DE3019856A1 - Verfahren zur herstellung einer lithographie-maske - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer lithographie-maskeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft allgemein Masken, die in der Lithographie verwendet werden, und insbesondere ein Verfahren.
zur Herstellung einer_Maske, die für die Röntgenstrahlen-Lithographie
eingesetzt werden kann.
Bei der Fertigung von integrierten Halbleiterschaltungen
werden verschiedene Ausführungsformen der Lithographie
verwendet, um einen Photoresist bzw. Photolack zu belichten, der auf einem Halbleiter-Scheibchen bzw. "-wafer" abgelagert
worden ist. Im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung solcher Halbleiterschaltungen., d.h. , bei dem
Bestreben, mehr Schaltungsbauteile auf einem bestimmten
Chip unterzubringen, hat sich diese Lithographie zu kürzeren Wellenlängen hin weiterentwickelt. Kürzere
Wellenlängen werden benötigt, um eine gute Auflösung und geringe Größen zu erreichen. Die Entwicklung führte
also von der optischen Lithographie, die den Bereich des sichtbaren Lichtes des Spektrums der elektromagnetischen
Wellen ausnutzt, über Lithographie im ultravioletten Wellenlängenbereich in jüngster Zeit zur Röntgenstrahlen-Lithographie.
Röntgenstrahlen haben eine besonders kurze Wellenlänge, so daß extrem feine Details definiert werden können. Bei dieser Lithographie wird eine
Maske mit dem gewünschten Muster zwischen der Strahlungsquelle, beispielsweise einer Quelle für UV- oder Röntgenstrahlen.,
und einem Halbleitersubstrat angeordnet, das mit dem Photolack beschichtet ist, auf den das Muster
belichtet v/erden soll. Die Maske muß zu einer guten Definition der zu belichtenden Linien führen, wobei die
maskierte Fläche lichtundurchlässig für die verwendete Strahlung ist, während das Maskensubstrat durchlässig
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für diese Strahlung ist. Wegen der kleinen Zeilenbreiten,
die bei der Röntgenstrahlenlithographie erreicht werden
sollen,wird jedoch die Herstellung einer Maske, die
zu einer: guten Auflösung führt, zu einem technisch komplizierten:
Problem. ■". " -
Bei Masken, die für die Röntgenstrahlen-Lithographie
eingesetzt werden sollen, wird als typisches Absorptionsmaterial Gold eingesetzt. Obwohl andere Elemente eine
erhöhte Absorption bei weichen Röntgenstrahlen zeigen, wird Gold bevorzugt eingesetzt, weil es leichter zu
handhaben und zu verarbeiten ist. Dabei werden üblicherweise
zwei, verschiedene Verfahren eingesetzt und
zwar das Elektroplattieren bzw. Galvanisieren und das Aufdampfen/Abheben. Da bestimmte Maskensubstrate, die
bevorzugt bei der Röntgenstrahlen-Lithographie eingesetzt
werden,, nicht leitend sind, führt das Galvanisieren in-, der; Praxis zu Schwierigkeiten. Das Auf dampf /Abheb-Verfäiiren
wird in am 26.12.. 79 eingereichten US-Pätentanmeldung,
üSStT 107, 749 der Anmelderin
(Erfinder; .0,,W. Buckley) beschrieben. Diese, im Prinzip
sehr nützliche Technik kann jedoch nicht bei der Herstellung
von Masken eingesetzt werden, die Merkmale bzw. Details mit. einer geringeren Größe als 1 Mikron
enthalten:. .
In einer Veröffentlichung mit dem Titel "Electroless Gold Metallization for Polyvinylidene Fluoride Films" ("Stromlose
Goldmetallisierung für Polyvinylidenfluorid-Filme")
in 125 Journal Electrochemical Society 522, April 1978,
von L.M. Schiavone, wird ein Verfahren für das Aufbringen
eines galvanischen Überzuges auf einen Kunststofffilm beschrieben. Wie in diesem Artikel erläutert wird,
müssen verschiedene, wesentliche Schritte durchgeführt
werden, nämlich eine Reinigung, eine Sensibilisierung,
' Q3Ö06.3/Q727 ·'·'
eine Aktivierung, das Aufbringen des galvanischen Überzugs
und eine Nachreinigung. Der Autor weist darauf hin, daß die Reinigung wahrscheinlich der wichtigste Schritt ist.
Nach der Reinigung wird der Film sensibilisiert, indem ar in ein Bad aus lichtempfindlichen Salzen eingetaucht
wird. Der Film wird dann belichtet. Anschließend wird der Film in eine Lösung aus einem Katalysator eingetaucht,
der mit den aktivierenden Chemikalien reagiert» Wie von dem Autor erläutert wird, ist Palladium ein
exzellenter Katalysator für Gold, so daß als bevorzugte
Ausführungsform ein Palladiumchlorid/Essigsäure-Bad erwähnt wird. Nach dem Spülen wird der präparierte Film
in ein auf Zyaniden basierendes Goldplattierungsbad eingetaucht, wobei sich Gold bevorzugt auf dem Palladium-Katalysator
galvanisch ablagert. Es ist beobachtet worden,· daß das durch dieses komplexe Verfahren abgelagerte
Gold schlecht an dem Substrat haftet; es wird angenommen, daß dieser Effekt in Beziehung steht zu der Gründlichkeit
der anfänglichen Reinigung des Substrates.
Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Röntgenstrahlen-Lithographie zu schaffen, bei dem ein Substrat
verwendet wird, das nicht-leitend sein kann; auf dem Substrat wird ein röntgenstrahlenabsorbierendes Goldmuster
ausgebildet; das Gold soll eine verbesserte Haftung auf dem Substrat haben und in der Lage sein, Merkmale bzw.
Details mit Abmessungen von weniger als 1.Mikron zu definieren.
Zu diesem Zweck schlägt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Lithographie-Maske vor,
bei dem ein Substrat vorgesehen wird, das transparent für die bei dem Lithographieverfahren zu verwendende
Strahlung ist; auf dem Substrat wird eine dünne, erste
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Schicht aus einem Metall abgelagert, das geeignet für
das stromlose Aufbringen eines galvanischen Überzuges
ist. Die dünne, erste Metallschicht wird dann mit einer Schicht aus einem Photoresist bzw. einem Photolack bedeckt;
der Photolack wird durch eine Master-Maske belichtet,
um die Flächen freizulegen, an denen die Absorption der lithographischen Strahlung erfolgen soll.
Der Photolack wird dann entwickelt, um die dünne, ©rste.-Metallschicht"in den freiliegenden,belichteten
. Flächen freizulegen. Anschließend wird das Substrat in ein Metallbad eingetaucht, in dem das stromlose Aufbringen
eines galvanischen Überzugs erfolgt, wodurch eine relativ dicke, zweite Schicht des Metalls bevorzugt
auf den freigelegten Flächen der ersten Metallschicht niedergeschlagen wird. Das plattierte, also mit einem
galvanischen Überzug versehene Substrat wird dann aus dem Bad herausgenommen und von dem Photolack gereinigt.
Die Erfindung schafft also ein Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgenstrahlen-Lithographie,
die Details bzw...Zeichnungsmerkmale enthalten, deren Größe kleiner als 1 Mikron ist; dabei können sowohl
leitende als auch nicht leitende Substrate verwendet
werden. Bei diesem Verfahren wird zu Beginn, beispielsweise
durch Aufdampfen im Vakuum, eine sehr dünne Schicht aus einem Röntgenstrahlen stark absorbierenden Material,
wie beispielsweise Gold, aufgebracht. Eine Schicht des
Photolacks wird auf die anfängliche Goldschicht aufgebracht,
belichtet und entwickelt, um den Photolack in den freigelegten, belichteten Flächen zu entfernen. Anschließend wird die Maske in ein Bad eingetaucht, das
in einem stromlosen Verfahren Gold als galvanischen überzug aufbringt.
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Dieses Verfahren beruht auf der Feststellung, daß die für das stromlose Aufbringen eines galvanischen Überzuges
geeigneten Metalle als "Autokatalysatoren" wirken. Dementsprechend wird zusätzliches Gold von dem Bad bevorzugt
auf der belichteten, freigelegten ersten Goldschicht abgelagert, so daß sich diese Schicht auf die gewünschte
Dicke aufbauen kann.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden, schematischen
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 im stark vergrößerten Maßstab eine Querschnitts
ansicht zur Erläuterung des Anfangsschrittes bei der Herstellung einer
Maske mit dem erfindungsgemäßen Verfahren,
Fig. 2 eine ähnliche Ansicht wie Fig. 1 mit einer Darstellung eines weiteren Schrittes bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren,
Fig. 3 eine ähnliche Ansicht wie die Fig. 1 und 2 mit der Darstellung eines weiteren Schrittes
des erfindungsgemäßen Verfahrens, und
Fig. 4 eine ähnliche Ansicht wie die Fig. 1 bis 3 mit einer Darstellung eines Teils der fertigen
Maske.
Das erfindungsgemäße Verfahren beruht auf der folgenden
Feststellung: Bei dem Verfahren zur Ablagerung von Gold, wie es in dem oben erwähnten Artikel von Schiavone beschrieben
wird, wird der auf dem Substrat gebundene chemische Katalysator (Palladium) rasch durch das ab-
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gelagerte Gold bedeckt und dient also nur dazu, die Goldablagerungsreaktion
auszulösen, also die ersten Reaktions-.-schritte einzuleiten-/ Die anschließende Goldablagerung
kann deshalb nur durch eine autokatalytische Wirkung des vorher abgelagerten Goldes geschehen. Dementsprechend
schlägt die vorliegende Erfindung eine Vereinfachung
des Verfahrens nach Schiavone vor, bei der keine Chemikalien für eine gründliche Reinigung, Photoaktivatoren
und Katalysatoren mehr benötigt werden. Obwohl die folgende Beschreibung des erfindungsgemäßen Verfahrens
im wesentlichen auf die Vergoldung mittels des Aufbringens eines galvanischen Überzugs gerichtet ist, tritt der
dabei ausgenutzte, autokatalytische Effekt auch bei anderen Metallen auf, die in einem stromlosen Verfahren einen
galvanischen überzug bilden. Zu diesen Metallen gehören beispielsweise Kupfer, Nickel, Arsen, Chrom, Kobalt, Eisen
und Palladium.
Bei einer Aüsführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird Gold als dünne, erste Schicht mit einer Dicke
von'näherungsweise 200 A im Vakuum auf ein isolierendes
Substrat aufgedampft. Teile, d.h., bestimmte Flächen dieser dünnen, ersten Schicht können dann maskiert werden,
beispielsweise durch einen Photolack bzw. Photoresist; das Verfahren wird weiter fortgesetzt, indem dieses
Material direkt in eine Lösung für das stromlose Vergolden, also zürn Aufbringen eines galvanischen Überzuges,
eingetaucht wird. Bei Strukturen wie Masken für die Röntgenstrahlenlithographie kann Gold bis zu einer Dicke
von mehr als 5000 S abgelagert werden. Wenn hinterher Flächen bzw, Bereiche des Substrates goldfrei.gemacht
werden sollen, kann die 200 A Gold-Vorbeschichtung mit
einem- geeigneten Ätzmittel entfernt werden. Dies führt
selbstverständlich zu dem Verlust der 200 S dicken Goldschicht
von den Ablagerungsflächen; dieser kleine Prozentsatz Goldentfernung ist jedoch nicht wichtig.
' ■' ' :\ . 0'3006370727" ■ ''^ ." --■■■■·,
Insbesondere in Fig. 1 ist ein Teil eines Films 10 dargestellt,
der transparent für Röntgenstrahlen und aucti; :
sonst als Substrat für eine Maske für die Röntgen- -.
Strahlenlithographie geeignet ist. Es kann sich dabei beispielsweise um einen thermoplastischen Polyester
(Polyethylen-Terephthalat) oder ein in der Wärme
aushäEtbares Polyimid handeln, das jeweils unter den
Warenzeichen Mylar bzw. Kapton verkauft wird. Auf die Oberfläche des Films 10 ist eine sehr dünne Schicht 12
aus Gold aufgebracht worden, beispielsweise durch Aufdampfen im Vakuum. Diese Goldschicht kann eine Dicke
in der Größenordnung von 200 Ä haben. Um die Haftung des Goldes auf dem Film zu verbessern, kann vor der Goldschicht
eine "Haut-"Schicht ("flash" layer) aus Chrom mit einer Dicke von näherungsweise 50 Ä aufgebracht
werden. Auf die Goldschicht 12 wird dann eine Schicht 14 aus einem Photolack aufgebracht, der belichtet und '
entwickelt wird (die Schicht 14 aus dem Photolack sollte dicker sein als die letzte, endgültige Dicke der Gold-*
schicht. Die belichteten Flächen werden anschließend in Abhängigkeit von dem Belichtungsmuster entfernt, wodurch
bestimmte Flächen der Goldschicht 12 freigelegt werden, wie in Fig. 2 bei 12a angedeutet ist. Anschließend wird.
das Maskensubstrat in eine stromlose Galvanisierlösung
eingetaucht, beispielsweise eine Lösung mit folgenden
Bestandteilen:
KAu(CN)2 H3O NH OH
Die Bestandteile einer solchen Lösung können von der Sel-Rex Division der Oxy Metal Industries Corporation,
Nutley, New Jersey bezogen werden. Wie in Fig. 3 dargestellt
ist, schlagen sich die freien Goldionen in der Lösung bevorzugt auf dem Bereich 12a der Goldschicht 12
0 3 Ö'O 6 3 / 0 7 2 7"
nieder und zwar als Ergebnis der jetzt erkannten autokatalytischen
Wirkung des Goldes. Die Abscheidungsgeschwindigkei't
hängt von der Lösungstemperatur ab. Beispielsweise bei einer Temperatur von 55 C erreicht
die abgeschiedene 'Schicht 10 eine Dicke von 5000 A in
näherüngsweise 1 Stunde, wie in Fig. 3 dargestellt ist. Die Schicht 16 sollte die Dicke der.. hotolackschicht 14
nicht übersteigen, um die "Pilzkopfbildung" ("mushrooming") über letzterer zu vermeiden.
Die Photolackschicht kann durch irgendein geeignetes Verfahren entfernt werden, indem sie beispielsweise in
Azeton aufgelöst wird. Wenn das Substrat nach dem Aufbringendes
galvanischen Überzuges goldfreie Bereiche haben sollte, kann es in einem geeigneten Ätzmittel,
wie beispielsweise einer Jodlösung , geätzt werden. Die Entfernung einer 200 S dicken Goldschicht führt
auch dazu, daß eine 200 A dicke Schicht von der abgeschiedenen
Goldschicht 16 entfernt wird. In der Praxis führt dies jedoch zu keiner relevanten Änderung der erzielten
'Abmessungen. Wie in Fig. 4 dargestellt ist, erhält
man als Ergebnis einen Substratfilm 10, auf dem das Muster des abgeschiedenen Goldes 16 gut haftet. Wie
durch Versuche festgestellt werden konnteί ist die ·
Haftung dieses -stromlos abgeschiedenen Goldes gleich
der Haftung der vorher durch Aufdampfen im Vakuum aufgebrachten
Goldschicht.*
.Das hier beschriebene Verfahren ist nicht auf die Herstellung
von lithographischen Masken beschränkt, sondern kann auch bei anderen, ähnlichen Prozessen eingesetzt
werden. In ähnlicher Weise können auch andere Metalle u Gold verwendet werden.
030063/07 27
Leerseite
Claims (1)
- -PATENTANWÄLTE A. GRÜNECKERÖPL-ΙΝαH. KINKELDEYDR-ΙΝαQ Π 1 Q Q ξ c w· STOCKMAiRK, SCHUMANNOR RER NAT. ■ DtPL-PHVaf. H. JAKOBDIPL-IMGG. BEZOLD8 MÜNCHENMAXIMILIAN3TRASSSEP 15026
25. Mai 1980The Perkin-Elmer Corporation
Main AvenueNorwalk, Connecticut 06856
United States of AmericaVerfahren zur Herstellung einer Lithographie-MaskePatent ansprü ehe1. Verfahren zur Herstellung einer Lithographie-Maske,
d a d u r c h g e k e η η ζ e i c h η e t , daßa) ein Substrat vorgesehen wird, das transparent für
die bei dem Lithographie-Verfahren zu verwendende
Strahlung ist, daßb) auf dem Substrat eine dünne erste Schicht aus einem
Metall abgelagert wird, das geeignet für das stromlose Aufbringen eines galvanischen Überzuges ist,
daß063/0727telefon (oas) 2aaaea telex 05-293Bo Telegramme monapat telekopiererc) die erste Metallschicht mit einer Schicht aus einem Photoresist bedeckt wird, daßd) der Photoresist durch eine Hauptmaske belichtet wird, um dadurch Flächen freizulegen, auf denen eine Absorption der lithographischen Strahlung gewünscht wird, daße) der Photoresist entwickelt wird-, um in diesen Flächen die dünne erste Metallschicht freizulegen, daßf) das Substrat in ein stromloses Metallbad zum Aufbringen eines galvanischen Überzuges eingetaucht wird, wodurch eine relativ dicke, zweite Schicht des Metalls bevorzugt auf den freigelegten Flächen der ersten Metallschicht niedergeschlagen wird, und daß " ;g) das mit dem galvanischen Überzug versehene Substrat, aus dem Bad entfernt wird.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das mit dem galvanischen überzug versehene Substrat geätzt wird, um eine Metallschicht mit einer Dicke zu entfernen, die im wesentlichen gleich der Dicke der ersten Metallschicht ist.3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall Gold verwendet wird.4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall Kupfer verwendet wird.5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall Nickel verwendet wird.030063/0727:6. Verfahrennach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet:, daß als Metall Arsen verwendet wird.7. Verfahren nach einem' der Ansprüche" 1 oder 2, dadurch gekennzeichnetr daß als Metall Chrom verwendet wird.8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall Kobalt verwendet wird.9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, ■ daß als Metall Eisen verwendet wird.10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet;, daß als Metall Palladium verwendet wird.030063/0727
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3329662A1 (de) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum nachbessern von optischen belichtungsmasken |
| EP0103844A3 (en) * | 1982-09-16 | 1985-07-03 | Hitachi, Ltd. | X-ray mask |
| DE3907004A1 (de) * | 1989-03-04 | 1990-09-06 | Contraves Ag | Verfahren zum herstellen von duennschichtschaltungen |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4414314A (en) * | 1982-02-26 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Resolution in optical lithography |
| US4696878A (en) * | 1985-08-02 | 1987-09-29 | Micronix Corporation | Additive process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography and the resulting mask |
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| GB8812235D0 (en) * | 1988-05-24 | 1988-06-29 | Jones B L | Manufacturing electronic devices |
| US5178975A (en) * | 1991-01-25 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns |
| EP0508946B1 (de) * | 1991-04-10 | 1996-07-24 | Dyconex AG | Metallfolie mit einer strukturierten Oberfläche |
| US7608367B1 (en) * | 2005-04-22 | 2009-10-27 | Sandia Corporation | Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography |
| US20070026691A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-02-01 | Mks Instruments Inc. | Low-field non-contact charging apparatus for testing substrates |
| JP4692290B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | マスクおよび成膜方法 |
| CN103395278B (zh) * | 2013-07-02 | 2016-08-10 | 北京中钞钞券设计制版有限公司 | 一种高耐印力印刷版的加工方法 |
| TWI639179B (zh) | 2014-01-31 | 2018-10-21 | 美商蘭姆研究公司 | 真空整合硬遮罩製程及設備 |
| US9996004B2 (en) | 2015-11-20 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks |
| US10074764B2 (en) * | 2016-09-29 | 2018-09-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of fabricating x-ray absorbers for low-energy x-ray spectroscopy |
| US10796912B2 (en) | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
| US11921427B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
| KR102731166B1 (ko) | 2018-12-20 | 2024-11-18 | 램 리써치 코포레이션 | 레지스트들의 건식 현상 (dry development) |
| TWI849083B (zh) | 2019-03-18 | 2024-07-21 | 美商蘭姆研究公司 | 基板處理方法與設備 |
| KR20210149893A (ko) | 2019-04-30 | 2021-12-09 | 램 리써치 코포레이션 | 극자외선 리소그래피 레지스트 개선을 위한 원자 층 에칭 및 선택적인 증착 프로세스 |
| TWI869221B (zh) | 2019-06-26 | 2025-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 |
| CN116705595A (zh) | 2020-01-15 | 2023-09-05 | 朗姆研究公司 | 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层 |
| CN115244664A (zh) | 2020-02-28 | 2022-10-25 | 朗姆研究公司 | 用于减少euv图案化缺陷的多层硬掩模 |
| TWI876020B (zh) | 2020-04-03 | 2025-03-11 | 美商蘭姆研究公司 | 處理光阻的方法、以及用於沉積薄膜的設備 |
| KR102601038B1 (ko) | 2020-07-07 | 2023-11-09 | 램 리써치 코포레이션 | 방사선 포토레지스트 패터닝을 패터닝하기 위한 통합된 건식 프로세스 |
| US20230107357A1 (en) | 2020-11-13 | 2023-04-06 | Lam Research Corporation | Process tool for dry removal of photoresist |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2528666A1 (de) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Ibm | Verfahren zur herstellung einer maske fuer roentgenstrahl-lithographie |
| DE2628099A1 (de) * | 1975-06-30 | 1977-02-03 | Ibm | Verfahren zum herstellen einer maske |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2702253A (en) * | 1950-11-01 | 1955-02-15 | Gasaccumulator Svenska Ab | Surface metallizing method |
| US2924534A (en) * | 1955-07-05 | 1960-02-09 | John E Morse | Method for the production of a metallic printing member |
| US3367792A (en) * | 1963-09-16 | 1968-02-06 | Dow Chemical Co | Electroless plating on nonconducting surfaces |
| US3558290A (en) * | 1968-04-02 | 1971-01-26 | Union Carbide Corp | Plated plastic printing plates |
| US4001061A (en) * | 1975-03-05 | 1977-01-04 | International Business Machines Corporation | Single lithography for multiple-layer bubble domain devices |
| US3957552A (en) * | 1975-03-05 | 1976-05-18 | International Business Machines Corporation | Method for making multilayer devices using only a single critical masking step |
-
1979
- 1979-06-27 US US06/052,514 patent/US4328298A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-05-23 DE DE19803019856 patent/DE3019856A1/de not_active Ceased
- 1980-06-23 JP JP8410180A patent/JPS565980A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2528666A1 (de) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Ibm | Verfahren zur herstellung einer maske fuer roentgenstrahl-lithographie |
| DE2628099A1 (de) * | 1975-06-30 | 1977-02-03 | Ibm | Verfahren zum herstellen einer maske |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0103844A3 (en) * | 1982-09-16 | 1985-07-03 | Hitachi, Ltd. | X-ray mask |
| DE3329662A1 (de) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum nachbessern von optischen belichtungsmasken |
| DE3907004A1 (de) * | 1989-03-04 | 1990-09-06 | Contraves Ag | Verfahren zum herstellen von duennschichtschaltungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS565980A (en) | 1981-01-22 |
| JPS6331555B2 (de) | 1988-06-24 |
| US4328298A (en) | 1982-05-04 |
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