DE2847015C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung zum Übertragen von elektrischen Signalen von einer Signalerzeugungsstation zu einer Signalnutzungsstation, die auf zwei verschiedenen Körpern angeordnet sind, die gegeneinander verdrehbar und zueinander konzentrisch sind und einander zugewandte Mantelflächen für die Signalübertragung aufweisen, wobei die Signalerzeugungsstation einen Modulator zur Modulation des erzeugten Signals und mehrere, in gleichmäßigem Winkelabstand auf der einen Mantelfläche angeordnete Strahlungssender, denen das modulierte Signal gleichmäßig aufgeteilt zugeführt wird, aufweist und wobei die Signalnutzungsstation mehrere, auf der anderen Mantelfläche angeordnete Strahlungsempfänger, eine Summiereinrichtung zum Summieren aller Signale der Strahlungsempfänger und einen Modulator aufweist, der das Ausgangssignal der Summiereinrichtung in ein dem erzeugten Signal entsprechendes nutzbares elektrisches Signal umwandelt.

Die Erfindung findet Einsatz bei der Übertragung elektrischer Signale von einer auf einem drehbaren Turm eines Fahrzeuges angeordneten Fernsehkamera zu einem Monitor im Fahrzeug, insbesondere, wenn die Turm-(Linsenkranz)-Konstruktion derart ist, daß es nicht möglich ist, einen kleinen mechanischen Schleifring auf der Drehachse desselben anzuordnen, nämlich wenn er auf einem Ringlager großen Durchmessers montiert ist.

Eine solche Vorrichtung ist aus der DE-OS 22 37 695 bekannt. Dabei sind Strahlungssender und -empfänger jeweils als Glasfaserlichtleiter ausgeführt, deren aufgefaserte Enden über den Umfang der jeweils zugehörigen Mantelflächen von Signalerzeugungs- bzw. Signalnutzungsstation verteilt sind. Aufgrund dieser gleichmäßigen Verteilung ergibt sich ein verhältnismäßig geringes Signal-/Rauschverhältnis, was dazu führt, daß Strahlungssender mit vergleichsweise hohen Sendeleistungen eingesetzt werden müssen, um diesen Nachteil zu vermeiden.

Daher liegt dieser Erfindung die Aufgabe zugrunde, bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art ein hinreichendes Signal/Rauschverhältnis ohne den Einsatz von Strahlungssendern höherer Leistung zu gewährleisten.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Strahlungsempfänger auf der anderen Mantelfläche in Gruppen mehrerer Empfänger angeordnet sind, wobei der umfängliche Überdeckungswinkel je einer Gruppe von Empfängern größer ist als der Winkelabstand benachbarter Strahlungssender auf der einen Mantelfläche.

Bei der erfindungsgemäßen Lösung sind die Strahlungssender und die Strahlungsempfänger jeweils so einander zugeordnet, daß mindestens einer der Strahlungsempfänger von mindestens einem der Strahlungssender in jeder beliebigen Winkellage der zueinander konzentrischen Körper direkt beleuchtet werden. Die empfangenen Strahlungssignale der einzelnen Empfänger werden anschließend in der Summiereinrichtung zusammengefaßt, so daß die Intensitäten der einzelnen Signale aufaddiert werden. Hierdurch ergibt sich im Vergleich zum Stand der Technik ein verbesserter Wirkungsgrad bei der Übertragung der Strahlungsleistung, so daß keine Bauelemente für höhere Lichtleistungen erforderlich sind.

Ein besonderer Vorteil der Erfindung ergibt sich dadurch, daß die Strahlungsempfänger in mehreren kleinen Gruppen zusammengefaßt sind, die gegeneinander elektrisch isoliert sind (Anspruch 2). Während eine elektrische Kopplung einer Vielzahl von Strahlungsempfängern zu einer sehr eng begrenzten Bandbreite, die für die benötigten Signalübertragungsfrequenzen nicht ausreicht, führt, wird durch die Trennung der Strahlungsempfänger in kleine Gruppen dieser Nachteil vermieden, da die gesamte Quellenkapazität der Empfänger reduziert wird. Neben dem Vorteil einer erhöhten Bandbreite ergibt sich bei dieser Ausführung gleichzeitig noch eine Verbesserung des Signal-/Rauschverhältnisses.

Die Ansprüche 3 bis 5 betreffen weitere zweckmäßige Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Gegenstandes.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 zeigt schematisch den geometrischen Aufbau einer solchen Vorrichtung mit einem Blockdiagramm der Schaltung.

Fig. 2 zeigt ein Schaltbild eines Frequenzmodulators für eine solche Vorrichtung.

Fig. 3 zeigt ein Schaltbild eines Übertragungsmoduls als Teil einer solchen Vorrichtung.

Fig. 4 zeigt ein Schaltbild eines Empfängermoduls als Teil einer solchen Vorrichtung.

Fig. 5 zeigt ein Schaltbild eines Summierungsverstärkers als Teil einer solchen Vorrichtung.

Fig. 6 zeigt das Schaltbild eines Demodulators als Teil einer solchen Vorrichtung.

Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung umfaßt eine Mehr­ zahl von Strahlung übertragenden Vorrichtungen 11, die paarweise in Abständen voneinander rund um den Um­ fang eines rotierbaren Teils 10 angeordnet sind. Jedes Paar der Vorrichtungen 11 enthält zwei Infrarotlicht emittierende Gallium-Arsenid-Dioden (z. B. Dioden GAL 3/HR Plessey), die mit einem Antriebsmodul der in Fig. 3 dar­ gestellten Art verbunden sind. Die Dioden-Module sind an einen gemeinsamen, modulierenden Schaltkreis ange­ schlossen, der ein Eingangssignal von einer Video-Kamera 13, einem Erzeuger eines thermischen Bildes oder einer anderen, auf dem drehbaren Teil 10 angeordneten Signalquelle erhält.

Auf einem anderen Teil 14, demgegenüber der Teil 10 dreh­ bar ist, ist eine Mehrzahl von Gruppen von strahlungs­ empfindlichen Vorrichtungen in Form von Ferranti-Dioden BPW 34 PIN angeordnet, von denen jede Gruppe mit einem Vorverstärker in einem Modul 15 versehen ist (s. Fig. 4). Diese Module sind rund um den Teil 14 derart angeordnet, daß wenigstens eine strahlungsempfindliche Vorrichtung wenigstens eines der Module 15 Strahlung von einem der Strahlung übertragenden Module 11 empfängt, unabhängig von der relativen Winkelstellung der beiden Teile 10 und 14. In Fig. 1 sind fünf Module in Winkelabständen von 72° um die Drehachse und fünf Module 15 aneinander an­ schließend so angeordnet, daß sie einen Bogen von etwa 80° bilden. Bei einer solchen Anordnung ist einer der beiden "Kanäle" für die Informationsübertragung zu jeder Zeit offen. Natürlich kann die Anzahl und die Größe der Übertragungs- und Empfangsmodule nach Bedarf verändert werden, um einen jeweiligen Kompromiß zwischen den Kosten, dem Verhältnis zwischen Signal und Rauschen und der über­ tragenen Energie zu erreichen. Die Wahl der lichtaussenden­ den Diode ergibt sich ebenfalls nach den Kosten, der Band­ breite und der Energie.

Die Ausgänge der Empfangsmodule 15 sind mit Summenver­ stärkern 16 verbunden, die an einem fm-Demodulator 17 ein Eingangssignal erzeugen, dessen Ausgangssignal einem Video-Monitor 18 zugeführt wird.

Der in Fig. 2 dargestellte fm-Modulator umfaßt eine Eingangsstufe, die aus einem npn-Transistor Q ₁ besteht, dessen Basis eine Vorspannung über die Widerstandskette R ₁, R ₂ erhält, die zwischen den positiven und negativen Schienen 20, 21 liegt, während der Kollektor an die Schiene 20 angeschlossen ist. Ein Eingangs-Kopplungs- Kondensator C ₁ verbindet die Basis des Transistors Q ₁ mit dem Ausgang der Video-Kamera.

Der Emitter des Transistors Q ₁ ist über zwei Widerstände R ₃, R ₄ mit der Basis von zwei npn-Transistoren Q ₂, Q ₃ verbunden, so daß sich ein spannungsgesteuerter Multi­ vibrator ergibt. Die Kollektoren der Transistoren Q ₂, Q ₃ sind über Widerstände R ₅, R ₆ mit der Schiene 20 verbunden und ihre Emitter sind miteinander und über einen Widerstand R ₇ mit der Schiene 21 verbunden. Zwei Vorspannungswider­ stände R ₈, R ₉ verbinden die Basen der Transistoren Q ₂, Q ₃ mit der Schiene 20 und zwei Rückkopplungskondensatoren C ₂, C ₃ verbinden die Basis jedes Transistors Q ₂, Q ₃ mit dem Kollektor des anderen Transistors.

Der Multivibrator erzeugt in bekannter Weise eine nahezu rechteckige Frequenzwelle, die mit dem über den Transistor Q ₁ zugeführten Strom wächst, bei konstantem Verhältnis von Zeit und Raum. Diese Komponenten, einschließlich der Widerstandskette R ₁, R ₂ haben solche Werte, daß der Multi­ vibrator, wenn kein Video-Signal vorliegt, mit einer Fre­ quenz von etwa 8,2 MHz schwingt.

Ein npn-Transistor Q ₄ zum Puffern des Ausgangs des Multi­ vibrators liegt mit seiner Basis am Kollektor des Transistors Q ₃. Der Kollektor des Transistors Q ₄ ist mit der Schiene 20 verbunden, während sein Emitter über einen Widerstand R ₁₀ mit der Schiene 21 verbunden ist.

Der Emitter des Transistors Q ₄ ist über einen Kondensator C ₄ und einen Widerstand R ₁₁ mit der Basis eines npn-Tran­ sistors Q ₅ verbunden, dessen Emitter mit der Schiene 21 verbunden ist, während seine Basis über eine Diode D ₁ mit der Schiene 21 verbunden ist, um eine Gleichstrom­ vorspannung für die Basis des Transistors Q ₅ zu erzeugen. Ein Widerstand R ₁₂ verbindet die Schiene 20 mit dem Kollektor des Transistors Q ₅, der direkt mit der Basis eines Ausgangs-npn-Transistors Q ₆ verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q ₆ ist mit der Schiene 20 ver­ bunden und sein Emitter ist über einen Widerstand R ₁₃ zu einer Mehrzahl Ausgangsklemmen für die Verbindung mit den betreffenden Modulen 11 verbunden.

Jedes Modul 11 (s. Fig. 3) umfaßt einen npn-Transistor Q ₇, dessen Emitter über einen Widerstand R ₁₄ mit der Schiene 21 und dessen Basis über einen Widerstand 15 mit der gleichen Schiene verbunden ist, während sein Kollektor mit der Schiene 20 über zwei in Reihe ge­ schaltete lichtsendende Dioden L ₁ und L ₂ verbunden ist. Jedes Modul 15 (s. Fig. 4) enthält einen Eingangstransistor Q ₈, dessen Kollektor über einen Widerstand R ₁₆ mit einer positiven Schiene 22 verbunden ist, während sein Emitter mit einer negativen Schiene 23 verbunden ist. Die Anordnung der PIN-Diode 24 ist an einer Seite mit der Basis des Transistors Q ₃ und an der anderen Seite über einen Wider­ stand R ₁₇ mit der Schiene 22 verbunden. Ein Kondensator C ₅ entkoppelt die genannte andere Seite der Diodenanordnung 24 von jedem an der Schiene 22 auftretenden Brumm. Der Kollektor des Transistors Q ₈ ist unmittelbar mit der Basis eines npn-Transistors Q ₉ verbunden, dessen Kollektor mit der Schiene 22 und dessen Emitter über zwei Widerstände R ₁₈, R ₁₉ mit der Schiene 23 verbunden ist. Ein Vor­ spannungswiderstand R ₂₀ verbindet die Basis des Transistors Q ₈ mit dem Verbindungspunkt der beiden in Reihe liegenden Widerstände R ₁₈, R ₁₉ der Schiene 23. Ein Vorspannungswider­ stand R ₂₀ verbindet die Basis des Transistors Q ₈ mit dem Verbindungspunkt der Widerstände R ₁₈, R ₁₉. Ein Ausgangs­ widerstand R ₂₀ verbindet den Emitter des Transistors Q ₉ mit der geeigneten Eingangsklemme des Summierverstärkers.

Der Summierverstärker 16 ist in Fig. 5 dargestellt und umfaßt einen npn-Transistor Q ₁₀, dessen Basis verbunden ist mit den Auslässen der verschiedenen Module 15 über Kondensatoren C _{6 a} bis C _6a und Widerstände R _{22 a} bis R _{22 e} . Jeder Eingang ist mit der Schiene 23 über einen Widerstand R _{21 a} bis R _{21 e} verbunden. Der Emitter des Transistors Q ₁₀ ist mit der Schiene 23 und sein Kollektor über einen Wider­ stand R ₂₃ mit der Schiene 22 verbunden. Ein npn-Transistor Q ₁₁ ist mit seinem Kollektor mit der Schiene 22 verbunden und seine Basis unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors Q ₁₀ gekoppelt. Der Emitter des Transistors Q ₁₁ ist über zwei in Reihe liegende Widerstände R ₂₄, R ₂₅ mit der Schiene 23 verbunden und der gemeinsame Punkt dieser Widerstände ist über einen Rückkopplungswiderstand R ₂₆ mit der Basis des Transistors Q ₁₀ verbunden. Die Gesamtverstärkung des Summierverstärkers für jeden Einlaß ist 2.

Der Demodulator (Fig. 6) umfaßt zwei Begrenzungsstufen, eine Phasen­ spalterstufe, eine Detektorstufe, eine Filtertreiberstufe, eine passive Filterstufe und eine Ausgangsverstärkerstufe.

Die erste Begrenzerstufe umfaßt einen Eingangskondensator C ₇, der den Ausgang des Summierverstärkers mit der Basis eines npn-Transistors Q ₁₂ verbindet. Die Basis des Transistors Q ₁₂ ist ebenfalls über Widerstände R ₂₇ und R ₂₈ mit den Schienen 22 und 23 verbunden, während sein Kollektor über einen Wider­ stand R ₂₉ mit der Schiene 22 verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q ₁₂ ist mit der Schiene 23 über zwei Widerstände R ₃₀, R ₃₁ verbunden, von denen einer durch einen Kondensator C ₈ überbrückt ist, so daß der Verstärkungsfaktor des Transistors Q ₁₂ etwa 10 beträgt. Der Kollektor des Transistors Q ₁₂ ist mit der Anode der Diode D ₂ und der Kathode der Diode D ₃ verbunden, deren andere Elektroden miteinander und mit der Schiene 22 über einen Kondensator C ₉ verbunden sind. Der Kollektor des Transistors Q ₁₂ ist ebenfalls mit der Basis eines npn-Emitterfolge-Transistors Q ₁₃ verbunden, dessen Kollektor mit der Schiene 22 und mit einem Wider­ stand R ₃₂ verbunden ist. Zwei Widerstände R ₃₃, R ₃₄ liegen in Reihe zwischen der Schiene 22 und einer 9 V-Schiene 25, wobei die Schiene 22 und die Verbindung mit den Widerständen R ₃₃, R ₃₄ durch entsprechende Kondensatoren C ₁₀ und C ₁₁ entkoppelt sind.

Die zweite Begrenzerstufe besteht aus Widerständen R′ ₂₇ bis R′ ₃₂, Kondensatoren C′ ₇ bis C′ ₉, Dioden D′ ₂ und D′ ₃ sowie Transistoren Q′ ₁₂ und Q′ ₁₃ und ist ebenso wie die erste Begrenzungsstufe mit Ausnahme, daß sie ihren Strom von dem Verbindungspunkt der Widerstände R ₃₃, R ₃₄ empfängt statt von der Schiene 22, wobei der Wert der Widerstände R′ ₃₀ erhöht ist, so daß der Verstärkungsgrad des Transistors Q′ ₁₂ nur etwa 4 beträgt.

Die Phasenschieberstufe umfaßt zwei npn-Transistoren Q ₁₄ und Q ₁₅, deren Emitter miteinander und über einen Widerstand R ₃₅ mit der Schiene 23 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q ₁₄ ist über einen Widerstand R ₃₆ und einen damit in Reihe liegenden variablen Widerstand VR ₁ mit der Schiene 25 verbunden, während der Kollektor des Transistors Q ₁₅ über einen Widerstand R ₃₇ mit der Schiene 25 verbunden ist. Die Basis des Transistors Q ₁₄ ist über einen Widerstand R ₃₈ mit der Schiene 35, über einen Widerstand R ₃₉ mit der Schiene 23 und über einen Kondensator C ₁₀ mit dem Emitter des Transistors Q′ ₁₃ verbunden. Die Basis des Transistors Q ₁₅ ist über einen Widerstand R ₄₀ mit der Schiene 25, über einen Widerstand R ₄₁ mit der Schiene 23 und über einen Kondensator C ₁₁ mit der Schiene 23 verbunden. Der Widerstand VR ₁ ist so justiert, daß sichergestellt ist, daß die Gleichstromsignale an den Kollektoren der Transistoren Q ₁₄ und Q ₁₅ gleiche Größe haben. Zwei Transistoren Q ₁₆ und Q ₁₇ sind als Emitter-Folger an den Basen verbunden mit den Kollektoren der Transistoren Q ₁₄, Q ₁₅, deren Kollektoren mit der Schiene 25 und deren Emitter über Widerstände R ₄₂, R ₄₃ mit der Schiene 23 verbunden sind.

Die Detektorstufe umfaßt ein Paar Widerstände R ₄₄ und R ₄₅, die zwischen den Schienen 25, 23 in Reihe geschaltet sind, wobei der Widerstand 35 überbrückt ist durch einen Kondensator verhältnismäßig großer Kapazität. Der Verbindungspunkt dieser Widerstände ist verbunden mit den Anoden von zwei Dioden D ₄ und D ₅, deren Kathoden über Kondensatoren C ₁₃ und C ₁₄ mit den Emittern der Transistoren Q ₁₆, Q ₁₇ verbunden sind. Die Kathoden der Dioden D ₄, D ₅ sind mit den Anoden von zwei weiteren Dioden D ₆, D ₇ verbunden, deren Kathoden miteinander und über einen Widerstand R ₄₆ mit der Schiene 23 verbunden sind.

Die Filtertreiberstufe umfaßt einen npn-Eingangstransistor Q ₁₈, dessen Basis über einen Widerstand R ₄₇ und einem damit in Reihe liegenden Kondensator C ₁₅ mit den Kathoden D ₆, D ₇ verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q ₁₈ ist mit der Schiene 23, sein Kollektor über einen Widerstand R ₄₈ mit der Schiene 26 und über einen Widerstand R ₄₉ mit der Schiene 25 verbunden und ist entkoppelt durch einen Kondensator C ₁₆. Diese Stufe enthält außerdem einen npn-Ausgangs­ transistor Q ₁₉, dessen Basis unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors Q ₁₈, dessen Kollektor mit der Schiene 26 und dessen Emitter über zwei in Reihe liegende Widerstände R ₅₀, R ₅₁ mit der Schiene 23 verbunden ist, wobei der Ver­ bindungspunkt der Widerstände R ₅₀, R ₅₁ über einen Rück­ kopplungswiderstand R ₅₂ mit der Basis des Transistors Q ₁₈ verbunden ist.

Die Filterstufe umfaßt einen Widerstand R ₅₃, drei Induktoren H ₁, H ₂ und H ₃ und einen damit in Reihe liegenden Widerstand R ₅₄, wobei die Verbindungspunkte zwischen diesen Komponenten mit der Schiene 23 über entsprechende Kondensatoren C ₁₇, C ₁₈, C ₁₉ und C ₂₀ verbunden sind.

Die Ausgangsverstärkerstufe umfaßt einen npn-Eingangs­ transistor Q ₂₀, dessen Basis mit dem Widerstand R ₅₄, dessen Kollektor über einen Widerstand R ₅₅ mit der Schiene 26 und dessen Emitter mit der Schiene 23 verbunden ist. Die Basis eines npn-Transistors Q ₂₁ ist unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors Q ₂₀ verbunden, der mit der Schiene 26 verbunden ist, während sein Emitter über einen Widerstand R ₅ mit der Schiene 23 verbunden ist. Die Basis eines npn-Ausgangstransistors Q ₂₂ ist unmittelbar mit dem Emitter des Transistors Q ₂₁, sein Kollektor mit der Schiene 26 und sein Emitter über zwei in Reihe liegende Widerstände R ₅₇ und R ₅₈ mit der Schiene 23 verbunden. Der Widerstand R ₅₇ ist überbrückt durch einen Kondensator C ₂₁ und ein Rückkopplungswiderstand R ₅₉ verbindet den Ver­ bindungspunkt zwischen den Widerständen R ₅₇, R ₅₈ mit der Basis des Transistors Q ₂₀. Der Ausgang des Verstärkers ist verbunden mit dem Video-Monitor über ein abgeschirmtes Kabel 27, das mit dem Emitter des Transistors Q ₂₂ über einen Anpassungswiderstand R ₆₀ verbunden ist.

Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist das Gleichstrom-bis 5 MHz-Video-Signal vorgesehen, um einen Träger einer 8,2 MHz-Frequenz zu modulieren mit einer Ab­ weichung von ±1 MHz. In diesem System wird lediglich das Band unterhalb des Trägers benutzt, während das obere Band unbenutzt bleibt. Diese Frequenz- und Bandbreitenwerte sind gewählt, damit sie der Art des übertragenden Video- Signals und der lichtsendenden Diode entsprechen. Die beschriebenen lichtaussendenden Dioden haben einen Frequenzbereich der bis etwa 4 MHz flach ist, 3 dB niedriger ist bei 9,0 MHz und oberhalb dieser Frequenz mit etwa 6 dB je Oktave ab­ fällt. Die Begrenzerstufen des Modulators erzeugen genügend Verstärkung, um den Amplitudenverlust bei hohen Frequenzen wettzumachen und Variationen der Intensität der einzelnen lichterzeugenden Dioden, die Empfindlichkeit der PIN-Dioden der verschiedenen Anordnungen und Änderungen der Abstände zwischen Übertrager und Empfänger zu kompensieren, die durch eine Exzentrizität der Kreise der Übertragungsmodule und der Empfängermodule erzeugt werden könnte. Die Detektor­ stufe erzeugt die originale Video-Signal-Wellenform gemischt mit den Hochfrequenzkomponenten, die im wesentlichen durch die Filterstufe beseitigt sind.

Sowohl die Übertragungsmodule als auch die Empfängermodule können mit entsprechenden Linsen versehen sein, um den Wirkungsgrad zu erhöhen. Wenn Linsen vorgesehen werden, können die Ansprüche an die Leistung der lichtaussendenden Dioden vermindert werden, so daß die gleiche Bandbreite und das gleiche Signal-Rauschverhältnis unter Aufwendung geringerer Kosten für den Apparat erreicht werden kann.

Claims (5)

1. Vorrichtung zum Übertragen von elektrischen Signalen von einer Signalerzeugungsstation zu einer Signalnutzungsstation, die auf zwei verschiedenen Körpern, die gegeneinander verdrehbar und zueinander konzentrisch sind und einander zugewandte Mantelflächen für die Signalübertragung aufweisen, angeordnet sind,
wobei die Signalerzeugungsstation einen Modulator zur Modulation des erzeugten Signals und mehrere, in gleichmäßigem Winkelabstand auf der einen Mantelfläche angeordnete Strahlungssender, denen das modulierte Signal gleichmäßig aufgeteilt zugeführt wird, aufweist und
wobei die Signalnutzungsstation mehrere, auf der anderen Mantelfläche angeordnete Strahlungsempfänger, eine Summiereinrichtung zum Summieren aller Signale der Strahlungsempfänger und einen Demodulator aufweist, der das Ausgangssignal der Summiereinrichtung in ein dem erzeugten Signal entsprechendes nutzbares elektrisches Signal umwandelt,
dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsempfänger (15) auf der anderen Mantelfläche (14) in Gruppen mehrere Empfänger (15) angeordnet sind, wobei der umfängliche Überdeckungswinkel je einer Gruppe von Empfängern (15) größer ist als der Winkelabstand benachbarter Strahlungssender (11) auf der einen Mantelfläche.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Gruppe von Strahlungsempfängern (15) von jeder anderen elektrisch isoliert ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungssender (11) Infrarotdioden und die Strahlungsempfänger (15) PIN-Dioden sind.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator (12) ein Frequenzmodulator ist.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Frequenzmodulator (12) aus einem stromgesteuerten Multivibrator besteht, dessen Ausgang ein im wesentlichen konstantes Signal-Intervall-Verhältnis hat, und dessen Frequenz mit dem zugeführten Signalstrom variiert.