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CN111357094A - 用于ald膜特性校正和可调性的多区基座 - Google Patents

用于ald膜特性校正和可调性的多区基座 Download PDF

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CN111357094A
CN111357094A CN201880074453.5A CN201880074453A CN111357094A CN 111357094 A CN111357094 A CN 111357094A CN 201880074453 A CN201880074453 A CN 201880074453A CN 111357094 A CN111357094 A CN 111357094A
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阿施施·索拉卜
拉维·库马尔
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Abstract

一种被配置成在衬底上进行沉积处理包括衬底支撑件，衬底支撑件包括多个区域以及布置在整个所述多个区域的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器。控制器被配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区域内的温度。

Description

用于ALD膜特性校正和可调性的多区基座
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年11月15日提交的美国实用专利申请No.16/192,425的优先权，并且要求于2017年11月17日提交的美国临时申请No.62/587,943以及于2017年12月21日提交的美国临时申请No.62/609,077的利益。以上引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于ALD衬底处理室的温度可调基座。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
衬底处理系统可用于处理衬底，如半导体晶片。衬底处理的示例包括蚀刻、沉积、光致抗蚀剂移除等。在处理期间，衬底布置在衬底支撑件(如静电卡盘)上，并可将一或更多种处理气体导入至处理室中。
可通过气体输送系统，将一或更多种处理气体输送至处理室。在一些系统中，该气体输送系统包括歧管，其经由一或更多个导管连接至位于处理室中的喷头。在一些示例中，处理利用原子层沉积(ALD)，以在衬底上沉积薄膜。
发明内容
一种被配置成在衬底上进行沉积处理的衬底处理系统包括衬底支撑件，衬底支撑件包括多个区域以及布置在整个所述多个区域的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器。控制器被配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区域内的温度。
在其他特征中，所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理，且所述衬底支撑件为ALD基座。所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域、以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域。所述至少一个外边缘区域包括邻近在所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。
在其他特征中，所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个区段的第二多个区段。所述第二多个区段偏离所述第一多个区段45度。所述衬底支撑件包括加热器层，且所述多个电阻加热器嵌入在所述衬底支撑件的上层下方的所述加热器层内。所述加热器层的至少一部分设置在所述衬底的边缘的径向外侧。
一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，衬底处理系统被配置成在衬底上进行沉积处理，所述衬底支撑件包括：基板；多个区域；以及加热器层，其设置在所述基板上。所述加热器层包括布置在整个所述多个区域中的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域的相应区域中的独立可控的电阻加热器。所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域。所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。
在其他特征中，所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理，且所述衬底支撑件为ALD基座。所述至少一个外边缘区域包括邻近于所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个方位角区段的第二多个方位角区段。所述第二多个方位角区段偏离所述第一多个方位角区段45度。所述加热器层的至少一部分设置在所述基板的台阶状部分上。只有所述衬底的外边缘接触所述衬底支撑件的上表面。所述衬底布置在所述衬底支撑件的最小接触面积特征上。
一种制造用于衬底处理系统的衬底支撑件的方法包括对上板进行机械加工以在所述上板内形成凹穴并且在所述凹穴内形成加热器层，其中所述衬底处理系统配置成在衬底上进行沉积处理。形成所述加热器层包括将所述加热器层接合在所述凹穴的上壁上，且所述加热器层包括多个区域，所述多个区域中的每个区域都包括独立可控的电阻加热器。所述方法包括将基板布置在所述凹穴内。利用接合材料将所述基板接合在所述凹穴内，且所述上板将所述加热器层和所述接合材料包围在法拉第笼内。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1A为根据本发明的包括多喷射器喷头的衬底处理系统的示例的功能框图；
图1B显示了根据本发明的衬底支撑件的加热器区域；
图2A-2C显示了根据本发明的示例性沉积厚度不均匀性轮廓；
图2D、2E和2F显示了根据本发明的其他示例性加热器区域的布置：
图3A、3B、3C和3D显示了根据本发明的示例性加热器区域的配置：
图4A、4B、4C和4D显示了根据本发明的衬底支撑件的示例性结构；且
图5A、5B、5C和5D显示了根据本发明的衬底支撑件的其他示例性结构。
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
在膜沉积处理中，如在原子层沉积(ALD)中，沉积膜的各种特性在整个空间(即水平面的x-y坐标)分布上变化。例如，衬底处理工具可基于膜厚度不均匀性(NU)而有相应的规格，NU可作为在半导体衬底表面上预定位置处所进行的测量组合的全范围、半范围和/或标准偏差来测定。在一些示例中，可透过如解决NU的直接导因和/或引入抵销NU来补偿及消除现有NU，以降低NU。在其他示例中，可故意非均匀地沉积和/或移除材料，以补偿处理中其他(如先前或后续)步骤的已知不均匀性。在这些示例中，可计算并使用预定的不均匀性沉积/移除轮廓。
沉积成的ALD膜的各种性质可能受到沉积期间的衬底温度的影响。基于本发明原理的系统和方法可配置成调整温度分布，以降低厚度NU。例如，可将温度分布调整至补偿特定衬底处理工具的已知NU(其可称为轮廓补偿)，以产生用于在特定处理期间使用的预定NU轮廓(其可称为轮廓调整)等。
例如，在ALD处理(如沉积氧化物膜)期间，衬底布置在衬底支撑件(如ALD基座)上。一般而言，ALD基座包括单一区域。根据本发明原理的ALD基座包括多区域(如2至20或更多个区域)加热器层。加热器层可嵌在基座的上层内。例如，加热器层可包括聚酰亚胺和硅树脂加热器层，其至少部分地封置于铝上层(例如为配置成支撑/接触布置在衬底支撑件上的衬底的上层)中。在该示例中，布置的铝上层可用作为法拉第笼。在其他示例中，该上层可为陶瓷层(如Al2O3、A1N等)。加热器层的每一区控制基座的相应的区域的温度。该上层布置在基座的基部(如基板)上，而热可由上层传递至可能被冷却的基板。
区域的布置(如数量、形状、几何形状等)被配置成补偿ALD处理所导致的已知膜厚度NU。这些区域可包括，但不限于：具有不同宽度的两个或更多径向(即环形)区域；两个或更多分段径向区域(即包括多个区段/方位角区域的径向区域)；与衬底边缘相邻和/或重叠的外径向区域：以及布置成用于调整承载环的温度(例如，通过调整，以控制/校正用于沉积和/或移除的径向轮廓)的外径向区域。在一示例中，这些区域包括十个区域，其包含中心区、内-中半径区、四个外-中半径区(即包括四个区段的外-中半径区)以及四个外边缘区(即包括四个区段的外边缘区)。在一些示例中，这些径向区域可包括多于四个的区段(如八个或更多个)。此外，相邻径向区的方位角区域可能不对齐。反之，径向区域的方位角区域相对于相邻径向区域可有不同的旋转方位(即时钟方位)。
现在参考图1A和1B，其显示了根据本发明的包含有衬底支撑件(如ALD基座)104的衬底处理系统100的示例。衬底支撑件104布置在处理室108内。在处理期间，衬底112布置在衬底支撑件104上。在一些示例中，衬底支撑件104可配置成最少接触衬底112(如只有衬底112外边缘可接触衬底支撑件104的上表面，衬底112可布置在最小接触面积(MCA)特征上等)。在其他示例中，该衬底支撑件104可配置成用于提供背侧气体夹持。
气体输送系统120包括气体源122-1、122-2、...、以及122-N(统称为气体源122)，其连接至阀124-1、124-2、...、以及124-N(统称为阀124)及质量流量控制器126-1、126-2、…、以及126-N(统称为MFC126)。这些MFC 126控制气体从气体源122流向歧管128(气体在此处混合)的流动。歧管128的输出通过选择性的压力调节件132，供应至歧管136。歧管136的输出被输入至多喷射器喷头140。虽然显示了歧管128和136，但可以使用单个歧管。
衬底支撑件104包括多个区域。如图所示，衬底支撑件104包括中心区域144、内-中半径区域148、四个外-中半径区域(即包括四个区段152-1、152-2、152-3以及152-4的外-中半径区域152)、以及四个外边缘区域(即包括四个区段156-1、156-2、156-3以及156-4的外边缘区域156)。外边缘区域156的区段偏离外-中半径区域152的区段(即，相对于外-中半径区域152的区段旋转例如45°)。在一些示例中，衬底支撑件104可包括第二外边缘区域158，其在外边缘区域156的径向外侧。例如，第二外边缘区域158的内径可大于衬底112直径。可通过使用布置在所述区域中的相应区域的独立可控电阻加热器160，以控制衬底支撑件104的温度，如下文更详细描述的。
在一些示例中，外边缘区域156覆盖和/或延伸超出(即，沿径向方向)衬底112的外边缘。例如，以300mm衬底而言，外边缘区域156的半径可大于300mm。此外，外边缘区域156的宽度(即，内径至外径的距离)小于内-中半径区域148及外-中半径区域152的宽度。例如，外边缘区域156的宽度可接近10mm(如+/-2mm)，而内-中半径区域148及外-中半径区域152的各自宽度可接近40mm(如+/-2mm)。外边缘区域156的相对窄宽度有利于对衬底112外边缘处进行微调。
在一些示例中，衬底支撑件104可包括冷却剂通道164。冷却流体从流体贮器168和泵170供应至冷却剂通道164。压力传感器172、174可分别布设在歧管128或歧管136内，以量测压力。阀178和泵180可用于从处理室108排出反应物和/或控制处理室108内的压力。
控制器182包括剂量控制器184，其控制由多喷射器喷头140提供的剂量。控制器182还控制来自气体输送系统120的气体输送。控制器182利用阀178和泵180，控制处理室中的压力和/或反应物的排出。控制器182基于温度反馈(例如，来自衬底支撑件内的传感器(图未示)和/或测量冷却剂温度的感测器(图未示))，控制衬底支撑件104和衬底112的温度。
现在参考图2A、2B和2C，其显示了不同处理的示例性沉积厚度NU轮廓。例如，如图2A所示，厚度NU通常为径向的(例如，NU通常可取决于离衬底中心的距离，因此，在区域200、202、204、206、208及210中有不同NU)。在其他示例中，NU可以是径向的且方位角上的(如在旋转方向上的)。例如，如图2B所示，区域212、214、216和218中的每一个可具有不同的NU范围。在还有的其他示例中，NU可以仅在某些方向上为径向的。例如，如图2C所示，区域220、222、224、226和228的每一个可具有不同NU范围。此外，在NU为径向的示例中，NU可能在衬底外边缘处的窄区域中显著增加。因此，两个、三个或四个均匀的径向加热器区域可能无法补偿所有可能的NU图案。
区域的布置使得能补偿径向和方位角上的厚度NU，并且补偿衬底的窄外边缘区域处的NU。仅举例而言，图2D、2E和2F显示其他示例性的区域布置。在其他示例中，衬底支撑件104可包括径向和方位角区域的其他布置及组合。例如，衬底支撑件104可包括较少(如两个)或更多(如20个或更多个)区域，且每一径向区域可分段成2至8或更多独立可控的方位角区域，以增加可调性。
对于已知的NU轮廓，可根据预定温度控制曲线，控制区域温度。例如，一或更多个温度控制曲线可被储存(如储存在控制器182和/或由控制器182访问的内存中)、由用户输入等。每一温度控制曲线可能与预定NU轮廓相关(例如，对既定处理或配方、处理室等而言)。因此，在ALD处理期间，可分别控制和调整加热器区域以补偿沉积NU。温度控制曲线对应于衬底支撑件的每一区域的目标温度，并且可根据给定衬底支撑件的区域的预期温度输出进行校正。在一些示例中，温度控制曲线使膜特性(如厚度、沉积速率等)和/或区域温度与一或更多个加热器区域控制参数(如工作周期、输出百分比)相关联。因此，可根据所期望的温度分布、膜厚度和/或其他膜特性，检索预定温度控制曲线，并基于所检索到的温度控制曲线中的加热器区域控制参数，来控制加热器区域。
相应加热器区域的温度可根据一或更多种类型的反馈进行控制。在一示例中，每一区域可包括各自的温度传感器。在另一示例中，可计算每一区域的温度。例如，可(例如，使用电压及电流传感器)测量电阻加热器的电压和电流，以确定电阻加热器的电阻。由于电阻加热器的电阻特性为已知，因此相应区域的温度可基于相关温度变化所导致的电阻变化来计算出来。在一些示例中，可利用温度传感器的组合及使用其他感测到或测得的参数(如电压和电流)的计算，来提供反馈。
现参考图3A、3B、3C和3D，其显示了具有不同外加热器区域位置的衬底支撑件300的示例性加热器区域配置。该衬底支撑件300包括基板304，其具有嵌置的加热器层308。在图3A中，加热器层308延伸至基板304的外边缘。在图3B中，圆柱状竖直定向的加热器区域312环绕基板304的外边缘。例如，加热器区域312可嵌置在硅树脂接合部316或环绕基板304上部的其他材料中。在图3C中，加热器区域320设置基板304的在衬底(其布置在衬底支撑件300上)边缘外的台阶部分上。例如，加热器区域320可设置在被布置在衬底支撑件300上的聚焦环或边缘环322下方，以围绕衬底。在图3D中，外边缘加热器区域324布置在基板304外。
现在参考图4A、4B、4C和4D，其显示了衬底支撑件400的示例性结构。在图4A中，衬底支撑件400的上板404(如铝扩散板)被机械加工成包含有凹穴408。如图4B所示，加热器层412是形成在凹穴408内。例如，加热器层412压合在凹穴408的上壁上。在图4C中，基板416(如冷却板)布置在凹穴408内。例如，基板416使用接合材料(如硅树脂接合部420)接合在凹穴408内。在图4D中，上板404进行机械加工，以移除上板404的一部分，并形成具有所期望的几何形状的上表面424。以该方式，硅树脂接合部420和基板416位于上板404的大气、射频(RF)屏蔽侧上。因此，硅树脂接合部420、基板416、加热器层412等可能包含有与处理室中使用的氟和其他材料不兼容的材料。此外，在此示例中，上表面424和上板404可作为包围加热器层412和硅树脂接合部420的法拉第笼。
现在参考图5A、5B、5C和5D，其显示了衬底支撑件500的其他示例性结构。在图5A中，加热器层504布置在下板508与上板512之间。屏蔽环516环绕加热器层504，且保护O型环520环绕屏蔽环516。在图5B中，保护胶带524或其他材料围绕屏蔽环516。在图5C和5D中，下板508和上板512分别在528和532处焊接在一起。
在一些示例中，上述包含多区域加热器层的衬底支撑件可用于调整心轴图案和相关间隔层的蚀刻和沉积。例如，心轴和间隔层通常具有极薄轮廓。因此，更难以控制关键尺寸，且相对小的处理NU可能导致显著的关键尺寸NU，如间隔件厚度NU。因此，根据本发明原理的多区域加热器层可用于补偿各种处理NU，以改善间隔件厚度均匀性，且可控制温度以调整衬底表面上的特征的关键尺寸(即，无论是否有处理NU)。例如，如果衬底的不同部分需要不同的沉积厚度，则可独立控制相应加热器区域的温度，以在衬底上达到不同的沉积厚度。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方式的特征中实现和/或与任何其它实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的加载锁。
概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (19)

1.一种衬底处理系统，其配置成在衬底上进行沉积处理，所述衬底处理系统包括：
衬底支撑件，其包括：
多个区域，以及
多个电阻加热器，其布置在整个所述多个区域，其中所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器：以及
控制器，其配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区域内的温度。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理，且所述衬底支撑件为ALD基座。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域、以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域。
4.根据权利要求3所述的衬底处理系统，其中所述至少一个外边缘区域包括邻近在所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。
5.根据权利要求3所述的衬底处理系统，其中所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。
6.根据权利要求3所述的衬底处理系统，其中所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。
7.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个区段的第二多个区段。
8.根据权利要求7所述的衬底处理系统，其中所述第二多个区段偏离所述第一多个区段45度。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述衬底支撑件包括加热器层，且所述多个电阻加热器嵌入在所述衬底支撑件的上层下方的所述加热器层内。
10.根据权利要求9所述的衬底处理系统，其中所述加热器层的至少一部分设置在所述衬底的边缘的径向外侧。
11.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，所述衬底处理系统配置成在衬底上进行沉积处理，所述衬底支撑件包括：
基板；
多个区域；以及
加热器层，其设置在所述基板上，其中所述加热器层包括布置在整个所述多个区域中的多个电阻加热器，其中所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器，
其中所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域，且
其中所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。
12.根据权利要求11所述的衬底支撑件，其中所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理，且所述衬底支撑件为ALD基座。
13.根据权利要求11所述的衬底支撑件，其中所述至少一个外边缘区域包括邻近于所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。
14.根据权利要求11所述的衬底支撑件，其中所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。
15.根据权利要求14所述的衬底支撑件，其中所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个方位角区段的第二多个方位角区段。
16.根据权利要求15所述的衬底支撑件，其中所述第二多个方位角区段偏离所述第一多个方位角区段45度。
17.根据权利要求11所述的衬底支撑件，其中所述加热器层的至少一部分设置在所述基板的台阶状部分上。
18.根据权利要求11所述的衬底支撑件，其中符合下述至少一项：(i)只有所述衬底的外边缘接触所述衬底支撑件的上表面以及(ii)所述衬底布置在所述衬底支撑件的最小接触面积特征上。
19.一种制造用于衬底处理系统的衬底支撑件的方法，其中所述衬底处理系统配置成在衬底上进行沉积处理，所述方法包括：
对上板进行机械加工，以在所述上板内形成凹穴；
在所述凹穴内形成加热器层，其中形成所述加热器层包括将所述加热器层接合在所述凹穴的上壁上，且其中所述加热器层包括多个区域，所述多个区域中的每个区域包括独立可控的电阻加热器；以及
将基板布置在所述凹穴内，其中利用接合材料将所述基板接合在所述凹穴内，且其中所述上板将所述加热器层和所述接合材料包围在法拉第笼内。
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