DE2459360A1 - Monolithisch integrierte stromquelle mit hohem ausgangswiderstand und deren verwendung in einer zweidraht/vierdraht-uebergangsschaltung - Google Patents

Description

Deutsche ITT Industries GmbH J,S. Colardelle et al 9-22-36-2 78 Freiburg, Hans-Buntti-3tr. 19 Mo/sp

12. Dezember 1974

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG

FREIBURG I. BR.

Monolithisch integrierte Stromquelle mit hohem Ausgangswiderstand und deren Verwendung in einer Zweidraht/Vierdrahttibergangs schaltung

Die Priorität der Anmeldung Nr. 73 45707 vom 20. 12. 1973 in Frankreich wird beansprucht.

■Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes und deren Anwendung in einer Zweidraht/ Vierdraht-Übergangsschaltung, mit der Zweidrahtleitungen an eine Vierdraht-Datenvermittlungszentrale gekoppelt werden können.

Eine übliche Stromquelle enthält einen vom Ausgangsstrom durchflossenen Transistor, der von einem von einem Referenζstrom durchflossenen und als Diode geschalteten Transistor gesteuert wird. Diese Schaltung hat den Nachteil, daß sie einen relativ niedrigen Ausgangswiderstand hat, wenn der Ausgangsstrom die Größenordnung von 100 /UA übersteigt.

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Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine monolithisch integrierte Stromquelle anzugeben, die einen hohen Ausgangswiderstand selbst bei relativ hohen Strömen in der Größenordnung von 10 mA aufweist. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst. Besonders vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Erfindung wird nun anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 zeigt das Schaltbild einer bekannten Konstantstromquelle,

Fig. 2 zeigt das Schaltbild der Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes nach der Erfindung,

Fig. 3 zeigt das Schaltbild einer Weiterbildung der Stromquelle nach Fig. 2 mit mehreren voneinander unabhängigen Ausgängen und

Fig. 4 zeigt das Schaltbild einer monolithisch integrierten, aktive Halbleiterbauelemente aufweisenden Zweidraht/ Vierdraht-Übergangsschaltung mit einer Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes nach der Erfindung.

Die in Fig. 1 gezeigte bekannte Konstantstromquelle enthält die beiden Transistoren T1, T2, von denen der Transistor T1 dadurch als Diode geschaltet ist, daß seine Basis mit seinem Kollektor verbunden ist, und der über seinen Kollektor den konstanten Referenzstrom I _ zugeführt erhält. Die Basis des Transistors T2, der an seinem Kollektor den konstanten Ausgangsstrom I führt, ist mit der Basis und somit auch mit dem Kollektor des Transistors T1 ver-

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bunden. Die Emitter der Transistoren T1, Τ2 liegen am Schaltungsnullpunkt. Die Gesamtheit der Anordnung dieser Transistoren T1, Τ2 wird als Stufe 1 bezeichnet.

Die Funktion dieser Kons tantstromque He ist folgende: Der Teil I_. des ReferenzStroms I ~ wird den Basen der Transistoren T1, Τ2 zugeführt, so daß die Basis von Transistor T1 den Strom 1^1 und die Basis des Transistors T2 den Strom I_2 zugeführt erhält. Der als Diode geschaltete Transistor T1 fungiert hierbei als Stromregulator und sorgt für die Aufrechterhaltung des konstanten Basisstroms I„2 des Transistors T2. Der Ausgangsstrom I dieses

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Transistors hat somit folgenden Wert:

¹S ■ ^hfe ^{X 1}B² '

wobei h_f der Stromverstärkungsfaktor des Transistors T2 in Emitterschaltung ist. Der Transistor T2 hat einen hohen Ausgangswiderstand (mehrere Megohm) für einen kleinen. Ausgangsstrom

(I <100 /UA). Dieser Ausgangswiderstand fällt jedoch sehr schnell s /

auf einige Kiloohm bei erhöhtem Ausgangsstrom. Außerdem ist der Ausgangsstrom bei schwankender Last nicht mehr konstant.

Die Fig. 2 zeigt das Schaltbild der Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes nach der Erfindung. Der der Fig. 1 entsprechenden Stufe 1 ist die zweite gleiche und identische Stufe 2 zugeordnet, die der ersten Stufe in Serie geschaltet ist, mit den Emitterkreis-en der Transistoren T1, T2 verbunden ist und die beiden Transistoren ΤΊ, T¹2 enthält, deren Kollektoren mit den entsprechenden Emittern der Transistoren T1, T2 verbunden sind. Die Transistoren T1, T'1 müssen gleiche elektrische Eigenschaften aufweisen, ebenso wie die Transistoren T2, T¹2. Dies erfordert identische Geometrien der Transistoren, was nur durch monolithische,' mittels Maskierungs- und Diffusionstechnik erreichbare Integration der Transistoren auf demselben Substrat ermöglicht wird.

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Der Emitterstrom I„1 des Transistors T1 ist offensichtlich gleich dem Emitterstrom I'„1 des Transistors TM, so daß auch der Basisstrom I' 1 des Transistors T¹I praktisch gleich dem Basisstrom I₁₃

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des Transistors T1 ist. Ebenso werden die Kollektoren der Transistoren T2_f T¹2 von demselben Ausgangsstrom I durchflossen, so daß offensichtlich der Basisstrom Ι'_β2 des Transistors T'2 praktisch gleich dem Basisstrom I_,2 des Transistors T2 sein muß.

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Die Funktion dieser zweistufigen Stromquelle ist folgende: Der Transistor T¹2 stellt im Emitterkreis des Transistors T2 einen Widerstand dar, ebenso wie der Transistor T'1 im Emitterkreis des Transistors TI. Im letzteren Falle ist aber dieser Widerstand sehr klein, da der Transistor T'1 wegen der Verbindung zwischen seiner Basis und seinem Kollektor als Diode geschaltet ist. Der als Diode geschaltete Transistor T1 hat ebenfalls einen kleinen Widerstand.

Daraus ergibt sich, daß der Widerstand in» Basiskreis des Transistors T2 kleiner ist als der Widerstand in seinem Emitterkreis. Somit arbeitet der Transistor T2 in Basisschaltung. Der Ausgangswiderstand ist daher sehr hoch. Er nimmt einige Megohm bei einem Ausgangsstrom in der Größenordnung von 1 mA an und noch einige hundert Kiloohm für einen Ausgangsstrom von 10 mA. Somit liefert die integrierte Schaltung eine Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes für relativ beträchtliche Ströme.

In Fig. 3 ist eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Stromquelle mit mehreren voneinander unabhängigen Ausgängen gezeigt. Die Fig. 3 enthält wieder die Anordnung mit den Transistoren T1, T2, TM, T*2 der Fig. 2, denen die weiteren Sätze von Transistoren T3, T¹3 bzv.^T. T4, T¹4 zugeordnet sind, wobei jeder Satz aus zwei Transistoren gleichen Typs und gleicher in monolithisch integrierter -From realisierter Geometrie besteht. Die Transistoren T3, T4 sind

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in gleicher Weise wie der Transistor T2 mit der Basis und dem Kollektor des Transistors T1 verbunden. Ebenso sind die Transistoren T¹3, T¹4 auf die gleiche Weise wie der Transistor T¹2 mit der Basis und dem Kollektor des Transistors T'1 verbunden. Der Transistorsatz T3-T'3 liefert den Ausgangsstrom 13 und der Transistorsatz T4-T'4 den Ausgangsstrom 14, jeweils bei hohem Ausgangswiderstand. Man erhält somit eine Stromquelle hohen Ausgangs-•widerstandes mit mehreren voneinander unabhängigen Ausgängen, '.deren Zahl im Prinzip unbegrenzt ist.

Man erkennt leicht, daß, wenn die Transistorsätze T2-T'2, TS-T¹S, T4-T'4 untereinander identische elektrische Eigenschaften aufweisen, d. h. identische Geometrien, die Basisströme I_2, I_,3, I_4, ■l^l _ta2^/t^J^3-:>-I^I_4 der Transistoren T2, T3, T4, T'2, T¹ 3, T'4 praktisch einander gleich sind. Somit sind auch die Ausgangsströme 12, 13, 14 praktisch einander gleich. Die identische Geometrie der verschiedenen Transistoren läßt sich nur durch Anwendung der monolithischen Integrationstechnik, nämlich durch bekannte Maskierungsund Diffusionsschritte erreichen.

Darüber hinaus sind wegen der eben geschilderten Gleichheit der Geometrie der Transistoren T1, T"l, T2, T¹2, T3, T¹3, T4, T¹4 und der Gleichheit "aller Basisströme die Ausgangsströme 12, 13, 14 auch·praktisch gleich dem Referenzstrom I ^.

Es'läßt sich ferner feststellen, daß die in den Fig. 1, 2 und 3 beschriebenen Anordnungen außer dem Fall konstanten AusgangsStroms (¹J-Pf- konstant) Aus gangs ströme liefern können, deren Schwankungen den Schwankungen des Referenzstroms folgen, woher sich die Verwendung der Bezeichnung Stromspiegelschaltung für solche Anordnungen ableitet.

Die Fig. 4 zeigt das Schaltbild einer Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung mit aktiven Halbleiterbauelementen in Form einer

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monolithisch integrierten Schaltung unter Verwendung einer Stromquelle hohen Ausgangswideröt'ands entsprechend der Erfindung. Diese Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung wird in Datenvermittlungszentralen benutzt und arbeitet nach dem in der DT-OS 2 250 859 beschriebenen Prinzip. Sie ist einerseits mit einer Zweidraht-Teilnehmer leitung über die Anschlüsse 3, 4 und andererseits mit elektronischen Wahlstufen der Datenvermittlungszentrale über zwei unsymmetrische Kanäle R, S verbunden. Sie enthält im Prinzip zwei Differenzverstärker, deren erster durch die beiden Darlington-Transistorpaare T23-T'23, T24-T'24 und deren zweiter durch die beiden Darlington-Transistorpaare T25-T'25, T26-T'26 gebildet wird. Die Transistorpaare T23-T'23, T24-T'24 werden vom Konstantetrom 112, der im Emitterkreis des Transistors T23 fließt, und von dem diesem gleichen Konstantstrom 113 gespeist, der im Emitterkreis des Transistors T24 fließt. Ebenso werden die Transistorpaare T25-T'25, T26-T'26 vom Konstantstrom 110 im Emitterkreis des Transistors T25 und von dem diesem gleichen Konstantstrom 19 im Emitterkreis des Transistors T26 gespeist.

Für jeden Differenzverstärker ist eine Emitterverkopplung dadurch erreicht, daß zwischen den Emittern der Transistoren T23, T24 der' Widerstand R2 und zwischen den Emittern der Transistoren T25, T26 der Widerstand R4 eingefügt ist. Der gmeinsame Kollektor des Darlington-Transistorpaars T25-T'25 und-die Basis des Darlington-Transistorpaars T23-T'23 liegen am Anschluß 4 der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung sowie über den Widerstand R1 und die beiden als Dioden geschalteten Transistoren T21, T22 am Pluspol der Versorgungsspannung V. In gleicher Weise sind der gemeinsame Kollektor des Darlington-Transistorpaars T26-T'26 und die Basis des Darlington-Transistorpaars T24-T'24 mit dem Anschluß 3 der Zweidraht/ Vierdraht-Übergangsschaltung sowie über den Widerstand R¹I, der den gleichen Wert wie der Widerstand R1 hat, und über die als

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Dioden geschalteten Transistoren T21, T22 mit dem Pluspol der Versorgungsspannung V verbunden. Die Basen der Darlington-Transistorpaare T25-T'25, T26-T'26 sind über die gleichgroßen Widerstände R1O, R9 spannungsversorgt. Der gemeinsame Kollektor des Darlington-Transistorpaars T24-T'24 ist mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden, um ein unsymmetrisches Verhalten des aus den Darlington-Transistorpaaren T23-T'23, T24-T'24 gebildeten Differenzverstärkers zu erhalten.

Die auf der Zweidraht-Teilnehmerleitung an den Klemmen 3, 4 der Übergangsschaltung ankommenden Signale gelangen an die Basen des Differenzverstärkers mit den Transistorpaaren T23-T'23, Τ24-Τ'24. Dieser überträgt die Signale auf den Kanal S unter Zwischenschaltung des Darlington-Transistorpaars T5-T'5 in Basisschaltung, das als Stromgenerator hohen Ausgangswiderstands arbeitet. Die Kanäle S, R sind an einem mit negativer Spannung unter Zwischenschaltung von elektronischen Auswahlstufen verbundenen Verbinder (Koppelpunkt) angeschlossen.

Die die elektronischen Auswahlstufen auf dem Kanal R verlassenden Datensignale gelangen über den Widerstand R3 an die Basen der Differenzverstärkertransistorpaare T25-T'25, T26-T'26. Die beiden Kondensatoren C1, C2 sind zwischen die Klemmen des Widerstandes R3 und die Basen der Transistoren T¹25, T¹26 geschaltet, um die Gleichspannungskomponente der Datensignale an den Basen zu unterdrücken. Der Differenzverstärker mit den Transistorpaaren T25-T'25, T26-T'26 überträgt die Datensignale symmetrisch zu den Klemmen 3, der Teilnehmerleitung. Er überträgt die Datensignale in gleicher Weise auch auf die Basen der Transistoren T'23, T'24, so daß sie auch am Kollektor des Transistors T23 auftreten. Diese Signale werden jedoch durch die auf dem Kanal R am Kollektor des Transistors T23 über den mit den als Dioden geschalteten Transistoren T16_f T17 in Serie liegenden Widerstand R3 auftretenden Daten-.signale unterdrückt.

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Die Datensignele des Kanals R treten daher auf dem Kanal S nicht mehr auf. Man gelangt daher von einer symmetrischen Arbeitsweise mit zwei Leitungen auf der Seite der Teilnehmerleitung zu einer unsymmetrischen Arbeitsweise mit vier Leitungen auf der Seite der elektronischen Wählstufen. Die beiden Transistoren T19, T2O arbeiten als Dioden und schützen die Transistorpaare T23-T'23, T24-T'24 gegen, auf den Leitungen eventuell auftretende höhere Überspannungen. Ebenso schützt der als Diode geschaltete Transistor T18 das Darlington-Transistorpaar T5-T'5 gegen Überspannungen. Die beiden Kondensatoren L1, L2 in jeder Teilnehmerleitung unterdrücken die Gleichspannung der Teilnehmerleitung an den Klemmen 3, 4 der monolithisch integrierten Schaltung.

Im folgenden wird nun die Stromspeisung der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung nach Fig. 4 im Detail beschrieben: Der Referenzstrom I _r wird im Emitterkreis des Transistors T6 erzeugt, der ret ι

eine Reihenschaltung aus den beiden Widerständen R5/ R6 und aus den beiden als Dioden geschalteten Transistoren T7, T¹7 (Basis mit Kollektor verbunden) mit identischen elektrischen Kennwerten aufweist. Im Kollektorkreis des Transistors T6, in dem praktisch derselbe Strom fließt wie im Emitterkreis, sind ebenfalls zwei in Serie und auf dieselbe Weise als Diode geschaltete Transistoren T8, T¹8 identischer elektrischer Kennwerte angeordnet. Der Konstantstrom I__ef im Emitterkreis des Transistors T6 wird dadurch erzeugt, daß dessen Basis an einer konstanten Spannung liegt, die mittels des als Diode geschalteten und als Z-Diode wirkenden Transistors Z erzeugt wird. Mittels der Widerstände R5_r R6 kann der Wert des Referenzstroms I__ef eingestellt werden.

Der Emitter des Transistors T25 ist mit den Transistoren T1O, T¹IO identischer elektrischer Kennwerte und Geometrie verbunden, ebenso wie der Emitter des Transistors T26 mit den Transistoren T9, T¹9 identischer elektrischer Kennwerte und Geometrie. Außerdem haben diese vier Transistoren untereinander gleiche elektrische Eigenschaften und Geometrien. Die Basen der Transistoren T9, T10 sind

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mit der Basis des Transistors T7 und die Basen der Transistoren T¹9, T¹10 mit der Basis des Transistors T¹7 verbunden.

An dieser Stelle ist somit die in Fig. 3 dargestellte Konstantstromquelle hohen Ausgangswideretandes angeordnet. Die von ihr erzeugten Ströme 19, 110 sind aufgrund der Gleichheit der Transistoren T9, T¹9 und T10, T¹IO einander gleich. Die Emitter des aus den Darlington-Transistorpaaren T25-T'25, T26-T'26 gebildeten Differenzverstärkers sind somit von den gleichgroßen Strömen 19, 110 durchflossen. Dies gilt ebenso für den anderen Differenzverstärker, bei dem die Emitter der Transistoren T23 bzw. T24 mit den Transistoren T12_f T¹12 gleicher Geometrie bzw. mit den Transistoren T13, T¹13 gleicher Geometrie verbunden sind, welche vier zuletztgenannten Transistoren untereinander identisch sind. Die Basen der Transistoren T12, T13 liegen an der Basis des Transistors T8 und dj.e der Transistoren T¹12, T* 13 an der Basis des Transistors T¹8. Somit erhält man wie zuvor zwei identische Konstantströme 112, 113 in den Emitterkreisen der Transistoren T23, T24,

Für eine korrekte Funktion der Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung müssen die Speiseströme der beiden Differenzverstärker in einem bestimmten Verhältnis zueinander stehen; es muß gelten:

110/112 = 2K ,

wobei K das übersetzungsverhältnis des den Zweidraht/Vierdrahtübergang anstatt der beiden Differenzverstärker in bekannten Schaltungen gewährleistenden Transformators ist. Das Verhältnis 2K wird durch Einflußnahme auf die Geometrie der Transistoren T12, T'12, T13, ΤΊ3 im Verhältnis zu der der Transistoren T9, T'9, T10, T¹IO bei ihrer Integration eingestellt.

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Die erfindungsgemä3e · Stromquelle ist bei einer elektronischen Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung besonders vorteilhaft, weil sie beispielsweise Ströme von 8 mA für die Ströme 110,112 bei einem Ausgangswiderstand von 300 k liefert.

In Fig. 4 sind ferner die Transistoren T11, T'11 gleicher Geometrie zwischen den Pluspol der Versorgungsspannung V und den Kollektor des Transistors T23 geschaltet. Die 3asis des Transistors T11 ist mit der Basis des Transistors T12 und die des Transistors T¹11 mit der des Transistors T¹12 verbunden, wobei die beiden letzteren ebenso wie die beiden Transistoren T11, T12 identisch sind, so daß die Transistoren T11, T¹11 den dem Strom 112 gleichen konstanten Strom 111 liefern. Die beiden Ströme 111, 112 speisen die Kanäle R,S der elektronischen Auswahlstufen, die am an negativer Spannung liegenden Verbinder (Koppelpunkt) liegen. Der Kanal R wird ebenso wie der Kanal S von dem Strom (111 + 112)/2 durchflossen.

Die Zweidraht/Vierdraht-übergangsschaltung enthält in Weiterbildung der Erfindung ferner eine Unterbrechungsanordnung für den Speisestrom, falls die mit ihr verbundene Teilnehmerleitung nicht in Betrieb ist. Die Unterbrecheranordnung enthält den Transistor T14, dessen Emitter mit der Basis des Transistors T6, dessen Kollektor über den Widerstand R7 mit dem Pluspol der Versorgungsspannung V und dessen Basis mit einer Spannung über den am Pluspol der Versorgungsspannung V liegenden Widerstand R8 verbunden ist. Die Basis des Transistors T6 liegt ferner an der Drainelektrode des n-Kanal-Feldeffekttransistors T15, dessen Steuerelektrode mit dem Kanal S der Übergangsschaltung verbunden ist.

Die Funktionsweise der Unterbrecheranordnung ist folgende: Wenn die Teilnehmerleitung benutzt wird, d. h. wenn sie mit einem Verbinder (Koppelpunkt) über die Auswahlstufen verbunden ist, führt der Kanal S bezüglich Masse negatives Potential, weil der Verbinder (Koppelpunkt) selbst an negativer Spannung liegt. Die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors T15 ist dann negativ

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vorgespannt, so daß dieser gesperrt ist. Der Transistor T14, dessen Basis über den Widerstand R8 mit Spannung versorgt ist, ist dann leitend, und der als Z-Diode wirkende Transistor Z wird über den Widerstand R7 versorgt. Der Referenzstrom I _f entsteht am Transistor T6, und man erhält somit, wie oben beschrieben, die konstanten Speiseströme 19 = HO und 111 = 112 = 113.

Wenn die Teilnehmerleitung nicht benutzt ist, liegt der Kanal S nicht am Verbinder (Koppelpunkt) und führt somit praktisch die Spannung null. Der Feldeffekttransistor Ti5 ist dann genügend leitend, um das Basispotential des Transistors T14 auf einen niedrigeren Wert als die Stabilisationsspannung des als Z-Diode wirkenden Transistors Z absenken zu können. In den Transistoren T14, T6 fließt somit kein Strom, so daß auch der Referenz-StXOm zu null wird und ebenso die Versorgungsströme 19, HO, 111, 112, 113.

Somit verbraucht die Zweidraht/Vierdraht-Ubergangsschaltung, wenn sie mit der Teilnehmerleitung nicht verbunden ist, keinen Strom, ausgenommen den sehr geringen Strom, der im Widerstand R8 und im Feldeffekttransistor T15 fließt. Dieser Vorteil ist besonders wichtig, weil die Versorgungsströme bei dieser Art Schaltung relativ groß sind.

7 Patentansprüche
2 Blatt Zeichnungen mit
4 Figuren

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Claims (1)

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   PATENTANSPRÜCHE

   { 1. Monolithisch integrierte Stromquelle hohen Ausgangswiderstandes, die in Abhängigkeit eines Referenzstromes einen konstanten Ausgangsstrom liefert, mit einer aus einem vom Referenzstrom durchflossenen ersten Transistor und aus einem vom Ausgangsstrom durchflossenen zweiten Transistor gleichen Typs bestehenden ersten Stufe, dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine mit der ersten Stufe (1) derart verbundene zweite Stufe (2) vorgesehen ist, daß der zweite Transistor (T2) in Basisschaltung betrieben ist.

   2. Stromquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stufe (2) von einem im Emitterkreis des ersten Transistors (T1) angeordneten dritten Transistor (T¹T) gleichen Typs und gleicher Geometrie und von einem im Emitterkreis des zweiten Transistors angeordneten vierten Transistor gleichen Typs und gleicher Geometrie besteht, dessen Basis mit Basis und Kollektor des zweiten Transistors (T2) verbunden ist, und daß · die Emitter des zweiten und des dritten Transistors mit einer geeigneten Klemme der Referenzstromquelle verbunden sind.

   3. Stromquelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Anordnung weiterer Transistorpaare voneinander unabhängige Stromausgänge aufweist, derart, daß jeweils zwei dem zweiten (T2) und vierten Transistors (T'2) entsprechende Transistoren (T3, T'3; T4, T'4) untereinander gleichen Typs und· gleicher Geometrie mit dem ersten und dritten Transistor (T1, ΤΊ) in gleicher Weise verbunden sind wie der zweite und vierte Transistor.

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   4. Verwendung der Stromquelle nach Anspruch 3 zur Speisung einor elektronischen Zweidraht/Vierdraht-Übergangsschaltung, die in einer elektronischen Datenvermittlungszentrale verwendet wird, die einerseits mit einer symmetrischen Zweidraht-Teilnehmerleitung und andererseits mit elektronischen Wählstufen der Datenvermittlungszentrale über zwei unterschiedliche Kanäle (R, S) verbunden ist und die für jede Übertragungsrichtung einen aus identischen Transistoren aufgebauten ersten und zweiten Differenzverstärker enthält, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Emitter der Transistoren der beiden Differenzverstärker mit einem Ausgang der Stromquelle hohen Widerstands verbunden ist, wobei die mit den Transistoren desselben Differenzverstärkers verbundenen Transistoren untereinander zur Erzeugung gleicher Ströme identisch sind.

   5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der einzige Referenzstrom (I _f) im Emitterkreis eines an seiner Basis mit konstanter Spannung beaufschlagten Transistors (T6) erzeugt ist.

   6. Schaltung nach Anspruch 4- oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Unterbrechungsanordnung der Versorgungsspannung für den Fall enthält, daß sie nicht mit den elektronischen Wahlstufen der Datenvermittlungszentrale verbunden ist.

   7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ünterbrechungsanordnung einen Feldeffekttransistor (T15) enthält, dessen Steuerelektrode mit einem (S) der unsymmetrischen Kanäle verbunden ist.

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