[go: up one dir, main page]

DE2422077A1 - Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen - Google Patents

Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen

Info

Publication number
DE2422077A1
DE2422077A1 DE2422077A DE2422077A DE2422077A1 DE 2422077 A1 DE2422077 A1 DE 2422077A1 DE 2422077 A DE2422077 A DE 2422077A DE 2422077 A DE2422077 A DE 2422077A DE 2422077 A1 DE2422077 A1 DE 2422077A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
induction heating
heating coil
coil
resistant
insulating material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2422077A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE2422077A priority Critical patent/DE2422077A1/de
Publication of DE2422077A1 publication Critical patent/DE2422077A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/22Furnaces without an endless core
    • H05B6/30Arrangements for remelting or zone melting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/36Coil arrangements
    • H05B6/362Coil arrangements with flat coil conductors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

  • Inuktionseizspu1e zum tiegelfreien Zonensehmelzen.
  • Die-vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Induktionsheizspule, bestehend aus einer einwindigen Flachspule, zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben in Schutzgasatmosphäre.
  • Beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial läßt man eine durch eine Induktionsheizspule erzeugte Schmelzzone durch einen stabförmigen Körper des zu behandelnden Materials wandern Hierbei werden Verunreinigungen an das eine Ende des Stabes transportiert.
  • Oft wird das Verfahren auch zum Einkristallzüchten verwendet, wobei an das eine Ende des Stabes ein Keimkristall angeschmolzen und von diesem ausgehend eine Schmelzzone durch den Stab geführt wird. Der stabförmige Körper wird dabei meist senkrecht stehend mit seinen Enden in Halterungen eingespannt.
  • Der Zonenschmelzprozeß wird entweder im Vakuum oder in Schutzgasätmosphäre, bestehend aus Wasserstoff, Argon oder einem anderen inerten Gas, durchgeführt, Die Schmelzspulen für das tiegelfreie Zonenschmelzen mit Hochfrequenz bestehen meist aus Eupfer- oder Silberrohr, durch das gleichzeitig Wasser zum guhlen flidte Bei diesen Anordnungen sind die stromführenden Teile nicht von der Atmosphäre der Zonenschüielzkammer getrennt.
  • Um versetzungsfreies gristallmaterial zu erhalten, wird die Schmelzkammer beim Zonenschmelzen mit einer hochgereinigten Schutzgasatmosphäre versehen und in der Schmelzkammer bzw. im Rezipienten ein Druck eingestellt, der höher ist als der Atmosphärendruck.
  • Beim Anschmelzen des Keimkristalls und Ziehen der flaschenhalsförmigen Dünnstelle zu Beginn. Zonenschinelzprozesses sind infolge der schlechten Kopplung zwischen Spule und Schmelzzone relativ hohe Spannungen an der Schmelzspule erforderlich. Je größer der Innendurchmesser der z.B. aus einer Flachspule bestehenden Schmelzspule dabei ist, desto leichter kommt es dabei - insbesondere bei Verwendung von Argon als Schutzgas - zu Glimmentladungen oder Überschlägen im Spulenschlitz0 Diese Überschläge wirken sich sehr schädlich auf die Eristallqualität des durch das tiegelfreie Zonenschmelzen hergestellten Halbleitermaterials aus und zerstören außerdem die HF-Spule sowie die Zuleitungen.
  • Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt, besteht in der Schaffung einer aus einer Plachspule bestehenden Induktionsheizspule, bei der auch im Bereich höherer Spannungen Glimmentladungen und Überschläge verhindert oder zumindest erheblich reduziert werden.
  • Die erfindungsgemäße Aufgabe wird bei der eingangs beschriebenen Induktionsheizspule dadurch gelöst, daß der Spulenschlitz unter Vakuum mit einem temperaturfesten Isolierstoff verschlossen ist und daß auch über und unter dem Spulenschlitz dünne Bereiche aus temperaturfestem Isolierstoff flächig angeordnet sind0 Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß der Isolierstoff aus Quarzglas oder aus temperaturfester Silikonmasse besteht.
  • Es ist aber ebenso möglich, daß das Quarzglas mit temperaturfester Silikonmasse mit der Spule verklebt ist.
  • Gemäß einer besonders günstigen Anordnung nach der Lehre der Erfindung besteht der Isolierstoff aus zwei Quarzplättchen, die über und unter den Schlitz der einwindigen Flachspule mit einem temperaturfesten Klebemittel geklebt sind, während die Isolierung im Schlitz durch das Klebemittel mittels Vakuumfüllung erfolgt. Dabei haben sich als temperaturfeste Klebemittel Silikonkautschuk, Silikonharz oder Polybismaleinimid besonders bewährt.
  • Um Halbleiterkristallstäbe mit größeren Stabdurchmessern zonenzuschmelzen, ist gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der'lehre der Erfindung die Induktionsheizspule zerlegbar aufgebaut, wobei die Spule zwei Bauteile aufweist, welche durch Schraubverbindungen und für die Kühlung vorgesehene Abdichtungen miteinander verbunden sind0 Dabei sind die isolierenden Teile nur mit einer Spulenhälfte verklebt.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der in der Zeichnung befindlichen Figuren 1 und 2 noch näher erläutert.
  • Figo 1 zeigt in Untersicht eine Flachspule mit geschlossenem Spulenschlitz; Fig. 2 stellt in Draufsicht eine Ausführungsform dar, bei der der Isolierstoff aus zwei an den Spulenschlitz geklebten Quarzplättchen besteht.
  • In Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 2 eine einwindige Flachspule aus Kupfer (sogenannte Lochpfannkuchenspule) bezeichnet, deren Schlitz 3 zur Vermeidung der Uberschlagsneigung beim tiegelfreien Zonenschmelzen eines Siliciumeinkristallstabes in Argonatmosphäre mit einem in der Figur nicht sichtbaren temperaturfesten Isolierstoff aus Silikonmasse ausgegossen ist. An den Spulenschlitz 3 werden oberhalb und unterhalb Quarzplättchen 4 von ca. 10 mm Breite und 1 mm Dicke mit einem in der Figur nicht sichtbaren temperaturfesten Silikonharz geklebt.
  • Die in Fig. 2 abgebildete Induktionsheizspule besteht aus einer einwindigen Flachspule 12, die aus den beiden Teilen 13 und 14 zerlegbar aufgebaut ist0 Mit den Bezugszeichen 16 und 17 sind die für die Verschraubung vorgesehenen Stellen in den Verbindungsflanschen 15 am Außenrand der Spule bezeichnet. Nur an die eine Hälfte (13 oder 14) werden oben und unten Quarzplättchen 19 von ca. 10 mm Breite und 1 mm Dicke im Bereich des Spulenschlitzes 18 geklebt. Dadurch sind beide Teile nach Lösung der Verschraubung bei den Verbindungsflanschen 15 auseinandernehmbar. In den Schlitz 18 kann man ein Quarzbrett bringen, das nur an einer Seite festgeklebt ist. Man kann auch derart ausgiessen, daß die Gießmasse nur an einer Spulenhälfte haftet 8 Patentansprüche 2 Piguren

Claims (8)

  1. Patentansprüche O Induktionsheizspule, bestehend aus einer einwindigen Flachspule, zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben in Schutzgasatmosphäre, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Spulenschlitz unter Vakuum mit einem temperaturfesten Isolierstoff verschlossen ist und daß auch über und unter dem Spulenschlitz dünne Bereiche aus temperaturfestem Isolierstoff flächig angeordnet sind.
  2. 2. Induktionsheizspule nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Isolierstoff aus Quarzglas besteht.
  3. 30 Induktionsheizspule nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Quarzglas mit temperaturfester Siliconmasse mit der Spule verklebt ist.
  4. 4. Induktionsheizspule nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Isolierstoff aus temperaturfester Siliconmasse besteht.
  5. 5. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Isolierstoff über und unter dem Schlitz aus zwei Quarzplättchen besteht, die über und unter den Schlitz mit einem temperaturfesten Klebemittel geklebt sind, während die Isolierung im Schlitz durch das Klebemittel erfolgt.
  6. 6. Induktionsheizspule nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als temperaturfestes Klebemittel Silikonkautschuk, Silikonharz oder Polybismaleinimid- verwendet ist.
  7. 7o Induktionsheizspule nach Anspruch 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Spule zerlegbar aufgebaut ist und daß die isolierenden Teile nur mit einer Spulenhälfte verklebt sind.
  8. 8. Induktionsheizspule nach Anspruch 7, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, aaß die Spule zwei Bauteile aufweist, welche durch Schraubverbindungen und für die Kühlung vorgesehene Abdichtungen miteinander verbunden sind.
DE2422077A 1974-05-07 1974-05-07 Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen Withdrawn DE2422077A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2422077A DE2422077A1 (de) 1974-05-07 1974-05-07 Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2422077A DE2422077A1 (de) 1974-05-07 1974-05-07 Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2422077A1 true DE2422077A1 (de) 1975-11-20

Family

ID=5914882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2422077A Withdrawn DE2422077A1 (de) 1974-05-07 1974-05-07 Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2422077A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3603766A1 (de) * 1986-02-06 1987-08-13 Wacker Chemitronic Induktionsheizspule fuer das tiegelfreie zonenziehen von kristallstaeben
GB2478275A (en) * 2010-02-24 2011-09-07 Tubefuse Applic V O F Induction heating apparatus and method
DE102005060391B4 (de) * 2004-12-17 2012-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Ein Apparat zur Herstellung eines Einkristalls und ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
WO2014075650A1 (de) 2012-11-19 2014-05-22 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung für das tiegelfreie zonenziehen von kristallstäben

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3603766A1 (de) * 1986-02-06 1987-08-13 Wacker Chemitronic Induktionsheizspule fuer das tiegelfreie zonenziehen von kristallstaeben
DE102005060391B4 (de) * 2004-12-17 2012-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Ein Apparat zur Herstellung eines Einkristalls und ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
GB2478275A (en) * 2010-02-24 2011-09-07 Tubefuse Applic V O F Induction heating apparatus and method
WO2014075650A1 (de) 2012-11-19 2014-05-22 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung für das tiegelfreie zonenziehen von kristallstäben
DE102012022965A1 (de) * 2012-11-19 2014-05-22 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben
DE102012022965B4 (de) 2012-11-19 2018-12-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0356644B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Wellenleitern auf einem Glassubstrat durch Ionenaustausch
DE3322685A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bandes aus polykristallinem silizium
DE2331004C3 (de) Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE69609937T2 (de) Vorrichtung zur Herstellung Silizium Einkristallen
DE2422077A1 (de) Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE112006002595T5 (de) Herstellungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für ein Einkristall-Halbleiter
DE3325058C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen eines ZnSe-Einkristalls
DE2245250A1 (de) Vorrichtung zum ziehen von kristallen, vorzugsweise einkristallen aus der schmelze
DE102005060391B4 (de) Ein Apparat zur Herstellung eines Einkristalls und ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
EP0345541A2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kalt-Schmelz-Tiegels
DE1224273B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2548050A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes
DE2025376C3 (de) Einkristall-Züchtungsverfahren für Bariumnatriumniobat und verwandte Verbindungen
DE2528585B2 (de) Verfahren zur Herstellung von dotierten a -Aluminiumoxid-Einkristallen
DE1212051B (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben aus Silicium
DE1719499A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Kristallen durch Ziehen
DE905288C (de) Einschmelzanordnung fuer konzentrische, rohrfoermige Stromzufuehrungen und Elektrodenhalterungen von elektrischen Entladungsgefaessen
DE977436C (de) Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere halbleitenden Elementen durch elektrische Gasentladung
DE2938793A1 (de) Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE736961C (de) Ionenentladungsroehre mit wenigstens teilweise aus Glas bestehender Gefaesswand, in der sich die Elektroden in einem gemeinsamen Entladungsraum nahe beisammen befinden
EP3932875A1 (de) Glasprodukt und verfahren zu dessen herstellung
DE1289950B (de) Vorrichtung zum Ziehen von Halbleiterkristallen
DD265916A1 (de) Verfahren zur zuechtung von hochreinen siliciumeinkristallen
DE1221379B (de) Verfahren zum induktiven tiegelfreien Schmelzen von Materialien, insbesondere von Halbleitermaterialien
DE2008410A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8130 Withdrawal