DE1186555B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfaehigkeit - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher SperrfaehigkeitInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfähigkeit Für eine optimale Gleichrichterwirkung ist nicht nur ein möglichst geringer Durchlaßwiderstand, sondern auch ein hohes Sperrvermögen des Gleichrichters ausschlaggebend.
- Bei einem Selengleichrichter kann in bekannter Weise durch Aufbringen thalliumhaltiger Schichten auf oder in die Selenschicht ein hohes Sperrvermögen erzielt werden. Zur Herstellung derartiger thalliumhaltiger, das Sperrvermögen günstig beeinflussender Schichten ist bereits eine Reihe von Verfahren bekanntgeworden. Beispielsweise können durch Einbringen geringster Mengen Thalliummetall in das Material der Deck- bzw. Gegenelektrode oder durch Aufbringen dünnster Schichten Thalliummetall durch Aufstäuben mittels Kathodenzerstäubung oder durch direktes Aufdampfen auf das Selen thalliumhaltige Schichten der gewünschten Art erhalten werden. Auch das Aufbringen von Thalliumverbindungen, insbesondere von Thallium-Halogen-Verbindungen durch wechselweises oder gleichzeitiges Verdampfen von Thallium und Selen, dem ein Zusatz von einem oder mehreren Halogenen beigegeben ist, wurde bereits vorgeschlagen.
- Die durch das Einbringen von Thallium in das Deck- bzw. Gegenelektrodenmaterial erreichte Verbesserung der Sperrfähigkeit ist jedoch gering. Das Aufbringen von Thalliumschichten durch Aufstäuben oder Aufdampfen ist besonders kostspielig und als Verfahren schwierig zu steuern. Das gleiche gilt auch für das bekannte Einbringen von Thallium-Halogen-Verbindungen in die obere Selenschicht durch wechselweises oder gleichzeitiges Verdampfen von Thallium und Selen mit einem Zusatz von Halogen.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren, mit dem in einfacher Weise gleichmäßige, optimales Sperrvermögen bewirkende Schichten von Thallium-Halogen-Verbindungen auf oder in der Selenschicht der Selengleichrichter erzeugt werden.
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichterplatten mit gleichmäßigen Schichten von Thallium-Halogen-Verbindungen auf dem Selen zur Erzielung eines optimalen Sperrvermögens und besteht darin, daß eine eine Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatten aufgebracht wird und daß die Thalliumverbindung durch Behandeln mit Halogenen oder halogenhaltigen Substanzen zu Thallium-Halogen-Verbindungen (Thalliumhalogenide) umgesetzt wird.
- Auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte wird eine thalliumhaltige Lösung aufgesprüht. Diese auf die Selenschicht aufgebrachte Thalliumverbindung setzt sich bei einer weiteren Behandlung mit Halogenen in halogenhaltiger Atmosphäre oder mit halogenhaltigen Lösungen in Thallium-Halogen-Verbindungen um.
- Diese Umsetzung wird auch erreicht, wenn die aufgebrachte Thalliumverbindung mit Halogenverbindungen, beispielsweise Halogenwasserstoffen, behandelt wird.
- Sowohl reine Verbindungen als auch Mischungen der verschiedenen Halogene bzw. deren Verbindungen bewirken die gewünschte Umsetzung. Die Behandlung der aufgebrachten Thalliumverbindung zur Umsetzung in Thallium-Halogen-Verbindung kann unter verschiedenem Druck unabhängig von Temperatur und Zeit vorgenommen werden. Zu dem erfindungsgemäßen Verfahren eignen sich in besonders vorteilhafter Weise solche Thalliumverbindungen und Halogenverbindungen, die bei der Umsetzung zum Thalliumhalogenid außer diesem nur flüchtige Nebenprodukte bilden.
- Beispielsweise wird die auf dem Gleichrichterblech aufgebrachte Selenschicht mit einer Lösung von 5 g Thalliumäthylat pro Liter Butanol besprüht. Die Bleche werden hierauf während der Dauer von 2 Stunden in eine joddampfhaltige Atmosphäre gebracht und danach 5 Minuten lang in Luft oder einem Inertgas auf 60' C erhitzt. Daran anschließend erfolgt in bekannter Weise das Aufbringen der Deck-bzw. Gegenelektrode und eine die Herstellung beschließende Temperung.
- Eine besondere Ausbildung dieses Verfahrens besteht darin, daß das Thalliumäthylat durch Aufsprühen einer Lösung von Jod in Äthanol umgesetzt wird und daß danach das Verfahren in gleicher, bereits beschriebener Weise fortgesetzt wird.
Claims (2)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichterplatten mit gleichmäßigen Schichten von Thallium-Halogen-Verbindungen auf dem Selen zur Erzielung eines optimalen Sperrvermögens, dadurch gekennzeichnet, daß eine eine Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatten aufgebracht wird und daß die Thalliumverbindung durch Behandeln mit Halogenen oder halogenhaltigen Substanzen zu Thallium-Halogen-Verbindungen (Thalliumhalogenide) umgesetzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thalliumhaltigen Lösungen aufgesprüht werden. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thalliumhaltigen Lösungen durch Eintauchen der mit Selen belegten Gleichrichterplatten aufgebracht werden. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thalliumhaltigen Lösungen auf die Selenschicht der Gleichrichterplatten aufgestrichen werden. 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte Thalliumverbindung in halogenhaltiger Atmosphäre zu Iballiumhalogenid umgesetzt wird. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte Thalliumverbindung durch eine halogenhaltige Lösung zu Thalliumhalogenid umgesetzt wird. 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte Thalliumverbindung mittels einer Halogenverbindung zu Thalliumhalogenid umgesetzt wird. 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte Thalliumverbindung durch einen der Halogenwasserstoffe in Thalliumhalogenid umgesetzt wird. 9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte Thalliumverbindung durch eine reine Verbindung der verschiedenen Halogene bzw. deren Verbindungen zu Thalliumhalogenid umgesetzt wird. 10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte Thalliumverbindung durch eine Mischung der verschiedenen Halogene bzw. deren Verbindungen zu Thalliumhalogenid umgesetzt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 812 805, 829 018; deutsche Auslegeschriften Nr. 1076 277, 1101626; USA.- Patentschriften Nr. 2 307 474, 2 479 301.
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1962
- 1962-04-07 DE DEL41693A patent/DE1186555B/de active Pending
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