DE1186555B - Process for the production of selenium rectifiers with high blocking capability - Google Patents
Process for the production of selenium rectifiers with high blocking capabilityInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfähigkeit Für eine optimale Gleichrichterwirkung ist nicht nur ein möglichst geringer Durchlaßwiderstand, sondern auch ein hohes Sperrvermögen des Gleichrichters ausschlaggebend.Process for the production of selenium rectifiers with high blocking capacity For an optimal rectifier effect, it is not only necessary to have the lowest possible forward resistance, but also a high blocking capacity of the rectifier is crucial.
Bei einem Selengleichrichter kann in bekannter Weise durch Aufbringen thalliumhaltiger Schichten auf oder in die Selenschicht ein hohes Sperrvermögen erzielt werden. Zur Herstellung derartiger thalliumhaltiger, das Sperrvermögen günstig beeinflussender Schichten ist bereits eine Reihe von Verfahren bekanntgeworden. Beispielsweise können durch Einbringen geringster Mengen Thalliummetall in das Material der Deck- bzw. Gegenelektrode oder durch Aufbringen dünnster Schichten Thalliummetall durch Aufstäuben mittels Kathodenzerstäubung oder durch direktes Aufdampfen auf das Selen thalliumhaltige Schichten der gewünschten Art erhalten werden. Auch das Aufbringen von Thalliumverbindungen, insbesondere von Thallium-Halogen-Verbindungen durch wechselweises oder gleichzeitiges Verdampfen von Thallium und Selen, dem ein Zusatz von einem oder mehreren Halogenen beigegeben ist, wurde bereits vorgeschlagen.In the case of a selenium rectifier, it can be applied in a known manner thallium-containing layers on or in the selenium layer have a high barrier capacity be achieved. For the production of such thallium-containing, the blocking capacity is favorable A number of processes have already become known to influence layers. For example, by introducing very small amounts of thallium metal into the material the cover or counter electrode or by applying the thinnest layers of thallium metal by sputtering using cathode sputtering or by direct vapor deposition the selenium thallium-containing layers of the desired type can be obtained. That too Application of thallium compounds, in particular thallium-halogen compounds by alternating or simultaneous evaporation of thallium and selenium, the one The addition of one or more halogens has already been proposed.
Die durch das Einbringen von Thallium in das Deck- bzw. Gegenelektrodenmaterial erreichte Verbesserung der Sperrfähigkeit ist jedoch gering. Das Aufbringen von Thalliumschichten durch Aufstäuben oder Aufdampfen ist besonders kostspielig und als Verfahren schwierig zu steuern. Das gleiche gilt auch für das bekannte Einbringen von Thallium-Halogen-Verbindungen in die obere Selenschicht durch wechselweises oder gleichzeitiges Verdampfen von Thallium und Selen mit einem Zusatz von Halogen.The result of the introduction of thallium into the cover or counter electrode material However, the improvement in the blocking capability achieved is slight. The application of Thallium coating by sputtering or vapor deposition is particularly costly and as a process difficult to control. The same also applies to the known introduction of thallium-halogen compounds in the upper selenium layer by alternately or simultaneous evaporation of thallium and selenium with an addition of halogen.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren, mit dem in einfacher Weise gleichmäßige, optimales Sperrvermögen bewirkende Schichten von Thallium-Halogen-Verbindungen auf oder in der Selenschicht der Selengleichrichter erzeugt werden.The present invention is a method with which in simply uniform layers of thallium-halogen compounds that produce optimum barrier properties can be generated on or in the selenium layer of the selenium rectifier.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichterplatten mit gleichmäßigen Schichten von Thallium-Halogen-Verbindungen auf dem Selen zur Erzielung eines optimalen Sperrvermögens und besteht darin, daß eine eine Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatten aufgebracht wird und daß die Thalliumverbindung durch Behandeln mit Halogenen oder halogenhaltigen Substanzen zu Thallium-Halogen-Verbindungen (Thalliumhalogenide) umgesetzt wird.The invention relates to a method for manufacturing selenium rectifier plates with even layers of thallium halogen compounds on the selenium for Achieving an optimal barrier capacity and is that one is a thallium compound containing solution is applied to the selenium layer of the rectifier plates and that the thallium compound by treatment with halogens or halogen-containing Substances to thallium halogen compounds (thallium halides) is converted.
Auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte wird eine thalliumhaltige Lösung aufgesprüht. Diese auf die Selenschicht aufgebrachte Thalliumverbindung setzt sich bei einer weiteren Behandlung mit Halogenen in halogenhaltiger Atmosphäre oder mit halogenhaltigen Lösungen in Thallium-Halogen-Verbindungen um.A thallium-containing layer is placed on the selenium layer of the rectifier plate Solution sprayed on. This thallium compound applied to the selenium layer sets further treatment with halogens in a halogen-containing atmosphere or with halogen-containing solutions in thallium-halogen compounds.
Diese Umsetzung wird auch erreicht, wenn die aufgebrachte Thalliumverbindung mit Halogenverbindungen, beispielsweise Halogenwasserstoffen, behandelt wird.This reaction is also achieved when the thallium compound is applied is treated with halogen compounds, for example hydrogen halides.
Sowohl reine Verbindungen als auch Mischungen der verschiedenen Halogene bzw. deren Verbindungen bewirken die gewünschte Umsetzung. Die Behandlung der aufgebrachten Thalliumverbindung zur Umsetzung in Thallium-Halogen-Verbindung kann unter verschiedenem Druck unabhängig von Temperatur und Zeit vorgenommen werden. Zu dem erfindungsgemäßen Verfahren eignen sich in besonders vorteilhafter Weise solche Thalliumverbindungen und Halogenverbindungen, die bei der Umsetzung zum Thalliumhalogenid außer diesem nur flüchtige Nebenprodukte bilden.Both pure compounds and mixtures of the various halogens or their compounds bring about the desired implementation. Treatment of the applied Thallium compound for conversion into thallium-halogen compound can under various Pressure can be made regardless of temperature and time. To the invention Such thallium compounds are particularly suitable for processes and halogen compounds which are converted to thallium halide in addition to this only form volatile by-products.
Beispielsweise wird die auf dem Gleichrichterblech aufgebrachte Selenschicht mit einer Lösung von 5 g Thalliumäthylat pro Liter Butanol besprüht. Die Bleche werden hierauf während der Dauer von 2 Stunden in eine joddampfhaltige Atmosphäre gebracht und danach 5 Minuten lang in Luft oder einem Inertgas auf 60' C erhitzt. Daran anschließend erfolgt in bekannter Weise das Aufbringen der Deck-bzw. Gegenelektrode und eine die Herstellung beschließende Temperung.For example, the selenium layer applied to the rectifier plate is sprayed with a solution of 5 g of thallium ethylate per liter of butanol. The metal sheets are then placed in an atmosphere containing iodine vapor for 2 hours and then heated to 60 ° C. for 5 minutes in air or an inert gas. This is followed by the application of the cover or. Counter electrode and a final heat treatment.
Eine besondere Ausbildung dieses Verfahrens besteht darin, daß das Thalliumäthylat durch Aufsprühen einer Lösung von Jod in Äthanol umgesetzt wird und daß danach das Verfahren in gleicher, bereits beschriebener Weise fortgesetzt wird.A special development of this process is that the Thallium ethylate is reacted by spraying a solution of iodine in ethanol and that thereafter the process is continued in the same manner as already described will.
Claims (2)
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| DE (1) | DE1186555B (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1962
- 1962-04-07 DE DEL41693A patent/DE1186555B/en active Pending
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