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DE1265719B - Verfahren zum Aufbringen von Bor auf einen Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen von Bor auf einen Halbleiterkoerper

Info

Publication number
DE1265719B
DE1265719B DES98656A DES0098656A DE1265719B DE 1265719 B DE1265719 B DE 1265719B DE S98656 A DES98656 A DE S98656A DE S0098656 A DES0098656 A DE S0098656A DE 1265719 B DE1265719 B DE 1265719B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
vapors
boron
applying boron
applying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES98656A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Chem Dr Norbert Schink
Dipl-Phys Dr Wolfgang Weiske
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES98656A priority Critical patent/DE1265719B/de
Publication of DE1265719B publication Critical patent/DE1265719B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
BOIj
Deutsche Kl.: 12 g -17/32
Nummer: 1 265 719
Aktenzeichen: S 98656IV c/12 g
Anmeldetag: 5. August 1965
Auslegetag: 11. April 1968
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufbringen von Bor in gleichmäßiger Verteilung auf die Oberfläche eines erhitzten Halbleiterkörpers, wobei Boroxyd und Wasserdampf enthaltende Dämpfe dem erhitzten Halbleiterkörper zugeführt werden.
Bei einem solchen bekannten Verfahren hat man Luft oder Sauerstoff bei hoher Temperatur über elementares Bor geleitet und so Boroxyd erzeugt. Die damit erzielbare Niederschlagsrate ist jedoch verhältnismäßig gering. Außerdem stört die hohe Betriebstemperatur; das gilt ganz besonders dann, wenn das Aufbringen der Dotierungssubstanz und das Diffundieren nicht gleichzeitig, sondern nacheinander in getrennten Verfahrensabschnitten durchgeführt werden soll, was besonders dann vorteilhaft ist, wenn man mehrere unterschiedlich wirkende Dotierungssubstanzen zunächst nacheinander auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufbringt und später bei wesentlich höheren Temperaturen gleichzeitig eindiffundiert.
Im Vergleich zu dem bekannten Verfahren liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Niederschlagsrate zu erhöhen und die Betriebstemperatur des Verfahrens wesentlich herabzusetzen.
Das gelingt erfindungsgemäß dadurch, daß die Dämpfe aus einer wäßrigen Borsäurelösung erzeugt werden.
Der Erfindung liegt dabei die Erkenntnis zugrunde, daß hierbei Bor und Wasser gleichzeitig und nicht nacheinander verdampfen. Die Erfindung ermöglicht eine Betriebstemperatur von etwa 1000C; lediglich die Halbleiterkörper müssen auf einer etwas höheren Temperatur gehalten werden, um eine Kondensation der Dämpfe an den Halbleiterkörpern zu verhindern. Die Dämpfe können mit Hilfe eines Trägergases, z. B. mit Stickstoff, über den Halbleiterkörper hinweggeführt werden.
Verfahren zum Aufbringen von Bor
auf einen Halbleiterkörper
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Chem. Dr. Norbert Schink, 8520 Erlangen; Dipl.-Phys. Dr. Wolfgang Weiske, 8000 München
Nach einem anderen bekannten Verfahren hat man auf die Halbleiterkörper eine Borverbindungen enthaltende Flüssigkeit aufgebracht. Damit läßt sich jedoch keine gleichmäßige Verteilung von Bor auf der Oberfläche der Halbleiterkörper erreichen.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Aufbringen von Bor in gleichmäßiger Verteilung auf die Oberfläche eines erhitzten Halbleiterkörpers, wobei Boroxyd und Wasserdampf enthaltende Dämpfe dem erhitzten Halbleiterkörper zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Dämpfe aus einer wäßrigen Borsäurelösung erzeugt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkörper auf einer Temperatur oberhalb von 1000C gehalten werden, während die Dämpfe über sie geleitet werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1044 981.
DES98656A 1965-08-05 1965-08-05 Verfahren zum Aufbringen von Bor auf einen Halbleiterkoerper Pending DE1265719B (de)

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DES98656A DE1265719B (de) 1965-08-05 1965-08-05 Verfahren zum Aufbringen von Bor auf einen Halbleiterkoerper

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044981B (de) * 1956-10-24 1958-11-27 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern mit Bor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044981B (de) * 1956-10-24 1958-11-27 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern mit Bor

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