Selengleichrichterplatte mit Druckkontakten
Es ist bei Selengleichrichterplatten bekannt, die Druckkontaktstellen durch einen
Lackring oder durch eine'auf die Selenschicht aufgeklebt isolierfolie von der Selenschicht
zu trennen, um ein Durchdrücken der Sperrschicht durch den Kontaktdruck zu vermeiden.
Die gebräuchlichen Anordnungen und Herstellungsverfahren haben
C>
jedoch Mängel so z. B. den, daß sich bei der hohen Temperatur während des Temi.
erns nach dem Aufbringen der Gegenelektrode die Lack-oder Isolierstoffringe verwerfen
und auch Gase bilden kennen, durch die die Kontaktstellen deformiert werden, insbesondere,
wenn die aufgebrachte Gegenelektrode bei diesem Temperprozeß flüssig war. Selenium rectifier plate with pressure contacts
It is known in selenium rectifier plates to separate the pressure contact points from the selenium layer by means of a lacquer ring or an insulating film glued to the selenium layer in order to prevent the barrier layer from being pushed through by the contact pressure. Have the common arrangements and manufacturing processes
C>
however shortcomings so z. B. the fact that at the high temperature during the Temi. After the counter-electrode has been applied, discard the lacquer or insulating material rings and also know that gases form which deform the contact points, especially if the applied counter-electrode was liquid during this tempering process.
Die Erfindung weist einen neuen Weg zur Herstellung solher Selengleichrichterplstten,
indem auf die spätere Kontaktstelle ein Metallring aufgelegt wird, der an der Unterseite,
d. h. an der dem
Selen zugekehrten Seite eine vorher aufgebrachte
und bereits vollkommen ausgehärtete Lackschicht oder eine aufgeklebte Isolierschicht
trägt. Gemäß der weiteren Erfindung besteht dieser Ring aus einem Metall, dessen
Schmelzpunkt höher als die Temperatur liegt, bei der die Selenplatte nach dem Aufbringen
des Metall- ! ringes und der Gegenelektrode später getempert wird. Ferner ist der
Werkstoff gemäß der Erfindung so gewählt, daß er mit den Legierungskomponenten der
Deckelektrode oder einer Komponente ; hiervon eine Legierung bildet, deren Schmelzpunkt
tiefer liegt als die Temperatur, bei welcher getempert wird, ao daß der Ring mit
der Deckelektrode während des Tempern verlötet und nach der Abkühlung beider Teile
ein sicherer elektrischer Kontakt zwischen
den beiden Teilen vorhanden ist.
!
Ein Ausführungsbeispiel einer Selengleichrichterplatte nach
der
Erfindung ist in den Fig. 1 und 2 schematisch im Schnitt darge-
stellt, an Hand deren das Herstellungsverfahren der Selengleichrichterplatte beschrieben
wird. Das Ausführungsbeispiel bezieht
sich auf einen Metallring) der eine Lackschicht trägt. !
!
Die Selenschicht ist mit 1, der Metallring mit 2, die an seiner
Unterseite befindliche Lackschicht mit 3 und die Deckelektrode
mit
4 bezeichnet. Der Metallring 2 wird mit seiner Lackschicht 3 auf die Selenschicht
1 gedrückt, was beispielsweise durch einen Nippel ; 5 bewirkt werden kann. Der Nippel
5 hat solche Abmessungen, daß er den Außenrand 6 des lackierten Metallringes 2 freiläßt.
Nach diesen Vorbereitungen werden die Selenplatte und der freie Rand des Ringes
auf ihren Oberflächen mit dem Deckelektrodenmaterial 4 versehen. Dabei wird also
der vom Nippel 5 freigelassene Rand 6 des aufgelegten Metallringes 2 ebenfalls von
dem Deckelektroden- ; material bedeckt. Der Rand 6 des Metallringes 2 und die benachbarte,
äußere Zone 8 der Plattenoberfläche können noch zusätzlich ringförmig mit einer
weiteren Schicht 9 des Deckelektrodenmaterials versehen werden, um einen noch festeren
Zusammenhang zwischen dem
Metallring 2 und dem übrigen Teil der Deckelektrode 4 herzustellen
,
und um die elektrische Leitfähigkeit an dieser Stelle besonders
zu verbessern. Daraufhin wird der Nippel 5 abgenommen und gibt
den unbedeckten Teil 10 des Metallringes 2 frei, der zur späteren
Kontaktierung benutzt werden soll. Der Letallring 2 ist dabei durch die seinen Rand
bedeckende Lackschicht niedergehalten.The invention provides a new way of producing such selenium rectifier plsts by placing a metal ring on the later contact point, which has a previously applied and already fully cured layer of lacquer or an adhesive insulating layer on the underside, ie on the side facing the selenium. According to the further invention, this ring consists of a metal whose melting point is higher than the temperature at which the selenium plate after the application of the metal! ring and the counter electrode is annealed later. Furthermore, the material according to the invention is selected so that it can be combined with the alloy components of the cover electrode or a component; from this forms an alloy whose melting point is lower than the temperature at which the tempering is carried out, ao that the ring is soldered to the cover electrode during the tempering and, after the two parts have cooled, a reliable electrical contact between them the two parts is present.
!
An embodiment of a selenium rectifier plate according to the
The invention is shown in FIGS. 1 and 2 schematically in section.
represents, on the basis of which the manufacturing process of the selenium rectifier plate is described. The embodiment relates on a metal ring) which has a layer of lacquer. !
!
The selenium layer is marked with 1, the metal ring with 2, the one on its
The underside of the lacquer layer with 3 and the top electrode with
4 designated. The metal ring 2 is pressed with its lacquer layer 3 onto the selenium layer 1, which is achieved, for example, by a nipple; 5 can be effected. The nipple 5 has such dimensions that it leaves the outer edge 6 of the painted metal ring 2 free. After these preparations, the selenium plate and the free edge of the ring are provided with the top electrode material 4 on their surfaces. In this case, the edge 6 of the metal ring 2 that is left free by the nipple 5 is also removed from the cover electrode; material covered. The edge 6 of the metal ring 2 and the adjacent, outer zone 8 of the plate surface can also be provided in a ring-shaped manner with a further layer 9 of the cover electrode material in order to establish an even more solid connection between the Metal ring 2 and the remaining part of the cover electrode 4 to be produced
,
and to particularly improve the electrical conductivity at this point. The nipple 5 is then removed and there the uncovered part 10 of the metal ring 2 free, the later
Contacting should be used. The lethal ring 2 is held down by the lacquer layer covering its edge.
Bei der darauf folgenden Temperung bleibt der metallring 2 im lanzen
fest, da seine Schmelztemperatur nicht erreicht wird. An den Stellen jedoch, an
denen der metallring 2 vom Material der Deckelektrode 4 bedeckt ist, bildet sich
zunächst an der Oberflache und mit der Zeit tiefer eindringend eine Legierung zwischen
dem Metallring 2 und einer oder mehreren der Komponenten der Deckelektrode 4, deren
Schmelztemperatur tiefer liegt als die angewendete Tempertemperatur. Die Randzone
des Metallringes 2 wird also mit der Deckelektrode 4 während des Temperprozesses
fest verlötet und bildet nach der Abkühlung einen sicheren elektrischen Kontakt.
Da der metallring 2 nach der Entfernung des Nippels 5 lose aufliegt und nur in seiner
äußeren Randzone von dem Deckelektrodenmaterial 4 niedergehalten ist, können beim
Tempern evtl. sich bildende Gase aus der darunterliegenden Lackschicht 3 zum Innenrand
des Metallringes 2 gelangen und dort abströmen. Eine Deformation des Metallringes
2 an der späteren Kontak, (Lstelle viird mit Sicherheit verhindert, weil dieser
Teil des Metallringes 2 seinen Schmelzpunkt nicht erreicht, also fest bleibt.During the subsequent tempering, the metal ring 2 remains in the lances
solid because its melting temperature is not reached. In the places, however, at
where the metal ring 2 is covered by the material of the cover electrode 4, is formed
initially on the surface and over time penetrating deeper an alloy between
the metal ring 2 and one or more of the components of the cover electrode 4, the
Melting temperature is lower than the annealing temperature used. The edge zone
of the metal ring 2 is thus with the cover electrode 4 during the tempering process
firmly soldered and forms a secure electrical contact after cooling.
Since the metal ring 2 rests loosely after the removal of the nipple 5 and only in his
outer edge zone is held down by the cover electrode material 4, can at
Tempering any gases that may be formed from the lacquer layer 3 underneath towards the inner edge
of the metal ring 2 and flow off there. A deformation of the metal ring
2 at the later Kontak, (Lstelle vi is definitely prevented because this
Part of the metal ring 2 has not reached its melting point, so it remains solid.
Ein weiterer durch die Erfindung erzielter Vorteil liegt darin, daß
die spätere Kontaktfläche 10, siehe Fig. 2, von dem glatten j etallring 2 gebildet
wird, der einen guten Kontakt gewährleistet
und somit für die Kontaktierung mit einem Abstandsstück für
den
I
Säulenaufbau einer Gleichrichtersäule besonders geeignet ist.
Die Erfindung ist nicht an die beschriebene Aus führungs form
gebun-'
den. So kann man z. B. anstelle des Lackringes 2 auch einen
Isolier-
Verwenden.
2Figuren
Sdlutzenspruche
Schutzcnsprüche
Another advantage achieved by the invention is that the subsequent contact surface 10, see FIG. 2, is formed by the smooth metal ring 2, which ensures good contact and thus for contacting a spacer for the
I.
Column structure of a rectifier column is particularly suitable.
The invention is not tied to the described embodiment.
the. So you can z. B. instead of the lacquer ring 2 also an insulating
Use.
2 figures
Sdlutzenspruche
Protection claims