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DE1772555B2 - - Google Patents

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Publication number
DE1772555B2
DE1772555B2 DE1772555A DE1772555A DE1772555B2 DE 1772555 B2 DE1772555 B2 DE 1772555B2 DE 1772555 A DE1772555 A DE 1772555A DE 1772555 A DE1772555 A DE 1772555A DE 1772555 B2 DE1772555 B2 DE 1772555B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cadmium
sulfide
selenide
cds
kad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1772555A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1772555A1 (de
DE1772555C3 (de
Inventor
Hiroshi Yokohama Kanagawa Hanada
Nobuo Tokio Kitajima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of DE1772555A1 publication Critical patent/DE1772555A1/de
Publication of DE1772555B2 publication Critical patent/DE1772555B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1772555C3 publication Critical patent/DE1772555C3/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur In weiterer Verwendung des erfindungsgemäß her-
Hersteiiung von CdS oder CdSe zur Verwendung bei gestellten CdS- oder CdSe-Pulvers wird dieses mit elektrophotographischen Verfahren. einem Harzbindemittel vermischt und die sich erge-
Aus der USA.-Patentschrift 2 876 202 ist es bekannt, bende Mischung in einer Schicht von 50 bis 100 μιη reines Kadmiumsulfid- oder Kadmiumselenid-Pulver 25 Dicke zwischen einem Träger und einer isolierenden mit Silber oder Kupfer zu dotieren, um ein photo- Schicht aufgebracht, um eine elektrophotographisch leitendes Material mit vernünftig hohem Verhältnis lichtempfindliche Platte zu bilden,
von Hell- zu Dunkelleitfähigkeit zu erhalten, das sich Die Z-ichnung veranschaulicht ein Ausführungs-
zur Verwendung bei Photoleiter Bauelementen, wie beispiel einer solchen lichtempfindlichen Platte.
Photowiderstände, Photozellen u. dgl., eignet. 30 In der Zeichnung ist dargestellt, daß die licht-
Das photoleitende Material wird dabei in drei empfindliche Platte einen Träger 1 umfaßt, eine licht-Schritten hergestellt, nämlich: empfindliche Schicht 2, die das erfindungsgemäß her
gestellte CdS- oder CdSe-Pulver in einem Harzbinde-
1. Einführen von Silber und Kupfer als Aktivie- mittel wie z. B. Kunstharz enthält, und eine isolierende rungssubstanz im Rahmen einer ersten Warm- 35 Schicht 3. Die sich schließlich einstellenden Eigenschafbehandlung ; ten des erfindungsgemäß hergestellten CdS- oder CdSe-
2. Einführung eines Halogens als Koaktivierungs- Pulvers sind gut; so ist keine Dispersion vorhanden, substanz im Rahmen einer zweiten Warmbe- und die Korngröße ist sehr gering. Dadurch wird auch handlung und die Bildschärfe beträchtlich verbessert.
3. Erwärmen des solcherart behandelten Materials 40 Nachstehend sind Beispiele wiedergegeben,
in einer Schwefelatmosphäre. Beispiel 1
Alternativ kann auch der dritte Verfahrensschritt 100 g reines CdS, 10 g Kadmiumchlorid, 1 g Ammo-
weggelassen werden, wenn mit Zinkchlorid als Fluß- niumchlorid, 0,03 g Kupferchlorid und 250 ecm deionimittel gearbeitet wird. 45 siertes Wasser wurden durchmischt, getrocknet, in ein
Der Verfahrensschritt 2 wurde bisher als kritisch Quarzrohr eingebracht, 30 Minuten lang bei 6000C in angesehen, da er an sich dazu vorgesehen war, die Stickstoffatmosphäre gebrannt, mit Wasser gewaschen, Leitfähigkeit und Lichtempfindlichkeit des Materials getrocknet, mittels eines 325-Maschen-Siebs gesiebt, zu erhöhen. mit 0,2 g Schwefelpulver in ein Quarzrohr eingebracht
Zwar eignen sich die üblichen photoleitfähigen Ma- 50 und 10 Minuten lang bei 5000C in Stickstoff atmoterialien grundsätzlich auch zur Verwendung bei der Sphäre und dann weitere 10 Minuten lang unter Herstellung von elektrophotographischem Material; Vakuum gebrannt,
dieses gilt aber nicht uneingeschränkt, insbesondere . .
dann nicht, wenn es sich um ein mit persistenter innerer Beispiel 2
Polarisation arbeitendes Elektrophotographieverfahren 55 100 g Kadmiumsulfidpulver hochrein, 6 g Zinkoxid, handelt. Ähnliches gilt auch für jene Elektrophoto- 1 g Ammoniumchlorid, 12,4 ecm 12 n-SaLsäure, 0,03 g graphieverfahren, bei denen das elektrostatische La- Kupferchlorid und 20 ecm Wasser wurden zu einer dungsbild auf einer isolierenden Deckschicht erzeugt Paste sorgfältig gemischt und getrocknet. Die getrockwird, die Bestandteil eines aus dieser, einer darunter- neten Blocks wurden zu Teilchen von einer Größe liegenden photoleitfähigen Schicht und eines leitenden 60 von einer Erbse zerbrochen, in ein Quarzrohr einge-Schichtträgers in der angegebenen Reihenfolge aufge- bracht, 20 Minuten lang bei 600° C in einer Atmosphäre bauten Aufzeichnungsmaterials ist. aus Chlorid und stehender Luft gebrannt, mit Wasser
Bei Verwendung der herkömmlich hergestellten gewaschen, getrocknet und hernach wie in Beispiel 1 photoleitfähigen Materialien ergeben sich hier häufig weiterbehandelt,
unzureichende Ladungsbildkontraste (gleich Potential- 65 B e i s r> i e 1 3
unterschied zwischen belichteten und unbelichteten p
Bildbereichen). Die Vorgänge nach Beispiel 1 oder Beispiel 2 wurden
Demgemäß ist es Aufgabe der Erfindung, die Her- wiederholt mit. CdSe-Pulver an Stelle von CdS-Pulver.
Beispiel 4
Flüssiges Epoxyharz (Molekulargewicht etwa 350, Viskosität 5 bis 9 Poise bei 25 C), das etwa 12 Gewichtsprozent eines Amin-Härters enthielt, wurde als Bindemittel dem nach Beispiel 1 oder Beispiel 2 hergestellten CdS-Pulver in einer Menge von etwa 15 Gewichtsprozent, bezogen auf das CdS-Pulver, zugefügt. Das Ganze wurde genügend durchmischt, danach rasili auf eine Aluminiumfolie etwa 30 \ua stark aufgetragen und mit Hufe eines dünnen Metallrahmens eingeebnet Die Mischung wurde dann mit einem Polyäthylentherephthalat-Film von etwa 25 μΐη Dicke belegt und mit einer Rakel glattgestrichen.
Beispiel 5
Die in dem Beispiel 4 benutzte Mischung wurde auf einen Polyäthylentherephthaiat-Film aufgebracht, der sich auf einer flachen Platte befand, und direkt glattgestrichen, um die lichtempfindliche Schicht zu erhalten. Dann wurde das Ganze mit der Oberseite nach unten auf einen geeigneten Träger gelegt.
Beispiel 6
Es wurde wie nach Beispiel 4 gearbeitet, jedoch an Stelle einer Metallfolie ein Isolierfilm wie Polyäthylentherephthalat benutzt.
Auf den in den obigen Beispielen enthaltenen lichtempfindlichen Platten wurden dann elektrostatische Ladungsbilder erzeugt. An Hand des Kontraste der Ladungsbilder wurden die Eigenschaften der lichtempfindlichen Platte und der zu deren Herstellung benutzten Materialien endgültig bestimmt.
Hierzu wurde die lichtempfindliche Platte im Hellen oder Dunklen mit Hilfe einer Koronaentladung positiv aufgeladen, danach mit 10 Lux/sec bildmäßig belichtet und gleichzeitig hiermit einer im Sinne einer negativen Aufladung wirksamen Koronaentladung ausgesetzt. Anschließend erfolgte eine Totalbelichtung, um ein Ladungsbild auf der Oberfläche der isolierenden Schicht mit hohem Kontrast zu erhalten.
Die physikalischen Vorgänge sind dabei im einzelnen die folgenden: Die anfänglich auf der isolierenden Deckschicht erzeugte positive Ladung führt zu einer Polarisation bzw. negativen Ladungsinfluenzierung in der darunterliegenden photoleitfähigen Schicht. Diese Polarisation bzw. Ladungsinfluenzierung bleibt während der sich anschließenden bildmäßigen Belichtung an den nichtbelichteten Teilen (= dunkle Stellen des Originals) bestehen. Wegen der gleichzeitig mit der bildmäßigen Belichtung durchgeführten negativen Aufladung erhalten nun nur die belichteten Oberfiächenieüe eine negative Aufladung auf der Oberfläche, weil an diesen Stellen die anfänglich erzeugte innere Polarisation bzw. Ladungsinfluenzierung verschwunden ist und demgemäß einer Umladung nichts im Wege steht. Im Gegensatz hierzu widersetzen sich die ur,-
belichteten Bildteile einer solchen Umladung, w zwar wegen der hier wirksamen Abstoßungskrätu infolge der an diesen Stellen noch vorhandenen anfänglich erzeugten Polarisation. In diesen Bereichen findet allenfalls eine Neutralisierung der ursprünglichen
Oberflächenladung statt. Die anschließende Totalbelichtung sorgt dann für ein Verschwinden der inneren Polarisation bzw. der in der photoleitfähigen Schicht influenzierten Ladung, und es entstehen auf der isolierenden Deckschicht der Platte Ladungsbilder mit
ao negativem Potential in den belichteten Bereichen und mit nahezu neutralem Potential in den unbelichteten Bereichen.
Die Potentialdifferenz zwischen diesen Bereichen, d. h. der elektrostatische Kontrast des Ladungsbildes, wie dieser mit den erfindungsgemäß hergestellten Materialien erhältlich war, wurde dann dem mit den bekannten Materiahen erhältlichen Kontrast gegenübergestellt. Das Ergebnis ist in der nachfolgenden Tabelle wiedergegeben.
Oberflächen Oberflächen P1i»trtrrt
potential im potential im ClCK. UAJ-
c tfl 11 cpli Ar
belichteten
Bereich
unbelichteten
Bereich
β LfX L ISiWl ICf
Kontrast
35 Photoleitende
Platte, herge
stellt nach her
kömmlichem
Verfahren -900 V + 100V 1000 V
Photoleitende
Platte, herge
stellt gemäß
der Erfindung -1200V +150V 135OV
Die obigen Daten zeigen klar, daß die photoleitfähige Platte mit dem erfindungsgemäß hergestellten Material eine ausgezeichnete Leistungsfähigkeit besitzt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. stellung von CdS oder CdSe so zu modifizieren, daß
    Patentanspruch· bei Verwendung dieser Materialien in einem elektro-
    photographischen Verfahren eia wesentlich höherer
    Verfahren zur Herstellung von CdS oder CdSe Bildkontrast als bisher erzielt werden kann,
    zur Verwendung bei elektrophotographischen Ver- 5 Gemäß der Erfindung ist die Losung dieser Aufgabe fahren, gekennzeichnetdurchdie Korn- gekennzeichnet durch die Kombination des Erwärmens bination des Erwärmens von mit Ag oder Cu und von mit Ag oder Qi und Zusätzen vermischtem Kad-Zusätzen vermischtem Kadmiumsulfid oder Kad- miumsulfid oder Kadmiumselenid, des Haschens und miumselenid, des Waschens und Trocknens des Trocknens des erhaltenen dotierten Kadmiumsulfids erhaltenen dotierten Kadmiumsulfides oder Kad- io oder Kadmiumselenids und dem unmittelbar anschliemiumselenids und dem unmittelbar anschließenden ßenden Erwärmen des trockenen dotierten Kadmium-Erwärmen des trockenen dotierten Kadmium- sulfids oder Kadmiumselenids in einer Schwefelsulfids oder Kadmiumselenids in einer Schwefel- atmosphäre.
    atmosphäre. Gemäß der Erfindung wird also der bisher als unbe-
    15 dingt erforderlich angesehene, obenerwähnte Verfahrensschritt 2 weggelassen.
    Das erfindungsgemäße Verfahren ist demgemäß einfacher, liefert aber nichtsdestoweniger Materialien, mit denen ein wesentlich höherer Ladungsbildkontrast ao als bisher erreichbar ist.
DE1772555A 1967-06-08 1968-06-01 Verfahren zur Herstellung von CdS oder CdSe zur Verwendung bei elektrophotographischen Verfahren Expired DE1772555C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3662767 1967-06-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1772555A1 DE1772555A1 (de) 1970-08-20
DE1772555B2 true DE1772555B2 (de) 1973-12-06
DE1772555C3 DE1772555C3 (de) 1974-07-18

Family

ID=12475045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1772555A Expired DE1772555C3 (de) 1967-06-08 1968-06-01 Verfahren zur Herstellung von CdS oder CdSe zur Verwendung bei elektrophotographischen Verfahren

Country Status (3)

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US (1) US3647430A (de)
DE (1) DE1772555C3 (de)
GB (1) GB1174735A (de)

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Also Published As

Publication number Publication date
GB1174735A (en) 1969-12-17
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DE1772555C3 (de) 1974-07-18

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C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
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