CN111200702B - 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 - Google Patents
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Abstract
一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备,摄像组件的封装方法包括:提供感光芯片;在所述感光芯片上贴装滤光片;提供承载基板,在所述承载基板上临时键合感光芯片和功能元件;在所述承载基板上形成封装层,所述封装层至少填充于所述感光芯片和功能元件之间。本发明将感光芯片和功能元件集成于封装层中,以省去电路板,从而减小了镜头模组总厚度,而且,缩短了感光芯片和功能元件之间的距离,相应能够缩短了电连接的距离,有利于提高信号传输的速率,从而提高了镜头模组的使用性能。
Description
技术领域
本发明实施例涉及镜头模组领域,尤其涉及一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备。
背景技术
随着人们生活水平的不断提高,业余生活也更加丰富,摄影逐渐成为人们记录出游以及各种日常生活的常用手段,因此具有拍摄功能的电子设备(例如:手机、平板电脑和照相机等)越来越多地应用到人们的日常生活以及工作中,具有拍摄功能的电子设备逐渐成为当今人们不可或缺的重要工具。
具有拍摄功能的电子设备通常都设有镜头模组,镜头模组的设计水平是决定拍摄质量的重要因素之一。镜头模组通常包括具有感光芯片的摄像组件以及固定于所述摄像组件上方且用于形成被摄物体影像的镜头组件。
而且,为了提高镜头模组的成像能力,相应需具有更大成像面积的感光芯片,且通常还会在所述镜头模组中配置电阻、电容器等被动元件以及外围芯片。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备,提高镜头模组的使用性能,并减小镜头模组的总厚度。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种摄像组件的封装方法,包括:提供感光芯片;在所述感光芯片上贴装滤光片;提供承载基板,在所述承载基板上临时键合感光芯片和功能元件;在所述承载基板上形成封装层,所述封装层至少填充于所述感光芯片和功能元件之间。
相应的,本发明实施例还提供一种摄像组件,包括:封装层、以及嵌于所述封装层中的感光单元和功能元件;所述感光单元包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片,至少所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件。
相应的,本发明实施例还提供一种镜头模组,包括:本发明实施例所述的摄像组件;镜头组件,包括支架,所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光单元和功能元件,所述镜头组件与所述感光芯片和功能元件实现电连接。
相应的,本发明实施例还提供一种电子设备,包括:本发明实施例所述的镜头模组。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下优点:
本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中,与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比,本发明实施例能够减小感光芯片和功能元件之间的距离,相应有利于缩短感光芯片和功能元件之间电连接的距离,从而提高了信号传输的速率,进而提高镜头模组的使用性能(例如:提高了拍摄速度和存储速度);而且,通过所述封装层,还省去了电路板(例如:PCB),相应减小了镜头模组的总厚度,从而满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。
可选方案中,采用引线键合(wire bond)工艺电连接感光芯片和功能元件的焊垫,从而提高电连接工艺与目前封装工艺的兼容性,降低封装成本。
附图说明
图1至图9是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图;
图10和图11是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图;
图12和图13是本发明摄像组件的封装方法又一实施例中各步骤对应的结构示意图;
图14至图16是本发明摄像组件的封装方法再一实施例中各步骤对应的结构示意图;
图17是本发明镜头模组一实施例的结构示意图。
图18是本发明电子设备一实施例的结构示意图。
具体实施方式
目前,镜头模组的使用性能有待提高,且镜头模组难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。分析其原因在于:
传统的镜头模组主要由电路板、感光芯片、功能元件(例如:外围芯片) 和镜头组件组装而成,且外围芯片通常贴装在外围主板上,感光芯片和功能元件之间相互分离;其中,所述电路板用于对所述感光芯片、功能元件和镜头组件起到支撑作用,且通过所述电路板实现所述感光芯片、功能元件和镜头模组之间的电连接。
但是,随着高像素、超薄镜头模组的要求,镜头模组的成像要求也越来越高,感光芯片的面积相应增加,功能元件也相应增多,从而导致镜头模组的尺寸越来越大,难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。
而且,感光芯片通常设置于镜头模组中的支架内部,外围芯片通常设置于支架外部,因此所述外围芯片与感光芯片之间具有一定的距离,从而降低了信号传输的速率。而所述外围芯片通常包括数字信号处理器(digital signal processor,DSP)芯片和存储器芯片,因此容易对拍摄速度和存储速度产生不良影响,进而降低镜头模组的使用性能。
为了解决所述技术问题,本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中,与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比,本发明实施例能够减小感光芯片和功能元件之间的距离,相应有利于缩短感光芯片和功能元件之间电连接的距离,从而提高了信号传输的速率,进而提高镜头模组的使用性能(例如:提高了拍摄速度和存储速度);而且,通过所述封装层,还省去了电路板,相应减小了镜头模组的总厚度,从而满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图9是本发明拍摄组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。
参考图1,提供感光芯片200。
所述感光芯片200为图像传感器芯片。本实施例中,所述感光芯片200为 CMOS图像传感器(CMOS image sensor,CIS)芯片。在其他实施例中,所述感光芯片还可以为CCD(charge coupled device,电荷耦合器)图像传感器芯片。
具体地,所述感光芯片200包括感光区200C以及环绕所述感光区200C的外围区200E。所述感光芯片200的光信号接收面201位于所述感光区200C,所述感光芯片200通过所述光信号接收面201接收感测光辐射信号。
所述感光芯片200包括多个像素单元,因此感光芯片200包含有多个半导体光敏器件(图未示)、以及位于所述半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示),滤光膜用于对光信号接收面201接收的光信号进行选择性吸收和通过。
所述感光芯片200还包括位于所述滤光膜上的微透镜210,所述微透镜210 与所述半导体光敏器件一一对应,从而将接收的光辐射信号光线聚焦至半导体光敏器件。所述光信号接收面201相应为所述微透镜210的顶面。
需要说明的是,所述感光芯片200通常为硅基芯片,采用集成电路制作技术所制成,所述感光芯片200具有焊垫,用于实现所述感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中,所述感光芯片200具有形成于外围区200E 的第一芯片焊垫220。
本实施例中,位于所述光信号接收面201同侧的感光芯片200表面露出所述第一芯片焊垫220。在其他实施例中,所述感光芯片背向所述光信号接收面的面露出所述第一芯片焊垫。
结合参考图2至图4,图3是图2中一个滤光片的放大图,在所述感光芯片200(如图4所示)上贴装滤光片400(如图4所示),形成感光单元250(如图4所示)。
所述感光芯片200具有面向滤光片400的光信号接收面201(如图4所示),通过先实现滤光片400和感光芯片200的贴装,以免后续封装工艺对光信号接收面201造成污染,相应避免后续封装工艺对感光芯片200的性能造成不良影响。而且,通过贴装的方式,显著减小了后续镜头模组的整体厚度,以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。
为了实现镜头模组的正常功能,所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中,所述滤光片400为红外滤光玻璃片,还用于消除入射光中的红外光对所述感光芯片200性能的影响,有利于提高成像效果。
具体地,所述滤光片400为红外截止滤光片(infrared cut filter,IRCF),所述红外截止滤光片可以为蓝玻璃红外截止滤光片,或者,所述红外截止滤光片包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜(IR cut coating)。
本实施例中,所述滤光片400包括待键合面401。所述待键合面401为用于与感光芯片200实现贴装的面,即用于面向所述感光芯片200的面。
具体地,在所述滤光片400为蓝玻璃红外截止滤光片的情况下,蓝玻璃红外截止滤光片的一个表面镀有增透膜或抗反射膜,与所述增透膜或抗反射膜表面相背的面为所述待键合面401;在所述滤光片400包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜的情况下,与所述红外截止膜相背的玻璃表面为所述待键合面401。在其他实施例中,当所述滤光片为全透光玻璃片时,所述全透光玻璃片的任一表面为所述待键合面。
如图3所示,所述滤光片400包括透光区400C以及环绕所述透光区400C 的边缘区400E。形成镜头模组后,所述滤光片400的透光区400C用于使外部入射光透过,从而使感光芯片200的光信号接收面201接收光信号;所述边缘区400E用于为实现滤光片400和感光芯片200的贴装预留空间位置。
如图4所示,本实施例中,所述滤光片400通过粘合结构410贴装至感光芯片200上,所述粘合结构410环绕所述感光芯片200的光信号接收面201。
所述粘合结构410用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接。且滤光片400、粘合结构410和感光芯片200围成空腔(未标示),避免滤光片400 与感光芯片200直接接触,从而避免对感光芯片200的性能产生不良影响。
本实施例中,所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201,从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于所述感光芯片200的感光路径上,进而使所述感光芯片200的光学性能得到保障。
本实施例中,所述粘合结构410的材料为可光刻材料,因此可以利用光刻工艺形成所述粘合结构410,这不仅有利于提高所述粘合结构410的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能,而且通过光刻的方式,还能够减小对所述粘合结构410的粘结强度所产生的影响。
本实施例中,所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜(dry film)。在其他实施例中,所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺(polyimide)、可光刻的聚苯并恶唑(PBO)或可光刻的苯并环丁烯(BCB)。
需要说明的是,所述粘合结构410可以形成于感光芯片200上,也可以形成于滤光片400上。本实施例中,为了降低形成所述粘合结构410的工艺难度、简化工艺步骤、减小所述粘合结构410的形成工艺对光信号接收面201的影响,在所述滤光片400上形成所述粘合结构410。
因此,形成所述感光单元250的步骤包括:
继续参考图2,提供第一承载基板340;将所述滤光片400背向所述待键合面401的面临时键合于所述第一承载基板340上。
所述第一承载基板340用于为所述滤光片400和感光芯片200的贴合步骤提供工艺平台,从而提高工艺可操作性。本实施例中,所述第一承载基板340 为载体晶圆(carrierwafer)。在其他实施例中,所述第一承载基板还可以为其他类型的基板。
具体地,通过第一临时键合层345将滤光片400临时键合于第一承载基板 340上。所述第一临时键合层345用于作为剥离层,便于后续实现解键合。
本实施例中,所述第一临时键合层345为发泡膜。发泡膜包括相对的微粘面和发泡面,发泡膜在常温下具有粘性,且发泡面贴附于第一承载基板340上,后续通过对发泡膜进行加热,即可使发泡面失去粘性,从而实现解键合。
在另一些实施例中,所述第一临时键合层还可以为粘片膜(die attach film,DAF)。
继续参考图2,将所述滤光片400临时键合于第一承载基板340上之后,在所述滤光片400的边缘区400E(如图3所示)形成环形粘合结构410。
具体地,形成所述粘合结构410的步骤包括:形成覆盖所述滤光片400和第一临时键合层345的粘合材料层(图未示);采用光刻工艺图形化所述粘合材料层,保留所述边缘区400E的剩余粘合材料层作为所述粘合结构410。
继续参考图4,使所述感光芯片200的光信号接收面201面向环形粘合结构410,将所述感光芯片200的外围区200E(如图1所示)贴装于环形粘合结构410上,以形成所述感光单元250。
本实施例中,形成所述感光单元250后,所述第一芯片焊垫220面向所述滤光片400。
结合参考图5,需要说明的是,形成感光单元250(如图4所示)后,还包括:将所述感光芯片200背向光信号接收面201的面贴附至UV膜310上;在贴附步骤后,进行第一解键合处理,去除所述第一承载基板340(如图4所示)。
通过所述贴附步骤,为后续临时键合步骤做好工艺准备,而且,所述UV 膜310还能够在去除第一承载基板340后,对所述感光单元250提供支撑和固定的作用。其中,UV膜310在紫外光的照射下粘附力会减弱,后续易于将所述感光单元250从所述UV膜310上取下。
具体地,采用贴膜机使所述UV膜310紧贴所述感光芯片200背向光信号接收面201的面,且还贴附于直径较大的框架315底部,通过所述框架315,以起到绷膜的作用,从而使所述感光单元250分立固定于所述UV膜310上。对所述UV膜310和框架315的具体描述,本实施例在此不再赘述。
本实施例中,第一临时键合层345(如图4所示)为发泡膜,因此采用热解键合工艺进行第一解键合处理。具体地,对所述第一临时键合层345进行加热处理,使所述发泡膜的发泡面失去粘性,从而去除所述第一承载基板340;去除所述第一承载基板340后,采用撕除的方式去除所述第一临时键合层345。
参考图6,提供第二承载基板320,在所述第二承载基板320上临时键合感光芯片200和功能元件(未标示)。
通过所述临时键合的步骤,从而为后续实现各芯片和元件的封装集成和电学集成做好工艺准备。而且通过临时键合(temporary bonding,TB)的方式,还便于后续将感光芯片200、功能元件和第二承载基板320进行分离。
其中,所述第二承载基板320还用于为后续封装层的形成提供工艺平台。
本实施例中,所述第二承载基板320为载体晶圆。在其他实施例中,所述第二承载基板还可以为其他类型的基板。
具体地,所述感光芯片200和功能元件通过第二临时键合层325临时键合于所述第二承载基板320上。本实施例中,所述第二临时键合层325为发泡膜。对所述第二临时键合层325的具体描述,可参考前述对第一临时键合层345(如图4所示)的相关描述,在此不再赘述。
以下结合附图,对所述临时键合的步骤做详细说明。
参考图6,将所述感光芯片200背向滤光片400的面临时键合于所述第二承载基板320上。
具体地,对单个感光单元250位置处的UV膜310(如图5所示)进行紫外光照射,使受到紫外光照射的UV膜310失去粘性,并通过顶针将单个感光单元250顶起,随后通过吸附设备提起所述感光单元250,依次将所述感光单元250从UV膜310上剥离下来并放置于所述第二承载基板320上。其中,通过将所述感光单元250逐个放置于第二承载基板320上的方式,有利于提高感光单元250在第二承载基板320上的位置精准度,以便于后续工艺的正常进行。
本实施例中,将感光芯片200临时键合于第二承载基板320上之后,所述感光芯片200的第一芯片焊垫220背向所述第二承载基板320。
需要说明的是,本实施例在形成所述感光单元250(如图4所示)之后,将感光芯片200临时键合至第二承载基板320上。在其他实施例中,也可以将感光芯片临时键合至第二承载基板上之后,将滤光片贴装到感光芯片上。
本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中,当所形成的镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时,所述感光单元的数量还可以为多个。
继续参考图6,在所述第二承载基板320上临时键合功能元件。
所述功能元件为摄像组件中除所述感光芯片200之外的具有特定功能元件,所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。
本实施例中,所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。
所述外围芯片230为主动元件,当后续实现与感光芯片200的电连接后,用于向所述感光芯片200提供外围电路,例如:模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。
本实施例中,所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中,所述外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。为了便于图示,图6中仅示意出了一个外围芯片230,但所述外围芯片230 的数量不仅限于一个。
所述外围芯片230通常为硅基芯片,采用集成电路制作技术所制成,也具有焊垫,用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中,所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235。
本实施例中,所述第一芯片焊垫220背向第二承载基板320,因此为了降低后续电连接工艺的难度,所述外围芯片230临时键合至第二承载基板320上之后,所述第二芯片焊垫235也背向第二承载基板320,从而使所述第一芯片焊垫220和第二芯片焊垫235位于同侧。
需要说明的是,所述外围芯片230和感光芯片200均集成于后续形成的封装层中,为了提高所述封装层的表面平坦度,降低形成封装层的工艺难度,所述外围芯片230和感光芯片200的厚度相等,或者,所述外围芯片230和感光芯片200之间的厚度差较小。其中,可根据所述感光芯片200的厚度,形成厚度相匹配的外围芯片230。本实施例中,所述外围芯片230和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。
所述被动元件240用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示,图6中仅示意出了一个被动元件240,但所述被动元件240的数量不仅限于一个。
所述被动元件240也具有焊垫,用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中,所述被动元件240的焊垫为电极245。
由前述分析可知,在第一芯片焊垫220背向第二承载基板320的情况下,为了降低后续电连接工艺的难度,所述被动元件240临时键合至第二承载基板 320上之后,所述电极245也背向第二承载基板320。
由前述分析可知,为了提高后续封装层的表面平坦度,降低形成封装层的工艺难度,根据感光芯片200的厚度,形成厚度相匹配的被动元件240。本实施例中,所述被动元件240和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。
需要说明的是,在其他实施例中,在将感光芯片和功能元件临时键合到第二承载基板上后,感光芯片的焊垫背向第二承载基板,功能元件的焊垫朝向第二承载基板,或者,感光芯片和功能元件的焊垫均朝向第二承载基板。
参考图7,在所述第二承载基板320上形成封装层350,所述封装层350 至少填充于所述感光芯片200和功能元件(未标示)之间。
所述封装层350对感光芯片200和功能元件(例如:外围芯片230、被动元件240)起到固定作用,用于使感光芯片200和功能元件实现封装集成。
其中,通过所述封装层350,能够减少镜头组件中支架所占用的空间,且还能省去电路板(例如:PCB),从而显著减小后续所形成镜头模组的总厚度,以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。而且,与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比,通过将感光芯片和功能元件均集成于封装层350中的方式,能够减小感光芯片200和各功能元件之间的距离,相应有利于缩短感光芯片和各功能元件之间电连接的距离,从而提高了信号传输的速率,进而提高镜头模组的使用性能(例如:提高了拍摄速度和存储速度)。
本实施例中,所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用,还有利于提高镜头模组的可靠性。
本实施例中,所述封装层350的材料为环氧树脂。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点,因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。
本实施例中,为了便于后续电连接工艺的进行,所述封装层350露出感光芯片200和功能元件的焊垫。具体地,所述封装层350露出第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。
本实施例中,后续通过引线键合工艺实现电连接,而所述第一芯片焊垫 220、第二芯片焊垫235和电极245均背向第二承载基板320,因此,为了降低后续引线键合工艺的复杂度,在形成所述封装层350的步骤中,所述封装层350 填充于所述感光芯片200和功能元件之间。
在其他实施例中,根据实际电连接工艺的方式,所述封装层可以覆盖所述第二承载基板、功能元件和感光芯片,并露出所述滤光片。
本实施例中,采用注塑(injection molding)工艺形成所述封装层350。注塑工艺具有生产速度快、效率高、操作可实现自动化等特点,通过采用注塑工艺,有利于提高产量、降低工艺成本;而且,通过选用注塑工艺,制备相匹配的模具,即可使所述封装层350的厚度和形成区域满足工艺需求,工艺简单。
需要说明的是,即使在感光芯片200和功能元件之间具有厚度差的情况下,也可以通过制备相匹配的模具,使得所述封装层350表面具有台阶,以确保封装层350均露出感光芯片200和功能元件的焊垫。
本实施例中,感光芯片200和功能元件之间的厚度差值较小,相应降低了形成所述封装层350的工艺难度。
具体地,形成所述封装层350的步骤包括:在所述第二承载基板320上临时键合感光芯片200和功能元件、且完成感光芯片200和滤光片400的贴装之后,将所述第二承载基板320置于模具内,所述模具包括上模和下模,所述上模和下模中的任一个形成有凹槽;将所述第二承载基板320置于所述上模和下模之间;在合模后,使所述模具压合至所述感光芯片200、外围芯片230、被动元件240和第二承载基板320上,并将所述滤光片400置于所述凹槽内,在所述上模和下模之间形成型腔;向所述型腔内注入塑封材料,形成封装层350;形成所述封装层350后,进行脱模处理,对所述封装层350和模具进行分离。
在注塑过程中,所述滤光片400置于所述凹槽内,因此,所述封装层350 不会覆盖所述滤光片400,而且在合模后,模具压合至所述感光芯片200、外围芯片230和被动元件240上,从而使所述封装层350仅填充于所述感光芯片200、外围芯片230和被动元件240之间,工艺简单。
在其他实施例中,根据实际情况,还可以采用其他模塑工艺形成所述封装层。例如:在形成一定厚度的封装层后,可通过对所述封装层进行刻蚀处理或研磨(grinding)处理的方式,去除部分厚度的封装层,从而使剩余封装层均露出感光芯片和功能元件的焊垫。
还需要说明的是,通过省去电路板,已能够起到减小镜头模组厚度的效果。因此本实施例中,无需对感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理,从而提高了所述感光芯片200和外围芯片230的机械强度和可靠性,进而提高镜头模组的可靠性。在其他实施例中,根据工艺需求,也可以适当减小所述感光芯片和外围芯片的厚度,但减薄量较小,以保证其机械强度和可靠性不受影响。
此外,本实施例将感光芯片200键合于第二承载基板320上之后形成所述封装层350,与在封装内形成开口、并将感光芯片置于对应开口内的方案相比,本实施例避免出现对准误差的问题,且降低了系统集成的工艺复杂度。
结合参考图8,所述封装方法还包括:形成所述封装层350后,进行第二解键合处理,去除所述第二承载基板320(如图7所示)。
所述第二承载基板320用于为所述封装层350的形成提供工艺平台,因此形成所述封装层350后,即可去除所述第二承载基板320。
本实施例中,采用热解键合工艺进行所述第二解键合处理,依次去除所述第二承载基板320和第二临时键合层325(如图7所示)。对所述第二解键合处理的具体描述,可参考前述对所述第一解键合处理的相关描述,在此不再赘述。
继续参考图8,在所述第二解键合处理后,还包括:对所述封装层350进行划片(dicing)处理。
通过划片处理,形成尺寸符合工艺需求的单个摄像组件260,从而为后续镜头组件的装配做好工艺准备。本实施例中,采用激光切割工艺进行划片处理。
需要说明的是,本实施例先进行第二解键合处理,再进行划片处理。在其他实施例中,也可以在划片处理之后,进行第二解键合处理;相应的,所述第二承载基板还能为所述划片处理提供工艺平台。
参考图9,在所述划片处理后,还包括:采用引线键合工艺,形成电连接感光芯片200和功能元件(未标示)的焊垫的引线500。
所述引线500用于实现摄像组件260的电学集成。
本实施例中,采用引线键合工艺实现感光芯片200和功能元件之间的电连接。引线键合工艺是集成电路封装工艺中最常采用的电路连接方式,其方式使将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的键合点上而形成电路连接。引线键合工艺与目前封装工艺的兼容性较高,成本较低,且通过选用引线键合工艺,封装工艺改动较少。
本实施例中,所述引线500为金属导线,例如为:金线或铝线。具体地,所述引线500电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。
在其他实施例中,还可以在进行所述第二解键合处理之前,进行所述引线键合工艺,使所述第二承载基板为所述引线键合工艺提供工艺平台。
还需要说明的是,所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245 位于所述封装层350的同侧,且均面向所述滤光片400,因此,在所述封装层 350靠近所述滤光片400的一侧进行所述引线键合工艺。
相应的,后续将镜头组件装配至所述封装层350上以获得镜头模组时,所述引线500能够位于镜头组件的支架(holder)中,使得所述引线500得到保护,有利于提高镜头模组的可靠性,且便于所述镜头模组在电子设备中的装配。
继续参考图9,需要说明的是,对所述封装层350进行划片处理之后,在所述引线键合工艺之前,还包括:在所述封装层350上贴装FPC板(flexible printed circuit board,柔性电路板)510。
所述FPC板510用于在省去电路板的情况下,实现所述摄像组件260与后续镜头组件之间的电连接、以及后续所形成镜头模组与其他元件之间的电连接。后续形成镜头模组后,所述镜头模组也能够通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接,从而实现电子设备的正常拍摄功能。
本实施例中,所述FPC板510贴装在所述滤光片400一侧的封装层350上,在所述引线键合工艺的步骤中,使所述引线500电连接所述感光芯片200和FPC 板510,从而通过所述引线500实现所述感光芯片200、功能元件(未标示)和 FPC板510之间的电连接。具体地,所述引线500电连接所述感光芯片200的第一芯片焊垫220和FPC板510。
需要说明的是,所述FPC板510上形成有连接器(connector)520,用于电连接所述FPC板510与其他电路元件的电连接。在镜头模组运用于电子设备时,所述连接器520电连接于该电子设备的主板上,从而实现镜头模组与所述电子设备中其他元件之间的信息传输,将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地,所述连接器520可以为金手指连接器。
还需要说明的是,本实施例在所述封装层350上贴装所述FPC板510之后进行所述引线键合工艺,从而能够在同一电连接步骤中实现所述感光芯片200、功能元件和FPC板510之间的电连接。在其他实施例中,当实现所述感光芯片和功能元件之间的电连接之后贴装所述FPC板时,则相应需进行另一引线键合工艺,以电连接所述FPC板和感光芯片。
图10和图11是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图。
本实施例与第一实施例的相同之处,在此不再赘述。本实施例与第一实施例的不同之处在于:形成封装层350a后,所述封装层350a覆盖承载基板320a、感光芯片200a和功能元件(未标示),并露出滤光片400a。
本实施例中,所述封装层350a覆盖所述感光芯片200a和功能元件,从而减小了感光芯片200a和功能元件之间的厚度差对封装层350a形成工艺的影响。
具体地,参考图10,在承载基板320a上临时键合感光芯片200a和功能元件(未标示),所述感光芯片200a和功能元件的焊垫均背向所述承载基板320a。
继续参考图10,形成封装层350a,所述封装层350a覆盖承载基板320a、感光芯片200a和功能元件(未标示),且还覆盖所述滤光片400a的侧壁。
所述感光芯片200a和滤光片400a实现贴装后,形成感光单元,通过使所述封装层350a覆盖所述滤光片400a的侧壁,从而提高感光单元中空腔的密封性,降低水蒸气、氧化气体等进入所述空腔内的概率,使所述感光芯片200a 的性能得到保障。
相应的,为了减小封装层350a对滤光片400a产生的应力,在形成所述封装层350a之前,还包括:在所述滤光片400a的侧壁上形成应力缓冲层420a。
本实施例中,所述应力缓冲层420a的材料为环氧类胶。环氧类胶即为环氧树脂胶(epoxy resin adhesive),环氧类胶具有形式多样性,通过改变其成分可获得不同弹性模量的材料,从而能够根据实际情况,对所述滤光片400a受到的应力进行调控。
继续参考图10,在所述封装层350a靠近所述滤光片400a的一侧形成再布线(redistribution layer,RDL)结构360a,电连接所述感光芯片200a的焊垫以及所述功能元件(未标示)的焊垫。
本实施例中,所述封装层350a覆盖所述感光芯片200a和功能元件,因此,所述再布线结构360a包括:导电柱362a,位于所述封装层350a内且电连接所述感光芯片200a的焊垫以及所述功能元件(未标示)的焊垫;互连线361a,位于所述封装层350a上且与所述导电柱362a相连。
参考图11,形成所述再布线结构360a后,进行解键合处理,去除所述承载基板320a(如图10所示)。
对本实施例所述封装方法的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,在此不再赘述。
图12和图13是本发明摄像组件的封装方法又一实施例中各步骤对应的结构示意图。
本实施例与第一实施例的相同之处,在此不再赘述。本实施例与第一实施例的不同之处在于:采用再布线结构360b电连接感光芯片200b和功能元件(未标示)。
参考图12,在所述承载基板320b上临时键合感光芯片200b和功能元件后,所述感光芯片200b的焊垫和功能元件的焊垫均背向所述承载基板320b;在承载基板320b上形成封装层350b后,所述封装层350b填充于所述感光芯片200b 和功能元件之间。
为此,继续参考图12,在所述封装层350b靠近所述滤光片400b的一侧形成所述再布线结构360b。
本实施例中,形成所述再布线结构360b的步骤包括:分别在感光芯片200b 的焊垫和功能元件的焊垫上形成导电凸块365b;将互连线361b键合至所述导电凸块365b上,所述互连线361b和导电凸块365b构成所述再布线结构360b。
所述导电凸块365b凸出于所述感光芯片200b和功能元件的表面,有利于提高各焊垫和互连线361b的电连接可靠性。
本实施例中,可采用植球工艺形成所述导电凸块365b。
参考图13,形成所述再布线结构360b后,进行解键合处理,去除所述承载基板320b(如图12所示)。
对本实施例所述封装方法的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,在此不再赘述。
图14至图16是本发明摄像组件的封装方法再一实施例中各步骤对应的结构示意图。
本实施例与第二实施例的相同之处,在此不再赘述。本实施例与第二实施例的不同之处在于:在封装层350c背向滤光片400c的一侧形成再布线结构 360c。
具体地,参考图14,在第一承载基板320c上临时键合感光芯片200c和功能元件(未标示),所述感光芯片200c的焊垫背向所述第一承载基板320c,所述功能元件的焊垫朝向所述第一承载基板320c。
继续参考图14,在所述承载基板320c上形成封装层350c,所述封装层350c 覆盖感光芯片200c和功能元件(未标示),且还覆盖滤光片400c的侧壁。
参考图15,形成所述封装层350c后,进行解键合处理,去除所述第一承载基板320c;去除所述第一承载基板320c后,将所述封装层350c背向所述感光芯片200c的面临时键合至第二承载基板330c上。
继续参考图15,将所述封装层350c背向所述感光芯片200c的面临时键合至第二承载基板330c上之后,在所述感光芯200c片内形成导电柱280c,所述导电柱280c电连接所述感光芯片200c的焊垫;在所述封装层350c背向所述第二承载基板330c的面上形成互连线361c,电连接所述功能元件(未标示)的焊垫和所述导电柱280c,所述互连线361c和导电柱280c构成再布线结构360c。
在其他实施例中,在第一承载基板上临时键合感光芯片200后,所述感光芯片的焊垫也朝向第一承载基板时,相应还能省去该导电柱。
参考图16,形成所述再布线结构360c后,进行解键合处理,去除所述第二承载基板330c(如图15所示)。
对本实施例所述封装方法的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,在此不再赘述。
相应的,本发明实施例还提供一种摄像组件。继续参考图9,示出了本发明摄像组件一实施例的结构示意图。
所述摄像组件260包括:封装层350、以及嵌于所述封装层350中的感光单元250(如图4所示)和功能元件(未标示);所述感光单元250包括感光芯片200和贴装在所述感光芯片200上的滤光片400,至少所述封装层350的底面露出所述感光芯片200和功能元件。
所述封装层350对感光芯片200和功能元件起到固定作用,用于使感光芯片200和功能元件实现封装集成。其中,通过封装层350,减少了镜头组件中支架所占用的空间,且还能省去电路板,从而减小镜头模组的厚度,满足镜头模组小型化、薄型化的需求。
所述封装层350的材料为塑封材料,所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用,因此还有利于提高镜头模组的可靠性。本实施例中,所述封装层350的材料为环氧树脂。
本实施例中,所述封装层350包括相对的顶面和底面。其中,所述封装层 350的顶面是用于贴装镜头组件的面,所述封装层350的底面相应为远离所述滤光片400的面。
本实施例中,在摄像组件260的封装过程中,通常是将感光芯片200和功能元件临时键合至一承载基板上之后,在所述承载基板上形成所述封装层350,因此,至少所述封装层350的底面露出所述感光芯片200和功能元件。
本实施例中,所述封装层350的顶部和底面均露出所述感光芯片200和功能元件。在其他实施例中,根据实际电连接的方式,所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件,所述封装层的顶面高于所述感光芯片和功能元件并露出所述滤光片。
本实施例中,所述感光芯片200和功能元件均具有焊垫,用于实现感光芯片200和功能元件之间的电连接,还用于实现感光芯片200、功能元件与其他元件之间的电连接。其中,为了便于电连接工艺的进行,所述封装层350露出感光芯片200和功能元件的焊垫。
本实施例中,所述感光芯片200为CMOS图像传感器芯片。在其他实施例中,所述感光芯片还可以为CCD图像传感器芯片。
如图1所示,本实施例中,所述感光芯片200包括感光区200C以及环绕所述感光区200C的外围区200E,所述感光芯片200还具有位于所述感光区 200C的光信号接收面201。
所述感光芯片200通常为硅基芯片,采用集成电路制作技术所制成,所述感光芯片200的焊垫用于实现感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中,所述感光芯片200具有位于外围区200E的第一芯片焊垫220。
本实施例中,所述第一芯片焊垫220面向所述滤光片400,即所述第一芯片焊垫220背向所述封装层350的底面。在其他实施例中,所述第一焊垫也可以背向所述滤光片。
还需要说明的是,本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中,当所述镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时,感光单元的数量还可以为多个。
所述滤光片400贴装在感光芯片200上,且所述滤光片400面向所述光信号接收面201,所述滤光片400能够避免封装工艺对所述光信号接收面201造成污染,相应避免所述感光芯片200的性能受到不良影响,进而提高镜头模组的成像质量。而且,通过贴装的方式,显著减小了镜头模组的整体厚度,以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。
所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中,所述滤光片400为红外滤光玻璃片,还用于消除入射光中的红外光对所述感光芯片200性能的影响,有利于提高成像效果。
本实施例中,所述滤光片400通过粘合结构410贴装在感光芯片200上,所述粘合结构410环绕所述感光芯片200的光信号接收面201。所述粘合结构 410用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接,且避免滤光片400与感光芯片200直接接触,从而避免对所述感光芯片200的光学性能产生不良影响。
本实施例中,所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201,从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于所述感光芯片200的感光路径上,进而使所述感光芯片200的光学性能得到保障。
所述功能元件为摄像组件中除所述感光芯片200之外的具有特定功能元件,所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。
本实施例中,所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。
所述外围芯片230为主动元件,用于向感光芯片200提供外围电路,例如:模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。
本实施例中,所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中,外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。
为了便于图示,图9中仅示意出了一个外围芯片230,但所述外围芯片230 的数量不仅限于一个。
所述外围芯片230通常为硅基芯片,采用集成电路制作技术所制成,所述外围芯片230的焊垫用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中,所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235。
本实施例中,所述第二芯片焊垫235面向滤光片400,使第二芯片焊垫235 和第一芯片焊垫220位于同侧,从而易于实现所述外围芯片230和感光芯片200 之间的电连接。相应的,所述第二芯片焊垫235背向所述封装层350的底面。
所述被动元件240用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示,图9中仅示意出了一个被动元件240,但所述被动元件240的数量不仅限于一个。
所述被动元件240的焊垫用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中,所述被动元件240的焊垫为电极245。
由前述分析可知,在所述第一芯片焊垫220面向所述滤光片400的情况下,所述电极245面向所述滤光片400,从而易于实现所述被动元件240和感光芯片200之间的电连接。相应的,所述电极245也背向所述封装层350的底面。
为此,本实施例中,所述封装层350的顶面均露出所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。
需要说明的是,本实施例中,所述感光芯片200和功能元件的焊垫均背向封装层350。在其他实施例中,根据实际电连接的方式,所述感光芯片的焊垫背向所述封装层的底面,所述功能元件的焊垫朝向所述封装层的底面;或者,所述感光芯片和功能元件的焊垫均朝向封装层。
还需要说明的是,由于所述封装层350的顶部和底面均露出所述感光芯片 200和功能元件,因此,为了提高所述封装层350的表面平坦度,降低封装层 350的形成工艺难度,所述功能元件和感光芯片200的厚度相等或者厚度差较小。其中,可根据所述感光芯片200的厚度,调整所述功能元件的厚度。本实施例中,所述功能元件和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。
具体地,所述外围芯片230和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2 微米,所述被动元件240和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。
此外,由于去除了电路板,相应减小了摄像组件260的厚度,因此,在所述摄像组件260的封装过程中,无需对所述感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理,与目前镜头模组中的感光芯片和外围芯片相比,本实施例所述感光芯片200和外围芯片230的厚度较大,从而提高了感光芯片200和外围芯片230 的机械强度和可靠性,进而提高镜头模组的可靠性。在其他实施例中,根据工艺需求,所述感光芯片和外围芯片也可经历过减薄处理,但减薄量较小,以保证其机械强度和可靠性不受影响。
本实施例中,所述摄像组件260还包括:引线500,电连接所述感光芯片 200和功能元件的焊垫。
所述引线500用于实现镜头模组600的电学集成。本实施例中,所述引线 500通过引线键合工艺所形成,所述引线500为金属导线,例如为:金线或铝线。具体地,所述引线500电连接所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235 和电极245。
需要说明的是,所述第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245位于所述封装层350的同侧且均背向封装层350的底面,因此,所述引线500位于所述封装层350顶面的一侧。
所述摄像组件260与镜头组件完成装配以获得镜头模组后,所述引线500 相应位于镜头组件的支架中,使所述引线500得到保护,有利于提高镜头模组的可靠性,且便于所述镜头模组在电子设备中的装配。
还需要说明的是,所述摄像组件260还包括:FPC板510,贴装在所述封装层350上。所述FPC板510用于在省去电路板的情况下,实现所述摄像组件 260与镜头组件之间的电连接、以及镜头模组与其他元件之间的电连接。其中,镜头模组也通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接,从而实现电子设备的正常拍摄功能。
为此,所述引线500还电连接所述感光芯片200和FPC板510,从而通过所述引线500实现所述感光芯片200、功能元件和FPC板510之间的电连接。具体地,所述引线500电连接所述第一芯片焊垫220和FPC板510。
本实施例中,所述FPC板510上形成有连接器520。当镜头模组运用于电子设备时,所述连接器520电连接于该电子设备的主板上,从而实现镜头模组与电子设备中其他元件之间的信息传输,将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地,所述连接器520可以为金手指连接器。
图11是本发明摄像组件另一实施例的结构示意图。
本实施例与第一实施例的相同之处,在此不再赘述。本实施例与第一实施例的不同之处在于:所述封装层350a的底面露出所述感光芯片200a和功能元件(未标示),所述封装层350a的顶面高于所述感光芯片200a和功能元件并露出所述滤光片400a。
所述感光芯片200a和滤光片400a实现贴装后,形成感光单元,本实施例中,所述封装层350a覆盖所述滤光片400a的侧壁,从而提高感光单元中空腔的密封性,降低水蒸气、氧化气体等进入所述空腔内的概率,使感光芯片200a 的性能得到保障。
相应的,为了减小封装层350a对滤光片400a产生的应力,所述摄像组件还包括:应力缓冲层420a,位于在所述滤光片400a侧壁和封装层350a。
本实施例中,所述应力缓冲层420a的材料为环氧类胶。
本实施例中,由于所述封装层350a覆盖感光芯片200a和功能元件,因此,利用再布线结构360a电连接感光芯片200a的焊垫以及功能元件(未标示)的焊垫,所述再布线结构360位于所述封装层350a靠近所述滤光片400a的一侧。
具体地,所述再布线结构360a包括:导电柱362a,位于所述封装层350a 内且电连接所述感光芯片200a的焊垫以及所述功能元件(未标示)的焊垫;互连线361a,位于所述封装层350a上且与所述导电柱362a相连。
对本实施例所述摄像组件的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,在此不再赘述。
图13是本发明摄像组件又一实施例的结构示意图。
本实施例与第一实施例的相同之处,在此不再赘述。本实施例与第一实施例的不同之处在于:所述摄像组件包括再布线结构360b,用于电连接感光芯片 200b和功能元件(未标示)。
本实施例中,所述封装层350b的顶部和底面均露出感光芯片200b和功能元件,所述感光芯片200b的焊垫和功能元件的焊垫均背向所述封装层350b的底面。为此,所述再布线结构360b位于所述封装层350b顶面的一侧。
具体地,所述再布线结构360b的包括:导电凸块365b,分别位于所述感光芯片200b的焊垫和功能元件的焊垫上;互连线361b,位于所述导电凸块365b 上,所述互连线361b和导电凸块365b构成所述再布线结构360b。
导电凸块365b凸出于感光芯片200b和功能元件的表面,有利于提高各焊垫和互连线361b的电连接可靠性。本实施例中,所述导电凸块365b为植球。
对本实施例所述摄像组件的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,在此不再赘述。
图16是本发明摄像组件再一实施例的结构示意图。
本实施例与第二实施例的相同之处,在此不再赘述。本实施例与第二实施例的不同之处在于:再布线结构360c位于封装层350c底面的一侧。
本实施例中,所述封装层350c的底面露出所述感光芯片200c和功能元件 (未标示),所述封装层350c的顶面高于所述感光芯片200c和功能元件,且覆盖滤光片400c的侧壁;所述感光芯片200c的焊垫背向所述封装层350c的底面,所述功能元件的焊垫朝向所述封装层350c的底面。
相应的,所述再布线结构360c包括:导电柱280c,位于所述感光芯200c 片内,所述导电柱280c电连接所述感光芯片200c的焊垫;互连线361c,位于所述封装层350c的底面上,电连接所述功能元件的焊垫和所述导电柱280c,所述互连线361c和导电柱280c构成再布线结构360c。
在其他实施例中,当所述感光芯片的焊垫也朝向所述封装层的底面时,所示再布线结构也可以不包括该导电柱。
对本实施例所述摄像组件的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,在此不再赘述。
相应的,本发明实施例还提供一种镜头模组。参考图17,示出了本发明镜头模组一实施例的结构示意图。
所述镜头模组600包括:本发明实施例所述的摄像组件(如图17中虚线框所示);镜头组件530,包括支架535,所述支架535贴装在所述封装层(未标示)的正面上且环绕所述感光单元(未标示)和功能元件(未标示),所述镜头组件530与所述感光芯片(未标示)和功能元件实现电连接。
所述镜头组件530通常包括支架535、安装于所述支架535上的马达(图未示)、以及安装于所述马达上的透镜组(未标示),通过所述支架535,以便于实现所述镜头组件530和所述摄像组件的装配,并使得透镜组位于感光单元的感光路径上。
本实施例中,所述摄像组件的厚度较小,且通过所述封装层,减小了所述镜头组件530的厚度,从而减小了所述镜头模组600的总厚度。
而且,与将外围芯片贴装在外围主板上的方案相比,所述感光单元和功能元件均设置于所述支架535内部,减小了感光芯片和各功能元件之间的距离,相应减小了镜头模组600的尺寸,还缩短了感光芯片和各功能元件之间电连接的距离,从而提高了信号传输的速率,进而提高镜头模组600的使用性能(例如:提高了拍摄速度和存储速度)。
本实施例中,所述摄像组件还包括FPC板,因此所述镜头组件530中的马达与所述FPC板实现电连接,从而实现所述摄像组件与所述镜头组件530之间的电连接。
需要说明的是,对本实施例所述摄像组件的具体描述,可参考前述实施例中的相应描述,本实施例在此不再赘述。
相应的,本发明实施例还提供一种电子设备。参考图18,示出了本发明电子设备一实施例的结构示意图。
本实施例中,所述电子设备700包括本发明实施例所述的镜头模组600。
所述镜头模组600的可靠性和性能较高,相应提高了所述电子设备700的拍摄质量、拍摄速度和存储速度。
而且,所述镜头模组600的整体厚度较小,有利于提高用户的使用感受度。
具体地,所述电子设备700可以为手机、平板电脑、照相机或摄像机等各种具备拍摄功能的设备。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (20)
1.一种摄像组件的封装方法,其特征在于,包括:
提供感光芯片;
在所述感光芯片上贴装滤光片;
提供承载基板,在所述承载基板上临时键合感光芯片和功能元件,所述感光芯片和功能元件均具有焊垫;所述滤光片露出所述感光芯片的焊垫;
在所述临时键合的步骤中,所述焊垫均背向所述承载基板;
或者,所述感光芯片的焊垫背向所述承载基板,所述功能元件的焊垫朝向所述承载基板;
或者,所述焊垫均朝向所述承载基板;
在所述承载基板上形成封装层,所述封装层至少填充于所述感光芯片和功能元件之间;
所述封装层露出所述焊垫;
形成所述封装层后,电连接所述感光芯片和功能元件的焊垫,及进行解键合处理,去除所述承载基板。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在形成所述封装层的步骤中,所述封装层填充于所述感光芯片和功能元件之间;
或者,所述封装层覆盖所述承载基板、功能元件和感光芯片,并露出所述滤光片。
3.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,采用引线键合工艺,形成电连接所述焊垫的引线。
4.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,在所述临时键合的步骤中,所述焊垫均背向所述承载基板;
在形成所述封装层的步骤中,所述封装层填充于所述感光芯片和功能元件之间;
在所述封装层靠近所述滤光片的一侧进行所述引线键合工艺。
5.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,采用注塑工艺形成所述封装层。
6.如权利要求5所述的封装方法,其特征在于,形成所述封装层的步骤包括:在所述临时键合步骤之后,将所述承载基板置于模具内,所述模具包括上模和下模,所述上模和下模中的任一个形成有凹槽;
将所述承载基板置于所述上模和下模之间;
在合模后,使所述模具压合至所述感光芯片、功能元件和承载基板上,并将所述滤光片置于所述凹槽内,在所述上模和下模之间形成型腔;
向所述型腔内注入塑封材料,形成所述封装层;
去除所述模具。
7.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,在所述引线键合工艺之后,还包括:进行解键合处理,去除所述承载基板;
或者,
形成所述封装层之后,在所述引线键合工艺之前,还包括:进行解键合处理,去除所述承载基板。
8.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,所述封装方法还包括:在所述引线键合工艺之前,在所述封装层上贴装FPC板;
在所述引线键合工艺的步骤中,所述引线还电连接所述感光芯片和FPC板。
9.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述功能元件和感光芯片之间的厚度差值为-2微米至2微米。
10.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述感光芯片和功能元件通过临时键合层临时键合于所述承载基板上。
11.权利要求1所述的封装方法,其特征在于,采用热解键合工艺进行所述解键合处理。
12.一种摄像组件,其特征在于,包括:
封装层、以及嵌于所述封装层中的感光单元和功能元件;
所述感光单元包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片,至少所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件,所述感光芯片和功能元件均具有焊垫,所述滤光片露出所述感光芯片的焊垫;
所述焊垫均背向所述封装层的底面;
或者,所述感光芯片的焊垫背向所述封装层的底面,所述功能元件的焊垫朝向所述封装层的底面;
或者,所述焊垫均朝向所述封装层的底面;
所述感光芯片和功能元件的焊垫电连接。
13.如权利要求12所述的摄像组件,其特征在于,所述封装层的顶部和底面均露出所述感光芯片和功能元件;
或者,所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件,所述封装层的顶面高于所述感光芯片和功能元件并露出所述滤光片。
14.如权利要求12所述的摄像组件,其特征在于,还包括:引线,电连接所述焊垫。
15.如权利要求14所述的摄像组件,其特征在于,所述焊垫均背向所述封装层的底面;
所述封装层的顶部和底面均露出所述感光芯片和功能元件;
所述引线位于所述封装层顶面的一侧。
16.如权利要求12所述的摄像组件,其特征在于,所述功能元件和感光芯片之间的厚度差值为-2微米至2微米。
17.如权利要求12所述的摄像组件,其特征在于,所述功能元件包括外围芯片和被动元件中的至少一种,所述外围芯片包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。
18.如权利要求14所述的摄像组件,其特征在于,所述摄像组件还包括:FPC板,贴装在所述封装层上;
所述引线还电连接所述感光芯片和FPC板。
19.一种镜头模组,其特征在于,包括:
如权利要求12至18中任一项权利要求所述的摄像组件;
镜头组件,包括支架,所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光单元和功能元件,所述镜头组件与所述感光芯片和功能元件实现电连接。
20.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求19所述的镜头模组。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811386733.8A CN111200702B (zh) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
| KR1020197036889A KR102250618B1 (ko) | 2018-11-20 | 2018-12-10 | 촬영 어셈블리 및 이의 패키징 방법, 렌즈 모듈, 전자 기기 |
| PCT/CN2018/119984 WO2020103211A1 (zh) | 2018-11-20 | 2018-12-10 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
| JP2019568346A JP7004336B2 (ja) | 2018-11-20 | 2018-12-10 | 撮影アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器 |
| US16/236,840 US11296141B2 (en) | 2018-11-20 | 2018-12-31 | Image capturing assembly and packaging method thereof, lens module, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811386733.8A CN111200702B (zh) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111200702A CN111200702A (zh) | 2020-05-26 |
| CN111200702B true CN111200702B (zh) | 2022-03-15 |
Family
ID=70746969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811386733.8A Active CN111200702B (zh) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11296141B2 (zh) |
| JP (1) | JP7004336B2 (zh) |
| KR (1) | KR102250618B1 (zh) |
| CN (1) | CN111200702B (zh) |
| WO (1) | WO2020103211A1 (zh) |
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| KR20200063107A (ko) | 2020-06-04 |
| US20200161346A1 (en) | 2020-05-21 |
| CN111200702A (zh) | 2020-05-26 |
| JP7004336B2 (ja) | 2022-01-21 |
| WO2020103211A1 (zh) | 2020-05-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |