領域１１に接着する工程を有することが発光装置１の製造工程と相違する。また、発光装置２の製造工程は、図４に示す工程において、ウェハー３００のみがダイシングされることが発光装置１の製造工程と相違する。また、発光装置２の製造工程は、図６に示す工程において、接着剤７０は、実装領域１１ではなく実装領域１１に接着された架台４１に配置されることが発光装置１の製造工程と相違する。さらに、発光装置２の製造工程は、図７に示す工程において、ＬＥＤ素子のみが押圧されて実装されることが発光装置１の製造工程と相違する。

発光装置２では、架台４１の体積は、発光装置１で使用される複数の架台４０の合計の体積よりも大きい。架台４１の体積が大きいので、実装基板と架台４１とを接着する接着剤及びＬＥＤ素子３０と架台４１とを接着する接着剤が架台４１の内部に浸透し切れずに架台４１の表面又は裏面に厚い接着層が形成されるおそれは低い。

（第３実施形態に係る発光装置）
図１３（Ａ）は完成品としての第２実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１３（Ａ）のIXA-IXB線に沿った断面図である。

発光装置３は、架台４１の表面に反射メッキ層４２が形成されることが発光装置２と相違する。反射メッキ層４２以外の発光装置３の構成は、同一符号が付された発光装置２の構成と同様の構成及び機能を有するので、ここでは詳細な説明は省略する。

反射メッキ層４２は、銀メッキにより形成される。反射メッキ層４２は、架台４１の表面のＬＥＤ素子３０が実装される領域以外の領域に形成される。

発光装置３の製造工程は、架台４１の表面に反射メッキ層４２を形成する工程を有することが発光装置２の製造工程と相違する。反射メッキ層４２は、ＬＥＤ素子３０が実装される領域を遮蔽する不図示のマスクを架台４１の表面に配置した状態で、架台４１の表面を銀メッキ処理することにより形成される。

発光装置３では、反射率が比較的小さい多孔質材料で形成された架台４１の表面を金属メッキすることにより、ＬＥＤ素子３０の側面又は裏面から放射される光の反射率を発光装置２よりも大きくすることができる。

１、２、３ 発光装置
１０ 実装基板
１１ 実装領域
２０ 回路基板
３０ ＬＥＤ素子
３１ ボンディングワイヤ
４０、４１ 架台
４２ 反射メッキ層
５０ 樹脂枠
６０ 封止樹脂

Claims (7)

1. 実装領域を有する実装基板と、
   多孔質材料で形成され、前記実装領域の表面に裏面が接着された架台と、
   前記架台の表面に裏面が接着された発光素子と、
   前記発光素子の表面に形成された素子電極に接続されたボンディングワイヤと、
   前記架台、前記発光素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
   を有することを特徴とする発光装置。
2. 前記架台及び前記発光素子はそれぞれ複数配置され、
   前記複数の架台のそれぞれは、前記複数の発光素子の何れか１つに対応するように配置される、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記架台には、前記発光素子が複数接着される、請求項１に記載の発光装置。
4. 前記架台の表面に形成される反射層を更に有する、請求項３に記載の発光装置。
5. 前記多孔質材料は、多孔質セラミックスである、請求項１〜４の何れか一項に記載の発光装置。
6. 前記実装基板は、一方の面に前記架台が配置された金属板を含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の発光装置。
7. 多孔質材料で形成された架台の表面に発光素子の裏面を接着し、
   実装基板の実装領域の表面に前記架台の裏面を接着し、
   前記発光素子の表面に形成された素子電極にボンディングワイヤを接続し、
   前記架台、前記発光素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂を充填する、
   ことを含むことを特徴とする発光装置を製造する製造方法。

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