DE1850095U

DE1850095U - Gehaeuse fuer halbleiteranordnungen.

Info

Publication number: DE1850095U
Application number: DET13642U
Authority: DE
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1961-08-01
Filing date: 1961-08-01
Publication date: 1962-04-19
Also published as: GB1008215A; FR1328780A

Description

Gehäuse für Halbleiteranordnungen

Die Neuerung betrifft ein Gehäuse für Halbleiteranordnungen,

t

insbesondere für Transistoren, welches aus plattenförmigen

Teilen zusammengesetzt ist.

Ein solches Gehäuse ist bereits bekannte und zwar besteht es aus drei aneinander liegenden Platten, von denen sowohl die mittlere als auch gegebenenfalls die beidseitig anschließenden äußeren Platten derart ausgespart sind, daß sie einen gemeinsamen Hohlraum für die aufnahme der Halbleiteranordnung bilden.
Versuche haben jedoch ergeben, daß sich die Herstellung eines solchen Gehäuses vor allem bei kleinsten Gehäuseabmessungen leichter durchführen läßt, wenn gemäß der Neuerung auf die Trägerplatte für den Halbleiterkörper ein-oder beidseitig mindestens zwei plattenförmige Teile vakuumdicht aufgebracht sind. sps empfiehlt sich, die plattenförmigen Teile aus Metall herzustellen und voneinander durch eine Isolierschicht zu trennen, ils Material fdr die Isolierschicht eignet sich beispielsweise Glas, welches auf die einander zugekehrten Flächen der auf die Trägerplatte aufzubringenden plattenförmigen Teile in Pastenform aufgesprüht und mit diesen Flächen verschmolzen werden kann. Die plattenförmigen Teile werden anschließend mit ihren Glasschichten aufeinandergelegt und miteinander verschmolzen.
Im allgemeinen werden auf die Trägerplatte beidseitig zwei metallische Platten aufgebracht. Eine andere Ausführungform der Neuerung besteht darin, daß nur auf einer 3eite zwei durch eine Isolierschicht voneinander getrennte Metallplatten auf die Trägerplatte aufgebracht sind, während auf der anderen Seite der Trägerplatte nur eine Isolierplatten z. B. aus keramik, vorgesehen ist.
Bei der Herstellung des Gehäuses ist darauf zu achten, daß die Ausdehnungskoeffizienten der Isolierschicht und der plattenförmigen Teile aufeinander abgestimmt sind. Dies istbeispielsweise der Fall, wenn bei Verwendung einer Isolierschicht aus Glas die plattenförmigen Teile aus einem im Handel unter den Namen "VACON" oder "VACOVIT" bekannten Stoff bestehen.
Die der Trägerplatte unmittelbar benachbarten plattenförmigen T@ile werden zweckmäßigerweise mit der Trägerplatte verlötet. Durch das Zusa menschmelzen der Glasschichten entsteht praktisch eine Doppelplatte, die beim Lötprozeß auf die Trägerplatte aufgelötet wird.
Gemäß einer eitcrbildung der Neuerung sind die plattenförmigen Teile ringförmig ausgebildet, so daß Durchführungen fir 2lcktrodenzuleitungen entstehen. Die ohmscho Kontaktierung der Basiszone des Transistors kann durch eine seitlich aus dem Gehäuse herausführende Lontaktfahne erfolgen, mit der die Trägerplatte versehen ist. Es besteht auch die Möglichkeit, eine oder mehrere der auf die Trägerplatte aufgebrachten plattenförmigen Teile als @ontaktflansch auszubilden und gegebenenfalls mit oiner oder mehreren Bohrungen zur Befestigung auf einem Gerätechassis zu versehen. weiterhin kann mindestens einer der auf die Trägerplatte aufgebrachten plattenförmigen Teile mit Kühlrippen versehen sein.
Die durch die Bohrungen der plattenförmigen Teile geführten Elektrodenzuloitungen sind im allgemeinen mit den plattenförmigen Teilen vakuumdicht verlötet.
Sind nur die unmittelbar auf die Trägerplatte aufgebrachten Platten mit zentralen Bohrungen versehen, so können die äußeren Metallplatten als kontaktplatten zur Kontaktierung der Emittor- und Kollektorelektroden verwendet werden, beispielsweise unter Verwendung eines Fedorkontaktesd oder durch Verlöten der @ogierungspillen mit der Kontaktplatte nach Art der bekannten Kollektorkühlung. Die Kontaktierung der Halbleitcrelektroden kann aber auch durch einen in die vontaktplatte eingebrachten Metallstift erfolgen.
Die @euerung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Das Gehäuse des in den Figuren 1 und 2 dargestellten Subminiaturtransistors ist aus fünf Platten 1, 2,3,4 und 5 zusammengesetzt. Die mittlere (3) dieser Platten ist die sogenannte Trägerplatte, auf die der mit dor emitterpille 6 und der @ollektorpille 7 versehene Halbleiterkörpor 8 aufgelötet ist. Die auf die Trägerplatte 3 beidscitig aufgebrachten Platten 1,2,4 und 5 sind durch eine isolierende Glasschicht 9 voneinander getrennt.'3owohl die mittlere Trägerplatte 3 als auch die auf die Trägerplatte aufgebrachten äußeren Platten sind ringförmig ausgebildet. Die bei ringförmiger Ausbildung vorhandenen Bohrungen in den äußeren Platten sind als Drahtdurchführungen 10 erforderlich.
Bei Verwendung einer isolierenden Glaszwischenschicht können die ringförmigen Abschlußplatten z. B. aus Vacovit hergestellt werden. Um die Vacovitringe durch eine Glasschicht voneinander zu isolieren, werden die Vacovitringe zunächst gesäubert und auf einer Oberfläche mit Glaspaste bosprüht.
Die Glaspaste muß so dick aufgesprüht werden, daß bei dem nachfolgenden Aufschmelzen eine gleichmäßige und nichtunterbrochene Glashaut entsteht. Das Aufschmelzen der aufgesprühten Glaspaste auf die Vacovitringe erfolgt in einer nicht oxydierenden Gasatmosphäre bei ungefähr 9500 C. Bei dieser Temperaturbehandlung kommt die aufgesprühte Glasschicht zum Fließen und geht mit den Vacovitringen eine feste Verbindung ein.
Nach dem aufbringen der Glasschichten auf die Vacovitringe werden diese mit ihren Glasflächen aufeinander gelegt und in entsprechenden Kohleformcn zu Doppelringen verschmolzen, so daß eine vakuumdichte und gleichzeitig isolierende Verbindung zwischen je zwei Vacovitringen entsteht.
Anschließend worden die durch das Verschmelzen der Glasschichten gewonnenen Doppelringe durch einen Beizprozeß gereinigt, damit die metallisch gebliebenen Oberflächen von etwaigen Verunreinigungen befreit werden. Dies ist erforderlich für den sich anschließenden Lötprozeß, bei dem die Doppelringe unter Verwendung des eichlotes 11 beidseitig auf die Trägerplatte aufgelötet werden. Die Kontaktierung der Emitter- und Kollektoreloktroden 6 und 7 erfolgt durch die Drähte 12 und 13, die durch die Durchführungen 10 hindurchgeführt und mit den Legierungspillen verlötet werden. Nach erfolgter 1 ontaktierung werdon Zuleitungsdrähte 12 und 13 mit den oberflächenverzinnten M@tallscheiben verlötet. Die Basiskontaktierung erfolgt mit Hilfe der Anschlußfahne 15, mit der die Trägerplatte versehen ist.

Claims

Schutzansprüche 1) Gehäuse für Halbleitcranordnungen, insbesondere für Transistoren, welches aus plattenförmigen Teilen zusammengesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Trägerplatte für deu Halbleiterkörper ein-oder beidseitig mindestens zwei plattenförmige Teile vakuumdicht aufgebracht sind.
2) Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmigen Teile aus Metall bestehen uhd voneinander durch eine Isolierschicht getrennt sind.
3) Gehäuse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus Glas besteht.
4) Gehäuse nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Trägerplatte boidseitig zwei Platten aufgebracht sind.
5) Gehäuse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die auf die Trägerplatte aufgebrachten Plattenauf den ein-

ander zugekehrten Flächen mit einer Glasschicht versehen und diese Glasschichten miteinander verschmolzen sind.
6) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Audehnungskoeefizienten der Isolierschichten und der plattenförmigen Teile auf- einander abgestimmt sind. CD
7) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die der Trägerplatte unmittelbar benachbarten plattenförmigen Teile mit der Trägerplatte verlötet sind.
8) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmigen Teile bei Verwendung einer Glasschicht als Isolierschicht aus dem im Handel unter dem Namen Vacon bekannten Stoff bestehen.
9) Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmigen Teile bei Verwendung einer Glasschicht als Isolierschicht aus dem im Handel unter dem Namen Vacovit bekannten Stoff bestehen.
10) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der einen Seite zwei Metallplatten und auf der anderen Seite eine Isolierplatte auf die Trägerplatte aufgebracht sind. ,
11) Gehäuse nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolicrplatte aus Keramik besteht.
12) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmigen Teile ringförmig ausgebildet sind.
13) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte mit einer seitlich aus dem Gehäuse herausführenden Kontaktfahne versehen ist.
14) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere der auf die Trägerplatte aufgebrachten plattenförmigen Teile als Iontaktflansch ausgebildet sind.
15) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktflansch mit einer oder mehreren Bohrungen zur Befestigung auf einem Gerätechassis versehen ist.
16) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der auf die Trägerplatte aufgebrachten plattenförmigen Teile mit Kühlrippen versehen ist.
17) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die Bohrungen der plattenförmigen Teile geführten Elektrodenzuleitungen mit den plattenförmigen Teilen vakuumdicht verlötet sind.