CN111199985B - 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 - Google Patents

Abstract

一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，摄像组件的封装方法包括：提供感光芯片，具有焊垫；在感光芯片上贴装滤光片；提供第一承载基板，在第一承载基板上临时键合功能元件，功能元件具有焊垫，功能元件的焊垫背向第一承载基板或者面向第一承载基板；在第一承载基板上形成封装层，至少填充于功能元件之间，且封装层内形成有通孔；将感光芯片置于通孔内，且将感光芯片临时键合于第一承载基板上，感光芯片的焊垫背向第一承载基板；将感光芯片临时键合于第一承载基板上之后，形成再布线结构，电连接感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫。本发明提高了镜头模组使用性能，且减小了镜头模组总厚度。

Description

摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备

技术领域

本发明实施例涉及镜头模组领域，尤其涉及一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高，业余生活也更加丰富，摄影逐渐成为人们记录出游以及各种日常生活的常用手段，因此具有拍摄功能的电子设备(例如：手机、平板电脑和照相机等)越来越多地应用到人们的日常生活以及工作中，具有拍摄功能的电子设备逐渐成为当今人们不可或缺的重要工具。

具有拍摄功能的电子设备通常都设有镜头模组，镜头模组的设计水平是决定拍摄质量的重要因素之一。镜头模组通常包括具有感光芯片的摄像组件以及固定于所述摄像组件上方且用于形成被摄物体影像的镜头组件。

而且，为了提高镜头模组的成像能力，相应需具有更大成像面积的感光芯片，且通常还会在所述镜头模组中配置电阻、电容器等被动元件以及外围芯片。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，提高镜头模组的使用性能、并减小镜头模组的总厚度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种摄像组件的封装方法，包括：提供感光芯片，所述感光芯片具有焊垫；在所述感光芯片上贴装滤光片；提供第一承载基板，在所述第一承载基板上临时键合功能元件，所述功能元件具有焊垫，所述功能元件的焊垫背向所述第一承载基板或者面向所述第一承载基板；在所述第一承载基板上形成封装层，所述封装层至少填充于所述功能元件之间，且所述封装层内形成有通孔；将所述感光芯片置于所述通孔内，且将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上，所述感光芯片的焊垫背向所述第一承载基板；将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫。

相应的，本发明实施例还提供一种摄像组件，包括：封装层、以及嵌于所述封装层中的功能元件，所述封装层包括相对的顶面和底面，所述封装层的顶面和底面露出所述功能元件，且所述封装层内形成有通孔，其中，所述功能元件具有焊垫，所述功能元件的焊垫背向所述封装层的底面；感光单元，包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述感光芯片嵌于所述通孔内，所述滤光片位于所述通孔外，其中，所述感光芯片露出于所述封装层的顶面和底面，所述感光芯片具有焊垫，且所述感光芯片的焊垫背向所述封装层的底面；再布线结构，位于所述封装层顶面的一侧，所述再布线结构电连接所述感光芯片的焊垫以及所述功能元件的焊垫。

相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组，包括：本发明实施例所述的摄像组件；镜头组件，包括支架，所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光单元和功能元件，所述镜头组件电连接所述感光芯片和功能元件。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括：本发明实施例所述的镜头模组。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中，并通过再布线结构实现电连接，与将外围芯片贴装在外围主板上的方案相比，本发明实施例能够减小感光芯片和功能元件之间的距离，相应有利于缩短感光芯片和功能元件之间电连接的距离，从而提高了信号传输的速度，进而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)；而且，所述感光芯片在形成封装层之后装配于封装层中的通孔内，避免滤光片在封装层的形成过程中发生破裂、以及封装层的形成工艺对感光芯片的性能造成影响，有利于保障镜头模组的使用性能；此外，通过封装层和再布线结构，相应还省去了电路板(例如：PCB)，从而减小了镜头模组的总厚度，以满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。

附图说明

图1至图13是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图14至图18是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图19是本发明镜头模组一实施例的结构示意图；

图20是本发明电子设备一实施例的结构示意图。

具体实施方式

目前，镜头模组的使用性能有待提高，且镜头模组难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。分析其原因在于：

传统的镜头模组主要由电路板、感光芯片、功能元件(例如：外围芯片)和镜头组件组装而成，且外围芯片通常贴装在外围主板上，感光芯片和功能元件之间相互分离；其中，所述电路板用于对所述感光芯片、功能元件和镜头组件起到支撑作用，且通过所述电路板实现所述感光芯片、功能元件和镜头模组之间的电连接。

但是，随着高像素、超薄镜头模组的要求，镜头模组的成像要求也越来越高，感光芯片的面积相应增加，功能元件也相应增多，从而导致镜头模组的尺寸越来越大，难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

而且，感光芯片通常设置于镜头模组中的支架内部，外围芯片通常设置于支架外部，因此所述外围芯片与感光芯片之间具有一定的距离，从而降低了信号传输的速率。而所述外围芯片通常包括数字信号处理器(digital signal processor，DSP)芯片和存储器芯片，因此容易对拍摄速度和存储速度产生不良影响，进而降低镜头模组的使用性能。

为了解决所述技术问题，本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中，并通过再布线结构实现电连接，与将外围芯片贴装在外围主板上的方案相比，能够减小感光芯片和功能元件之间的距离，相应有利于缩短感光芯片和功能元件之间电连接的距离，从而提高了信号传输的速度，进而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)；而且，所述感光芯片在形成封装层之后装配于封装层中的通孔内，避免滤光片在封装层的形成过程中发生破裂、以及封装层的形成工艺对感光芯片的性能造成影响，有利于保障镜头模组的使用性能；此外，通过封装层和再布线结构，相应还省去了电路板，从而减小了镜头模组的总厚度，以满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1至图13是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

参考图1和图2，图2是图1中一个感光芯片的放大图，提供感光芯片200，所述感光芯片200具有焊垫。

所述感光芯片200为图像传感器芯片。本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD(charge coupled device，电荷耦合器)图像传感器芯片。

本实施例中，所述感光芯片200具有光信号接收面201(如图2所示)，所述感光芯片200通过所述光信号接收面201接收感测光辐射信号。

具体地，所述感光芯片200包括感光区200C以及环绕所述感光区200C的外围区200E，所述光信号接收面201位于所述感光区200C。

所述感光芯片200包括多个像素单元，因此感光芯片200包含有多个半导体光敏器件(图未示)、以及位于半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示)，滤光膜用于收对光信号接面201接收的光信号进行选择性吸收和通过。

所述感光芯片200还包括位于滤光膜上的微透镜210，微透镜210与半导体光敏器件一一对应，从而将接收的光辐射信号光线聚焦至半导体光敏器件。所述光信号接收面201相应为所述微透镜210的顶面。

需要说明的是，所述感光芯片200通常为硅基芯片，采用集成电路制作技术所制成，所述感光芯片200具有焊垫，用于实现所述感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述感光芯片200具有形成于外围区200C的第一芯片焊垫220，位于所述光信号接收面201同侧的感光芯片200表面露出所述第一芯片焊垫220。

本实施例中，所述感光芯片200的横截面形状为第一矩形。在其他实施例中，根据实际情况，感光芯片的横截面形状还可以为其他形状，例如：圆形。

为此，本实施例中，所述第一矩形具有第一边长W1(如图2所示)。其中，所述第一边长W1指的是：所述感光芯片200沿平行于所述光信号接收面201方向的尺寸，所述第一边长W1包括所述感光芯片200的长度和宽度。

继续参考图1和图2，并结合参考图3，图3是图1中一个滤光片的放大图，在所述感光芯片200上贴装滤光片400(如图1所示)。

所述滤光片400和感光芯片200实现贴装后，形成感光单元250(如图1所示)。

所述滤光片400贴装在所述感光芯片200上，以免后续封装工艺对所述光信号接收面201造成污染，且通过相贴装的方式，还有利于减小后续镜头模组的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

所述滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。具体地，所述滤光片400为红外截止滤光片(infrared cut filter，IRCF)，所述红外截止滤光片可以为蓝玻璃红外截止滤光片，或者，包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜(IR cut coating)。

本实施例中，所述滤光片400包括键合面401以及与所述键合面401相背的光入射面402。所述键合面401为用于与感光芯片200实现贴装的面，即用于面向所述感光芯片200的面；所述光入射面402指的是所述滤光片400中用于使外部入射光进入的面，即用于背向感光芯片200的面。

具体地，在所述滤光片400为蓝玻璃红外截止滤光片的情况下，蓝玻璃红外截止滤光片的一个表面镀有增透膜或抗反射膜，所述增透膜或抗反射膜表面为光入射面402；在所述滤光片400包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜的情况下，所述红外截止膜表面为光入射面402。在其他实施例中，当所述滤光片为全透光玻璃片时，全透光玻璃片的任一表面为所述光入射面。

如图3所示，所述滤光片400包括透光区400C以及环绕透光区400C的边缘区400E。所述透光区400C用于使外部入射光透过，从而使感光芯片200(如图1所示)的光信号接收面201(如图1所示)接收光信号，以保证镜头模组的正常使用功能；所述边缘区400E为实现滤光片400和感光芯片200的贴装预留空间位置。

如图1所示，本实施例中，所述滤光片400通过粘合结构410贴装在感光芯片200上，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201。

所述粘合结构410用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接，且所述滤光片400、粘合结构410和感光芯片200围成空腔(未标示)，避免滤光片400与感光芯片200直接接触，从而避免滤光片400对感光芯片200的性能产生不良影响。

本实施例中，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201，从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于感光芯片200的感光路径上，进而使所述感光芯片200的性能得到保障。

具体地，所述粘合结构410的材料为可光刻材料，可通过光刻工艺形成粘合结构410，这不仅有利于提高粘合结构410的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能，且还能够减小对粘合结构410的粘结强度所产生的影响。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜(dry film)。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺(polyimide)、可光刻的聚苯并恶唑(PBO)或可光刻的苯并环丁烯(BCB)。

本实施例中，为了降低形成所述粘合结构410的工艺难度、简化工艺步骤、减小所述粘合结构410的形成工艺对光信号接收面201的影响，在所述滤光片400上形成所述粘合结构410。

具体地，如图1所示，所述贴装步骤包括：提供第三承载基板340；将光入射面402(如图3所示)临时键合于所述第三承载基板340上；在临时键合步骤后，在滤光片400的边缘区400E(如图3所示)形成环形粘合结构410；使所述光信号接收面201面向环形粘合结构410，将所述感光芯片200的外围区200E(如图2所示)贴装于所述环形粘合结构410上，以形成感光单元250。

所述第三承载基板340用于为所述滤光片400和感光芯片200的贴合步骤提供工艺平台，从而提高工艺可操作性；而且通过临时键合(temporary bonding，TB)的方式，还便于后续将所述滤光片400和第三承载基板340进行分离。

本实施例中，所述第三承载基板340为载体晶圆(carrier wafer)。在其他实施例中，所述第三承载基板还可以为其他类型的基板。具体地，通过第一临时键合层345将滤光片400临时键合于第三承载基板340上。所述第一临时键合层345作为剥离层，便于后续将滤光片400和第三承载基板340进行分离

本实施例中，所述第一临时键合层345为发泡膜。发泡膜包括相对的微粘面和发泡面，发泡膜在常温下具有粘性，且所述发泡面贴附于所述第三承载基板340上，后续通过对所述发泡膜进行加热，即可使所述发泡面失去粘性，从而将所述滤光片400和第三承载基板340进行分离。在其他些实施例中，所述第一临时键合层还可以为粘片膜(die attachfilm，DAF)。

结合参考图4，需要说明的是，形成所述感光单元250后，还包括：将所述感光芯片200背向光信号接收面201的面贴附至UV膜310上；在所述贴附步骤之后，进行第一解键合处理，去除所述第三承载基板340(如图1所示)。

通过将感光芯片200贴附至UV膜310上，能够在去除第三承载基板340后，对感光单元250提供支撑和固定的作用。而且UV膜310在紫外光的照射下粘附力会减弱，后续易于将所述感光单元250从所述UV膜310上取下，从而为后续临时键合步骤做好准备。

具体地，采用贴膜机使所述UV膜310紧贴所述感光芯片200背向光信号接收面201的面，且还贴附于直径较大的框架315底部，通过所述框架315，以起到绷膜的作用，从而使所述感光单元250分立固定于所述UV膜310上。对所述UV膜310和框架315的具体描述，本实施例在此不再赘述。

本实施例中，所述第一临时键合层345(如图1所示)为发泡膜，因此采用热解键合工艺进行所述第一解键合处理。具体地，对第一临时键合层345进行加热处理，使发泡膜的发泡面失去粘性，从而去除第三承载基板340，随后采用撕除的方式去除第一临时键合层345。

参考图5，提供第一承载基板320，在所述第一承载基板320上临时键合功能元件(未标示)，所述功能元件具有焊垫(未标示)，所述功能元件的焊垫背向所述第一承载基板320。

所述第一承载基板320用于为后续封装层的形成提供工艺平台。

本实施例中，所述第一承载基板320为载体晶圆。在其他实施例中，所述第一承载基板还可以为其他类型的基板。具体地，通过第二临时键合层325将功能元件临时键合于第一承载基板320上。对第二临时键合层325的具体描述，可参考前述对第一临时键合层345(如图1所示)的相应描述，在此不再赘述。

本实施例中，在所述临时键合步骤之后，所述功能元件的焊垫均背向所述第一承载基板320，从而降低后续电连接工艺的复杂度。

需要说明的是，为了降低后续电连接工艺的工艺难度、以及形成封装层的工艺难度，所述功能元件和感光芯片200的厚度相等或者厚度差较小；其中，可根据所述感光芯片200的厚度，形成厚度相匹配的功能元件。本实施例中，所述功能元件和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。

所述功能元件为摄像组件中除感光芯片200之外的具有特定功能元件，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。

本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。

所述外围芯片230为主动元件，当后续实现与感光芯片200的电连接后，用于向所述感光芯片200提供外围电路，例如：模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。

本实施例中，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中，所述外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。为了便于图示，图5中仅示意出了一个外围芯片230，但所述外围芯片230的数量不仅限于一个。

所述外围芯片230通常为硅基芯片，采用集成电路制作技术所制成，也具有焊垫，用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235；所述外围芯片230临时键合至第一承载基板320上之后，所述第二芯片焊垫235背向第一承载基板320。

所述被动元件240用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示，图5中仅示意出了一个被动元件240，但所述被动元件240的数量不仅限于一个。

所述被动元件240也具有焊垫，用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述被动元件240的焊垫为电极245；所述被动元件240临时键合至第一承载基板320上之后，所述电极245背向第一承载基板320。

参考图6，在所述第一承载基板320上形成封装层350，所述封装层350至少填充于所述功能元件(未标示)之间，且所述封装层350内形成有通孔355。

所述封装层350用于实现功能元件和感光单元250(如图1所示)封装集成。其中，通过所述封装层350，不仅能够减少镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板，从而减小所形成镜头模组的总厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

所述封装层350的材料为模塑(molding)材料，所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，因此还有利于提高所形成镜头模组的可靠性。

本实施例中，所述封装层350的材料为环氧树脂。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点，因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。

所述通孔355用于为后续感光芯片200的装配提供空间位置。

因此，所述封装层350的厚度根据感光芯片200的厚度而定，使得后续将感光芯片200置于对应的通孔355内之后，所述封装层350能够露出第一芯片焊垫220(如图1所示)，以便于后续电连接工艺的进行。本实施例中，所述封装层350的厚度与所述感光芯片200的厚度相等。

本实施例中，由于所述感光芯片200的厚度与外围芯片230和被动元件240的厚度相等或相近，因此，所述封装层350填充于外围芯片230和被动元件240之间且露出第二芯片焊垫235和电极245，降低了后续电连接工艺的难度。

本实施例中，采用注塑(injection molding)工艺形成具有所述通孔355的所述封装层350。通过选用注塑工艺，制备相匹配的模具，即可使封装层350厚度和形成区域满足工艺需求，工艺简单，且在同一步骤中形成所述通孔355。

具体地，形成所述封装层350的步骤包括：将临时键合有所述功能元件的第一承载基板320置于模具内，所述模具包括上模和下模，所述上模和下模中的任一个具有凸出的凸台，所述凸台用于占据所述通孔355的位置；将所述第一承载基板320置于所述上模和下模之间；在合模后，使所述模具压合至所述功能元件和第一承载基板320上，并使所述凸台压合至所述功能元件露出的部分第一承载基板320上，在所述上模和下模之间形成型腔；向所述型腔内注入塑封材料，形成所述封装层350；去除所述模具，在所述封装层350内形成所述通孔355。

其中，在注塑过程中，所述模具表面贴附有脱模层(release film)。所述脱模层不仅有利于提高所述模具的表面光滑度，且在形成所述封装层350后，还用于实现所述模具和封装层350的分离，从而达到脱模的效果；此外，所述脱模层具有一定的弹性和厚度，即使在各功能元件之间有厚度差的情况下，也易于使所述封装层350露出各功能元件的焊垫。相应的，在脱模之后，还包括去除所述脱模层的步骤。

本实施例中，所述感光芯片200的横截面形状为第一矩形，所述通孔355的横截面形状相应为第二矩形，即所述通孔355具有垂直侧壁，因此模具的加工难度较低，有利于保障所述通孔355的形貌质量和尺寸精度。

在其他实施例中，也可以不对模具进行设计。相应的，形成所述封装层后，利用激光切割工艺刻蚀所述封装层，从而在所述封装层中形成所述通孔。

本实施例中，所述第二矩形具有第二边长W2，所述第二边长W2根据第一边长W1(如图2所示)而定，且所述第二边长W2大于第一边长W1，从而降低后续感光芯片200在通孔355内的装配难度，降低所述感光芯片200发生损坏的概率。其中，所述第二边长W2指的是：所述通孔355沿平行于第一承载基板320表面方向的尺寸，所述第二边长W2包括通孔355的长度和宽度。

但是，所述第二边长W2与所述第一边长W1的差值也不宜过大。如果所述差值过大，相应会增大后续所形成摄像组件的尺寸，且容易增加后续所述感光芯片200和所述封装层200之间的结合难度。为此，本实施例中，所述第二边长W2与所述第一边长W1的差值大于0且小于或等于20微米。其中，所述差值的最小值只要满足后续所述感光芯片200能够放入所述通孔355内即可。

在其他实施例中，在装配精度较高的情况下，所述差值也可以为0。

需要说明的是，在所述封装层350的作用下，省去了电路板，起到了减小镜头模组厚度的效果，因此无需对感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理，从而提高了所述感光芯片200和外围芯片230的机械强度和可靠性。在其他实施例中，根据工艺需求，也可以适当减小所述感光芯片和外围芯片的厚度，但减薄量较小，以保证其机械强度和可靠性不受影响。

还需要说明的是，本实施例仅示意出了一个通孔355。在其他实施例中，当所形成的镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，所述封装层内的通孔数量还可以为多个。

参考图7，将所述感光芯片200置于所述通孔355(如图5所示)内，且将所述感光芯片200临时键合于所述第一承载基板320上，所述感光芯片200的焊垫背向所述第一承载基板320。

通过将感光芯片200置于通孔355内，从而实现感光芯片200和功能元件的封装集成，为后续实现电学集成提供工艺基础。而且，避免滤光片400在封装层350的形成过程中发生破裂、以及封装层350的形成工艺对感光芯片200的性能造成影响，有利于保障镜头模组的使用性能。

具体地，对单个感光单元250位置处的UV膜310(如图4所示)进行紫外光照射，使受到紫外光照射的UV膜310失去粘性，并通过顶针将单个感光单元250顶起，随后通过吸附设备提起所述感光单元250，依次将所述感光单元250从UV膜310上剥离下来并放置于对应通孔355露出的第一承载基板320上。其中，通过将所述感光单元250逐个临时键合于第一承载基板320上的方式，有利于提高感光单元250在所述通孔355内的位置精准度。

本实施例中，所述封装层350的厚度根据感光芯片200厚度而定，因此，将所述感光芯片200置于通孔355内后，所述滤光片400位于所述通孔355外。

需要说明的是，由于通孔355的第二边长W2(如图5所示)大于感光芯片200的第一边长W1(如图2所示)，因此，所述通孔355侧壁和感光芯片200之间具有间隙351。

为此，结合参考图8，所述封装方法还包括：向所述间隙351(如图6所示)内填充粘合胶420。

所述粘合胶420用于实现所述感光芯片200和封装层350之间的物理连接，从而使所述感光芯片200固定于所述封装层350中。

本实施例中，所述粘合胶420的材料为环氧胶。所述封装层350的材料为环氧树脂，通过选用与封装层350材料相匹配的环氧胶，有利于提高所述粘合胶420和封装层350的兼容性。

还需要说明的是，本实施例中，在感光芯片200上贴装滤光片400之后，将所述感光芯片200临时键合于第一承载基板320上。在其他实施例中，还可以将感光芯片临时键合于第一承载基板上之后，将滤光片贴装至感光芯片上。

结合参考图9至图12，将感光芯片200临时键合于所述第一承载基板320上之后，形成再布线(redistribution layer，RDL)结构360(如图10所示)，电连接所述感光芯片200的焊垫和所述功能元件(未标示)的焊垫。

所述再布线结构360用于实现所形成摄像组件的电学集成。

通过选用再布线结构360，能够在减小所述感光芯片200和功能元件之间距离的同时，提高电连接工艺的可行性；而且，与打线(wire bond)工艺相比，再布线结构360能够实现批量化生产，以提高封装效率。

本实施例中，所述感光芯片200的焊垫和功能元件的焊垫均背向第一承载基板320，因此，在所述封装层350靠近所述滤光片400的一侧形成所述再布线结构360，以降低电连接工艺的难度。而且，后续将镜头组件装配至所形成的摄像组件上后，所述再布线结构360位于镜头组件的支架中，有利于提高封装可靠性。

具体地，所述再布线结构360电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。

本实施例中，形成所述再布线结构360的步骤包括：

参考图9，提供第二承载基板330，在所述第二承载基板330上形成互连线361。

通过在第二承载基板330上形成互连线361，避免形成所述互连线361的工艺对所述滤光片400造成污染。

具体地，在所述第二承载基板330上形成所述互连线361的步骤包括：在所述第二承载基板330上形成第一介质层332；图形化所述第一介质层，在所述第一介质层内形成互连沟槽(图未示)；在所述互连沟槽内形成所述互连线361；形成所述互连线361后，去除所述第一介质层332。

所述第一介质层332中的互连沟槽用于定义互连线361的形状、位置和尺寸。本实施例中，所述第一介质层332的材料为光敏材料，可通过光刻工艺进行图形化，有利于简化形成所述互连沟槽的工艺难度。具体地，所述第一介质层332的材料为光敏聚酰亚胺、光敏苯并环丁烯或光敏聚苯并噁唑。

本实施例中，通过电镀工艺，在所述互连沟槽内形成所述互连线361。

本实施例中，所述互连线361的材料为铜。铜的电阻率较低，有利于提高所述互连线361的导电性能；且铜的填充性较好，有利于提高互连线361在互连沟槽内的填充质量。在其他实施例中，所述互连线的材料还可以为其他可适用的导电材料。

本实施例中，前述材料的第一介质层332的耐腐蚀性较强，因此，形成所述互连线361后，通过反应离子刻蚀工艺，去除所述第一介质层332，使第二承载基板330露出互连线361，从而为后续电连接工艺做好工艺准备。

本实施例中，在所述第二承载基板330上形成第一介质层332之前，还包括：在所述第二承载基板330上形成第三临时键合层331；所述第一介质层332相应形成于所述第三临时键合层331上。

所述第三临时键合层331用于作为剥离层，便于后续对所述互连线361和第二承载基板330进行分离。本实施例中，所述第三临时键合层331可以为发泡膜，对所述第三临时键合层331的具体描述，可参考前述对第一临时键合层345(如图1所示)的相应描述，在此不再赘述。

需要说明的是，在其他实施例中，在所述第二承载基板上形成第三临时键合层之前，还包括：在所述第二承载基板上形成钝化层。通过所述钝化层，以免所述第二承载基板受到污染，使所述第二承载基板能够被重复利用。其中，所述钝化层的材料可以为氧化硅或氮化硅。

本实施例中，所述滤光片400位于所述通孔355外，且第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245位于封装层350的同侧，因此，形成所述第三临时键合层331之前，还包括：刻蚀所述第二承载基板330，在所述第二承载基板330内形成凹槽335，所述凹槽335用于容纳所述滤光片400。为此，所述第三临时键合层331保形覆盖所述第二承载基板330表面、所述凹槽335底部和侧壁，所述第一介质层332保形覆盖所述第三临时键合层331表面。

本实施例中，形成所述互连线361之后，所述光入射面402至光信号接收面201的距离和所述互连线361厚度之间的差值为第一数值，形成于所述第二承载基板330内的凹槽335深度H为第二数值，所述第二数值和第一数值的差值大于或等于5微米，以保证所述互连线361能够与所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245实现电连接。

结合参考图10，去除所述第一介质层332(如图9所示)后，在所述互连线361上形成导电凸块365。

本实施例中，所述导电凸块365和互连线361构成所述再布线结构360。

所述导电凸块365凸出于互连线361，通过所述导电凸块365，以提高后续互连线361与焊垫之间的键合可靠性。

而且，所述导电凸块365具有一定的高度，通过所述导电凸块365，能够减小形成于所述第二承载基板330内的凹槽335的深度H(如图9所示)，甚至可以避免在所述第二承载基板内形成所述凹槽，有利于降低工艺复杂度。

具体地，在所述互连线361上形成导电凸块365的步骤包括：形成保形覆盖所述第三临时键合层331的第二介质层333，所述第二介质层还覆盖所述互连线361；图形化所述第二介质层333，在所述第二介质层333内形成导电通孔(图未示)，所述导电通孔露出部分所述互连线361；在所述导电通孔内形成所述导电凸块365；去除所述第二介质层333。

所述第二介质层333中的导电通孔用于定义导电凸块365的形状、位置和尺寸。对所述第二介质层333的具体描述，可参考前述对第一介质层332的相关描述，在此不再赘述。

本实施例中，通过电镀工艺在所述导电通孔内形成所述导电凸块365。

本实施例中，为了提高导电凸块365和互连线361的兼容性、所述再布线结构360的导电性能，所述导电凸块365和互连线361的材料为铜。在其他实施例中，还可以采用其他可适用的导电材料。

本实施例中，形成所述导电凸块365后，通过反应离子刻蚀工艺去除所述第二介质层333。

结合参考图11和图12，将所述导电凸块365键合于对应的所述焊垫上，与对应的所述焊垫电连接。

具体地，将所述导电凸块365置于对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245上后，利用金属键合工艺进行所述键合的步骤。

其中，将所述导电凸块365置于对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245上后，将所述滤光片400置于所述凹槽335(如图11所示)内。

本实施例中，所述金属键合工艺为热压键合工艺。在金属键合工艺的过程中，所述导电凸块365与对应焊垫的接触面在压强的作用下发生塑性变形，使得接触面的原子相互接触，而随着键合温度的升高，使得接触面的原子扩散加速，实现跨界扩散；当达到一定的键合时间后，接触面的晶格发生重组，从而实现键合，且键合强度、导电导热性能、耐电迁移性能以及机械连接性能较高。

随着键合温度的升高，接触面的原子获得更多能量，原子间扩散更为明显，此外，键合温度的升高还能促进晶粒生长，获得能量的晶粒可以跨界面生长，有利于消除分界面，使接触面的材料融为一体。但是，如果键合温度过高，容易对所述感光芯片200和外围芯片230的性能产生不良影响，尤其是对所形成摄像组件中的敏感元件，且工艺温度过高还会产生热应力，引起对准精度下降、工艺成本增加、成产效率降低等问题。为此，本实施例中，所述金属键合工艺为金属低温键合工艺，所述金属键合工艺的键合温度小于或等于250℃。其中，键合温度的最低值只要满足能够实现键合即可。

在所述键合温度的设定下，通过增加压强，使原子间相互扩散更加容易，从而提高所述导电凸块365与焊垫之间的键合质量。为此，本实施例中，所述金属键合工艺的压强大于或等于200kPa。其中，所述压强通过压合工具产生。

增加键合时间也能提高键合质量。为此，本实施例中，所述金属键合工艺的键合时间大于或等于30min。

需要说明的是，在实际工艺过程中，可合理调节所述键合温度、压强和键合时间，并相互配合，从而保证金属键合质量和效率。

还需要说明的是，为了降低接触面发生氧化或污染的概率，可在真空环境下进行所述金属键合工艺。

此外，在其他实施例中，也可以分别在所述感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫上形成所述导电凸块，所述导电凸块电连接所述焊垫。

具体地，形成再布线结构的步骤还包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；分别在所述感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫上形成导电凸块；将所述互连线键合于所述导电凸块上，键合后的导电凸块和互连线构成所述再布线结构。

通过在焊垫上形成所述导电凸块，有利于提高导电凸块的位置精准度，降低了形成所述导电凸块的工艺难度。

在该实施例中，利用植球工艺形成所述导电凸块。通过选用植球工艺，有利于提高各芯片和元件与所述再布线结构之间的信号传输可靠性。具体地，所述导电凸块的材料可以为锡。

如图12所示，本实施例中，所述再布线结构360与对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245实现电连接之后，进行第二解键合处理，去除所述第二承载基板330(如图11所示)和第三临时键合层331(如图11所示)。

通过去除所述第二承载基板330和第三临时键合层331，露出所述再布线结构360，从而为后续工艺做好工艺准备。对所述第二解键合处理的具体描述，可参考前述对所述第一解键合处理的相关描述，在此不再赘述

参考图13，进行第三解键合处理，去除所述第一承载基板320(如图12所示)。

所述第一承载基板320用于为封装层350的形成以及感光芯片200(如图1所示)在通孔355(如图6所示)内的装配提供工艺平台，因此将所述感光芯片200固定于封装层350中后，即可去除所述第一承载基板320。

本实施例中，在所述再布线结构360与各焊垫实现电连接之后，去除所述第一承载基板320，提高键合工艺的可操作性和工艺稳定性。在其他实施例中，也可以在将感光芯片装配于通孔内之后，形成再布线结构之前，去除所述第一承载基板。

本实施例中，所述第三解键合处理的步骤包括：依次去除所述第一承载基板320和第二临时键合层325(如图12所示)。对所述第三解键合处理的具体描述，可参考前述对所述第二解键合处理的相关描述，在此不再赘述。

需要说明的是，去除所述第一承载基板320之后，还包括：对所述封装层350进行划片(dicing)处理。通过所述划片处理，形成尺寸符合工艺需求的单个摄像组件260，从而为后续镜头组件的装配做好工艺准备。本实施例中，采用激光切割工艺进行所述划片处理。

本实施例中，先进行所述第三解键合处理，再进行划片处理。在其他实施例中，也可以在划片处理之后，进行第三解键合处理，所述第一承载基板相应还能为所述划片处理提供工艺平台。

继续参考图13，形成电连接所述焊垫的再布线结构360之后，还包括：在所述再布线结构360上键合FPC板(flexible printed circuit board，柔性电路板)510。

所述键合FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现所述摄像组件260与后续镜头组件之间的电连接、以及所形成镜头模组与其他元件之间的电连接。而且，后续形成镜头模组后，所述镜头模组还能够通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。

本实施例中，所述FPC板510上具有电路结构，因此通过金属键合工艺，使所述FPC板510键合于所述再布线结构360上，从而实现电连接。

需要说明的是，所述FPC板510上形成有连接器(connector)520，用于电连接所述FPC板510与其他电路元件的电连接。当镜头模组运用于电子设备时，所述电连接器520电连接于该电子设备的主板上，从而实现所述镜头模组与所述电子设备中其他元件之间的信息传输，将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地，所述连接器520可以为金手指连接器。

还需要说明的是，为了提高工艺可行性，在所述划片处理以及第二解键合处理之后，在所述再布线结构360上键合所述FPC板510。

图14至图18是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图。

本实施例与前述实施例的相同之处，在此不再赘述。本实施例与前述实施例的不同之处在于：如图15所示，将所述感光芯片200a置于对应的所述通孔355a(如图14所示)内后，所述滤光片400a也位于所述通孔355a内。

相应的，如图17所示，考虑到电连接工艺的可行性，在封装层350a远离所述滤光片400a的一侧形成再布线结构360a。

具体地，所述封装方法包括：

参考图14，将功能元件临时键合于第一承载基板320a上后，所述功能元件的焊垫面向所述第一承载基板320a。

本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230a和被动元件240a，外围芯片230a的焊垫为第二芯片焊垫235a，被动元件240a的焊垫为电极245a。

通过使第二芯片焊垫235a和电极245a面向第一承载基板320a，降低了形成再布线结构的工艺复杂度。

继续参考图14，在所述第一承载基板320a上形成封装层350a，所述封装层350a覆盖所述第一承载基板320a和功能元件。

所述封装层350a覆盖所述外围芯片230a和被动元件240a，避免了对感光芯片200a与外围芯片230a以及被动元件240a之间厚度差进行管控。

所述封装层350a的厚度根据感光单元(未标示)的总厚度而定。

本实施例中，为了降低摄像组件的厚度，所述封装层350a的厚度与感光单元总厚度相等。在其他实施例中，封装层厚度还可以大于感光单元的总厚度。

参考图15，将感光芯片200a和滤光片400a置于对应的通孔355a内，且将所述感光芯片200a临时键合于所述第一承载基板320a上。

本实施例中，所述封装层350a的厚度与所述感光单元的总厚度相等，因此所述封装层350a背向所述第一承载基板320a的面和所述滤光片400的光入射面402a相齐平。在其他实施例中，所述封装层背向所述第一承载基板的面还可以高于所述光入射面或者低于所述光入射面。

需要说明的是，将所述感光芯片200a和滤光片400a置于对应的所述通孔355a内后，所述通孔355a侧壁和所述感光芯片200a之间具有间隙(未标示)，因此所述封装方法还包括：向所述间隙内填充粘合胶420a，从而使所述感光芯片200a固定于所述封装层350a中。

参考图16，向所述间隙(未标示)内填充粘合胶420a之后，去除所述第一承载基板320a。

通过去除所述第一承载基板320a，露出所述功能元件的焊垫、以及所述感光芯片200a背向所述滤光片400a的面，从而为后续电连接工艺做好工艺准备。

继续参考图16，并结合参考图17，去除所述第一承载基板320a后，在所述封装层350a远离所述滤光片400a一侧的面上形成再布线结构360a(如图17所示)，电连接所述焊垫。

具体地，形成所述再布线结构360a的步骤包括：

参考图16，在所述感光芯片200a内形成导电柱280a，所述导电柱280a电连接所述感光芯片200a的第一芯片焊垫220a。

所述感光芯片200a露出所述导电柱280a的顶面，所述导电柱280a用于作为所述感光芯片200a的外接电极，从而实现所述第一芯片焊垫220a与功能元件的焊垫之间的电连接。其中，所述导电柱280a的顶面指的是：沿所述导电柱280的延伸方向，所述导电柱280a背向滤光片400a的面。

本实施例中，所述导电柱280a的材料为铜，从而提高所述导电柱280a的导电性能、降低形成所述导电柱280a的工艺难度。在其他实施例中，所述导电柱的材料还可以为其他可适用的导电材料，例如：钨。

具体地，采用硅通孔(Through-Silicon Via，TSV)工艺形成所述导电柱280a。

需要说明的是，去除所述第一承载基板320a后，形成所述导电柱280a之前，还包括：将所述封装层350a背向所述第二芯片焊垫235a和电极245a的面临时键合于第四承载基板380a上。所述第四承载基板380a用于为所述导电柱280a的形成提供工艺平台，还用于为后续步骤提供工艺平台。

本实施例中，通过第四临时键合层385a将所述封装层350a键合于所述第四承载基板380a上。对所述第四承载基板380a和第四临时键合层385a的具体描述，可参考第一实施例中的相应描述，在此不再赘述。

参考图17，形成导电凸块365a和互连线361a，所述导电凸块365a电连接所述导电柱280a和功能芯片的焊垫。

所述导电柱280a、导电凸块365a和互连线361a构成所述再布线结构360a。

具体地，在所述互连线361a上形成导电凸块365a后，将所述导电凸块365a键合于对应的所述导电柱280a和功能元件的焊垫上；或者，分别在所述导电柱280a和功能元件的焊垫上形成所述导电凸块365a后，将所述互连线361a键合于所述导电凸块365a上。

其中，当在所述互连线361a上形成导电凸块365a时，选用电镀工艺形成所述导电凸块365；当在所述导电柱280a和功能元件的焊垫上形成所述导电凸块365a时，选用植球工艺形成所述导电凸块365。

本实施例中，利用金属键合工艺进行所述键合的步骤。

对形成导电凸块365a和互连线361a的步骤、以及键合步骤的具体描述，可参考第一实施例中的相应描述，在此不再赘述。

结合参考图18，形成所述再布线结构360a之后，还包括：去除所述第四承载基板380a(如图17所示)和第四临时键合层385a(如图17所示)。

通过去除第四承载基板380a和第四临时键合层385a，从而为后续的划片处理做好工艺准备。对去除第四承载基板380a和第四临时键合层385a的步骤、以及后续步骤的具体描述，可参考第一实施例中的相应描述，在此不再赘述。

对本实施例所述封装方法的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。

相应的，本发明实施例还提供一种摄像组件。继续参考图13，示出了本发明摄像组件一实施例的结构示意图。

所述摄像组件260包括：封装层350、以及嵌于所述封装层350中的功能元件(未标示)，所述封装层350包括相对的顶面(未标示)和底面(未标示)，所述封装层350的顶面和底面露出所述功能元件，且所述封装层350内形成有通孔355(如图6所示)，其中，所述功能芯片具有焊垫(未标示)，所述功能芯片的焊垫背向所述封装层350的底面；感光单元250(如图1所示)，包括感光芯片200和贴装在所述感光芯片200上的滤光片400，所述感光芯片200嵌于所述通孔355内，所述滤光片400位于所述通孔355外，其中，所述感光芯片200露出于所述封装层350的顶面和底面，所述感光芯片200具有焊垫，且所述感光芯片200的焊垫背向所述封装层350的底面；再布线结构360，位于所述封装层350顶面的一侧，所述再布线结构360电连接所述感光芯片200的焊垫和所述功能元件的焊垫。

所述封装层350对感光芯片200和功能元件起到固定作用，用于使感光芯片200和功能元件实现封装集成。其中，通过所述封装层350，不仅能够减少镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板，从而减小了所述镜头模组260的总厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

所述封装层350的材料为模塑材料，所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，因此还有利于提高所形成镜头模组的可靠性。本实施例中，所述封装层350的材料为环氧树脂。

本实施例中，所述封装层350包括相对的顶面和底面。其中，所述封装层350的顶面是用于贴装镜头组件的面。

所述通孔355用于为所述感光芯片200在所述封装层350内的装配提供空间位置。

需要说明的是，本实施例仅示意出了一个通孔355。在其他实施例中，当镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，封装层内的通孔数量还可以为多个。

还需要说明的是，所述感光芯片200的横截面形状通常为矩形，所述通孔355的横截面形状相应为矩形。具体地，所述感光芯片200的横截面形状为第一矩形，所述通孔355的横截面形状为第二矩形，所述第二矩形的边长(未标示)根据所述第一矩形的边长(未标示)而定，且所述第二矩形的边长大于所述第一矩形的边长，从而降低了感光芯片200在所述通孔355内的装配难度。

但是，所述第二矩形和第一矩形的边长差值也不宜过大。如果所述差值过大，相应会增大所述摄像组件260的尺寸，且容易增加所述感光芯片200和所述封装层200之间的结合难度。为此，本实施例中，所述第二矩形和第一矩形的边长差值大于0且小于或等于20微米。其中，所述差值的最小值只要满足后续所述感光芯片200能够放入所述通孔355内即可。在其他实施例中，在对准精度较高的情况下，所述第二矩形和第一矩形的边长差值也可以为0。

本实施例中，为了降低所述感光芯片200和功能元件之间实现电连接的难度，所述滤光片400位于所述通355孔外，所述封装层350的顶面和底面均露出所述感光芯片200和功能元件。

本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD图像传感器芯片。

本实施例中，所述感光芯片200包括感光区200C(如图2所示)以及环绕所述感光区200C的外围区200E(如图2所示)，所述感光芯片200还具有位于所述感光区200C的光信号接收面201。

所述感光芯片200通常为硅基芯片，所述感光芯片200的焊垫用于实现感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述感光芯片200具有位于外围区200E的第一芯片焊垫220。

本实施例中，所述第一芯片焊垫220面向滤光片400，即所述第一芯片焊垫220背向所述封装层350的底面。

所述滤光片400贴装在感光芯片200上，以免封装工艺对光信号接收面201造成污染，且减小了镜头模组600的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

为了实现镜头模组的正常功能，所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对所述感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。

本实施例中，所述滤光片400和感光芯片200通过设置于二者之间的粘合结构410实现贴装，所述粘合结构410环绕感光芯片200的光信号接收面201。

所述粘合结构410用于实现所述滤光片400和感光芯片200的物理连接。且避免所述滤光片400与感光芯片200直接接触，从而避免对所述感光芯片200的性能产生不良影响。

本实施例中，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201，从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于所述感光芯片200的感光路径上，进而使所述感光芯片200的性能得到保障。

需要说明的是，本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中，当镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，感光单元的数量还可以为多个。

本实施例中，所述封装层350的顶面露出所述感光芯片200，因此所述感光芯片200的第一芯片焊垫220露出于所述封装层350，从而降低了再布线结构360的形成难度。

具体地，通过合理设定所述封装层350的厚度，使得所述感光芯片200的光信号接收面201和封装层350的顶面相齐平。

本实施例中，所述感光芯片200装配于通孔355内，以免滤光片400在封装层350的形成过程中发生破裂、以及形成封装层350的制程对感光芯片200性能产生影响，有利于保障镜头模组的使用性能。

本实施例中，所述感光芯片200的横截面形状为第一矩形，所述通孔355的横截面形状为第二矩形，所述第二矩形的边长大于所述第一矩形的边长，因此所述通孔355侧壁和所述感光芯片200之间具有间隙351(如图7所示)，从而降低所述感光芯片200在装配过程中发生损坏的概率。

为此，所述摄像组件260还包括：粘合胶420，位于所述间隙351内。

所述粘合胶420用于实现所述感光芯片200和封装层350之间的物理连接，从而使所述感光芯片200固定于所述封装层350中。

本实施例中，所述粘合胶420的材料为环氧胶。所述封装层350的材料为环氧树脂，通过选用与封装层350材料相匹配的环氧胶，有利于提高所述粘合胶420和封装层350的兼容性。

所述功能元件为摄像组件中除所述感光芯片200之外的具有特定功能的元件，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。

本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。

所述外围芯片230为主动元件，用于向感光芯片200提供外围电路，例如：模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。

本实施例中，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中，所述外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。为了便于图示，图13中仅示意出了一个外围芯片230，但所述外围芯片230的数量不仅限于一个。

所述外围芯片230通常为硅基芯片，所述外围芯片230的焊垫用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235。

本实施例中，所述第二芯片焊垫235面向所述滤光片400，使得所述第二芯片焊垫235和第一芯片焊垫220位于所述封装层350的同侧，从而易于实现所述外围芯片230和感光芯片200之间的电连接。相应的，所述第二芯片焊垫235背向所述封装层350的底面。

具体地，所述第二芯片焊垫235露出于所述封装层350的顶面，从而降低所述再布线结构360的形成难度。

所述被动元件240用于为所述感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示，图13中仅示意出了一个被动元件240，但所述被动元件240的数量不仅限于一个。

所述被动元件240的焊垫用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述被动元件240的焊垫为电极245。

由前述分析可知，在所述第一芯片焊垫220面向滤光片400的情况下，所述电极245面向滤光片400，从而易于实现所述被动元件240和感光芯片200之间的电连接。相应的，所述电极245也背向所述封装层350的底面。

需要说明的是，由于感光芯片200和功能元件的焊垫均背向封装层350的底面，为了降低电连接工艺的工艺难度，所述功能元件和感光芯片200的厚度相等或者厚度差较小。其中，可根据所述感光芯片200的厚度，调整所述功能元件的厚度。本实施例中，所述功能元件和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。

所述再布线结构360用于实现所述摄像组件260的电学集成。通过选用再布线结构360，减小了感光芯片200和功能元件之间的距离，提高了镜头模组的使用性能(例如：提高拍摄速度和存储速度)。而且，通过再布线结构360，提高了电连接工艺的可行性和封装效率。

本实施例中，所述再布线结构360电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。

为此，本实施例中，所述再布线结构360位于所述封装层350顶面的一侧。相应的，后续将镜头组件装配至所述摄像组件260上后，所述再布线结构360位于所述镜头组件的支架中，有利于提高所述摄像组件260的可靠性。

具体地，所述再布线结构360包括：导电凸块365，分别位于所述感光芯片200的焊垫和功能元件的焊垫上；互连线361，位于所述导电凸块365上。

所述导电凸块365凸出于所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235以及电极245的表面，通过所述导电凸块365，提高了互连线361与焊垫之间的电连接可靠性。

本实施例中，所述导电凸块365为植球。通过选用植球，有利于提高各芯片和元件与所述互连线361之间的信号传输可靠性。具体地，所述导电凸块365的材料可以为锡。在其他实施例中，所述导电凸块也可以通过电镀的方式形成，所述导电凸块还可以选用和互连线相同的材料。

本实施例中，所述互连线361的材料为铜。铜的电阻率较低，有利于提高所述互连线361的导电性能。在其他实施例中，所述互连线还可以为其他可适用的导电材料。

本实施例中，所述摄像组件260还包括：FPC板510，位于所述再布线结构360上。

所述FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现摄像组件260与镜头组件的电连接、以及镜头模组与其他元件之间的电连接。而且，镜头模组还能通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。

具体地，所述FPC板510上具有电路结构，从而实现所述FPC板510和再布线结构360的电连接。

需要说明的是，所述FPC板510上设有连接器520。在镜头模组运用于电子设备时，所述连接器520电连接于该电子设备的主板上，从而实现镜头模组与电子设备中其他元件之间的信息传输，将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地，所述连接器520可以为金手指连接器。

本实施例所述摄像组件可以采用第一实施例所述的封装方法所形成，也可以采用其他封装方法所形成。对本实施例所述摄像组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。

相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组。参考图19，示出了本发明镜头模组一实施例的结构示意图。

所述镜头模组600包括：本发明实施例所述的摄像组件(如图19中虚线圈所示)；镜头组件530，包括支架535，所述支架535贴装在所述封装层(未标示)的顶面上且环绕所述感光单元(未标示)和功能元件(未标示)，所述镜头组件530电连接所述感光芯片(未标示)和功能元件。

所述镜头组件530通常包括支架535、安装于所述支架535上的马达(图未示)、以及安装于所述马达上的透镜组(未标示)，通过所述支架535，以便于实现所述镜头组件530的装配，并使得透镜组位于感光单元的感光路径上。

本实施例中，所述摄像组件的厚度较小，且通过所述封装层，减小了所述镜头组件530的厚度，从而减小了所述镜头模组600的总厚度。

而且，所述感光单元和功能元件均设置于所述支架535内部，与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比，本实施例减小了感光芯片和功能元件之间的距离，相应减小了镜头模组600的尺寸，还缩短了电连接的距离，因此显著提高了所述镜头模组600的信号传输速度，进而提高镜头模组600的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)。

再次，通过将所述感光单元和功能元件均集成于封装层内、且将所述感光单元、功能元件和再布线结构均设置于所述支架535内部的方式，使所述感光单元、功能元件和再布线结构得到保护，因此有利于提高所述镜头模组600的可靠性和稳定性，且能够保障所述镜头模组600的成像质量。

本实施例中，所述支架535贴装在所述封装层的顶面上，且所述镜头组件530与FPC板(未标示)实现电连接。具体地，所述镜头组件530中的马达与所述FPC板实现电连接。

需要说明的是，对本实施例所述摄像组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备。参考图20，示出了本发明电子设备一实施例的结构示意图。

本实施例中，所述电子设备700包括本发明实施例所述的镜头模组600。

所述镜头模组600的可靠性和性能较高，相应提高了所述电子设备700的拍摄质量、拍摄速度和存储速度。而且，所述镜头模组600的整体厚度较小，有利于提高用户的使用感受度。

具体地，所述电子设备700可以为手机、平板电脑、照相机或摄像机等各种具备拍摄功能的设备。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (32)

1.一种摄像组件的封装方法，其特征在于，包括：

提供感光芯片，所述感光芯片具有焊垫；

在所述感光芯片上贴装滤光片；

提供第一承载基板，在所述第一承载基板上临时键合功能元件，所述功能元件具有焊垫，所述功能元件的焊垫背向所述第一承载基板或者面向所述第一承载基板；

在所述第一承载基板上形成封装层，所述封装层至少填充于所述功能元件之间，且所述封装层内形成有通孔；

将所述感光芯片置于所述通孔内，且将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上，所述感光芯片的焊垫背向所述第一承载基板；

将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述滤光片位于所述通孔外；

在所述第一承载基板上临时键合所述功能元件之后，所述功能元件的焊垫背向所述第一承载基板；

形成所述封装层的步骤中，所述封装层填充于所述功能元件之间，所述封装层露出所述焊垫；

在所述封装层靠近所述滤光片的一侧形成所述再布线结构。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述滤光片位于所述通孔内；

在所述第一承载基板上临时键合所述功能元件之后，所述功能元件的焊垫面向所述第一承载基板；

形成所述封装层的步骤中，所述封装层覆盖所述第一承载基板和功能元件；

将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，形成所述再布线结构之前，还包括：去除所述第一承载基板；

在所述封装层远离所述滤光片的一侧形成所述再布线结构。

4.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；

分别在所述感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫上形成导电凸块；

将所述互连线键合于所述导电凸块上，键合后的所述导电凸块和所述互连线构成所述再布线结构。

5.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；

在所述互连线上形成导电凸块，所述导电凸块和所述互连线构成所述再布线结构；

将所述导电凸块键合于对应的所述焊垫上。

6.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；

在所述感光芯片内形成导电柱，电连接所述感光芯片的焊垫；

分别在所述导电柱和功能元件的焊垫上形成导电凸块；

将所述互连线键合于所述导电凸块上，键合后的所述互连线、导电凸块和导电柱构成所述再布线结构。

7.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；

在所述互连线上形成导电凸块；

在所述感光芯片内形成导电柱，电连接所述感光芯片的焊垫；

将所述导电凸块键合于对应的所述导电柱和功能元件的焊垫上，键合后的所述互连线、导电凸块和导电柱构成所述再布线结构。

8.权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述封装层后，利用激光切割工艺刻蚀所述封装层，在所述封装层中形成所述通孔。

9.如权利要求4、5、6或7所述的封装方法，其特征在于，在所述第二承载基板上形成互连线的步骤包括：在所述第二承载基板上形成第一介质层；

图形化所述第一介质层，在所述第一介质层内形成互连沟槽；

在所述互连沟槽内形成所述互连线；

去除所述第一介质层。

10.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺，去除所述第一介质层。

11.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述滤光片位于所述通孔外；

形成所述第一介质层之前，还包括：刻蚀所述第二承载基板，在所述第二承载基板内形成凹槽，所述凹槽用于容纳所述滤光片；

在所述键合的步骤中，将所述滤光片置于所述凹槽内。

12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述感光芯片具有光信号接收面，所述滤光片具有光入射面，在所述感光芯片上贴装所述滤光片后，所述光入射面背向所述光信号接收面；

在所述第二承载基板上形成所述互连线后，所述光入射面至所述光信号接收面的距离和所述互连线厚度之间的差值为第一数值；

在所述第二承载基板内形成所述凹槽后，所述凹槽的深度为第二数值，且所述第二数值和第一数值的差值大于或等于5微米。

13.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上后，所述通孔侧壁和所述感光芯片之间具有间隙；

形成所述再布线结构之前，还包括：向所述间隙内填充粘合胶。

14.如权利要求4或6所述的封装方法，其特征在于，利用植球工艺形成所述导电凸块。

15.如权利要求5或7所述的封装方法，其特征在于，在所述互连线上形成导电凸块的步骤包括：形成第二介质层，覆盖所述第二承载基板和互连线；

图形化所述第二介质层，在所述第二介质层内形成导电通孔，露出部分所述互连线；

在所述导电通孔内形成所述导电凸块；

去除所述第二介质层。

16.如权利要求15所述的封装方法，其特征在于，利用电镀工艺在所述导电通孔内形成所述导电凸块。

17.如权利要求15所述的封装方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺，去除所述第二介质层。

18.如权利要求4、5、6或7所述的封装方法，其特征在于，利用金属键合工艺进行所述键合的步骤。

19.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述感光芯片上贴装所述滤光片之后，将所述感光芯片置于所述通孔内，且将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上。

20.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述再布线结构之后，还包括：去除所述第一承载基板；

或者，将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，形成所述再布线结构之前，还包括：去除所述第一承载基板。

21.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述再布线结构之后，还包括：在所述再布线结构上键合FPC板。

22.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述感光芯片的横截面为第一矩形，所述通孔的横截面形状为第二矩形，所述第二矩形和第一矩形的边长差值大于0且小于或等于20微米。

23.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述粘合胶的材料为环氧胶。

24.如权利要求18所述的封装方法，其特征在于，所述金属键合工艺的键合温度小于或等于250℃，压强大于或等于200kPa，键合时间大于或等于30min。

25.一种摄像组件，其特征在于，包括：

封装层、以及嵌于所述封装层中的功能元件，所述封装层包括相对的顶面和底面，所述封装层的顶面和底面露出所述功能元件，且所述封装层内形成有通孔，其中，所述功能元件具有焊垫，所述功能元件的焊垫背向所述封装层的底面；

感光单元，包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述感光芯片嵌于所述通孔内，所述滤光片位于所述通孔外，其中，所述感光芯片露出于所述封装层的顶面和底面，所述感光芯片具有焊垫，且所述感光芯片的焊垫背向所述封装层的底面；

再布线结构，位于所述封装层顶面的一侧，所述再布线结构电连接所述感光芯片的焊垫以及所述功能元件的焊垫。

26.如权利要求25所述的摄像组件，其特征在于，所述再布线结构包括：

导电凸块，分别位于所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫上；

互连线，位于所述导电凸块上。

27.如权利要求25所述的摄像组件，其特征在于，所述通孔侧壁和所述感光芯片之间具有间隙；

所述摄像组件还包括：粘合胶，位于所述间隙内。

28.如权利要求27所述的摄像组件，其特征在于，所述感光芯片的横截面为第一矩形，所述通孔的横截面形状为第二矩形，所述第二矩形和第一矩形的边长差值大于0且小于或等于20微米。

29.如权利要求25所述的摄像组件，其特征在于，所述功能元件包括外围芯片和被动元件中的至少一种，所述外围芯片包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。

30.如权利要求25所述的摄像组件，其特征在于，所述摄像组件还包括：FPC板，位于所述再布线结构上。

31.一种镜头模组，其特征在于，包括：

如权利要求25至30中任一项权利要求所述的摄像组件；

镜头组件，包括支架，所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光单元和功能元件，所述镜头组件电连接所述感光芯片和功能元件。

32.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求31所述的镜头模组。

Images