DE2002404C3 - Spannungsabhängiger Widerstand aus einer Isolierfolie mit darin eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial - Google Patents
Spannungsabhängiger Widerstand aus einer Isolierfolie mit darin eingebetteten Körnern aus HalbleitermaterialInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen spannungsabhängigen Widerstand aus einer zusammenhängenden Folie aus
elektrisch isolierendem Material, in die Körner aus Halbleitermaterial derart aufgenommen sind, daß die
Körner auf beiden Folienoberflächen frei herausragen und die Folie auf beiden Oberflächen mit Metallkontaktschichten
überzogen ist, die herausragende Teile von Körnern elektrisch leitend miteinander verbinden.
Diese nichtlinearen Widerstände sind wie Dioden ausgebildet. Sie werden jedoch in einem Betriebsspannungsgebiet
verwendet in dem die Übergänge infolge des Tunneleffekts und/oder des Lawineneffekts in der
Sperrichtung einen mit der Spannung nichtlinear zunehmenden Strom durchlassen.
Widerstände dieser Art sind bereits bekannt, z. B. aus
der US-PS 32 10 831.
Der Autor dieser Patentschrift führt die Nichtlinearität dieser Widerstände auf die Spannungsabhängigkeit
der von ihm verwendeten Halbleitermaterialien zurück, von denen lediglich Siliciumcarbid als solches in der
Patentichrift genannt ist.
In der Regel ist der Widerstand von Halbleitermaterial jedoch nur dann spannungsabhängig, wenn es auf
besondere Weise vorbereitet ist, z. B. durch die Einführung von PN-Übergängen. In der genannten
US-Patentschrift ist jedoch nicht angegeben, wie die Nichtlinearität des Widerstandsmaterials, welche die
erwünschte Spannungsabhängigkeit des Widerstandes herbeiführen sollte, erzielt wird. Mögliche, weise soll
angenommen werden, daß auch bei den zusammengesetzten Widerständen nach der amerikanischen Patentschrift
32 10 831 die Nichtlinearität durch Ba-rieren
bewirkt wird, wie dies bei einfachen spannungsabhängigen Widerständen der Fall ist, die mit zwei gleichrichtenden
Metall-Halbleiterkontakten (Schottky-Übergängen) oder auch mit einem solchen gleichrichtenden und
einem ohmschen Kontakt versehen sind.
Solche einfachen Widerstände sind aus der OE-PS 2 65 370 bekannt
Solche einfachen Widerstände sind aus der OE-PS 2 65 370 bekannt
Unabhängig davon leuchtet jedoch ein, daß der Aufbau der Widerstände nach der US-PS 32 10 831 den
Vorteil hat daß, im Vergleich zu den Widerständer, nach der OE-PS 2 65 370, diese Widerstände einfacher und
durch Verwendung verhältnismäßig kleiner Mengen von Halbleitermaterial hergestellt werden können.
Andererseits sind, wie in der OE-PS 2 65 370 erwähnt
für den Zusammenbau spannungsabhängiger Widerstände Halbleitermaterialien mit einem Bandabstand
von mindestens 1,IeV besonders gut geeignet, wobei dort die A"1 Bv-Verbindung Galliumarsenid genannt ist
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, den
spannungsabhängigen Widerstand der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß er bei
Spannungen unterhalb von 10 V eine hohe Nichtlinearität d.h. eine steile Kennlinie besitzt und auch bei
kleinen Abmessungen mit einer hohen Reproduzierbarkeit der Widerstandseigenschaften herstellbar ist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Gesamtheit der folgenden Merkmale gelöst nämlich
daß die Körner aus Galliumphosphid bestehen und eine Größe von maximal 150 μΐη aufweisen und daß
mindestens eine der Kontaktschichten mit den herausragenden Körnerteilen gleichrichtende Metall-Halbleiterübergänge
bildet.
Auf diese Weise zusammengebaute Widerstände haben eine besonders große Nichtlinearität, ähnlich wie
die nach der OE-PS 2 65 370. Sie weisen diese jedoch auch bei wesentlich niedrigeren Betriebsspannungen als
den in dieser Patentschrift angegebenen auf.
Dank der Verwendung halbleitender Körner von maximal 150 μΐη bei einer großen Körnerdichte auf der
Folie auch bei kleinen Abmessungen der Folienoberfläehe lassen sich die die Widerstände, wegen der großen
Anzahl von Elementen aus denen die Widerstände aufgebaut sind, mit großer Reproduzierbarkeit der
Widerstandseigenschaften herstellen.
Der spezifische Widerstand der Halbleiterkörner läßt sich in bekannter Weise durch Zusatz von Donatoren
und Akzeptoren einstellen.
Außer anderen Parametern, wie der Oberfläche der Kontaktschichten, der Dichte der Körner auf der Folie
und der Größe und Zusammensetzung der Körner,
so ergibt diese Maßnahme die Möglichkeit der Einstellung der erwünschten Betriebsspannung der Widerstände.
Es hat sich gezeigt, daß Widerstände mit überraschend günstigen Eigenschaften, d. h. mit einer besonders
hohen Nichtlinearität bei niedriger Spannung, auf der Basis von Halbleiterkörnern aus Galliumphosphid
erhalten werden, wie an Hand des nachfolgenden Beispiels erläutert wird.
Folien, in die Körner aus Halbleitermaterial in Form einer ein-korn-dicken Schicht aufgenommen sind,
können bekanntlich auf verschiedene Weise hergestellt werden.
Die Körner werden z. B. zu diesem Zweck auf ein Substrat ausgebreitet und dann in einem Film flüssigen
Kunststoffes eingebettet, oder in eine plastische Folie
f>r>
gegebenenfalls unter Erwärmung eingepreßt. Darauf werden die Kornoberflächen, z. B. durch Schleifen,
Lösen oder Abätzen, örtlich frei von dem isolierenden Kunststoff gemacht, damit Kontaktschichten ange-
bracht werden können. Bei diesen Verfahren ist es
selbstverständlich nicht einfach, Folien herzustellen, in denen die Körner in Form einer ein-korn-dicken Schicht
in einer gleichmäßigen Verteilung bestimmter Dichte liegen.
Bei der Herstellung der Widerstände nach der Erfindung wird daher ein an sich bereits bekanntes
Verfahren bevorzugt, bei dem auf einem Substrat eine Klebeschicht z. B. aus einem Kautschukleim angebracht
wird, worauf die Körner ausgestreut werden. Nach dem
Entfernen der Körner, die nicht an der Klebeschicht haften, entsteht eine gleichmäßige, dichte Schicht mit
der Dicke eines Kornes (Philips Technische Rundschau 29 (1968) H. 9/10, Seiten 42 bis 45).
Weitere Vorteile dieses Verfahrens sind, daß nach dem Einbetten der Körner in einem Film isolierenden
Kunststoff die gebildeten Folien sich bequem von dem Substrat entfernen lassen und daß außerdem durch
einfaches Abwaschen der Klebeschicht die Körner auf der betreffenden Seite der Folien bereits frei herausragen
und mit den erforderlichen Kontaktschichten versehen werden können. Die Kornoberfläche auf der
anderen Seite der Folien können z. B. durch Lösen oder
Abätzen zum Anbringen der Kontakte frei gemacht werden.
Für die Zusammensetzung der Folien kommtn verschiedene thermoplastische und thermo-erhärtende
Materialien mit guten Isoliereigenschaften in Betracht. Zu bevorzugen sind jedoch Polyester und insbesondere
Polyurethane, die außer guten mechanischen und isolierenden Eigenschaften eine gute Haltbarkeit
aufweisen.
Zum Erzielen günstiger, reproduzierbarer Widerstandseigenschaften ist es selbstverständlich wichtig,
daß von Halbleiterstoffen großer Reinheit ausgegangen wird.
Die Kontaktschichten können durch Aufdampfen, gegebenenfalls in einem elektrischen Felde (Aufstäuben)
angebracht werden. Bekanntlich kommen viele Metalle, z. B. Gold, Platin, Silber, Kupfer und Aluminium,
zur Bildung von gleichrichtenden Metall-Halbleiterübergängen in Betracht.
Die Ausbeute an spannungsabhängigen Widerständen guter Qualität kann durch einige Maßnahmen bei
der Herstellung erheblich verbessert werden.
Es wurde festgestellt, daß durch Ionenbombardement der Folienoberfläche in einer Gasentladung vor dem
Anbringen der Kontaktschichten Widerstände mit stark verringertem Rauschen erhalten werden können.
Ferner wurde festgestellt, daß eine Formierung der kontaktierten Widerstandsiolie mittels eines Stromstoßes
eine günstige Wirkung ausübt. Möglicherweise werden schlechte Stellen in aen Widerständen, die z. B.
durch die Bildung ohmscher Kontakte auf einigen Halbleiterkörnern entstanden sind, durch einen Stromstoß
weggebrannt.
Obgleich es möglich ist, die Widerstandsfolie mit einer gleichrichtenden und einer ohmschen Kontaktschicht
auszubilden, wird meistens bevorzugt, die Widerstände auf beiden Seiten mit gleichrichtenden
Kontaktschichten zu versehen, da die einseitige Anbringung ohmscher Kontaktschichten die Herstellung
erschwert.
Die Herstellung von Widerständen nach der Erfindung kann sich z. B. wie folgt vollziehen:
Es wird von einerr. Pulver reinen Galliumphosphids
mit einem Zinkzusatz von 5 ppm ausgegangen, wodurch da« Pulver p-leitend im und einen spezifischen
Widerstand von 0,3 Ohm · cm bei 2O0C aufweist. Es wird eine Fraktion mit einer Korngröße von 40 bis
60 μπι ausgesiebt.
Auf einem Glassubstrat wird eine Schicht eines Kautschukleims angebracht, auf welche die Galliumphosphidkörner gleichmäßig ausgebreitet werden. Nach dem Trocknen unter leichter Erwärmung werden die nicht haftenden Körner mittels eines weichen Pinsels entfernt.
Auf einem Glassubstrat wird eine Schicht eines Kautschukleims angebracht, auf welche die Galliumphosphidkörner gleichmäßig ausgebreitet werden. Nach dem Trocknen unter leichter Erwärmung werden die nicht haftenden Körner mittels eines weichen Pinsels entfernt.
ίο Darauf wird das Substrat mit den anhaftenden
Körnern in eine Lösung polyurethan-bildender Bestandteile getaucht. Nach dem Abtropfen wird in der Luft
getrocknet und während 3A Stunde auf 150°C in einem
Luftstrom erwärmt, um das Polyurethan teilweise zu erhärten.
Die Folie wird darauf von dem Glassubstrat entfernt und die auf einer Seite vorhandene Leimschicht durch
Spülen in einem Gemisch aus Xylen und Benzin gelöst.
Darauf wird noch sorgfältig mit einer Seifenlösung, Wasser und Alkohole in dieser Reihenfolge gewaschen
und darauf getrocknet
Urn die Körner auch auf der anderen Folienoberfläche frei zu machen, wird während einiger Minuten mit
einer 5% alkoholischen KOH-Lösung geätzt. Darauf wird mit Alkohol und entionisiertem Wasser gewaschen.
N?.~h dem Trocknen wird die Folie während 1,5 Stunden auf 1500C ausgehärtet.
Ein Stück der so erhaltenden Folie 1 wird, wie dies schematisch in F i g. 1 der Zeichnung angedeutet ist,
zwischen zwei Metallmasken 2 und 3 vo;i 80 · 32 mm2 festgeklemmt, die mit 40 kreisförmigen Öffnungen mit
einem Durchmesser von 5 mm versehen sind.
Das Ganze wird in einer Metallglocke 4 untergebracht, die nach Entlüftung mit Argon bis zu einem
Druck von etwa 0,1 mbar gefüllt wird.
Mittels einer Spannung zwischen den Masken 2,3 und der Glocke 4 wird eine Gasentladung eingeleitet,
wodurch die von den Masken frei gelassenen Folienoberflächen einem Ionenbombardement ausgesetzt
werden. Bei einem Abstand zwischen den Masken 2, 3 und der Glocke 4 von 200 mm wurde bei einer
ange'jgten Spannung von 500 V die Entladung während 15 Minuten beibehalten.
Nach erfolgter Abkühlung der Folie 1, die durch den Ionenbombardement etwas erwärmt worden ist, und
nach dem Leeren der Glocke 4 wird mittels der Heizspiralen 5 und 6 Aluminium bis zu einer
Schichtdicke von etwa 1 μπι aufgedampft.
Nach dem Aufteilen der Folie ergeben sich dann Produkte, die entsprechend der schematischen Durchschnittsdarstellung
von Fig.2 aus einer isolierenden Folie 10 bestehen, in der Körner 11 aus Galliumphosphid
eingebettet sind und die auf beiden Seiten mit A'uminiunschichten 12 und 13 versehen ist.
Diese Widerstände, die aus einem Stück von 8 -8 mm2
bestehen, auf dem beiderseits kreisförmige Kontaktschichten von 5 mm Durchmesser vorhanden sind,
werden einem Stromstoß (etwa 1 see) von 200 mA zwischen den Kontaktschichten ausgesetzt.
Die erhaltenen Widerstände weisen eine Kennlinie nach Fig.3 auf. Die Nichtlinearität bleibt im Spannungsgebiet
zwischen 3 und 5 V sehr hoch das Rauschen ist niedrig und im Betrieb weisen sie praktisch
keine Schwankungen auf.
h'> Die Reproduzierbarkeit ist außerdem sehr gut. Bei
einer Belastung mit 11/inA zeigte sich, daß die an zehn
Widerständen gemessenen Spannungen zwischen 4.31 und4,54 Viagen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Spannungsabhängiger Widerstand aus einer zusammenhängenden Folie aus elektrisch isolierendem
Material, in die Körner aus Halbleitermaterial derart aufgenommen sind, daß die Kömer auf beiden
Folienoberflächen frei herausragen und die Folie auf beiden Oberflächen mit Metallkontaktschichten
überzogen ist, die herausragende Teile von Körnern elektrisch leitend miteinander verbinden, gekennzeichnet
durch die Gesamtheit der folgenden Merkmale, nämlich daß die Körner (11)
aus Galliumphosphid bestehen und eine Größe von maximal 150 um aufweisen und daß mindestens eine
der Kontaktschichten (12,13) mit den herausragenden Körnerteilen gleichrichtende Metall-Halbleiterübergänge
bildet
Z Verfahren zur Herstellung eines spannungsabhängigen
Widerstandes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß nach Aufnahme der Körner
(11) die Oberflächen der isolierenden Folie (10) in einer Gasentladung einem Ionenbombardement
ausgesetzt werden und daß erst dann die Kontaktschichten (12,13) aufgedampft werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die auf beiden Oberflächen mit
Kontaktschichten (12, 13) versehenen Widerstände einem Stromstoß ausgesetzt werden, um die
Kontakte zwischen den Körnern (11) und den Kontaktschichten (12,13) zu formieren.
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