DE2609356A1 - Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellungInfo
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Description
PATENTANWÄLTE ZENZ & HELBER · D 4300 ESSEN 1 · AM RUHRSTEIN 1 · TEL.: (02O1) 4126
Seite
T 52
TRV/ INC., 10880 Vilshire Boulevard, Los Angeles, Californien,
V.St.A.
Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter Widerstand und Yerfahren zu seiner Hersteilung.
Die Erfindung betrifft ein Widerstandsmaterial, aus ihm
hergestellte Widerstände und ein Verfahren zur Herstellung des Materials. Insbesondere betrifft die Erfindung ein glasartiges
Widerstands-Schichtmaterial, aus dem Widerstände
mit hohem spezifischem Widerstand und niedrigem Widerstands-Teinperatur-Ko
effizienten herstellbar sind, und das darüber hinaus aus relativ preisgünstigen Grundmaterialien herstellbar
ist.
Ein in neuerer Zeit für elektrische Widerstände zur Anwendung gekommenes Material ist ein glasartiges Widerstands-Schichtmaterial,
das ein Gemisch einer Glasfritte und feinverteilten
Teilchen eines elektrisch leitenden Materials ist. Das glasartige Widerstands-Schichtmaterial wird auf der Oberfläche
eines Substrats aus elektrisch isolierendem Material, üblicherweise einem keramischen Grundkörper, aufgetragen und soweit
erhitzt, daß die Glasfritte schmilzt. Nach der Abkühlung
wird so eine Glasschicht erhalten, in der die leitenden Teilchen verteilt eingebettet sind.
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-z-
Da an elektrische Widerstände Anforderungen an Widerstandswerte innerhalb breiter Grenzen bestehen, ist es
erforderlich, glasartige Widerstands-Schichtmaterialien
mit den entsprechenden Eigenschaften zu entwickeln, die die Herstellung von Widerständen in einem breiten Bereich
von Widerstandswerten ermöglichen. Bei der Schaffung eines glasartigen Widerstands-Schichtmaterials ist jedoch ein
Problem bei der Erzeugung von Widerständen aufgetreten, die einen hohen spezifischen Widerstand aufweisen und
gleichzeitig gegen Temperaturänderungen relativ stabil sein sollen, d.h. einen niedrigen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
haben. Die Widerstandsmaterialien, die sowohl einen hohen spezifischen Widerstand als auch einen
niedrigen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten haben, sind im allgemeinen unter Verwendung von Edelmetallen
als leitenden Teilchen aufgebaut und sind daher relativ teuer. In einem von J. Dearden verfassten Artikel
»High Value, High Voltage Resistors" in ELECTRONIC COMPONENTS vom März I967, Seiten 259-261, istein glasartiges
Widerstands-Schichtmaterial angegeben, bei dem mit Antimon dotiertes Zinnoxyd zur Erzeugung hoher
spezifischer Widerstände bei relativ geringen Kosten angegeben wird. Dieses Material hat jedoch einen negativen
Widerstands-Temperatur-Koeffizienten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein neuartiges
Widerstandsmaterial und aus ihm hergestellte Widerstände und zwar insbesondere ein glasartiges Widerstands-Schichtmaterial
anzugeben, welches hohen spezifischen Widerstand mit einem relativ niedrigen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
vereinigt und dabei aus preiswerten Ausgangsstoffen herstellbar ist.
- 3 B09841/0664
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe von einem Widerstandsmaterial
erfüllt, das aus einem Gemisch einer Glasfritte und feinverteilten Teilchen aus Zinnoxyd und Tantaloxyd
besteht, wobei das Gemisch vor dem Mischvorgang mit der Glasfritte auch wärmebehandelt sein kann.
Die genaueren Eigenschaften, Charakteristiken und die
Verhältnisse der Bestandteile sind in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert, in der die Erfindung in Verbindung
mit der Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen dargelegt ist. Es zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht durch einen Abschnitt
eines ¥iderstands, der unter Verwendung des erfindungsgemäßen ¥iderstandsmaterials
hergestellt ist; und
Fig. 2 ein Diagramm, in dem die ¥iderstands-Temperatur-Koeffizienten
des erfindungsgemäßen ¥iderstandsmaterials den entsprechenden Koeffizienten eines bekannten ¥iderstandsmaterials gegenübergestellt
sind.
Allgemein ausgedrückt umfasst das erfindungsgemäße glasartige
¥iderstands-Schichtmaterial ein Gemisch einer glasbildenden Glasfritte mit feinen Teilchen aus einem leitenden
Bestandteil, der eine Mischung aus Zinnoxyd (SnO ) und Tantaloxyd (Ta O ) ist. Die Glasfritte oder -masse im
¥iderstandsmaterial hat einen Anteil von etwa 30-70
wobei ein Anteil von 40-60 Vol.% bevorzugt wird. Im leitenden Bestandteil ist Tantaloxyd in der Größenordnung
von 0,5-50 Gew.$ enthalten·
Die verwendete Glasfritte kann aus einer beliebigen bekannten Zusammensetzung zur Herstellung glasartiger ¥iderstandsüberzüge
bestehen, solage ihr Schmelzpunkt geringer
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als der Schmelzpunkt des leitenden Bestandteils ist.
Als vorzugsweise brauchbar hat sich jedoch eine Borsilikatfritte und zwar insbesondere eine Erdalkali-Borsilikatfritte,
beispielsweise eine Barium- oder Kalzium-Borsilikatfritte
herausgestellt. Die Herstellung einer
soldaen Fritte ist bekannt und besteht beispielsweise darin,
daß die Bestandteile des Glases in Form ihrer Oxyde zusammengeschmolzen und die geschmolzene Zusammensetzung
zur Bildung der Fritte in lasser gegossen wird. Die Bestandteile der Glasmasse können natürlich aus beliebigen
Verbindungen bestehen, welche die unter den üblichen Bedingungen der Herstellung von Fritten erforderlichen Oxyde
bilden. So wird beispielsweise Boroxyd aus Borsäure, Siliziumdioxyd aus Flint, Bariumoxyd aus Bariumkarbonat
usw. erzeugt. Die grobe Fritte wird dann vorzugsweise in einer Kugelmühle mit Wasser zermahlen, um die Teilchengröße
der Fritte zu verringern und so eine möglichst gleichförmige Zusammensetzung zu erreichen.
Das erfindungsgemäße Widerstandsmaterial kann durch sorgfältiges
Mischen der Glasfritte mit Zinnoxyd- und Tantaloxyd-Teilchen in geeigneten Mengen erzeugt werden. Der
Mischvorgang wird vorzugsweise so durchgeführt, daß die
Bestandteile in einer Kugelmühle in ¥asser oder einem organischen Medium, beispielsweise Butylcarbitolazetat
oder einem Gemisch von Butylcarbitolazetat und Toluol gemischt werden. Die Mischung wird dann in ihrer Viskosität
so eingestellt, daß das Widerstandsmaterial in der gewünschten Weise auf einem Substrat aufgetragen werden
kann, indem ihm entweder Flüssigkeit zugeführt oder entzogen wird. Für die Anwendung im Siebdruck kann die
Flüssigkeit verdampft und das Gemisch mit einem Siebdruck-Trägermittel versetzt werden, wie es beispielsweise von
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der Firma L. Reusche & Company, Newark, N.J., hergestellt
wird.
Ein anderes Verfahren zur Herstellung des Widerstandsmaterials, das eine bessere Steuerung des spezifischen
Widerstands, insbesondere bei niedrigen Widerstandswerten ermöglicht, besteht darin, daß das Zinnoxyd und das Tantaloxyd
in geeigneten Verhältnissen zuerst miteinander gemischt werden. Dies wird beispielsweise durch Vermählen
des Gemische in einer Kugelmühle in einem flüssigen Träger, beispielsweise Butyl.carbitolazetat erreicht. Der
flüssige Träger wird verdampft und das verbleibende Pulver wird dann in einer nicht oxidierenden Atmosphäre erhitzt.
Das bei dieser Wärmebehandlung entstehende Produkt wird dann zur Herstellung des Widerstandsmaterials mit der
Glasfritte gemischt. Es wurde festgestellt, daß das so
hergestellte Produkt SnO , Ta 0 und einen zusätzlichen Bestandteil enthält, der als Verbindung von SnO und
Ta O angesehen wird. Das Pulver kann einem der nachfolgend geschilderten Wärmebehandlungsvorgänge unterzogen
werden;
Ein den leitenden Bestandteil (Tantaloxyd und Zinnoxyd-Gemisch) enthaltendes Schiffchen wird in einen Röhrenofen
eingebracht und ein Formiergas {95% N„ und 5% H )
wird so in den Ofen eingebracht, daß es über das Schiffchen strömt. Der Ofen wird auf $25 C erwärmt und
bei dieser Temperatur eine kurze Zeitdauer (bis zu 10 Min.) gehalten. Der Ofen wird dann abgeschaltet und man lässt
das den leitenden Bestandteil enthaltende Schiffchen zusammen mit dem Ofen auf Raumtemperatur abkühlen. Die
Formiergas-Atmosphäre wird solange aufrechterhalten, bis
der leitende Bestandteil aus dem Ofen entnommen wird.
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Wärmebehandlung 2.:
Ein den leitenden Bestandteil enthaltendes Sch.iffch.en
wird auf den Gurt eines kontinuierlichen Ofens aufgesetzt. Das Schiffchen wird bei einer Spitzentemperatur von
1.000 C in einem ei:
atmosphäre erwärmt.
atmosphäre erwärmt.
1.000 C in einem einstündigen Zyklus in einer Stickstoff-
Es wird die unter 1. geschilderte ¥ärmebehandlung mit der Ausnahme durchgeführt, daß im Ofen eine Stickstoffatmosphäre
verwendet und der Ofen auf 1.100 C erwärmt und vier Stunden auf dieser Temperatur gehalten wird. Das wärmebehandelte
Pulver wird dann zur Verringerung der Teilchengröße auf vorzugsweise weniger als 1/«,m in einer Kugelmühle
vermählen.
Das wärmebehandelte Pulver wird anschließend mit der geeigneten Menge der Glasfritte in gleicher Weise gemischt,
wie dies oben bereits beschrieben wurde.
Zur Herstellung eines Widerstands mit dem erfindungsgemäßen Widerstandsmaterial wird dieses in einheitlicher
Dicke auf die Oberfläche eines Substrats aufgebracht. Das Substrat kann ein Körper aus jedem beliebigen Material
sein, das den Brenntemperaturen für das Widerstandsmaterial widersteht. Das Substrat ist im allgemeinen ein Körper aus
keramischem Material, beispielsweise Glas, Prozellan, Steatit, Bariumtitanat, Aluminiumoxyd o.dgl. Das Widerstandsmaterial
kann auf dem Substrat durch Aufstreichen, Tauchen, Aufsprühen oder im Siebdruckverfahren aufgebracht
werden. Das mit der Widerstandsmaterialschicht versehene Substrat wird dann in einem konventionellen Ofen bei einer
Temperatur gebrannt, bei der die Glasfritte schmelzflüssig
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wird. Vorzugsweise wird das Widerstandsmaterial in einer inerten Atmosphäre, beispielsweise Argon, Helium oder
Stickstoff gebrannt. Die speziell angewandte Brenntemperatur hängt von der Schmelztemperatur der jeweils
verwendeten Glasfritte ab. Wenn das Substrat und das
¥iderstandsmaterial abgekühlt sind, härtet die glasige Schicht aus, und das Widerstandsmaterial ist mit dem
Substrat verbunden.
Wie in Figur 1 der Zeichnung gezeigt ist, ist ein erfindungsgemäß
hergestellter Widerstand in seiner Gesamtheit mit 10 bezeichnet. Der Widerstand 10 weist ein
keramisches Substrat 12 mit einer Schicht 14 aus erfindungsgemäßem
Widerstandsmaterial auf, die auf ihm aufgebrannt ist. Die Schicht 14 aus Widerstandsmaterial
setzt sich zusammen aus Glas 16, in dem die Teilchen 18 des leitenden Bestandteils in feiner Verteilung enthalten
sind. Die Teilchen 18 des leitenden Bestandteils sind durch die gesamte Glasmasse verteilt eingebettet.
Die folgenden Beispiele werden zur Darstellung bestimmter bevorzugter Einzelheiten der Erfindung erläutert, wobei
jedoch diese Einzelheiten nicht als Beschränkung der Erfindung aufzufassen sind.
Es wurde ein leitender Bestandteil aus Zinnoxyd und Tantaloxyd mit einem Anteil von 15 Gew.$ Tantaloxyd durch
Mischen der Oxyde hergestellt. Die Oxyde wurdender vorstehend beschriebenen Wärmebehandlung 1. unterzogen. Es
wurden verschiedene Chargen von Widerstandsmaterialien durch Mischen des leitenden Bestandteils mit verschiedenen
Mengen einer Glasfritte der Zusammensetzung von 40% BaO,
B2O3, Ζ5ί» SiO2, 10% SnO2, y/o Al2O3 und 2% Ta3O5 hergestellt.
Die Mengenanteile des leitenden Bestandteils und
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der Glasfritte in jeder der Chargen ist in der nachstehend
angegebenen Tabelle I zusammengestellt. Jedes dieser Gemische wurde zur Erzielung einer sorgfältigen Mischung
mit Butylcarbitolazetat in einer Kugelmühle vermählen.
Das Butylcarbitolazetat wurde verdampft, worauf es zur Bildung der Widerstandszusammensetzung mit einem Gummitrockner-Mittel
versetzt wurde, wie es von der Firma L. Reusche & Company, Newark, N.J., V.St.A., geliefert
wird.
Mit der so erhaltenen Widerstandszusammensetzung wurden
Widerstände hergestellt, indem die Zusammensetzung im Siebdruckverfahren auf Keramikplatten aufgebracht wurde.
Die Keramikplatten wurden zusammen mit dem auf ihnen aufgetragenen Widerstandsmaterial I5 Minuten lang bei I50 C
getrocknet und dann in einem Ofen bei 400 C eine Stunde
lang gehalten, um das Siebdruck-Trägermittel auszutreiben. Anschließend wurden die Widerstände in einem Tunnel-Ofen
mit einer Stickstoffatmosphäre bei den in der Tabelle Σ
gezeigten Temperaturen während 30 Minuten gebrannt. Der
spezifische Widerstand und der Widerstands-Temperatur-Koeffizient der erhaltenen Widerstände ist ebenfalls in
der Tabelle I gezeigt.
Glasfritte leitender Brenntemp. Spezif. Widersteids-VoI.%
Bestandteil C Widerstand Temperatur-
Si /Quadrat Koeffizient ppm/°C
| 30 | 70 | 1000 | 10 K | 132 |
| 50 | 50 | 1000 | 12 K | 38 |
| 65 | 35 | 1000 | 213 κ | -868 |
| 70 | 30 | 850 | 840 K | -907 |
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Der leitende Bestandteil wurde in der in Verbindung mit
dem Beispiel I beschriebenen Weise hergestellt, mit der Ausnahme, daß 0,5 Gew.% Tantaloxyd mit Zinnoxyd gemischt
wurden. Das Pulver mit dem leitenden Bestandteil wurde dann mit einer Glasf ritte der Zusammensetzung h-Z°/o BaO,
20$ BO und 38$ SiO gemischt, wobei der Anteil des
leitenden Bestandteils 50 Vol.^'o betrug. Das Gemisch wurde
in der in Verbindung mit dem Beispiel I beschriebenen Weise zu einem Widerstandsmaterial aufbereitet. Das Widerstandsmaterial
wurde in der ebenfalls in Verbindung mit dem Beispiel I beschriebenen Weise zu einem Widerstand verarbeitet,
der dann bei 1.100°C gebrannt wurde. Der fertige Widerstand hatte einen spezifischen Flächenwiderstand von 2 ΚΑ/Quadrat
und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten von -6ppm/ C.
Unter Verwendung der Wärmebehandlung 2. wurde ein leitender
Gew.?£ Bestandteil aus einer Mischung von 5 / Tantaloxyd und
95 Gew.^ Zinnoxyd hei*gestellt. Dann wurde in der in Verbindung
mit dem Beispiel I beschriebenen Weise ein Widerstandsmaterial dadurch hergestellt, daß das Pulver mit einer
Glasfritte der im Beispiel II verwendeten Weise gemischt wurde, wobei 45 Vol.$>
leitender Bestandteil und 55 Vol. cfo
Glasfritte verwendet wurden. Widerstände wurden durch Auftragungen des Widerstandsmaterials im Siebdruckverfahren
auf keramischen Platten hergestellt. Die beschichteten Platten wurden bei 15Ο C 15 Minuten lang getrocknet. Dann
wurden die keramischen Platten durch einen Tunnel-Ofen mit einer Stickstoffatmosphäre und einer Spitzentemperatur
von 35Ο C während eines halbstündigen Zyklus hindurchgeführt.
Die beschichteten Keramikplatten wurden dann in einen
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- 10 -
eine Stickstoffatmosphäre enthaltenden Tunnel-Ofen JO
Minuten lang gebrannt. Eine der beschichteten Keramikplatten wurde mit einer Spitzentemperatur von 900 C
und eine andere bei 1.000 C gebrannt. Von den erhaltenen Widerständen hatte der bei 900 C gebrannte Widerstand
einen spezifischen Flächenwiderstand von 115 & Λ/Quadrat
und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten von -99 ppm/ C. Der bei 1.000 C gebrannte Widerstand hatte
dagegen einen spezifischen Flächenwiderstand von 77 K StL /Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von 0.
In der in Verbindung mit dem Beispiel III geschilderten Weise wurde ein leitender Bestandteil hergestellt mit der
Ausnahme, daß er 15 Gew.% Tantaloxyd aufwies. Dann wurde
in der ebenfalls in Beispiel III beschriebenen Weise ein
Widerstandsmaterial unter Verwendung des leitenden Bestandteils hergestellt, aus dem dann gemäß Beispiel III Widerstände
hergestellt wurden. Die erhaltenen Widerstände wurden bei 900 C gebrannt und hatten einen mittleren spezifischen
Flächenwiderstand von 23Ο K /^/Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von -97 ppm/ C. Wenn die Widerstände
bei 1.000 C gebrannt wurden, hatten sie einen mittleren spezifischen Flächenwiderstand von 220 K
^ /Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von -100 ppm/ C.
In der im Beispiel III beschriebenen Weise wurde ein leitender Bestandteil hergestellt, wobei die leitende
Phase jedoch 50 Gew.°/o Tantaloxyd enthielt. Dann wurde unter
Verwendung dieses leitenden Bestandteils entsprechend dem Beispiel III ein Widerstandsmaterial hergestellt, wobei
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jedoch 50 Vol.fo leitender Bestandteil und 50 Vol.%
Grlasfritte verwendet wurden. Entsprechend dem Beispiel III wurde dann aus dem Widerstandsmaterial ein Widerstand
hergestellt, der jedoch bei 950 C gebrannt wurde. Der
erhaltene Widerstand hatte einen spezifischen Flächenwiderstand von 3 M Xi, /Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von -57O ppm/°C.
Ein leitender Bestandteil wurde durch Zusammenmischen von
15 Gew.% Tantaloxyd und 85 G-ew.Jo Zinnoxyd hergestellt.
Dieser leitende Bestandteil wurde ohne jede Wärmebehandlung durch Mischung von 50 Vol.°/o leitender Bestandteil und
50 Vol.io einer Grlasfritte der beim Beispiel III verwendeten
Zusammensetzung zu einem Widerstandsmaterial aufbereitet.
Das Gemisch wurde mit dem Siebdruck-Trägermittel versetzt und dann zur Herstellung von Widerständen im Siebdruckverfahren
auf Keramikplatten aufgetragen. Die Widerstände wurden I5 Minuten lang bei I50 C getrocknet und dann durch
einen Luft enthaltenden Tunnel-Ofen mit einer Maximaltemperatur von 35O C hindurchgeführt. Ein dann anschließend
in einem Tunnel-Ofen mit einer Stickstoffatmosphäre und einer Maximaltemperatur von 1.100 C eine halbe Stunde
lang gebrannter Widerstand hatte einen spezifischen Flächenwiderstand von 19 K Λ /Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von 88 ppm/°C.
In der in Verbindung mit dem Beispiel I beschriebenen Weise wurde ein leitender Bestandteil hergestellt. Dann wurde
mit diesem leitenden Bestandteil in der in Verbindung mit dem Beispiel VI beschriebenen Weise ein Widerstandsmaterial
aufbereitet. Das Widerstandsmaterial wurde in der ebenfalls in Verbindung mit dem Beispiel VI beschriebenen
609841 /0664
¥eise zu Widerständen weiterverarbeitet, wobei die Brenntemperatur jedoch bei 1.000 C. lag. Die erhaltenen
Widerstände hatten einen mittlerei^spezifischen Flächenwiderstand
von 37 K Λ /Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von 46 ppm/ C.
Durch Mischen von 15 Gew.$ Tantaloxyd und 85 Gew. c/o
Zinnoxyd und Anwendung der Wärmebehandlung 3· wurde ein leitender Bestandteil hergestellt. Der leitende Bestandteil
wurde zur Verringerung der Teilchengröße in einer Kugelmühle vermählen. Das so erhaltene Pulver wurde in
der in Verbindung mit Beispiel VI beschriebenen Weise zu einem Widerstand weiterverarbeitet, wobei jedoch das
Grundmaterial 45 Vol. Jb des leitenden Bestandteils und
55 VoJi.°/a Glasfritte enthielt. Das Widerstandsmaterial
wurde gemäß Beispiel VI zu einem Widerstand weiterverarbeitet, wobei jedoch eine Brenntemperatur von 1.000°C
angewandt wurde. Ein so erhaltener Widerstand hatte einen spezifischen Flächenwiderstand von 93 κΛ/Quadrat und
einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten von -337 ppm/°C,
Entsprechend dem Beispiel I wurde ein leitender Bestandteil hergestellt. Durch Mischen von 50 Vol.$ des leitenden
Bestandteils und 50 Vol.$ einer Glasfritte der Zusammensetzung
44$ SiO , 30$ BpO3, 14$ Al 0 , 10$ MgO und
2$ CaO wurde ein Widerstandsmaterial hergestellt. Das Gemisch wurde dann mit einem Siebdruck-Trägermittel versetzt.
Aus dem Widerstandsmaterial wurden dann in der in Verbindung mit dem Beispiel I beschriebenen Weise
Widerstände hergestellt, wobei die Ofentemperatur bei einer Spitzentemperatur von 1.1500C lag. Ein hierbei
609841/0664 -13-
erhaltener Widerstand hatte einen spezifischen Flächenwiderstand
von 5 M Xc /Quadrat und einen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von -465 ppm/ C.
Aus den vorstehend "beschriebenen Beispielen sind die Auswirkungen
der Veränderungen der Zusammensetzung des Widerst andsmaterials und der Art und ¥eise der Herstellung
des Widerstandsmaterials auf die/elektrischen Eigenschaften
des erfindungsgemäßen Widerstands ersichtlich. Beispiel I
zeigt die Auswirkungen der Veränderungen des Verhältnisses von leitendem Bestandteil und Glasfritte. Die Beispiele
II, III, IV und V zeigen die Auswirkungen der Veränderungen des Verhältnisses von Tantaloxyd und Zinnoxyd im leitenden
Bestandteil. Die Beispiele IV, VI, VII und VIII veranschaulichen den Einfluß der Wärmebehandlung. Die Beispiele
I, VII und IX zeigen die Auswirkungen einer Veränderung der Zusammensetzung der Glasfritte. Aus diesen
Beispielen ergibt sich, daß mit dem erfindungsgemäßen Widerstandsmaterial Widerstände herstellbar sind, die
einen hohen spezifischen Widerstand und einen relativ niedrigen Widerstands-Temperatur-Koeffizienten haben.
In dem in Figur 2 dargestellten Diagramm zeigt der Kurvenzug B den Widerstands-Temperatur-Koeffizienten
von Widerständen mit unterschiedlichen spezifischen
Widerständen, die mit erfindungsgemäßem Widerstandsmaterial hergestellt sind. Der Kurvenzug A zeigt demgegenüber
den Verlauf des Widerstands-Temperatur-Koeffizienten bei unterschiedlichen spezifischen Widerständen
für einen Widerstand mit glasartiger Widerstandsschicht,
in welcher der leitende Bestandteil des Widerstandsmaterials aus Zinnoxyd und Antimonoxyd besteht. Die Werte
wurden dem oben erwähnten Artikel von J. Dearden entnommen.
Wie in Figur 2 gezeigt ist, können durch Zugabe von entweder Antimonoxyd oder Tantaloxyd zum Zinnoxyd
B Π 9 B 4 1 / Ü 6 6 ü
im leitenden Bestandteil ¥iderstandsmaterialien erzeugt werden, mit denen ¥iderstände hohen spezifischen Widerstands
herstellbar sind. ¥ährend jedoch die Zugabe von Antimonoxyd zum Zinnoxyd zu einem negativen Fiderstands-Temperatur-Ko
effizienten führt, so daß die hergestellten ¥iderstände einen hohen negativen ¥iderstands-Temperatur-Koeffizienten
haben, wird bei Zugabe von Tantaloxyd zum Zinnoxyd gemäß der Erfindung ein mehr in Richtung auf positive ¥erte
verschobener ¥iderstands-Temperatur-Koeffizient erhalten,
so daß die hergestellten ¥iderstände einen niedrigeren ¥iderstands-Temperatur~Koeffizienten haben, d.h. einen
¥iderstands-Temperatur-Koeffizienten, der näher bei O
liegt. Mit dem erfindungsgemäßen ¥iderstandsmaterial
kann also ein ¥iderstand hergestellt werden, der hohen spezifischen ¥iderstand hat und bezüglich Temperaturänderungen
relativ stabil ist. Darüber hinaus ist das erfindungsgemäße ¥iderstandsmaterial aus relativ preiswerten
Grundstoffen herstellbar.
Aus der vorstehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe überzeugend
gelöst ist, wobei gegenüber den speziell angegebenen Stoffzusammensetzungen und Mengenverhältnissen im Rahmen des
Erfindungsgedankens Abwandlungen getroffen werden können.
Die vorstehende Beschreibung ist deshalb nur in erläuterndem, nicht aber beschränkendem Sinne zu verstehen.
- 15 -
6 0 9841/0 664
Claims (1)
- Patentansprüchel\ Glasartiges Widerstands-Schichtmaterial, bestehend aus einem Gemisch einer Glasfritte und Teilchen aus einem leitenden Bestandteil, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil aus einer Gruppe gewählt ist, die im wesentlichen aus einem Gemisch von Zinnoxyd und Tantaloxyd und den bei einer Wärmebehandlung eines Gemische aus Zinnoxyd und Tantaloxyd erhaltenen Produkten besteht.2. Widerstands-Schichtmaterial nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die Glasfritte in einem Verhältnis von 30-70 Vol.# enthalten ist.3. ¥iderstands-Schichtmaterial nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasfritte in einer Menge von 40-60 Vol.Ji enthalten ist.4. Widerstands-Schichtmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil 0,5-50 Gew.JO Tantaloxyd enthält.5· Widerstands-Schichtmaterial nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil ein Gemisch von Zinnoxyd und Tantaloxyd enthält.6. Widerstands-Schichtmaterial nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil die bei einer Wärmebehandlung eines Gemische aus Zinnoxyd und Tantaloxyd erhaltenen Produkte enthält.7· Widerstands-Schichtmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasfritte ein Borsilikatglas ist.- 16 -609841/06648. Widerstands-Schichtmaterial nach Anspruch 7» dadurch
gekennzeichnet, daß die Glasfritte ein Brdalkali-Borsilikatglas ist.9. Aus einem keramischen Substrat und einer auf einer
Oberfläche des Substrats aufgebrachten Schicht aus
Fiderstandsmaterial bestehender elektrischer Widerstand, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsmaterial
Teilchen eines leitenden Bestandteils enthält, deraus einer Gruppe gewählt ist, die im wesentlichen
aus einem Gemisch von Zinnoxyd und Tantaloxyd und
den bei einer Wärmebehandlung eines Gemischs aus Zinnoxyd und Tantaloxyd erhaltenen Produkten besteht, und der in einem Glas eingebettet und gleichmäßig in ihm
verteilt ist.10. Elektrischer Widerstand nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsmaterial 30-70 Vol.$> des Glases enthält.11. Elektrischer Widerstand nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsmaterial 4O-6O Vol. cß> des Glases enthält.12. Elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil des Widerstandsmaterials· 0,5-50 Gew.Jo Tantaloxyd enthält.13· Elektrischer Widerstand nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil des Widerstandsmaterials ein Gemisch aus Zinnoxyd und Tantaloxyd ist.Ik. Elektrischer Widerstand nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil des Widerstandsmaterials aus einer Wärmebehandlung eines Gemischs von Zinnoxyd und Tantaloxyd erhaltene Produkte enthält.6 0 9 8 4 1/0664- 17 -15· Elektrischer Widerstand nach, einem der Ansprüche 12 bis lh, dadux-ch gekennzeichnet, daß das Glas ein Borsilikatglas ist.l6. Elektrischer Widerstand nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß das Glas ein Erdalkali-Borsilikatglas ist.17· Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstands, dadurch gekennzeichnet, daß eine Glasfritte und feine Teilchen aus einem leitenden Bestandteil gemischt werden, wobei der leitende Bestandteil aus einer Gruppe gewählt ist, die im wesentlichen aus einem Gemisch von Zinnoxyd und Tantaloxyd und den bei einer Wärmebehandlung eines Gemischs aus Zinnoxyd und Tantaloxyd erhaltenen Produkten besteht, daß das Gemisch auf eine Oberfläche eines Substrats aufgetragen wird, und daß das beschichtete Substrat auf die Schmelztemperatur der Glasfritte erwärmt wird.18. Verfahren nach Anspruch 17> dadurch gekennzeichnet, daß vor der Vermischung des leitenden Bestandteils mit der Glasfritte das Zinnoxyd und das Tantaloxyd miteinander gemischt, dann wärmebehandelt und schließlich zu feinen Teilchen des leitenden Bestandteils weiterverarbeitet werden.19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil durch Erhitzung auf etwa 525OC in einer Atmosphäre aus einem Formiergas für eine Zeitdauer von etwa 10 Minuten wärmebehandelt und dann unter Beibehaltung der Formiergas-Atmosphäre abgekühlt wird.- 18 -609 B 4 1 /066420. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil in einem eine Stickstoffatmosphäre enthaltenden Ofen auf eine Maximaltemperatur von 1.000 C erwärmt und dort für etwa eine Stunde gehalten wird.21. Verfahren nach Anspruch 18f dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil durch Erwärmen in einer Stickstoffatmosphäre auf eine Temperatur von etwa 1.100 C während vier Stunden wärmebehandelt xiirdo22. Verfahren nach Anspruch 2O, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bestandteil durch Hindurchführen im Durchlaufverfahren durch einen Ofen mit einer Stickstoffatmosphäre und einer Maximaltemperatur von etwa 1.000 C während eines e: lungszyklus wärmebehandelt wird.von etwa 1.000 C während eines einstündigen Behänd-609841 /0664
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| DE2455395C3 (de) | Widerstandszusammensetzung zur Herstellung elektrischer Widerstände |
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