[go: up one dir, main page]

DE1208764B - Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung - Google Patents

Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung

Info

Publication number
DE1208764B
DE1208764B DEJ25947A DEJ0025947A DE1208764B DE 1208764 B DE1208764 B DE 1208764B DE J25947 A DEJ25947 A DE J25947A DE J0025947 A DEJ0025947 A DE J0025947A DE 1208764 B DE1208764 B DE 1208764B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
switching elements
active
electrodes
operating current
bistable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEJ25947A
Other languages
English (en)
Inventor
James Leo Walsh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1208764B publication Critical patent/DE1208764B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01Details
    • H03K3/012Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung Die Erfindung betrifft einen bistabilen Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung unter Verwendung eines kreuzgekoppelten bistabilen Multivibrators, dessen aktive Schaltelemente mit ihren ersten Betriebsstrom ziehenden Elektroden miteinander verbunden sind und über einen gemeinsamen Vorwiderstand an einer von Erdpotential unterschiedlichen Potentialquelle liegen und mit ihren zweiten Betriebsstrom ziehenden Elektroden je über einen Belastungswiderstand mit einer zur ersten Potentialquelle entgegengesetzten potentialaufweisenden und gegenüber Erdpotential unterschiedlichen zweiten Potentialquelle verbunden sind.
  • Solche Schaltungen lassen sich mit Erfolg als Ersatz bzw. zur Steuerung von mechanischen Relais einsetzen. Mechanische Relais zeichnen sich im allgemeinen dadurch aus, daß der durch die Relaiskontakte führende Strom ohne Rückwirkung auf den Schaltstrom ist. Trotz wesentlicher im Lauf der Zeit erfolgter Verbesserungen ist aber hiermit wegen der unvermeidlichen mechanischen Trägheit eine obere Grenze der Schaltgeschwindigkeit nicht zu überschreiten. Ein Ersatz dieser Relais durch Elektronenröhrenschaltung bringt zwar auch, aber nur in gewissen Grenzen, eine Rückwirkungsfreiheit, aber einmal ist relativ zum Aufwand der zu schaltende Strom verIaz;lt_ai@r.#äßig klein und zum anderen lassen sich auch hiermit nicht eine obere Schaltgeschwindigkeit infolge der unvermeidlichen Elektroden- und Schaltkapazitiaen, die um so höher sind, je höher der zu schaltende Strome ist, vermeiden. Gasentladungsröhren an Stelle von Relais besitzen zwar eine nahezu ideale Rückwirkungsfreiheit, dafür ist aber auch hier die Schaltgeschwindigkeit infolge der erforderlichen Ionisationszeit und Rekornbinationszeit der Ladungsträger begrenzt, abgesehen vom besonderen Aufwand zum Löschen.
  • Die Tra nsistorentwicklung in den letzten Jahren ergab zwar Transistoren hoher Schaltgeschwindigkeit und hoher Leistung, aber in gevisser Beziehung schließen sich beide Forderungen gegenseitig aus, so daß bei primär vom Anwendungszweck her geforderten sehr hohen Schaltgeschwindigkeiten mir Transistoren relativ geringer Leistung verwendet werden können, denn Hochleistungstransistoren besitzen z««n@@I<;ufg relativ hohe Elektrodenkapazitäten, die die Geschwindigkeit nach oben begrenzen. Werden aber hingegen Transistoren hoher Schaltgeschwindigkeit benutzt, dann müssen wehen der geringen Schaltleistung eine entsprechende Astzahl von Transistoren parallel geschaltet werden. Hiermit können zwar an sich die Bedingungen für clie Schaltleistung und die Schaltgeschwindigkeit erfüllt werden, aber es ergibt sich ein anderer Nachteil, der die praktische Anwendung einer solchen Schaltung nicht allgemein zuläßt, denn der von einer vorhergehenden Stufe aufzuwendende Basisstrom ist proportional zur Anzahl paralleler Ausgangsstufen, so daß ab einer bestimmten Anzahl die Leistungsfähigkeit der vorhergehenden Stufe nicht mehr ausreichend ist. Der Leistungsverstärker bzw. Schaltverstärker wäre zwar für die Abgabe einer bestimmten Leistung ausgelegt, aber der erforderliche Steuerstrom hierfür wäre zu hoch.
  • Die Aufgabe Erfindung besteht darin, eine Relaisordnung zu schaffen, die die Vorteile eines mechanischen Relais mit denen aktiver Schaltelemente miteinander verbindet, ohne aber die damit verbundenen Nachteile aufzuweisen; d. h. bei einem Minimum an Steuerleistung soll eine äußerst hohe Schaltleistung erzielt werden. Bei Verwendung von Transistoren als aktive Schaltelemente sollen darüber hinaus keine Sättigungseffekte entstehen.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Steuereingänge der aktiven Schaltelemente des bistabilen Multivibrators direkt mit zweiten Betriebsstrom ziehenden Elektroden jeweils zugeordneter aktiver Steuerschaltelemente verbunden sind, welche ihrerseits direkt an den zweiten Betriebsstrom ziehenden Elektroden der aktiven Schaltelemente des bistabilen Multivibrators liegen, daß die ersten Betriebsstrom ziehenden Elektroden der aktiven Steuerschaltelemente über einen gemeinsamen weiteren Vorwiderstand an der ersten Potentialquelle liegen und daß eine der Steuerelektroden der aktiven Steuerschaltelemente mit einer Signalimpulsquelle verbunden ist, während die andere Steuerelektrode auf Erdpotential liegt.
  • Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung werden je nach Bedarf an Schaltleistung parallel zu den aktiven Schaltelementen des bistabilen Multivibrators weitere aktive Schaltelemente mit je gemeinsamem Vorwiderstand parallel geschaltet.
  • Es ergibt sich ohne weiteres, daß die aktiven Schaltelemente des bistabilen Multivibrators keine Steuerleistung von der Signalimpulsquelle entnehmen, gleichgültig, ob nur je eins oder mehrere parallel eingesetzt werden; d. h., mit der erfindungsgemäßen Schaltung läßt sich bei relativ geringem Aufwand eine hohe Schaltleistung bei hoher Schaltgeschwindigkeit erzielen, dies allein schon dadurch, daß keinerlei Reaktanzen zum Aufbau der Schaltung benötigt werden. Da weiterhin bei Verwendung von Transistoren als aktives Schaltelement, die Elektroden verschiedener Transistoren direkt miteinander verbunden sind, läßt sich die erfindungsgemäße Schaltung ohne weiteres auch als integrierte Schaltung aufbauen. Für manche Anwendungszwecke ist es dabei vorteilhaft, daß an einem Ausgang der direkte Wert und am anderen Ausgang der komplementäre Wert abgegeben wird.
  • Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, die an Hand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe nachstehend aufgeführter Zeichnungen die Erfindung näher erläutert, und aus den Patentansprüchen. Es zeigt F i g. 1 eine Grundschaltung eines elektronischen Relais gemäß der Erfindung, F i g. 2 eine Schaltung eines erfindungsgemäßen elektronischen Relais für höhere Schaltleistung.
  • Wie aus dem Schaltschema von F i g.1 hervorgeht, sind die Emitter der NPN-Transistoren 4 und 6 über den Widerstand 8 mit einer negativen Spannungsquelle 10 verbunden. Der Basiskreis des Transistors 6 ist geerdet, und der Basisleiter 11 des Transistors 4 dient als Eingangsklemme für die Schaltung. Die Kollektoren der Transistoren 4 und 6 sind über Leiter 12 bzw. 14 und Widerstände 16 bzw. 18 mit einer positiven Spannungsquelle 20 verbunden. Bei der bis hierher beschriebenen Schaltung handelt es sich um einen bekannten Stromschalter. Wie dieser Stromschalter arbeitet, erkennt man, wenn man sich vor Augen hält, daß die Transistoren 4 und 6 mehrfache Stromwege für den aus der positiven Spannungsquelle 20 kommenden Strom bilden und daß, je nachdem, welcher der beiden Transistoren leitend ist, Strom durch diesen fließt und dessen Ausgangsleiter erregt.
  • Ein zweiter Stromschalter, der aus den NPN-Transistoren 22 und 24 besteht, ist zwischen den Leitern 12 und 14 angeordnet. Die Emitter der Transistoren 22 und 24 sind über den Widerstand 26 gemeinsam an eine negative Spannungsquelle 28 angeschlossen. Bezüglich ihrer Kollektorverbindungen entsprechen die Transistoren 22 und 24 zwar den Transistoren 4 und 6, aber ihre Basiskreise sind über Leiter 30 und 32 über Kreuz an Leiter 12 und 14 angeschlossen. Infolge dieser Verbindungen wird der leitende Zustand des Transistors 22 durch den leitenden Zustand des Transistors 6 gesteuert und der leitende Zustand des Transistors 24 wird durch den leitenden Zustand des Transistors 4 bestimmt. Die echten und komplementären Ausgangssignale dieser Schaltung stehen an den Klemmen 34 bzw. 36 zur Verfügung.
  • Zum Betreiben der Schaltung wird eine Spannung, die negativer als die der Quelle 10 ist, normalerweise dem Eingangsleiter 11 zugeführt, wodurch die Grenzschicht zwischen Emitter und Basis des Transistors 4 in Sperrichtung vorgespannt und der Transistor nichtleitend gemacht wird. Weil der Transistor 4 nichtleitend ist, spannt die negative Spannung aus der Quelle 1.1 die Grenzschicht zwischen Emitter und Basis des Transistors 6 in Durchlaßrichtung vor und läßt diesen Transistor leitend werden.
  • Die dadurch entstehende negative Spannung (-V) am Kollektor des Transistors 6 wird über die Leiter 14 und 32 geleitet und hält den Transistor 22 im nichtleitenden Zustand. Andererseits ist die Kollektorspannung des Transistors 4, weil dieser nichtleitend ist, hoch (+V) und hält über die Leiter 12 und 30 den Transistor 24 im leitenden Zustand. Bei Anliegen der normalen negativen Eingangsspannung an dem Leiter 11 sind also die Transistoren 4 und 22 nichtleitend und die Transistoren 6 und 24 leitend. In diesem Betriebszustand sendet die positive Quelle 20 Ströme 1E -f-14 zu den Transistoren 6 bzw. 24. Dadurch werden die Spannungen an den Klemmen 36 bzw. 34 positiv bzw. negativ gemacht.
  • Beim Auftreten eines Eingangssignals wird der Eingangsleiter 11 positiv, wodurch der Transistor 4 leitend und die Emitterspannung des Transistors 6 angehoben wird. Dadurch wird die Emitter-Basis-Grenzschicht des Transistors 6 in Sperrichtung vorgespannt und dieser Transistor wird nichtleitend. Die resultierenden negativen und positiven Spannungsverschiebungen auf den Leitern 12 bzw. 14 werden über die Leiter 30 und 32 zu den Basen der Transistoren 24 und 22 weitergeleitet. Daraufhin werden der Transistor 24 nichtleitend und der Transistor 22 leitend. Infolge des leitenden Zustandes der Transistoren 4 und 22 kann der Strom 14 -f-1.= fließen, und daher fällt die positive (komplementäre) Ausgangsspannung an Klemme 36 ab. Da die Transistoren 6 und 24 jetzt nicht leiten, fließt kein Strom im Leiter 14, und die Spannung an der Ausgangsklemme 34 (echt) steigt.
  • F i g. 2 zeigt eine andere Ausführungsform der Grundschaltung von F i g. 1 in der ein dritter Stromschalter zwischen den Ausgangsleitern 12 und 14 angeordnet worden ist, um die Leistungsfähigkeit der Schaltung zu erhöhen. NPN-Transistoren 40 und 42 sind genau wie die Transistoren 22 und 24 angeordnet, und zwar sind sie über Ausgangsleiter 12 und 14 mit diesen parallel geschaltet. Wenn daher ein Eingangssignal erscheint, werden die Transistoren 4, 22 und 40 leitend, wodurch sich die Leistung entsprechend erhöht. Je nach Bedarf können weitere parallele Stromschalter verwendet werden. Diese Energietreiber erreichen also nicht nur den Arbeitsgeschwindigkeitsvorteil des Stromschalters, sondern sie benötigen auch relativ kleine Erregerströme für die Erzeugung großer Ausgangsleistungen. In beiden Schaltungen wird Strom für nur eine Basis benötigt, um eine volle Ausgangsleistung zu erreichen.

Claims (1)

  1. Patentansprüche: 1. Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und.hoher Schaltleistung unter Verwendung eines kreuzgekoppelten bistabilen Multivibrators, dessen aktive Schaltelemente mit ihren ersten Betriebsstrom ziehenden Elektroden miteinander verbunden sind und über einen gemeinsamen Vorwiderstand an einer von Erdpotential unterschiedlichen ersten Potentialquelle liegen und mit ihren zweiten Betriebstrom ziehenden Elektroden je über einen Belastungswiderstand mit einer zur ersten Potentialquelle entgegengesetztes Potential aufweisenden und gegenüber Erdpotential unterschiedlichen zweiten Potentialquelle verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereingänge der aktiven Schaltelemente des bistabilen Multivibrators direkt mit zweiten Betriebsstrom ziehenden Elektroden jeweils zugeordneter aktiver Steuerschaltelemente verbunden sind, welche ihrerseits direkt an den zweiten Betriebsstrom ziehenden Elektroden der aktiven Schaltelemente des bistabilen Multivibrators liegen, daß die ersten Betriebsstrom ziehenden Elektroden der aktiven Steuerschaltelemente über einen gemeinsamen weiteren Vorwiderstand an der ersten Potentialquelle liegen und daß eine der Steuerelektroden der aktiven Steuerschaltelemente mit einer Signalimpulsquelle verbunden ist, während die andere Steuerelektrode auf Erdpotential liegt. z. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter sowohl der als aktive Schaltelemente dienenden NPN-Transistoren des bistabilen Multivibrators als auch die Emitter der als aktive Steuerschaltelemente dienenden NPN-Transistoren jeweils über einen gemeinsamen Vorwiderstand an der ersten Potentialquelle liegen. 3. Bistabile Kippschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu den aktiven Schaltelementen des bistabilen Multivibrators weitere aktive Steuerschaltelemente mit je gemeinsamem Vorwiderstand parallel geschaltet sind. 4. Bistabile Kippschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß mit einem Belastungswiderstand der zweiten Betriebsstrom ziehenden Elektroden die Ausgangsklemme für den direkten Wert und mit dem anderen Belastungswiderstand die Ausgangsklemme für den komplementären Wert verbunden ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1056181.
DEJ25947A 1963-05-31 1964-06-01 Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung Pending DE1208764B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1208764XA 1963-05-31 1963-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1208764B true DE1208764B (de) 1966-01-13

Family

ID=22393048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEJ25947A Pending DE1208764B (de) 1963-05-31 1964-06-01 Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1208764B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1295001B (de) * 1967-12-20 1969-05-14 Siemens Ag Integrierbarer Flipflop mit geringer Stromaufnahme

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1056181B (de) * 1957-11-23 1959-04-30 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Bistabiler Kippschalter mit gegenueber der Schaltleistung geringerem Leistungsverbrauch

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1056181B (de) * 1957-11-23 1959-04-30 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Bistabiler Kippschalter mit gegenueber der Schaltleistung geringerem Leistungsverbrauch

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1295001B (de) * 1967-12-20 1969-05-14 Siemens Ag Integrierbarer Flipflop mit geringer Stromaufnahme

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1537972C3 (de) Schaltanordnung zur Verbesserung der An- und Abschalteigenschaften eines Schalttransistors einer binären Schaltung
DE1208764B (de) Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung
DE2903513C2 (de) Impulssignalverstärker
DE3145771C2 (de)
DE1029872B (de) Fremdgesteuerte Transistorkippschaltung mit kurzer Abfallzeit
DE2445799C3 (de) Monostabiler Multivibrator
DE2139328C3 (de) Einrichtung zum Betreiben einer kapazitiven Last
DE1131269B (de) Bistabile Kippschaltung
DE3801530C2 (de)
DE1215815C2 (de) Mikrominiaturisierte elektronische Schaltungsanordnung
DE2002577A1 (de) Impulsgenerator
DE2009039A1 (de) Schaltung mit Überstromschutz
DE3632119A1 (de) Monolithisch integrierbare steuerschaltung mit einer gegentakt-endstufe zum umschalten induktiver lasten
DE2415629B2 (de) Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhangigen Blockieren eines Stromzweiges
DE2553213C2 (de) Elektronischer Schalter
DE1537540C (de) Schaltungsanordnung zum Einstellen der Abfallzeit einer Impulsspannung
AT203059B (de) Elektronischer Umschalter
DE1290583B (de) Astabiler Multivibrator
EP0588111A2 (de) Speicherelement
DE2834641A1 (de) Mehrstufiger transistorverstaerker
DE2931901C2 (de) Monolithisch integrierter Schwellwertschalter
DE2023290C (de) Monolithisch integrierbare Flipflop-Schaltung
DE2049445B2 (de) Schaltungsanordnung zum verstaerken impulsfoermiger, insbesondere bipolarer elektrischer nutzsignale
DE1139881B (de) Elektronischer Schalter zum insbesondere schnellen Anschalten eines von zwei Potentialen an einen Verbraucher
DE1908115A1 (de) Schaltungsanordnung nach Art einer bistabilen Kippschaltung