DE1749114U - Selengleichrichterplatte mit druckkontakten. - Google Patents
Selengleichrichterplatte mit druckkontakten.Info
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Description
-
Es ist bei Selengleichrichterplatten bekannt, die Druckkontaktstellen durch einen Lackring oder durch eine'auf die Selenschicht aufgeklebt isolierfolie von der Selenschicht zu trennen, um ein Durchdrücken der Sperrschicht durch den Kontaktdruck zu vermeiden.Selengleichrichterplatte mit Druckkontakten jedoch Mängel so z. B. den, daß sich bei der hohen Temperatur während des Temi. erns nach dem Aufbringen der Gegenelektrode die Lack-oder Isolierstoffringe verwerfen und auch Gase bilden kennen, durch die die Kontaktstellen deformiert werden, insbesondere, wenn die aufgebrachte Gegenelektrode bei diesem Temperprozeß flüssig war.Die gebräuchlichen Anordnungen und Herstellungsverfahren haben C> - Die Erfindung weist einen neuen Weg zur Herstellung solher Selengleichrichterplstten, indem auf die spätere Kontaktstelle ein Metallring aufgelegt wird, der an der Unterseite, d. h. an der dem Selen zugekehrten Seite eine vorher aufgebrachte und bereits vollkommen ausgehärtete Lackschicht oder eine aufgeklebte Isolierschicht trägt. Gemäß der weiteren Erfindung besteht dieser Ring aus einem Metall, dessen Schmelzpunkt höher als die Temperatur liegt, bei der die Selenplatte nach dem Aufbringen des Metall- ! ringes und der Gegenelektrode später getempert wird. Ferner ist der Werkstoff gemäß der Erfindung so gewählt, daß er mit den Legierungskomponenten der Deckelektrode oder einer Komponente ; hiervon eine Legierung bildet, deren Schmelzpunkt tiefer liegt als die Temperatur, bei welcher getempert wird, ao daß der Ring mit der Deckelektrode während des Tempern verlötet und nach der Abkühlung beider Teile ein sicherer elektrischer Kontakt zwischen
stellt, an Hand deren das Herstellungsverfahren der Selengleichrichterplatte beschrieben wird. Das Ausführungsbeispiel beziehtden beiden Teilen vorhanden ist. ! Ein Ausführungsbeispiel einer Selengleichrichterplatte nach der Erfindung ist in den Fig. 1 und 2 schematisch im Schnitt darge- 4 bezeichnet. Der Metallring 2 wird mit seiner Lackschicht 3 auf die Selenschicht 1 gedrückt, was beispielsweise durch einen Nippel ; 5 bewirkt werden kann. Der Nippel 5 hat solche Abmessungen, daß er den Außenrand 6 des lackierten Metallringes 2 freiläßt. Nach diesen Vorbereitungen werden die Selenplatte und der freie Rand des Ringes auf ihren Oberflächen mit dem Deckelektrodenmaterial 4 versehen. Dabei wird also der vom Nippel 5 freigelassene Rand 6 des aufgelegten Metallringes 2 ebenfalls von dem Deckelektroden- ; material bedeckt. Der Rand 6 des Metallringes 2 und die benachbarte, äußere Zone 8 der Plattenoberfläche können noch zusätzlich ringförmig mit einer weiteren Schicht 9 des Deckelektrodenmaterials versehen werden, um einen noch festeren Zusammenhang zwischen demsich auf einen Metallring) der eine Lackschicht trägt. ! ! Die Selenschicht ist mit 1, der Metallring mit 2, die an seiner Unterseite befindliche Lackschicht mit 3 und die Deckelektrode mit und um die elektrische Leitfähigkeit an dieser Stelle besonders zu verbessern. Daraufhin wird der Nippel 5 abgenommen und gibtMetallring 2 und dem übrigen Teil der Deckelektrode 4 herzustellen , Kontaktierung benutzt werden soll. Der Letallring 2 ist dabei durch die seinen Rand bedeckende Lackschicht niedergehalten.den unbedeckten Teil 10 des Metallringes 2 frei, der zur späteren - Bei der darauf folgenden Temperung bleibt der metallring 2 im lanzen fest, da seine Schmelztemperatur nicht erreicht wird. An den Stellen jedoch, an denen der metallring 2 vom Material der Deckelektrode 4 bedeckt ist, bildet sich zunächst an der Oberflache und mit der Zeit tiefer eindringend eine Legierung zwischen dem Metallring 2 und einer oder mehreren der Komponenten der Deckelektrode 4, deren Schmelztemperatur tiefer liegt als die angewendete Tempertemperatur. Die Randzone des Metallringes 2 wird also mit der Deckelektrode 4 während des Temperprozesses fest verlötet und bildet nach der Abkühlung einen sicheren elektrischen Kontakt. Da der metallring 2 nach der Entfernung des Nippels 5 lose aufliegt und nur in seiner äußeren Randzone von dem Deckelektrodenmaterial 4 niedergehalten ist, können beim Tempern evtl. sich bildende Gase aus der darunterliegenden Lackschicht 3 zum Innenrand des Metallringes 2 gelangen und dort abströmen. Eine Deformation des Metallringes 2 an der späteren Kontak, (Lstelle viird mit Sicherheit verhindert, weil dieser Teil des Metallringes 2 seinen Schmelzpunkt nicht erreicht, also fest bleibt.
- Ein weiterer durch die Erfindung erzielter Vorteil liegt darin, daß die spätere Kontaktfläche 10, siehe Fig. 2, von dem glatten j etallring 2 gebildet wird, der einen guten Kontakt gewährleistet
und somit für die Kontaktierung mit einem Abstandsstück für den I Säulenaufbau einer Gleichrichtersäule besonders geeignet ist. Die Erfindung ist nicht an die beschriebene Aus führungs form gebun-' den. So kann man z. B. anstelle des Lackringes 2 auch einen Isolier- Verwenden. 2Figuren Sdlutzenspruche Schutzcnsprüche
Claims (1)
-
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1954S0014543 DE1749114U (de) | 1954-08-27 | 1954-08-27 | Selengleichrichterplatte mit druckkontakten. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1954S0014543 DE1749114U (de) | 1954-08-27 | 1954-08-27 | Selengleichrichterplatte mit druckkontakten. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1749114U true DE1749114U (de) | 1957-07-25 |
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ID=32745902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1954S0014543 Expired DE1749114U (de) | 1954-08-27 | 1954-08-27 | Selengleichrichterplatte mit druckkontakten. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1749114U (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1060055B (de) * | 1957-11-15 | 1959-06-25 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung der elektrischen Anschluesse von Halbleiteranordnungen |
-
1954
- 1954-08-27 DE DE1954S0014543 patent/DE1749114U/de not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1060055B (de) * | 1957-11-15 | 1959-06-25 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung der elektrischen Anschluesse von Halbleiteranordnungen |
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