DE19915065A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Abstract

Die Wirkung der Ableitung von Wärme von dem Halbleiterbauelement (20) ist dadurch verbessert, daß ein flacher Trägerbereich (16a) vorgesehen ist, an dem ein Leistungsbauelement (2) angebracht ist, und daß sich der Steuerungsbauelementbereich, an dem ein Steuerungsbauelement (3) angebracht ist, kontinuierlich mit dem flachen Trägerbereich (16a) erstreckt, und daß die gegenüberliegenden Seitenränder des flachen Trägerbereichs (16a) nach oben gebogen sind, um den Verstärkungsbereich (16b) zu bilden, so daß die Steifigkeit der Wärmeableitfläche (8) an der Rückseite des Bereichs des Trägers (15), an dem das Leistungsbauelement (2) angebracht ist, erhöht ist und die Kontaktfläche der externen Wärmesenke (22) und der Wärmeableitfläche (8) vergrößert ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das mit einem Leistungsbauelement versehen ist, und insbesondere ein Halb­ leiterbauelement, das einen Träger hat, der mit einem daran angebrachten Leistungsbauelement versehen ist, das auf einer externen Wärmesenke in Kontakt damit befestigt ist.

Zunächst wird nachstehend ein bekanntes Halbleiterbauelement beschrieben, das mit einem Leistungsbauelement versehen ist. Ein bekanntes Halbleiterbauelement 30 hat einen Leistungsbau­ elementchip 2, einen monolithischen Steuerungs-IC-Chip 3 und einen Widerstandschip 4, die auf einer Chipbefestigungsfläche eines Trägers 31 mit flacher Plattenkonstruktion angebracht sind, und ist als Ganzes mit einem Formkunststoff 32 so ge­ formt, daß eine Rückfläche 8 (nachstehend als Wärmeableit­ fläche bezeichnet) der Chipbefestigungsfläche des Trägers 31 freiliegt, wie die Fig. 6A und 6B zeigen. Die Wärmeableit­ fläche 8 wird ferner mit einer (nicht gezeigten) externen Wär­ mesenke in Kontakt gebracht und in dem Halbleiterbauelement 30 daran befestigt. Infolgedessen leitet die externe Wärmesenke von dem Halbleiterbauelement 30 erzeugte Wärme über die Wär­ meableitfläche 8 in die Atmosphäre ab. Die drei Chips 2, 3, 4 sind durch Bonddrähte 5 miteinander verbunden, so daß eine Schaltung gebildet ist, wobei der Steuerungs-IC-Chip 3 den Leistungsbauelementchip 2 steuert.

Der Träger 31 ist aufgrund der Konstruktion in Form eines fla­ chen Flächenkörpers nicht ausreichend steif und neigt dazu, sich zu verformen, was unter dem Einfluß von Spannungen des Formkunststoffs 32, die beim Einsiegeln des Leistungsbauele­ ments 2 erzeugt werden, zu einer verzogenen oder verworfenen Wärmeableitfläche 8 führt. Dies bewirkt, daß zwischen der ex­ ternen Wärmesenke und der Wärmeableitfläche 8 ein Zwischenraum gebildet wird, was zu dem Problem führt, daß von dem Halblei­ terbauelement 30 erzeugte Wärme nicht ausreichend abgeleitet werden kann.

Das Halbleiterbauelement 30 weist ferner das Problem auf, daß es wegen der Konstruktion des Trägers 31 in Form eines flachen Flächenkörpers für den Formkunststoff 32 schwierig ist, einen engen Kontakt mit dem Träger herzustellen, so daß das Halblei­ terbauelement eine geringe Zuverlässigkeit hat.

Die Erfindung soll die oben beschriebenen Probleme lösen, und Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement anzuge­ ben, das imstande ist, Wärme mit Hilfe einer externen Wärme­ senke über einen Träger wirksam abzuleiten, und ein Halblei­ terbauelement hoher Zuverlässigkeit anzugeben, die durch einen zufriedenstellend engen Kontakt zwischen dem Träger und einem Formkunststoff gewährleistet ist.

Zur Lösung der vorstehenden Aufgabe hat ein erstes Halbleiter­ bauelement gemäß der Erfindung einen Träger erhöhter Steifig­ keit, so daß ein Verwerfen oder Verziehen einer Wärmeableit­ fläche verhindert wird. Dabei weist das erste Halbleiterbau­ element gemäß der Erfindung ein Leistungsbauelement und ein Steuerungsbauelement auf, das das Leistungsbauelement steuert, wobei beide auf einer Bauelement-Befestigungsfläche des Trä­ gers angebracht und mit einem Formkunststoff eingesiegelt sind, so daß die Wärmeableitfläche an der Rückseite davon freiliegt, wobei die Wärmeableitfläche auf der externen Wär­ mesenke in Kontakt damit befestigt ist.

Die Befestigungsfläche des Trägers hat einen flachen Träger­ bereich, auf dem das Leistungsbauelement angebracht ist, und einen Steuerungsbauelementbereich, der sich kontinuierlich mit dem flachen Trägerbereich erstreckt, wobei das Steuerungsbau­ element darauf angebracht ist, während gegenüberliegende Sei­ tenränder des flachen Trägerbereichs nach oben gebogen sind, um einen Verstärkungsbereich zu bilden und die Steifigkeit der Wärmeableitfläche zu erhöhen.

Das erste Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung hat bevor­ zugt dort, wo der Formkunststoff in den Verstärkungsbereich eindringt, Durchgangslöcher oder Ausschnitte, so daß der Trä­ ger und der Formkunststoff fester miteinander verbunden sind.

Zur Lösung der vorstehenden Aufgabe ist bei einem zweiten Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung der Formkunststoff­ bereich in eine Vielzahl von Bereichen geringerer Größe unter­ teilt, so daß die durch den Formkunststoff verursachten Span­ nungen verringert und eine Verformung der Wärmeableitfläche verhindert wird. Dabei weist das zweite Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung ein Leistungsbauelement und ein Steue­ rungsbauelement auf, das das Leistungsbauelement steuert, wo­ bei beide auf einer Bauelement-Befestigungsfläche des Trägers angebracht und mit einem Formkunststoff eingesiegelt sind, so daß eine Wärmeableitfläche an der Rückseite davon freiliegt, wobei die Wärmeableitfläche auf der externen Wärmesenke in Kontakt damit befestigt ist.

Die Befestigungsfläche des Trägers hat einen flachen Trägerbe­ reich, auf dem das Leistungsbauelement angebracht ist, und einen Steuerungsbauelementbereich, der sich kontinuierlich mit dem flachen Trägerbereich erstreckt, wobei das Steuerungsbau­ element darauf angebracht ist, während der Leistungsbauele­ ment-Formbereich, in dem das Leistungsbauelement auf dem fla­ chen Trägerbereich eingesiegelt ist, und der Steuerungsbauele­ ment-Formbereich, in dem das Steuerungsbauelement darauf ein­ gesiegelt ist, voneinander getrennt sind.

Bei dem zweiten Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung sind bevorzugt gegenüberliegende Seitenränder des flachen Trägerbe­ reichs, auf dem das Leistungsbauelement angebracht ist, von dem Träger nach oben gebogen sind, um Verstärkungsbereiche zu bilden und die Steifigkeit der Wärmeableitfläche zu erhöhen, so daß eine Verformung der Wärmeableitfläche zuverlässiger verhindert wird.

Bei dem zweiten Halbleiterbauelement gemäß Erfindung sind fer­ ner bevorzugt dort, wo der Formkunststoff in den Verstärkungs­ bereich eindringt, Durchgangslöcher oder Ausschnitte in den Verstärkungsbereichen vorgesehen sind, so daß der Träger und der Formkunststoff fester miteinander verbunden sind.

Bei dem zweiten Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung wird außerdem dadurch, daß ein gekrümmter Leiterbereich vorgesehen ist, der sich zu dem Steuerungsbauelementbereich und dem fla­ chen Trägerbereich fortsetzt und zwischen dem Steuerungsbau­ element-Formbereich und dem Leistungsbauelement-Formbereich freiliegt, eine äußere Kraft von dem gekrümmten Leiterbereich absorbiert, so daß ein Bruch des Leiterbereichs verhindert wird und die Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements verbes­ sert werden kann.

Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausfüh­ rungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:

Fig. 1A eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauelement gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 1B eine Seitenansicht des Halbleiterbauelements gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 1C eine Querschnittsansicht entlang der Linie IC-IC in Fig. 1A;

Fig. 2A eine Draufsicht auf eine erste Abwandlung des Halb­ leiterbauelements gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 2B eine Seitenansicht der ersten Abwandlung des Halb­ leiterbauelements gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 3A eine Draufsicht auf eine zweite Abwandlung des Halb­ leiterbauelements gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 3B eine Seitenansicht der zweiten Abwandlung des Halb­ leiterbauelements gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 4A eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauelement gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 4B eine Seitenansicht des Halbleiterbauelements gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 5A eine Draufsicht auf eine Abwandlung des Halbleiter­ bauelements gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 5B eine Seitenansicht der Abwandlung des Halbleiterbau­ elements gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 6A eine Draufsicht auf ein bekanntes Halbleiterbauele­ ment;

Fig. 6B eine Seitenansicht des bekannten Halbleiterbauele­ ments.

Bevorzugte Ausführungsformen des Halbleiterbauelements werden nachstehend beschrieben.

Ausführungsform 1

Ein Halbleiterbauelement 20 gemäß der ersten Ausführungsform hat einen Formbereich 6, der an einer externen Wärmesenke 22 befestigt ist, wie Fig. 1A zeigt. Der Formbereich 6 weist fol­ gendes auf: einen Leistungsbauelementchip 2, einen Steuerungs­ bauelementchip 3 und einen Widerstandschip 4, die auf einem Träger 15 versiegelt sind, und der Träger 15 hat einen Be­ reich, in dem der Leistungsbauelementchip 2 an der Bauelement- Befestigungsfläche angebracht ist, und einen Bereich, in dem der Steuerungsbauelementchip 3 und der Widerstandschip 4 ange­ bracht sind.

Der Leiterrahmen oder Träger 15 erstreckt sich zu der Außen­ seite des Formbereichs 6, wobei ein Ende davon einen externen Anschluß 23 bildet. Wie Fig. 1B zeigt, weist der Formbereich 6 die drei Chips 2, 3, 4 auf, die gemeinsam mit dem Formkunst­ stoff eingesiegelt sind, während ein Bereich 8 (nachstehend als Wärmeableitfläche bezeichnet) an der Rückseite des Be­ reichs freiliegt, wo der Leistungsbauelementchip 2 auf der Bauelement-Befestigungsfläche angebracht ist, während der Be­ reich des Trägers 15 dort, wo der Steuerungsbauelementchip 2 und der Widerstandschip 4 angebracht sind, vollständig von dem Formkunststoff bedeckt ist.

Der Formbereich 6 ist ferner an der externen Wärmesenke 22 be­ festigt, wobei die Wärmeableitfläche in Kontakt mit der exter­ nen Wärmesenke 22 gebracht ist. Die drei Chips 2, 3, 4 sind durch Bonddrähte 5 miteinander verbunden, so daß eine Schal­ tung gebildet ist, in der der Steuerungsbauelementchip 4 den Leistungsbauelementchip 2 steuert.

Andererseits ist der Leistungsbauelementchip 2 auf dem Lei­ stungsbauelementbereich 16a angebracht, der ein flacher Be­ reich der Bauelement-Befestigungsfläche des Trägers 15 ist, und Trägerwände 16b sind vorgesehen, die sich entlang von Seitenrändern des Trägers 15 an beiden Seiten des Leistungs­ bauelementbereichs 16a erstrecken, so daß der Leistungsbau­ elementbereich 16a verstärkt wird.

Wie Fig. 1C zeigt, erstrecken sich dabei die Trägerwände 16b von dem Leistungsbauelementbereich 16a nach oben zu der Außen­ seite, und eine Vielzahl von Durchgangslöchern 9 ist in den Seitenflächen der Trägerwände 16b vorgesehen, wie die Fig. 1A und 1B zeigen. Bei dieser Ausführungsform haben die Durch­ gangslöcher 9 einen Durchmesser von 0,6 mm und sind in Abstän­ den von 2 mm angeordnet.

Wie oben beschrieben, wird, da die Steifigkeit der Wärmeab­ leitfläche 8 des Trägers 15 durch das Vorsehen der Trägerwände 16b an dem Träger 15 erhöht ist, eine Verformung des Trägers 15 aufgrund von Spannungen, die beim Einsiegeln oder Versie­ geln der Chips 2, 3, 4 erzeugt werden, vermieden, so daß ein Verwerfen oder Verziehen der Wärmeableitfläche 8 verhindert wird. Infolgedessen wird die Wärmeableitfläche 8 im flachen Zustand und ohne einen Zwischenraum in engem Kontakt mit der externen Wärmesenke 22 gehalten, so daß die von dem Leistungs­ bauelement 2 erzeugte Wärme wirksam abgeleitet werden kann.

Da der Formkunststoff in die in den Trägerwänden 16b geformten Durchgangslöcher 9 eindringt, sind der Formkunststoff und der Träger 15 fester miteinander verbunden, so daß die Zuverläs­ sigkeit des Halbleiterbauelements 20 verbessert wird.

Nachstehend wird das Halbleiterbauelement 20a gemäß einer er­ sten Abwandlung des Halbleiterbauelements 20 beschrieben. Wie Fig. 2 zeigt, hat das Halbleiterbauelement 20a Ausschnitte 10a, die in den Trägerwänden 16b so ausgebildet sind, daß sie sich zu der Unterseite der Trägerwände 16b hin öffnen. Bei dieser Ausführungsform haben die Ausschnitte 10a eine Abmes­ sung von 1 mm an einer Seite und sind in Abständen von 3 mm angeordnet. Das Halbleiterbauelement 20a ist mit Ausnahme der Ausschnitte 10a das gleiche wie das Halbleiterbauelement 20 der ersten Ausführungsform.

Da der Formkunststoff in die in den Trägerwänden 16b gebilde­ ten Ausschnitte 10a eindringt, sind der Formkunststoff und der Träger 15 fester miteinander verbunden, so daß die Zuverläs­ sigkeit des Halbleiterbauelements 20a verbessert wird.

Nachstehend wird ein Halbleiterbauelement 20b gemäß der zwei­ ten Abwandlung des Halbleiterbauelements 20 beschrieben. Wie Fig. 3 zeigt, hat das Halbleiterbauelement 20b Ausschnitte 10b, die in den Trägerwänden 16b so ausgebildet sind, daß sie sich zum oberen Ende der Trägerwände 16b hin öffnen. Bei die­ ser Ausführungsform haben die Ausschnitte 10b Abmessungen von 1 mm an einer Seite und sind in Abständen von 3 mm angeordnet. Das Halbleiterbauelement 20b ist das gleiche wie das Halblei­ terbauelement 20 der ersten Ausführungsform, mit der Ausnahme, daß die Ausschnitte 10b vorgesehen sind.

Da bei der oben beschriebenen Konstruktion der Formkunststoff in die in den Trägerwänden 16b gebildeten Ausschnitte 10b ein­ dringt, sind der Formkunststoff und der Träger 15 fester mit­ einander verbunden, so daß die Zuverlässigkeit des Halbleiter­ bauelements 20b verbessert wird.

Obwohl sich bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform die Trägerwände 16b von dem flachen Trägerbereich schräg nach oben erstrecken, ist die Erfindung nicht auf eine Konstruktion beschränkt, bei der sich die Trägerwände von dem flachen Trä­ gerbereich schräg nach oben erstrecken; die Trägerwände können sich von dem flachen Bereich auch vertikal nach oben erstrecken.

Ausführungsform 2

Nachstehend wird ein Halbleiterbauelement 21 gemäß der zweiten Ausführungsform beschrieben. Wie Fig. 4A zeigt, hat das Halb­ leiterbauelement 21 einen Leistungsbauelement-Formbereich 6a und einen Steuerungsbauelement-Formbereich 6b, wobei der Lei­ stungsbauelement-Formbereich 6a an einer externen Wärmesenke 22 befestigt ist. Der Leistungsbauelement-Formbereich 6a dient dem Einsiegeln des Leistungsbauelementchips 2, und der Steue­ rungsbauelement-Formbereich 6b dient dem getrennten Versiegeln des Widerstandschips 4 und des Steuerungsbauelementchips 3 auf dem Träger 15a. Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform hat der Träger 15a einen Bereich, in dem der Leistungsbauelement­ chip 2 an der Bauelement-Befestigungsfläche angebracht ist, und einen Bereich, in dem der Steuerungsbauelementchip 3 und der Widerstandschip 4 angebracht sind. Ein Ende des Trägers 15a dient als ein externer Anschluß 23.

Wie Fig. 4B zeigt, weist dabei der Leistungsbauelement-Formbe­ reich 6a den Leistungsbauelementchip 2 auf, der mit einem Formkunststoff versiegelt ist, während ein Bereich 8 (nachstehend als Wärmeableitfläche bezeichnet) an der Rück­ seite des Bereichs freiliegt, wo der Leistungsbauelementchip 2 auf der Bauelement-Befestigungsfläche angebracht ist. Der Steuerungsbauelement-Formbereich 6b weist den Steuerungsbau­ elementchip 3 und den Widerstandschip 4 darin versiegelt auf, so daß ein Bereich, in dem beide Chips 3, 4 daran angebracht sind, vollständig mit dem Formkunststoff bedeckt ist.

Andererseits liegt ein Teil 17 (nachstehend als freiliegender Leiterbereich bezeichnet) des Trägers 15a zwischen dem Lei­ stungsbauelement-Formbereich 6a und dem Steuerungsbauelement- Formbereich 6b frei. Die drei Chips 2, 3, 4 sind durch die Bonddrähte 5 miteinander verbunden, so daß eine Schaltung gebildet ist, in der der Steuerungsbauelementchip 3 den Lei­ stungsbauelementchip 2 steuert.

Da der Formbereich in zwei Bereiche unterteilt ist, haben der Leistungsbauelement-Formbereich 6a und der Steuerungsbauele­ ment-Formbereich 6b geringere Größe. Diese Konstruktion ver­ ringert die Spannungen, die beim Einsiegeln des Leistungsbau­ elementchips 2 auf dem Träger 15a erzeugt werden, und verhin­ dert daher eine Verformung der Wärmeableitfläche 8, so daß die Wärmeableitfläche in einem flachen Zustand gehalten werden kann.

Trägerwände, die denen der ersten Ausführungsform ähnlich sind, können ebenfalls an beiden Seiten des Leistungsbauele­ mentbereichs vorgesehen sein, wo der Leistungsbauelementchip auf der Bauelement-Befestigungsfläche des Trägers 15a ange­ bracht ist. Diese Konstruktion erhöht die Steifigkeit der Wär­ meableitfläche, so daß die Wärmeableitfläche zuverlässiger im flachen Zustand gehalten wird.

Es können ferner, ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform, Durchgangslöcher oder Ausschnitte in den Trägerwänden vorgese­ hen sein, so daß der Formkunststoff und der Träger fester mit­ einander verbunden sind.

Nachstehend wird eine Abwandlung des Halbleiterbauelements 21a gemäß der zweiten Ausführungsform unter Bezugnahme auf Fig. 5 beschrieben. Das Halbleiterbauelement 21a dieser Abwandlung ist das gleiche wie das Halbleiterbauelement 21, wobei jedoch eine U-förmige Krümmung 17a in dem freiliegenden Leiterbereich 17 vorgesehen ist.

Durch das Vorsehen der U-förmigen Krümmung 17a in dem freilie­ genden Leiterbereich 17 wird eine externe Kraft, die auf den externen Anschluß 23 übertragen wird, wenn eine zusätzliche Komponente an den externen Anschluß 23 des Halbleiterbauele­ ments 21a angeschlossen wird, in der U-förmigen Krümmung 17a absorbiert, so daß ein Bruch des freiliegenden Leiterbereichs 17 verhindert wird.

Da bei dem ersten Halbleiterbauelement die Trägerwände an bei­ den Seiten des flachen Bereichs des Trägers vorgesehen sind, wo der Leistungsbauelementchip angebracht ist, so daß die Steifigkeit der Wärmeableitfläche des Trägers erhöht wird, wird eine Verformung der Wärmeableitfläche des Trägers auf­ grund der von dem Formkunststoff verursachten Spannungen ver­ hindert.

Da bei dem ersten Halbleiterbauelement die Durchgangslöcher oder die Ausschnitte in den Trägerwänden vorgesehen sind, dringt der Formkunststoff in die Durchgangslöcher oder die Ausschnitte ein, so daß die Zuverlässigkeit des Halbleiterbau­ elements verbessert wird.

Da bei dem zweiten Halbleiterbauelement der Leistungsbauele­ ment-Formbereich, in dem der Leistungsbauelementchip versie­ gelt ist, und der Steuerungsbauelement-Formbereich, in dem Steuerungsbauelementchip versiegelt ist, getrennt vorgesehen sind, hat jeder Formbereich geringere Größe, so daß die von dem Formkunststoff erzeugten Spannungen verringert und eine Verformung des Trägers verhindert wird.

Da bei dem zweiten Halbleiterbauelement die Trägerwände an beiden Seiten des flachen Bereichs des Trägers vorgesehen sind, wo der Leistungsbauelementchip angebracht ist, so daß die Steifigkeit der Wärmeableitfläche des Trägers erhöht ist, wird eine Verformung der Wärmeableitfläche des Trägers auf­ grund der von dem Formkunststoff verursachten Spannungen zu­ verlässiger verhindert.

Da bei dem zweiten Halbleiterbauelement die Durchgangslöcher oder die Ausschnitte in den Trägerwänden vorgesehen sind, dringt der Formkunststoff in die Durchgangslöcher oder die Ausschnitte ein, so daß die Zuverlässigkeit des Halbleiter­ bauelements verbessert wird.

Da bei dem zweiten Halbleiterbauelement die Krümmung in dem freiliegenden Leiterbereich vorgesehen ist, der zwischen dem Leistungsbauelement-Formbereich und dem Steuerungsbauelement- Formbereich gebildet ist, wird ein Bruch des freiliegenden Leiterbereichs durch eine äußere Kraft verhindert.

Claims (6)

1. Halbleiterbauelement mit einem Leistungsbauelement (2) und einem Steuerungsbauelementchip, welches das Lei­ stungsbauelement (2) steuert, wobei beide auf einer Bauelement-Befestigungsfläche eines Trägers (15) ange­ bracht sind, der eine Wärmeableitfläche (8) hat, die mit einer externen Wärmesenke (22) an der Rückseite davon in Kontakt ist, und mit einem Formkunststoff ver­ siegelt sind,
wobei die Bauelement-Befestigungsfläche des Trägers (15) einen flachen Trägerbereich, auf dem das Lei­ stungsbauelement (2) angebracht ist, und einen Steue­ rungsbauelementbereich hat, der sich kontinuierlich mit dem flachen Trägerbereich erstreckt, wobei das Steue­ rungsbauelement (3) darauf angebracht ist, und
wobei gegenüberliegende Seitenränder des flachen Trä­ gerbereichs nach oben gebogen sind, um einen Verstär­ kungsbereich (16b) zu bilden.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Durchgangslöcher (9) oder Ausschnitte (10a, 10b) in den Verstärkungsbereichen (16b) vorgesehen sind, in die der Formkunststoff eindringt.

3. Halbleiterbauelement, das ein Leistungsbauelement (2) und ein Steuerungsbauelement (3) hat, welches das Lei­ stungsbauelement (2) steuert, wobei beide auf einer Bauelement-Befestigungsfläche eines Trägers (15a) ange­ bracht sind, der eine Wärmeableitfläche (8) hat, die mit einer externen Wärmesenke (22) an der Rückseite davon in Kontakt ist, und mit einem Formkunststoff ver­ siegelt sind,
wobei die Befestigungsfläche des Trägers (15a) einen flachen Trägerbereich, auf dem das Leistungsbauelement (2) angebracht ist, und einen Steuerungsbauelement­ bereich hat, der sich kontinuierlich mit dem flachen Trägerbereich erstreckt, wobei das Steuerungsbauelement (3) darauf angebracht ist, und
wobei ein Leistungsbauelement-Formbereich (6a), in dem der Leistungsbauelementchip (2) auf dem flachen Träger­ bereich versiegelt ist, und ein Steuerungsbauelement- Formbereich (6b), in dem der Steuerungsbauelementchip (3) darauf versiegelt ist, voneinander getrennt sind.

4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß gegenüberliegende Seitenränder des flachen Träger­ bereichs, auf dem das Leistungsbauelement (2) ange­ bracht ist, von dem Träger (15a) nach oben gebogen sind, um Verstärkungsbereiche (16b) zu bilden.

5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß Durchgangslöcher (9) oder Ausschnitte (10a, 10b) in den Verstärkungsbereichen (16b) vorgesehen sind, in die der Formkunststoff eindringt.

6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein gekrümmter Leiterbereich (17a) vorgesehen ist, der sich zu dem Steuerungsbauelementbereich und dem flachen Trägerbereich fortsetzt und zwischen dem Steue­ rungsbauelement-Formbereich (6b) und dem Leistungsbau­ element-Formbereich (6a) freiliegt.