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JP2013038069A - 発光モジュール、発光装置および発光モジュールの作製方法 - Google Patents

発光モジュール、発光装置および発光モジュールの作製方法 Download PDF

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Abstract

【課題】信頼性の高い発光モジュールを提供する。または、信頼性の高い発光装置を提供する。または、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供する。
【解決手段】第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する構成に想到した。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光素子を有する発光モジュール、発光モジュールを有する発光装置および発光モジュールの作製方法に関する。
携帯電話、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、電子ブックなどの普及が進み、生活の中で表示装置を使用する時間が長くなっている。これらの電子機器が身辺に置かれるようになった結果、従来は紙と文具が用いられてきたような単純な用途にも、これらの電子機器が用いられるようになってきた。具体的には、従来は手帳を用いて行っていたスケジュール管理、住所録、メモ等が、スマートフォンに代表される多機能な電子機器を用いて行われるようになってきた。
これらの電子機器の多くには、表示素子がマトリクス状に配置された表示パネルが用いられる。表示素子としては、光の透過を制御する素子(例えば、液晶表示素子)や、光の反射を制御する素子(例えば、電気泳動方式を用いる素子)や、自ら発光する発光素子等が用いられている。
また、一対の電極の間に膜状に広がる発光性の有機化合物を含む層(EL層ともいう)を備える発光素子が知られている。このような発光素子は例えば有機EL素子と呼ばれ、一対の電極の間に電圧を印加すると、発光性の有機化合物を含む層から発光が得られる。そして、有機EL素子を用いた照明装置や、表示に用いる発光装置が知られている。有機EL素子を用いた表示装置の一例が、特許文献1に開示されている。
特開2002−324673号公報
一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子は、大気中の不純物(代表的には水および/または酸素)が存在する環境において、信頼性が損なわれ易い。
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明の一態様は、信頼性の高い発光モジュールを提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供することを課題の一とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様は、液状の材料から形成される犠牲層に着眼した。そして、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する構成に想到し、上記課題の解決に至った。
すなわち、本発明の一態様は、第1の基板と、第1の基板と対向する第2の基板と、第1の基板と第2の基板の間に発光素子と、を有する発光モジュールであって、発光素子は、第1の基板上に設けられた第1の電極と、第1の電極と重なる第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第2の電極は塗布法を用いて形成された犠牲層と接し、犠牲層は、不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む、発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、不純物(代表的には水および/または酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を含み、塗布法(湿式法ともいう)を用いて形成された犠牲層を、第2の電極に接して備える構成を有する。これにより、発光素子の信頼性を損なう不純物は、犠牲層に含まれる材料と優先的に反応、或いは犠牲層に含まれる材料に吸着され、その活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、第2の電極および第2の基板が、発光性の有機化合物を含む層が発する光を透過し、犠牲層が、第2の電極と第2の基板を光学的に接続する上記の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、犠牲層が第2の電極と第2の基板を光学的に接続する構成を有する。これにより、発光素子の光が第2の電極から第2の基板に至る光路において、屈折率の急激な変化(屈折率の段差ともいう)が抑制され、第2の電極側から第2の基板に、発光素子の発光を効率よく取り出すことができる。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、第1の電極の端部を覆い且つ第1の電極と重なる開口部が設けられた隔壁を備え、隔壁と重なる領域の犠牲層の厚さが、開口部と重なる領域における犠牲層の厚さより薄い上記の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、隔壁上の薄い犠牲層により迷光が抑制される。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、犠牲層が、発光素子に用いられる材料を含む上記のいずれか一に記載の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールにおいて、発光素子の信頼性を損なう不純物(代表的には水および/または酸素)は犠牲層に含まれる発光素子に用いられる材料と優先的に反応、或いは不純物を吸着する。その結果、不純物は発光素子に到達することなくその活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、発光素子を囲うシール材が、第1の基板と第2の基板を貼り合わせる上記のいずれか一に記載の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、シール材に囲まれ、且つ犠牲層と重なる発光素子を有する。シール材は発光モジュールの内部へ発光素子の信頼性を損なう不純物(代表的には水および/または酸素)が侵入する現象を阻み、犠牲層に含まれる材料は不純物と優先的に反応、或いは不純物を吸着し、その活性を失わせる。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、シール材が犠牲層を囲み、且つ第1の基板と第2の基板を貼り合わせる上記の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、犠牲層と重なることなく、シール材が発光素子と犠牲層を囲んで、第1の基板と第2の基板を貼り合わせる構成を有する。シール材が犠牲層と重なる部分がないため、犠牲層を介して大気が発光モジュールに侵入することがない。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、犠牲層が液状である上記の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、第1の基板と第2の基板とシール材に囲まれた空間に液状の犠牲層を有する。犠牲層を液状とすることで、犠牲層を均一に保つことができる。また、犠牲層がシール材で囲まれているため、液状の犠牲層が漏れ出すことがない。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、犠牲層が固体状である上記のいずれか一に記載の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、犠牲層が固体であるため不純物(代表的には水および/または酸素)の拡散が遅い。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、犠牲層が第1の基板と第2の基板を貼り合わせる上記の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、犠牲層が第1の基板と第2の基板を貼り合わせるため、別途シール材を設ける必要がない。その結果、簡便に信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、第2の基板が可撓性を有する上記のいずれか一に記載の発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、可撓性を有する第2の基板は犠牲層に沿って変形可能であるため、犠牲層と第2の基板の間に空間を生じ難い。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、第1の基板に第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆い且つ第1の電極と重なる開口部を備える隔壁を形成し、隔壁の開口部において、第1の電極と一方の面を接する発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層の他方の面と接する第2の電極を、隔壁の開口部に重ねて形成して、発光素子を作製する第1のステップと、発光素子の第2の電極上に不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む塗布液層を形成し、発光素子を囲うシール材を第2の基板に形成する第2のステップと、シール材を用いて、発光素子を挟むように第1の基板と第2の基板を貼り合わせる第3のステップと、をこの順で有する発光モジュールの作製方法である。
上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法によれば、塗布法(湿式法ともいう)を用いて第2の電極に接して犠牲層を形成できる。また、隔壁と重なる領域の犠牲層の厚さを、開口部と重なる領域における犠牲層の厚さより薄くできる。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
また、本発明の一態様は、第2のステップにおいて、犠牲層を塗布した後に、犠牲層にエネルギーを付与して犠牲層を硬化する上記の発光モジュールの作製方法である。
上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法によれば、塗布法(湿式法ともいう)を用いて第2の電極に接して犠牲層を形成できる。また、不純物(代表的には水および/または酸素)の拡散が抑制された固体状の犠牲層を形成できる。その結果、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
また、本発明の一態様は、第3のステップにおいて、第1の基板と第2の基板を貼り合わせた後に、犠牲層にエネルギーを付与して、犠牲層を硬化する上記の発光モジュールの作製方法である。
上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法によれば、塗布法(湿式法ともいう)を用いて第2の電極に接して犠牲層を形成できる。また、不純物の拡散が抑制された固体状の犠牲層を形成できる。その結果、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
また、本発明の一態様は、第1の基板に第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆い且つ第1の電極と重なる開口部を備える隔壁を形成し、隔壁の開口部において、第1の電極と一方の面を接する発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層の他方の面と接する第2の電極を、隔壁の開口部に重ねて形成して、発光素子を作製する第1のステップと、開口部を設けて、発光素子を囲う第1のシール材を第2の基板に形成し、第1のシール材を用いて、発光素子を挟むように第1の基板と第2の基板を貼り合わせる第2のステップと、第1の基板と第2の基板の間に、開口部から不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む塗布液層を注入する第3のステップと、開口部を第2のシール材を用いて塞ぐ第4のステップと、をこの順で有する発光モジュールの作製方法である。
上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法によれば、塗布法(湿式法ともいう)を用いて第2の電極に接して犠牲層を形成できる。その結果、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
なお、本明細書において、EL層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はEL層の一態様である。
また、本明細書において、物質Aを他の物質Bからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Bをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Aをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質A並びに物質Bは、それぞれ単一の物質であっても良いし、2種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源(照明装置含む)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC(Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様によれば、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。または、信頼性の高い発光装置を提供できる。または、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
実施の形態に係る発光モジュールおよび発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールおよび発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールおよび発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールおよび発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールおよび発光パネルの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールおよび発光パネルの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光素子構成を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る電子機器の一例を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールの構成について図1及び図2を参照して説明する。本発明の一態様の発光モジュールは、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有して構成される。具体的には、複数の発光モジュールが隣接して設けられた発光パネルを例示して説明する。
本発明の一態様の発光モジュールは、不純物(代表的には水および/または酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を含み、塗布法(湿式法ともいう)を用いて形成された犠牲層を、第2の電極に接して備える構成を有する。これにより、発光素子の信頼性を損なう不純物は、犠牲層に含まれる材料と優先的に反応、或いは犠牲層に含まれる材料に吸着され、その活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、当該犠牲層が透光性を有する第2の電極と透光性を有する第2の基板を光学的に接続する構成を有する。これにより、発光素子の光が第2の電極から第2の基板に至る光路において、屈折率の急激な変化(屈折率の段差ともいう)が抑制され、第2の電極側から第2の基板に、発光素子の発光を効率よく取り出すことができる。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様の発光モジュールは、隔壁上の犠牲層の厚さが薄い。これにより迷光が抑制される。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
<発光モジュールを複数備える発光パネルの構成>
本発明の一態様の発光モジュールが設けられた発光パネルの構成を、図1を参照して説明する。図1(A)は本発明の一態様の発光モジュールが設けられた発光パネルの上面図であり、図1(B)は図1(A)の切断線J−Kにおける断面図である。図1(B)に例示する発光パネル100は図中に示す矢印の方向に光を射出する。
発光パネル100は第1の発光モジュール150aと第2の発光モジュール150bを有する。また、第1の発光モジュール150aは、第1の基板110と第2の基板120の間に第1の発光素子154aを備え、第2の発光モジュール150bは、第1の基板110と第2の基板120の間に第2の発光素子154bを備える。
第1の基板110には、導電層106aおよび導電層106bを含む導電層と、その上に絶縁層107が設けられている。絶縁層107には、導電層106aに達する開口部と導電層106bに達する開口部が形成されている。
絶縁層107上には、第1の電極151aと第1の電極151bが隣接して設けられている。第1の電極151aは導電層106aと開口部を介して電気的に接続し、第1の電極151bは導電層106bと開口部を介して電気的に接続している。また、隔壁140は第1の電極151aと第1の電極151bに重なる開口部を備える。また、隔壁140は第1の電極151aと第1の電極151bの端部を覆っている。
第2の電極152aは第1の電極151aと重なる位置に設けられ、第1の電極151aと、第2の電極152aと、その間に挟持された発光性の有機化合物を含む層153aが第1の発光素子154aを構成している。第2の電極152bは第1の電極151bと重なる位置に設けられ、第1の電極151bと、第2の電極152bと、その間に挟持された発光性の有機化合物を含む層153bが第2の発光素子154bを構成している。なお、第2の電極152aは発光性の有機化合物を含む層153aが発する光を透過し、第2の電極152bは発光性の有機化合物を含む層153bが発する光を透過する。
例示する第2の基板120には、第1の電極151aと重なる位置に第1の光学フィルタ121aが設けられ、また第1の電極151bと重なる位置に第2の光学フィルタ121bが設けられている。なお、隣接する第1の電極を隔てる隔壁140に重ねて遮光層123を設けても良い。さらに、第1の光学フィルタ121aと第2の光学フィルタ121bと遮光層123に重ねてオーバーコート層125を設けてもよい。
第1の発光モジュール150aは、第1の基板110と第2の基板120の間に第1の発光素子154aと第1の光学フィルタ121aを重ねて備える。第2の発光モジュール150bは、第1の基板110と第2の基板120の間に第2の発光素子154bと第2の光学フィルタ121bを重ねて備える。
本発明の一態様の発光モジュールは第1の基板110と第2の基板120の間に犠牲層130を有する。具体的には、第1の発光モジュール150aは、第2の電極152aと第1の光学フィルタ121aの間に犠牲層130を有し、第2の発光モジュール150bは、第2の電極152bと第2の光学フィルタ121bの間に犠牲層130を有する。また、隔壁140と遮光層123の間に犠牲層130を有する。
なお、本実施の形態では、発光パネル100が備える第1の発光モジュール150aは、発光性の有機化合物を含む層153aが発する光を反射する第1の電極151aと、該光を透過する第2の電極152aと、該光の一部を透過する第1の光学フィルタ121aと、を備え、第2の発光モジュール150bは、発光性の有機化合物を含む層153bが発する光を反射する第1の電極151bと、該光を透過する第2の電極152bと、該光の一部を透過する第2の光学フィルタ121bと、を備える構成について説明する。
<犠牲層>
犠牲層130は発光素子の信頼性を損なう不純物(代表的には水および/または酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を含み、第2の電極に接する。これにより、不純物は、発光素子の信頼性を損なう前に、犠牲層に含まれる材料と優先的に反応、或いは犠牲層に含まれる材料に吸着され、その活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
犠牲層130に用いることができる材料は、液状にすることが可能であって、第2の電極に塗布して犠牲層130を形成することが可能であって、且つ発光素子の信頼性を損なう不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含んでいればよく、その材料は特に限定されない。
犠牲層130には、EL層に用いることができる材料(例えば、正孔輸送性の高い物質、発光物質、ホスト材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質または/およびアクセプター性物質等)が適用可能である。発光素子の信頼性を損なう不純物は、犠牲層に添加されたEL層に用いることができる材料と反応、或いは吸着され、発光素子の信頼性を損なう前にその活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
犠牲層130に適用可能な材料の具体例としては、導電性高分子、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、乾燥剤、発光性の有機化合物に適用可能な材料、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)などが挙げられる。なお、発光性の有機化合物に適用可能な材料は、実施の形態4において詳細に説明する。
また、犠牲層130が第2の電極と第2の基板に接して形成された構成において、犠牲層130は、第2の電極と第2の基板を光学的に接続できる。これにより、発光素子の光が第2の電極から第2の基板に至る光路において、屈折率の急激な変化(屈折率の段差ともいう)が抑制され、第2の電極側から第2の基板に、発光素子の発光を効率よく取り出すことができる。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、同一の発光輝度を実現するのに要する電流を低減でき、その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、犠牲層130の厚さは、隔壁140の開口部と重なる領域(発光素子の発光領域と重なる領域とも言える)で厚く、隔壁140と重なる領域で薄い。これにより迷光が抑制される。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、第2の基板120に接する側の犠牲層130は、緩やかな凹凸を有する。具体的には、隔壁140の開口部と重なる領域(発光素子の発光領域と重なる領域とも言える)で凹み、隔壁140と重なる領域でつばくむ(脹らむともいう)。犠牲層130の凹凸に沿うように第2の基板が変形するため、発光パネルの第2の基板には凹凸が形成される場合がある。
第2の基板に可撓性を有する基板を適用すると、第2の基板は犠牲層に沿って変形可能であるため、犠牲層と第2の基板の間に空間を生じ難い。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
犠牲層130に用いることができる材料は、液状にすることが可能であって、且つ第2の電極に塗布して形成することが可能であるため、このような形態を実現できる。なお、犠牲層130の作製方法は、実施の形態3において詳細に説明する。
<第1の基板>
第1の基板110は作製工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さおよび大きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されない。
第1の基板110の発光素子を形成する側の面は、絶縁性であれば好ましい。また、絶縁性の膜を積層して用いてもよい。
第1の基板110の発光素子を形成する側の面は、平坦であれば好ましい。また、平坦化のための膜を積層して用いても良い。
第1の基板110はガスバリア性を有すると好ましい。また、ガスバリア性を有する膜を積層して用いても良い。具体的には、ガスバリア性が水蒸気透過率として10−5g/m・day以下、好ましくは10−6g/m・day以下であると、発光モジュールの信頼性を高められるため好ましい。
例えば、第1の基板110に適用可能な基板としては、無アルカリガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、金属基板、ステンレス基板、プラスチック基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
本実施の形態では、第1の基板110に無アルカリガラス基板を用いる構成について説明する。
<導電層>
導電層106a、導電層106bは導電性を有する。また、導電材料を含む層の単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。
導電材料は導電性を有し、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えばモリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等から選ばれた一の金属、またはこれらから選ばれた一を含む合金を用いることができる。
導電材料は金属窒化物を用いることができる。具体的には、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン等をその例に挙げることができる。
導電材料は導電性の金属酸化物を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物(ITOともいう)、インジウム−亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムまたはアルミニウムが添加された酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
また、導電材料はグラフェンなどを用いることができる。
本実施の形態では、導電層106a、導電層106bにアルミニウム合金上にチタンが積層された積層体を用いる構成について説明する。
<絶縁膜>
絶縁層107は絶縁性を有する。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。
絶縁層107は表面が平坦であると好ましい。絶縁層107の表面の凹凸があると、その凹凸が第1の電極の表面に反映され、第1の電極と第2の電極が短絡する原因となるためである。
絶縁層107に用いることができる材料は絶縁性を有し、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えば、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、アクリル樹脂層、ポリイミド樹脂層、ベンゾシクロブテン樹脂層、ポリアミド樹脂層、エポキシ樹脂層、シロキサン系樹脂層、SOG層、ポリシラザン系SOG層等から選ばれた一の絶縁層、またはこれらから選ばれた一を含む層を用いることができる。
本実施の形態では、絶縁層107にポリイミド層を用いる構成について説明する。
<第1の電極>
第1の電極151a、第1の電極151bは導電材料を含む。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。
導電材料は導電性を有し、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えばモリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銀、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等から選ばれた一の金属、またはこれらから選ばれた一を含む合金を用いることができる。
アルミニウムを含む合金としては、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金等を挙げることができる。また、銀を含む合金としては、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げることができる。また、金、銅を含む合金を用いることができる。
導電材料は金属窒化物を用いることができる。具体的には、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン等をその例に挙げることができる。
導電材料は導電性の金属酸化物を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物(ITOともいう)、インジウム−亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムまたはアルミニウムが添加された酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
本実施の形態では、第1の電極151a、第1の電極151bにアルミニウム−ニッケル−ランタン合金を含む層にチタンを含む層を積層した積層構造を用いる構成について説明する。アルミニウム−ニッケル−ランタン合金は反射率が高く、チタンを含む層により第1の電極の表面に高抵抗の酸化皮膜が形成される現象を抑制できる。その結果、発光素子が発する光の強度の損失と電気抵抗に起因する電力の損失が低減できる。
なお、第1の基板110上にトランジスタを形成し、そのソース電極またはドレイン電極を、導電層106aを介して第1の電極151aに電気的に接続する構成、または導電層106bを介して第1の電極151bに電気的に接続する構成としてもよい。このような構成とすることで、それぞれの発光モジュールを独立して点灯可能な発光装置を提供でき、例えば表示装置に用いることができる。
<隔壁>
隔壁140は絶縁性の材料を含む。また、単層構成であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。また、隔壁の上端部または下端部に、曲率を有する曲面を形成すると好ましい。
隔壁140は絶縁性を備え、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えばフォトポリマー、感光性アクリル、感光性ポリイミド等から選ばれた一の絶縁層、またはこれらから選ばれた一を含む絶縁層を用いることができる。
本実施の形態では、隔壁140にポジ型の感光性ポリイミドを用い、上端部に、0.2μm以上3μm以下の曲率半径を有する曲面を形成して用いる構成について説明する。
<発光性の有機化合物を含む層>
第1の発光性の有機化合物を含む層153aおよび第2の発光性の有機化合物を含む層153bは、発光性の有機化合物を少なくとも含む。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。なお、発光性の有機化合物を含む層の構成は実施の形態4において詳細に説明する。
本実施の形態では、第1の発光性の有機化合物を含む層153aおよび第2の発光性の有機化合物を含む層153bに白色を呈する光を発する層を用いる構成について説明する。
<第2の電極>
第2の電極152a、第2の電極152bは導電材料を含む。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。
導電材料は導電性を有し、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えばアルミニウム、銀等から選ばれた一の金属、またはこれらから選ばれた一を含む合金を用いることができる。
アルミニウムを含む合金としては、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金等を挙げることができる。また、銀を含む合金としては、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げることができる。また、金、銅を含む合金を用いることができる。
導電材料は金属窒化物を用いることができる。具体的には、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン等をその例に挙げることができる。
導電材料は導電性の金属酸化物を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物(ITOともいう)、インジウム−亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムまたはアルミニウムが添加された酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
本実施の形態では、第2の電極152aおよび第2の電極152bに、マグネシウム−銀合金層上に酸化珪素を含むインジウム−錫酸化物層が積層された積層構造について説明する。マグネシウム−銀合金層は仕事関数が低いため電子注入性に優れ且つ導電性に優れ、酸化珪素を含むインジウム−錫酸化物層は結晶化が抑制され、発光性の有機化合物を含む層が発する光に対する透過率が高い。その結果、発光素子が発する光の強度の損失と電気抵抗に起因する電力の損失が低減できる。
<光学フィルタ>
第1の光学フィルタ121a、第2の光学フィルタ121bは、発光性の有機化合物を含む層が発する光の少なくとも一部を透過する層を含む。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。
発光性の有機化合物を含む層が発する光の少なくとも一部を透過する層に用いることができる材料は、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えば着色材料を含む有機材料層や多層膜フィルタを用いることができる。
着色材料を含む有機材料層としては、赤色を呈する光を透過する層、緑色を呈する光を透過する層または青色を呈する光を透過する層を挙げることができる。
本実施の形態では、赤色を呈する光を透過する層、緑色を呈する光を透過する層または青色を呈する光を透過する層から選ばれたいずれか一つを第1の光学フィルタ121aに用い、他の層を第2の光学フィルタ121bに用いる構成について説明する。
<遮光層>
遮光層123は、第2の基板120を透過する光を遮光する層を含む。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。
第2の基板120を透過する光を遮光する層は、第2の基板120を透過して発光モジュールの内部に侵入する光を遮光し、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えばクロム層、チタン層、ニッケル層乃至カーボンブラックを分散した高分子層等から選ばれた一の遮光層を用いることができる。
本実施の形態では、遮光層123にカーボンブラックを分散した高分子層を用いる場合について説明する。
<オーバーコート層>
オーバーコート層125は、表面の平坦化と不純物(代表的には水および/または酸素)の拡散を防ぐ層を含む。また、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。
表面の平坦化と不純物の拡散を防ぐ層は、光学フィルタの表面に形成される凹凸を平坦化する。または、光学フィルタまたは/および遮光層に含まれる不純物が発光素子の形成された側に拡散する現象を抑制する。または、光学フィルタまたは/および遮光層を透過して不純物が発光素子の形成された側に拡散する現象を抑制する。表面の平坦化と不純物の拡散を防ぐ層は、作製工程に耐えられる材料であればよく、例えばポリイミド層、エポキシ層、アクリル層等から選ばれた一のオーバーコート層、またはこれらから選ばれた一を含むオーバーコート層を用いることができる。また、熱硬化型であっても、紫外線硬化型であってもよい。
本実施の形態では、オーバーコート層にポリイミドを用いる場合について説明する。
<第2の基板>
第2の基板120は作製工程に耐えられる程度の耐熱性を備えれば、単層構造であっても、2層以上の積層構造であってもよい。また、その厚さおよび大きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されない。
第2の基板120はガスバリア性を有すると好ましい。また、ガスバリア性を有する膜を積層して用いても良い。具体的には、ガスバリア性が水蒸気透過率として10−5g/m・day以下、好ましくは10−6g/m・day以下であると、発光モジュールの信頼性を高められるため好ましい。
第2の基板120は可撓性を有すると好ましい。可撓性を有する基板としては、代表的にはプラスチック基板をその例に挙げる事ができる他、厚さが50μm以上500μm以下の薄いガラスや、発光を第2の基板120側に取り出さない場合は、金属箔を用いることもできる。
例えば、第2の基板120に適用可能な基板としては、無アルカリガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、金属基板、ステンレス基板、プラスチック基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
本実施の形態では、第2の基板120に無アルカリガラス基板を用いる構成について説明する。
<多色の発光パネルの構成>
次に、上述の構成の発光パネルを用いた多色の発光パネルについて説明する。例えば、互いに異なる色を呈する光を発する2つの発光素子の一方を第1の発光モジュール150aに適用し、他方を第2の発光モジュール150bに適用すればよい。具体的には、青色、赤色、緑色から選ばれた一の色を呈する光を発する発光素子を第1の発光素子154aに適用し、他の色を呈する光を発する発光素子を第2の発光素子154bに適用すればよい。
互いに異なる色を呈する光を発する2つの発光素子は、異なる色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層を第1の発光素子154aと第2の発光素子154bに設けて構成すればよい。発光性の有機化合物を含む層の構成については、実施の形態4において説明する。
なお、第1の電極と第2の電極の一方を反射性の電極、他方を半透過・半反射性の電極とし、第1の電極と第2の電極の間隔(光学距離)を調整することにより微小共振器(マイクロキャビティともいう)を構成し、半透過・半反射性の電極から特定の波長の光を効率よく取り出す構成としてもよい。
または、互いに異なる色を呈する光を透過する2つの光学フィルタを選択し、一方を第1の光学フィルタ121aに適用し、他方を第2の光学フィルタ121bに適用すればよい。具体的には、青色、赤色、緑色から選ばれた一の色を呈する光を透過する光学フィルタを第1の光学フィルタ121aに適用し、他の色を呈する光を透過する光学フィルタを第2の光学フィルタ121bに適用すればよい。
なお、互いに異なる色を呈する光を透過する2つの光学フィルタを選択して用いる場合は、第1の発光素子154aと第2の発光素子154bに白色を呈する光を発する発光素子を適用してもよい。
<変形例>
図1を用いて説明した発光パネルとは異なる本発明の一態様の発光モジュールが設けられた発光パネルの構成を、図2に示す断面図を用いて説明する。図2に例示する発光パネル100は、発光を取り出す方向が図1に例示する発光パネル100と異なる。具体的には、図2に例示する発光パネル100は、第1の基板110側に発光を取り出す構成を有する。
図2に例示する発光パネル100は第1の発光モジュール150aと第2の発光モジュール150bが設けられている。第1の発光モジュール150aは、第1の基板110と第2の基板120の間に第1の発光素子154aを備え、第2の発光モジュール150bは、第1の基板110と第2の基板120の間に第2の発光素子154bを備える。
第1の発光素子154aは第1の電極151aと第2の電極152aの間に発光性の有機化合物を含む層153aを備える。第2の発光素子154bは第1の電極151bと第2の電極152bの間に発光性の有機化合物を含む層153bを備える。
図2に例示する本発明の一態様の発光モジュールは第1の基板110と第2の基板120の間に犠牲層130を有する。具体的には、第1の発光モジュール150aは、第2の電極152aと第2の基板120の間に犠牲層130を有し、第2の発光モジュール150bは、第2の電極152bと第2の基板120の間に犠牲層130を有する。また、隔壁140と第2の基板120の間に犠牲層130を有する。
なお、本変形例で例示する発光パネル100が備える第1の発光モジュール150aは、発光性の有機化合物を含む層153aが発する光を反射する第2の電極152aと、該光を透過する第1の電極151aと、該光の一部を透過する第1の光学フィルタ121aと、を備え、第2の発光モジュール150bは、発光性の有機化合物を含む層153bが発する光を反射する第2の電極152bと、該光を透過する第1の電極151bと、該光の一部を透過する第2の光学フィルタ121bと、を備える。
本実施の形態で例示した本発明の一態様の発光モジュールは、不純物(代表的には水および/または酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を含み、塗布法(湿式法ともいう)を用いて形成された犠牲層を、第2の電極に接して備える構成を有する。これにより、発光素子の信頼性を損なう不純物は、犠牲層に含まれる材料と優先的に反応、或いは犠牲層に含まれる材料に吸着され、その活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様の発光モジュールは、隔壁上の犠牲層の厚さが薄い。これにより迷光が抑制される。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する構成を備える発光モジュールについて図3、及び図4を参照して説明する。具体的には複数の発光モジュールが隣接して設けられた発光パネルが適用された発光装置の構成を説明する。
本実施の形態で例示する発光モジュールは、発光素子を囲うシール材が、第1の基板と第2の基板を貼り合わせる構成を備える(図3(A)、図3(B)乃至図3(C)参照)。シール材は、発光素子の信頼性を損なう不純物(代表的には水および/または酸素)が発光モジュールの内部へ侵入する現象を阻み、且つ犠牲層に含まれる材料は、侵入した不純物と優先的に反応、或いは不純物を吸着し、該不純物の活性を失わせる。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
本実施の形態で例示する発光モジュールは、第1の基板と第2の基板を貼り合わせるシール材が犠牲層を囲む構成を有する(図3(C)参照)。本発明の一態様の発光モジュールは、犠牲層と重なることなく、シール材が発光素子と犠牲層を囲んで、第1の基板と第2の基板を貼り合わせる構成を有する。シール材が犠牲層と重なる部分がないため、犠牲層を介して大気が発光モジュールに侵入することがない。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
本実施の形態で例示する発光モジュールが備える犠牲層は、液状であってもよい(図3(C)参照)。犠牲層を液状とすることで犠牲層が流動し、均質に保つことができる。また、犠牲層がシール材で囲まれているため、液状の犠牲層が漏れ出すことがない。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
なお、液状の犠牲層は発光素子を溶解しない液体、例えば液晶材料、フッ素系不活性液体(パーフルオロカーボン等)を適用できる。これらの材料から、発光素子の信頼性を損なう不純物を除去して用いればよい。また、これらの材料に不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を分散して用いても良い。
また、本実施の形態で例示する発光モジュールが備える犠牲層は、固体状であってもよい。犠牲層が固体であると不純物の拡散が遅い。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
本実施の形態で例示する発光モジュールは、第1の基板と第2の基板を犠牲層が貼り合わせる構成を備える。(図4参照)。犠牲層が第1の基板と第2の基板を貼り合わせるため、別途シール材を設ける必要がない。その結果、簡便に信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールをトランジスタに接続して用いるアクティブ型の発光装置を例示して説明するが、本発明の一態様はアクティブ型の発光装置に限定されるものではなく、パッシブ型の発光装置にも、表示装置にも、照明装置にも適用可能である。
<アクティブマトリクス型の発光装置>
アクティブマトリクス型の発光装置に適用した場合の構成を図3に示す。なお、図3(A)は、発光装置の上面図、図3(B)は図3(A)をA−BおよびC−Dで切断した断面図である。図3(B)に例示する発光装置1400は図中に示す矢印の方向に光を射出する。
アクティブマトリクス型の発光装置1400は、駆動回路部(ソース側駆動回路)1401、画素部1402、駆動回路部(ゲート側駆動回路)1403、第2の基板1404、シール材1405を備える(図3(A)参照)。なお、シール材1405で囲まれた内側は、空間になっている。
発光装置1400は外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)1409を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、FPCにはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCまたはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、発光装置1400の構成について図3(B)に示す断面図を用いて説明する。発光装置1400は、第1の基板1410上に図示されたソース側駆動回路1401を含む駆動回路部および、図示された画素を含む画素部1402を備える。また、ソース側駆動回路1401およびゲート側駆動回路1403に入力される信号を伝送するための引き回し配線1408を備える。
なお、本実施の形態ではソース側駆動回路1401がnチャネル型トランジスタ1423とpチャネル型トランジスタ1424とを組み合わせたCMOS回路を含む構成について例示するが、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のCMOS回路、PMOS回路またはNMOS回路で構成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
<トランジスタの構成>
なお、トランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。
トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。
半導体層を構成する単結晶半導体としては、代表的には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第14族元素でなる単結晶半導体基板、化合物半導体基板(SiC基板、サファイア基板、GaN基板等)などの半導体基板を用いることができる。好適には、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたSOI(Silicon On Insulator)基板を用いることができる。
SOI基板の作製方法としては、鏡面研磨ウェハーに酸素イオンを注入した後、高温加熱することにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作る方法、水素イオン照射により形成された微小ボイドの熱処理による成長を利用して半導体基板を劈開する方法や、絶縁表面上に結晶成長により単結晶半導体層を形成する方法等を用いることができる。
本実施の形態では、単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、単結晶半導体基板の一つの面上、または第1の基板1410上のどちらか一方に絶縁層を形成する。単結晶半導体基板と第1の基板1410を、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆弱化層に亀裂を生じさせ、単結晶半導体基板を脆弱化層で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より半導体層として単結晶半導体層を第1の基板1410上に形成する。なお、第1の基板1410としては、ガラス基板を用いることができる。
また、半導体基板に絶縁分離領域を形成し、絶縁分離された半導体領域を用いてトランジスタ1411、1412を形成してもよい。
単結晶半導体をチャネル形成領域として用いることで、結晶粒界における結合の欠陥に起因する、トランジスタのしきい値電圧等の電気的特性のばらつきを軽減できるため、本発明の一態様の発光装置は、各画素にしきい値電圧補償用の回路を配置しなくても正常に発光素子を動作させることができる。したがって、一画素における回路要素を削減することが可能となるため、レイアウトの自由度が向上する。よって、発光装置の高精細化を図ることができる。例えば、マトリクス状に配置された複数の画素を一インチあたり350以上含む(水平解像度が350ppi(pixels per inch)以上である)、さらに好ましくは400以上含む(水平解像度が400ppi以上である)構成とすることが可能となる。
さらに、単結晶半導体をチャネル形成領域として用いたトランジスタは、高い電流駆動能力を維持したまま、微細化が可能である。該微細なトランジスタを用いることで表示に寄与しない回路部の面積を縮小することができるため、表示部においては表示面積が拡大し、かつ発光装置の狭額縁化が達成できる。
<画素部の構成>
また、画素部1402は複数の画素を備える。画素は発光素子1418と、発光素子1418の第1の電極1413にドレイン電極が接続された電流制御用トランジスタ1412と、スイッチング用トランジスタ1411と、を有する。
発光パネルに設けられた発光素子1418は、第1の電極1413と、第2の電極1417と、発光性の有機化合物を含む層1416と、を有する。なお、隔壁1414が第1の電極1413の端部を覆って形成されている。
隔壁1414の上端部または下端部には、曲率を有する曲面が形成されるようにする。隔壁1414は、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。例えば、隔壁1414の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁1414の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。ここでは、ポジ型の感光性ポリイミド膜を用いることにより形成する。
なお、隔壁を遮光性とすると、発光パネルに設けられた反射性の膜による外光の反射を抑制できる。発光素子1418の外側に延在する反射膜が、外光を反射すると発光装置のコントラストが低下してしまうため、鮮やかな発光を得られない。隔壁を遮光性とする場合は、黒色に着色した樹脂層を用いて形成できる。
発光素子1418の構成としては、例えば実施の形態4で例示する発光素子の構成を適用できる。
具体的には、発光性の有機化合物を含む層1416に白色を呈する光を発する構成を適用できる。
また、カラーフィルタ1434を発光素子1418と重なる位置に設けることができる。また、遮光性の膜(ブラックマトリクスともいう)を隣接する発光素子の間の隔壁に重ねて設けることができる。なお、カラーフィルタ1434および遮光性の膜は、いずれも第2の基板1404に設けることができる。
また、発光素子1418の第1の電極1413と第2の電極1417を用いて、微小共振器(マイクロキャビティともいう)を構成できる。例えば、第1の電極1413に発光性の有機化合物を含む層1416が発する光を反射する導電膜を用い、第2の電極1417に、当該光の一部を反射し、一部を透過する半透過・半反射膜性の導電膜を用いて構成できる。
また、光学調整層を第1の電極と第2の電極の間に設けることができる。光学調整層は反射性の第1の電極1413と半透過・半反射性の第2の電極1417の間の光学距離を調整する層であり、光学調整層の厚さを調整することにより、第2の電極1417から優先的に取り出す光の波長を調整できる。
光学調整層に用いることができる材料としては、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域を用いて、その厚さを調整してもよい。特に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域を光学調整層に用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
また、光学調整層に用いることができる他の材料としては、発光性の有機化合物を含む層1416が発する光を透過する透光性の導電膜を適用できる。例えば、反射性の導電膜の表面に該透光性を有する導電膜を積層して、第1の電極1413を構成できる。この構成によれば、隣接する第1の電極の光学調整層の厚さを変えることが容易であるため好ましい。
<封止構造1.>
本実施の形態で例示する発光装置1400は、第1の基板1410、第2の基板1404、およびシール材1405で囲まれた空間に、発光素子1418を封止する構造を備える。
空間には犠牲層1407が充填されている。空間は隙間無く犠牲層1407によって満たされていても、一部に空間がのこっていても良く、残った空間には不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材1405で充填される場合もある。また、乾燥剤など不純物(代表的には水および/または酸素)の吸着材を設けても良い。
シール材1405および第2の基板1404は、大気中の不純物(代表的には水および/または酸素)をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材1405にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。
第2の基板1404に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)等をその例に挙げることができる。
図3(B)に例示する発光装置は、犠牲層1407が発光素子1418を覆い、発光素子1418を囲うシール材1405が、第1の基板と第2の基板を貼り合わせる構成を備える。シール材1405は、発光素子1418の信頼性を損なう不純物が発光モジュールの内部へ侵入する現象を阻み、且つ犠牲層1407に含まれる材料は、侵入した不純物と優先的に反応、或いは不純物を吸着し、該不純物の活性を失わせる。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
<封止構造2.>
図3(B)に例示する発光装置とは異なる構成を備える発光装置の構成を、図3(C)を用いて説明する。図3(C)に例示する発光装置が備える発光モジュールは、第1の基板と第2の基板を貼り合わせるシール材が犠牲層を囲む構成を有する。シール材と犠牲層が重なる構成がないため、犠牲層を介して大気が発光モジュールに侵入することがない。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
なお、本実施の形態で例示する発光モジュールが備える犠牲層は、液状であってもよい。犠牲層を液状とすることで犠牲層が流動し、均質に保つことができる。また、犠牲層がシール材で囲まれているため、液状の犠牲層が漏れ出すことがない。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
本実施の形態で例示する発光モジュールが備える犠牲層は、固体状であってもよい。犠牲層が固体であると不純物の拡散が遅い。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
また、隔壁1414上にスペーサ1433を設けることができる。スペーサ1433は球状であっても、柱状であってもよい。スペーサ1433を隔壁1414上に設けると、外力が加わり撓んだ第2の基板1404が発光素子1418を傷つける現象を防止できる。
<封止構造3.>
図3(B)または図3(C)に例示する発光装置とは異なる構成を備える発光装置の構成を、図4を用いて説明する。図4に例示する発光装置が備える発光モジュールは、第1の基板と第2の基板を犠牲層が貼り合わせる発光モジュールである。犠牲層が第1の基板と第2の基板を貼り合わせるため、別途シール材を設ける必要がない。その結果、簡便に信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する構成を備える。
本実施の形態で例示する発光モジュールは、第1の基板と第2の基板を犠牲層が貼り合わせる構成を備える。犠牲層が第1の基板と第2の基板を貼り合わせるため、別途シール材を設ける必要がない。その結果、簡便に信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールを作製する方法について、複数の発光モジュールが隣接して設けられた発光パネルが適用された発光装置を作製する場合を例に、説明する。具体的には、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する構成を備える発光モジュールの作製方法について図5、及び図6を参照して説明する。
<第1のステップ>
第1の基板1410上に単結晶半導体層を形成する。単結晶半導体基板の一方の面からイオンを添加して、一定の深さに脆弱化層を形成する。また、第1の基板1410の一方の面に絶縁膜を形成する。該絶縁層を挟んで単結晶半導体基板と第1の基板1410を重ね合わせ、熱処理を行い、該脆弱化層に亀裂を生じさせる。単結晶半導体基板を脆弱化層で分離して、第1の基板1410上に単結晶半導体層を形成する。
該単結晶半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、具体的にはnチャネル型トランジスタ1423とpチャネル型トランジスタ1424とを、ソース側駆動回路1401に形成する。また、電流制御用トランジスタ1412とスイッチング用トランジスタ1411と、を画素部1402に形成する。
トランジスタを覆う絶縁層を形成し、該絶縁層上に配線層を形成し、トランジスタのソース電極またはドレイン電極と該配線層を該絶縁層に設けた開口部を介して接続する。
次いで、第1の電極1413になる導電膜をトランジスタ1412のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続するように形成し、該導電膜を島状に加工して第1の電極1413を形成する。
次いで、絶縁性の隔壁1414を第1の電極1413の端部を覆い、第1の電極1413と重なる開口部を有するように形成する。
次いで、隔壁1414の開口部において第1の電極1413と接する発光性の有機化合物を含む層1416を形成し、該発光性の有機化合物を含む層1416の他方の面と接する第2の電極1417を、該隔壁1414の開口部に重ねて形成して発光素子1418を作製する(図5(A)参照)。
なお、本実施の形態では発光素子1418に、白色を呈する光を発する発光素子を適用する場合について説明する。また、白色を呈する光を発する発光素子の構成およびその作製方法は実施の形態4において説明する。
<第2のステップ>
次いで、第2の電極1417上に犠牲層1407を形成する。犠牲層1407は塗布法(湿式法ともいう)を用いて形成する。
塗布法は、材料を溶解または分散した液体を塗布して犠牲層1407を形成する方法をいう。具体的には、スピンコート法、印刷法、コーティング法、ディップ法、ディスペンサ法、インクジェット法など、流動性を有する液体状の材料を基材の表面に接して設ける方法全般をいう。第2のステップでは、不純物(代表的には水または/および酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を分散した液体を塗布して第2の電極1417に接して設ける。
塗布液は、不純物(代表的には水または/および酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を、不純物が除去された溶媒に溶解、または分散媒に分散して調整する。溶媒または分散媒は揮発性であっても、反応性であってもよい。揮発性の溶媒(例えば有機溶媒)を用いた塗布液は、加熱または減圧により固体状の犠牲層1407を形成できる。反応性の溶媒(例えばモノマー)を用いた塗布液は、エネルギー(例えば加熱または紫外線照射)により固体状の犠牲層1407を形成できる。
本実施の形態では、ディスペンサを用いて犠牲層1407を形成する。塗布液を定量可能な容器(例えばシリンジ)に充填する。次いで、該定量可能な容器(例えばシリンジ)をディスペンサに接続する。
不純物が除去された環境下(具体的には露点−70℃以下)で、ディスペンサを用いて定量した塗布液を第2の電極上に滴下して、所望の厚さの塗布液層を形成する。
また、第2の基板1404のカラーフィルタ1434と遮光性の膜が形成された面に、発光素子1418を囲うシール材1405を形成する(図5(B)参照)。
<第3のステップ>
シール材1405を用いて、発光素子1418を挟むように第1の基板1410と、第2の基板1404を貼り合わせる。なお、シール材1405に反応性の材料を用いる場合は、硬化するためのエネルギー(例えば、熱または紫外線)を、発光素子に損傷を与えないように付与すればよい(図5(C)参照)。
<作製方法の変形例1.>
犠牲層1407を固体状とする方法は、上述の第2のステップにおいて、塗布液層にエネルギー(例えば、熱または紫外線)を付与して、固体状とすることができる。
具体的には、塗布液層が揮発性の溶媒(例えば有機溶媒)を含む場合、塗布液層が形成された第1の基板を加熱または減圧して、該溶媒を揮発させ、塗布液層を固体状にすることができる。また、揮発させる溶媒の量を調整して、塗布液層の流動性を調整してもよい。
また、塗布液層が反応性の溶媒(例えばモノマー)を含む場合、塗布液層が形成された第1の基板を加熱または減圧して、該溶媒を硬化させ、塗布液層を固体状にすることができる。また、塗布液層を硬化させる反応を調整して、その流動性を調整してもよい。
上記の方法により、塗布液層を固体化またはその流動性を調整することにより、不純物(代表的には水および/または酸素)の拡散が抑制された固体状の犠牲層を形成できる。また、犠牲層に残留する溶媒の量を調整できる。その結果、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
<作製方法の変形例2.>
犠牲層1407を固体状とする他の方法は、上述の第3のステップにおいて、塗布液層にエネルギー(例えば、熱または紫外線)を付与して、固体状とすることができる。
具体的には、塗布液層が揮発性の溶媒(例えば有機溶媒)を含む場合、塗布液層が形成された第1の基板を加熱または減圧して、該溶媒を揮発させ、塗布液層を固体状にすることができる。また、揮発させる溶媒の量を調整して、塗布液層の流動性を調整してもよい。
なお、上記の方法用いる場合、塗布液層から揮発性の溶媒が放出されるため、シール材1405に開口部を設けてもよい。シール材1405に開口部を設ける場合は、上記の第3のステップを終えた後に、当該開口部を塞ぐ第2のシール材を形成する工程を追加すると好ましい。
また、塗布液層が反応性の溶媒(例えばモノマー)を含む場合、塗布液層が形成された第1の基板を加熱または減圧して、該溶媒を硬化させ、塗布液層を固体状にすることができる。また、硬化させる反応を調整して、塗布液層の流動性を調整してもよい。
上記の方法により、塗布液層を固体化またはその流動性を調整することにより、不純物(代表的には水および/または酸素)の拡散が抑制された固体状の犠牲層を形成できる。また、犠牲層に残留する溶媒の量を調整できる。その結果、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
<作製方法の変形例3.>
本発明の一態様の発光モジュールの別の作製方法は、上述の第1のステップに続く第2のステップにおいて、第2の電極1417上に犠牲層1407を形成することなく、第2の基板1404のカラーフィルタ1434と遮光性の膜が形成された面に、発光素子1418を囲う第1のシール材1405bを、開口部を設けて形成する。その後、第1のシール材1405bを用いて、発光素子1418を挟むように第1の基板1410と第2の基板1404を貼り合わせる(図6(A)、図6(B)参照)。
続く第3のステップにおいて、第1の基板1410と第2の基板1404の間に、シール材1405bに設けた開口部から不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む塗布液層を注入する。
塗布液の注入方法としては、第1の基板1410と第2の基板1404を貼り合わせたものを減圧された環境下に配置して、該開口部から塗布液を該環境よりも高い圧力で導入すればよい。具体的には、減圧された環境下で開口部を塗布液に浸漬した後、環境の圧力を次第に上昇させる方法や、開口部にノズルを挿入して塗布液を注入する方法などを用いることができる。
続く第4のステップにおいては、第2のシール材1415cを形成して、該開口部を塞ぐ、発光モジュールの作製方法である(図6(C)参照)。
上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法によれば、塗布法(湿式法ともいう)を用いて第2の電極に接して犠牲層を形成できる。その結果、信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構成について説明する。具体的には、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する発光モジュールに用いることができる、一対の電極に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子の構成の一例について、図7を参照して説明する。
本実施の形態で例示する発光素子は、第1の電極、第2の電極及び第1の電極と第2の電極の間に発光性の有機化合物を含む層(以下EL層という)を備える。第1の電極または第2の電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。EL層は第1の電極と第2の電極の間に設けられ、該EL層の構成は第1の電極と第2の電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれに限定されないことはいうまでもない。
なお、本実施の形態で例示するEL層に用いることができる材料(正孔輸送性の高い物質、発光物質、ホスト材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質または/およびアクセプター性物質等)は、本発明の一態様の発光モジュールが備える犠牲層に用いることができる。発光素子の信頼性を損なう不純物は、発光素子の信頼性を損なう前に犠牲層に添加されたEL層に用いることができる材料と反応、或いは吸着され、該不純物はその活性を失う。その結果、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
犠牲層に適用可能な材料の具体例としては、導電性高分子、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)などが挙げられる。
<発光素子の構成例1.>
発光素子の構成の一例を図7(A)に示す。図7(A)に示す発光素子は、陽極1101と陰極1102の間にEL層が挟まれている。
陽極1101と陰極1102の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層に陽極1101の側から正孔が注入され、陰極1102の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層において再結合し、EL層に含まれる発光物質が発光する。
本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を1つ有する層または積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例1は発光ユニットを1つ備えるということができる。
発光ユニット1103は、少なくとも発光物質を含む発光層を1つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい(ブロッキングする)物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い)の物質等を含む層が挙げられる。
発光ユニット1103の具体的な構成の一例を図7(B)に示す。図7(B)に示す発光ユニット1103は、正孔注入層1113、正孔輸送層1114、発光層1115、電子輸送層1116、並びに電子注入層1117が陽極1101側からこの順に積層されている。
<発光素子の構成例2.>
発光素子の構成の他の一例を図7(C)に示す。図7(C)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に発光ユニット1103を含むEL層が挟まれている。さらに、陰極1102と発光ユニット1103との間には中間層1104が設けられている。なお、当該発光素子の構成例2の発光ユニット1103には、上述の発光素子の構成例1が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例1の記載を参酌できる。
中間層1104は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第1の電荷発生領域1104c、電子リレー層1104b、及び電子注入バッファー1104aが陰極1102側から順次積層された構造を適用することができる。
中間層1104における電子と正孔の挙動について説明する。陽極1101と陰極1102の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第1の電荷発生領域1104cにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極1102へ移動し、電子は電子リレー層1104bへ移動する。電子リレー層1104bは電子輸送性が高く、第1の電荷発生領域1104cで生じた電子を電子注入バッファー1104aに速やかに受け渡す。電子注入バッファー1104aは発光ユニット1103に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット1103への電子注入効率を高める。従って、第1の電荷発生領域1104cで発生した電子は、電子リレー層1104bと電子注入バッファー1104aを経て、発光ユニット1103のLUMO準位に注入される。
また、電子リレー層1104bは、第1の電荷発生領域1104cを構成する物質と電子注入バッファー1104aを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。
発光素子の構成例2の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例1の陰極に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例2の陰極は中間層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからである。
<発光素子の構成例3.>
発光素子の構成の他の一例を図7(D)に示す。図7(D)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に2つの発光ユニットが設けられたEL層を備えている。さらに、第1の発光ユニット1103aと、第2の発光ユニット1103bとの間には中間層1104が設けられている。
なお、陽極1101と陰極1102の間に設ける発光ユニットの数は2つに限定されない。図7(E)に例示する発光素子は、発光ユニット1103が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にn(nは2以上の自然数)層の発光ユニット1103を設ける場合には、m(mは自然数、1以上(n−1)以下)番目の発光ユニットと、(m+1)番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層1104を設ける構成とする。
また、当該発光素子の構成例3の発光ユニット1103には、上述の発光素子の構成例1と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例3の中間層1104には、上述の発光素子の構成例2と同様の構成が適用可能である。よって、詳細については、発光素子の構成例1、または発光素子の構成例2の記載を参酌できる。
発光ユニットの間に設けられた中間層1104における電子と正孔の挙動について説明する。陽極1101と陰極1102の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層1104において正孔と電子が発生し、正孔は陰極1102側に設けられた発光ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層1104において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第1の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
発光素子の構成例1乃至構成例3は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、発光素子の構成例3の陰極とn番目の発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
<発光素子に用いることができる材料>
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、EL層、電荷発生領域、電子リレー層並びに電子注入バッファーの順に説明する。
<陽極に用いることができる材料>
陽極1101は、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上が好ましい)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。
これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、インジウム−亜鉛酸化物膜は、酸化インジウムに対し1wt%以上20wt%以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5wt%以上5wt%以下、酸化亜鉛を0.1wt%以上1wt%以下含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン等)、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の導電性ポリマーを用いても良い。
但し、陽極1101と接して第2の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極1101に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第2の電荷発生領域を構成する材料については、第1の電荷発生領域と共に後述する。
<陰極に用いることができる材料>
陰極1102に接して第1の電荷発生領域1104cを、発光ユニット1103との間に設ける場合、陰極1102は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
なお、陰極1102および陽極1101のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度(好ましくは、5nm以上30nm以下程度)の金属薄膜を用いることもできる。
<EL層に用いることができる材料>
上述した発光ユニット1103を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
なお、正孔注入層の代わりに第2の電荷発生領域を用いてもよい。第2の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極1101に用いることができるのは前述の通りである。第2の電荷発生領域を構成する材料については第1の電荷発生領域と共に後述する。
<正孔輸送層>
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
正孔輸送性の高い物質としては、例えば4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物が挙げられる。または、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)などが挙げられる。または、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、などのカルバゾール誘導体が挙げられる。
これ以外にも、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物を正孔輸送層に用いることができる。
<発光層>
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。
発光物質として用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン(略称:TBP)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPPA)、N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン−2,7,10,15−テトラアミン(略称:DBC1)、クマリン30、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)、クマリン545T、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)、2−(2−{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、2−{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCM2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)、2−{2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTI)、2−{2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTB)、2−(2,6−ビス{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:BisDCM)、2−{2,6−ビス[2−(8−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM)、SD1(商品名;SFC Co., Ltd製)などが挙げられる。
発光物質として用いることができる燐光性化合物としては、例えば、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス[2−(3’,5’−ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:[Ir(CF3ppy)(pic)])、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppy)])、ビス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(ppy)(acac)])、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bzq)(acac)])、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(dpo)(acac)])、ビス{2−[4’−(パーフルオロフェニル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(p−PF−ph)(acac)])、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bt)(acac)])、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(btp)(acac)])、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(piq)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Fdpq)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)(acac)])、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM)(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)(Phen))、ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)(dpm)])などが挙げられる。
発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
ホスト材料として用いることができる材料としては、NPB(略称)、TPD(略称)、TCTA(略称)、TDATA(略称)、MTDATA(略称)、BSPB(略称)、などの芳香族アミン化合物、PCzPCA1(略称)、PCzPCA2(略称)、PCzPCN1(略称)、CBP(略称)、TCPB(略称)、CzPA(略称)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)などのカルバゾール誘導体を用いることができる。または、PVK(略称)、PVTPA(略称)、PTPDMA(略称)、Poly−TPD(略称)などの高分子化合物を含む正孔輸送性の高い物質を用いることができる。または、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体を用いることができる。または、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))、などのオキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体を用いることができる。または、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]カルバゾール(略称:CO11)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)などの電子輸送性の高い物質を用いることができる。
<電子輸送層>
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
電子輸送性の高い物質としては、例えばAlq(略称)、Almq(略称)、BeBq(略称)、BAlq(略称)などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。または、Zn(BOX)(略称)、Zn(BTZ)(略称)などのオキサゾール系や、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。または、PBD(略称)、OXD−7(略称)、CO11(略称)、TAZ(略称)、BPhen(略称)、BCP(略称)、2−[4−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]−1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール(略称:DBTBIm−II)などが挙げられる。
これ以外にも、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)、などの高分子化合物を電子輸送層に用いることができる。
<電子注入層>
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極1102からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム(Mg)又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることもできる。
<電荷発生領域に用いることができる材料>
第1の電荷発生領域1104c、及び第2の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、陰極に接して設けられる第1の電荷発生領域が積層構造の場合には、電子輸送性の高い物質を含む層が陰極1102と接する構造となる。陽極に接して設けられる第2の電荷発生領域が積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極1101と接する構造となる。
なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、0.1以上4.0以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む)など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
<電子リレー層に用いることができる材料>
電子リレー層1104bは、第1の電荷発生領域1104cにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層1104bは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのLUMO準位は、第1の電荷発生領域1104cにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光ユニット1103のLUMO準位との間に位置する。具体的には、およそ−5.0eV以上−3.0eV以下とするのが好ましい。
電子リレー層1104bに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層1104bに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層1104bにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。
ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチルー3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシルー3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙げられる。
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3−f][1,10]フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称:HAT(CN))、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2PYPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称:F2PYPR)等が挙げられる。
その他にも、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:TCNQ)、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’−ビス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフルオロオクチル−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NTCDI−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5,5’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン(略称:DCMT)、メタノフラーレン(例えば[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)等を電子リレー層1104bに用いることができる。
<電子注入バッファーに用いることができる材料>
電子注入バッファー1104aは、第1の電荷発生領域1104cから発光ユニット1103への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー1104aを第1の電荷発生領域1104cと発光ユニット1103の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。
電子注入バッファー1104aには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー1104aが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット1103の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
<発光素子の作製方法>
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第1の電極上にこれらの層を適宜組み合わせてELを形成する。EL層は、それに用いる材料に応じて種々の方法(例えば、乾式法や湿式法等)を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。EL層上に第2の電極を形成し、発光素子を作製する。
以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。
また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも2つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様のパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。具体的には、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する発光モジュールが複数設けられた発光パネルを用いたパッシブマトリクス型の発光装置について図8を参照して説明する。
本発明の一態様のパッシブマトリクス型の発光装置に設けられた発光モジュールは、不純物(代表的には水および/または酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を含み、塗布法(湿式法ともいう)を用いて形成された犠牲層を、第2の電極に接して備える構成を有する。これにより、発光素子の信頼性を損なう不純物は、犠牲層に含まれる材料と優先的に反応、或いは犠牲層に含まれる材料に吸着され、その活性を失う。その結果、発光モジュールの信頼性が向上し、信頼性の高いパッシブ型の発光装置を提供できる。
また、当該犠牲層が透光性を有する第2の電極と透光性を有する第2の基板を光学的に接続する構成を有する。これにより、発光素子の光が第2の電極から第2の基板に至る光路において、屈折率の急激な変化(屈折率の段差ともいう)が抑制され、第2の電極側から第2の基板に、発光素子の発光を効率よく取り出すことができる。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高いパッシブ型の発光装置を提供できる。
また、本発明の一態様のパッシブマトリクス型の発光装置に設けられた発光モジュールは、隔壁上の犠牲層の厚さが薄い。これにより迷光が抑制される。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い発光装置を提供できる。
<パッシブマトリクス型の発光装置>
次に、パッシブマトリクス型の発光装置に適用した場合の構成を図8に示す。なお、図8(A)は、発光装置を示す斜視図、図8(B)は図8(A)をX−Yで切断した断面図である。
パッシブマトリクス型の発光装置2500は、基板2501上に第1の電極2502を備える。また、絶縁層2505が第1の電極2502の端部を覆って設けられており、隔壁層2506が絶縁層2505上に設けられている。
また、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタ2140Rと、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタ2140Gと、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ2140Bと、がそれぞれ発光素子の上に設けられている。
発光装置2500は、第1の電極2502上に第2の電極2503を有し、第1の電極2502と第2の電極2503の間に発光性の有機化合物を含む層2504が設けられ、発光素子を構成している。発光素子の構成としては、例えば実施の形態4で例示した発光素子の構成を適用できる。また、犠牲層2507が第2の電極2503上に設けられている。
また、本実施の形態で例示する発光装置が備える発光モジュールは、一対の電極の間に白色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子と、それに重なるカラーフィルタを有している。
隔壁層2506の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層2506の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層2505の面方向と同様の方向を向き、絶縁層2505と接する辺)の方が上辺(絶縁層2505の面方向と同様の方向を向き、絶縁層2505と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層2506を設けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。具体的には、第1の基板に設けられた第1の電極と、当該第1の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第2の電極と、当該第2の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第1の基板と第2の基板の間に有する発光モジュールが複数設けられた発光パネルを搭載した電子機器について図9を用いて説明する。
本発明の一態様の電子機器に設けられた発光モジュールは、不純物(代表的には水および/または酸素)と反応、或いは不純物を吸着する材料を含み、塗布法(湿式法ともいう)を用いて形成された犠牲層を、第2の電極に接して備える構成を有する。これにより、発光素子の信頼性を損なう不純物は、犠牲層に含まれる材料と優先的に反応、或いは犠牲層に含まれる材料に吸着され、その活性を失う。その結果、発光モジュールの信頼性が向上し、信頼性の高い電子機器を提供できる。
また、当該犠牲層が透光性を有する第2の電極と透光性を有する第2の基板を光学的に接続する構成を有する。これにより、発光素子の光が第2の電極から第2の基板に至る光路において、屈折率の急激な変化(屈折率の段差ともいう)が抑制され、第2の電極側から第2の基板に、発光素子の発光を効率よく取り出すことができる。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い電子機器を提供できる。
また、本発明の一態様の電子機器に設けられた発光モジュールは、隔壁上の犠牲層の厚さが薄い。これにより迷光が抑制される。その結果、発光モジュールの発光効率が向上し、信頼性の高い電子機器を提供できる。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図9に示す。
図9(A)は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。
テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
図9(B)はコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。
図9(C)は携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図9(C)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ7311(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図9(C)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図9(C)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図9(D)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。
図9(D)に示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、または筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図9(E)は、照明装置の一例を示している。照明装置7500は、筐体7501に光源として本発明の一態様の発光装置7503a〜7503dが組み込まれている。照明装置7500は、天井や壁等に取り付けることが可能である。
また、本発明の一態様の発光装置は、発光パネルが薄膜状であるため、曲面を有する基体に貼り付けることで、曲面を有する発光装置とすることができる。また、その発光装置を、曲面を有する筐体に配置することで、曲面を有する電子機器または照明装置を実現することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
100 発光パネル
106a 導電層
106b 導電層
107 絶縁層
110 基板
120 基板
121a 光学フィルタ
121b 光学フィルタ
123 遮光層
125 オーバーコート層
130 犠牲層
140 隔壁
150a 発光モジュール
150b 発光モジュール
151a 電極
151b 電極
152a 電極
152b 電極
153a 発光性の有機化合物を含む層
153b 発光性の有機化合物を含む層
154a 発光素子
154b 発光素子
1101 陽極
1102 陰極
1103 発光ユニット
1103a 発光ユニット
1103b 発光ユニット
1104 中間層
1104a 電子注入バッファー
1104b 電子リレー層
1104c 電荷発生領域
1113 正孔注入層
1114 正孔輸送層
1115 発光層
1116 電子輸送層
1117 電子注入層
1400 発光装置
1401 ソース側駆動回路
1402 画素部
1403 ゲート側駆動回路
1404 基板
1405 シール材
1405b シール材
1407 犠牲層
1408 配線
1410 基板
1411 トランジスタ
1412 トランジスタ
1413 電極
1414 隔壁
1415c シール材
1416 発光性の有機化合物を含む層
1417 電極
1418 発光素子
1423 nチャネル型トランジスタ
1424 pチャネル型トランジスタ
1433 スペーサ
1434 カラーフィルタ
2140B カラーフィルタ
2140G カラーフィルタ
2140R カラーフィルタ
2500 発光装置
2501 基板
2502 電極
2503 電極
2505 絶縁層
2506 隔壁層
2507 犠牲層
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7500 照明装置
7501 筐体
7503a〜7503d 発光装置

Claims (14)

  1. 第1の基板と、
    前記第1の基板と対向する第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板の間に発光素子と、を有する発光モジュールであって、
    前記発光素子は、
    前記第1の基板上に設けられた第1の電極と、
    前記第1の電極と重なる第2の電極と、
    前記第1の電極と前記第2の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を備え、
    前記第2の電極は塗布法を用いて形成された犠牲層と接し、
    前記犠牲層は、不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む、発光モジュール。
  2. 前記第2の電極および前記第2の基板が、前記発光性の有機化合物を含む層が発する光を透過し、
    前記犠牲層が、前記第2の電極と前記第2の基板を光学的に接続する
    請求項1に記載の発光モジュール。
  3. 前記第1の電極の端部を覆い且つ前記第1の電極と重なる開口部が設けられた隔壁を備え、
    前記隔壁と重なる領域の前記犠牲層の厚さが、前記開口部と重なる領域における前記犠牲層の厚さより薄い、請求項1または請求項2に記載の発光モジュール。
  4. 前記犠牲層が、前記発光素子に用いられる材料を含む、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光モジュール。
  5. 前記発光素子を囲うシール材が、前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせる、請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光モジュール。
  6. 前記シール材が前記犠牲層を囲み、且つ前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせる、請求項5に記載の発光モジュール。
  7. 前記犠牲層が液状である請求項5に記載の発光モジュール。
  8. 前記犠牲層が固体状である請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光モジュール。
  9. 前記犠牲層が第1の基板と第2の基板を貼り合わせる請求項8に記載の発光モジュール。
  10. 前記第2の基板が可撓性を有する請求項1乃至請求項9のいずれか一に記載の発光モジュール。
  11. 第1の基板に第1の電極を形成し、
    前記第1の電極の端部を覆い且つ前記第1の電極と重なる開口部を備える隔壁を形成し、
    前記隔壁の開口部において、前記第1の電極と一方の面を接する発光性の有機化合物を含む層を形成し、
    前記発光性の有機化合物を含む層の他方の面と接する第2の電極を、前記隔壁の開口部に重ねて形成して、発光素子を作製する第1のステップと、
    前記発光素子の前記第2の電極上に不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む塗布液層を形成し、前記発光素子を囲うシール材を第2の基板に形成する第2のステップと、
    前記シール材を用いて、前記発光素子を挟むように前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせる第3のステップと、をこの順で有する発光モジュールの作製方法。
  12. 前記第2のステップにおいて、
    前記不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む塗布液層を形成後に、前記塗布液層にエネルギーを付与して前記塗布液層を硬化する請求項11に記載の発光モジュールの作製方法。
  13. 前記第3のステップにおいて、
    第1の基板と第2の基板を貼り合わせた後に、前記塗布液層にエネルギーを付与して、前記塗布液層を硬化する請求項11に記載の発光モジュールの作製方法。
  14. 第1の基板に第1の電極を形成し、
    前記第1の電極の端部を覆い且つ前記第1の電極と重なる開口部を備える隔壁を形成し、
    前記隔壁の開口部において、前記第1の電極と一方の面を接する発光性の有機化合物を含む層を形成し、
    前記発光性の有機化合物を含む層の他方の面と接する第2の電極を、前記隔壁の開口部に重ねて形成して、発光素子を作製する第1のステップと、
    開口部を設けた、前記発光素子を囲う第1のシール材を第2の基板に形成し、前記第1のシール材を用いて、前記発光素子を挟むように前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせる第2のステップと、
    前記第1の基板と前記第2の基板の間に、前記開口部から不純物と反応、或いは不純物を吸着する材料を含む塗布液層を注入する第3のステップと、
    前記開口部を第2のシール材を用いて塞ぐ第4のステップと、
    をこの順で有する発光モジュールの作製方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150059196A (ko) * 2013-11-21 2015-06-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9246133B2 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
US9324971B2 (en) 2013-03-20 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module and light-emitting device
US10854679B2 (en) 2013-05-10 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, light-emitting panel, and display panel

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101953724B1 (ko) 2011-08-26 2019-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 모듈, 발광 장치, 발광 모듈의 제작 방법, 발광 장치의 제작 방법
FR3010829B1 (fr) * 2013-09-19 2017-01-27 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'un filtre optique au sein d'un circuit integre, et circuit integre correspondant
TWI790912B (zh) * 2014-07-03 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 光電元件
JP6478518B2 (ja) * 2014-08-11 2019-03-06 キヤノン株式会社 発光装置及び画像形成装置
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102409955B1 (ko) * 2015-08-25 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
CN105428392A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置及其制备方法
WO2017138633A1 (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 パイオニア株式会社 発光装置
US10811636B2 (en) 2016-11-10 2020-10-20 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
US10461139B2 (en) 2016-11-10 2019-10-29 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
TWI678829B (zh) * 2017-09-05 2019-12-01 創王光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR102413716B1 (ko) 2017-09-25 2022-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
JPWO2020003056A1 (ja) 2018-06-29 2021-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
CN111443530A (zh) * 2020-04-15 2020-07-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏和显示装置
US11500248B2 (en) * 2020-07-31 2022-11-15 Innolux Corporation Sealing structure and an electronic device having the same
US12170519B2 (en) 2021-07-07 2024-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536475A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子の封止方法
JPH0541281A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Denki Kagaku Kogyo Kk 電界発光装置
JPH0935868A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子の封止方法および有機el素子
JPH10275682A (ja) * 1997-02-03 1998-10-13 Nec Corp 有機el素子
JPH1197167A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Denso Corp 表示パネルの製造方法およびそれに用いる保護袋
US20030218422A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for encapsulating organic electroluminescent device and an organic electroluminescent panel using the same
JP2006228744A (ja) * 1999-06-04 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd カーオーディオ、表示装置及び携帯情報端末
JP2010157515A (ja) * 2008-04-22 2010-07-15 Nippon Zeon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス光源装置
JP2011029162A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04251286A (ja) 1991-01-08 1992-09-07 Fanuc Ltd 平面表示装置用駆動装置
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
US5962962A (en) 1994-09-08 1999-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Method of encapsulating organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
KR100266532B1 (ko) 1997-02-03 2000-09-15 가네꼬 히사시 유기 el 소자
JP2000182769A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd エレクトロルミネッセンス及びそれを用いた表示機器
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP2001043980A (ja) 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
KR100853769B1 (ko) * 2000-12-29 2008-08-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US7956349B2 (en) 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
US20050146266A1 (en) * 2002-02-12 2005-07-07 Hitoshi Kuma Organic el display and its production method
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004014285A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機el素子およびその製造方法
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US20060072047A1 (en) * 2002-12-06 2006-04-06 Kanetaka Sekiguchi Liquid crystal display
JP2004200031A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Bridgestone Corp 有機el素子及びその製造方法
JP2004207084A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2005005209A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法、表示装置
US7221095B2 (en) 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
JP4519532B2 (ja) * 2003-06-16 2010-08-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び発光装置を用いた電子機器
US7030553B2 (en) 2003-08-19 2006-04-18 Eastman Kodak Company OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel
EP3151302B1 (en) 2003-09-19 2018-05-16 Sony Corporation Display unit
JP4453316B2 (ja) 2003-09-19 2010-04-21 ソニー株式会社 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置
US7268498B2 (en) * 2004-04-28 2007-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4731211B2 (ja) 2004-06-18 2011-07-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネル
KR20060046476A (ko) 2004-06-18 2006-05-17 산요덴키가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 패널
US7554265B2 (en) 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
CN101027942B (zh) 2004-09-24 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
EP1803172B1 (en) 2004-09-24 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4879541B2 (ja) 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US7737626B2 (en) 2004-09-30 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
JP2006128022A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
US8202630B2 (en) 2004-11-05 2012-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
CN100573963C (zh) 2004-11-05 2009-12-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用它的发光器件
US7579775B2 (en) * 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4830328B2 (ja) * 2005-03-25 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006294491A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
JP2006350312A (ja) * 2005-05-19 2006-12-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8269227B2 (en) 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP4872288B2 (ja) * 2005-09-22 2012-02-08 凸版印刷株式会社 有機el素子及びその製造方法
JP4945986B2 (ja) * 2005-09-29 2012-06-06 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5213303B2 (ja) * 2006-01-17 2013-06-19 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光硬化性吸湿性組成物及び有機el素子
JP4321537B2 (ja) * 2006-03-23 2009-08-26 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び液晶装置の製造方法
EP1845514B1 (en) 2006-04-14 2013-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
KR101325577B1 (ko) * 2006-04-28 2013-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP5444715B2 (ja) * 2006-09-08 2014-03-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2008066122A1 (fr) * 2006-11-30 2008-06-05 Kyocera Corporation Dispositif el organique et procédé de fabrication correspondant
JP2008210788A (ja) 2007-02-02 2008-09-11 Toppan Printing Co Ltd 有機el素子
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
JP2008288012A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法
WO2008149499A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Panasonic Corporation 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2008305557A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Fujifilm Corp 有機el発光装置及びその製造方法
JP2009123615A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP5549053B2 (ja) * 2008-01-18 2014-07-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP4670875B2 (ja) * 2008-02-13 2011-04-13 セイコーエプソン株式会社 有機el装置
JP2009259575A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Seiko Epson Corp 有機el装置
JP2010027500A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Tdk Corp 有機el表示装置及びその製造方法
JP2010027502A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Tdk Corp 有機el表示装置
KR20100030865A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP2010153365A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP2010140980A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Sony Corp 機能性有機物素子及び機能性有機物装置
JP2010146738A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Seiko Epson Corp 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR100970397B1 (ko) * 2008-12-17 2010-07-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
US8445899B2 (en) 2009-03-16 2013-05-21 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electronic panel and method for manufacturing organic electronic panel
KR101156428B1 (ko) * 2009-06-01 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
CN102461334B (zh) * 2009-06-11 2016-10-05 日本先锋公司 发光元件和显示装置
JP2011009517A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20110039810A (ko) * 2009-10-12 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101097316B1 (ko) * 2009-10-12 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101058112B1 (ko) * 2009-10-20 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP2011090909A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el装置用基板およびそれを用いた有機el装置の製造方法
JP5593676B2 (ja) * 2009-10-22 2014-09-24 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US8404500B2 (en) * 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9246133B2 (en) * 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536475A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子の封止方法
JPH0541281A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Denki Kagaku Kogyo Kk 電界発光装置
JPH0935868A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子の封止方法および有機el素子
JPH10275682A (ja) * 1997-02-03 1998-10-13 Nec Corp 有機el素子
JPH1197167A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Denso Corp 表示パネルの製造方法およびそれに用いる保護袋
JP2006228744A (ja) * 1999-06-04 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd カーオーディオ、表示装置及び携帯情報端末
US20030218422A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for encapsulating organic electroluminescent device and an organic electroluminescent panel using the same
JP2010157515A (ja) * 2008-04-22 2010-07-15 Nippon Zeon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス光源装置
JP2011029162A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9324971B2 (en) 2013-03-20 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module and light-emitting device
US9246133B2 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
US10854679B2 (en) 2013-05-10 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, light-emitting panel, and display panel
KR20150059196A (ko) * 2013-11-21 2015-06-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102086393B1 (ko) * 2013-11-21 2020-03-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

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