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DE60125888D1 - Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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semiconductor
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Shigeo Kimura
Yasuhiro Takano
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Sanyo Electric Co Ltd
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1369929B1 (de) * 2002-05-27 2016-08-03 STMicroelectronics Srl Herstellungsverfahren von verkapselten optischen Sensoren und so hergestellter verkapselter optischer Sensor
JP2004055860A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
TWI239080B (en) * 2002-12-31 2005-09-01 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor chip package and method for the same
CN100366700C (zh) * 2003-02-25 2008-02-06 株式会社钟化 固化性组合物及其调制方法、遮光糊、遮光用树脂及其形成方法、发光二极管用管壳以及半导体装置
US8110899B2 (en) * 2006-12-20 2012-02-07 Intel Corporation Method for incorporating existing silicon die into 3D integrated stack
US7605462B2 (en) * 2007-02-23 2009-10-20 Powertech Technology Inc. Universal substrate for a semiconductor device having selectively activated fuses
US20100164677A1 (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Chin-Chi Yang Fuse
JP2010199474A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Kyocera Chemical Corp 電子部品用中空パッケージ、電子部品用中空パッケージの接着シート、および蓋体、ならびに電子部品の製造方法
JP2012039031A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nitto Denko Corp 発光装置
JP5981183B2 (ja) * 2012-03-23 2016-08-31 矢崎総業株式会社 表示装置
JP5813552B2 (ja) 2012-03-29 2015-11-17 株式会社東芝 半導体パッケージおよびその製造方法
US11211305B2 (en) 2016-04-01 2021-12-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components
US10861796B2 (en) 2016-05-10 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Floating die package
US10179730B2 (en) 2016-12-08 2019-01-15 Texas Instruments Incorporated Electronic sensors with sensor die in package structure cavity
US10074639B2 (en) 2016-12-30 2018-09-11 Texas Instruments Incorporated Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US9865537B1 (en) * 2016-12-30 2018-01-09 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest
US10411150B2 (en) 2016-12-30 2019-09-10 Texas Instruments Incorporated Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions
US9929110B1 (en) 2016-12-30 2018-03-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit wave device and method
US10121847B2 (en) 2017-03-17 2018-11-06 Texas Instruments Incorporated Galvanic isolation device
JP6635605B2 (ja) * 2017-10-11 2020-01-29 国立研究開発法人理化学研究所 電流導入端子並びにそれを備えた圧力保持装置及びｘ線撮像装置
KR102592329B1 (ko) * 2018-06-26 2023-10-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 제조 방법
CN119069450A (zh) * 2024-11-04 2024-12-03 杭州暖芯迦电子科技有限公司 用于持续性血糖监测的器件及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60239043A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置用パツケ−ジの製造方法
JPH0744261B2 (ja) * 1988-12-28 1995-05-15 凸版印刷株式会社 半導体装置用透明被覆体
US5160787A (en) * 1989-01-12 1992-11-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Electrical laminate having ability to absorb ultraviolet rays
US5105260A (en) * 1989-10-31 1992-04-14 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Rf transistor package with nickel oxide barrier
JP2967215B2 (ja) * 1990-10-12 1999-10-25 株式会社村田製作所 チップ型電子部品の製造方法
US5327443A (en) * 1991-10-30 1994-07-05 Rohm Co., Ltd. Package-type semiconductor laser device
US5277356A (en) * 1992-06-17 1994-01-11 Rohm Co., Ltd. Wire bonding method
JPH07225391A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Toshiba Corp 液晶表示モジュール
US5382310A (en) * 1994-04-29 1995-01-17 Eastman Kodak Company Packaging medical image sensors
US5590787A (en) * 1995-01-04 1997-01-07 Micron Technology, Inc. UV light sensitive die-pac for securing semiconductor dies during transport
JPH08242046A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Rohm Co Ltd 温度ヒューズ付き半導体装置の構造
JP3423855B2 (ja) * 1996-04-26 2003-07-07 株式会社デンソー 電子部品搭載用構造体および電子部品の実装方法
JP2933038B2 (ja) 1996-12-09 1999-08-09 日本電気株式会社 中空パッケージおよびその製造方法
US6117705A (en) * 1997-04-18 2000-09-12 Amkor Technology, Inc. Method of making integrated circuit package having adhesive bead supporting planar lid above planar substrate
JPH1131751A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Sony Corp 中空パッケージとその製造方法
JPH1197656A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体光センサデバイス
DE19752196C1 (de) 1997-11-25 1999-02-11 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit definiertem Verhalten bei einem Ausfall und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP3339397B2 (ja) * 1998-01-20 2002-10-28 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6020633A (en) * 1998-03-24 2000-02-01 Xilinx, Inc. Integrated circuit packaged for receiving another integrated circuit
US6111199A (en) * 1998-04-07 2000-08-29 Integrated Device Technology, Inc. Integrated circuit package using a gas to insulate electrical conductors
US5923958A (en) * 1998-05-28 1999-07-13 Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. Method for semiconductor chip packaging
GB9818474D0 (en) 1998-08-26 1998-10-21 Hughes John E Multi-layer interconnect package for optical devices & standard semiconductor chips
JP3408987B2 (ja) * 1999-03-30 2003-05-19 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2000311959A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US6525397B1 (en) * 1999-08-17 2003-02-25 National Semiconductor Corporation Extended drain MOSFET for programming an integrated fuse element to high resistance in low voltage process technology
US6507264B1 (en) * 2000-08-28 2003-01-14 Littelfuse, Inc. Integral fuse for use in semiconductor packages

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