DE19935825A1

DE19935825A1 - Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung dieser elektronischen Vorrichtung

Info

Publication number: DE19935825A1
Application number: DE19935825A
Authority: DE
Inventors: Yoshihiro Koshido
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-08-05
Filing date: 1999-07-29
Publication date: 2000-02-17
Also published as: GB2340305B; US6686675B2; JP3266109B2; JP2000058479A; GB2340305A; GB9916885D0; US20020011760A1; US6358429B1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, das die folgenden Schritte umfaßt: Bilden eines Basisfilms, der ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, auf einem Substrat bzw. Träger; Ausbilden eines Dünnfilms, der ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist, auf dem Basisfilm; Ätzen des Dünnfilms durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Chlorbasis enthält; und Ätzen des Basisfilms, der durch den geätzten Dünnfilm bloßgelegt worden ist, durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Fluorbasis enthält.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Genauer gesagt betrifft die vorliegende Erfindung eine elektronische Vorrichtung wie z. B. eine integrierte Halbleiterschaltung, ein Halbleiter- Bauelement oder ein akustisches Oberflächenwellen-Bauelement (SAW-Bauele ment) und ein Verfahren zur Herstellung derselben.

Verschiedene elektronische Vorrichtungen umfassen ein bestimmtes Muster bildende Elektroden oder Metallisierungen auf einem Substrat. Zum Beispiel ist im Fall eines Oberflächenwellen-Bauelements eine Aluminiumelektrode auf einem piezoelektri schen Einkristallsubstrat durch reaktives Ionenätzen (RIE) ausgebildet. Genauer ge sagt wird, wie in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, eine Oberfläche eines Elektro denfilms 2, der auf einem piezoelektrischen Einkristallsubstrat 1 vorgesehen ist, mit einem Photoresist 3 überzogen, und der Elektrodenfilm 2 wird selektiv unter Verwen dung eines Gases auf Chlorbasis wie z. B. Cl₂ oder BCl₃ und des ein bestimmtes Mu ster bildenden Photoresists 3 als Maske weggeätzt. Aber der Elektrodenfilm 2 wird nicht immer vollständig entfernt und wird manchmal auf dem Einkristallsubstrat 1 be dingt durch ungleiche Verteilungen der Filmdicke des Elektrodenfilms 2 oder einer heterogenen reaktiven Ionenätzrate auf der Oberfläche des Einkristallsubstrats 1 zu rückgelassen, wie in Fig. 1A gezeigt ist. Ein Rückstandsbeseitigungsvorgang, der "Nachätzen" (over-etching) genannt wird, wird deshalb unvermeidlich, um den Elek trodenfilm 2 vollständig zu entfernen, ohne daß irgendwelche Rückstände zurück bleiben. Eine Nachätzbehandlung von 5 bis 50% über der gesamten Ätzzeit unter den gleichen Ätzbedingungen wird bei dem Nachätzverfahren vorgesehen, wie in Fig. 1B gezeigt ist, wodurch das Einkristallsubstrat 1 geringfügig angeätzt wird.

Aber die Abschnitte, an denen der Elektrodenfilm 2 entfernt worden ist und an denen das Einkristallsubstrat 1 während dem Nachätzen dem Chlorplasma ausgesetzt wor den ist, werden bloßgelegt. Folglich wird das Einkristallsubstrat 1 beschädigt, so daß beschädigte Schichten 4 entstehen, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Hierdurch werden die Charakteristiken des Oberflächenwellen-Bauelements verschlechtert.

Man hat allgemein angenommen, daß die Ursache für die Substratbeschädigung aufgrund des zuvor beschriebenen Nachätzens eine physikalische Beschädigung bedingt durch den Aufprall der Ionen ist, die mit dem Substrat während des reaktiven Ionenätzens kollidieren. Folglich ist die Substratbeschädigung aufgrund der Ionenir radiation durch die folgenden Methoden unterdrückt worden: (1) Reduzieren der Io nenirradiationsenergie; (2) Verbessern der Homogenität der Ionenätzrate; und (3) Erfassen des Ätzendzeitpunkts mit hoher Genauigkeit. Aber es war mit den her kömmlichen Methoden unmöglich, die Beschädigung des Substrats vollständig zu verhindern, obwohl diese durch deren Anwendung verringert werden konnte.

Die vorliegende Erfindung ist auf ein Verfahren ausgerichtet, das das oben genannte Problem lösen kann und die Beschädigung des Substrats durch das reaktive Ionen ätzen bei der Herstellung einer elektronischen Vorrichtung verringern kann. Die vor liegende Erfindung ist auch auf eine elektronische Vorrichtung ausgerichtet, die mit dem Verfahren hergestellt werden kann und aufgrund der geringeren Substratbe schädigung exzellente Vorrichtungseigenschaften aufweist.

Eine elektronische Vorrichtung umfaßt folgendes: einen Träger (bzw. ein Trägersub strat/Substrat), der aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Einkristallsub strat, einem Einkristallfilm, einem triaxial ausgerichteten Film und einem uniaxial ausgerichteten Film besteht; eine untere Elektrodenschicht, die ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist und auf dem Träger ausgebildet ist; und eine obere Elektrodenschicht, die ein Material um faßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist und auf der unteren Elektrodenschicht ausgebildet ist.

Das Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung umfaßt die folgenden Schritte: Bilden eines Basisfilms, der ein Material umfaßt, das für ein reaktives Io nenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, und zwar auf z. B. entweder ei nem Einkristallsubstrat oder einem Einkristallfilm oder auf einem triaxial ausgerich teten Film oder auf einem uniaxial ausgerichteten Film; Ausbilden eines Dünnfilms, der ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorba sis geeignet ist, auf dem Basisfilm; Ätzen des Dünnfilms durch reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis unter Verwendung einer Maske mit einem vorbe stimmten Muster; und Ätzen des Basisfilms, der durch den geätzen Dünnfilm freige legt worden ist, durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Flu orbasis enthält.

Der Basisfilm oder die untere Elektrodenschicht enthält vorzugsweise mindestens ein Element, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Si, Mo, W, B, C, S und Ta besteht, und besitzt eine Dicke von etwa 0,5 bis 1000 nm. Der Träger kann ein pie zoelektrisches Material umfassen.

Zum Zwecke der Veranschaulichung der Erfindung werden in den Zeichnungen meh rere derzeit bevorzugte Ausführungsformen gezeigt, wobei es aber selbstverständlich ist, daß die Erfindung nicht auf die gezeigten exakten Anordnungen und Einrichtun gen beschränkt ist. Es zeigen:

Fig. 1A und 1B Querschnittansichten, die die reaktiven Ionenätzschritte darstellen, bei denen auf herkömmliche Weise ein Gas auf Chlorbasis verwendet wird,

Fig. 2 eine Querschnittansicht eines Substrats, das durch Nachätzen beschä digt ist,

Fig. 3A bis 3E Querschnittansichten, die die elektrodenbildenden Schritte gemäß ei nem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.

Der Erfinder der vorliegenden Erfindung hat durch Studien herausgefunden, daß die Beschädigung des Substrats nicht nur einfach durch eine physikalische Beschädi gung aufgrund des Aufprallens der Ionen auf dem Substrat bewirkt wird, sondern durch eine Diffusion von Chlorarten (Ionen, Atome, Moleküle oder Chlorradikale) in das Substrat bewirkt wird. Gemäß der Studie geht man davon aus, daß das Chlor in das Substrat diffundiert, indem die Oberfläche des Substrats während des reaktiven Ionenätzens den Chlor-Ionen ausgesetzt ist und dieses die Kristallinität des Substrats zerstört oder beeinträchtigt. Als eine Folge davon wird bewirkt, daß sich verschiede ne Eigenschaften, die sich aufgrund einer hohen Kristallinität einstellten, wie z. B. piezoelektrische Eigenschaften, dielektrische Eigenschaften, pyroelektrische Eigen schaften, Halbleitereigenschaften, magnetische Eigenschaften und dergleichen, ver schlechtern.

Das Verfahren und die elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung basieren auf den Erkenntnissen, die von dem Erfinder der vorliegenden Erfindung herausgefunden wurden und sehen eine elektronische Vorrichtung vor, bei der eine untere Elektrodenschicht, die ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, auf einem Einkristallsubstrat oder einem Einkristallfilm oder einem triaxial ausgerichteten Film oder einem uniaxial ausgerich teten Film ausgebildet wird, und eine obere Elektrodenschicht, die ein Material um faßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist, auf der unteren Elektrodenschicht ausgebildet wird. Funktionale Einkristallmaterialien wie z. B. piezoelektrische Materialien, dielektrische Materialien, pyroelektrische Materiali en, Halbleitermaterialien und magnetische Materialien werden je nach Art der elek tronischen Vorrichtung für das Einkristallsubstrat oder den Einkristallfilm oder den triaxial ausgerichteten Film oder den uniaxial ausgerichteten Film verwendet.

Nach der Studie des Erfinders wird die vorliegende Erfindung vorzugsweise bei ei nem Oberflächenwellen-Bauelement, das ein piezoelektrisches Substrat oder einen piezoelektrischen Film aufweist, die aus einem Material wie z. B. LiTaO₃, LiNbO₃, Li₂B₄O₇, Quarz oder La₃Ga₅SiO₁₄ (Langasit) hergestellt sind, und bei dem Herstel lungsverfahren davon verwendet. Und zwar deshalb, weil diese Materialien empfäng lich sind für die Chlordiffusion durch das reaktive Ionenätzverfahren, was zu einer Herabsetzung der piezoelektrischen Eigenschaften führt.

Das auf Chlor basierende Gas, das für das reaktive Ionenätzen verwendet wird, be zieht sich auf ein Gas, das Chlor enthält, z. B. ein Gas, das zumindest eines aus der Gruppe von Cl₂, BCl₃, SiCl₄, CClF₃, CHClF₂, CCl₂F₂, CHCl₂F, CHCl₃, CCl₃F und CH₂Cl₂ enthält. Andererseits kann der Dünnfilm, der auf dem Einkristallsubstrat oder dem Einkristallfilm oder auf dem triaxial oder uniaxial ausgerichteten Film ausgebildet wird, ein leitendes Material oder ein Halbleiter sein und mindestens ein Element ent halten, das zum reaktiven Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist, wo bei Beispiele davon mindestens ein Element aus der Gruppe von Al, Cu, Ti, Cr, Ga, As, Se, Nb, Ru, In, Sn, Sb, Ta oder Au enthalten.

Die elektronische Vorrichtung wird hergestellt, indem ein Basisfilm, der ein Material umfaßt, das zum reaktiven Ätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, und ein Dünnfilm, der ein Material umfaßt, das zum reaktiven Ätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist, auf dem Einkristallsubstrat oder dem Einkristallfilm, oder auf dem triaxial ausgerichteten Film oder dem uniaxial ausgerichteten Film ausgebildet werden, woraufhin dann der Dünnfilm durch das reaktive Ionenätzen mit einem Gas geätzt wird, das ein Gas auf Chlorbasis enthält, wobei der Basisfilm, der von dem Dünnfilm bloßgelegt worden ist, weiter dem reaktiven Ionenätzen mit einem Gas un terzogen wird, das ein Gas auf Fluorbasis enthält.

Da der Basisfilm, der zum reaktiven Ionenätzen mit dem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, unter dem Dünnfilm ausgebildet ist, wird das reaktive Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Chlorbasis enthält, gestoppt, wenn der Basisfilm in dem Ätzbereich vollständig freigelegt worden ist, während das reaktive Ionenätzen mit einem Gas vorgesehen wird, das das Gas auf Chlorbasis enthält. Der oben beschriebene Vor gang erlaubt es, daß eine chemische Beschädigung des Einkristallsubstrats oder des Einkristallfilms oder des triaxial oder uniaxial ausgerichteten Films durch Chlor ver hindert wird.

Zum Bloßlegen des Einkristallsubstrats oder des Einkristallfilms oder des triaxial oder uniaxial ausgerichteten Films durch das Entfernen der Substratschichten wird der Dünnfilm, der durch das reaktive Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Chlor basis enthält, freigelegt worden ist, durch das reaktive Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Fluorbasis enthält, entfernt.

Wie die Studien der Erfinder der vorliegenden Erfindung gezeigt haben, wurde es klar, daß die Kristalle in dem Einkristallsubstrat oder dem Einkristallfilm keinen che mischen Beschädigungen ausgesetzt sind, wenn Fluor (Ionen, Moleküle, Atome oder Radikale des Fluors) verwendet wird. Folglich wird das Einkristallsubstrat oder der Einkristallfilm nicht beschädigt, wenn die bloßgelegte Substratschicht weiter durch das reaktive Ionenätzen mit einem Gas, das das Gas auf Fluorbasis enthält, geätzt wird, um das Einkristallsubstrat oder den Einkristallfilm freizulegen, oder um den tria xial oder uniaxial ausgerichteten Film freizulegen, wodurch es möglich wird, die Vor richtungseigenschaften zu stabilisieren.

Da eine Beschädigung des Substrats durch das reaktive Ionenätzen allgemein als eine physikalische Beschädigung im herkömmlichen Sinne angesehen wurde, war man der Meinung, daß die gleiche Art von Beschädigung auch ungeachtet der Art des Gases bewirkt wird. Folglich war es im Stand der Technik unmöglich, die Be schädigung des Substrats vollständig zu unterdrücken, obwohl diese etwas verringert werden kann. Dagegen kann bei dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung die Beschädigung des Substrats durch das reaktive Ionenätzen verhindert werden, wo durch die Charakteristiken der elektronischen Vorrichtung verbessert werden können.

Das Substrat, das zum reaktiven Ionenätzen mit den Gasen auf Fluorbasis geeignet ist, enthält mindestens ein Element aus Si, Mo, W, B, C, S und Ta mit einer bevor zugten Filmdicke von etwa 0,5 bis 1000 nm, noch bevorzugter von etwa 1-500 nm. Das Substrat mit einer Dicke von weniger als etwa 0,5 nm kann durch das reaktive Ionenätzen mit dem Gas auf Chlorbasis Löcher bekommen, während dann, wenn die Dicke größer als etwa 1000 nm ist, die Bearbeitungszeit zu lang wird oder die Verar beitungsgenauigkeit verringert wird.

Das Gas auf Fluorbasis, das für das reaktive Ionenätzen des Substrats verwendet werden kann, kann mindestens eine Art von Gas aus CF₄, CHF₃, F₂, NF₃, CClF₃, C₂F₆, CBrF₃, CH₂F₂, CHClF₂, C₃F₈, CCl₂F₂, C₄F₈, CHCl₂F, CBr₂F₂ und CCl₃F enthal ten.

Im folgenden wird nun ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung genauer unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei das Oberflächenwellen-Bauelement als ein Beispiel verwendet wird. Wie in Fig. 3A gezeigt ist, wird zuerst ein Basisfilm 12, der aus Wolfram mit einer Dicke von 10 nm hergestellt ist, durch Sputtern auf einem Einkristall-LiTiO₃-Substrat aufge bracht, das einen Durchmesser von drei Inch aufweist. Während der Basisfilm 12 nicht der Luft ausgesetzt wird (indem ein Vakuum in der Sputtervorrichtung aufrecht erhalten wird), wird ein Elektrodenfilm 13 mit einer Dicke von 100 nm, der aus Al mit 1 Massenanteil (Gew.-%) Cu (im folgenden Al-1 Gew.-% Cu genannt) durch Sputtern auf dem Basisfilm 12 aufgebracht, wie in Fig. 3B gezeigt ist. Dann wird ein Al- 1 Gew.-% Cu-Photoresist auf dem Elektrodenfilm 13 aufgetragen, woraufhin dann ein Photoresistmuster 14 mit einer Linienstärke (L/S) von 0,5 µm und einer Filmdicke von 1 µm durch das Ausbilden eines Musters des Photoresists mittels eines Photolitho graphie-Verfahrens gebildet wird.

Der Elektrodenfilm 13 wird durch das reaktive Ionenätzen entfernt, wobei das Photo resistmuster 14 als eine Maske verwendet wird. Der erste reaktive Ionenätzschritt wird mit einem Parallelplatten-RIE-Apparat unter Verwendung eines gemischten Ga ses mit einer Zusammensetzung aus (BCl₃ + Cl₂ + N₂) durchgeführt. Es ist selbstver ständlich, daß eine hochdichte Plasmaquelle wie z. B. ICP, ECR oder Helicon anstelle des Parallelplatten-RIE-Apparats verwendet werden können. Eine Nachätzzeit, die 30% der gesamten Ätzzeit entspricht, wurde für den ersten reaktiven Ionenätzschritt verwendet. Der aus Al-1 Gew.-% Cu bestehende Elektrodenfilm 13 wird somit trocken geätzt (dry-etched), wodurch die unteren Elektroden mit einem vorgeschriebenen Muster erhalten werden, wie in Fig. 3D gezeigt ist.

Da die Ätzrate des Basisfilms 12, der aus Wolfram hergestellt ist, mit dem Gas auf Chlorbasis (Chlorplasma) ein Zehntel oder weniger langsamer als die Ätzrate des aus Al-1 Gew.-% Cu bestehenden Elektrodenfilms 13 ist, wird der Basisfilm 12 kaum angeätzt. Folglich werden die Rückstände des Elektrodenfilms 13 durch die ausrei chende Nachätzbehandlung vollständig entfernt. Da das LiTaO₃-Substrat 11 an den Abschnitten, an denen der Elektrodenfilm 13 entfernt ist, nicht bloßgelegt ist, wird das LiTaO₃-Substrat 11 mit dem Basisfilm 12 geschützt, um zu verhindern, daß die Platte beschädigt wird, wenn das reaktive Ionenätzen mit einem gemischten Gas durchge führt wird, das das Gas auf Chlorbasis enthält.

Nach dem vollständigen Absaugen des gemischten Gases aus (BCl₃ + Cl₂ + N₂) aus der Kammer des RIE-Apparates und bevor das LiTaO₃-Substrat 11 der Luft ausge setzt wird, wird es dem reaktiven Ionenätzen mit dem Gas auf Fluorbasis unterzogen, um den Basisfilm 12 zu entfernen, wie in Fig. 3E gezeigt ist. Das reaktive Ionenätzen in dem zweiten Schritt wird mit dem Parallelplatten-RIE-Apparat unter Verwendung eines gemischten Gases aus CF₄ + O₂ durchgeführt. Die Nachätzzeit entspricht auch 30% der gesamten Ätzzeit. Der Basisfilm 12 wird somit trockengeätzt, wodurch sich ein Muster der unteren Elektrode 16 mit der gleichen Konfiguration wie dem der obe ren Elektrode 15 ergibt, wie in Fig. 3E gezeigt ist.

Wenn die Substratschicht 12 entfernt wird, um das LiTaO₃-Substrat 11 komplett frei zulegen, können die Rückstände der Substratschicht 12 durch eine ausreichende Nachätzbehandlung gründlich beseitigt werden, da das LiTaO₃-Substrat 11 von dem gemischten Gas mit einer Zusammensetzung aus CF₄ + O₂ nicht chemisch beschä digt wird.

Eine Kammzahn-förmige Doppelschicht-Elektrode, die aus der unteren Elektrode 16 (Wolfram) und der oberen Elektrode 15 (Al-1 Gew.-% Cu) besteht, wie in Fig. 3F ge zeigt ist, wird durch Waschen nach dem Entfernen des Photoresistmusters 14 mit einer Photoresistablöselösung erhalten. Dieses Substrat (Grundplatte) wird abge schnitten, zusammengebaut und verdrahtet, um das Oberflächenwellen-Bauelement zu erhalten.

Wie zuvor beschrieben worden ist, können gute Vorrichtungseigenschaften bei dem obigen Ausführungsbeispiel ungeachtet des Vorsehens einer ausreichenden Nach ätzbehandlung in den ersten und zweiten reaktiven Ionenätzschritten erhalten wer den. Im Gegensatz dazu wird im Stand der Technik das Substrat mit dem Chlorplas ma chemisch beschädigt, wenn es einer Nachätzbehandlung von 30% unterzogen wird, was zu ernsthaften Verschlechterungen der Vorrichtungseigenschaften führt (wie z. B. ein Einfügungsverlust).

Es sind zwar bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung offenbart worden, aber es können verschiedene Arten von Durchführung der hier offenbarten Prinzipien als im Rahmen der nachfolgenden Ansprüche liegend erdacht werden. Deshalb ist es selbstverständlich, daß der Rahmen der Erfindung außer wie in den Ansprüchen de finiert nicht eingeschränkt werden soll.

Claims

1. Elektronische Vorrichtung, gekennzeichnet durch:
einen Träger,
eine untere Elektrodenschicht auf dem Träger, die ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis geeignet ist, und
eine obere Elektrodenschicht auf der unteren Elektrodenschicht, die ein Mate rial umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis ge eignet ist.

2. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Elektrode mindestens ein Element umfaßt, das aus der Gruppe ausge wählt wird, die aus Si, Mo, W, B, C, S und Ta besteht.

3. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Elektrode eine Dicke von etwa 0,5 nm bis 1000 nm besitzt.

4. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein piezoelektrisches Material umfaßt.

5. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Elektrode eine Dicke von etwa 1-500 nm umfaßt.

6. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Einkristallsubstrat, ei nem Einkristallfilm, einem triaxial ausgerichteten Film und einem uniaxial aus gerichteten Film besteht.

7. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Elektrode eine Dicke von etwa 0,5 nm bis 1000 nm aufweist.

8. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein piezoelektrisches Material umfaßt.

9. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Einkristallsubstrat, ei nem Einkristallfilm, einem triaxial ausgerichteten Film und einem uniaxial aus gerichteten Film besteht.

10. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Vorsehen eines Trägers mit einem Basisfilm auf einer Oberfläche davon, wo bei der Basisfilm ein Material umfaßt, das für ein reaktives Ionenätzen mit ei nem Gas auf Fluorbasis geeignet ist,
Ausbilden eines Deckfilms, der ein Material umfaßt, das für ein reaktives Io nenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis geeignet ist, auf dem Basisfilm,
Ausbilden einer Maske mit einem vorbestimmten Muster auf dem Basisfilm,
Ätzen des Abdeckfilms durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Chlorbasis,
Ätzen des Basisfilms, der durch Ätzen des Abdeckfilms bloßgelegt worden ist, durch ein reaktives Ionenätzen mit einem Gas auf Fluorbasis.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisfilm mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe ausgewählt worden ist, die aus Si, Mo, W, B, C, S und Ta besteht.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisfilm eine Dicke von etwa 0,5 nm bis 1000 nm aufweist.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisfilm eine Dicke von etwa 1-500 nm aufweist.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein piezoelektrisches Material umfaßt.

15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Einkristallsubstrat, einem Einkri stallfilm, einem triaxial ausgerichteten Film und einem uniaxial ausgerichteten Film besteht.

16. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisfilm eine Dicke von etwa 0,5 bis 1000 nm umfaßt.

17. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisfilm eine Dicke von etwa 1-500 nm aufweist.

18. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein piezoelektrisches Material umfaßt.

19. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Einkristallsubstrat, einem Einkri stallfilm, einem triaxial ausgerichteten Film und einem uniaxial ausgerichteten Film besteht.