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DE2459360C3 - Monolithisch integrierte Stromquelle mit hohem Ausgangswiderstand und deren Verwendung in einer Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung - Google Patents

Monolithisch integrierte Stromquelle mit hohem Ausgangswiderstand und deren Verwendung in einer Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung

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DE2459360C3
DE2459360C3 DE19742459360 DE2459360A DE2459360C3 DE 2459360 C3 DE2459360 C3 DE 2459360C3 DE 19742459360 DE19742459360 DE 19742459360 DE 2459360 A DE2459360 A DE 2459360A DE 2459360 C3 DE2459360 C3 DE 2459360C3
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DE
Germany
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transistor
current
transistors
collector
wire
Prior art date
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Expired
Application number
DE19742459360
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English (en)
Other versions
DE2459360B2 (de
DE2459360A1 (de
Inventor
Gerhard 7800 Freiburg Achtstaetter
Pierre Paris Girard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
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Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of DE2459360A1 publication Critical patent/DE2459360A1/de
Publication of DE2459360B2 publication Critical patent/DE2459360B2/de
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Publication of DE2459360C3 publication Critical patent/DE2459360C3/de
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00—Baseband systems
    • H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/20—Repeater circuits; Relay circuits
    • H04L25/22—Repeaters for converting two wires to four wires; Repeaters for converting single current to double current
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only

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  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Stromquelle höhen Ausgangswiderstandes und deren /, = hre χ /ß2,
wobei hr, der Stromverstärkungsfaktor des Transistors 72 in Emitterschaltung ist. Der Transistor 72 hat einen hohen Ausgangswiderstand (mehrere Megohm) für einen kleinen Ausgangsstrom (I1 < 100 μΑ), Dieser Ausgangswiderstand fällt jedoch sehr schnell auf einige K.iloohm bei erhöhtem Ausgangsstrom, Außerdem ist der Ausgangsstrom bei schwankender Last nicht mehr konstant.
Die F i g, 2 zeigt das Schaltbild der Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes nach der Erfindung. Der der F i gi t entsprechenden Stufe 1 ist die zweite gleiche und
identische Stufe 2 zugeordnet, die der ersten Stufe in Serie geschaltet ist, mit den Koilektorkreisen der Transistoren Tl, T2 verbunden ist und die beiden Transistoren Ti, Tl enthält, deren Emitter mit den entsprechenden Kollektoren der Transistoren Ti, T2 verbunden sind. Die Transistoren Ti, Ti müssen gleiche elektrische Eigenschaften aufweisen, ebenso wie die Transistoren T2, T'2. Dies erfordert identische Geometrien der Transistoren, was nur durch monolithische, mitteis Maskierungs- und Diffusionstechnik id erreichbare Integration der Transistoren auf demselben Substrat ermöglicht wird.
Der Emitterstrom /fl des Transistors Ti ist offensichtlich gleich dem Emitterstrom ί'εΐ des Transistors Ti, so daß auch der Basisstrom /'al des Transistors Ti praktisch gleich dem Basisstrom /al des Transistors Ti ist. Ebenso werden die Kollektoren der Transistoren T2, T'2 von demselben Ausgangsstrom /s durchflossen, so daß offensichtlich der Basisstrom /'a2 des Transistors T'2 praktisch gleich dem Basisstrom /s2 des Transistors T2 sein muß.
Die Funktion dieser zweistufigen Stromquelle ist folgende: Der Transistor T2 stellt im Emitterkreis des Transistors T'2 einen Widerstand dar, ebenso wie der Transistor Ti im Emitterkreis des Transistors Ti. Im letzteren Falle ist aber dieser Widerstand sehr klein, da dei Transistor Ti wegen der Verbindung zwischen seiner Basis und seinem Kollektor als Diode geschaltet ist Der als Diode geschaltete Transistor 7*1 hat ebenfalls einen kleinen Widerstand.
Daraus ergibt sich, daß der Widerstand im Basiskreis des Transistors 7*'2 kleiner ist als der Widerstand :n seinem Emitterkreis. Somit arbeitet der Transistor 7"'2 in Basisschaltung. Der Ausgangswiderstand ist daher sehr hoch. Er nimmt einige Megohm bei einem Ausgangsstrom in der Größenordnung von 1 mA an und noch einige hundert Kiloohm für einen Ausgangsstrom von 1OmA. Somit liefert die integrierte Schaltung eine Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes für relativ beträchtliche Ströme.
In Fig. 3 ist eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Stromquelle mit mehreren voneinander unabhängigen Ausgängen gezeigt Die Fig. 3 enthält wieder die Anordnung mit den Transistoren Ti, T2, Ti, T'2, der Fig. 2, denen die weiteren Sätze von Transistoren T3, 7"'3 bzw 7"4, T'4 zugeordnet sind wobei jeder Satz aus zwei Transistoren gleichen Typs und gleicher in monolithisch integrierter Form realisierter Geometrie besteht. Die Transistoren Γ3, 7"4 sind in gleicher Weise wie der Transistor T2 mit der Basis und dem Kollektor des Transistors 7*1 verbunden. Ebenso sind die Transistoren Γ'3. T'4 ?.uf die gleiche Weise wie der Transistor T'2 mit der Basis und dem Kollektor des Transistors Ti verbunden. Der Transistorsatz T3—T'3 liefer« den Ausgangsstrom /3 und der Transistorsatz Γ4— T'4 den Ausgangsstrom /4, jeweils bei hohen Ausgangswiderstand. Man erhält somit eine Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes mit mehreren voneinander unabhängigen Ausgängen, deren Zahl im Prinzip unbegrenzt ist.
Man erkennt leicht, daß, wenn die Transistorsätze 7*2- T2, T3- T3.T4- T'4 untereinander identische elektrische Eigenschaften aufweisen, d, h, identische Geometrien, die Basisströme /ß2, 1b3. Ib4, I'b2. /'b3. /'b4 der Transistoren T2, T3, T4, T'2, f'3, T4 praktisch einander gleich sind. Somit sind auch die Ausgangsströme /2, /3, /4 praktisch einander gleich. Die identische Geometrie der verschiedenen Transistoren läßt sich nur durch Anwendung der monolithischen Integrationstechnik, nämlich durch bekannte Maskierungs- und Diffusionsschritte erreichen.
Darüber hinaus sind wegen der eben geschilderten Gleichheit der Geometrie der Transistoren Tl, T'l, T2, T'2, T3, T'3, T4, T'4 und der Gleichheit aller Basisströme die Ausgangsströme /2, /3, /4 auch praktisch gleich dem Referenzstrom IKr-
Es läßt sich ferner feststellen, daß die in den F i g. 1, 2 und 3 beschriebenen Anordnungen außer dem Fall konstanten Ausgangsstroms (IKr = konstant) Ausgangsströme liefern können, deren Schwankungen den Schwankungen des Referenzstroms folgen, woher sich die Verwendung der Bezeichnung Stromspiegelschaltung für solche Anordnungen ableitet.
Die F i g. 4 zeigt das Schaltbild einer Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung mit aktiven Halbleiterbauelementen in Form einer monolithisch integrierten Schaltung unter Verwendung einer Stromquelle hohen Ausgangswiderstands entsprechend der Erfindung. Diese Zweid>-aht/Vierdraht-Obe ,^angsschaltung wird in Datenvermittiungszentraien Dem :zt und arbeitet nach dem in der DE-OS 22 50 859 beschriebenen Prinzip. Sie ist einerseits mit einer Zweidraht-Teilnehmerleitung über die Anschlüsse 3,4 und andererseits mit elektronischen Wählstufen der Datenvermittlungszentrale über zwei unsymmetrische Kanäle R, 5 verbunden. Sie enthält im Prinzip zwei Differenzverstärker, deren erster durch die beiden Darlington-Transistorpaare T23—T'23, T24—T'24 und deren zweiter durch die beiden Darlington-Transistorpaare T25—T'25, T26. T 26 gebildet wird. Die Transistorpaare Τ23-Γ23. T24—T'24 werden vom Konstantstrom /12, der im Emitterkreis des Transistors T23 fließt, und von dem diesem gleichen Konstantstrom /13 gespeist der im Emitterkreis des Transistors T24 fließt. Ebenso werden die Transistorpaare Τ25-Γ25, T26-T'26 vom Konstantstrom /10 im Emitterkreis des Transistors T25 und von dem diesem gleichen Konstantstrom /9 im Emitterkreis des Transistors T26 gespeist
Für jeden Differenzverstärker ist eine Emitterverkopplung dadurch erreicht, daß zwischen den Fmittern der Transistoren T23, T24 der Widerstand R 2 und zwischen den Emittern der Transistoren T25, T26 der Widerstand R 4 eingefügt ist. Der gemeinsame Kollektor des Darlington-Transistorpaars T25— T'25 und die Basis des Darlington-Transistorpaars T23— T23 liegen am Anschluß 4 der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung sowie über den Widerstand R1 und die beiden als Dioden geschalteten Transistoren T21, T22 am Pluspol der Versorgungsspannung V. In gleicher Weise sind der gemeinsame Kollektor des Darlington-Transistorpaars T26- T26 und die Basis des Darlington-Transistorpaars T24— 7~'24 mit dem Anschluß 3 der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung sowie über den Widerstand R'\ der den gleichen Wert wie der Widerstand R1 hat. und über die als Dioden geschalteten Transistoren T21, T22 mit dem Pluspol der Versorgunf"spannung !/verbunden. Die Basen der Darlington-Transistorpaare T25—T'25, T26—T'26 sind über die gleichgroßen Widerstände R10, R 9 spannungsversorgt Der gemeinsame Kollektor des Darlington-Transistorpaars T24—T'24 ist mit dem Schaltungspunkt verbunden, um ein unsymmetrisches Verhalten des Ujs den Darlingtön-Transistorpaärert T23-T23, T24-T'24 gebildeten Differertzverstärkcrs zu erhalten.
Die auf der ZweidrahuTeilnehmerleitune an den
Klemmen 3, 4 der Übergangsschaltung ankommenden Signale gelangen an die Basen des Differenzverstärkers mit den Transistorpaaren 723-7'23, 724- V24. Dieser überträgt die Signale auf den Kanal S unter Zwischenschaltung des Darlington-Transistorpaars 75 — 7'5 in Basisschaltung, das als Stromgenerator hohen Ausgangswiderstands arbeitel. Die Kanäle S1 R sind an einem mit negativer Spannung unter Zwischenschaltung von elektronischen Auswahlstufen verbundenen Verbinder (Koppelpunkt) angeschlossen.
Die die elektronischen Auswahlstüfen auf dem Kanal R verlassenden Datensignale gelangen über den Widerstand R 3 an die Basen der Differenzverstärkertransistorpaare 725-7'25. 726-7'26. Die beiden Kondensatoren Ci, C2 sind zwischen die Klemmen des Widerstandes R 3 und die Basen der Transistoren 7'25, 7'26 geschaltet, um die Gleichspannungskomponente der Datensignale an den Basen zu unterdrücken. Der
7'25. 726-7'26 überträgt die Datensignale symmetrisch zu den Klemmen 3, 4 der Teilnehmerleitung. Er überträgt die Datensignale in gleicher Weise auch auf die Basen der Transistoren 7'23, 7'24, so daß sie auch am Kollektor des Transistors 723 auftreten. Diese Signale werden jedoch durch die auf dem Kanal R am Kollektor des Transistors 723 über den mit den als Dioden geschalteten Transistoren 716, 717 in Serie liegenden Widerstand /?3 auftretenden Datensignale unterdrückt
Die Datensignale des Kanals R treten daher auf dem Kanal 5 nicht mehr auf. Man gelangt daher von einer symmetrischen Arbeitsweise mit zwei Leitungen auf der Seite der Teilnehmerleitung zu einer unsymmetrischen Arbeitsweise mit vier Leitungen auf der Seite der elektronischen Wählstufen. Die beiden Transistoren 719, 720 arbeiten als Dioden und schützen die Transistorpaare 723- 7'23, 724- 7'24 gegen auf den Leitungen eventuell auftretende höhere Überspannungen. Ebenso schützt der als Diode geschaltete Transistor 718 das Darlington-Transistorpaar 75—7'5 gegen Überspannungen. Die beiden Kondensatoren L 1, L 2 in jeder Teilnehmerleitung unterdrücken die Gleichspannung der Teilnehmerleitung an den Klemmen 3, 4 der monolithisch integrierten Schaltung.
Im folgenden wird nun die Stromspeisung der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung nach F i g. 4 im Detail beschrieben: Der Referenzstrom /«/wird im Emitterkreis des Transistors 76 erzeugt der eine Reihenschaltung aus den beiden Widerständen R5.R6 und aus den beiden als Dioden geschalteten Transistoren 77. 7'7 (Bpiis mit Kollektor verbunden) mit identischen elektrischen Kennwerten aufweist Im Kollektorkreis des Transistors 76, in dem praktisch derselbe Strom fließt wie im Emitterkreis, sind ebenfalls zwei in Serie und auf dieselbe Weise als Diode geschaltete Transistoren 78, 7'8 identischer elektrischer Kennwerte angeordnet Der Konstantstrom /„/im Emitterkreis des Transistors 76 wird dadurch erzeugt, daß dessen Basis an einer konstanten Spannung liegt, die mittels des als Diode geschalteten und als Z-Diode wirkenden Transistors Z erzeugt wird. Mittels der Widerstände R 5, R 6 kann der Wert des Referenzstroms Ircf eingestellt werden.
Der Emitter des Transistors T25 ist mit den Transistoren 710, 7Ί0 identischer elektrischer Kennwerte und Geometrie Verbunden, ebenso wie der Emitter des Transistors 726 mit den Transistoren 79, 7'9 identischer elektrischer Kennwerte und Geometriei Außerdem haben diese vier Transistoren untereinander gleiche elektrische Eigenschaften und Geometrien. Die Basen der Transistoren 79, 710 sind mit der Basis des Transistors 77 und die Basen der Transistoren 7'9, T10 mit der Basis des Transistors 7'7 verbunden.
An dieser Stelle ist somit die in Fig.3 dargestellte Konstantstromquelle hohen Ausgangswiderstandes angeordnet. Die von ihr erzeugten Ströme /9, /10 sind aufgrund der Gleichheit der Transistoren 79, 7'9 und
710, 7Ί0 einander gleich. Die Emitter des aus den Darlington-Transistorpaaren 725-7'25, 726-7'26 gebildeten Differenzverstärkers sind somit von den gleichgroßen Strömen /9, /10 durchflossen. Dies gilt -.U.---.. f."- ~J*»« ηη^ΛΜη Πίΐΐηι·ηιν*»η··*Ι»··ίηΗ L ! _!__ MV\ilia\J IUI UkII UllUklVIl K^fIIWl WlK. · Wl JIUI HVI1 fWl WWlIl die Emitter der Transistoren 723 bzw. 724 mit den Transistoren 712, 7'12 gleicher Geometrie bzw. mit den Transistoren 713, 7Ί3 gleicher Geometrie verbunden sind, welche vier zuletztgenannten Transistoren untereinander identisch sind. Die Basen der Transistoren 712, 713 liegen an der Basis des Transistors 78 und die der Transistoren 7'12, 7'13 an der Basis des Transistors 7'8. Somit erhält man wie zuvor ζϊ.-ei identische Konstantströme /12, /13 in den Emitterkreisen der Transistoren 723,724.
Für eine korrekte Funktion der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung müssen die Speiseströme der beiden Differenzverstärker in einem bestimmten Verhältnis zueinander stehen; es muß gelten:
/10//12 = 2/C
wobei K das Übersetzungsverhältnis des den Zweidraht/Vierdraht-Übergang anstatt der beiden Differenzverstärker in bekannten Schaltungen gewährleistenden Transformatoren ist Das Verhältnis 2K wird durch Einflußnahme auf die Geometrie der Transistoren 712, 7Ί2, 713, 7Ί3 im Verhältnis zu der der Transistoren 79, 7'9, 710, 7Ί0 bei ihrer Integration eingestellt
Die erfindungsgemäße Stromquelle ist bei einer
elektronischen Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung besonders vorteilhaft, weil sie beispielsweise Ströme von 8 mA für die Ströme /10, /12 bei einem Ausgangswiderstand von 300 k liefert
In Fig.4 sind ferner die Transistoren 711, 7Ί1 gleicher Geometrie zwischen den Pluspol der Versorgungsspannung V und den Kollektor des Transistors 723 geschaltet Die Basis des Transistors 711 ist mit der Basis des Transistors 712 und die des Transistors T'\ 1 mit der des Transistors 7Ί2 verbunden, wobei die beiden letzteren ebenso wie die beiden Transistoren
711, 712 identisch sind, so daß die Transistoren 711, 7Ί1 den dem Strom /12 gleichen konstanten Strom /11 liefern. Die beiden Ströme /11, /12 speisen die Kanäle R, 5 der elektronischen Auswahlstufen, die man am an negativer Spannung liegenden Verbinder (Koppelpunkt) liegen. Der Kanal R wird ebenso wie der Kanal 5von dem Strom (111 + /12)/2 durchflossen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Monolithisch integrierte Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes, die in Abhängigkeit von einem Referenzstrom als Eingangsstrom einen konstanten Ausgangsstrom liefert, mit einer ersten Stufe, die aus einem ersten Transistor, dessen Kollektor der Referenzstrom zugeführt ist und dessen Basis und Kollektor direkt miteinander verbunden sind, und aus einem vom Alisgangsstrom durchflossenen zweiten Transistor gleichen Typs besteht, dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist und dessen Emitter gemeinsam an einer geeigneten Klemme der Referenzstromquelle liegt, und mit einem dritten Transistor gleichen Typs, dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
— die öjsis des dritten Transistors (T' 1) ist mit seinem Kollektor direkt verbunden und ist der Referenzstromeingang
— der Kollektor des zweiten Transistors (TT1 ist mit dem Emitter eines vierten Transistors (T' 2) gleichen Typs und gleicher Geometrie verbunden,
— die Basis des vierten Transistors (T'2) liegt an Basis und Kollektor des dritten Transistors (T'l)und
— der Kollektor des vierten Transistors (T'2) ist derSt'omausgang.
2. Stromquelle nacii Ansp.1 jeh 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Anordnung weiterer Transistorpaare voneinander mabhängige Stromausgänge aufweist, derart, daß jeweils zwei dem zweiten (T2) und vierten Transistors (T'2) entsprechende Transistoren (T3, 7'3; TA, 7'4) untereinander gleichen Typs und gleicher Geometrie mit dem ersten und dritten Transistor (Ti, T'l) in gleicher Weise verbunden sind wie der zweite und vierte Transistor.
3. Verwendung der Stromquelle nach Anspruch 2 zur Speisung einer elektronischen Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung, die in einer elektronischen Datenvermittlungszentrale verwendet wird, die einerseits mit einer symmetrischen Zweidraht-Teilnehmerleitung und andererseits mit elektronischen Wählstufen der Datenvermittlungszentrale über zwei unterschiedliche Kanäle (R, S) verbunden ist und die für jede Übertragungsrichtung einen aus identischen Transistoren aufgeoauten ersten und zweiten Differenzverstärker enthält, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Emitter der Transistoren (T23. T'23. Γ24, T'24, T25, T'25, 726, r 26) der beiden Differenzverstärker mit einem Ausgang der Stromquelle hohen Widerstands verbunden ist, wobei die mit den Transistoren desselben Differenzverstärkers verbundenen Transistoren (79, 7'9, TlO, Γ10; Γ12. Γ12, Γ13. ΓΊ3) untereinander zur Erzeugung gleicher Ströme (79, /iö; /11, /12, /13) identisch sind.
Anwendung in einer Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung, mit der Zweidrahtleitungen an eine Vierdraht-Datenvermittlungszentrale gekoppelt werden können, entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. des Unteranspruchs 3. Eine derartige Stromquelle ist aus der Zeitschrift »Funktechnik«, 1973, Seiten 313/314, Bild 5 bekannt
Diese Schaltung hat den Nachteil, daß sie einen relativ niedrigen Ausgangswiderstand hat, -venn der Ausgangsstrom die Größenordnung von 100 μΑ übersteigt
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine monolithisch integrierte Stromquelle anzugeben, die einen hohen Ausgangswiderstand selbst bei relativ
Ft hohen Strömen in der Größenordnung von 10 mA aufweist Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch I angegebene Erfindung gelöst Besonders vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nun anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert
F i g. 1 zeigt das Schaltbild einer anderen bekannten Konstantstromquelle, (»Funktechnik«, a. a. O, Bild 1),
Fig.2 zeigt das Schaltbild der Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes nach der Erfindung,
F i g. 3 zeigt das Schaltbild einer Weiterbildung der Stromquelle nach F i g. 2 mit mehreren voneinander unabhängigen Ausgängen und
Fig.4 zeigt das Schaltbild einer monolithisch integrierten, aktive Halbleiterbauelemente aufweisenden Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung mit einer Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes nach der Erfindung.
Die in F i g. 1 gezeigte bekannte Konstantstromquelle enthält die beiden Transistoren 71, 72, von denen der Transistor 7i dadurch a!s Diode geschaltet ist, daß seine Basis mit seinem Kollektor verbunden ist, und der über seinen Kollektor den konstanten Referenzstrom /re/zugeführt erhält Die Basis des Transistors 72, der an seinem Kollektor den konstanten Ausgangsstrom /s führt, ist mit der Basis und somit auch mit dem Kollektor des Transistors 71 verbunden. Die Emitter der Transistoren 71, 72 liegen am Schaltungsnullpunkt. Die Gesamtheit der Anordnung dieser Transistoren 71, 72 wird als Stufe 1 bezeichnet.
Die Funktion dieser Konstantstromquelle ist folgende: Der Teil Ib des Referenzstroms IrCf wird den Basen der Transistoren 71, 72 zugeführt, so daß die Basis von Transistor 71 den Strom /al und die Basis des Transistors 72 den Strom Ip2 zugeführt erhält. Der als Diode geschaltete Transistor 71 fungiert hierbei als Stromregulator und sorgt für die Aufrechterhaltung des konstanten Basisstroms Ip2 des Transistors 72. Der Ausgangsstrom /,diesesTransistors hat somit folgenden Wert:
DE19742459360 1973-12-20 1974-12-16 Monolithisch integrierte Stromquelle mit hohem Ausgangswiderstand und deren Verwendung in einer Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung Expired DE2459360C3 (de)

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FR7345707A FR2255760A1 (en) 1973-12-20 1973-12-20 Monolithic integrated cct. for data terminals - has high output impedance even at relatively high current amplitudes

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DE2459360A1 DE2459360A1 (de) 1975-07-03
DE2459360B2 DE2459360B2 (de) 1981-07-30
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DE2459360B2 (de) 1981-07-30
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