JP2008205395A - 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性、信頼性および生産性に優れた表面実装型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】この表面実装型発光ダイオード１０は、金属製のベース部材２と、ベース部材２上に裏面が接着固定された半導体発光素子１と、半導体発光素子１を囲むようにベース部材２上に熱伝導性接着シート５を介在させて接合された、金属製のリフレクタ６とを備える。半導体発光素子１から発生した熱は、ベース部材２および熱伝導性接着シート５を通ってリフレクタ６へ伝導され、リフレクタ６から外部へ放熱される。リフレクタ６が金属製のため、外部に効率よく放熱できる。リフレクタ６に設けた切りしろに沿って容易にダイシングできるので、歩留まりを低下させることがなく、生産性を向上できる。リフレクタ６の外側の導体層４に、半導体発光素子１と接続される電極が形成されているので、リフレクタ６を小型化できる。
【選択図】図１

Description

この発明は、表面実装型発光ダイオードに関し、特に、放熱性、信頼性および生産性に優れた表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法に関する。

半導体発光素子はＡｌＩｎＧａＰやＧａＮなどの化合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順方向電流を通じて可視光または近赤外光の発光を得るものであり、近年、表示をはじめ、通信、計測、制御などに広く応用されている。さらに、特に放熱性・信頼性が重視される車載用分野にも適用範囲が拡大している。表面実装型発光ダイオードにもこうした要求に応えるものが開発されている。従来の表面実装型発光ダイオードは、たとえば特許文献１〜３で提案されている。

図１７は、従来の表面実装型発光ダイオードの構成の例を示す断面模式図である。図１７に示すように、表面実装型発光ダイオード１００は、チップ基板１０１と、チップ基板１０１上に搭載されたＬＥＤチップ１０２と、ＬＥＤチップ１０２を包囲するようにチップ基板１０１上に形成された枠状部材１０３と、枠状部材１０３の凹陥部内に充填されたモールド樹脂１０４と、から構成されている。

チップ基板１０１は、平坦な銅張り配線基板として耐熱性樹脂から構成されており、その表面にチップ実装ランド１０５、接続ランド１０７と、表面から両端縁を通って下面に回り込む表面実装用端子部１０６と、を備えている。そして、チップ基板１０１のチップ実装ランド１０５上に、ＬＥＤチップ１０２が接合されると共に、隣接する接続ランド１０７に対してワイヤボンディングにより電気的に接続されるようになっている。

モールド樹脂１０４は、例えばエポキシ樹脂などの透明材料から構成されており、枠状部材１０３の内側の凹陥部に充填され、硬化されている。チップ基板１０１は、例えばＡｎｙ Ｌａｙｅｒ ＡＧＳＰ（Advanced Grade Solid-bump Process）工法による二層構造として、上方基板および下方基板から構成されている。

図１８は、従来の表面実装型発光ダイオードの構成の他の例を示す斜視図である。図１８に示すように、半導体発光装置２００は、リードフレーム２０１と半導体発光素子２０２と封止部材２０３と反射板２０５とを備えている。リードフレーム２０１は複数のリード端子２０４ａ、２０４ｂを有している。半導体発光素子２０２は、リードフレーム２０１にダイボンドされている。封止部材２０３は、複数のリード端子２０４ａ、２０４ｂのそれぞれと半導体発光素子２０２を露出するようにしてリードフレーム２０１を封止している。反射板２０５は封止部材２０３に取り付けられ、半導体発光素子２０２によって発光される光を一方向に向けて出射する。

複数のリード端子のうち半導体発光素子２０２がダイボンドされたリードフレーム２０１の部分に繋がる所定のリード端子２０４ａが、反射板２０５が位置する側に向かって配設されて反射板２０５と繋がっている。この構成によれば、半導体発光素子２０２がダイボンドされている部分と繋がっている所定のリード端子２０４ａが反射板２０５に接続されている。これにより、半導体発光素子２０２において発生した熱が、所定のリード端子２０４ａを通して反射板２０５に確実に伝導する。その結果、反射板２０５に伝導した熱をその反射板２０５によって効率よく放熱させることができる。

この他に、発光素子において発生する熱を熱伝導性のよいセラミック基板を通して反射板に伝導させて、放熱を行っている半導体発光装置が提案されている。
特開２００６-１６５１３８号公報 特開２００５-１８３５３１号公報 特開２００３-１９７９７４号公報

図１７に示す従来の表面実装型発光ダイオード１００では、放熱に関しては、小さなチップ実装ランド１０５上にチップが配置され、段状に下部の導電パターンに接続されているのみである。チップ実装ランド１０５が小さく、導電パターン１０８を通して放熱されていることになるため、この構造では充分に放熱ができないという問題がある。さらにまた、表面実装型発光ダイオード１００の枠状部材１０３は、耐熱性樹脂から形成されているために枠状部材１０３からの放熱が悪いという問題がある。

また構造に関しては、チップ基板１０１は上方基板および下方基板から構成されている二層構造であり、この構造のため、チップ基板１０１は、接続ランド１０７と導電パターン１０８とを介在させて、上面から下面に回り込む表面実装用端子部１０６に電気的な配線接続をしている。したがってチップ基板１０１は、多層基板を構成する基板を順次に貫通して下方基板まで導通させる必要があり、複雑な配線接続パターンとなっている。

また、図１８に示す従来の表面実装型発光ダイオード２００では、半導体発光素子２０２がダイボンドされている部分と繋がっているリード端子２０４ａが反射板２０５に接続されている。この接触面積が小さいために、半導体発光素子２０２において発生した熱をリード端子２０４ａを通して反射板２０５に確実に伝導することができないという問題が生じる。また、樹脂製の封止部材２０３上の反射板２０５が板状であり充分に熱を効率よく放熱することはできないという問題が考えられる。その結果、反射板２０５に伝導した熱をその反射板２０５によって効率よく放熱させることができないという問題がある。

それゆえに、この発明の主たる目的は、放熱性、信頼性および生産性に優れた表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法を提供することである。

この発明に係る表面実装型発光ダイオードは、金属製のベース部材を備える。また、ベース部材上に裏面が接着固定された半導体発光素子を備える。また、半導体発光素子を囲むようにベース部材上に接着シートを介在させて接合された、金属製のリフレクタを備える。そして、ベース部材の表面におけるリフレクタが接合された箇所よりも半導体発光素子から離れる位置において、または、リフレクタ上のベース部材と接合されていない面において、半導体発光素子と電気的に接続された導体層が、絶縁層を介在させて形成されている。

この場合は、半導体発光素子から発生した熱は、ベース部材および接着シートを通ってリフレクタへ伝導され、リフレクタから外部へ放熱される。また一部の熱は、ベース部材を通して外部へ放熱される。ベース部材およびリフレクタが共に金属製のため、半導体発光素子から発生した熱を外部に効率よく放熱することができ、また、半導体発光素子から発生した光を外部に効率よく放出することができる。ベース部材およびリフレクタは、たとえば金属材料の表面に他の金属がメッキ加工により積層されるなど、複数の金属が組み合わされて形成されてもよいが、一体物として形成すれば容易に製造が可能であり生産性を向上できるために、より好ましい。一体物として形成される場合、リフレクタの材料は、単体の金属に限られず合金であってもよい。

また、リフレクタの外周面に、当該外周面の幅よりも小さい幅を有する凸部が形成されていることが望ましい。リフレクタは金属製であるため、肉厚に設けられるとダイシングが困難となる。そこで、リフレクタを板材から成形する工程において、切りしろとして板材の厚みよりも薄い領域を設け、当該切りしろに沿ってダイシングすれば、より容易にダイシングすることができるので、表面実装型発光ダイオードの歩留まりを低下させることがなく、生産性を向上させることができる。ダイシング後における切りしろの形状が、上記凸部である。さらに、凸部が形成されていればリフレクタの表面積が増大するため、より効率よく放熱することができる。

また、ベース部材は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇの少なくともいずれか一つ以上またはそれらの複合体からなることが望ましい。これらの材料は熱伝導率が高いため、半導体発光素子から発生する熱の外部への放熱性のよいベース部材とすることができる。また、これらの材料は加工性もよいため、製作が容易である。

また、リフレクタは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇの少なくともいずれか一つ以上またはそれらの複合体からなることが望ましい。これらの材料は熱伝導率が高いため、半導体発光素子から発生する熱の外部への放熱性のよいリフレクタとすることができる。また、これらの材料は加工性もよいため、製作が容易である。

また、接着シートは、熱伝導性接着シートであることが望ましい。この場合は、接着シートの、一つの物質内での熱の伝わり易さを表す値である熱伝導率が比較的高い（たとえば１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上）。そのため、接着シートから金属製のリフレクタに熱が伝導されやすいので、半導体発光素子から発生した熱を、より効率よく外部に放熱することができる。また、リフレクタを熱伝導性接着シートによってベース部材へ接着することができるので、表面実装型発光ダイオードの作製が容易となる。

また、ベース部材の表面におけるリフレクタが接合された箇所よりも半導体発光素子から離れる位置において導体層が形成されており、半導体発光素子と導体層とは、導電線によって電気的に接続されていることが望ましい。この場合は、リフレクタの寸法を小さくすることができる。また、導電線によって半導体発光素子と電気的に接続される電極がリフレクタの内側にないために、半導体発光素子が発生する光は、リフレクタの内周面およびベース部材の上面において反射され、光を外部へ放射する光放射効率を向上させることができる。

また、ベース部材の表面におけるリフレクタが接合された箇所よりも半導体発光素子から離れる位置において導体層が形成されており、半導体発光素子と導体層とは、一の導電線によって電気的に接続されており、半導体発光素子とベース部材とは、他の導電線によって電気的に接続されていることが望ましい。この場合は、リフレクタの寸法を小さくすることができる。

また、リフレクタの内周面において、導体層が形成されており、半導体発光素子と導体層とは、導電線によって電気的に接続されていることが望ましい。この場合は、リフレクタの寸法を小さくすることができる。リフレクタの内周面と半導体発光素子との距離が短くなるため、半導体発光素子が発生する光が有効に上面方向に反射されやすくなり、より効率よく光を外部へ放出することができ、光反射効率を向上させることができる。また、輝点発光の形状が容易に作製でき、輝点発光が必要な用途に適している。

また、熱伝導性接着シートは、熱伝導性シリコーン、熱伝導性アクリル、熱伝導性エポキシの少なくともいずれか一つ以上またはそれらを層状に積み重ねてなる複合体（多層体）からなることが望ましい。これらの材料は熱伝導率が高いため、半導体発光素子から発生し透光性樹脂中に放熱された熱を効率よく放熱することができる。ここで、熱伝導性接着シートは、熱伝導性フィラーが充填され、充填材として熱伝導の良い酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウムなどを用いる構成とすることができる。また、熱伝導性接着シートとして、熱伝導粘着材、アルミ箔および熱伝導粘着材を順に積層させた構成や、熱伝導粘着材、熱伝導性コンパウンドおよび熱伝導粘着材を順に積層させた構成も考えられる。

また、表面実装型発光ダイオードには、複数の半導体発光素子が備えられていることが望ましい。この場合は、高出力光源を得ることができる。またたとえば、青色・緑色・赤色系ＬＥＤチップなどの半導体発光素子がそれぞれ一つずつ実装されていれば、各ＬＥＤチップへの電流配分の調整により白色などの調色が可能な光源を得ることができる。上記各色のＬＥＤチップがそれぞれ複数個ずつ実装されていてもよい。

また、リフレクタの内周面は、円錐面、球面、放物面のいずれかの一部であるように形成されていることが望ましい。この場合は、半導体発光素子から発生する光を効率よく放出することができる。

また、ベース部材は、少なくとも、半導体発光素子が接着固定されている表面において、金メッキまたは銀メッキの表面処理が施されていることが望ましい。この場合は、半導体発光素子をベース部材に接着固定するボンディングが良好となる。また銀メッキは、光反射率が高く、半導体発光素子からベース部材に放射された光の外部取り出し効率が向上する。

また、ベース部材の、半導体発光素子が接着固定されている上面側と反対側の下面側に金メッキまたは銀メッキの表面処理が施されて、外部接続端子部を形成していることが望ましい。この場合は、外部接続端子部の変質を抑制することができる。

また、ベース部材上に、半導体発光素子を覆うように、かつ、リフレクタと接触しないように、透光性樹脂が設けられていることが望ましい。この場合は、半導体発光素子を覆って外気から遮断し回路を保護するための透光性樹脂が、リフレクタと接触していない。そのため、半導体発光素子から透光性樹脂への熱伝導に伴って、透光性樹脂の膨張および収縮が生じてリフレクタから透光性樹脂が剥がれるという問題が発生することがなく、また、ベース部材の膨張および収縮が生じてリフレクタから透光性樹脂が剥がれるという問題が発生することがないため、表面実装型発光ダイオードの故障率を低減させ信頼性を向上させることができる。また、ベース部材とリフレクタとを熱膨張係数の異なる材料で構成することができる。

また、透光性樹脂は、半導体発光素子が発光する光により励起されると長波長の光を発する蛍光体を含有していることが望ましい。たとえば、半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体から成る青色系半導体発光素子であり、透光性樹脂は、青色系半導体発光素子が発光する光により励起されると黄色系の光を発する蛍光体を含有していることが望ましく、この構成によれば、白色光源を得ることができる。なお、半導体発光素子はＺｎＯ（酸化亜鉛）系化合物半導体でもよく、近紫外系色を発光する半導体発光素子でもよい。

この発明に係る表面実装型発光ダイオードの製造方法は、金属製のベース部材集合体の表面の一部に、絶縁層と導体層とを順に積層形成する工程を備える。また、金属製のリフレクタ素材に複数の貫通孔部と、切断用の溝とを形成する工程を備える。また、溝に沿ってリフレクタ素材をダイシングしてリフレクタを成形する工程を備える。また、ベース部材集合体上に、熱伝導性接着シートを介在させて、リフレクタを接合する工程を備える。また、複数の半導体発光素子を、複数の貫通孔部の内側において、ベース部材集合体上に接着固定する工程を備える。また、半導体発光素子と導体層とを電気的に接続する工程を備える。また、ベース部材集合体をダイシングして、単個のベース部材と単個の前記リフレクタとを有する表面実装型発光ダイオードに分割する工程を備える。

この発明に係る表面実装型発光ダイオードの他の製造方法は、金属製のリフレクタ素材に複数の貫通孔部と、切断用の溝とを形成する工程を備える。また、金属製のベース部材集合体上に、熱伝導性接着シートを介在させて、リフレクタ素材を接合する工程を備える。また、リフレクタ素材の表面の一部に、絶縁層と導体層とを順に積層形成する工程を備える。また、複数の半導体発光素子を、複数の貫通孔部の内側において、ベース部材集合体上に接着固定する工程を備える。また、半導体発光素子と導体層とを電気的に接続する工程を備える。また、溝に沿ってリフレクタ素材およびベース部材集合体をダイシングして、単個のベース部材およびリフレクタを有する表面実装型発光ダイオードに分割する工程を備える。

この発明に係る表面実装型発光ダイオードのさらに他の製造方法は、金属製のリフレクタ素材に複数の貫通孔部と、切断用の溝とを形成する工程を備える。また、溝に沿ってリフレクタ素材をダイシングしてリフレクタを成形する工程を備える。また、金属製のベース部材集合体上に、熱伝導性接着シートを介在させて、リフレクタを接合する工程を備える。また、リフレクタの表面の一部に、絶縁層と導体層とを順に積層形成する工程を備える。また、複数の半導体発光素子を、複数の貫通孔部の内側において、ベース部材集合体上に接着固定する工程を備える。また、半導体発光素子と導体層とを電気的に接続する工程を備える。また、ベース部材集合体をダイシングして、単個のベース部材と単個の前記リフレクタとを有する表面実装型発光ダイオードに分割する工程を備える。

この製造方法によれば、ベース部材およびリフレクタが金属製のため、半導体発光素子から発生した熱を外部に効率よく放熱することができ、また、半導体発光素子から発生した光を外部に効率よく放出することができる。金属製のリフレクタは肉厚に設けられるとダイシングが困難となるが、リフレクタ素材に切断用の溝が形成されることによりダイシングが容易となるため、表面実装型発光ダイオードの歩留まりを低下させることがなく、生産性を向上させることができる。

以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。

（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１に係る表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。図１に示すように、表面実装型発光ダイオード１０は、半導体発光素子１、ベース部材２、絶縁層３、導体層４、熱伝導性接着シート５、凸部９を有するリフレクタ６、蛍光体含有透光性樹脂７、導電線８より構成されている。

ベース部材２は、熱伝導のよいアルミニウム（Ａｌ）からなり、板状に形成されている。半導体発光素子１は、その裏面がベース部材２上に接着固定されている。ベース部材２の表面の一部において、絶縁層３が積層され、絶縁層３の表面に金属配線パターン導体となる導体層４が積層されている。ベース部材２の、半導体発光素子１が接着固定されている表面である上面の一部領域に、熱伝導性接着シート５が積層され、熱伝導性接着シート５上にリフレクタ６が設けられる。つまりリフレクタ６は、図１に示すように、ベース部材２の半導体発光素子１が接着固定されている表面である上面に、半導体発光素子１を囲むように、熱伝導性接着シート５を介在させて、接合されている。

半導体発光素子１が接着固定されているベース部材２と、ベース部材２の上面におけるリフレクタ６が接合された箇所よりも半導体発光素子１から離れる位置において形成されている導体層４とは、絶縁層３によって電気的に絶縁されている。半導体発光素子１の電極は、導電線８によって導体層４と電気的に接続されている。導体層４は、たとえば上記上面と反対側の下面側において、外部接続端子部４ａとして外部から半導体発光素子１に電流を供給するように機能すれば、表面実装型発光ダイオード１０を発光させるための回路を形成することができる。外部接続端子部４ａを含む導体層４は、表面が銀被膜で被覆されており、そのために外部接続端子部４ａを含む導体層４の変質が抑制される。

リフレクタ６は、アルミニウム（Ａｌ）製であって、たとえば最小内径２ｍｍ程度、最大内径３ｍｍ程度のすり鉢型に形成されている。またリフレクタ６は、外周面において、ダイシングを容易にするために用いられた切りしろ残りである、凸部９を有する。凸部９は、リフレクタ６の外周面の幅よりも小さい幅を有する。上記幅とは、ベース部材２の上面（半導体発光素子１が接着固定されている表面）に垂直な方向における寸法を示す。つまりリフレクタ６の断面において、図１に示すように、リフレクタ６の厚み方向（図１の上下方向）における凸部９の寸法は、リフレクタ６の厚みよりも小さくなっている。また、リフレクタ６の内周面は鏡面仕上げされている。ここでリフレクタ６の内周面とは、リフレクタ６によって囲まれている半導体発光素子１と対向している、リフレクタ６の表面である。

リフレクタ６がすり鉢型であり、その内周面が鏡面仕上げされているために、半導体発光素子１から発生した光はリフレクタ６によって反射され、外部に効率よく放出される。半導体発光素子１から発生した光の一部はベース部材２に向かって発光されるが、ベース部材２もまた金属製であることから、ベース部材２の上面において光が反射され、光は外部に効率よく放出される。つまり、ベース部材２の下面側から光が漏れる量は極めて少ない。

ベース部材２の上面には、ベース部材２の側面に沿って導体層４が形成されており、図１に示すように断面において、リフレクタ６は導体層４が形成されている箇所よりも内側においてベース部材２と接合されている。つまり、リフレクタ６をベース部材２の側面に沿ってベース部材２と接合する従来の表面実装型発光ダイオード（図１７参照）と比較して、リフレクタ６は小型化されている。リフレクタ６が小型化されれば、半導体発光素子１からリフレクタ６までの距離が縮まるために、半導体発光素子１が発生する熱がリフレクタ６へ伝導されやすくなり、熱がリフレクタ６から外部へ放出されやすくなり、放熱性が向上する。また、導電線８は半導体発光素子１の電極と、導体層４における対応する電極とを、リフレクタ６を跨ぐようにして接続しており、導電線８によって半導体発光素子１と電気的に接続される電極はリフレクタ６の内側にない。そのために、半導体発光素子１が発生した光がリフレクタ６の内周面およびベース部材２の上面によって一方向へ反射されやすくなり、より効率よく光を外部へ放出することができ、光反射効率を向上させることができる。

また、ベース部材２の上面のリフレクタ６よりも内側には、光が材料内部を進むことができる性質を有する樹脂材料である透光性樹脂７として、シリコーン樹脂が充填され、半導体発光素子１は透光性樹脂７により覆われている。透光性樹脂７は、半導体発光素子からの光で励起されると黄色系の光を発する蛍光体を含有し分散保持する。ここで蛍光体とは、ある特定の波長の電磁波（たとえば可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線など）を照射することにより、別の波長の可視光線を放出（発光）する物質である。

半導体発光素子１は、窒化ガリウム系化合物半導体より成る青色系の半導体発光素子であり、Ｐ、Ｎ電極を同一面（図１では上面側）に有するチップ状に形成されている。半導体発光素子１が発光すると、青色系の光を発する。このとき、透光性樹脂７に分散保持された蛍光体に青色系の光が吸収されて得られる黄色系の光と、蛍光体に吸収されなかった青色系の光との混色によって、白色系の発光が得られる。上記半導体発光素子１がベース部材２に複数接着固定されて実装されていれば、より高出力の光源を得ることができる。ここで、透光性樹脂７の形状は、ベース部材２の表面から遠ざかる側に向けて盛り上がる凸レンズ状に形成されていてもよい。ここで、青色系の光とは、発光のピーク波長が３５０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である光をいう。また黄色系の光とは、発光のピーク波長が５５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下である、上記青色系の光よりも長波長な光をいう。

ここで、透光性樹脂７とリフレクタ６とは接触していない。したがって、半導体発光素子１から発生する熱によって透光性樹脂７の膨張および収縮が生じ、リフレクタ６から透光性樹脂７が剥がれるという問題が発生することがなく、表面実装型発光ダイオード１０の故障率を低減させ信頼性を向上させることができる。また、ベース部材２とリフレクタ６とを熱膨張係数の異なる材料で構成することができる。

図２は、半導体発光素子が発生する熱の伝導を示す模式図である。図２において、矢印ａ、ｂ、ｃ、ｄは熱の伝導を示す。図２に示すように、半導体発光素子１が発生した熱は、矢印ａ、ｂのようにベース部材２へ伝導される。ベース部材２へ伝導された熱は、一部がベース部材を通して外部へ放熱され、矢印ｂ、ｃのように一部が熱伝導性接着シート５を通ってリフレクタ６へ伝導される。リフレクタ６へ伝導された熱は、矢印ｄのように、外部へ放熱される。

ベース部材２およびリフレクタ６がＡｌ製であって熱伝導率が高いため、半導体発光素子１から発生した熱を外部に効率よく放熱することができる、放熱性のよい表面実装型発光ダイオード１０を構成することができる。リフレクタ６には凸部９が形成されておりリフレクタ６の表面積が増大しているため、より効率よく放熱することができる。また、リフレクタ６が熱伝導性接着シート５を介在させてベース部材２と接合されているので、Ａｌ製のリフレクタ６に熱が伝導されやすく、半導体発光素子１から発生した熱をより効率よく外部に放熱することができる。熱伝導性接着シート５は熱伝導性のよいものを使用することは言うまでもなく、たとえば、熱伝導性接着シート５として熱伝導性シリコーン、熱伝導性アクリル、熱伝導性エポキシのいずれか、またはそれらを層状に積み重ねてなる複合体（多層体）などを使用することができる。

半導体発光素子１から発生した熱を外部に効率よく放熱することができるので、半導体発光素子１の温度が低くなり、半導体発光素子１を覆う透光性樹脂７の温度も低く保たれる。そのため、透光性樹脂７に分散保持される蛍光体が半導体発光素子１の高温に晒されることによる劣化が抑制される。これにより、表面実装型発光ダイオード１０の寿命を延ばすことが可能になる。また、表面実装型発光ダイオード１０から発生する色のバラツキを抑えることができる。

透光性樹脂７に分散保持される蛍光体としては、ガドリニウムおよびセリウムが添加された、ＹＡＧ系（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ＢＯＳ系（Barium Ortho-Silicate）、ＴＡＧ系（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）の少なくとも１種を含んでいる。なお、白色光を得るためには透光性樹脂７に蛍光体を含有させることが必要であるが、表面実装型発光ダイオード１０としては、蛍光体を含有しない透光性樹脂７のみで半導体発光素子１を封止する構成でもよいことは言うまでもない。透光性樹脂７は、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン変形エポキシ系樹脂などの少なくとも１種以上あるいはその複合体であることが望ましい。半導体発光素子１から発生する熱の一部は、透光性樹脂７を通じて外部へ放熱されるので、放熱性のよい（たとえば熱伝導率０．３Ｗ／ｍＫ以上）透光性樹脂７であればより好ましい。

また、半導体発光素子１から発生した光は、リフレクタ６が金属（Ａｌ）で形成されているために効率よく外部に放射される。リフレクタ６をＡｌで形成しているため、リフレクタ６における光を反射する面となる内周面に反射層として反射率を上げるためのＡｌ蒸着、金属メッキなどを必要としないため、作製が容易となる。また、ベース部材２とリフレクタ６とを熱伝導性接着シート５で接着するだけで作製しているため、作製が容易となる。なお、リフレクタ６の内周面には、たとえば銀メッキ、ニッケルメッキ、ニッケル−クロムメッキなどからなるメッキ層を形成されていてもよく、メッキ層によって半導体発光素子１から発生する光を一層効率よくリフレクタ６の外部に放出することができる。

次に、図１に示す表面実装型発光ダイオード１０の製造手順を説明する。図３は、表面実装型発光ダイオードの製造工程を示す流れ図である。図４〜図９は、図３で示す表面実装型発光ダイオードの製造方法の各工程を説明するための図である。図３に示すように、まず、工程（Ｓ１０）において、ベース部材集合体として、厚さ０．５ｍｍの板状のアルミニウムを準備する。ベース部材集合体を、エンボス型を使用して上方から押し潰す方向にエンボス成形する方法で、後工程で半導体発光素子が接着固定される表面である上面と、上面と反対側の下面とに、凹部を成形する。ここでベース部材集合体とは、ダイシング（切断）されることによってベース部材２に成形される素材であって、後述するように、半導体発光素子１の接着固定・ワイヤボンディングおよび樹脂封止の各工程を経た後に、個々のベース部材２に切断・分離される。

次に工程（Ｓ２０）において、図４に示すように、板状のベース部材集合体の側面側の表面、および、上記凹部を被覆するように、絶縁層３としての二酸化シリコン層（厚さ０．１ｍｍ）を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により積層する。続いて工程（Ｓ３０）において、絶縁層３の表面に、電気メッキを用いて形成された金属配線パターン導体としての銅薄膜（厚さ０．０３５ｍｍ）と、さらに銀メッキ法を用いて銀薄膜（厚さ０．００５ｍｍ）とからなる、導体層４を積層する。導体層４の表面が銀メッキされ銀薄膜で被覆されるので、導体層４の変質が抑制される。次に工程（Ｓ４０）において、図５に示すように、ベース部材集合体の上面側に熱伝導性接着シート５としてのシート状の熱伝導性シリコーン（厚さ０．０５ｍｍ）を貼付する。つまり、熱伝導性接着シート５は、ベース部材２の上面側における導体層４が形成されている箇所よりも内側の、ベース部材２の上面に貼付される。

一方、工程（Ｓ１１０）〜（Ｓ１４０）において、リフレクタを形成する。まず工程（Ｓ１１０）において、図９（ａ）に示すように、板材１１としてのアルミニウム板（厚さ１ｍｍ）を準備する。図９（ａ）は板材１１の側面図であり、実際には板材１１として、紙面と垂直方向に長い材料が準備される。次に工程（Ｓ１２０）において、エンボス型を使用して上方から押し潰す方向に両面エンボス成形する方法によって、アルミニウム板に貫通孔部１３と切断用の溝１２とを形成する。切断用の溝１２は、板材１１の表面の直交する２方向に沿って形成される。図９（ｂ）はエンボス成形後の断面図である。ここで貫通孔部１３は、円錐面の一部であるように形成されており、図９（ｂ）に示す断面において、貫通孔部１３の径は図の上側から下側に向かって、小さくなっている。切断用の溝１２は、板材１１よりも厚みの薄い領域となる。

次に工程（Ｓ１３０）において、切断用の溝１２に沿ってダイシングを行なう。ここで、直交する２方向に形成されている切断用の溝１２に沿って、上記２方向のいずれの方向にも、ダイシングが行なわれる。金属製の板材１１に切断用の溝が形成されており、切断用の溝に沿ってダイシングを行なうため、板材１１の切断幅は小さくなっており、容易にダイシングすることができる。よってダイシング工程における不良品の発生を抑制できるので、歩留まりを低下させることがなく、生産性を向上させることができる。このようにして、工程（Ｓ１４０）において、単個の板状のリフレクタ６が完成する。図９（ｃ）はリフレクタ６の断面図である。

次に工程（Ｓ５０）において、図６に示すように、熱伝導性接着シート５上にリフレクタ６を接合させる。リフレクタ６は、工程（Ｓ１３０）のダイシングにおいて切断用の溝１２に沿って分断された後の切りしろ残りとしての凸部９を有している。

次に工程（Ｓ６０）において、図７に示すように、ベース部材２の上面に、半導体発光素子１を透明樹脂としてのエポキシ系樹脂で接着固定（マウント）する。半導体発光素子１はリフレクタ素材の円錐面の一部であるように形成された貫通孔部１３の内側に接着固定されるので、当該円錐面の一部がリフレクタ６の内周面となり、そのために半導体発光素子１から発生する光を効率よく外部に放出することが可能となる。続いて、工程（Ｓ７０）において、ワイヤボンディングにより、半導体発光素子１の各電極と、対応する導体層４のボンディングパッドとを、導電線（リード線）８を用いて接続する。この後、工程（Ｓ８０）において、図８に示すように、ＢＯＳ系蛍光体を含有する透光性樹脂７（たとえばシリコーン樹脂）を、リフレクタ６の内部に、ディスペンサーを用いて充填する。

次に工程（Ｓ９０）において、図８に示す紙面と垂直方向に長いベース部材集合体のダイシングを行なう。このようにして、工程（Ｓ１００）において、単個のベース部材２およびリフレクタ６を有する、図１に示す単個の表面実装型発光ダイオード１０が作製される。

なお、実施の形態１においては、半導体発光素子１はＰ、Ｎ電極を同一面に有するチップ状に形成されていたが、この構造に限らず、Ｐ、Ｎ電極を両側に有するチップ上に形成される構造でもよい。半導体発光素子１が、ベース部材２と接触する側の裏面側に電極を有している場合、ベース部材２の当該半導体発光素子１が接着固定される表面において、金メッキまたは銀メッキの表面処理が施されていれば、半導体発光素子１をベース部材２に接着固定するボンディングが良好となる。銀メッキの場合は、光反射率が高く光外部取り出し効率が向上する。また半導体発光素子１の基板は、絶縁体、導体のいずれでもよい。半導体発光素子１は、窒化ガリウム系化合物半導体に限られず、ＺｎＯ（酸化亜鉛）系化合物半導体、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体を用いてもよいことは言うまでもない。これらいずれの構造でも、半導体発光素子１をベース部材２に実装可能である。

さらに、複数個の半導体発光素子１がベース部材２に実装可能である。複数個の同色の半導体発光素子１が実装されていれば高出力光源を得ることができる。またたとえば、青色・緑色・赤色系ＬＥＤチップなどの半導体発光素子がそれぞれ一つずつまたは同数個ずつ実装されていれば、各ＬＥＤチップへの電流配分の調整により白色などの調色が可能な光源を得ることができることは言うまでもない。

（実施の形態２）
図１０は、この発明の実施の形態２の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。実施の形態２の表面実装型発光ダイオード２０と、上述した実施の形態１の表面実装型発光ダイオード１０とは、基本的に同一の構成を備えている。しかし、実施の形態２では、半導体発光素子１のワイヤボンディングが図１０に示すような構成となっている点で実施の形態１とは異なっている。

具体的には、表面実装型発光ダイオード２０を構成するリフレクタ６は、たとえば長さ２ｍｍ程度、幅０．８ｍｍ程度のすり鉢型に形成されている。ベース部材２には、その側面の片側を被覆するように、絶縁層３および導体層４が積層されている。半導体発光素子１の一の電極は、導電線８ａによって対応するベース部材２のボンディングパッドに接続され、また半導体発光素子１の他の電極は、導電線８ｂによって対応する導体層４のボンディングパッドに接続されている。

表面実装型発光ダイオード２０の製造方法については、図３に示す工程（Ｓ１０）において、ベース部材集合体の側面の片側のみに凸部が形成される。次に工程（Ｓ２０）において、ベース部材集合体の凸部が形成された側の側面および凸部を被覆するように、絶縁層３としての厚さ０．０５ｍｍの二酸化シリコン層がスパッタリング法により積層される。次に工程（Ｓ３０）において、絶縁層３の表面に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により積層された金属配線パターン導体としての銅薄膜（厚さ０．０４ｍｍ）と、さらに銀メッキ法を用いて銀薄膜（厚さ０．０１ｍｍ）とからなる、導体層４を積層する。続いて工程（Ｓ４０）において、熱伝導性接着シート５としてのシート状の熱伝導性アクリル（厚さ０．１ｍｍ）は、ベース部材集合体の導体層４が積層されている側の側面側においては、ベース部材集合体の上面側における導体層４が形成されている箇所よりも内側の、ベース部材集合体の上面に位置するように、貼付される。また熱伝導性接着シート５としてのシート状の熱伝導性アクリル（厚さ０．１ｍｍ）は、ベース部材集合体の導体層４が積層されていない側の側面側においては、たとえばベース部材集合体の側面に沿うようにして、ベース部材集合体の上面に貼付される。

また、工程（Ｓ７０）において、半導体発光素子１の一の電極は、導電線８ａによって対応するベース部材２のボンディングパッドに接続され、また半導体発光素子１の他の電極は、導電線８ｂによってリフレクタ６を跨いで対応する導体層４のボンディングパッドに接続される。続いて工程（Ｓ８０）において、ＹＡＧ系蛍光体を含有する透光性樹脂７（たとえばエポキシ系樹脂）を、リフレクタ６の内部に、半導体発光素子１および導電線８ａを覆うように、ディスペンサーを用いて充填する。

なお、表面実装型発光ダイオード２０のその他の構成および製造手順については、実施の形態１において説明した通りであるので、その説明は繰り返さない。

（実施の形態３）
図１１は、この発明の実施の形態３の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。図１２は、図１１に示す表面実装型発光ダイオードの斜視図である。実施の形態３の表面実装型発光ダイオード３０と、上述した実施の形態１の表面実装型発光ダイオード１０とは、基本的に同一の構成を備えている。しかし、実施の形態３では、絶縁層３と導体層４との構造が図１１に示すような構成となっている点で実施の形態１とは異なっている。

具体的には、表面実装型発光ダイオード３０を構成するベース部材２は、厚さ０．５ｍｍのアルミニウムにより作製されている。リフレクタ６は、厚さ１ｍｍのアルミニウム板により、たとえば内径長さ２ｍｍ程度、内径の幅１ｍｍ程度の楕円型に形成されている。リフレクタ６の、熱伝導性接触シート５を介在させてベース部材２と接触している面以外の表面において、絶縁層３を介在させて、導体層４が積層されている。半導体発光素子１と導体層４とは、導電線８によって、電気的に接続されている。導電層４に接続された外部接続端子部８１、８２を通して、外部から半導体発光素子１を発光させるための電流を半導体発光素子１に供給する。表面実装型発光ダイオード２０のその他の構成については、実施の形態１において説明した通りであるので、その説明は繰り返さない。

次に、図１１に示す表面実装型発光ダイオード３０の製造手順を説明する。図１３は、実施の形態３の表面実装型発光ダイオードの製造方法を示す流れ図である。まず工程（Ｓ１０）において、ベース部材集合体として、厚さ０．５ｍｍの板状のアルミニウムを準備する。続いて工程（Ｓ２０）において、ベース部材集合体の上面に、熱伝導性接着シート５としてのシート状の熱伝導性シリコーン（厚さ０．０５ｍｍ）を貼付する。

一方、工程（Ｓ１１０）〜（Ｓ１４０）において、リフレクタ素材を形成する。まず実施の形態１と同様に、工程（Ｓ１１０）において板材１１としてのアルミニウム板（厚さ１ｍｍ）を準備し、次に工程（Ｓ１２０）において、アルミニウム板に貫通孔部１３と切断用の溝１２とを形成する。次に工程（Ｓ１３０）において、切断用の溝１２に沿って、図９（ｂ）に示す紙面と垂直方向の切断用の溝１２に沿って、ダイシングを行なう。このようにして、工程（Ｓ１４０）において、板状のリフレクタ素材が完成する。リフレクタ素材は、図９（ｃ）の紙面と垂直方向に長い板状であり、当該方向に沿って、後の工程でダイシングされることによってリフレクタ６に形成される部材が、複数個結合されたものである。

次に工程（Ｓ３０）において、熱伝導性接着シート５上にリフレクタ素材を接合させる。次に工程（Ｓ４０）において、リフレクタ素材の上面に、絶縁層３としての二酸化シリコン層（厚さ０．１ｍｍ）を、ＣＶＤ法により形成する。次に工程（Ｓ５０）において、絶縁層３の表面に、金属配線パターン導体としての銅薄膜（厚さ０．０３５ｍｍ）を電気メッキで形成し、さらに銀メッキ法を用いて銀薄膜（厚さ０．００５ｍｍ）とからなる、導体層４を積層する。

次に工程（Ｓ６０）において、ベース部材２の上面に、半導体発光素子１を透明樹脂としてのエポキシ系樹脂で接着固定（マウント）する。続いて、工程（Ｓ７０）において、ワイヤボンディングにより、半導体発光素子１の各電極と、リフレクタ素材に積層された対応する導体層４のボンディングパッドとを、導電線（リード線）８を用いて接続する。この後、工程（Ｓ８０）において、ＢＯＳ系蛍光体を含有する透光性樹脂７（たとえばシリコーン樹脂）を、リフレクタ素材の貫通孔部の内部に、ディスペンサーを用いて充填する。

次に工程（Ｓ９０）において、リフレクタ素材に形成されている切断用の溝（図９（ｃ）に示す紙面と垂直方向に長いリフレクタ素材において、図９（ｃ）の断面と異なる断面上に切断用の溝は形成されているために、当該切断用の溝は図示されていない）に沿って、リフレクタ素材およびベース部材集合体のダイシングを行なう。このようにして、工程（Ｓ１００）において、単個のベース部材２およびリフレクタ６を有する、図１１に示す単個の表面実装型発光ダイオード３０が作製される。

（実施の形態４）
図１４は、この発明の実施の形態４の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。実施の形態４の表面実装型発光ダイオード４０と、上述した実施の形態３の表面実装型発光ダイオード３０とは、基本的に同一の構成を備えている。しかし、実施の形態４では、絶縁層３と導体層４との構造が図１４に示すような構成となっている点で実施の形態３とは異なっている。

具体的には、表面実装型発光ダイオード３０を構成するベース部材２は、厚さ１．０ｍｍの銅により作製されている。リフレクタ６は、厚さ０．７５ｍｍのアルミニウム板により、たとえば最小内径２ｍｍ程度、最大内径２．４ｍｍ程度のすり鉢型に形成されている。リフレクタ６の、熱伝導性接触シート５を介在させてベース部材２と接触している面以外の表面である、リフレクタ６の上面および内周面において、絶縁層３を介在させて、導体層４が積層されている。半導体発光素子１と導体層４とは、導電線８によって、電気的に接続されている。表面実装型発光ダイオード４０のその他の構成については、実施の形態１および実施の形態３において説明した通りであるので、その説明は繰り返さない。

次に、図１４に示す表面実装型発光ダイオード４０の製造手順を説明する。図１５は、実施の形態４の表面実装型発光ダイオードの製造方法を示す流れ図である。まず工程（Ｓ１０）において、ベース部材集合体として、厚さ１．０ｍｍの板状の銅を準備する。続いて工程（Ｓ２０）において、ベース部材集合体の上面に、熱伝導性接着シート５としてのシート状の熱伝導性シリコーン（厚さ０．０３ｍｍ）を貼付する。一方、工程（Ｓ１１０）〜（Ｓ１４０）において、実施の形態１で説明したように、板材１１としてのアルミニウム板（厚さ０．７５ｍｍ）から、単個の板状のリフレクタ６を形成する。

続いて工程（Ｓ３０）において、熱伝導性接着シート５上にリフレクタ６を接合させる。次に工程（Ｓ４０）において、リフレクタ６の上面に、絶縁層３としてのポリイミド樹脂層（厚さ０．０５ｍｍ）を形成する。次に工程（Ｓ５０）において、絶縁層３の表面に、金属配線パターン導体としての銅薄膜（厚さ０．０４ｍｍ）を熱酸化法で形成し、さらに銀メッキ法を用いて銀薄膜（厚さ０．０２ｍｍ）とからなる、導体層４を積層する。

次に工程（Ｓ６０）において、ベース部材２の上面に、半導体発光素子１を透明樹脂としてのアクリル系樹脂で接着固定（マウント）する。続いて、工程（Ｓ７０）において、ワイヤボンディングにより、半導体発光素子１の各電極と、リフレクタ６に積層された対応する導体層４の、リフレクタ６の内周面において設けられたボンディングパッドとを、導電線（リード線）８を用いて接続する。この後、工程（Ｓ８０）において、ＢＯＳ系蛍光体を含有する透光性樹脂７（たとえばシリコーン樹脂）を、リフレクタ６の内部に、ディスペンサーを用いて充填する。

次に工程（Ｓ９０）において、実施の形態１で説明した通りに、ベース部材集合体のダイシングを行なう。このようにして、工程（Ｓ１００）において、単個のベース部材２およびリフレクタ６を有する、図１４に示す単個の表面実装型発光ダイオード１０が作製される。

（実施の形態５）
図１６は、この発明の実施の形態５の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。実施の形態５の表面実装型発光ダイオード５０と、上述した実施の形態３の表面実装型発光ダイオード３０とは、基本的に同一の構成を備えている。しかし、実施の形態４では、絶縁層３と導体層４との構造が図１５に示すような構成となっている点で実施の形態３とは異なっている。

具体的には、表面実装型発光ダイオード５０を構成するベース部材２は、厚さ１．０ｍｍのアルミニウムにより作製されている。リフレクタ６は、厚さ０．７５ｍｍのアルミニウム板により、たとえば最小内径２．５ｍｍ程度、最大内径３ｍｍ程度のすり鉢型に形成されている。リフレクタ６の上面の１箇所において、絶縁層３を介在させて、導体層４が積層されている。半導体発光素子１は、その両面に電極を有する。半導体発光素子１がベース部材２に接着固定される面と反対側の上面側の電極と、導体層４のボンディングパッドとは、導電線８によって、電気的に接続されている。

実施の形態５の表面実装型発光ダイオード５０の製造方法と、図１５に示す実施の形態４の表面実装型発光ダイオード４０の製造方法とは、基本的に同じであるが、実施の形態５の表面実装型発光ダイオード５０の製造方法では、図１５に示す工程（Ｓ１０）において、ベース部材集合体として厚さ１．０ｍｍの板状のアルミニウムを準備する。次に工程（Ｓ２０）において、ベース部材集合体の上面に、熱伝導性接着シート５としてのシート状の熱伝導性エポキシ（厚さ０．１ｍｍ）を貼付する。

また工程（Ｓ４０）において、リフレクタ６の上面の１箇所に、絶縁層３としてのエポキシ樹脂層（厚さ０．０３ｍｍ）を形成する。続いて工程（Ｓ５０）において、絶縁層３の表面に、金属配線パターン導体としての銅薄膜（厚さ０．０３５ｍｍ）をスパッタリング法で形成し、さらに金メッキ法を用いて金薄膜（厚さ０．０１ｍｍ）とからなる、導体層４を積層する。この後、工程（Ｓ６０）において、ベース部材２の上面に、半導体発光素子１を銀ペーストで接着固定（マウント）する。

なお、表面実装型発光ダイオード５０のその他の構成および製造手順については、実施の形態１および実施の形態４において説明した通りであるので、その説明は繰り返さない。

なお、実施の形態１から実施の形態５の説明においては、ベース部材２およびリフレクタ６が一枚の金属の板材を原材料として作成される例を述べているが、たとえば金属材料の表面に他の金属がメッキ加工により積層されるなど、複数の金属が組み合わされて形成されてもよい。ベース部材２およびリフレクタ６を形成する金属材料は、Ａｌ、Ｃｕに限られず、放熱性および加工性に優れたＦｅ、Ｍｇなどを用いることができ、またはこれらの複合体としてもよい。ただし、ベース部材２およびリフレクタ６を金属の一体物として形成すれば、図９に示したように容易に製造が可能であり生産性を向上できるために、より好ましい。一体物として形成される場合、ベース部材２およびリフレクタ６の材料は、単体の金属に限られず合金であってもよい。

リフレクタ６の形状に関しては、たとえば凸部９のような、リフレクタ６の光反射面である内周面を除く部分を凹凸形状に設け、放熱フィンのような形状とすることもできる。このようにすれば、リフレクタ６から外部への放熱がさらに促進されるために、一層放熱性を向上させることができる。またリフレクタ６の光反射面は、円錐面に限られず、たとえば球面や放物面の一部であるように、リフレクタ６が形成されてもよく、この場合半導体発光素子１から発生する光を効率よく放出することができる。

絶縁層３は、二酸化シリコンに限られず、たとえばアクリルゴム、エポキシ、シリコーンなどを、熱伝導粘着材と介在させてベース部材２および導体層４に接着することによって構成することができる。絶縁層３を構成する材料が熱伝導率の高いものであれば、より好ましい。

また、熱伝導性接着シート５が透光性樹脂７と接触している構成としてもよい。たとえば図１に示す表面実装型発光ダイオード１０において、半導体発光素子１が導体層４にワイヤボンドされている領域を除き、熱伝導性接着シート５がリフレクタ６の内周壁よりも内側においても形成する構成とすれば、熱伝導性接着シート４を透光性樹脂７と接触させることができる。この場合、透光性樹脂７中に放熱された熱を、熱伝導性接着シート５を通してリフレクタ６へ伝導することができる。したがって、半導体発光素子１が発生した熱をより効率よく外部へ放熱することができる。

さらに、リフレクタ６を熱伝導性接着シート５とリフレクタ６とが接合している面積が増大させるような形状に形成してもよい。たとえば、リフレクタ６を、熱伝導性接着シート４との接合部において、凹凸を有する形状、または、のこぎり歯状の細かい刻み目を有する形状に成形することができる。このようにすれば、熱伝導性接着シート５からリフレクタ６への熱伝導が向上する。したがって、半導体発光素子１が発生した熱をより効率よく外部へ放熱することができる。また、リフレクタ６の接合強度を向上させることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

実施の形態１に係る表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。 半導体発光素子が発生する熱の伝導を示す模式図である。 表面実装型発光ダイオードの製造工程を示す流れ図である。 導体層形成工程を示す模式図である。 接着シート貼付工程を示す模式図である。 リフレクタ接合工程を示す模式図である。 半導体発光素子接着固定工程を示す模式図である。 透光性樹脂充填工程を示す模式図である。 リフレクタを成形する工程を示す模式図である。 実施の形態２の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。 実施の形態３の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。 図１１に示す表面実装型発光ダイオードの斜視図である。 実施の形態３の表面実装型発光ダイオードの製造工程を示す流れ図である。 実施の形態４の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。 実施の形態４の表面実装型発光ダイオードの製造工程を示す流れ図である。 実施の形態５の表面実装型発光ダイオードの断面構造の一部を示す模式図である。 従来の表面実装型発光ダイオードの構成の例を示す断面模式図である。 従来の表面実装型発光ダイオードの構成の他の例を示す斜視図である。

符号の説明

１ 半導体発光素子、２ ベース部材、３ 絶縁層、４ 導体層、４ａ 外部接続端子部、５ 熱伝導性接着シート、６ リフレクタ、７ 透光性樹脂、８ 導電線、９ 凸部、１０，２０，３０，４０，５０ 表面実装型発光ダイオード、１１ 板材、１２ 切断用の溝、１３ 貫通孔部、１００ 表面実装型発光ダイオード、１０１ チップ基板、１０２ ＬＥＤチップ、１０３ 枠状部材、１０４ モールド樹脂、１０５ チップ実装ランド、１０６ 表面実装用端子部、１０７ 接続ランド、１０８ 導電パターン、２００ 半導体発光装置、２０１ リードフレーム、２０２ 半導体発光素子、２０３ 封止部材、２０４ａ，２０４ｂ リード端子、２０５ 反射板。

Claims (18)

1. 金属製のベース部材と、
   前記ベース部材上に裏面が接着固定された半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子を囲むように前記ベース部材上に接着シートを介在させて接合された、金属製のリフレクタとを備え、
   前記ベース部材の表面における前記リフレクタが接合された箇所よりも前記半導体発光素子から離れる位置において、または、前記リフレクタ上の前記ベース部材と接合されていない面において、前記半導体発光素子と電気的に接続された導体層が、絶縁層を介在させて形成されている、表面実装型発光ダイオード。
2. 前記リフレクタの外周面に、前記外周面の幅よりも小さい幅を有する凸部が形成されている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
3. 前記ベース部材は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇの少なくともいずれか一つ以上またはそれらの複合体からなる、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
4. 前記リフレクタは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇの少なくともいずれか一つ以上またはそれらの複合体からなる、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
5. 前記接着シートは、熱伝導性接着シートである、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
6. 前記ベース部材の表面における前記リフレクタが接合された箇所よりも前記半導体発光素子から離れる位置において、前記導体層が形成されており、
   前記半導体発光素子と前記導体層とは、導電線によって電気的に接続されている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
7. 前記ベース部材の表面における前記リフレクタが接合された箇所よりも前記半導体発光素子から離れる位置において、前記導体層が形成されており、
   前記半導体発光素子と前記導体層とは、一の導電線によって電気的に接続されており、
   前記半導体発光素子と前記ベース部材とは、他の導電線によって電気的に接続されている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
8. 前記リフレクタの内周面において、前記導体層が形成されており、
   前記半導体発光素子と前記導体層とは、導電線によって電気的に接続されている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
9. 前記熱伝導性接着シートは、熱伝導性シリコーン、熱伝導性アクリル、熱伝導性エポキシの少なくともいずれか一つ以上またはそれらの複合体からなる、請求項５に記載の表面実装型発光ダイオード。
10. 複数の前記半導体発光素子が備えられている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
11. 前記リフレクタの内周面は、円錐面、球面、放物面のいずれかの一部であるように形成されている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
12. 前記ベース部材は、少なくとも、前記半導体発光素子が接着固定されている表面において、金メッキまたは銀メッキの表面処理が施されている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
13. 前記ベース部材の前記半導体発光素子が接着固定されている上面側と反対側の下面側に金メッキまたは銀メッキの表面処理が施されて、外部接続端子部を形成している、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
14. 前記ベース部材上に、前記半導体発光素子を覆うように、かつ、前記リフレクタと接触しないように、透光性樹脂が設けられている、請求項１に記載の表面実装型発光ダイオード。
15. 前記透光性樹脂は、前記半導体発光素子が発光する光により励起されると長波長の光を発する蛍光体を含有している、請求項１４に記載の表面実装型発光ダイオード。
16. 金属製のベース部材集合体の表面の一部に、絶縁層と導体層とを順に積層形成する工程と、
    金属製のリフレクタ素材に複数の貫通孔部と、切断用の溝とを形成する工程と、
    前記溝に沿って前記リフレクタ素材をダイシングしてリフレクタを成形する工程と、
    前記ベース部材集合体上に、熱伝導性接着シートを介在させて、前記リフレクタを接合する工程と、
    複数の半導体発光素子を、前記複数の貫通孔部の内側において、前記ベース部材集合体上に接着固定する工程と、
    前記半導体発光素子と前記導体層とを電気的に接続する工程と、
    前記ベース部材集合体をダイシングして、単個のベース部材と単個の前記リフレクタとを有する表面実装型発光ダイオードに分割する工程とを備える、表面実装型発光ダイオードの製造方法。
17. 金属製のリフレクタ素材に複数の貫通孔部と、切断用の溝とを形成する工程と、
    金属製のベース部材集合体上に、熱伝導性接着シートを介在させて、前記リフレクタ素材を接合する工程と、
    前記リフレクタ素材の表面の一部に、絶縁層と導体層とを順に積層形成する工程と、
    複数の半導体発光素子を、前記複数の貫通孔部の内側において、前記ベース部材集合体上に接着固定する工程と、
    前記半導体発光素子と前記導体層とを電気的に接続する工程と、
    前記溝に沿って前記リフレクタ素材および前記ベース部材集合体をダイシングして、単個のベース部材およびリフレクタを有する表面実装型発光ダイオードに分割する工程とを備える、表面実装型発光ダイオードの製造方法。
18. 金属製のリフレクタ素材に複数の貫通孔部と、切断用の溝とを形成する工程と、
    前記溝に沿って前記リフレクタ素材をダイシングしてリフレクタを成形する工程と、
    金属製のベース部材集合体上に、熱伝導性接着シートを介在させて、前記リフレクタを接合する工程と、
    前記リフレクタの表面の一部に、絶縁層と導体層とを順に積層形成する工程と、
    複数の半導体発光素子を、前記複数の貫通孔部の内側において、前記ベース部材集合体上に接着固定する工程と、
    前記半導体発光素子と前記導体層とを電気的に接続する工程と、
    前記ベース部材集合体をダイシングして、単個のベース部材と単個の前記リフレクタとを有する表面実装型発光ダイオードに分割する工程とを備える、表面実装型発光ダイオードの製造方法。

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