CN111200701B - 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 - Google Patents

Abstract

一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，摄像组件的封装方法包括：提供感光芯片，感光芯片具有焊垫；在感光芯片上贴装滤光片；提供第一承载基板，在第一承载基板上临时键合功能元件和感光芯片，功能元件具有焊垫，且感光芯片和功能元件的焊垫均背向第一承载基板；形成封装层，覆盖第一承载基板、感光芯片和功能元件，并露出滤光片；在封装层靠近滤光片的一侧形成再布线结构，电连接焊垫；去除第一承载基板。本发明将感光芯片和功能元件集成于封装层中并通过再布线结构实现电连接，以省去电路板，从而减小了镜头模组总厚度，而且，缩短了感光芯片和功能元件之间的距离，相应能够缩短了电连接的距离，使得提高镜头模组使用性能得到提升。

Description

摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备

技术领域

本发明实施例涉及镜头模组领域，尤其涉及一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高，业余生活也更加丰富，摄影逐渐成为人们记录出游以及各种日常生活的常用手段，因此具有拍摄功能的电子设备(例如：手机、平板电脑和照相机等)越来越多地应用到人们的日常生活以及工作中，具有拍摄功能的电子设备逐渐成为当今人们不可或缺的重要工具。

具有拍摄功能的电子设备通常都设有镜头模组，镜头模组的设计水平是决定拍摄质量的重要因素之一。镜头模组通常包括具有感光芯片的摄像组件以及固定于所述摄像组件上方且用于形成被摄物体影像的镜头组件。

而且，为了提高镜头模组的成像能力，相应需具有更大成像面积的感光芯片，且通常还会在所述镜头模组中配置电阻、电容器等被动元件以及外围芯片。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，提高镜头模组的使用性能、并减小镜头模组的总厚度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种摄像组件的封装方法，包括：提供感光芯片，所述感光芯片具有焊垫；在所述感光芯片上贴装滤光片；提供第一承载基板，在所述第一承载基板上临时键合功能元件和所述感光芯片，所述功能元件具有焊垫，且所述感光芯片和功能元件的焊垫均背向所述第一承载基板；形成封装层，覆盖所述第一承载基板、感光芯片和功能元件，并露出所述滤光片；在所述封装层靠近所述滤光片的一侧形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫以及所述功能元件的焊垫；去除所述第一承载基板。

相应的，本发明实施例还提供一种摄像组件，包括：封装层、以及嵌于所述封装层中的感光单元和功能元件；所述感光单元包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件，所述封装层的顶面高于所述感光芯片和功能元件并露出所述滤光片，其中，所述感光芯片和功能元件均具有焊垫，所述焊垫背向所述封装层的底面；再布线结构，位于所述封装层的顶面一侧，所述再布线结构电连接所述焊垫。

相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组，包括：本发明实施例所述的摄像组件；镜头组件，包括支架，所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光芯片和功能元件，所述镜头组件与所述感光芯片和功能元件实现电连接。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括：本发明实施例所述的镜头模组。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中，并通过再布线结构实现电连接，与将外围芯片贴装在外围主板上的方案相比，本发明实施例能够减小感光芯片和功能元件之间的距离，相应有利于缩短感光芯片和功能元件之间电连接的距离，从而提高了信号传输的速度，进而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)；而且，通过封装层和再布线结构，相应还省去了电路板(例如：PCB)，从而减小了镜头模组的总厚度，以满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。

附图说明

图1至图13是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图14至图17是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图18是本发明镜头模组一实施例的结构示意图；

图19是本发明电子设备一实施例的结构示意图。

具体实施方式

目前，镜头模组的使用性能有待提高，且镜头模组难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。分析其原因在于：

传统的镜头模组主要由电路板、感光芯片、功能元件(例如：外围芯片)和镜头组件组装而成，且外围芯片通常贴装在外围主板上，感光芯片和功能元件之间相互分离；其中，所述电路板用于对所述感光芯片、功能元件和镜头组件起到支撑作用，且通过所述电路板实现所述感光芯片、功能元件和镜头模组之间的电连接。

但是，随着高像素、超薄镜头模组的要求，镜头模组的成像要求也越来越高，感光芯片的面积相应增加，功能元件也相应增多，从而导致镜头模组的尺寸越来越大，难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

而且，感光芯片通常设置于镜头模组中的支架内部，外围芯片通常设置于支架外部，因此所述外围芯片与感光芯片之间具有一定的距离，从而降低了信号传输的速率。而所述外围芯片通常包括数字信号处理器(digital signal processor，DSP)芯片和存储器芯片，因此容易对拍摄速度和存储速度产生不良影响，进而降低镜头模组的使用性能。

为了解决所述技术问题，本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中，并通过再布线结构实现电连接，与将外围芯片贴装在外围主板上的方案相比，能够减小感光芯片和功能元件之间的距离，相应有利于缩短感光芯片和功能元件之间电连接的距离，从而提高了信号传输的速度，进而提高镜头模组的使用性能；而且，通过封装层和再布线结构，相应还省去了电路板，从而减小了镜头模组的总厚度，以满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1至图13是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

结合参考图1至图2，图2是图1中一个感光芯片的放大图，提供感光芯片200，所述感光芯片200具有焊垫。

所述感光芯片200为图像传感器芯片。本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD(charge coupled device，电荷耦合器)图像传感器芯片。

本实施例中，所述感光芯片200具有光信号接收面201(如图2所示)，所述感光芯片200通过所述光信号接收面201接收感测光辐射信号。

具体地，所述感光芯片200包括感光区200C以及环绕所述感光区200C的外围区200E，所述光信号接收面201位于所述感光区200C。

所述感光芯片200包括多个像素单元，因此感光芯片200包含有多个半导体光敏器件(图未示)、以及位于半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示)，滤光膜用于收对光信号接面201接收的光信号进行选择性吸收和通过；所述感光芯片200还包括位于滤光膜上的微透镜210，微透镜210与半导体光敏器件一一对应，从而将接收的光辐射信号光线聚焦至半导体光敏器件。所述光信号接收面201相应为所述微透镜210的顶面。

需要说明的是，所述感光芯片200通常为硅基芯片，采用集成电路制作技术所制成，所述感光芯片200具有焊垫，用于实现所述感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述感光芯片200具有形成于外围区200E的第一芯片焊垫220。

本实施例中，位于所述光信号接收面201同侧的感光芯片200表面露出所述第一芯片焊垫220。

继续参考图1和图2，并结合参考图3，图3是图1中一个滤光片的放大图，在所述感光芯片200上贴装滤光片400(如图1所示)。

所述滤光片400和感光芯片200实现贴装后，形成感光单元250(如图1所示)。所述滤光片400贴装在所述感光芯片200上，以免后续封装工艺对所述光信号接收面201造成污染，且还有利于减小了后续镜头模组的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

所述滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。

具体地，所述滤光片400为红外截止滤光片(infrared cut filter，IRCF)，所述红外截止滤光片可以为蓝玻璃红外截止滤光片，或者，包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜(IR cut coating)。

本实施例中，所述滤光片400包括待键合面401。所述待键合面401为用于与感光芯片200实现贴装的面，即用于面向所述感光芯片200的面。

具体地，在滤光片400为蓝玻璃红外截止滤光片的情况下，蓝玻璃红外截止滤光片的一个表面镀有增透膜或抗反射膜，与增透膜或抗反射膜表面相背的面为待键合面401；在滤光片400包括玻璃以及位于玻璃表面的红外截止膜的情况下，与红外截止膜相背的玻璃表面为待键合面401。在其他实施例中，当滤光片为全透光玻璃片时，全透光玻璃片的任一表面为待键合面。

如图3所示，所述滤光片400包括透光区400C以及环绕透光区400C的边缘区400E。所述透光区400C用于使外部入射光透过，从而使感光芯片200的光信号接收面201接收光信号，以保证镜头模组的正常使用功能；所述边缘区400E为实现滤光片400和感光芯片200的贴装预留空间位置。

如图1所示，本实施例中，所述滤光片400通过粘合结构410贴装在感光芯片200上，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201。

所述粘合结构410用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接，且所述滤光片400、粘合结构410和感光芯片200围成空腔(未标示)，避免滤光片400与感光芯片200直接接触，从而避免滤光片400对感光芯片200的性能产生不良影响。

本实施例中，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201，从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于感光芯片200的感光路径上，进而使所述感光芯片200的性能得到保障。

具体地，所述粘合结构410的材料为可光刻材料，可通过光刻工艺形成粘合结构410，这不仅有利于提高粘合结构410的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能，且还能够减小对粘合结构410的粘结强度所产生的影响。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜(dry film)。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺(polyimide)、可光刻的聚苯并恶唑(PBO)或可光刻的苯并环丁烯(BCB)。

本实施例中，为了降低形成所述粘合结构410的工艺难度、简化工艺步骤、减小所述粘合结构410的形成工艺对光信号接收面201的影响，在所述滤光片400上形成所述粘合结构410。

具体地，如图1所示，所述贴装步骤包括：提供第三承载基板340；将所述滤光片400背向待键合面401的面临时键合于第三承载基板340上；在所述临时键合步骤之后，在所述滤光片400的边缘区400E(如图3所示)形成环形粘合结构410；使所述感光芯片200的光信号接收面201面向所述环形粘合结构410，将所述感光芯片200的外围区200E(如图2所示)贴装于所述环形粘合结构410上，以形成所述感光单元250。

所述第三承载基板340用于为所述贴合步骤提供工艺平台，从而提高工艺可操作性。本实施例中，所述第三承载基板340为载体晶圆(carrier wafer)。在其他实施例中，所述第三承载基板还可以为其他类型的基板。

具体地，通过第一临时键合层345将滤光片400临时键合于第三承载基板340上。所述第一临时键合层345用于作为剥离层，便于后续实现解键合。

本实施例中，所述第一临时键合层345为发泡膜。发泡膜包括相对的微粘面和发泡面，发泡膜在常温下具有粘性，且发泡面贴附于第三承载基板340上，后续通过对发泡膜进行加热，即可使发泡面失去粘性，从而实现解键合。在另一些实施例中，所述第一临时键合层还可以为粘片膜(die attach film，DAF)。

结合参考图4，需要说明的是，在贴装步骤之后，还包括：将所述感光芯片200背向光信号接收面201的面贴附至UV膜310上；在所述贴附步骤之后，进行第一解键合处理，去除所述第三承载基板340(如图1所示)。

通过所述贴附步骤，为后续将感光单元250临时键合至另一承载基板做好工艺准备，且所述UV膜310用于在去除第三承载基板340之后对感光单元250提供支撑和固定的作用。其中，UV膜310在紫外光的照射下粘附力会减弱，后续易于将感光单元250从UV膜310上取下。

具体地，采用贴膜机使所述UV膜310紧贴所述感光芯片200背向光信号接收面201的面，且还贴附于直径较大的框架315底部，通过所述框架315，以起到绷膜的作用，从而使所述感光单元250分立固定于所述UV膜310上。对所述UV膜310和框架315的具体描述，本实施例在此不再赘述。

本实施例中，所述第一临时键合层345(如图1所示)为发泡膜，因此采用热解键合工艺进行所述第一解键合处理。具体地，对所述第一临时键合层345进行加热处理，使发泡膜的发泡面失去粘性，从而去除所述第三承载基板340，随后采用撕除的方式去除所述第一临时键合层345。

参考图5，提供第一承载基板320，在所述第一承载基板320上临时键合功能元件(未标示)和所述感光芯片200，所述功能元件具有焊垫，且所述感光芯片200和功能元件的焊垫均背向所述第一承载基板320。

通过将功能元件和感光芯片200临时键合至第一承载基板320上，从而为后续实现功能元件和感光芯片200的封装集成和电学集成做好工艺准备。

而且通过临时键合(temporary bonding，TB)的方式，还便于后续将感光芯片200、功能元件和第一承载基板320进行分离。其中，所述第一承载基板320还用于为后续封装层的形成提供工艺平台。

本实施例中，所述第一承载基板320为载体晶圆。在其他实施例中，所述第一承载基板还可以为其他类型的基板。

具体地，通过第二临时键合层325将功能元件和感光芯片200临时键合至第一承载基板320上。本实施例中，所述第二临时键合层325为发泡膜。对所述第二临时键合层325的具体描述，可参考前述对所述第一临时键合层345(如图1所示)的相关描述，在此不再赘述。

本实施例中，将感光芯片200临时键合于第一承载基板320上之后，所述感光芯片200的第一芯片焊垫220背向所述第一承载基板320。

具体地，对单个感光单元250(如图1所示)位置处的UV膜310(如图4所示)进行紫外光照射，使受到紫外光照射的UV膜310失去粘性，并通过顶针将单个感光单元250顶起，随后通过吸附设备提起所述感光单元250，依次将所述感光单元250从UV膜310上剥离下来并放置于所述第一承载基板320上。其中，通过将所述感光单元250逐个放置于第一承载基板320上的方式，有利于提高感光单元250在第一承载基板320上的位置精准度，以便于后续工艺的正常进行。

本实施例中，在实现所述感光芯片200和滤光片400的贴装后，将所述感光芯片200临时键合于第一承载基板320上。在其他实施例中，也可以在将感光芯片临时键合于第一承载基板上之后，实现所述感光芯片和滤光片的贴装。

本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中，当所形成的镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，所述感光单元的数量还可以为多个。

所述功能元件为摄像组件中除感光芯片200之外的具有特定功能元件，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。

本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。

所述外围芯片230为主动元件，当后续实现与感光芯片200的电连接后，用于向所述感光芯片200提供外围电路，例如：模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。

本实施例中，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中，外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。图5中仅示意出了一个外围芯片230，但外围芯片230的数量不仅限于一个。

所述外围芯片230通常为硅基芯片，采用集成电路制作技术所制成，也具有焊垫，用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235。

本实施例中，所述第一芯片焊垫220背向第一承载基板320，因此为了降低后续电连接工艺的难度，所述外围芯片230临时键合至第一承载基板320上之后，所述第二芯片焊垫235也背向第一承载基板320，从而使所述第一芯片焊垫220和第二芯片焊垫235位于同侧。

所述被动元件240用于为所述感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示，图5中仅示意出了一个被动元件240，但所述被动元件240的数量不仅限于一个。

所述被动元件240也具有焊垫，用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述被动元件240的焊垫为电极245。

由前述分析可知，在第一芯片焊垫220背向第一承载基板320的情况下，为了降低后续电连接工艺的难度，所述被动元件240临时键合至第一承载基板320上之后，所述电极245也背向第一承载基板320。

需要说明的是，为了降低后续电连接工艺的工艺难度，所述功能元件和感光芯片200的厚度相等或者厚度差较小。其中，可根据所述感光芯片200的厚度，形成厚度相匹配的功能元件。本实施例中，所述功能元件和感光芯片200之间的厚度差为-2微米至2微米。

相应的，所述外围芯片230和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米，所述被动元件240和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。

参考图6，形成封装层350，覆盖所述第一承载基板320、感光芯片200和功能元件(未标示)，并露出所述滤光片400。

所述封装层350对感光芯片200和功能元件(例如：外围芯片230、被动元件240)起到固定作用，用于使感光芯片200和功能元件实现封装集成。

其中，通过封装层350，能够减少镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板(例如：PCB)，从而显著减小后续所形成镜头模组的总厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。而且，与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比，通过将感光芯片和功能元件均集成于封装层350中的方式，能够减小感光芯片200和各功能元件之间的距离，相应有利于缩短感光芯片和各功能元件之间电连接的距离，从而提高了信号传输的速率，进而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)。

本实施例中，所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，还有利于提高镜头模组的可靠性。

本实施例中，所述封装层350的材料为环氧树脂。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点，因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。

本实施例中，利用注塑(injection molding)工艺形成所述封装层350。通过采用注塑工艺，有利于提高产量、降低工艺成本；而且，制备相匹配的模具，即可使所述封装层350的厚度和形成区域满足工艺需求，以免所述封装层350覆盖所述滤光片400，工艺简单。

具体地，形成所述封装层350的步骤包括：在第一承载基板320上临时键合功能元件(未标示)和感光芯片200、且实现感光芯片200和滤光片400的贴装之后，将第一承载基板320置于模具内，所述模具包括上模和下模；将所述第一承载基板320置于所述上模和下模之间；在合模后，使所述模具压合至所述第一承载基板320和滤光片400上，在所述上模和下模之间形成型腔；向所述型腔内注入塑封材料，形成所述封装层；去除所述模具。

在其他实施例中，还可以采用其他模塑工艺形成所述封装层。例如：在形成覆盖滤光片的封装层后，通过对封装层进行刻蚀处理或研磨(grinding)处理的方式，去除高于所述滤光片的封装层，从而使剩余封装层露出所述滤光片。

本实施例中，所述封装层350还覆盖所述滤光片400的侧壁，从而提高了感光单元250(如图1所示)中空腔的密封性，降低水蒸气、氧化气体等进入所述空腔内的概率，使所述感光芯片200的性能得到保障。

需要说明的是，由于省去了电路板，已能够起到减小镜头模组厚度的效果。因此无需对感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理，从而提高了感光芯片200和外围芯片230的机械强度和可靠性，相应提高镜头模组的可靠性。在其他实施例中，根据工艺需求，也可以适当减小所述感光芯片和外围芯片的厚度，但减薄量较小，以保证其机械强度和可靠性不受影响。

继续参考图5，本实施例中，形成所述封装层350(如图6所示)之前，还包括：形成覆盖所述滤光片400侧壁的应力缓冲层420。

所述应力缓冲层420有利于减小封装层350对滤光片400产生的应力，以降低所述滤光片400发生破裂的概率，从而提高封装工艺的可靠性和良率，相应提高镜头模组的可靠性。尤其是，所述滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片，玻璃片受到应力影响而发生破裂的可能性较高，通过所述应力缓冲层420，能够显著降低所述滤光片400发生破裂的概率。

所述应力缓冲层420具有粘性，保证其在滤光片400上的粘附性。本实施例中，所述应力缓冲层420的材料为环氧类胶。环氧类胶即为环氧树脂胶(epoxy resin adhesive)，环氧类胶具有形式多样性，通过改变其成分可获得不同弹性模量的材料，从而能够根据实际情况，对所述滤光片400受到的应力进行调控。

本实施例中，将所述感光单元250(如图1所示)临时键合于所述第一承载基板320上之后，形成所述应力缓冲层420，从而使所述第一承载基板320为所述应力缓冲层420的形成提供工艺平台。

在其他实施例中，也可以在所述滤光片贴装在感光芯片上之前，形成所述应力缓冲层；或者，在所述滤光片贴装在所述感光芯片上之后，在所述感光单元临时键合至所述第一承载基板上之前，形成所述应力缓冲层。

具体地，通过点胶工艺形成所述应力缓冲层420。通过选用点胶工艺，提高了形成所述应力缓冲层420的步骤与目前封装工艺的兼容性，且工艺简单。

本实施例中，所述应力缓冲层420还覆盖粘合结构410的侧壁，以减小后续封装层350对粘合结构410产生的应力，进一步提高了封装工艺的可靠性和良率。

结合参考图7至图11，在所述封装层350靠近所述滤光片400的一侧形成再布线(redistribution layer，RDL)结构360(如图11所示)，电连接所述感光芯片200的焊垫以及所述功能元件(未标示)的焊垫。

所述再布线结构360用于实现所形成摄像组件的电学集成。

本实施例通过所述封装层350和再布线结构360，减小了感光芯片200与功能元件之间的距离，相应缩短了电连接的距离，因此提高了信号传输的速度，从而提高镜头模组的使用性能。具体地，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种，相应有利于提高拍摄速度和存储速度。

而且，通过选用再布线结构360，能够在减小所述感光芯片200和功能元件之间距离的同时，提高电连接工艺的可行性，且与打线工艺相比，再布线结构360能够实现批量化生产，提高了封装效率。

具体地，形成所述再布线结构360的步骤包括：

参考图7，在所述封装层350内形成导电通孔351，所述导电通孔351露出所述焊垫(未标示)。

具体地，所述导电通孔351分别露出所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245，从而为后续电连接工艺做好工艺准备。

本实施例中，形成所述封装层350后，利用激光刻蚀工艺刻蚀所述封装层350，在所述封装层350内形成所述导电通孔351。激光刻蚀工艺的精度较高，可以较为精准地确定所述导电通孔351的形成位置和尺寸。

本实施例中，所述功能元件和感光芯片200之间的厚度差为-2微米至2微米，各导电通孔351的深度相同或相近，相应降低了激光刻蚀工艺的工艺难度。

在其他实施例中，还可以在形成封装层的步骤中形成导电通孔。具体地，通过定制注塑工艺所采用的模具，使上模和下模中的任一个具有多个凸出的凸台；在合模后，使模具压合至第一承载基板和滤光片上，并使凸台压合至对应的焊垫上，在所述上模和下模之间形成型腔，所述凸台用于占据导电通孔的位置；相应的，去除模具后即可在封装层内形成所述导电通孔。

结合参考图8和图9，提供第二承载基板330，在所述第二承载基板330上形成所述再布线结构360(如图9所示)，所述再布线结构360包括互连线361(如图9所示)以及凸出于所述互连线361的导电柱362(如图9所示)。

通过在所述第二承载基板330上形成所述再布线结构360，避免形成所述再布线结构360的工艺对所述滤光片400造成污染。

具体地，形成所述再布线结构360的步骤：在所述第二承载基板330上形成介质层332；图形化所述介质层332，在所述介质层332内形成互连沟槽(图未示)；向所述互连沟槽内填充导电材料365(如图8所示)，所述导电材料365还覆盖所述介质层332顶部；在所述导电材料365上形成图形化的掩膜层366(如图8所示)，所述图形化的掩膜层366遮挡所述导电柱362所在位置的导电材料365；以所述图形化的掩膜层366为掩膜，刻蚀所述导电材料365至所述介质层332，以形成位于所述互连沟槽的互连线361以及凸出于所述互连线361的导电柱362；去除所述掩膜层366和介质层332。

所述互连沟槽用于定义互连线361的形状、位置和尺寸。本实施例中，所述介质层332的材料为光敏材料，可通过光刻工艺进行图形化，简化了形成所述互连沟槽的工艺难度。本实施例中，所述介质层332的材料为光敏聚酰亚胺。在其他实施例中，介质层的材料还可以为光敏苯并环丁烯或光敏聚苯并噁唑。

本实施例中，所述导电材料365为铜，即所述再布线结构360的材料为铜。通过选用铜材料，有利于提高所述再布线结构360的电连接可靠性，且铜的电阻率较低，因此还有利于提高所述再布线结构360的导电性能，此外，铜的填充性较好，相应还能提高导电材料365在互连沟槽内的填充效果。在其他实施例中，所述再布线结构还可以为其他适用的导电材料。

所述掩膜层366用于作为刻蚀所述导电材料365的刻蚀掩膜。本实施例中，所述掩膜层366为光刻胶；为此，形成再布线结构360后，可通过灰化或湿法去胶的方式去除该掩膜层366。在其他实施例中，所述掩膜层还可以为其他可适于刻蚀工艺的材料，且所述掩膜层可以为单层结构或叠层结构。

前述材料的介质层332的耐腐蚀性较强，因此，形成再布线结构360后，通过反应离子刻蚀工艺去除该介质层332，使第二承载基板330露出互连线361，从而为后续进行电连接工艺做好工艺准备。

本实施例中，在所述第二承载基板330上形成介质层332之前，还包括：在所述第二承载基板330上形成第三临时键合层331；所述介质层332相应形成于所述第三临时键合层331上。

所述第三临时键合层331用于作为剥离层，便于后续对所述再布线结构360和第二承载基板330进行分离。本实施例中，所述第三临时键合层331可以为发泡膜，对所述第三临时键合层331的具体描述，可参考前述对第一临时键合层345(如图1所示)的相应描述，在此不再赘述。

需要说明的是，在其他实施例中，在所述第二承载基板上形成第三临时键合层331之前，还包括：在所述第二承载基板上形成钝化层。通过所述钝化层，以免所述第二承载基板受到污染，使所述第二承载基板能够被重复利用。其中，所述钝化层的材料可以为氧化硅或氮化硅。

结合参考图10和图11，将所述导电柱362键合于对应的所述导电通孔351(如图10所示)内，与对应的所述焊垫电连接。

所述导电通孔351分别露出所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245，因此，所述导电柱362键合于导电通孔351内后，分别电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。

具体地，使所述再布线结构360朝向所述滤光片400，利用金属键合工艺，将所述导电柱362键合于对应的所述导电通孔351内。

本实施例中，所述金属键合工艺为热压键合工艺。在所述金属键合工艺的过程中，所述导电柱362与对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245的接触面在压强的作用下发生塑性变形，使得接触面的原子相互接触，而随着键合温度的升高，使得接触面的原子扩散加速，实现跨界扩散；当达到一定的键合时间后，接触面的晶格发生重组，从而实现键合，且键合强度、导电导热性能、耐电迁移性能以及机械连接性能较高。

需要说明的是，随着键合温度的升高，接触面的原子获得更多能量，原子间扩散更为明显，此外，键合温度的升高还能促进晶粒生长，获得能量的晶粒可以跨界面生长，有利于消除分界面，使接触面的材料融为一体。但是，所述金属键合工艺的键合温度不宜过高。如果键合温度过高，容易对所述感光芯片200和外围芯片230的性能产生不良影响，尤其是对所形成摄像组件中的敏感元件，且工艺温度过高还会产生热应力，引起对准精度下降、工艺成本增加、成产效率降低等问题。为此，本实施例中，所述金属键合工艺为金属低温键合工艺，所述金属键合工艺的键合温度小于或等于250℃。其中，键合温度的最低值只要满足能够实现键合即可。

在所述键合温度的设定下，通过增加压强，使原子间相互扩散更加容易，从而提高所述再布线结构360与焊垫的键合质量。为此，本实施例中，所述金属键合工艺的压强大于或等于200kPa。其中，所述压强通过压合工具产生。

增加键合时间也能提高键合质量。为此，本实施例中，所述金属键合工艺的键合时间大于或等于30min。

需要说明的是，在实际工艺过程中，可合理调节所述键合温度、压强和键合时间，并相互配合，从而保证金属键合质量和效率。还需要说明的是，为了降低接触面发生氧化或污染的概率，可在真空环境下进行所述金属键合工艺。

为此，所述封装方法还包括：所述导电柱362键合于对应的所述导电通孔351(如图9所示)内之后，进行第二解键合处理，去除所述第二承载基板330(如图10所示)和第三临时键合层331(如图10所示)。。

通过去除所述第二承载基板330和第三临时键合层331，露出所述互连线361，从而为后续电连接工艺做好工艺准备。对所述第二解键合处理的具体描述，可参考前述对所述第一解键合处理的相关描述，在此不再赘述。

参考图12，进行第三解键合处理，去除所述第一承载基板320(如图11所示)。

所述第一承载基板320用于为所述封装层350的形成提供工艺平台，因此形成所述封装层350后，即可去除所述第一承载基板320。

本实施例中，在形成电连接所述焊垫的再布线结构360之后，去除所述第一承载基板320，使所述第一承载基板320用于为所述电连接步骤提供工艺平台，提高工艺可操作性和工艺稳定性。在其他实施例中，也可以在形成封装层之后，进行所述金属键合工艺之前，去除第一承载基板。

本实施例中，采用热解键合工艺进行所述第三解键合处理，依次去除第一承载基板320和第二临时键合层325(如图10所示)。对所述第三解键合处理的具体描述，可参考前述对所述第一解键合处理的相关描述，在此不再赘述。

结合参考图13，去除所述第一承载基板320(如图10所示)之后，还包括：对所述封装层350进行划片(dicing)处理。

通过所述划片处理，形成尺寸符合工艺需求的单个摄像组件260，为后续镜头组件的装配做好工艺准备。本实施例中，采用激光切割工艺进行划片处理。

本实施例中，为了降低所述第一承载基板320受损的概率，先进行第三解键合处理，再进行所述划片处理。在其他实施例中，也可以在划片处理之后，进行第三解键合处理。

继续参考图13，需要说明的是，形成电连接所述焊垫的再布线结构360之后，还包括：在所述再布线结构360上键合FPC板(flexible printed circuit board，柔性电路板)510。

所述FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现所述摄像组件260与后续镜头组件之间的电连接、以及所形成镜头模组与其他元件之间的电连接。后续形成镜头模组后，镜头模组还能够通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。

本实施例中，所述FPC板510上具有电路结构，因此通过金属键合工艺，使所述FPC板510键合于所述再布线结构360，从而实现电连接。

本实施例中，为了提高工艺可行性，在所述第三解键合处理以及划片处理之后，在所述再布线结构360上键合所述FPC板510。

需要说明的是，所述FPC板510上形成有连接器(connector)520，用于电连接所述FPC板510与其他电路元件的电连接。当镜头模组运用于电子设备时，所述连接器520电连接于该电子设备的主板上，从而实现所述镜头模组与所述电子设备中其他元件之间的信息传输，将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地，所述连接器520可以为金手指连接器。

图14至图17是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图。

本实施例与前述实施例的相同之处，在此不再赘述。本实施例与前述实施例的不同之处在于：所述互连结构360a(如图15所示)中的互连线361a和导电柱362a在不同步骤中形成。

具体地，结合参考图14和图15，在所述第二承载基板330a上形成导电层363a(如图14所示)；对所述导电层363a进行刻蚀形成互连线361a(如图15所示)。

本实施例中，所述互连线361a的材料为铝。在其他实施例中，所述互连线的材料还可以为其他易于通过刻蚀工艺实现图形化的导电材料。

本实施例中，通过在所述导电层上形成图形化的掩膜层(例如：图形化的光刻胶层)后，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述掩膜层露出的导电层，以形成所述互连线361a。

继续参考图15，形成牺牲层370a，覆盖所述第二承载基板330a和互连线361a；图形化所述牺牲层370a形成通孔375a，所述通孔375a用于定义后续导电柱的位置。

本实施例中，所述牺牲层370a的材料为光敏材料，可通过光刻工艺进行图形化，简化了形成所述通孔375a的工艺难度。

本实施例中，所述牺牲层370a的材料为光敏聚酰亚胺。在另一些实施例中，介质层的材料还可以为光敏苯并环丁烯或光敏聚苯并噁唑。

参考图16，在所述通孔375a(如图15所示)内形成所述导电柱362a。

本实施例中，利用电镀工艺向所述通孔375a内填充导电材料，以形成所述导电柱362a，所述导电柱362a和互连线361a构成所述再布线结构360a。

其中，所述导电柱362a的材料可以和互连线361a的材料相同，也可以不同。本实施例中，为了提高所述导电柱362a的导电性能以及导电材料在通孔375a内的填充性能，所述导电柱362a的材料为铜。

参考图17，去除所述牺牲层370a(如图16所示)。

前述材料的牺牲层370a的耐腐蚀性较强，因此，形成再布线结构360后，通过反应离子刻蚀工艺去除所述牺牲层370a。

对本实施例所述封装方法的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。

相应的，本发明实施例还提供一种摄像组件。继续参考图13，示出了本发明摄像组件一实施例的结构示意图。

所述摄像组件260包括：封装层350、以及嵌于所述封装层中350的感光单元250(如图1所示)和功能元件(未标示)；所述感光单元250包括感光芯片200和贴装在所述感光芯片200上的滤光片400，所述封装层350的底面(未标示)露出所述感光芯片200和功能元件，所述封装层350的顶面(未标示)高于所述感光芯片200和功能元件并露出所述滤光片400，其中，所述感光芯片200和功能元件均具有焊垫，所述焊垫均背向所述封装层350的底面；再布线结构360，位于所述封装层350的顶面一侧，所述再布线结构360电连接所述焊垫。

所述封装层350对感光芯片200和功能元件起到固定作用，用于使感光芯片200和功能元件实现封装集成。其中，通过封装层350，减少了镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板，从而减小镜头模组的厚度，满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

本实施例中，所述封装层350的材料为塑封材料，所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，因此还有利于提高镜头模组的可靠性。

本实施例中，所述封装层350的材料为环氧树脂。

本实施例中，所述封装层350包括相对的顶面和底面。其中，所述封装层350的顶面是用于贴装镜头组件的面。

本实施例中，在摄像组件260的封装过程中，通常是将感光芯片200和功能元件临时键合至承载基板上之后，在所述承载基板上形成所述封装层350，因此，所述封装层350的底面露出所述感光芯片200和功能元件。

本实施例中，所述封装层350的顶面高于感光芯片200和功能元件，所述封装层350还覆盖滤光片400的侧壁，从而提高感光单元250中空腔的密封性，降低水蒸气、氧化气体等进入空腔内的概率，使感光芯片200的性能得到保障。

本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD图像传感器芯片。

如图1所示，本实施例中，所述感光芯片200包括感光区200C以及环绕所述感光区200C的外围区200E，所述感光芯片200还具有位于所述感光区200C的光信号接收面201。

所述感光芯片200通常为硅基芯片，所述感光芯片200的焊垫用于实现感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述感光芯片200具有位于外围区200E的第一芯片焊垫220。

本实施例中，所述第一芯片焊垫220面向滤光片400，即所述第一芯片焊垫220背向所述封装层350的底面。

所述滤光片400贴装在感光芯片200上，以免封装工艺对光信号接收面201造成污染，且减小了镜头模组600的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

为了实现镜头模组的正常功能，所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对所述感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。

所述滤光片400通过粘合结构410贴装在所述感光芯片200上，所述粘合结构410环绕所述感光芯片200的光信号接收面201。所述粘合结构410用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接，且避免滤光片400与感光芯片200直接接触。本实施例中，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为干膜。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯。

需要说明的是，本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中，当镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，感光单元的数量还可以为多个。

还需要说明的是，由于封装层350覆盖滤光片400的侧壁，因此，所述摄像组件260还包括：应力缓冲层420，位于封装层350和滤光片400侧壁之间。

所述应力缓冲层420有利于减小封装层350对滤光片400产生的应力，以降低所述滤光片400发生破裂的概率，从而提高镜头模组的可靠性。本实施例中，所述应力缓冲层420为光敏缓冲胶。

所述应力缓冲层420具有粘性，保证其在滤光片400上的粘附性。具体地，所述应力缓冲层420的材料为环氧类胶。

本实施例中，所述应力缓冲层420还位于所述封装层350和所述粘合结构410的侧壁之间，从而减小所述封装层350对所述粘合结构410产生的应力，有利于进一步提高所述摄像组件260的可靠性和良率。

所述功能元件为摄像组件中除所述感光芯片200之外的具有特定功能元件，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。

本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。

所述外围芯片230为主动元件，用于向感光芯片200提供外围电路，例如：模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。

本实施例中，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中，所述外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。为了便于图示，图13中仅示意出了一个外围芯片230，但所述外围芯片230的数量不仅限于一个。

所述外围芯片230通常为硅基芯片，所述外围芯片230的焊垫用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235。

本实施例中，所述第二芯片焊垫235面向所述滤光片400，使所述第二芯片焊垫235和第一芯片焊垫220位于同侧，从而易于实现所述外围芯片230和感光芯片200之间的电连接。相应的，所述第二芯片焊垫235背向所述封装层350的底面。

所述被动元件240用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示，图13中仅示意出了一个被动元件240，但所述被动元件240的数量不仅限于一个

所述被动元件240的焊垫用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述被动元件240的焊垫为电极245。

由前述分析可知，在所述第一芯片焊垫220面向滤光片400的情况下，所述电极245面向滤光片400，从而易于实现所述被动元件240和感光芯片200之间的电连接。相应的，所述电极245也背向所述封装层350的底面。

需要说明的是，由于感光芯片200和功能元件的焊垫均背向封装层350的底面，为了降低电连接工艺的工艺难度，所述功能元件和感光芯片200的厚度相等或者厚度差较小。其中，可根据所述感光芯片200的厚度，调整所述功能元件的厚度。本实施例中，所述功能元件和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。

还需要说明的是，由于去除了电路板，相应减小了镜头模组的厚度，因此，在所述摄像组件260的封装过程中，无需对所述感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理，与目前镜头模组中的感光芯片和外围芯片相比，本实施例所述感光芯片200和外围芯片230的厚度较大，从而提高了感光芯片200和外围芯片230的机械强度和可靠性，进而提高镜头模组的可靠性。在其他实施例中，根据工艺需求，所述感光芯片和外围芯片也可经历过减薄处理，但减薄量较小，以保证其机械强度和可靠性不受影响。

所述再布线结构360用于实现摄像组件260的电学集成。通过所述再布线结构360和封装层350，提高镜头模组的使用性能(例如：提高拍摄速度和存储速度)。而且，通过再布线结构360，提高了电连接工艺的可行性和封装效率。

本实施例中，所述再布线结构360电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。

由于所述封装层350覆盖第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245，因此，所述再布线结构360包括：导电柱362，位于所述封装层350内且分别电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245；互连线361，位于所述封装层350的顶面上且与所述导电柱362相连。

本实施例中，所述导电柱362和互连线361的材料均为铜，即所述再布线结构360的材料为铜。在其他实施例中，所述再布线结构还可以为其他可适用的导电材料。

本实施例中，所述导电柱362和互连线361为一体结构，从而简化形成所述再布线结构360的工艺步骤。

在其他实施例中，所述导电柱和互连线还可以不为一体结构，相应的，所述导电柱和互连线的材料可以相同，也可以不相同。

本实施例中，所述摄像组件260还包括：FPC板510，位于所述再布线结构360上。所述FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现所述摄像组件260与镜头组件的电连接、以及镜头模组与其他元件之间的电连接。镜头模组还能通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。

具体地，所述FPC板510上具有电路结构，从而实现所述FPC板510和再布线结构360的电连接。

需要说明的是，所述FPC板510上设有连接器520。在镜头模组运用于电子设备时，所述连接器520电连接于该电子设备的主板上，从而实现镜头模组与电子设备中其他元件之间的信息传输，将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地，所述连接器520可以为金手指连接器。

本实施例所述摄像组件可以采用前述实施例所述的封装方法所形成，也可以采用其他封装方法所形成。对本实施例所述摄像组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述

相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组。参考图18，示出了本发明镜头模组一实施例的结构示意图。

所述镜头模组600包括：本发明实施例所述的摄像组件(如图18中虚线框所示)；镜头组件530，包括支架535，所述支架535贴装在所述封装层(未标示)的顶面上且环绕所述感光单元(未标示)和功能元件，所述镜头组件530与所述感光芯片和功能元件实现电连接。

镜头组件530通常包括支架535、安装于所述支架535上的马达(图未示)、以及安装于所述马达上的透镜组(未标示)，通过所述支架535，以便于实现所述镜头组件530的装配，并使得透镜组位于感光单元的感光路径上。

本实施例中，所述摄像组件的厚度较小，且通过所述封装层，减小了所述镜头组件530的厚度，从而减小了所述镜头模组600的总厚度。

而且，所述感光单元和功能元件均设置于所述支架535内部，与将功能元件(例如：外围芯片)贴装在外围主板上的方案相比，本实施例减小了所述功能元件与感光芯片之间的距离，相应减小了镜头模组600的尺寸，还缩短了电连接的距离，显著提高了镜头模组600的信号传输速度，进而提高镜头模组600的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)。

再次，所述感光单元和功能元件均集成于封装层内，且所述感光单元、功能元件和再布线结构均设置于所述支架535内部，使所述感光单元、外围芯片、被动元件和再布线结构均得到保护，因此有利于提高镜头模组600的可靠性和稳定性，且能够保障所述镜头模组600的成像质量。

本实施例中，所述再布线结构上键合有FPC板，因此部分支架535贴装在所述封装层上，部分支架535贴装在所述FPC板上，且所述镜头组件530中的马达相应通过所述FPC板与所述感光芯片和功能元件实现电连接，从而实现镜头组件和摄像组件的电连接。

对本实施例所述摄像组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备。参考图19，示出了本发明电子设备一实施例的结构示意图。

本实施例中，所述电子设备700包括本发明实施例所述的镜头模组600。

所述镜头模组600的可靠性和性能较高，相应提高了所述电子设备700的拍摄质量、拍摄速度和存储速度。而且，所述镜头模组600的整体厚度较小，有利于提高用户的使用感受度。具体地，所述电子设备700可以为手机、平板电脑、照相机或摄像机等各种具备拍摄功能的设备。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (24)

1.一种摄像组件的封装方法，其特征在于，包括：

提供感光芯片，所述感光芯片具有焊垫；

在所述感光芯片上贴装滤光片；

提供第一承载基板，在所述第一承载基板上临时键合功能元件和所述感光芯片，所述功能元件具有焊垫，且所述感光芯片和功能元件的焊垫均背向所述第一承载基板；

形成封装层，覆盖所述第一承载基板、感光芯片和功能元件，并露出所述滤光片；

在所述封装层靠近所述滤光片的一侧形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫以及所述功能元件的焊垫；

去除所述第一承载基板。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：在所述封装层内形成导电通孔，所述导电通孔露出所述焊垫；

提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成所述再布线结构，所述再布线结构包括互连线以及导电柱；

将所述导电柱键合于对应的所述导电通孔内，与所述焊垫电连接；去除所述第二承载基板。

3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述第二承载基板上形成所述再布线结构的步骤包括：在所述第二承载基板上形成介质层；

图形化所述介质层，在所述介质层内形成互连沟槽；

向所述互连沟槽内填充导电材料，所述导电材料还覆盖所述介质层顶部；

在所述导电材料上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层遮挡所述导电柱所在位置的导电材料；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述导电材料至所述介质层；去除所述掩膜层和介质层。

4.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺去成所述介质层。

5.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述第二承载基板上形成所述再布线结构的步骤包括：在所述第二承载基板上形成导电层；

对所述导电层进行刻蚀形成互连线；

形成牺牲层，覆盖所述第二承载基板和互连线；

图形化所述牺牲层形成通孔，所述通孔用于定义所述导电柱的位置；

在所述通孔内形成所述导电柱；

去除所述牺牲层。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述封装层的步骤包括：在所述临时键合步骤和贴装步骤之后，将所述第一承载基板置于模具内，所述模具包括上模和下模；

将所述第一承载基板置于所述上模和下模之间；

在合模后，使所述模具压合至所述第一承载基板和滤光片上，在所述上模和下模之间形成型腔；

向所述型腔内注入塑封材料，形成所述封装层；

去除所述模具。

7.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，形成所述封装层的步骤包括：在所述临时键合步骤和贴装步骤之后，将所述第一承载基板置于模具内，所述模具包括上模和下模，所述上模和下模中的任一个具有多个凸出的凸台；

将所述第一承载基板置于所述上模和下模之间；

在合模后，使所述模具压合至所述第一承载基板和滤光片上，并使所述凸台压合至对应的所述焊垫上，在所述上模和下模之间形成型腔；

向所述型腔内注入塑封材料，形成所述封装层；

去除所述模具，在所述封装层内形成导电通孔。

8.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述封装层内形成导电通孔的步骤包括：利用激光刻蚀工艺刻蚀所述封装层，在所述封装层内形成所述导电通孔。

9.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，利用金属键合工艺，将所述导电柱键合于对应的所述导电通孔内。

10.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述金属键合工艺的键合温度小于或等于250℃，压强大于或等于200kPa，键合时间大于或等于30min。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述封装层的步骤中，所述封装层还覆盖所述滤光片的侧壁。

12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在所述滤光片贴装在所述感光芯片上之前，还包括：形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层；

或者，所述滤光片贴装在所述感光芯片上之后，在所述感光芯片临时键合至所述第一承载基板上之前，还包括：形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层；

或者，在所述感光芯片上贴装滤光片、以及在所述感光芯片临时键合至所述第一承载基板上之后，形成所述封装层之前，还包括：

形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层。

13.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，采用点胶工艺形成所述应力缓冲层。

14.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述感光芯片上贴装所述滤光片之后，在所述第一承载基板上临时键合所述感光芯片。

15.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述再布线结构电连接所述焊垫之后，去除所述第一承载基板。

16.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述再布线结构电连接所述焊垫之后，还包括：在所述再布线结构上键合FPC板。

17.一种摄像组件，其特征在于，包括：

封装层、以及嵌于所述封装层中的感光单元和功能元件；

所述感光单元包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件，所述封装层的顶面高于所述感光芯片和功能元件并露出所述滤光片，其中，所述感光芯片和功能元件均具有焊垫，所述焊垫背向所述封装层的底面；

再布线结构，位于所述封装层的顶面一侧，所述再布线结构电连接所述焊垫。

18.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述再布线结构包括：

导电柱，位于所述封装层内且电连接所述焊垫；

互连线，位于所述封装层的顶面上且与所述导电柱相连。

19.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述封装层还覆盖所述滤光片的侧壁。

20.如权利要求19所述的摄像组件，其特征在于，所述摄像组件还包括：应力缓冲层，位于所述封装层和所述滤光片侧壁之间。

21.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述功能元件包括外围芯片和被动元件中的至少一种，所述外围芯片包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。

22.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述摄像组件还包括：电FPC板，位于所述再布线结构上。

23.一种镜头模组，其特征在于，包括：

如权利要求17至22任一项权利要求所述的摄像组件；

镜头组件，包括支架，所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光芯片和功能元件，所述镜头组件与所述感光芯片和功能元件实现电连接。

24.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求23所述的镜头模组。

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