DE1521625A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstueckchen kleiner raeumlicher Abmessungen - Google Patents

Description

Verfahren zur Herstellung von Halbleiter Stückchen kleiner räumlicher Abmessungen

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstückchen kleiner räumlicher Abmessungen, bei dem das Isolieren der einzelnen Halbleiter Stückchen durch elektrophoretische Abscheidung von in einer Dispersion verteilten Partikeln eines elektrisch isolierenden Stoffes erfolgt.

Bei dem Zusammensetzen von Einrichtungen aus Halbleiter Stückchen, die mit denselben fest verbundene Kontakte besitzen, auf gedruckte Stromkreise tragenden Unterlagen, ist es wesentlich, daß die seitlichen Flächen der Halbleiter Stückchen elektrisch vom gedruckten Stromkreis isoliert sind. Es ist auch wesentlich, daß diese Flächen elektrisch von der Lötung isoliert sind, welche zur Errichtung einer dauerhaften elektrischen Verbindung zwischen dem gedruckten Stromkreis und dem Kontakt auf der Halbleiter-Einrichtung verwendet wird. Sind die genannten Flächen nicht isoliert, wird der Halbleiter-Körper mit dem gedruckten Stromkreis kurzgeschlossen, und die Einrichtung wird unwirksam und unbrauchbar»

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Frühere Versuche zur Verhinderung solcher Kurzschluß-Kreise waren nicht gänzlich erfolgreich, oder, wenn sie erfolgreich waren, hatten die verwendeten Verfahren begleitende Nachteile, die nun im Hinblick auf die auf kleinere Größen der Halbleiter-Einrichtungen

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Görlchte to Entwicklung als nachteilig iind einschränkend zu betrachton sind· Z*B. iat ο in bekannter Entvmrf für die Verhinderung dor Kur^sciiluii-IvreißO von der beschriebenen Art in der Fig. 1 dargestellt. Sa Ist erwünscht, oino elektrische Verbindung zwischen dom einen Teil dor Halblelterstüalcehön-Einrlchtung, die allgemein mit dor Ziffer 4 bezeichnet ist, bildenden N-Typ-Iiaterial 2 und dem mit einen Lötmittel 6 beschichteten gedruckten Stromkrois-Teil 7 auf der. Eraser δ herausstellen. Eoi diesem früheren Entvmrf wird eine Kupferlragel 12 verwendet, um eine- elektrische Verbindung zwischen dem N-'fyp-i-iaterlal 2 und der.» gedruckten Stromkreis 7 zu errichten und wie ein Abstandshalter die seitliche Fläche 14 der Halbleiter-Einrichtung 4 urn einen genügenden Abstand von dem mit dein Lütmittel 6 beschichteten GSdr-uclsten Stroria*cis-Teil 7 versetzt zu halten. Bei Aufrcunterhaltung diccos Abstandes v;ird das Lötmittel 15 während de3 Lütvorgiingcrc c--n einem Piloten tellwoico aufv/ärts über die Fläche 14 Gohindcrt und la\rm dadurch das P-iyp-Katerial 16 nicht mit dc-ia geüruclcton. ßtroir.:a?eis 7 lcurzachließen. Eine isolierende Schicht 17 verhindert eino D^rüiu'unc unerwünschter Teile der Unterseite 13 der Ilalbleifcor-Einr ich tuns 4 juurch das L?5tinlttel 15·

Die Verv.'cndung dor Abntaiidsfcusoln bei dem oben beschriebenen Vsrfaliren ist Jedcoh nicht vollständig zufriedenstellend, besonders cann, wenn die Anzahl dor ilontaicte pro Ilalbleiter-EInrichtun:-; droi übersteigt· Wenn bolsplelsu-clse vier Verbindungen nach der in der Pig· 1 gezeigten Art su machen sind und eine Kugol nicht die richtige GrLSs hut, 1st es unmöglich, daß alle vier Kurein gleichzeitig die gedruckte Strcinkrelöflache und die Pliicho aor ilalbliJiter-^inrichtung berUi-iren. Bin solcher Zustand vorliindcrt dea richtiö^n Sitz dar Halbleiter-Einrichtung auf den Kugoln i;r \ oj-^ibt elclcürlache Verbindungen, deren Widerstand sich von VoruinJLuttc i:u Yerbinclun^ lodert· SuciVfc::lich ^u dicucm Problem der Ui-I^-C ichfwi-':".:L;;.:5lt üer AbStCU^:siaigoIn besteht auch die Noti-,'endic'::-i^ fVz· eine- ^ο-ηαιι g-Ji^^eitcte Binrichtung für das Einctcllo.i · :..i ΐν..-:ώ'^.ΙΙ-ο;ι der Kuc^lii vcr ücra LÖtvorqaug.

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Obwohl das oben beschriebene Verfahren das Problem der Verhinderung von Kurzschluß-Kreisen der genannten Art gemildert hat, wurde festgesetellt, daß ein Übelstand geblieben ist, welcher bisher die breite Anwendung dieses Verfahrens in bestimmten Anwendungen verhindert hat. Dieses aus der geringen physikalischen Grüße der Stückchen entstandene Problem umfaßt auch die wahlweise Beschichtung nur der Seltenflächen des StUckohens, ohne mehrfache Bearbeitung und Abdeckung Jedes Stückchens auf einer individuellen Basis vor dem Beschlohtungsvorgang, Bei extrem kleinen Größen der Stückchen, wie z.B. von ungefähr O,J6 mm Fläche und 0,2 mm Stärke, entsteht, durch das beim herkömmlichen Verfahren erforderliche Schneiden der Stückchen, das Abdecken und anschließende Beschichten eines jeden einzelnen Stückchens is-fc ein ermüdendes, zeitverbrauohendes und daher sehr teueres Verfahren· Dies folgt daraus, weil die Stückchen bei der Beschichtung mittels der bestehenden Verfahren individuell zwischen den Sohneide- und Abdeckungsarbeiten und zwischen den Abdeokungs- und Beschiohtungsvorgängen bearbeitet werden müssen. Obwohl die übliche Mehrfaohbesohiohtung eine teilweise Lösung der Probleme in Verbindung mit der geringen Große der Stückchen Insfern gewährt, al& die Stückchen nicht mehr einzeln zu beschichten sind, müssen die Stückchen nabh ihrem Abschneiden von einem größeren Materialblock doch noch einzeln abgedeckt und dann auf einem Mehrfach-Werkstückhalter montiert werden zur Vorbereitung für die herkömmliche Art der Mehrfachbesohichtung. Eine derartige individuelle Behandlung der Stückchen zwischen dem Sohneiden und Abdecken und zwischen dem Abdecken und Montieren auf dem Werkstückhalter vergrößert die Wahrscheinlichkeit der Beschädigung der Stückchen, und ist darüberhinaus unrationell und erfordert„auch zusätzliche

<o Arbeitssohritte.
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^₀ Es 1st die Aufgabe der Erfindung, unter Vermeidung der oben ange- ° führten Mängel der bekannten Verfahren ein neues Verfahren zu <=> schaffen, das ohne die Notwendigkeit einer sorgfältigen Behandlung

oo eines jeden einzelnen Stückchens und Ohne kostspielerige, zeitverbrauchende und zu Fehlerquellen führende Abdeck-Arbeitsvorgänge ' sich zur Massenproduktion cC^ittfc. Jtfc«5 wird erfindungsgemäß dadurch

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erreicht, daß eine Halbleiterfolie auf einer in einem Elektrophoresebad als Elektrode dienenden Platte mittels eines stromleitenden, in dem Bad unlöslichen Klebemittels befestigt wird, die obere Fläche der Folie mit einem Isoliermaterial belegt wird, anschließend die Folie mittels eines Schneidverfahrens, vorzugsweise mittels Ultraschall, in kleine Stückchen geschnitten und der dabei anfallende Staub entfernt wird, hernach das Eintauchen der Platte mit den aufgeklebten Halbleiterstückchen in das Elektrophoresebad nebst dem Anschließen dieser Elektrode und der Gegenelektrode an eine Spannungsque-Ie für eine bestimmte Zeitdauer erfolgt und anschließend sowohl das Isolier- j

material an der oberen Seite der Halbleiter Stückchen entfernt als auch die Stückchen selbst von der sie tragenden Elektrode abgelöst werden. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Einrichtungen vermeiden mit Sicherheit ein Kurzschließen des Körpers der Halbleiter-Stückchen mit den Kontakten des tragenden Teiles.

Es ist zwar die elektrophoretische Abscheidung von in einer Dispersion verteilten Partikeln eines elektrisch isolierenden Stoffes bekannt, jedoch stellt diese Abscheidung lediglich einen Teilschritt in dem erfindungsgemäßen Ver- Λ

fahren dar.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden aus einem einzigen Halbleiter-Rohling eine Vielzahl von Halbleiter-Stückchen erhalten, deren seitliche Flächen mit einem isolierenden Material beschichtet sind, wobei eine minimale Behandlung der einzelnen Stückchen erfolgt. Dies wird bewerkstelligt durch die Verkittung des Rohlings mit einem Träger, durch die Abdeckung des noch ungeschnittenen Rohlings, durch das Schneiden des

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aufgekitteten Rohlings in Stückchen und durch die darauffolgende Beschichtung der abgedeckten Stückchen, während diese noch auf dem Träger verkittet sind. Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren werden daher die Stückchen zum ersten Mal als Stückchen im Anschluß an den BeSchichtungsvorgang behandelt; mit den bekannten zur Erzeugung seitenbeschichteter Stückchen angewandten Verfahren müßten die Stückchen auf einer individuellen ^ Basis sowohl vor dem BeSchichtungsvorgang als auch im Anschluß an diesen

bearbeitet werden.

Einzelheiten der Erfindung sind nachstehend anhand eines in den Figuren veranschaulichten bevorzugten Ausführungsbeispieles beschrieben. Es zeigen;

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Fig. 1 einen vortikaXen Schnitt durch": eine Halbleiter-Stückchen-Einrichtung, welche eine bekannt© Abart eines einen Kurz-■ . ' Schluß verhindernden Entwurfes zeigt, bei welchem Abstandskugoln 2ur Verhinderuiiß von Kurzschlüssen verwendet werden,

Pig» 2 einen vertikalen Schnitt durch eine Halbleiter-Stückchen-. ·■ Einrichtung gemäß der Erfindung, bei der eine isolierende • Schicht an den Seitenflächen der Stückchen-Einrichtung zur Verhinderung von Kurzschlüssen verwendet wird,

Fig· J5 eine ähnliche Darstellung wie in der Fig. 2 mit dem Unter-" schied, daß die Halbleiter-Stückchen-Einrichtung nicht dauerhaft auf dem den gedruckten Stromkreis tragenden Teil montiert ist,

Fig. 4 eine perspektivische schematisohe Darstellung des Beschichtungavorganges in einem Zwischenzeitpunkt,

Fig· 5 einen vertikalen Schnitt durch die abgedeckten und ver-. bundenen Stückchen vor ihrer Beschichtung und

Fig. β einen.vertikalen Schnitt durch die abgedeckten und verbundenen Stückchen im Anschluß an ihre Beschichtung.

Die Fig. 2 zeigt eins als Element 4 dargestellte Halbleiter-Stüekchen-Einrichtung vor dem Lötvorgang. Die Stückchen-Einrichtung, dciron Seitenfläche entsprechend dem Verfahren der Erfindung beschichtet ist, wird später auf einen einen gedruckten Stromkreis enthaltenden Träger 24 (Fig. 2) montiert, Die HaIbleiter-Stückohon-Einrichtiuig 4 umfaßt ein gerades Prisiaa aus einem _; F-^yp-ilaterial 16 mit vier kongruenten Sgltenflachen. Auf die ' ■ untero FlKclie 18 eier Stückchen-Einrichtung 4 ist unter Verwendung bekannter Dotierverfahren eino kloine Menge des N-Typ-Materials 2 ^: aufgebracht und dadurch eino Kalbleitc-r-Vsrbindungseinrichtung . ■ gebildet. In elektrischer BoriUirung mit dem N-Typ-Material 2 ist _:

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eino Ablagerung von Lötmittel 28, Vielehe die Bildung der elektrischen Vorbindung Grleiahtert. Durch die in Ubereinstimniung mit dem neuen Verfahren angelegte Isolationsschicht 20 1st das Lötmittel 28 an der Berührung der.Seitenfläche 14 des P-Typ-Materiale: 16 gehindert· Die Unterfläche 18 des P-Typ-Materiales 16 ist gegen die Berührung mit dem Lötmittel 23 durch die isolierende Schicht 17 geschützt, die in einer, keinen Teil der Erfindung bildenden Welse angelegt 1st. Es ist zu vorstehen, daß die bisher beschriebene Halbleit.erstüokchen-Verbinduri£seinrichtung lediglich eine Art der Stüokohen-Elnriohtung' darstellt, an der das neue Beschichtungsverfahren anwendbar ist. Der Träger 24 der gedruckten Stromkreise umfaßt eine Unterlage S, auf deren Kopffläche der mit_: dem Lötmittel 6 beschichtete gedruckte Stromkreis T angeordnet ißt« Natürlich würde jede Art einer gedruckte

., Stromkreise tragenden Unterlage verwendbar seinj die beschriebene Art ist lodiglioh eine tno'glichö Abart. Schließlich ist ein geeignetes Harzflußmittöl 3Ö an die entsprechenden Plächenteile angelegt, welche elektrisch zu verbinden sind. Die Fig. 3 zeigt daher eine bekannte Halbleiter-Einrichtung, die ihre Seitenflächen in Übereinstimmung mit dem neuen Beschichtungsverfahren beschichtet hat, und eine eine gedruckte Schaltung tragende Unterlage unmittelbar vor dem LGt-* Vorgang, bei v/elchem eine dauerhafte elektrische Verbindung zwisohen dem N-Typ-Materiai 2 und dem gedruckten Stromkreis 7 hergestellt ·

Die Fig· 2 zeigt eine allgemein als Element 4 dargestellte HaIbleiterstÜokchen-Einrichtung nach dem Lütvorgang· Xn gleicher Weise if ie bei der Einrichtung 4 In dor Pig· 3 sind die Seitenflächen 14 mit einer isolierenden Schicht 20 gemäß dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung Überzogen mit dem Bestreben, Kurzsohluß-KröisG zu verhindern. Das N-Typ-Material.2 ist dauerhaft elektrisch mit dem gedruckten Stromkreis 7 verbunden. Als ein Ergebnis des Lötvorgangeg 1st das Lötmittel 22 teilweise entlang der Seitenfläche 14 aufwUrtsgeflossen, aber es 1st von dieser Fläche durch die isollerendo Schicht 20 elektrisch Isoliert, welche Schicht vorher

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in litosreinstiramung mit dem vorliegenden neuen Beschichtungsverfahren an das Stückchen aufgebracht wurde. Wäre die Seitenfläche 14 nicht in Übereinstimmung rait dem Verfahren beschichtet worden, würde der Lötmlttci-piuß 22 das P-Typ-Material 16 mit dem gedruckten Stromkreis 7 kurzgeschlossen.

Dio Fis. 4 zeigt eine perspektivische schematl3che Darstellung des Beschiohtungsverfahrens. in einem Zwisohenzoitpunkt gemäß einer bevorzugten Art der Ausführung des neuen Verfahrens, Vor dem Eintauchen in ein Elektrophoressbad 22 wird ein ungesöhnittener Halbleiter-Rohling (hier schon geschnitten gezeigt) rait einer neutralen Kathode ^6.aus rostfreie» Stahl verbunden. Der fiohling ist im wesentlichen ein Streifen mit pianparallelen Flächen von 6_Λ5 οι» und einer Dicke von 0,2 tma. Die Größe des Rohlinge ist nicht kritisch* sondern lediglich eine Angelegenheit der Wahl, und, falls' gev-rtinseht, kcJnnsn inGhr Stückchen ergebende größere Formstücke verv/onde.u werden. Eb ist auch zu verstehen, daß andere neutrale Kathoäen-Iiaterialiön, z.B. Platin, geeignet sein würden. Die verbindung des iingesehnittönen Rohlings mit der Kathode $S in Übereinstimmung mit dor Erfindung wird durch die Verwendung eines elektrisch leitenden Klebmittels,·- z.B. einem Silber-Epoxyd, erleichtert. Es können jedoch irgendwelche elektrisch leitende Klebemittel verwendet v/erden, weiche im Elektrophorese-Bad unlöslich sind. Das Klebmittel kann in jeder gebräuchlichen Weise auf eine oder auf beide der auf· einanclcrliagenden Flächen angelegt werden. Durch diesen einfachen Vc-rblndungsschritt werden zwei Dinge bewerkstelligt« Die untere Fläche 18 des Rohlings deckt die Kathode ^o wirksam ab,und eine elektrische Verbindung ist zwischen beiden hergestellt. Es 1st üoi.'j;tfc kein beconderer Abdsck- oder Maskierungcschritt erforderlich, um sicherzustellen, daß die Unterseite 1-8 des Rohlings während άοχ* darauff-olc;-3ndün Seiton-Boschichtungsarbelt unboschichtet bleibt· sn icaiiii spiitor ein Loitunssv/eg von der Spannunßsquelle 42 zum ii o^rlohtet v/orden ohno die Notyjondigkeit, verbindende Draht-

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leitungen direkt zum Rohling zu führen und dadurch der*n Beschädigung zu riskieren. Stattdessen können Droht leitungen von der Spannunga· quelle 42 mit der Kathode 36 mittels Krokodilklemmen oder dergleichen verbunden warden.

Nach der Verbindung der Unterseite 18 des ungeschnittenen Rohlinge mit der Kathode 36 iat die kopffläche 19 dos Rohlings nun zur Abdeckung baroit. Ein geeignetes isolierendes Abdeckmaterial 33 wird in irgendeiner herkömmlichen Weise auf die Stückchen-Flüche I9 aufgelegt. Jedös isolierende Abdeckmaterial kann verwendet werden, vorausgesetzt daß ec in dem elektrophoretisch^ Bad unlöslich ist. Schwarzes Wach3 z.B. ergibt cino gute Abdeckung·· In diesem Zeitpunkt ist der Rohling sowohl an seiner oberen Fläche 19 als auch an der unteren Fläche 18 durch don abdeckenden Überzug 3S bzw. duroh die Kathode 36 abgedeckt, und somit für den Schnittvorgang bereit· Ein einen Schleifsand auf der Ölba3l3 vorwendender Ultraschall-Schneider (nicht gezeigt) wird angewendet, um den Rohling in eine Vielsahl von Stückchen 3S zu teilen» Die Grüße der Stückchen 39 kann eich ändern, aber fUr die Zwecke der Erläuterung können sie einen . Querschnitt von 0,64 mm haben. Durch den Schnittvorgang ergibt sioh ein Zwischenraum kO zwischen den Seitenflächen H der StUokchon 39· . Die Größe dieses Zwischenraumes hängt von dem ausgewählten Schneid» ™ mittel ab und in vorliegenden Falle hat er eine Breite von ungofKhr 0,13 ium. Dem Schneideschritt folgend let es erwünscht, den ge· schnittonen Rohling zu reinigen, um alle Spuren des Olschlelfsandes zu entfernen. Somit sind die einzigen Flächen der Stüokohen 39, weloh· im nachten Arbeitsschritt exponiert und der Beschichtung unterworfen werden, dio Seitenflächen I4j die Ober- und Unterseiten wurden voraus-, gehend maskiert, damit nur die seitlichen Flächen der Stüokohen b«« sohichtbar 3lnd. ·.'..'■

Sobald der Rsinigungsschritt. vollendet wurde, ist die die atUokchen traeande Kathode 36, die im senkrechten Sohnitt lii der Fig· 5 dar· gestellt ist, zum Kintauchen in das Elektrophoresebad 32 bereit· .

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■Obwohl einige BUder verwendet werden könnten, wurde als ein geeignetes Bad eine Dispersion von 10 Milligramm nichtleitender> leicht Schmelzender und sehr reiner Glasteilchen mit einer Größe von einem halban Mikron oder kleiner pro Liter Äthylacetat £0fundon. Die Olasteilchen haben eine Zusammensetzung von annähernd 50 ρ Silizium-Oxyd, 29 % Blei-Oxyd, 13 % Bor-Oxyd, 7,5 # Aluminium-Oxyd und 0,5 % andere Oxyd-Beimengungen, und es wurde festgestellt, daß dieses Glas dichte, anhaftende, isolierende Schichten ergibt. PUr den Fachmann ist es selbstverständlich, daß das soeben beschriebene Bad eines von vielen Bädern 1st, die erfolgreich zur Ablagerung einer Isolationsschicht verwendbar sind. Das Dispersions-Medlura und die disperse Phase könnten sowohl wie die relativen Proportionen verändert werden. Es könnten beispielsweise die Glaspartikelchen durch Aluifliniumoxyd- oder Magnesiumoxyd-Partikelchen ersetzt werden und statt Äthylazetat könnte Wasser oder Methanol verwendet werden. Auch die Größe der Pirtikelchen kann verändert werden. Je größer jedoch die verwendeten Partikelchen sind, desto weniger anhaftend wird die resultierende Schichtung sein. Und natürlich ist zu verstehen, daß abhängig von der Aufladung der an dor Oberfläche der Partikelchen anhaftenden Ionen, die Elektrode 36" entweder eine Kathode oder eine Anode sein kann; diese Änderung des Elektroden-Typs wird lediglich durch die Umkehrung der Polarität der Verbindungen zur Spannungsquelle 42 ausgeführt. λ

VUe in der Fig. 4 ^ezelgt, ist die Gleichstrom-Spannunssquelle 42 mit den Blüktrodon 36 und 44 verbunden. Die Spannungsquelle 42 wird zur Errichtung eines Potintiales zwischen der Kathode 36 und der Anode 44 benutzt und kann von jeder Gebräuchlichen Type sein, ^₃ die sur Lieferuns von Gleichstrom befähigt ist. Die Anode 44 ist -vorzugsweise ähnlich der Kathode 3β und im vorliegenden Falle ist co

sie eine planparallele und neutrale rostfreie Stahlelektrode. Es ο ist erwünscht, die Anode 44 parallel zu den abgedeckten Flächen 19 Q der Stückchen 39 und mit olnea gerinsen Abstand von diesen einzustollen. Dies sichert eine einheitliche Ablagerungsseschwindigkeit ' α»-für aiii Stückciun. Nach dor Einstellung der Anode 44 bezüglich der Stückchen 39 wird ein Potential von ungefähr 200 Volt an die Elektroden 36 und 4*!· c.n:ic-lG^t und oin Strom von annähernd 0,2 rnA erzeugt.

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Ein solcher Strom wird in fünf Minuten eine dichte, hauptsächlich ßleiohformice* Gla3cchicht 20 (Pig· 6) »it einer Dicke von annähernd 0,0025 ran zum Niederschlag bringen. Mit Ausnahme der ungeschützten Fl Höhen der Kathodo werden nur dl ο niohtbsdookton SoitonflUohen der Stückchen mit Glas beschichtet. Die mit isolierendem Material abgedeckten Flüchen 19 werden nicht beschichtet« Durch Änderung der Lance des Boschiehtungovorganges und/oder der angelegten Spannung kann das Ausmaß der Ablagerung verändert werden.

Nach der Beschichtung der Seitenflächen 14 der Stückchen 29 sind¹ ) diene zum Herausnehmen aus dem Bad 32 bereit; das abdeckende Material 38 wird von den Stückchen abgenommen und die Stückchen selbst von der Kathode j56 getrennt. Um das abdeckende Material von der Kopffläche 19 der Stückchen zu entfernen, kann Jedes kommerziell verfügbare Lösungsmittel verwendet werden, welches in Silber-Epoxyd und Glas unlöslich ist· Sobald das Abdeckungsmaterial 58 entfernt ist, können die beschichteten Stückchen von der Kathode 56 abgenommen werden. Jeder kommerziell verfügbar« Epoxyd-Abstreifer, welcher nicht das Glas beeinflußt, kann verwendet werden, ua das Klebemittei von der Unterseite 18 der be· schichteten Stückchen zu entfernen.

Zur Verbesserung der Bindungekraft der Glasschicht 20 kann w diese für die Dauer von fUnf Minuten in Luft auf 550° C erhitzt werden. Dies ist jedooh nioht erforderlloh, sondern lediglich ein vorgeschlagenes Verfahren zur Verbesserung der AdhäsionscUte der Beschichtung und kann erv/ünecht sein, wenn ca wahrscheinlich ist, daß die beschichteten Stückchen einer rauhen und länceren Behandlung ausgesetzt werden.

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Claims (8)

1. Patentansprüche

   p.] Verfahren zur Herstellung von Halbleiter Stückchen kleiner räumlicher Abmessungen, bei dem das Isolieren der einzelnen Halbleiter Stückchen durch elektrophoretische Abscheidung von in einer Dispersion verteilten Partikeln eines elektrisch isolierenden Stoffes erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleiterfolie auf einer in einem Elektrophoresebad (32) als Elektrode dienenden Platte (36) mittels eines stromleitenden, in dem Bad (32) unlöslichen Klebemittels (34) befestigt wird, die obere Fläche (19) der Folie mit einem Isoliermaterial (38) belegt wird, anschließend die Folie mittels eines Schneidverfahrens, vorzugsweise mittels Ultraschall, in kleine Stückchen (39) geschnitten und der dabei anfallende Staub entfernt wird, hernach das Eintauchen der Platte (36) mit den aufgeklebten Halbleiter Stückchen (39) in das Elektrophoresebad (32) nebst dem Anschließen dieser Elektrode (36) und der Gegenelektrode (44) an eine Spannungsquelle (42) für eine bestimmte Zeitdauer erfolgt und anschließend sowohl das Isoliermaterial (38) an der oberen Seite (19) der Halbleiter Stückchen (39) entfernt als auch die Stückchen (39) selbst von der sie tragenden Elektrode (36) abgelöst werden.

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2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrode eine Platin-Platte (36) verwendet wird und das stromleitende in dem Elektrophoresebad unlösliche Klebemittel (34) ein Silber-Epoxydharz dar stellt.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Isoliermaterial (38) schwarzes Wachs verwendet wird.
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß etwa 200 Volt an die beiden Elektroden (36, 44) angelegt werden und dabei fünf Minuten lang ein Strom von etwa 0, 2 mA fließt.
5. 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrophoresebad (32) aus einer Dispersion von 10 mg nichtleitenden, leicht schmelzenden und sehr reinen Glasteilchen von einer Größe von höchstens einem halben Mikron pro Liter Äthylacetat besteht.
6. 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrophoresebad (32) aus einer Dispersion von 10 mg Aluminium- oder Magnesiumoxyd pro Liter Wasser oder Methanol besteht.
7. 7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasteilchen eine Zusammensetzung von etwa 50 % Silizium-Oxyd, 29 % Blei-Oxyd, 13 % Bor-Oxyd, 7, 5 % Aluminium-Oxyd und 0, 5 % andere Oxyd-

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   Beimengungen aufweist.
8. 8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die im Elektrophoresebad (32) erfolgte Beschichtung etwa fünf Minuten lang in Luft auf 550 C erhitzt wird.

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