DE4321592A1 - Halbleitervorrichtungen sowie Trägerteile und Leiterrahmen hierfür - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung in hoher Dichte mit einem daran angebrachten Halbleiterchip. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Chipauflage- Trägerteil (COB- bzw. "chip On Board"-Substrat), ein Filmbonde-Trägerteil (TAB-Substrat) und einen Leiterrahmen.

Fig. 7 ist eine Draufsicht auf ein herkömmliches Chipauflage-Trägerteil. Auf einem im wesentlichen rechteckig geformten Trägerhauptteil 5 ist eine Auflagefläche 1 für das Anbringen eines Halbleiterchips gebildet. Um die Auflagefläche 1 herum ist eine Vielzahl von Innenleitern 2 angeordnet. Ferner ist an den Rändern zweier Längsseiten 5a und 5b des Trägerhauptteils 5 eine Vielzahl von den Innenleitern 2 entsprechenden Außenleitern 4 angeordnet. Die einander entsprechenden Innenleiter 2 und Außenleiter 4 sind miteinander durch Leiterbahnen 3 aus einem leitenden Material wie Kupfer verbunden. Die Auflagefläche 1 ist allgemein rechteckförmig mit Seiten geformt, die zu den Seiten des Trägerhauptteils 5 parallel sind.

Der nicht dargestellte Halbleiterchip mit einer Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen wird an der Auflagefläche 1 dieses Chipauflage-Trägerteils angebracht, wobei die Elektrodenanschlußflächen und die Innenleiter 2 miteinander elektrisch durch nicht dargestellte Drähte verbunden werden. Dann werden der Halbleiterchip, die Auflagefläche 1, die Innenleiter 2 und die Drähte in Kunstharz oder dergleichen eingegossen, so daß eine Halbleitervorrichtung gebildet wird.

Falls gemäß Fig. 7 die Vielzahl der Außenleiter 4 auf unausgeglichene Weise zwischen den Längsseiten 5a und 5b des Trägerhauptteils 5 aufgeteilt ist, entstehen auf unerwünschte Weise Bereiche A und B, in denen die Leiterbahnen 3 für das Verbinden der Innenleiter 2 mit den Außenleitern 4 dicht angeordnet sind. Falls der Abstand zwischen den benachbarten Leiterbahnen 3 kleiner als ein vorbestimmter Wert ist, besteht die Gefahr einer Verschlechterung der Zuverlässigkeit durch Kurzschlüsse oder bei den elektrischen Eigenschaften auftretendes Übersprechen. Daher muß das Trägerhauptteil 5 eine große Breite haben, um die Abstände zwischen den Leiterbahnen in den dichten Bereichen A und B größer als ein vorbestimmter Wert zu machen. Infolgedessen entsteht in diesem Fall ein Problem dadurch, daß die Größe der Halbleitervorrichtung nicht verringert werden kann. Insbesondere muß beispielsweise im Falle eines Mikrocomputers, in dem ein Halbleiterchip mit einer großen Anzahl von Elektrodenanschlußflächen angebracht ist, das Trägerhauptteil 5 ausreichend groß bemessen werden.

Es könnte ein Verfahren mit einer derartigen Gestaltung in Betracht gezogen werden, daß zum Verhindern des Vergrößerns des Trägerhauptteils 5 das Trägerteil aus einer Vielzahl von Schichten besteht und die Schichten miteinander über Durchgangsöffnungen verbunden sind. Dabei entstehen jedoch andere Probleme insofern, als die Dicke des Trägerteils nicht verringert werden kann und daß die Anordnung zu kompliziert wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zum Lösen der vorstehend genannten Probleme eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, die durch Erhöhen der Zusammenbaudichte kompakt und zuverlässig ist, wobei ferner auch zum Bilden einer solchen Halbleitervorrichtung ein Chipauflage-Trägerteil, ein Filmbonde-Trägerteil und ein Leiterrahmen geschaffen werden sollen.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine erste Halbleitervorrichtung gemäß Patentanspruch 1, durch ein Chipauflage-Trägerteil gemäß Patentanspruch 6, durch eine zweite Halbleitervorrichtung gemäß Patentanspruch 10, durch ein Filmbonde-Trägerteil gemäß Patentanspruch 13, durch eine dritte Halbleitervorrichtung gemäß Patentanspruch 15 bzw. durch einen Leiterrahmen gemäß Patentanspruch 18 gelöst.

Die erste Halbleitervorrichtung und das Chipauflage- Trägerteil gemäß der Erfindung enthalten eine Vielzahl von Innenleitern, die im wesentlichen in Form eines Rechteckes angeordnet sind, das unter einem vorbestimmten Winkel in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils schräg gestellt ist, so daß benachbarte Leiterbahnen in Abständen angeordnet sind, die größer als ein vorbestimmter Wert sind.

Die zweite Halbleitervorrichtung bzw. das Filmbonde- Trägerteil ist erfindungsgemäß jeweils derart gestaltet, daß der Halbleiterchip in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseteils unter einem vorbestimmten Winkel schräg gestellt ist bzw. daß die Endabschnitte der Leiter unter einem vorbestimmten Winkel in bezug auf die jeweilige Seite des Eingußbereichs schräg gestellt sind, so daß zueinander benachbarte Leiter in Abständen angeordnet sind, die größer als ein vorbestimmter Wert sind.

Die dritte Halbleitervorrichtung und der Leiterrahmen gemäß der Erfindung haben eine derartige Gestaltung, daß Endabschnitte der Leiter unter einem vorbestimmten Winkel in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseteils bzw. Eingußbereichs schräg angeordnet sind, so daß zueinander benachbarte Leiter in Abständen angeordnet sind, die größer als ein vorbestimmter Wert sind.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.

Fig. 2 ist eine Draufsicht, die ein Chipauflage- Trägerteil zur Verwendung in der in Fig. 1 gezeigten Halbleitervorrichtung zeigt.

Fig. 3 ist eine Draufsicht, die ein bestimmtes Beispiel für das erfindungsgemäße Chipauflage-Trägerteil zeigt.

Fig. 4 ist eine Draufsicht, die eine Abwandlungsform des erfindungsgemäßen Chipauflage­ Trägerteils zeigt.

Fig. 5 ist eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbei­ spiel zeigt.

Fig. 6 ist eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbei­ spiel zeigt.

Fig. 7 ist eine Draufsicht, die ein Chipauflage- Trägerteil für die Verwendung in einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung zeigt.

Gemäß Fig. 1 hat eine Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung ein in Fig. 2 gezeigtes COB-Substrat bzw. Chipauflage-Trägerteil 10. Auf einem Trägerhauptteil 15, das aus Epoxyglas oder dergleichen besteht und das im wesentlichen zu einem Rechteck geformt ist, ist eine recheckige Auflagefläche 11 zum Anbringen eines Halbleiterchips ausgebildet. Die Auflagefläche 11 ist derart angeordnet, daß sie gegenüber einer jeweiligen Seite des Trägerhauptteils 15 einen Winkel e bildet. Um die Auflagefläche 11 herum ist eine Vielzahl von Innenleitern 12 angeordnet. D.h., die Innenleiter 12 sind in Form eines Rechteckes angeordnet, welches gegenüber einer jeweiligen Seite des Trägerhauptteils 15 den Winkel 8 bilden. Ferner ist an den Rändern zweier längerer Seiten 15a und 15b des Trägerhauptteils 15 eine Vielzahl von Außenleitern 14 angeordnet, die jeweils den vorstehend genannten Innenleitern 12 entsprechen. Die einander entsprechenden Innenleiter 12 und Außenleiter 14 sind miteinander durch Leiterbahnen 13 aus einem leitenden Material wie Kupfer verbunden.

Gemäß Fig. 2 sind die Länge L des Trägerhauptteils 15, die Anzahl der Innenleiter 12 und die Anordnung der Außenleiter 14 jeweils gleich der Länge des Trägerhauptteils 5, der Anzahl der Innenleiter 2 und der Anordnung der Außenleiter 4 des in Fig. 7 gezeigten herkömmlichen Trägerteils. D.h., die Außenleiter 14 sind auf ungleichmäßige Weise zwischen der längeren Seite 15a und der längeren Seite 15b des Trägerhauptteils 15 aufgeteilt. Wenn wie bei dem herkömmlichen Verfahren die Innenleiter 2 parallel zu einer jeweiligen Seite des Trägerhauptteils 5 angeordnet sind, entstehen gemäß der Darstellung in Fig. 7 in dem rechten oberen Bereich und dem linken unteren Bereich der Auflagefläche 1 auf unerwünschte Weise Bereiche, in denen die Leiterbahnen 3 dicht aneinander liegen. Daher ist das COB-Substrat 10 bzw. Chipauflage-Trägerteil 10 gemäß diesem Ausführungsbeispiel derart gestaltet, daß die Gesamtheit der zu einem Rechteck angeordneten Innenleiter 12 um einen Winkel R nach rechts schräg gestellt ist, um den Raum an dem zu der Auflagefläche 11 oberen rechten und unteren linken Bereich zu vergrößern, in denen dann die Leiterbahnen 13 leicht nebeneinander angeordnet werden können. Infolgedessen kann die Gesamtbreite W des Trägerhauptteils 15 im Vergleich zu dem in Fig. 7 gezeigten Trägerhauptteil 5 verringert werden, obwohl die zueinander benachbarten Leiterbahnen 13 in ausreichend großen Abständen von beispielsweise 100 µm oder mehr angeordnet werden können.

An der Auflagefläche 11 dieses Chipauflage-Trägerteils 10 wird gemäß Fig. 1 ein Halbleiterchip 16 befestigt. Ferner wird eine Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen 17, die auf der Oberfläche des Halbleiterchips 16 ausgebildet sind, durch Drähte 18 elektrisch mit den entsprechenden Innenleitern 12 verbunden. Die Fig. 1 zeigt einen Teil der Vielzahl der Elektrodenanschlußflächen 17 und der Drähte 18, während die restlichen Teile weggelassen sind. In Fig. 1 ist mit 19 ein dicht eingegossener Bereich dargestellt, in welchem der Halbleiterchip 16, die Auflagefläche 11, die Vielzahl der Innenleiter 12 und die Vielzahl der Drähte 18 mit einem Vergußmaterial wie Kunstharz in einem Vergußverfahren oder dergleichen dicht abgeschlossen sind. Als Ergebnis ist die Halbleitervorrichtung fertiggestellt.

Die Fig. 3 ist eine Draufsicht auf ein COB-Substrat bzw. Chipauflage-Trägerteil, das auf konkrete Weise erfindungsgemäß gestaltet ist. Das Chipauflage-Trägerteil wird zum Anbringen eines Mikrocomputerchips verwendet und hat 96 Außenleiter 24 an einer längeren Seite 25a eines Trägerhauptteils 25 sowie 50 Außenleiter 24 an einer längeren Seite 25b desselben. Durch Schrägstellen der gesamten Anordnung von Innenleitern 22 in einem Winkel von 150 nach rechts zu kann die Breite des Trägerhauptteils 25 von 28,0 mm, die bei der herkömmlichen Gestaltung erforderlich waren, auf 24,0 mm verringert werden.

Es ist anzumerken, daß an einem einzelnen Chipauflage­ Trägerteil eine Vielzahl von Halbleiterchips angebracht werden kann. Ein in Fig. 4 gezeigtes Chipauflage-Trägerteil hat eine erste und eine zweite Auflagefläche 31a und 31b. Um die Auflageflächen 31a und 31b herum sind jeweils eine erste und eine zweite Gruppe von Innenleitern 32A und 32B ausgebildet, die in Form eines Rechtecks angeordnet sind. An dem Rand eines Trägerhauptteils 35 sind eine der ersten und der zweiten Gruppe der Innenleiter 32A und 32B entsprechende erste und zweite Gruppe von Außenleitern 34A und 34B angeordnet. Die Innenleiter 32A der ersten Gruppe sind über Leiterbahnen 33a mit den Außenleitern 34A der entsprechenden ersten Außenleitergruppe verbunden. Gleichermaßen sind die Innenleiter 32B der zweiten Gruppe über Leiterbahnen 33b mit den Außenleitern 34B der zweiten Außenleitergruppe verbunden. Die erste Anschlußfläche 31a und die Innenleiter 32A der ersten Innenleitergruppe sind unter einem Winkel e zu einer jeweiligen Seite des Trägerhauptteils 35 angeordnet. Infolgedessen sind die ersten Leiterbahnen 33a in Abständen angeordnet, die größer als ein vorbestimmter Wert sind.

Es kann daher selbst dann, wenn eine Vielzahl von Halbleiterchips angebracht wird, die Größe des Trägerhauptteils 35 verringert werden. Obgleich bei dem in Fig. 4 gezeigten Chipauflage-Trägerteil die Anordnung derart gewählt ist, daß nur die erste Auflagefläche 31a und die erste Innenleitergruppe 32A für den einen der Halbleiterchips schräg gestellt sind, können beide Anschlußflächen 31a und 31b und beide Innenleitergruppen 32A und 32B für beide Halbleiterchips schräg angeordnet werden, falls es erforderlich ist. Ferner können auf gleichartige Weise an dem einzigen COB-Substrat bzw. Chipauflage­ Trägerteil drei oder mehr Halbleiterchips angebracht werden.

Die Fig. 5 zeigt eine Halbleitervorrichtung mit einem Leiterrahmen gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Der Leiterrahmen hat eine Auflagefläche 41 und eine Vielzahl von in Form eines Rechteckes um die Auflagefläche 41 herum angeordneten Innenleitern 42. Mit den Innenleitern 42 sind jeweils Außenleiter 44 verbunden. An der Auflagefläche 41 ist ein Halbleiterchip 46 befestigt, der eine Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen 47 hat. Die Elektrodenanschluß­ flächen 47 sind jeweils über Drähte 48 elektrisch mit den entsprechenden Innenleitern 42 verbunden. In Fig. 5 ist mit 49 ein dicht vergossener Bereich bezeichnet, in welchem der Halbleiterchip 46, die Elektrodenanschlußflächen 47, die Innenleiter 42 und die Drähte 48 mit Kunstharz oder dergleichen in der Weise dicht abgeschlossen sind, daß die Außenleiter 44 frei nach außen herausstehen. Als Ergebnis ist die Halbleitervorrichtung fertiggestellt. Der Leiterrahmen kann durch Ätzen oder Stanzen einer Metallplatte hergestellt werden.

Das zweite Ausführungsbeispiel ist derart gestaltet, daß die Auflagefläche 41 einen Winkel von e zu der jeweiligen Seite des rechteckigen Vergußbereichs 49 bildet, wodurch die Vielzahl der Innenleiter 42 in Form eines Rechteckes angeordnet sind, das im Winkel e schräg gestellt ist. Daher kann in einem kleinen Vergußbereich eine große Anzahl von Innenleitern 42 in Abständen angeordnet werden, die größer als ein vorbestimmter Wert sind. Obwohl in Fig. 5 die Form und die Anzahl der Innenleiter 42 vereinfacht dargestellt sind, kann tatsächlich auf ähnliche Weise wie die Leiterbahnen 13 der in Fig. 1 gezeigten Halbleitervorrichtung eine große Anzahl von Innenleitern 42 angeordnet werden.

Eine Keramikgehäuse-Halbleitervorrichtung kann auf gleichartige Weise hergestellt werden. D.h., ein Keramikmaterial und ein Metallmaterial mit einer mehrschichtigen Verschaltung werden in Form eines Gehäuses gesintert und es werden dann eine Auflagefläche, eine Vielzahl von Innenleitern und eine Vielzahl von Außenleitern gemäß der Darstellung in Fig. 5 gebildet, wonach ein Halbleiterchip angebracht wird. Die Vielzahl der Innenleiter wird in Form eines Rechteckes angeordnet, das in einem vorbestimmten Winkel zur Umrißlinie des Gehäuses schräg gestellt ist.

Die Fig. 6 zeigt als drittes Ausführungsbeispiel eine auch als TCP- bzw. "Tape Carrier Package"-Halbleitervorrichtung bekannte Gurtungsgehäuse-Halbleitervorrichtung, in der ein TAB- bzw. "Tape Automated Bonding"-Substrat, d. h., ein Trägerteil zum Filmbonden bzw. automatischen Gurten verwendet ist. Das Filmbonde-Trägerteil hat einen rechteckigen Isolierfilm 55, der in seinem mittigen Bereich eine rechteckige Öffnung 55a hat. An dem Isolierfilm 55 ist eine Vielzahl von Innenleitern 52 angebracht. Ferner ist mit jedem der Innenleiter 52 einstückig ein Außenleiter 54 verbunden. Der vordere Abschnitt eines jeden Innenleiters 52 ist der Öffnung 55a in dem Isolierfilm 55 zugewandt. In der Öffnung 55a des Isolierfilms 55 wird ein Halbleiterchip 56 mit einer Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen aufgenommen, welche jeweils direkt mit den vorderen Abschnitten der entsprechenden Innenleiter 52 verbunden werden. In Fig. 6 ist mit 59 ein Vergußbereich bezeichnet, in welchem der Halbleiterchip 56, der Isolierfilm 55 und die Vielzahl der Innenleiter 52 mit Kunstharz oder dergleichen in der Weise dicht abgeschlossen sind, daß die Außenleiter 54 nach außen frei herausstehen. Als Ergebnis ist die Halbleitervorrichtung fertiggestellt.

Das dritte Ausführungsbeispiel ist derart gestaltet, daß die Öffnung 55a des Isolierfilms 55 in einem Winkel von e zu der jeweiligen Seite des rechteckigen Vergußbereichs 59 schräg gestellt ausgebildet ist, wodurch der in der Öffnung 55a aufgenommene Halbleiterchip 56 im Winkel e schräg angeordnet ist. Daher kann in einem kleinen Vergußbereich eine große Anzahl von Innenleitern 52 in Abständen angeordnet werden, die größer als ein vorbestimmter Wert sind. In Fig. 6 sind zwar die Form und die Anzahl der Innenleiter 52 vereinfacht dargestellt, jedoch kann tatsächlich eine sehr große Anzahl von Innenleitern 52 auf gleichartige Weise wie die Leiterbahnen 13 der in Fig. 1 gezeigten Halbleitervorrichtung angeordnet werden.

Es wird eine Halbleitervorrichtung beschrieben, die ein im wesentlichen rechteckig geformtes Trägerhauptteil, eine auf der Oberfläche des Trägerhauptteils gebildete Auflagefläche, eine Vielzahl von an dem Umfang des Trägerhauptteils auf dichte Weise und auf grobe Weise gebildeten Außenleitern, eine Vielzahl von Leiterbahnen, die auf der Oberfläche des Trägerhauptteils ausgebildet sind und an ihren Endabschnitten mit entsprechenden Außenleitern verbunden sind, eine Vielzahl von Innenleitern, die auf der Oberfläche des Trägerhauptteils um die Auflagefläche herum ausgebildet sind, mit den anderen Endabschnitten entsprechender Leiterbahnen verbunden sind und gleichmäßig zum Bilden einer im wesentlichen rechteckigen Form angeordnet sind, welche in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils in einem vorbestimmten Winkel schräg liegt, um die Abstände zwischen benachbarten Leiterbahnen größer als einen vorbestimmten Wert zu machen, einen Halbleiterchip, der eine Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen hat und der an der Auflagefläche angebracht ist, und eine Vielzahl von Drähten für das Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen den Elektrodenanschlußflächen des Halbleiterchips und den Innenleitern aufweist.

Claims (19)

1. Halbleitervorrichtung, die ein im wesentlichen rechteckförmiges Chipauflage-Trägerhauptteil, eine auf der Oberfläche des Trägerhauptteils ausgebildete Auflagefläche, eine Vielzahl von an dem Umfang des Trägerhauptteils auf dichte Weise und auf grobe Weise ausgebildeten Außenleitern, eine Vielzahl von auf der Oberfläche des Trägerhauptteils ausgebildeten und an ihren Endabschnitten mit entsprechenden Außenleitern verbundenen Leiterbahnen, eine Vielzahl von auf der Oberfläche des Trägerhauptteils um die Auflagefläche herum ausgebildeten und mit den anderen Endabschnitten entsprechender Leiterbahnen verbundenen Innenleitern, einen an der Auflagefläche angebrachten Halbleiterchip mit einer Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen und eine Vielzahl von Drähten zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen den Elektrodenanschlußflächen des Halbleiterchips und den Innenleitern aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenleiter (12; 32) auf der Oberfläche des Trägerhauptteils (15; 35) um die Auflagefläche (11; 31a) herum auf gleichmäßige Weise in Form einer im wesentlichen rechteckigen Anordnung ausgebildet sind, die in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils unter einem vorbestimmten Winkel (6) derart schräg liegt, daß die Abstände zwischen benachbarten Leiterbahnen (13; 33a) jeweils größer als ein vorbestimmter Wert werden.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflagefläche (11; 31a) im wesentlichen rechteckförmig ausgebildet und derart angeordnet ist, daß sie in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils (15; 35) schräg liegt.

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenleiter (14; 34) an den Rändern von zwei einander gegenüberliegenden längeren Seiten (15a, 15b) des Trägerhauptteils (15; 35) ausgebildet sind.

4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Halbleiterchips (31a, 31b) vorgesehen sind und daß die Innenleiter (32), die mindestens einem der Halbleiterchips entsprechen, auf gleichmäßige Weise in Form einer im wesentlichen rechteckigen Anordnung ausgebildet sind, welche in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils (35) einen vorbestimmten Winkel (6) bildet.

5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerhauptteil (15; 35) aus Epoxyglas besteht.

6. Chipauflage-Trägerteil, das ein im wesentlichen rechteckförmiges Trägerhauptteil, eine auf der Oberfläche des Trägerhauptteils ausgebildete Auflagefläche, eine Vielzahl von auf der Oberfläche des Trägerhauptteils gleichmäßig -um die Auflagefläche herum in Form einer im wesentlichen rechteckigen Anordnung ausgebildeten Innenleitern, eine Vielzahl von jeweils den Innenleitern entsprechenden, auf dichte Weise und auf grobe Weise an dem Umfang des Trägerhauptteils ausgebildeten Außenleitern und eine Vielzahl von auf der Oberfläche des Trägerhauptteils ausgebildeten Leiterbahnen zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen jeweils einander entsprechenden Innenleitern und Außenleitern aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenleiter (12) zu einem Rechteck angeordnet sind, das in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils (15) unter einem vorbestimmten Winkel (6) schräg liegt, so daß die Abstände zwischen benachbarten Leiterbahnen (13) jeweils größer als ein vorbestimmter Wert werden.

7. Trägerteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflagefläche (11) im wesentlichen rechteckförmig ausgebildet und derart angeordnet ist, daß sie in bezug auf die jeweilige Seite des Trägerhauptteils (15) schräg liegt.

8. Trägerteil nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerhauptteil (15) im wesentlichen rechteckförmig ist und daß die Außenleiter (14) an den Rändern der einander gegenüberliegenden beiden längeren Seiten (15a, 15b) des Trägerhauptteils ausgebildet sind.

9. Trägerteil nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerhauptteil (15) aus Epoxyglas besteht.

10. Halbleitervorrichtung, die einen Isolierfilm mit einer darin ausgebildeten rechteckigen Öffnung, einen in die Öffnung des Isolierfilms eingesetzten Halbleiterchip mit einer Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen, eine Vielzahl von auf dem Isolierfilm angebrachten und an ihren Endabschnitten jeweils mit den Elektrodenanschlußflächen des Halbleiterchips verbundenen Leitern und einen im wesentlichen rechteckförmigen Gehäuseaufsatz zum dichten Umschließen des Halbleiterchips, des Isolierfilms und der einen Endabschnitte der Leiter in der Weise aufweist, daß die anderen Endabschnitte der Leiter außen herausstehen, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip (56) in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseaufsatzes (59) unter einem vorbestimmten Winkel (e) schräg angeordnet ist, damit die Abstände zwischen benachbarten Leitern (52) jeweils größer als ein vorbestimmter Wert werden.

11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung (55a) des Isolierfilms (55) in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseaufsatzes (59) unter einem vorbestimmten Winkel (e) schräg ausgebildet ist.

12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Halbleiterchip in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseaufsatzes unter einem vorbestimmten Winkel schräg angeordnet ist, damit die Abstände zwischen benachbarten Leitern jeweils größer als ein vorbestimmter Wert werden.

13. Filmbonde-Trägerteil, das einen Isolierfilm mit einer rechteckigen Öffnung zur Aufnahme eines Halbleiterchips und eine Vielzahl von Leitern aufweist, die auf dem Isolierfilm derart angebracht sind, daß Endabschnitte der Leiter in die Öffnung ragen,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein im wesentlichen rechteckig geformter Vergußbereich (59) gebildet ist, der die Öffnung (55a) des Isolierfilms (55) und die Endabschnitte der Leiter (52) umschließt, und daß die Endabschnitte der Leiter in Form einer im wesentlichen rechteckigen Anordnung ausgebildet sind, die in bezug auf eine jeweilige Seite des Vergußbereichs unter einem vorbestimmten Winkel (e) schräg liegt, damit die Abstände zwischen benachbarten Leitern jeweils größer als ein vorbestimmter Wert sind.

14. Trägerteil gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung (55a) des Isolierfilms (55) in bezug auf die jeweilige Seite des Vergußbereichs (59) unter einem vorbestimmten Winkel schräg ausgebildet ist.

15. Halbleitervorrichtung, die eine Auflagefläche, eine Vielzahl von Leitern, die derart angeordnet sind, daß Endabschnitte der Leiter die Auflagefläche umgeben, einen an der Auflagefläche angebrachten Halbleiterchip mit einer Vielzahl von Elektrodenanschlußflächen, eine Vielzahl von Drähten für das jeweilige Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen den Elektrodenanschlußflächen des Halbleiterchips und den Endabschnitten der Leiter und einen im wesentlichen rechteckig geformten Gehäuseaufsatz zum dichten Umschließen des Halbleiterchips, der einen der Endabschnitte der Leiter und der Drähte in der Weise aufweist, daß die anderen Endabschnitte der Leiter nach außen herausstehen,
dadurch gekennzeichnet, daß die einen Endabschnitte (42) der Leiter (42, 44) im wesentlichen in Form eines Rechteckes angeordnet sind, das in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseaufsatzes (49) unter einem vorbestimmten Winkel (e) schräg liegt, damit die Abstände zwischen benachbarten Leitern jeweils größer als ein vorbestimmter Wert werden.

16. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflagefläche (41) im wesentlichen rechteckförmig ist und in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseaufsatzes (49) unter dem vorbestimmten Winkel (e) schräg angeordnet ist.

17. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Halbleiterchips vorgesehen sind und daß mindestens einem der Halbleiterchips entsprechende Endabschnitte (42) der Leiter (42, 44) gleichmäßig zum Bilden einer im wesentlichen rechteckigen Anordnung ausgebildet sind, die in bezug auf die jeweilige Seite des Gehäuseaufsatzes (49) unter einem vorbestimmten Winkel (e) schräg liegt, damit die Abstände zwischen benachbarten Leitern jeweils größer als ein vorbestimmter Wert sind.

18. Leiterrahmen, der eine Auflagefläche und eine Vielzahl von Leitern aufweist, die derart angeordnet sind, daß Endabschnitte der Leiter die Auflagefläche umgeben, dadurch gekennzeichnet, daß in im wesentlichen rechteckiger Form ein Vergußbereich (49) gebildet ist, der die Auflagefläche (41) und die Endabschnitte (42) der Leiter (42, 44) umschließt, und daß die Endabschnitte der Leiter zu einer im wesentlichen rechteckigen Anordnung ausgebildet sind, die in bezug auf die jeweilige Seite des Vergußbereichs unter einem vorbestimmten Winkel (R) schräg liegt, damit die Abstände zwischen benachbarten Leitern jeweils größer als ein vorbestimmter Wert sind.

19. Leiterrahmen gemäß Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflagefläche (41) im wesentlichen rechteckig ist und in bezug auf die jeweilige Seite des Vergußbereichs (49) unter dem vorbestimmten Winkel (R) schräg angeordnet ist.