DE10228325B4 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung durch den Einsatz eines mit ArF-Laserstrahl belichteten Photoresist-Musters - Google Patents

Abstract

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung mit den Schritten:
a) Bilden einer Maskenschicht auf einer Zwischenisolierschicht, welche auf einem Halbleitersubstrat aufliegt;
b) Abscheiden eines Photolacks auf der Maskenschicht;
c) Belichten des Photolacks durch Einsetzen einer Lichtquelle, deren Wellenlänge etwa 157 nm bis etwa 193 nm ist;
d) Bilden eines Photolack-Musters durch Entwickeln des Photolacks;
e) Bilden eines Maskenmusters durch selektives Ätzen der Maskenschicht mit einem Ätzgas aus der Gruppe Cl₂, Cl₃, BCl₃, HCl, HBr oder SiCl₄ durch Einsetzen des Photolack-Musters als eine Ätzmaske;
f) Bilden eines Kontaktlochs und Aufdecken des Halbleitersubstrats durch selektives Ätzen der Zwischenisolierschicht mit einem Ätzgas aus der Gruppe C_xF_y, C_xH_yF_z, O₂, CO oder einem Mischgas daraus wobei x und y jeweils zwischen 1 und 10 liegen, durch Einsetzen des Maskenmusters als eine Ätzmaske;
g) Bilden einer leitfähigen Schicht auf der Zwischenisolierschicht einschließlich dem Kontaktloch; und
h) Bilden eines Steckers...

Description

• Gebiet der Erfindung
• Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung, welches ein Photoresist-Muster bzw. Photolack-Muster einsetzt, das durch einen Argonfluorid(ArF)-Laser oder einen Fluor(F₂)-Laser als eine Lichtquelle gebildet wird.
• Beschreibung des Gebiets
• In den Halbleiterspeichervorrichtungs-Herstellungsprozessen wird die Photolithographie zum Bilden von Mustern auf einem Substrat mit verschiedenen Materialien eingesetzt. Ein Photoresist bzw. Photolack, welcher im allgemeinen aus organischen, filmbildenden Polymeren besteht, wird auf eine Zielschicht bzw. auf eine Target-Schicht aufgebracht und mit einer Maske zum selektiven Induzieren einer Photoreaktion in dem Photolack belichtet. Dann wird der Photolack entwickelt und vorbestimmte Photolack-Muster werden erzielt. Die Photolack-Muster werden hauptsächlich als Ätzbarrieren während des Ätzens der Zielschicht eingesetzt.
• Die Photolithographie ist vorangebracht worden und wuchs durch Sätze und Sprünge von dem Beginn der Massenproduktion dynamischer random access memory (DRAM), welcher repräsentativ für Halbleiterspeichervorrichtungen ist.
• Die Entwicklung der Photolithographie wurde begleitet durch die Entwicklung in dem allgemeinen Feld eines Belichtungssystems, eines Photolack-Materials, einer Maske und eines Prozesses. Die Einführung einer Linse, welche eine hohe numerische Apertur aufweist, und einer Ausrichtungsvorrichtung auf dem Gebiet der Entwicklung, eines chemisch verstärkten resists bzw. Lacks (CAR) auf dem Gebiet des Photolack-Materials, einer phasenwechselnden Maske und einer optischen Annäherungskorrektur auf dem Gebiet der Masken und Verfahren, welche einen Drei-Schicht-Resist einsetzen, einen Zwei-Schicht-Resist, eine obere Oberflächen-Bildgebung und eine nicht-reflektierende Beschichtung auf dem Gebiet des Prozesses, dienen jeweils als gute Beispiele.
• Die anfängliche Belichtungsausstattung ist ein Kontaktdrucker, in dem eine Maske direkt mit einem Substrat kontaktiert wird und durch einen Bediener ausgerichtet wird, welcher mit dem bloßen Auge direkt auf die Maske und das Substrat schaut. Der Kontaktdrucker wurde zum Verringern des Spalts zwischen der Maske und dem Substrat entwickelt und ein Annäherungsdrucker ist entwickelt. Der Annäherungsdrucker ist in einen Soft-Kontakt und einen Hard-Kontakt entsprechend der Größe des Spalts eingeteilt.
• In der Photolithographie ist die Auflösung umgekehrt proportional zur Wellenlänge der Lichtquelle. Die frühen Stepper nahmen das Schritt- bzw. Step- und Wiederholverfahren an und die Wellenlänge der Lichtquelle wurde von 436 nm, d.h. die g-Linie, auf 365 nm, d.h. die i-Linie, verkürzt. Ein Stepper und ein anderes Belichtungssystem, wie eine Belichtungseinrichtung vom Scanner-Typ, welche ein Tiefultraviolett(DUV) einsetzt, z.B. 248 nm eines KrF-Excimer-Lasers, sind entwickelt worden.
• Photolack-Muster, deren kritische Abmessung (CD) nicht größer als 0,15 nm sind, können infolge der Entwicklung einer Belichtungsvorrichtung, eines Photolack-Materials und anderer Techniken, welche in dem Photolithographie-Prozess eingesetzt werden, gebildet werden.
• Es kann erwartet werden, Photolack-Muster zu bilden, deren CD bzw. kritische Abmessung nicht größer als 0,11 nm sind, durch Einsetzen eines Tiefultraviolett(DUV), z.B. 193 nm eines ArF-Excimer-Lasers.
• Im Fall des Einsatzes des DUV werden die Auflösung und die Tiefenschärfe (DOF) im Vergleich zu dem Fall, wenn man die i-Linie einsetzt, verbessert. Es ist jedoch schwierig, die Prozeßbedingungen zu steuern. In der Photolithographie, welche das DUV einsetzt, werden Schwierigkeiten durch ein optisches Problem infolge des Einsatzes einer Lichtquelle, welche eine kurze Wellenlänge aufweist, und ein chemisches Problem infolge des Einsatzes des CAR verursacht. Da die Wellenlängen kürzer werden, wird der Effekt einer CD-Schwankung bzw. einer Schwankung der kritischen Abmessung ein ernsthaftes Problem aufgrund des Effekts einer stehenden Welle. Der Effekt einer CD-Schwankung ist ein Phänomen einer periodischen Veränderung der Linienbreite des Photolack-Musters, und der Effekt der CD-Schwankung wird durch die Veränderung des Ausmaßes der Interferenz zwischen einfallendem Licht und reflektierendem Licht verursacht, welches durch eine geringe Dickendifferenz der Photolack-Schicht oder der Unterschicht variiert. In dem Photolithographie-Prozeß, welcher das DUV als die Lichtquelle einsetzt, sollte der CAR zum Verbessern der Empfindlichkeit eingesetzt werden, wobei jedoch die Probleme der Stabilität der Nachbelichtungsverzögerung (PED) und die Abhängigkeit von der Unterschicht infolge der Reaktionsmechanismen des CAR erzeugt werden.
• Das Hauptproblem der Lithographie, welche den ArF-Laser als eine Lichtquelle einsetzt, ist eine Entwicklung eines neuen Photolack-Materials. Der Photolack für den ArF-Laser ist ebenfalls eine Sorte von CAR, wie beim Photolack für den KrF-Laser, es sollten jedoch keine Benzolringe nicht in dem Photolack für ArF-Laser beinhaltet sein. Die Benzolringe wurden zum Verbessern einer Barrierecharakteristik des Photolacks für die i-Linie und KrF-Laser beim Trockenätzen eingesetzt. Im Fall, daß Benzolringe in dem Photolack für ArF-Laser sind, steigert sich die Absorptionsrate bei 193 nm, welches die Wellenlänge des ArF-Lasers ist, d.h. die Transparenzrate sinkt ab, und entsprechend ist es schwierig, den Photolack bis zum Boden desselben zu belichten. Deshalb ist es erforderlich, einen Photolack zu entwickeln, welcher eine höhere Barrierecharakteristik ohne die Benzolringe aufweist.
• Ein Photolack, welcher CycloOlefin-Maleinsäureanhydrid (COMA) aufweist, ein Photolack, welcher Acrylat-Verbindungen aufweist, und ein Photolack, welcher sowohl COMA und die Acrylat-Verbindungen aufweist, welche für ArF-Laser eingesetzt worden sind, weisen jedoch die Benzolringe darin auf.
• Entsprechend im Fall des Bildens von Photolack-Mustern durch Belichten des Photolacks mit dem ArF-Laser, in welchem die Benzolringe vorkommen, wird eine Deformation oder Verklumpung des Photolack-Musters erzeugt, wenn ein Ätzprozeß ausgeführt wird, der fluorbasierte Gase als ein Ätzgas einsetzt.
• Deshalb ist es eine Notwendigkeit, die physikalische Charakteristik des Photolack-Musters zu ergänzen, in welchem die Benzolringe vorkommen, und welcher durch Belichten mit dem ArF-Laser gebildet wird, um die Barrierecharakteristik des Photolack-Musters in dem Ätzprozeß, welcher die fluorbasierten Gase einsetzt, zu verbessern.
• Die DE 199 35 825 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, das die folgenden Schritte umfasst: Bilden eines Basisfilms, der ein Material umfasst, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, auf einem Substrat bzw. Träger; Ausbilden eines Dünnfilms, der ein Material umfasst, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist, auf dem Basisfilm; Ätzen des Dünnfilms durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Chlorbasis enthält; und Ätzen des Basisfilms, der durch den geätzten Dünnfilm bloßgelegt worden ist, durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Fluorbasis enthält.
• Zusammenfassung der Erfindung
• Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung bereitzustellen, welche ein Photolack-Muster einsetzt, das durch einen Argonfluorid(ArF)-Laser als Lichtquelle gebildet wird.
• Gemäß Anspruch 1 wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt, mit den Schritten: a) Bilden einer Maskenschicht auf einer Zwischenisolierschicht, welche auf dem Halbleitersubstrat aufliegt; b) Beschichten eines Photolacks auf die Maskenschicht; c) Belichten des Photolacks durch Einsetzen einer Lichtquelle, deren Wellenlänge in etwa 157 nm bis etwa 193 nm ist; d) Bilden eines Photolack-Musters durch Entwickeln des Photolacks; e) Bilden eines Maskenmusters durch selektives Ätzen der Maskenschicht mit einem Ätzgas, ausgenommen ein fluorbasiertes Gas, durch Einsetzen des Photolack-Musters als eine Ätzmaske; f) Bilden eines Kontaktloches und Freilegen des Halbleitersubstrats durch selektives Ätzen der Zwischenisolierschicht durch Einsetzen des Maskenmusters als eine Ätzmaske; g) Bilden einer leitfähigen Schicht auf der Zwischenisolierschicht einschließlich dem Kontaktloch; und h) Bilden eines Steckers durch Ätzen der leitfähigen Schicht und des Maskenmusters, bis die Zwischenisolierschicht aufgedeckt ist, da die leitfähige Schicht nur in dem Kontaktloch verbleibt.
• Kurzbeschreibung der Zeichnungen
• Die oben genannte Aufgabe und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen ersichtlich, welche in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen zu nehmen sind, in welchen:
• 1A bis 1E sind Querschnittsansichten, welche einen Prozeß zum Herstellen einer Halbleiterspeichervor richtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; und
• 2A bis 2D sind Querschnittsansichten, welche einen Prozeß zum Herstellen einer Haibleiterspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
• Detaillierte Beschreibung der Erfindung
• Im nachfolgenden wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung, welche ein Photolack-Muster einsetzt, das durch einen Argonfluorid(ArF)-Laser als eine Lichtquelle gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet wird, detailliert mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
• Die 1A bis 1E sind Querschnittsansichten, welche einen Prozeß darstellen, in welchem ein Kontaktloch durch Einsetzen eines Photolack-Musters als eine Ätzmaske gebildet wird, welche durch einen Argonfluorid(ArF)-Laserstrahl oder einen Fluor(F₂)-Laserstrahl als eine Lichtquelle gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet wird.
• Mit Bezug auf 1A wird eine Gate-Elektrode 11 als ein Beispiel eines benachbarten leitfähigen Musters auf einem Halbleitersubstrat 10 gebildet. Eine harte Maske 12 und ein Abstandshalter 13 werden jeweils auf der oberen und den seitlichen Seiten der Gate-Elektrode 11 gebildet, und dann wird eine Zwischenisolierschicht 14 auf der gesamten Struktur abgeschieden. Die harte Maske 12 und der Abstandshalter 13 sind mit einer Nitrid-Schicht gebildet und die Zwischenisolierschicht 14 ist mit einer Oxid-Schicht verbesserter Ebenheit, einem Boro-Phospho-Silikat (BPSG), einer Rotationsbeschichtung aus Glas bzw. spin an glass (SOG), einem hochdichten Plasma-Oxid oder einer Nitrid-Schicht in der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet.
• Darauffolgend wird eine Maskenschicht 15 auf der Zwischenisolierschicht 14 gebildet. Die Maskenschicht 15 wird durch Abscheiden von Polysilizium bei einer Dicke von etwa 500 Å bis etwa 200 Å gebildet, welches eine gute Ätzrate für chlorbasierte Gase aufweist.
• Als nächstes wird der Photolack auf die Maskenschicht 15 beschichtet und mit einer Maske zum Induzieren einer Photoreaktion in dem Photolack durch den Einsatz eines ArF-Laserstrahls oder eines Fluor(F₂)-Laserstrahls als Lichtquelle belichtet. Dann wird der Photolack entwickelt und vorbestimmte Photolack-Muster werden erzielt, so daß ein vorbestimmter Abschnitt der Maskenschicht 15 aufgedeckt bzw. freigelegt ist.
• Mit Bezug auf 1B wird die aufgedeckte bzw. freigelegte Maskenschicht 15 selektiv durch den Einsatz eines chlorbasierten Gases, aus der Gruppe Cl₂, Cl₃, BCl₃, HCl, HBr, SiCl₄, zum Aufdecken bzw. Freilegen eines Abschnitts der Zwischenisolierschicht 14 geätzt, so daß ein Kontaktloch definiert wird und ein Maskenmuster 15A gebildet wird. Die vorliegende Erfindung setzt einen Vorteil ein, daß das Photolack-Muster 16, welches durch die Lichtquelle belichtet wird, welche eine Wellenlänge von etwa 157 nm bis 193 nm aufweist wie der ArF-Laserstrahl oder der F₂-Laserstrahl, einen guten Ätzwiderstand gegen chlorbasierte Gase eher als der von fluorbasierten Gasen aufweist, so daß in einem Ätzprozeß, welcher einen Photolack als eine Ätzbarriere einsetzt, da das chlorbasierte Ätzgas eingesetzt wird, Deformationen des Photolack-Musters, welches durch den Ätzprozeß verursacht wird, reduziert werden kann.
• Mit Bezug auf 1C, bevor das Photolack-Muster 16 entfernt wird, wird die freigelegte Zwischenisolierschicht 14 selektiv durch das Photolack-Muster 16 und das Maskenmuster 15A als eine Ätzmaske geätzt, so daß ein Kontaktloch 17 zum Aufdecken bzw. Freilegen einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 zwischen den Gate-Elektroden gebildet wird. Zu diesem Zeitpunkt wird der Ätzprozeß durch den Einsatz eines Gases von C_xF_y (x ist zwischen 1 und 10 und y ist zwischen 1 und 10), C_xH_yF_z (x ist zwischen 1 und 10 und y ist zwischen 1 und 10), O₂, CO oder ein Mischgas daraus als ein Ätzgas ausgeführt. Danach wird das Photolack-Muster 16 entfernt. Der Ätzprozeß der Zwischenisolierschicht 14 kann durchgeführt werden, bevor das Photolack-Muster 16 entfernt wird.
• Mit Bezug auf 1D wird eine Polysilizium-Schicht 18 auf der gesamten Struktur zum Eingefülltwerden in das Kontaktloch 17 abgeschieden, und dann wird ein chemisch mechanischer Polierprozeß oder ein Zurückätzprozeß für die Polysilizium-Schicht 18 und das Maskenmuster 15A ausgeführt, bis die Zwischenisolierschicht 14 aufgedeckt bzw. freigelegt ist, so daß ein Polysilizium-Stecker 18A, wie in 1E gezeigt, gebildet wird.
• Die 2A bis 2D sind Querschnittsansichten, welche einen Prozeß zeigen, der ein Kontaktloch durch Einsetzen eines Photolack-Musters als eine Ätzmaske bildet, welche durch einen Argonfluorid(ArF)-Laserstrahl oder einen Fluor(F₂)-Laserstrahl, deren Wellenlänge zwischen 157 nm bis 193 nm sind, als eine Lichtquelle gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet werden.
• Mit Bezug auf 2A wird eine Gate-Elektrode 11 als ein Beispiel eines benachbarten leitfähigen Musters auf einem Halbleitersubstrat 10 gebildet. Eine harte Maske 12 und ein Abstandshalter 13 werden jeweils auf der oberen und den seitlichen Seiten der Gate-Elektrode 11 gebildet, und dann wird eine Zwischenisolierschicht 14 auf der gesamten Struktur gebildet. Die harte Maske 12 und der Abstandshalter 13 sind mit einer Nitrid-Schicht gebildet und die Zwischenisolierschicht 14 wird mit einer Oxidschicht verbesserter Ebenheit (APL), Boro-Phospho-Silikat-Glas (BPSG), rotationsbeschichtetem Glas (SOG) bzw. spin-on-glass, oder hochdichtem Plasma-Oxid (HDP) gebildet.
• Nachfolgend wird eine Maskenschicht 15 mit einem organischen Material bei einer Dicke von 500 Å bis 3000 Å auf der Zwischenisolierschicht 14 gebildet. Die Maskenschicht 15 spielt des weiteren ebenfalls eine Rolle einer Reflexionsschutzschicht.
• Als nächstes wird ein Photolack auf der Maskenschicht 15 abgeschieden und mit einer Maske zum Induzieren einer Photoreaktion in dem Photolack durch Einsetzen der Lichtquelle des ArF-Laserstrahls oder des F₂-Laserstrahls belichtet. Dann wird der Photolack entwickelt und ein Photolack-Muster wird erzielt, so daß ein vorbestimmter Abschnitt der Maskenschicht 15 aufgedeckt bzw. freigelegt ist.
• Ein das Photolack-Muster 16 bildender Prozeß wird beschrieben.
• Der Photolack für den ArF-Laser, wie COMA (CycloOlefinmaleic Anhydrid) oder Acrylat, wird auf der Maskenschicht 15 bei einer Dicke von 1000 Å bis 5000 Å aufgebracht, und dann kann vor einem Belichtungsprozeß zusätzlich ein Elektronenstrahl-Bestrahlungsprozeß oder ein Ar-Ionen-Implantationsprzeß zum Härten der Toleranz des Photolack-Musters 16 ausgeführt werden.
• Mit Bezug auf 2B wird die aufgedeckte Maskenschicht 15 durch selektives Durchführen eines Ätzprozesses unter Einsatz eines chlorbasierten Ätzgases aus Cl₂, SiCl₄, HCl, HBr oder SiCl₄ unter Beibehaltung des Substrats 10 in einer Temperatur von etwa –40°C bis etwa 30°C entfernt, so daß die Zwischenisolierschicht 14 freigelegt wird und ein Bereich zum Bilden eines Kontaktloches definiert wird. Ebenso wird ein Maskenmuster 15A gebildet. Zu diesem Zeitpunkt kann ein Gas von N₂ O₂, Ar, He oder Xe in das chlorbasierte Gas hinzugegeben werden.
• Wie in 2C gezeigt, wird das Photolack-Muster 16 entfernt.
• Mit Bezug auf 2D, da die aufgedeckte Zwischenisolierschicht 14 selektiv durch Einsetzen des Maskenmusters 15A als eine Ätzmaske geätzt wird, wird ein Kontaktloch 12 zum Freilegen einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 zwischen den Gate-Elektroden gebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Temperatur des Halbleitersubstrats 10 bei etwa 20°C bis etwa 100°C gehalten. Der Ätzprozeß wird durch Einsetzen zumindest eines Gases, gewählt aus der Gruppe fluorbasierter Gase einschließlich C_xF_y (x ist zwischen 1 und 10 und y ist zwischen 1 und 10), C_xH_yF_z (x ist zwischen 1 und 10 und y ist zwischen 1 und 10) ausgeführt, und das Ätzgas kann ebenfalls ein Argon-Gas, ein Helium-Gas oder eine Mischung aus beiden aufweisen.
• Nachfolgend wird ein Polymer, welches ein im Ätzprozeß erzeugtes Nebenprodukt ist, durch einen Reinigungsprozeß entfernt, und das Maskenmuster 15A wird entfernt.
• Wie im obigen erwähnt, da das Maskenmuster mit einem Polysilizium oder einem organischen Material gebildet wird, welches eine hohe Ätzrate für chlorbasierte Gase aufweist, und die Zwischenisolierschicht durch den Einsatz des Maskenmusters als eine Ätzbarriere geätzt wird, kann ein Problem aufgrund der Deformation des Photolack-Musters verhindert werden, welches durch den ArF-Laserstrahl oder den Fluor(F₂)-Laserstrahl belichtet wird, welcher eine Wellenlänge von etwa 157 nm bis etwa 193 nm aufweist.
• Obwohl die vorliegende Erfindung mit Bezug auf die speziellen Ausführungsformen beschrieben wurde, ist es für den Fachmann ersichtlich, daß verschiedene Veränderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne den Geist und Bereich der Erfindung, wie er in den nachfolgenden Ansprüchen definiert ist, zu verlassen.

Claims (11)

1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung mit den Schritten: a) Bilden einer Maskenschicht auf einer Zwischenisolierschicht, welche auf einem Halbleitersubstrat aufliegt; b) Abscheiden eines Photolacks auf der Maskenschicht; c) Belichten des Photolacks durch Einsetzen einer Lichtquelle, deren Wellenlänge etwa 157 nm bis etwa 193 nm ist; d) Bilden eines Photolack-Musters durch Entwickeln des Photolacks; e) Bilden eines Maskenmusters durch selektives Ätzen der Maskenschicht mit einem Ätzgas aus der Gruppe Cl₂, Cl₃, BCl₃, HCl, HBr oder SiCl₄ durch Einsetzen des Photolack-Musters als eine Ätzmaske; f) Bilden eines Kontaktlochs und Aufdecken des Halbleitersubstrats durch selektives Ätzen der Zwischenisolierschicht mit einem Ätzgas aus der Gruppe C_xF_y, C_xH_yF_z, O₂, CO oder einem Mischgas daraus wobei x und y jeweils zwischen 1 und 10 liegen, durch Einsetzen des Maskenmusters als eine Ätzmaske; g) Bilden einer leitfähigen Schicht auf der Zwischenisolierschicht einschließlich dem Kontaktloch; und h) Bilden eines Steckers durch Ätzen der leitfähigen Schicht und des Maskenmusters, bis die Zwischenisolierschicht aufgedeckt bzw. freigelegt ist und das leitfähige Material nur in dem Kontaktloch verbleibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Maskenschicht mit einem organischen Material gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die leitfähige Schicht mit einer Polysilizium-Schicht gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Zwischenisolierschicht mit einer Schicht aus APL-Oxiden (Oxidschicht verbesserter Ebenheit), BPSG (Boro-phospho-Silikat-Glas), SOG (spin an glass) oder HDP (hochdichtem Plasma)-Oxid gebildet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei in Schritt h) die leitfähige Schicht und die Maskenschicht durch einen Zurückätzprozeß oder einen chemisch mechanischem Polierprozeß (CMP) entfernt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Maskenschicht mit einem Polysilizium, TiN oder Al gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Lichtquelle ein ArF-Laser oder ein F₂-Laser ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Photolack zumindest einen von COMA (CycloOlefin-Maleinsäureanhydrid) und Acrylat aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 1, welches den Schritt b1) aufweist, in welchem ein Härten des Photolacks nach dem Schritt b) ausgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Schritt b1) durch Einstrahlung eines Elektronenstrahls in den Photolack ausgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Schritt b1) durch Implantieren von Ar-Ionen in den Photolack ausgeführt wird.