JP2010027500A - 有機el表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 180
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 83
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 95
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 51
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
【課題】水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生することのない有機EL表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機EL表示装置1は、透明基板10と、第1電極パターン14と、無機材料によって構成された絶縁パターン16と、分離体18と、有機EL層20と、第2電極パターン22と、無機材料によって構成された保護層24とを備える。有機EL層20及び第2電極パターン22は、第1電極パターン14、絶縁パターン16及び保護層24によって囲まれている。有機EL層20及び第2電極パターン22と分離体18との間に保護層24が配置されることにより、有機EL層20及び第2電極パターン22と分離体18とが保護層24によって隔離されている。
【選択図】図2
【解決手段】有機EL表示装置1は、透明基板10と、第1電極パターン14と、無機材料によって構成された絶縁パターン16と、分離体18と、有機EL層20と、第2電極パターン22と、無機材料によって構成された保護層24とを備える。有機EL層20及び第2電極パターン22は、第1電極パターン14、絶縁パターン16及び保護層24によって囲まれている。有機EL層20及び第2電極パターン22と分離体18との間に保護層24が配置されることにより、有機EL層20及び第2電極パターン22と分離体18とが保護層24によって隔離されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置及びその製造方法に関する。
有機EL表示装置は、多数の有機EL素子が格子状に並べられて構成されている。ここで、有機EL素子は、一般に、一対の電極(陽極及び陰極)によって発光層が挟持されたものである。発光層は、電極間に電圧が印加されることで発光する。しかしながら、水分が滲入して、電極が酸化したり発光層と電極とが剥離したりすることで、発光層に発光しなくなる部位(黒点やダークスポットともいう)が発生することがある。従って、有機EL表示装置においては、水分の滲入によるダークスポットの発生を防ぐ技術が極めて重要である。
そこで、従来、ガラス基板と、ITO電極、有機発光材料層及び陰極がこの順でガラス基板上に積層されてなる有機EL素子と、積層体を覆うように配置された封止缶と、ガラス基板と封止缶とを接着して、ガラス基板と封止缶とによって画成される空間内を密閉する封止材と、封止缶のうち当該空間内に向かう壁面に設けられた乾燥剤とを備える有機EL表示装置が知られている(例えば、下記特許文献1参照)。この有機EL表示装置では、有機EL素子をガラス基板、封止缶及び封止剤で密閉しているので、その密閉空間内に水分が滲入し難くなっており、また、密閉空間内に乾燥剤を配置しているので、密閉空間内に水分が滲入したとしても密閉空間内の吸湿を行えるようになっている。
しかしながら、従来の有機EL表示装置は、乾燥剤を収容する封止缶を備えるものであったため、薄型化に限界があった。そこで、従来、電子注入電極における基板とは反対側の面に、SiOxNy(ここで、0.1≦x≦1、0.1≦y≦1)からなる封止膜をプラズマCVD法によって設けるようにした有機EL素子が知られている(例えば、下記特許文献2参照)。このようにすると、封止膜が極めて緻密となるので、有機EL素子内への水分の滲入が大きく抑制され、且つ、封止膜によって封止されることにより封止缶や乾燥剤が不要となるので、有機EL素子の薄型化に大きく貢献することとなる。
特開平9−148066号公報
特開2001−060491号公報
ところで、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置においては、有機EL層及び陰極を分離して画素を区画するために、一般に、分離体が必要である。この分離体は、有機EL層及び陰極を分離するという目的のため、有機EL層及び陰極の厚さよりも厚くなるように形成されることから、分離体には、クラックやピンホール等の欠陥が生じやすい。
ところが、この分離体自身は発光しないので、分離体にクラックやピンホール等の欠陥があった場合でも、出荷検査において分離体における欠陥を検出することが極めて困難であった。つまり、分離体における欠陥から水分が滲入して、発光層においてダークスポットが発生するまで、欠陥の存在を把握することが極めて困難であった。そのため、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置においては、従来の有機EL表示装置と比較して、より優れた水分の侵入対策が求められていた。このとき、上記特許文献2に記載された有機EL素子のように、プラズマCVD法によって酸窒化ケイ素からなる封止膜を形成することも考えられる。しかしながら、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置においては、構造上分離体が必要であり、この分離体の存在により、封止膜及び他の無機材料を用いての有機EL層の完全な隔離が困難であった。
そこで、本発明は、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生することのない有機EL表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る有機EL表示装置は、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置であって、透明基板と、互いに離間するように、透明基板上に配置された複数の第1電極パターンと、複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するように、透明基板上及び複数の第1電極パターン上に配置された絶縁パターンと、絶縁パターン上に配置された複数の分離体と、複数の第1電極パターン上及び絶縁パターン上に配置された複数の有機EL層と、複数の有機EL層上にそれぞれ対応して配置された複数の第2電極パターンと、無機材料によって構成され、絶縁パターン、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆する保護層とを備え、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンは、複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び保護層によって囲まれ、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体との間に保護層が配置されることにより、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とが保護層によって隔離されており、絶縁パターンのうち少なくとも保護層及び分離体と接触している部分が無機材料によって構成されていることを特徴とする。
本発明に係る有機EL表示装置では、無機材料によって構成された保護層が、絶縁パターン、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆しており、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンが、複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び保護層によって囲まれていると共に、絶縁パターンのうち少なくとも保護層及び分離体と接触している部分が無機材料によって構成されている。つまり、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とが、無機材料である保護層及び絶縁パターンのうち無機材料によって構成されている部分によって隔離されている。そのため、複数の有機EL層と分離体との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体に欠陥があった場合でも、有機EL層に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
好ましくは、絶縁パターンのうち少なくとも保護層及び分離体と接触している部分の水分透過率が10−3g/m2・day以下である。ここで、水分透過率が10−3g/m2・dayの場合、水1gでの水分子の量が6.02×1023/18[分子/g]であるから、単位時間・単位面積当たりの水分子の数は3.87×1010[個/cm2・s]である。そして、単位面積当たりの有機分子の数が1014[個/cm2]である有機EL層が100層あると仮定すると、全ての有機分子が破壊されるまでの時間tは、
t=1014×100/(3.87×1010×602)≒71.8[時間]
となる。つまり、水分透過率が10−3g/m2・day以下であれば、絶縁パターンを形成してから保護層を形成するまでの間における水分の滲入による有機EL層でのダークスポットの発生を約1〜2日の間抑制することが可能となる。その結果、有機EL表示装置を安定して生産することが可能となる。
t=1014×100/(3.87×1010×602)≒71.8[時間]
となる。つまり、水分透過率が10−3g/m2・day以下であれば、絶縁パターンを形成してから保護層を形成するまでの間における水分の滲入による有機EL層でのダークスポットの発生を約1〜2日の間抑制することが可能となる。その結果、有機EL表示装置を安定して生産することが可能となる。
より好ましくは、絶縁パターンのうち少なくとも保護層及び分離体と接触している部分が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含む。
より好ましくは、絶縁パターンのうち保護層及び分離体と接触している部分が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含んでおり、絶縁パターンのうち残余部分が樹脂である。
さらにより好ましくは、残余部分が感光性樹脂である。このようにすると、絶縁パターンの残余部分について、簡便に形成することが可能となる。
また、本発明に係る有機EL表示装置は、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置であって、透明基板と、互いに離間するように、透明基板上に配置された複数の第1電極パターンと、複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するように、透明基板上及び複数の第1電極パターン上に配置された絶縁パターンと、絶縁パターン上に配置された複数の分離体と、複数の第1電極パターン上及び絶縁パターン上に配置された複数の有機EL層と、複数の有機EL層上にそれぞれ対応して配置された複数の第2電極パターンと、無機材料によって構成され、絶縁パターン、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆する保護層とを備え、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンは、複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び保護層によって囲まれ、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体との間に保護層が配置されることにより、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とが保護層によって隔離されており、分離体のうち少なくとも保護層及び絶縁パターンと接触している部分が無機材料によって構成されていることを特徴とする。
本発明に係る有機EL表示装置では、無機材料によって構成された保護層が、絶縁パターン、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆しており、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンが、複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び保護層によって囲まれていると共に、分離体のうち少なくとも保護層及び絶縁パターンと接触している部分が無機材料によって構成されている。つまり、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とが、無機材料である保護層及び分離体のうち無機材料によって構成されている部分によって隔離されている。そのため、複数の有機EL層と分離体との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体に欠陥があった場合でも、有機EL層に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
好ましくは、分離体のうち少なくとも保護層及び絶縁パターンと接触している部分の水分透過率が10−3g/m2・day以下である。ここで、水分透過率が10−3g/m2・dayの場合、水1gでの水分子の量が6.02×1023/18[分子/g]であるから、単位時間・単位面積当たりの水分子の数は3.87×1010[個/cm2・s]である。そして、単位面積当たりの有機分子の数が1014[個/cm2]である有機EL層が100層あると仮定すると、全ての有機分子が破壊されるまでの時間tは、
t=1014×100/(3.87×1010×602)≒71.8[時間]
となる。つまり、水分透過率が10−3g/m2・day以下であれば、絶縁パターンを形成してから保護層を形成するまでの間における水分の滲入による有機EL層でのダークスポットの発生を約1〜2日の間抑制することが可能となる。その結果、有機EL表示装置を安定して生産することが可能となる。
t=1014×100/(3.87×1010×602)≒71.8[時間]
となる。つまり、水分透過率が10−3g/m2・day以下であれば、絶縁パターンを形成してから保護層を形成するまでの間における水分の滲入による有機EL層でのダークスポットの発生を約1〜2日の間抑制することが可能となる。その結果、有機EL表示装置を安定して生産することが可能となる。
より好ましくは、分離体のうち少なくとも保護層及び絶縁パターンと接触している部分が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含む。
好ましくは、保護層は、透明基板に近い順に、第1保護膜及び第2保護膜を有しており、第2保護膜は、第1保護膜のうち、絶縁パターンと分離体との接触部分を覆う部分の近傍に形成された狭隘部に入り込むように配置されている。このようにすると、水分の滲入をより一層防止することが可能となる。
好ましくは、第1保護膜が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含む。
好ましくは、透明基板上に配置されると共に、複数の第1電極パターン及び第2電極パターンにそれぞれ対応するように電気的に接続された複数の配線パターンを更に備え、保護層が、複数の配線パターンの少なくとも一部を覆う。このようにすると、例えば、複数の配線パターンのうち隣り合う配線パターンの短絡等を防止することが可能となる。
一方、本発明に係る有機EL表示装置の製造方法は、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置の製造方法であって、互いに離間するように、透明基板上に複数の第1電極パターンを形成する第1工程と、複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するような絶縁パターンを、透明基板上及び複数の第1電極パターン上に形成する第2工程と、複数の分離体を絶縁パターン上に形成する第3工程と、複数の有機EL層を複数の第1電極パターン上及び絶縁パターン上に形成する第4工程と、複数の第2電極パターンを複数の有機EL層上にそれぞれ対応して形成する第5工程と、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆する第1保護膜を、無機材料を用いて蒸着法によって形成する第6工程と、第1保護膜を被覆する第2保護膜を、有機溶剤に無機材料が溶解された塗布液を塗布することによって形成する第7工程とを備え、第2工程では、絶縁パターンのうち少なくとも保護層及び分離体と接触している部分を無機材料によって形成し、第6工程では、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び第1保護膜によって囲むと共に、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体との間に第1保護膜が位置するように第1保護膜を形成することで、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とを第1保護膜によって隔離することを特徴とする。
本発明に係る有機EL表示装置の製造方法では、第2工程において、絶縁パターンのうち少なくとも保護層及び分離体と接触している部分を無機材料によって形成し、第6工程において、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び第1保護膜によって囲むと共に、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体との間に第1保護膜が位置するように第1保護膜を形成することで、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とを第1保護膜によって隔離している。つまり、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とが、無機材料である保護層及び絶縁パターンのうち無機材料によって構成されている部分によって隔離される。そのため、複数の有機EL層と分離体との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体に欠陥があった場合でも、有機EL層に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
ところで、第2電極パターン上に異物があるような場合、第1保護膜によって当該異物の全体を覆うことができれば、水分が滲入する虞が極めて低くなるが、第1保護膜は蒸着法により形成することから、一般に、第1保護膜を厚膜化することはコストがかかることとなる。一方、第2保護膜は塗布液を塗布することにより形成されるので、比較的容易に厚膜化することが可能であるが、当該塗布液は有機溶剤を含んでいるため、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを第2保護膜で覆うようにすると有機EL層に有機分子が破壊されてしまう。
しかしながら、本発明に係る有機EL表示装置の製造方法では、第6工程において、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆する第1保護膜を、無機材料を用いて蒸着法によって形成し、第7工程において、有機溶剤に無機材料が溶解された塗布液を塗布することによって形成している。そのため、第2電極パターン上に異物があるような場合であっても、第2保護膜によって当該異物の全体を覆うことができるので、水分の滲入を十分に抑制することが可能となる。
また、本発明に係る有機EL表示装置の製造方法は、パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置の製造方法であって、互いに離間するように、透明基板上に複数の第1電極パターンを形成する第1工程と、複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するような絶縁パターンを、透明基板上及び複数の第1電極パターン上に形成する第2工程と、複数の分離体を絶縁パターン上にそれぞれ対応して形成する第3工程と、複数の有機EL層を複数の第1電極パターン上及び絶縁パターン上に形成する第4工程と、複数の第2電極パターンを複数の有機EL層上にそれぞれ対応して形成する第5工程と、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆する第1保護膜を、無機材料を用いて蒸着法によって形成する第6工程と、第1保護膜を被覆する第2保護膜を、有機溶剤に無機材料が溶解された塗布液を塗布することによって形成する第7工程とを備え、第3工程では、分離体のうち少なくとも保護層及び絶縁パターンと接触している部分を無機材料によって形成し、第6工程では、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び第1保護膜によって囲むと共に、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体との間に第1保護膜が位置するように第1保護膜を形成することで、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とを第1保護膜によって隔離することを特徴とする。
本発明に係る有機EL表示装置の製造方法では、第3工程において、分離体のうち少なくとも保護層及び絶縁パターンと接触している部分を無機材料によって形成し、第6工程において、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを複数の第1電極パターン、絶縁パターン及び第1保護膜によって囲むと共に、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体との間に第1保護膜が位置するように第1保護膜を形成することで、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とを第1保護膜によって隔離している。つまり、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンと分離体とが、無機材料である保護層及び分離体のうち無機材料によって構成されている部分によって隔離されている。そのため、複数の有機EL層と分離体との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体に欠陥があった場合でも、有機EL層に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
ところで、第2電極パターン上に異物があるような場合、第1保護膜によって当該異物の全体を覆うことができれば、水分が滲入する虞が極めて低くなるが、第1保護膜は蒸着法により形成することから、一般に、第1保護膜を厚膜化することはコストがかかることとなる。一方、第2保護膜は塗布液を塗布することにより形成されるので、比較的容易に厚膜化することが可能であるが、当該塗布液は有機溶剤を含んでいるため、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを第2保護膜で覆うようにすると有機EL層に有機分子が破壊されてしまう。
しかしながら、本発明に係る有機EL表示装置の製造方法では、第6工程において、複数の分離体、複数の有機EL層及び複数の第2電極パターンを被覆する第1保護膜を、無機材料を用いて蒸着法によって形成し、第7工程において、有機溶剤に無機材料が溶解された塗布液を塗布することによって形成している。そのため、第2電極パターン上に異物があるような場合であっても、第2保護膜によって当該異物の全体を覆うことができるので、水分の滲入を十分に抑制することが可能となる。
本発明によれば、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生することのない有機EL表示装置及びその製造方法を提供することができる。
本発明に係る有機EL表示装置1の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」なる語を使用することがあるが、これは図面の上方向に対応したものである。さらに、以下では、縦横で3×3の画素を有する有機EL表示装置1を例にとって説明しているが、画素の数や画素の配置構造としてはこれに限定されず、有機EL表示装置1の用途に応じて種々の画素数又は種々の画素の配置構造とすることができるのは勿論である。
(有機EL表示装置の構成)
まず、図1〜図4を参照して、有機EL表示装置1の構成について説明する。有機EL表示装置1は、いわゆるパッシブマトリクス駆動方式を採用しており、透明基板10と、複数の配線パターン12と、複数の第1電極パターン14と、絶縁パターン16と、分離体18と、複数の有機EL層20と、複数の第2電極パターン22と、保護層24と、樹脂層26と、保護部材28と、半導体チップ30と、フレキシブルプリント回路(FPC:Flexible Printed Circuit)基板32とを備える。
まず、図1〜図4を参照して、有機EL表示装置1の構成について説明する。有機EL表示装置1は、いわゆるパッシブマトリクス駆動方式を採用しており、透明基板10と、複数の配線パターン12と、複数の第1電極パターン14と、絶縁パターン16と、分離体18と、複数の有機EL層20と、複数の第2電極パターン22と、保護層24と、樹脂層26と、保護部材28と、半導体チップ30と、フレキシブルプリント回路(FPC:Flexible Printed Circuit)基板32とを備える。
透明基板10は、方形状を呈している。透明基板10の材質としては、特に限定されないが、例えば、エッチングガラス等のガラス基板、樹脂基板、樹脂フィルムが挙げられる。透明基板10の厚みは、例えば、0.2mm〜0.3mm程度に設定することができる。
配線パターン12は、図2に示されるように、透明基板10上に複数形成されている。本実施形態においては、後述する図7等に示されるように、3本の配線パターン12Aが、半導体チップ30と各第1電極パターン14とを物理的且つ電気的に接続するように延びており、3本の配線パターン12Bが、半導体チップ30と各第2電極パターン22とを物理的且つ電気的に接続するように延びており、5本の配線パターン12Cが、半導体チップ30とフレキシブルプリント回路基板32とを電気的に接続するように延びている。
配線パターン12は、特に限定されるものではなく、例えば補助電極膜、バリアメタル膜若しくは透明電極膜又はこれらが2層以上積層されたものによって構成することができる。
第1電極パターン14は、透明基板10上に複数(本実施形態においては3つ)形成されている。各第1電極パターン14は、図3に示されるように、一方向に延在すると共に互いに略平行となるように、透明基板10上に配置されている。各第1電極パターン14は、後述する図7等に示されるように、各配線パターン12Bとそれぞれ物理的且つ電気的に接続されている。
第1電極パターン14は、例えばITOによって構成される。第1電極パターン14の厚みは、例えば10nm〜300nm程度に設定することができる。
絶縁パターン16は、透明基板10及び第1電極パターン14上に形成されている。絶縁パターン16は、図3に示されるように、複数(本実施形態においては4つ)の第1部分16aと、複数(本実施形態においては4つ)の第2部分16bとを有している。
各第1部分16aは、各第1電極パターン14に略直交して延在すると共に互いに略平行となるように、透明基板10及び第1電極パターン14上に配置されている。各第2部分16bは、各第1電極パターン14のうち隣り合う第1電極パターン14間に位置するように、透明基板10及び第1電極パターン14上に配置されている。そのため、絶縁パターン16は、各第1部分16aと各第2部分16bとによって格子状となるように構成されている。
絶縁パターン16は、本実施形態において、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のうちいずれか一つを主成分として含んで構成される。絶縁パターン16の厚みは、例えば0.1μm〜10μm程度に設定することができる。
絶縁パターン16の水分透過率は、10−3g/m2・day以下であることが好ましい。ここで、水分透過率が10−3g/m2・dayの場合、水1gでの水分子の量が6.02×1023/18[分子/g]であるから、単位時間・単位面積当たりの水分子の数は3.87×1010[個/cm2・s]である。そして、単位面積当たりの有機分子の数が1014[個/cm2]である有機EL層20が100層あると仮定すると、全ての有機分子が破壊されるまでの時間tは、
t=1014×100/(3.87×1010×602)≒71.8[時間]
となる。つまり、水分透過率が10−3g/m2・day以下であれば、絶縁パターン16を形成してから保護層24を形成するまでの間における水分の滲入による有機EL層20でのダークスポットの発生を約1〜2日の間抑制することが可能となる。その結果、有機EL表示装置1を安定して生産することが可能となる。
t=1014×100/(3.87×1010×602)≒71.8[時間]
となる。つまり、水分透過率が10−3g/m2・day以下であれば、絶縁パターン16を形成してから保護層24を形成するまでの間における水分の滲入による有機EL層20でのダークスポットの発生を約1〜2日の間抑制することが可能となる。その結果、有機EL表示装置1を安定して生産することが可能となる。
分離体18は、図2〜図4に示されるように、絶縁パターン16の各第1部分16a上にそれぞれ対応して複数(本実施形態においては4つ)形成されている。各分離体18は、各第1部分16a上において、第1部分16aの長手方向に延在すると共に互いに略平行となるように、各第1部分16a上に配置されている。
分離体18は、例えば感光性樹脂によって構成される。分離体18の厚みは、有機EL層20及び第2電極パターン22を分離(詳しくは後述する)するのに十分な高さ、例えば1μm〜20μm程度に設定することができる。また、分離体18の形状についても、有機EL層20及び第2電極パターン22が分離(詳しくは後述する)され、その表面に第2電極パターン22が付着しない領域が存在するようなオーバハング形状であればよい。
有機EL層20は、図2〜図4に示されるように、各分離体18のうち隣り合う分離体18間に位置するように、各第1電極パターン14上及び絶縁パターン16上に複数(本実施形態においては3つ)配置されている。具体的には、各有機EL層20は、絶縁パターン16の各第1部分16aのうち隣り合う第1部分16aの間に位置している。各有機EL層20のうち延在方向に平行な両縁部は、各第1部分16aのうち延在方向に略平行な縁部を覆っている。また、各有機EL層20は、各分離体18の上面を覆うように配置されている。
有機EL層20の材料は、特に限定されないが、例えば正孔輸送層、発光層、電子輸送層によって構成される公知のものを利用できる。有機EL層20の厚みは、例えば5nm〜500nm程度に設定することができる。
第2電極パターン22は、各有機EL層20上にそれぞれ対応して複数(本実施形態においては3つ)配置されている。そのため、各第2電極パターン22は、図3に示されるように、一方向に延在すると共に互いに略平行とされている。各第2電極パターン22にのうち延在方向に平行な両縁部は、各有機EL層20のうち延在方向に略平行な縁部の近傍に位置している。各第2電極パターン22は、後述する図13に示されるように、各配線パターン12Aとそれぞれ物理的且つ電気的に接続されている。また、各第2電極パターン22は、各分離体18の上面に形成された各有機EL層20を覆うように配置されている。
第2電極パターン22は、例えばAlによって構成される。第2電極パターン22の厚みは、例えば50nm〜1μm程度に設定することができる。
保護層24は、図1に示されるように、透明基板10のうち半導体チップ30及びフレキシブルプリント回路基板32が実装されている部分以外の大部分を覆っている。具体的には、図2〜図4に示されるように、保護層24は、配線パターン12、絶縁パターン16、分離体18、有機EL層20及び第2電極パターン22を主として被覆している。そのため、各有機EL層20及び各第2電極パターン22は、各第1電極パターン14、絶縁パターン16及び保護層24によって囲まれることとなる。
保護層24は、透明基板10に近い順に第1保護膜24a及び第2保護膜24bを有している。保護膜24(第1保護膜24a及び第2保護膜24b)は、無機材料によって構成される。
具体的には、第1保護膜24aは、本実施形態において、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のうちいずれか一つを主成分として含んで構成される。第1保護膜24aの厚みは、例えば0.1μm〜3μm程度に設定することができる。第2保護膜24bは、本実施形態において、SOG(Spin On Glass:ケイ素化合物をアルコール等の有機溶剤に溶解させた塗布液)やポリシラザン等の無機系コーティング材料によって構成される。第2保護膜24bの厚みは、例えば0.5μm〜10μm程度に設定することができる。
第1保護膜24aは、各部材の表面を略均一の厚さ(例えば0.1μm〜3μm程度)で覆っている。そのため、第1保護膜24aのうち絶縁パターン16と分離体18との接触部分を覆う部分の近傍には、図4に示されるように、狭隘部Nが形成されている。第2保護膜24bは、この狭隘部Nに入り込むように配置されている。このように、各有機EL層20及び各第2電極パターン22と各分離体18との間に保護層24(第1保護膜24a及び第2保護膜24b)が配置されることにより、各有機EL層20及び各第2電極パターン22と各分離体18とが保護層24によって隔離される。
樹脂層26は、保護層24のうち半導体チップ30及びフレキシブルプリント回路基板32側を除く大部分を被覆するように保護層24上に形成されている。樹脂層26は、例えばエポキシ樹脂等の接着性を有する樹脂によって構成される。樹脂層26のうち各分離体18の上方以外に位置する部分の厚みd1は、保護層24のうち各分離体18の上方に位置する部分の表面高さと保護層24のうち各分離体18の上方以外に位置する部分の表面高さとの差d2(例えば、0.1μm〜10μm程度)よりも大きいと好ましく、例えば5μm〜100μm程度に設定することができる。
ここで、樹脂層26のショアA硬度が80以上又は樹脂層26のショアD硬度が30以上であると好ましい。樹脂層26のショアA硬度が80未満又は樹脂層26のショアD硬度が30未満であると、外力に対して樹脂層26が変形しやすいので、有機EL表示装置1に外力が与えられた場合に、有機EL層20、保護層24(第1保護膜24a及び第2保護膜24b)等に損傷が生じる傾向にある。
また、樹脂層26のガラス転移温度が90℃以上であると好ましい。有機EL表示装置1の使用環境における温度範囲は、一般に、−30℃〜80℃であるから、樹脂層26のガラス転移温度が90℃未満(特に常温未満)であると、熱衝撃による収縮応力によって、有機EL層20、第1保護膜24a、第2保護膜24b等に損傷が生じる傾向にある。
保護部材28は、方形状を呈しており、樹脂層26上に配置されている。保護部材28は、例えばガラス板、セラミック板、金属板、樹脂フィルムによって構成される。保護部材28の厚みは、透明基板10の厚みと実質的に同一であるか、透明基板10の厚みよりも薄い(透明基板10の厚みが保護部材28の厚みよりも厚い)ことが好ましく、例えば0.05mm〜0.2mm程度に設定することができる。このとき、透明基板10から保護部材28までの厚み、すなわち、有機EL表示装置1の厚みは、0.6mm以下であると好ましい。
半導体チップ30及びフレキシブルプリント回路基板32は、図1及び図2に示されるように、透明基板10上に実装されている。半導体チップ30は、フレキシブルプリント回路基板32を介して入力される信号に基づいて、パッシブマトリクス駆動方式により、所望の画素の発光を制御する。フレキシブルプリント回路基板32は、フレキシブルな外部配線手段である。
(有機EL表示装置の製造方法)
続いて、図1、図2及び図5〜図14を参照して、有機EL表示装置1の製造方法について説明する。
続いて、図1、図2及び図5〜図14を参照して、有機EL表示装置1の製造方法について説明する。
まず、図5及び図6に示されるように、透明基板10上に配線パターン12(12A〜12C)及び第1電極パターン14を形成する。具体的には、配線パターン12(12A〜12C)及び第1電極パターン14となる透明電極材料をスパッタリングにより透明基板10の全面に成膜し、フォトリソグラフィー法によってパターニングすることで、配線パターン12(12A〜12C)及び第1電極パターン14を形成する。
続いて、図7及び図8に示されるように、絶縁パターン16を形成する。具体的には、各第1部分16aが各第1電極パターン14に略直交して延在すると共に互いに略平行となり、また、各第2部分16bが各第1電極パターン14のうち隣り合う第1電極パターン14間に位置するように、無機材料を用いてプラズマCVDやスパッタ法といった蒸着法、原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法等により成膜する。
続いて、図9及び図10に示されるように、各分離体18を絶縁パターン16の各第1部分16a上にそれぞれ対応して形成する。具体的には、感光性樹脂等の樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法により各分離体18を形成する。
続いて、図11及び図12に示されるように、有機EL層20及び第2電極パターン22を形成する。具体的には、有機EL層20となる公知の材料を用いて蒸着法により、有機EL層20及び第2電極パターン22をそれぞれ成膜する。このとき、各有機EL層20は、各分離体18のうち隣り合う分離体18間に配置されると共に、各分離体18の上面を覆うように配置される。各第2電極パターン22は、各有機EL層20上にそれぞれ対応して配置されると共に、各分離体18の上面に形成された各有機EL層20を覆うように配置される。
続いて、図13及び図14に示されるように、透明基板10のうち半導体チップ30及びフレキシブルプリント回路基板32が実装されている部分以外の大部分を覆う保護層24を形成する。具体的には、無機材料を用いてステップカバレッジ性のよいプラズマCVDやスパッタ法といった蒸着法、原子層堆積法等により、第1保護膜24aを成膜する。そして、無機系コーティング材料を第1保護膜24a上に塗布して硬化させることにより、第2保護膜24bを形成する。
続いて、図1及び図2に示されるように、樹脂層26及び保護部材28を設ける。具体的には、樹脂層26となる樹脂を第2保護膜24bの所定の領域に塗布し、保護部材28を樹脂に接着させた後、樹脂を硬化させて樹脂層26を形成する。そして、半導体チップ30及びフレキシブルプリント基板32を透明基板10上の所定の位置に搭載する。これにより有機EL表示装置1が完成する。
以上のような本実施形態においては、無機材料によって構成された保護層24が、絶縁パターン16、各分離体18、各有機EL層20及び各第2電極パターン22を被覆しており、各有機EL層20及び各第2電極パターン22が、各第1電極パターン14、絶縁パターン16及び保護層24によって囲まれていると共に、絶縁パターン16が無機材料によって構成されている。つまり、各有機EL層20及び各第2電極パターン22と各分離体18とが、無機材料である保護層24及び無機材料である絶縁パターン16によって隔離されている。そのため、各有機EL層20と各分離体18との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体18に欠陥があった場合でも、有機EL層20に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
また、本実施形態においては、保護層24が、透明基板10に近い順に、第1保護膜24a及び第2保護膜24bを有しており、第2保護膜24bが、第1保護膜24aのうち、絶縁パターン16と分離体18との接触部分を覆う部分の近傍に形成された狭隘部Nに入り込むように配置されている。そのため、水分の滲入をより一層防止することが可能となっている。
また、本実施形態においては、各配線パターン12が、透明基板10上に配置されると共に、各第1電極パターン14及び各第2電極パターン22にそれぞれ対応するように電気的に接続されており、保護層24が、各配線パターン12の大部分を覆っている。そのため、例えば、各配線パターン12のうち隣り合う配線パターン12の短絡等を防止することが可能となっている。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、図15に示されるように、絶縁パターン16が樹脂層16A及び無機材料層16Bによって構成されていてもよい。具体的には、絶縁パターン16のうち少なくとも保護層24及び分離体18と接触している部分が無機材料層16Bとなっており、それ以外の残余部分が樹脂層16Aとなっている。この場合であっても、各有機EL層20及び各第2電極パターン22と各分離体18とが、無機材料である保護層24及び絶縁パターン16のうち無機材料層16Bによって隔離されこととなる。そのため、有機EL層20と分離体18との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体18に欠陥があった場合でも、有機EL層20に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
ここで、樹脂層16Aは、感光性樹脂等の樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法により形成することができる。無機材料層16Bは、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のうちいずれか一つを主成分として含んで構成される無機材料を用いて、プラズマCVDやスパッタ法といった蒸着法、原子層堆積法等により成膜することができる。なお、無機材料層16Bの水分透過率は、10−3g/m2・day以下であることが好ましい。
また、図16及び図17に示されるように、分離体18が樹脂層18A及び無機材料層18Bによって構成されていてもよい。具体的には、図16においては、分離体18のうち少なくとも保護層24及び絶縁パターン16と接触している部分が無機材料層18Bとなっており、それ以外の残余部分が樹脂層18Aとなっている。また、図17においては、分離体18のうちいわゆるスペーサとしての機能を発揮している部分が無機材料層16Bとなっており、それ以外の残余部分が樹脂層18Aとなっている。この場合であっても、各有機EL層20及び各第2電極パターン22と各分離体18とが、無機材料である保護層24及び分離体18のうち無機材料層18Bによって隔離されている。そのため、有機EL層20と分離体18との間で水分が透過することがほとんどない。その結果、分離体18に欠陥があった場合でも、有機EL層20に水分が滲入し難くなるので、水分の滲入によるダークスポットがほとんど発生しなくなる。
ここで、樹脂層18Aは、感光性樹脂等の樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法により形成することができる。無機材料層18Bは、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のうちいずれか一つを主成分として含んで構成される無機材料を用いて、プラズマCVDやスパッタ法といった蒸着法、原子層堆積法等により成膜することができる。なお、無機材料層18Bの水分透過率は、10−3g/m2・day以下であることが好ましい。
また、本実施形態においては、保護層24が、透明基板10のうち半導体チップ30及びフレキシブルプリント回路基板32が実装されている部分以外の大部分を覆っていたが、これに限られない。すなわち、保護層24が、主として絶縁パターン16、分離体18、有機EL層20及び第2電極パターン22を被覆し、配線パターン12については一部のみを保護層24によって覆うようにしてもよい。
ここで、樹脂層26の好ましい硬度について、試験により確認した。以下、実施例1−1〜1−6及び図18に基づいて説明する。
(実施例1−1)
まず、紫外線硬化型エポキシ樹脂を硬化して、JIS K 7215「プラスチックのデュロメータ硬さ試験方法」に準拠してショアD硬度を測定した。実施例1−1では、ショアD硬度が78であった。
まず、紫外線硬化型エポキシ樹脂を硬化して、JIS K 7215「プラスチックのデュロメータ硬さ試験方法」に準拠してショアD硬度を測定した。実施例1−1では、ショアD硬度が78であった。
次に、同じ紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いて樹脂層26が構成された有機EL表示装置1を3つ製作した。そして、各有機EL表示装置1に対して、高温高湿貯蔵試験、熱衝撃試験及び加圧試験をそれぞれ行った。
ここで、高温高湿貯蔵試験は、有機EL表示装置1を60℃、湿度90%の環境下に500時間保持するものである。熱衝撃試験は、有機EL表示装置1の環境を、−40℃で30分保持した後に、85℃まで昇温して30分保持し、再び−40℃まで冷却するという熱サイクル(温度変化)を100回繰り返すものである。加圧試験は、剛性を有する支持台上に、保護部材28が下向きになるように有機EL表示装置1を載置して、直径10mmの円柱棒で有機EL表示装置1の中心部分に対し、透明基板10側から200Nの荷重を10秒加えるものである。
(実施例1−2〜1−4)
使用する樹脂が紫外線硬化型アクリル樹脂であり、ショアD硬度が58、ショアD硬度が30(ショアA硬度が86)、ショアA硬度が74であること以外は、実施例1−1と同様に実施例1−2〜1−4に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
使用する樹脂が紫外線硬化型アクリル樹脂であり、ショアD硬度が58、ショアD硬度が30(ショアA硬度が86)、ショアA硬度が74であること以外は、実施例1−1と同様に実施例1−2〜1−4に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
(実施例1−5〜1−6)
使用する樹脂がシリコーン樹脂であり、ショアA硬度が45、ショアA硬度が13であること以外は、実施例1−1と同様に実施例1−5〜1−6に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
使用する樹脂がシリコーン樹脂であり、ショアA硬度が45、ショアA硬度が13であること以外は、実施例1−1と同様に実施例1−5〜1−6に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
(評価結果)
各試験終了後に有機EL表示装置1の表示確認を行ったところ、実施例1−1〜1−3に係る有機EL表示装置1では、不具合(ダークスポット)の発生を確認することはできなかった。また、実施例1−4〜1−6に係る有機EL表示装置1では、わずかながら不具合(ダークスポット)が発生していた。従って、樹脂層26のショアA硬度が80以上又は樹脂層26のショアD硬度が30以上であると好ましいことが確認された。
各試験終了後に有機EL表示装置1の表示確認を行ったところ、実施例1−1〜1−3に係る有機EL表示装置1では、不具合(ダークスポット)の発生を確認することはできなかった。また、実施例1−4〜1−6に係る有機EL表示装置1では、わずかながら不具合(ダークスポット)が発生していた。従って、樹脂層26のショアA硬度が80以上又は樹脂層26のショアD硬度が30以上であると好ましいことが確認された。
続いて、樹脂層26の好ましいガラス転移温度(Tg)について、試験により確認した。以下、実施例2−1〜2−8及び図19に基づいて説明する。
まず、紫外線硬化型エポキシ樹脂を硬化して、動的粘弾性試験(DMA:Dynamic Mechanical Analysis)の損失正接tanδのピーク値からガラス転移温度を測定した。実施例2−1では、ガラス転移温度が102℃であった。
次に、同じ紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いて樹脂層26が構成された有機EL表示装置1を3つ製作した。そして、各有機EL表示装置1に対して、高温高湿貯蔵試験、熱衝撃試験及び加圧試験をそれぞれ行った。
(実施例2−2〜2−3)
ガラス転移温度が110℃、132℃であること以外は、実施例2−1と同様に実施例2−2〜2−3に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
ガラス転移温度が110℃、132℃であること以外は、実施例2−1と同様に実施例2−2〜2−3に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
(実施例2−4〜2−7)
使用する樹脂が紫外線硬化型アクリル樹脂であり、ガラス転移温度が94℃、72℃、22℃、−18℃であること以外は、実施例2−1と同様に実施例2−4〜2−7に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
使用する樹脂が紫外線硬化型アクリル樹脂であり、ガラス転移温度が94℃、72℃、22℃、−18℃であること以外は、実施例2−1と同様に実施例2−4〜2−7に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
(実施例2−8)
使用する樹脂がシリコーン樹脂であり、ガラス転移温度が−54℃であること以外は、実施例2−1と同様に実施例2−8に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
使用する樹脂がシリコーン樹脂であり、ガラス転移温度が−54℃であること以外は、実施例2−1と同様に実施例2−8に係る有機EL表示装置1について各試験を行った。
(評価結果)
各試験終了後に有機EL表示装置1の表示確認を行ったところ、実施例2−1〜2−4に係る有機EL表示装置1では、不具合(ダークスポット)の発生を確認することはできなかった。また、実施例2−5〜2−8に係る有機EL表示装置1では、わずかながら不具合(ダークスポット)が発生していた。従って、樹脂層26のガラス転移温度が90℃以上であると好ましいことが確認された。
各試験終了後に有機EL表示装置1の表示確認を行ったところ、実施例2−1〜2−4に係る有機EL表示装置1では、不具合(ダークスポット)の発生を確認することはできなかった。また、実施例2−5〜2−8に係る有機EL表示装置1では、わずかながら不具合(ダークスポット)が発生していた。従って、樹脂層26のガラス転移温度が90℃以上であると好ましいことが確認された。
1…有機EL表示装置、10…透明基板、12…配線パターン、14…第1電極パターン、16…絶縁パターン、16a…第1部分、16b…第2部分、18…分離体、20…有機EL層、22…第2電極パターン、24…保護層、24a…第1保護膜、24b…第2保護膜、26…樹脂層、28…保護部材、30…半導体チップ、32…フレキシブルプリント回路基板。
Claims (13)
- パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置であって、
透明基板と、
互いに離間するように、前記透明基板上に配置された複数の第1電極パターンと、
前記複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に前記複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するように、前記透明基板上及び前記複数の第1電極パターン上に配置された絶縁パターンと、
前記絶縁パターン上に配置された複数の分離体と、
前記複数の第1電極パターン上及び前記絶縁パターン上に配置された複数の有機EL層と、
前記複数の有機EL層上にそれぞれ対応して配置された複数の第2電極パターンと、
無機材料によって構成され、前記絶縁パターン、前記複数の分離体、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンを被覆する保護層とを備え、
前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンは、前記複数の第1電極パターン、前記絶縁パターン及び前記保護層によって囲まれ、
前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体との間に前記保護層が配置されることにより、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体とが前記保護層によって隔離されており、
前記絶縁パターンのうち少なくとも前記保護層及び前記分離体と接触している部分が無機材料によって構成されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記絶縁パターンのうち少なくとも前記保護層及び前記分離体と接触している部分の水分透過率が10−3g/m2・day以下であることを特徴とする、請求項1に記載された有機EL表示装置。
- 前記絶縁パターンのうち少なくとも前記保護層及び前記分離体と接触している部分が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含むことを特徴とする、請求項2に記載された有機EL表示装置。
- 前記絶縁パターンのうち前記保護層及び前記分離体と接触している部分が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含んでおり、前記絶縁パターンのうち残余部分が樹脂であることを特徴とする、請求項2又は3に記載された有機EL表示装置。
- 前記残余部分が感光性樹脂であることを特徴とする、請求項4に記載された有機EL表示装置。
- パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置であって、
透明基板と、
互いに離間するように、前記透明基板上に配置された複数の第1電極パターンと、
前記複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に前記複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するように、前記透明基板上及び前記複数の第1電極パターン上に配置された絶縁パターンと、
前記絶縁パターン上に配置された複数の分離体と、
前記複数の第1電極パターン上及び前記絶縁パターン上に配置された複数の有機EL層と、
前記複数の有機EL層上にそれぞれ対応して配置された複数の第2電極パターンと、
無機材料によって構成され、前記絶縁パターン、前記複数の分離体、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンを被覆する保護層とを備え、
前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンは、前記複数の第1電極パターン、前記絶縁パターン及び前記保護層によって囲まれ、
前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体との間に前記保護層が配置されることにより、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体とが前記保護層によって隔離されており、
前記分離体のうち少なくとも前記保護層及び前記絶縁パターンと接触している部分が無機材料によって構成されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記分離体のうち少なくとも前記保護層及び前記絶縁パターンと接触している部分の水分透過率が10−3g/m2・day以下であることを特徴とする、請求項6に記載された有機EL表示装置。
- 前記分離体のうち少なくとも前記保護層及び前記絶縁パターンと接触している部分が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含むことを特徴とする、請求項7に記載された有機EL表示装置。
- 前記保護層は、前記透明基板に近い順に、第1保護膜及び第2保護膜を有しており、
前記第2保護膜は、前記第1保護膜のうち、前記絶縁パターンと前記分離体との接触部分を覆う部分の近傍に形成された狭隘部に入り込むように配置されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載された有機EL表示装置。 - 前記第1保護膜が、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム及びこれらに水素が添加された材料のいずれかひとつを主成分として含むことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載された有機EL表示装置。
- 前記透明基板上に配置されると共に、前記複数の第1電極パターン及び前記第2電極パターンにそれぞれ対応するように電気的に接続された複数の配線パターンを更に備え、
前記保護層が、前記複数の配線パターンの少なくとも一部を覆うことを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載された有機EL表示装置。 - パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置の製造方法であって、
互いに離間するように、透明基板上に複数の第1電極パターンを形成する第1工程と、
前記複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に前記複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出するような絶縁パターンを、前記透明基板上及び前記複数の第1電極パターン上に形成する第2工程と、
複数の分離体を前記絶縁パターン上に形成する第3工程と、
複数の有機EL層を前記複数の第1電極パターン上及び前記絶縁パターン上に形成する第4工程と、
複数の第2電極パターンを前記複数の有機EL層上にそれぞれ対応して形成する第5工程と、
前記複数の分離体、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンを被覆する第1保護膜を、無機材料を用いて蒸着法によって形成する第6工程と、
前記第1保護膜を被覆する第2保護膜を、有機溶剤に無機材料が溶解された塗布液を塗布することによって形成する第7工程とを備え、
前記第2工程では、前記絶縁パターンのうち少なくとも前記保護層及び前記分離体と接触している部分を無機材料によって形成し、
前記第6工程では、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンを前記複数の第1電極パターン、前記絶縁パターン及び前記第1保護膜によって囲むと共に、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体との間に前記第1保護膜が位置するように前記第1保護膜を形成することで、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体とを前記第1保護膜によって隔離することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - パッシブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置の製造方法であって、
互いに離間するように、透明基板上に複数の第1電極パターンを形成する第1工程と、
前記複数の第1電極パターンを互いに絶縁すると共に前記複数の第1電極パターンの表面のうち所定部分が露出ような絶縁パターンを、前記透明基板上及び前記複数の第1電極パターン上に形成する第2工程と、
複数の分離体を前記絶縁パターン上にそれぞれ対応して形成する第3工程と、
複数の有機EL層を前記複数の第1電極パターン上及び前記絶縁パターン上に形成する第4工程と、
複数の第2電極パターンを前記複数の有機EL層上にそれぞれ対応して形成する第5工程と、
前記複数の分離体、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンを被覆する第1保護膜を、無機材料を用いて蒸着法によって形成する第6工程と、
前記第1保護膜を被覆する第2保護膜を、有機溶剤に無機材料が溶解された塗布液を塗布することによって形成する第7工程とを備え、
前記第3工程では、前記分離体のうち少なくとも前記保護層及び前記絶縁パターンと接触している部分を無機材料によって形成し、
前記第6工程では、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンを前記複数の第1電極パターン、前記絶縁パターン及び前記第1保護膜によって囲むと共に、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体との間に前記第1保護膜が位置するように前記第1保護膜を形成することで、前記複数の有機EL層及び前記複数の第2電極パターンと前記分離体とを前記第1保護膜によって隔離することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008189919A JP2010027500A (ja) | 2008-07-23 | 2008-07-23 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
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Family
ID=41733121
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| JP2008189919A Pending JP2010027500A (ja) | 2008-07-23 | 2008-07-23 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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