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MXPA04010875A - Catalizador de plasma. - Google Patents

Catalizador de plasma.

Info

Publication number
MXPA04010875A
MXPA04010875A MXPA04010875A MXPA04010875A MXPA04010875A MX PA04010875 A MXPA04010875 A MX PA04010875A MX PA04010875 A MXPA04010875 A MX PA04010875A MX PA04010875 A MXPA04010875 A MX PA04010875A MX PA04010875 A MXPA04010875 A MX PA04010875A
Authority
MX
Mexico
Prior art keywords
plasma
cavity
catalyst
radiation
chamber
Prior art date
Application number
MXPA04010875A
Other languages
English (en)
Inventor
Kumar Devendra
Original Assignee
Dana Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dana Corp filed Critical Dana Corp
Publication of MXPA04010875A publication Critical patent/MXPA04010875A/es

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Abstract

Se proporcionan metodos y aparatos para encender, modular, y sostener un plasma para diversos procesos y tratamientos de plasmas. En una modalidad, un plasma se enciende sometiendo un gas en una cavidad de procesamiento de multiples modos a radiacion electromagnetica que tiene una frecuencia entre aproximadamente 1 MHz y aproximadamente 333 GHz en presencia de un plasma, que puede ser pasivo o activo. Un catalizador de plasma pasivo puede incluir, por ejemplo, cualquier objeto capaz de inducir un plasma deformando un campo electrico local. Un catalizador de plasma activo puede incluir cualquier particula o paquete de onda de energia elevada capaz de transferir una cantidad suficiente de energia a un atomo o molecula gaseoso para remover cuando menos un electron del atomo o molecula gaseoso, en presencia de radiacion electromagnetica.

Description

Published: — Miith internalional seárch repon For two-letter codes andolher abbrevialions, refer lo the "Guid-ance Notes on Codes and Abbrevialions" appearing al the begin-ning of each regular issue ofthe PCT Gazetíe.
CATALIZADOR DE PLASMA REFERENCIA A SOLICITUDES RELACIONADAS Se reclama la prioridad de la Solicitud de Patente Provisional de E.U.A. No. 60/378,693, presentada el 8 de mayo de 8002, tO/430, 677, presentada el 4 de diciembre de 2*002, y "No*: -60/- 35727 empresentada* ¾1" - 23 -ide*-di'ciembre-*det,2002 todas las cuales se incorporan totalmente en la presente por referencia . CAMPO DE LA INVENCIÓN Esta invención se relaciona con métodos y aparatos para encender, modular, y sostener plasmas de gases ut-iii-zando^catal-i-zadores de plasma. - ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Se sabe que un plasma se puede encender sometiendo un gas a una cantidad suficiente de radiación de microondas. El encendido de, plasma, sin embargo, usualmente es más fácil a presiones de gas substancialmente menores que la ' presión atmosférica. Sin embargo, el equipo de vacio, que se requiere para reducir la presión de gas, puede ser costoso, asi como lento y consume energía. Además, el uso de dicho equipo puede limitar la flexibilidad de fabricación. BREVE COMPENDIO Y UNOS POCOS ASPECTOS DE LA INVENCIÓN Se pueden proporcionar catalizadores de plasma para iniciar, modular y sostener un plasma. El catalizador de plasma puede ser pasivo o activo, Un catalizador de plasma pasivo puede incluir cualquier objeto capaz de inducir un plasma deformando un campo eléctrico local (v.gr., un campo electromagnético) consistente con esta invención, sin añadir necesariamente energía adicional. Un catalizador de plasma activo, por otra parte, es cualquier partícula o paquete de ónda^de 'energí'a ^el'evada-^'capaz- de**transferir*- una* «cantidad. de-energía suficiente a un átomo gaseoso o molécula para remover cuando menos un electrón del átomo gaseoso o molécula en presencia de radiación electromagnética. En ambos casos, un catalizador de plasma puede mejorar, o relajar, las condiciones ambientales requeridas para encender un plasma.
- · -- -También—se proporcionan ...método y. aparato para formar un plasma. En una modalidad consistente con esta invención, el método incluye hacer fluir un gas hacia una cavidad de procesamiento de múltiples modos y encender el plasma sometiendo el gas en la cavidad a radiación electromagnética "que tiene "una frecuencia- menor . de aproximadamente 333 GHz en presencia de cuando menos un catalizador de plasma pasivo que comprende un material que es por lo menos eléctricamente semiconductor. En otra modalidad consistente con esta invención, se proporcionan métodos y aparatos para encender un plasma sometiendo un gas a radiación electromagnética que tiene una frecuencia menor de aproximadamente 333 GHz en presencia de un catalizador de plasma que comprende un polvo.
En todavía otra modalidad consistente con esta invención, se proporcionan métodos y aparatos adicionales para formar un plasma utilizando un sistema de cavidad doble. El sistema puede incluir una primera cavidad de encendido y una segunda cavidad en comunicación de fluido entre sí. El método" "puede *"inclui*r ¦ '(-1')- -someter.» un -.gaseen. <· la ^primera, cavidad de encendido a radiación electromagnética que tiene una frecuencia de menos de aproximadamente 333 GHz, de modo que el plasma en la primera cavidad ocasiona que se forme un segundo plasma en la segunda cavidad, y (ii) sostener el segundo plasma en la segunda cavidad sometiéndolo a radiación eiect omagnética-adicional . . _ Catalizadores de plasma adicionales, y métodos y aparatos para encender, modular, y sostener un plasma consistente con esta invención se proporcionan. BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS Aspectos adicionales de la invenció - serán evidentes después de consideración de la siguiente descripción detallada, tomada conjuntamente con los dibujos que se acompañan, en los que los mismos caracteres de referencia se refieren a productos similares a través de los mismos, y en los que: La Figura 1 muestra un diagrama esquemático de un sistema de plasma ilustrativo consistente con. esta invención; La Figura 1A muestra una modalidad ilustrativa de una porción de un sistema de plasma . para añadir un catalizador de plasma en polvo a una cavidad de plasma para encender, modular, o sostener un plasma en una cavidad consiste con esta invención; La Figura 2 muestra una fibra de catalizador de plasma"" i 'ustrativa~*con: cuando -'menos.: ¡un, ^componente . que^tiene^ un gradiente de concentración a lo largo de su longitud consistente con esta invención; La Figura 3 muestra una fibra de catalizador de plasma ilustrativa con múltiples componentes a una relación que varia a lo largo de su longitud, consistente con esta -invención;-- —·- La Figura 4 muestra otra fibra de catalizador de plasma ilustrativa que incluye una capa inferior de núcleo y un revestimiento, consistentes con esta invención; La Figura 5 muestra una vista en sección transversal de la fibra de catalizador de plasma de la Figura 4, tomada desde la linea 505 de la Figura 4, consistente con esta invención; La Figura 6 muestra una modalidad ilustrativa de otra porción de un sistema de plasma que incluye un catalizador de plasma alargado que se extiende través del portillo de encendido consistente con esta invención; La Figura 7 muestra una modalidad ilustrativa de un catalizador de plasma alargado que se puede utilizar en el sistema de la Figura 6 consistente con esta invención; La Figura 8 muestra otra modalidad ilustrativa de un catalizador de plasma alargado que se puede utilizar en el sistema de la Figura 6 consistente con esta invención; y La Figura 9 muestra una modalidad ilustrativa de una" pó'rci'ón'^-'de'- -un- -sistema --de · -.plasmas-para .dirigír^radiación_ hacia una cámara de radiación, consistente con esta invención . DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LAS MODALIDADES Esta invención se puede relacionar con métodos y aparatos para iniciar, modular, y sostener un plasma para una •variedad— de—aplicaciones , .incluyendo tratamiento térmico, sintetizar y depositar carburos, nitruros, boruros, óxidos y otros materiales, adulterar, carburizar, nitridar y carbonitridar, sinterizar, procesar en múltiples partes, unir, descritalizar, hacer y operar hornos, tratar gas de descarga, tratar desperdicio,- incinerar,-- limpiar, formar ceniza, desarrollar estructuras de carbono, generar hidrógeno y otros gases, formar chorros de plasma sin electrodo, procesar plasma en lineas de fabricación, esterilizar, limpiar, etc. Esta invención se puede utilizar para generar controlablemente calor y para procesamiento ayudado con plasma para reducir costos de energía y aumentar eficiencia de tratamiento térmico y flexibilidad de fabricación ayudada con plasma. Por lo tanto, se proporciona un catalizador de plasma para iniciar, modular y sostener un plasma. El catalizador puede ser pasivo o activo. Un catalizador de plasma pasivo puede incluir cualquier objeto capaz de inducir ,. gr . ,„ jjn campo electromagnético) consistente con esta invención sin agregar necesariamente energía adicional a través del catalizador, tal como aplicando un voltaje para crear una chispa. Un catalizador de plasma activo, por otra parte, puede ser cualquier partícula o paquete de onda de energía elevada—capaz- «de transferir una ' cantidad suficiente de energía a un átomo gaseoso o ión para remover cuando menos un electrón del átomo o molécula gaseoso, en presencia de radiación electromagnética. Las siguientes solicitudes de patente de E.U.A., presentadas * al mismo, tiempo - comúnmente poseídas, . se incorporan por la presente como referencia en sus. totalidad: Solicitud de Patente de E.U.A. No. 10 (Expediente del Abogado No. 1837.0008), No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0009), No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837-0010), No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0011), No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0012), No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0013), No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0014) , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0015) , ??. 10/ ( Expediente del Abogado No. 1837 .0016) , ??. 10/ ( Expediente del Abogado No. 1837 .0017) , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0018) , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. *?837 G0020)·, ?? --10/ - - -(¦Expediente.- -del... ^Abqgado^ 1837 .0021) , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0023} , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0024) , ?. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0025} , ?. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0026) , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. -1-8 -.002-7·; , - - NO10/ .„ . (Expediente del Abogado No. 1837 .0028) , NO. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0030) , ??. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0032) , y o. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837 .0033) Sistema de Plasma Ilustrati o La Figura 1 muestra el sistema 10 de plasma ilustrativo consistente con un aspecto de esta invención. En esta modalidad, la cavidad 12 se forma en un recipiente .que está colocado dentro de una cámara de radiación (es decir, aplicador) 14. En otra modalidad (no mostrada), el recipiente 12 y la cámara 14 de radiación son los mismos, eliminando de esta manera la necesidad de dos componentes separados. El recipiente en el que la cavidad 12 se forma puede incluir una o más capas de transmisión de radiación para mejorar sus propiedades de aislamiento térmico sin proteger significativamente la cavidad 12 de la radiación. En una modalidad, la cavidad 12 se forma en un recipiente hecho de cerámica. Debido a las temperaturas extremadamente ^elevadas- - ^que^se. «pueden.^.alcajiz^ar^c ^plasmas consistentes con esta invención, una cerámica capaz de operar a aproximadamente 1649°C (3,000°F) se puede utilizar. El material de cerámica puede incluir, en peso, 29.8% de silice, 68.2% de alúmina, 0.4% de óxido férrico, 1% de titania, 0.1% de cal, 0,1% de magnesia, 0.4% de álcalis, que se vende bajo -Modelo—No -LW-30- por . New Castle^ Refractories Company, de New Castle, Pennsylvania . Se observará por aquellos de e experiencia ordinaria en el ramo, sin embargo, que otras materiales, tales como cuarzo y aquellos diferentes al arriba descrito, también se pueden utilizar consistentes con la invención. " ~~ - ¦ ¦¦ ¦ En un experimento exitoso, se formó un plasma en una cavidad parcialmente abierta dentro de un primer ladrillo y tapado con un segundo ladrillo. La cavidad tuvo dimensiones de aproximadamente 5.08 cm por 5.08 cm (2 pulgadas x 2 pulgadas) por aproximadamente 3.81 cm (1.5 pulgadas). Cuando menos también se proporcionaron dos agujeros en el ladrillo en comunicación con la cavidad: uno para ver el plasma y cuando menos un agujero para proporcionar el gas. El tamaño de la cavidad puede depender el proceso de plasma deseado a realizar. Asimismo, la cavidad cuando menos se debe configurar para impedir que el plasma se eleve/flote en alejamiento de la región de procesamiento primaria. -. :,..... £a Jca idad,^i2.-se.- .puede...conectar, a una o^más fuentes 24 de gas (v.gr. , una fuente de argón, nitrógeno, hidrógeno, xenón, criptón) por la linea 20 y válvula 22 de control, que se puede activar mediante el suministro 28 de energía. La línea 20 puede ser tubería (v.gr., entre aproximadamente 1.59 mm (1/16 pulgada) y aproximadamente 6.35 mm (1/4 pulgada), -tal -como—aproximadamente .3.18 mm (1/8 pulgada)). Asimismo, si se desea, se puede conectar una bomba de vacío a la cámara para remover . los humos que se pueden generar durante el procesamiento de plasma. En una modalidad, el gas puede fluir dentro y/o fuera de la cavidad 12 a través de uno o más espacios en el recipiente -de múltiples partes. De esta manera, los portillos de gas consistentes con esta invención no necesitar ser agujeros distintos y pueden tomar otras formas también, tal como michos . agujeros 'pequeños distribuidos. Un detector de fuga de radiación (no mostrado) se instaló cerca de la fuente 26 y guía 30 de onda y se conecta a un sistema de intersujeción de seguridad para desconectar automáticamente el suministro de energía de radiación (v.gr. microondas ) si una fuga por encima de un limite de seguridad previamente definido, tal como el especificado por el FCC y/u OSHA (v.gr., 5 mW(cm2) se detectó. La fuente 26 de radiación, que se puede activar mediante el suministro 28 de energía eléctrica, dirige "energía "de -radiación -hacia ..la- cámara 14 a través de una o más guías 30 de onda. Se observará por aquellos de experiencia ordinaria en el ramo que la fuente 26 se puede conectar directamente a la cavidad 12, eliminando de esta manera la guía 30 de onda. La energía de radiación que entra a la cavidad 12 se utiliza para encender un plasma dentro de la -cavidad Este_ . plasma se puede sostener y confinar substancialmente a la cavidad acoplando radiación adicional con el catalizador. Asimismo, la frecuencia de la radiación (v.gr., radiación de microonda) se cree que no es crítica en ^muchas aplicaciones. La energía de radiación se puede suministrar * a' 'través de un circulador 32 y sintonizador 34 (v.gr., un sintonizador de 3 salientes) . El sintonizador 34 se puede utilizar para reducir al mínimo la energía reflejada como una función de cambiar las condiciones de encendido o procesado, especialmente después de que plasma se ha formado debido a la energía de microonda, por ejemplo, se absorberá fuertemente por el plasma. Como se aplica más completamente abajo, la ubicación de la cavidad 12 de transmisión de radiación en la cámara 14 puede no ser critica si la cámara 14 soporta múltiples modos, y especialmente cuando los modos se mezclan continua o periódicamente. Como también se explica más completamente abajo, el motor 36 se puede conectar al mezclador- 38- de~modo— ara^hacer la_^distribución de energía de radiación promediada en tiempo substancialmente uniforme a través de la cámara 14. Además, la ventana 40 (v.gr., una ventana de cuarzo) se puede disponer en una pared de la cámara 14 adyacente a la cavidad 12, permitiendo que el sensor 42 de temperatura (v.gr., un pirómetro óptico) que se usa— ara—. er.__.una_. cavidad 12 interior de proceso. En una modalidad, la salida de pirómetro óptico puede aumentar de cero voltios a medida que la temperatura se eleva a dentro de la escala de seguimiento. El sensor 42 puede desarrollar señales de salida como una " función - de -la temperatura o cualquier otra condición supervisable asociada con una pieza de trabajo (no mostrado) dentro de la cavidad 12 y proporcionar las señales al controlador 44. La percepción y calentamiento de temperatura doble, así como el régimen de enfriamiento automatizado y controles de flujo de gas también se pueden utilizar. El controlador 44 a su vez se puede utilizar para controlar la operación del suministro 28 de energía, que puede tener una salida conectada a la fuente 26 como se describió arriba y otra salida conectada a la válvula 22 para controlar el flujo de gas hacia la cavidad 12. La invención se ha practicado con éxito igual empleando fuentes de microonda a ambos 915 MHz y 2.45 GHz provistos por Communications and Power Industries (CPI), aún cuando" la- «radiación . que,,.tiene cualquier frecuencia menor de aproximadamente 333 GHz se puede usar. El sistema de 2.45 GHz proporcionó energía de microondas continuamente variable de aproximadamente 0.5 kilovatios a aproximadamente 5.0 kilovatios. Un sintonizador de 3 salidas permitió la coincidencia de impedancia para transferencia de energía -máxima. -y—un„acoplador jiireccional doble se utilizó para medir las energías de avance y reflejada. Asimismo, se utilizaron pirómetros ópticos para percepción remota de la temperatura de muestra. Como se mencionó arriba, la radiación que tiene cualquier frecuencia menor de aproximadamente 33 "GHz se puede utilizar consistente con esta invención. Por ejemplo, frecuencias, tales como las frecuencias de línea de energía (alrededor de 50 Hz a alrededor de 60 Hz), se pueden utilizar, aún cuando - la presión del gas del que se forma el plasma se puede reducir para ayudar con el encendido de plasma. Asimismo, cualquier frecuencia de radio o frecuencia de microonda se puede utilizar consistente con esta invención, incluyendo frecuencias mayores de aproximadamente kHz . En la mayoría de los casos, la presión de gas para dichas frecuencias relativamente elevadas no necesitan bajarse para encender, modular o sostener un plasma, permitiendo de esta manera que ocurran muchos procesos de plasma a presiones atmosféricas y superiores. El equipo fue ""controlado~»por- .computadora _ usando software LabView 6i, que proporcionó superv sión de temperatura de tiempo real y control de energía de microonda. El ruido se redujo usando promedios deslizados de número apropiado de puntos de datos. Asimismo, para mejorar la velocidad y eficiencia de computación, el número de puntos de datos almacenados en la -disposición,_de_,memoria intermedia se limitó usando registros de desplazamiento y dimensionando la memoria intermedia. El pirómetro midió la temperatura de una área sensible de aproximadamente 1 cm, que se usó para calcular una temperatura promedio. El pirómetro percibió intensidades rádiántes1 a dos longitudes de onda y se ajustó a * esas intensidades usando la ley de Planck para determinar la temperatura. Se observará, sin embargo, que otros dispositivos y métodos para supervisar y controlar la temperatura también están disponibles y pueden usarse consistente con esta invención. El software de control que se puede usar consistente con esta invención se describe, por ejemplo, en la Solicitud de Patente de E.Ü.A., comúnmente poseída, presentada al mismo tiempo No. 10/ , (Expediente del Abogado No. 1837.0033), que se incorpora por la presente como referencia en su totalidad. La cámara 14 tuvo varios portillos de visión cubiertos con vidrio con protectores de radiación y una ventana de cuarzo para acceso al pirómetro. Varios portillos para—conexión - a -una ...bomba de_. vacio y una fuente de gas también se proporcionaron, aún cuando no se usaron necesariamente . El sistema 10 también incluyó un sistema de enfriamiento de agua desionizada de circuito cerrado (no mostrado] con un intercambiador térmico externo enfriado por •agua - corriente,. „ Durante la operación, el agua desionizada primero enfrió el magnetrón, luego el vaciado de carga en el circulador (utilizado para proteger el magnetrón), y finalmente la cámara de radiación a través de los canales de agua soldados en la superficie externa de la cámara. Catalizadores1 de Plasma ; ' Un catalizador de plasma consistente con esta invención puede incluir uno o más materiales diferentes y puede ser pasivo o activo. Un catalizador de plasma se puede utilizar, entre otras cosas, para encender, modular y/o sostener un plasma a una presión de gas que es menor que, igual a, o mayor que la presión atmosférica. Un método para formar un plasma consistente con esta invención puede incluir someter un gas en una cavidad a radiación electromagnética que tiene una frecuencia de menos de aproximadamente e33 GHz en presencia de un catalizador de plasma pasivo. Un catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención puede incluir cualquier objeto capaz de inducir un plasma deformando un campo eléctrico local (v.gr., un>*-campo--electromagnético)^ consistente con esta invención, sin agregar necesariamente energía adicional a través del catalizador, tal como aplicando un voltaje eléctrico para crear una chispa. Un catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención también puede ser una nanopartícula o un -nanotubo.... . Como._ se utiliza en la presente, -el término "nanopartícula" puede incluir cualquier partícula que tiene una dimensión física máxima menor de aproximadamente 100 nm que es cuando menos eléctricamente semiconductora. También, tanto nanotubos de carbono de una sola pared y múltiples paredes,'^ adulterados -y. .no adulterados,' pueden"- ser- particularmente efectivos para encender plasmas consistentes con esta invención debido a su excepcional conductividad eléctrica y forma alargada. Los nanotubos pueden tener cualquier longitud conveniente y pueden ser un polvo fijado a un substrato. Si están fijos, los nanotubos se pueden orientar aleatoriamente sobre la superficie del substrato o fijos al substrato (v.gr., en alguna orientación predeterminada) mientras que el plasma se enciende o sostiene Un catalizador de plasma pasivo también puede ser un polvo consistente con esta invención y no necesita comprender nanoparticulas ni nanotubos. Se puede formar, por ejemplo, de fibras, partículas de polvo, escamas, hojas, etc. Cuando está en forma de polvo, el catalizador se puede "suspender, -«cuando- -temporaj ñente, en un gas. Suspendiendo el polvo en el gas, el polvo se puede dispersar rápidamente a través de la cavidad y consumirse más fácilmente, si se desea . En una modalidad, el catalizador en polvo puede ser llevado hacia la cavidad y cuando menos suspenderse -temporalmente,,.con_ un _gas portador. El gas portador puede ser el mismo o diferente al gas que forma el plasma. Asimismo, el polvo se puede añadir al gas antes de ser introducido a la cavidad. Por ejemplo, como se muestra en la Figura 1A, la fuente 52 de radiación puede suministra radiación a la cavidad 55 :de radiación, en la. que se coloca la cavidad 60' de plasma. La fuente 65 de polvo proporciona polvo catalítico 790 hacia la corriente 75 de gas. En una modalidad alternativa, el polvo 70 puede añadirse primero a la cavidad 60 en volumen (v.gr., en una pila) y luego distribuirse en la cavidad en cualquier número de formas, incluyendo hacer fluir un gas a través o sobre el polvo en volumen. Además, el polvo se puede agregar al gas para encender, modular, o sostener un plasma moviendo, transportando, llovizna, rociando, soplando o de otra manera, alimentando el polvo hacia o dentro de la cavidad. En un experimento, se encendió un plasma en una cavidad colocando una pila de polvo de fibra de carbono en una tubería de cobre que se extendió hacia la cavidad. Aún "cuando -se—dirigió-..suficiente radiación hacia la cavidad, el tubo de cobre protegió el polvo de la radiación y no ocurrió encendido de plasma. Sin embargo, una vez que el gas portador empezó a fluir a través del tubo, forzando el polvo fuera del tubo y hacia la cavidad, y sometiendo de esta manera el polvo a la radiación, un plasma se encendió casi —instantáneamente en la cavidad. Un catalizador de plasma en polvo consistente con esta invención puede ser substancialmente no combustible, de esta manera no necesita contener oxígeno ni quemarse en la presencia de oxígeno. De esta manera, como se mencionó arriba, el catalizador puede, incluir un metal, carbono, 'una* aleación a base de carbono, un compuesto a base de carbono, un polímero eléctricamente conductor, un elastómero de silicona conductor, un nanocompuesto de polímero, un compuesto orgáníco-ínorgáníco, y cualquier combinación de los mismos . Asimismo, los catalizadores en polvo se pueden distribuir de manera substancialmente uniforme en la cavidad de plasma (v.gr., cuando se suspende en un gas), y el encendido de plasma se puede controlar de manera precisa dentro de la cavidad. El encendido uniforme puede ser importante en ciertas aplicaciones, incluyendo aquellas aplicaciones que requieren breves exposiciones de plasma, tales como en la forma de uno o más estallidos. Todavía, una cierta*-" cantidad-^de ^ti mpo se puede requerir para que un catalizador en polvo se distribuya a través de una cavidad, especialmente en cavidades complicadas, de múltiples cámaras. Por lo tanto, consistente con otro aspecto de esta invención, un catalizador en polvo se puede introducir hacia la cavidad a través de una pluralidad de portillos de encendido para obtener .más. rápidamente una distribución de catalizador más uniforme en la misma (ver abajo) . Además de polvo, un catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención puede incluir, por ejemplo una o más fibras microscópicas o macroscópicas, hojas, agujas, hilos, hebras-, .filamentos, ensortijados, raspaduras; 'tiras, astillas, telas tejidas, cinta, bigotes o cualquier combinación de los mismos. En estos casos, el catalizador de plasma puede tener cuando menos una porción con una dimensión física substancialmente mayor que otra dimensión física. Por ejemplo, la relación entre cuando menos dos dimensiones ortogonales debe ser cuando menos aproximadamente 1:2, pero podría ser mayor de aproximadamente 1:5, o aún mayor de aproximadamente 1:10.
De esta manera, un catalizador de plasma pasivo puede incluir cuando menos una porción de material que es relativamente delgado comparado con su longitud. Un haz de catalizadores (v.gr. , fibras) también se puede utilizar y puede incluir, por ejemplo, una sección de cinta de grafito. En * - un- ^experimento, ,una_ sección de cinta que tiene aproximadamente treinta mil hebras de fibra de grafito, cada una de aproximadamente 2-3 micrones de diámetro, se usó satisfactoriamente. El número de fibras en y la longitud de un haz no son críticos para el encendido, modulación , o sostenimiento del plasma. Por ejemplo, se han obtenido resultados, .satisfactorios utilizando una sección de cinta de grafito de aproximadamente 6.35 mm (1/4 de pulgada) de largo. Un tipo de fibra de carbono que se ha usado satisfactoriamente consistente con esta invención se vende bajo la marca MagnamiteIR> , Modelo No. AS4C-GP3KI, por la Hexcel Corporation, . de Anderspn, ._ South Carolina También se han usado satisfactoriamente fibras de silicio-carburo. Un catalizador de plasma pasivo consistente con otro aspecto de esta invención puede incluir una o más porciones que son, por ejemplo, substancialmente esféricas, anulares, piramidales, cúbicas, planas, cilindricas, rectangulares o alargadas. Los catalizadores de plasma pasivos arriba discutidos incluyen cuando menos un material que es por lo menos eléctricamente semiconductor. En una modalidad, el material puede ser altamente conductor. Por ejemplo, un catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención puede incluir un metal, un material inorgánico, carbono, una aleación a base de carbono, un compuesto a base de carbono, un —"polímero -« eléctricamente^ conductor, un elastómero de silicona conductor, un nanocompuesto de polímero, un compuesto orgánico-inorgánico, o cualquier combinación de los mismos. Algunos de los posibles materiales inorgánicos que se pueden incluir en el catalizador de plasma incluyen carbono, carburo de silicio, molibdeno, platino, tantalio, -tungsteno,__ni.truro de carbono, y aluminio, aún cuando se cree que otros materiales inorgánicos eléctricamente conductores trabajan igualmente bien. Además de uno o más materiales eléctricamente conductores, un catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención pueden incluir uno o más aditivos /que "no necesitan ser eléctricamente conductores) . Como se utiliza en la presente, el aditivo puede incluir cualquier material que un usuario desee añadir al plasma. Por ejemplo, al adulterar semiconductores y otros materiales, uno o más adulterantes se pueden agregar al plasma a través del catalizador. Ver, v.gr., la Solicitud de Patente de E.U.A., comúnmente poseída, presentada al mismo tiempo No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0026), que se incorpora por la presente como referencia en su totalidad. El catalizador puede incluir el propio adulterante, o puede incluir un material precursor que, durante la descomposición puede formar el adulterante. De esta manera, el catalizador de plasma puede incluir uno o más aditivos y uno o más "materiales- -eléctricamente ^conductores en cualquier relación deseable, dependiendo de la composición deseada final del plasma y el proceso que utiliza el plasma. La relación de los componentes eléctricamente conductores a los aditivos en el catalizador de plasma pasivo puede variar con el tiempo mientras que se está consumiendo.
•Por-—egemplo,.„djurante el encendido, el catalizador de plasma podría incluir deseablemente un porcentaje relativamente grande de componentes eléctricamente conductores para mejorar las condiciones de encendido. Por otra parte, si se usa mientras que se sostiene el plasma, el catalizador podría ¦· ' -'- « ¦ - . ¦ -....... , ii incluir un porcentaje relativamente grande de aditivos. Se observará por aquellos de experiencia ordinaria en el ramo que la relación de componente del catalizador de plasma utilizado para encender y sostener el plasma podría ser la misma. Se puede utilizar un perfil de relación predeterminado para simplificar muchos procesos de plasma. En muchos procesos de plasma convencionales, los componentes dentro del plasma se añaden como es necesario, pero dicha adición normalmente requiere equipo programable para agregar los componentes de conformidad con un programa predeterminado. Sin embargo, consistente con esta invención, la relación de componentes en el catalizador se puede variar, y de esta manera la relación de componentes en el propio "plasma' -se- —puede....variar .^aut máticamente . Es decir, la relación de componentes en el plasma en cualquier momento particular puede depender de cual de las porciones de catalizador se está consumiendo actualmente por el plasma. De esta manera, la relación de componente de catalizador puede ser diferente en ubicaciones distintas dentro del ~-catalizador.. _Y, la_ relación de componentes real en un plasma puede depender de las porciones del catalizador consumido actual y/o previamente, especialmente cuando el régimen de flujo de un gas que pasa a través de la cámara de plasma es relativamente lento. ¦ Un catalizador ..de plasma pasivo consistente con esta invención puede ser homogéneo, no homogéneo, o graduado. Asimismo, la relación de componente de catalizador de plasma puede variar continua o discontinuamente a través del catalizador. Por ejemplo, en la Figura 2, la relación puede variar uniformemente formando un gradiente a lo largo de un tramo de catalizador 100. El catalizador 100 puede incluir una hebra de material que incluye una concentración relativamente baja de un componente en la sección 105 y una concentración que aumenta continuamente hacia la sección 110. Alternativamente, como se muestra en la Figura 3, la relación puede variar discontinuamente en cada porción de catalizador 120, que incluye, por ejemplo, secciones 125 y 130 alternas que tienen diferentes concentraciones. Se - observará^que'-jel-.catalizador^J.20__ pjjede tener más de dos tipos de sección. De esta manera, la relación de componente catalítico que se está consumiendo por el plasma puede variar en cualquier forma predeterminada. En una modalidad, cuando el plasma se supervisa y se detecta un aditivo particular, el procesamiento adicional se puede comenzar o terminar automáticamente^_ Otra forma de variar la relación de componentes en un plasma sostenido es introduciendo múltiples catalizadores que tienen diferentes relaciones de componente en diferentes momentos o diferentes regímenes. Por ejemplo, múltiples - * . catalizadores se pueden introducir ^aproximadamente en " la misma ubicación o en ubicaciones diferentes dentro de la cavidad. Cuando se introduce en ubicaciones distintas, el plasma formado en la cavidad puede tener un gradiente de concentración de componente determinado por las ubicaciones de los diversos catalizadores. De esta manera, un sistema automatizado puede incluir un dispositivo mediante el que un catalizador de plasma consumible se inserta mecánicamente antes y/o durante el encendido, modulación y/o sostenimiento de plasma . Un catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención también se puede revestir. En una modalidad, un catalizador puede incluir un revestimiento substancialmente no eléctricamente conductor depositado sobre -laL— super-ficie*- -de.^material ^substancial y eléctricamente conductor. Alternativamente, el catalizador puede incluir un revestimiento substancialmente conductor eléctricamente depositado sobre la superficie de un material substancialmente no conductor eléctricamente. Las Figuras 4 y 5, por ejemplo, muestran la fibra 140, que incluye una capa 145—inferior^ y __ evestimiento 150. En una modalidad, un catalizador de plasma que incluye un núcleo de carbono está revestido con níquel para impedir la oxidación del carbono. Un solo catalizador de plasma también puede incluir múltiples revestimientos. Si los revestimientos se consumen durante contacto con el plasma, los revestimientos" s "podrían introducir hacia el plasma en secuencia, desde el revestimiento externo al revestimiento más interno, creando de esta manera un mecanismo de liberación de tiempo. De esta manera, un catalizador de plasma revestido puede incluir cualquier número de materiales, en tanto una porción del catalizador sea cuando menos eléctricamente semiconductora. Consistente con otra modalidad de esta invención, un catalizador de plasma puede estar colocado completamente dentro de una cavidad de radiación para reducir substancialmente o prevenir la fuga de energía de radiación. De esta manera, el catalizador de plasma no se acopla eléctrica o magnéticamente con el recipiente que contiene la cavidad o a cualquier objeto eléctricamente conductor fuera ~ de - la- cavidad..* ^ Es.to^ impide las chispas en el portillo de encendido e impide que la radiación se fugue fuera de la cavidad durante el encendido y posiblemente después si el plasma se sostiene. En una modalidad, el catalizador puede estar colocado en una punta de un extenderse eléctricamente no conductor de manera substancial que se extiende a través —de~un_po till _ de encendido. La Figura 6, por ejemplo, muestra la cámara 160 de radiación en la que se coloca la cavidad 165 de plasma. El catalizador 170 de plasta es alargado y se extiende a través del portillo 175 de encendido. Como se muestra en la Figura 7, "y consistente con .esta invención, el catalizador 170 puede" incluir la porción 180 eléctricamente conductora distante (que está colocada en la cámara 160) y la porción 185 eléctricamente no conductora (que está colocada substancialmente fuera de la cámara 160) . Esta configuración impide una conexión eléctrica (v.gr. , chispa) entre la porción 180 distante y la cámara 160. En otra modalidad, mostrada en la Figura 8, el catalizador se puede formar de una pluralidad de segmentos 190 eléctricamente conductores separados por y conectados mecánicamente a una pluralidad de segmentos 195 eléqtricamente no conductores. En esta modalidad, el catalizador se puede extender a través del portillo de encendido entre un punto dentro de la cavidad y otro punto fuera-- -de- ~la ~..cavidad,. ^ pe el perfil eléctricamente discontinuo impide significativamente las chispas y la fuga de energía. Otro método para formar un plasma consistente con esta invención incluye someter un gas en una cavidad a radiación electromagnética que tiene una frecuencia menor de -aproximadamente^ 333 GHz en presencia de un catalizador de plasma activo, que genera o incluye cuando menos una partícula de ionización. Un catalizador de plasma activo consistente con esta invención puede ser cualquier particular o paquete de onda de; energía ¦ elevada .. capaz de transferir una cantidad* suficiente de energía a un átomo o molécula gaseosa para remover cuando menos un electrón del átomo o molécula gaseoso en presencia de radiación electromagnética. Dependiendo de la fuente, las partículas de ionización se pueden dirigir hacia la cavidad en la forma de un haz enfocado o colimado, o se pueden rociar, arrojar, chisporrotear o introducir de otra manera . Por ejemplo, la Figura 9 muestra la fuente 200 de radiación que dirige radiación hacia la cámara 205 de radiación. La cavidad 210 de plasma está colocada dentro de la cámara 205 y puede permitir que un gas fluya a través de la misma a través de los -portillos 215 y 216. La fuente 220 dirige partículas 225 de ionización hacia la cavidad 210. La 'fuente 220»-se ^puede^proteger^ po ejemplo, mediante una malla metálica que permite que las partículas de ionización pasen a través pero protege la fuente 220 de la radiación. Si es necesario, la fuente 220 puede enfriarse con agua. Ejemplos de partículas de ionización consistentes con esta invención pueden incluir partículas de rayos x, partículas..de_ rayos gamma, partículas alfa, partículas beta, neutrones, protones, y cualquier combinación de los mismos. De esta manera, un catalizador de partícula de ionización se puede cargar (v.gr., un ión de una fuente de iones) o sin cargar y puede ser el producto de un proceso de fisión radioactiva. En una modalidad, el recipiente en el que la cavidad de plasma se forma podría ser total o parcialmente transmisor al catalizador de partícula de ionización. De esta manera, cuando una fuente de fisión radioactiva se coloca fuera de la cavidad, la fuente puede dirigir los productos de fisión a través del recipiente para encender el plasma. La fuente de fisión radioactiva se puede colocar dentro de la cámara de radiación para impedir substancialmente que los productos de fisión (es decir, el catalizador de partícula de ionización) cree un peligro de seguridad. En otra modalidad, la partícula de ionización puede ser un electrón libre, pero no necesita- emitirse en un proceso de descomposición radioactiva. Por ejemplo, el elect ón~-.se—puede___ .introducir hacia la cavidad activando la fuente de electrones (tal como un metal), de modo que los electrones tengan suficiente energía para escapar de la fuente. La fuente de electrones puede estar colocada dentro de la cavidad, adyacente a la cavidad, o aún en la pared de cavidad. Se observará por aquellos de experiencia ordinaria -en_el_.ramo__.que_ es posible cualquier combinación de fuentes de electrones. Una forma común para producir electrones es calentar un metal, y estos electrones se pueden acelerar adicionalmente aplicando un campo eléctrico. Además de electrones, también se pueden utilizar protones -energéticos, libres para catalizar un plasma.' E 'una modalidad, un protón libre se puede generar ionizando hidrógeno y, opcionalmente, acelerado con un campo eléctrico. Una ventaja de los catalizadores activos y pasivos consistentes con esta invención que se pueden catalizar un plasma de una manera substancialmente continua. Un dispositivo de chispa, por ejemplo, solamente puede catalizar un plasma cuando está presente una chispa. Una chispa, sin embargo, usualmente se genera aplicando un voltaje a través de dos electrodos. En general, las chispas se generan periódicamente y se separan por periodos en los que no se genera chispa. Durante estos periodos sin chispa, un plasma no se cataliza. Asimismo, los dispositivos de chispa, por ejemplo, requieren normalmente energía eléctrica para operar, aún-1 -cuando.- los ^catalizadores de plasma activos y pasivos consistentes con esta invención no requieren energía eléctrica para operar. Cavidades de Radiación de Múltiples Modos Una guía de onda de radiación, cavidad, o cámara se puede diseñar para soportar o facilitar la propagación de cuando^ menos un modo de radiación electromagnética. Como .se utiliza en la presente, el término "modo" se refiere a un patrón particular de cualquier onda electromagnética parada o de propagación que satisfaga las ecuaciones de Maxwell y las condiciones de límite aplicables (v.gr., de la cavidad). En una guía de onda o cavidad, el. modo puede ser cualquiera 'de' los diversos patrones posibles para propagar o mantener los campos electromagnéticos. Cada modo se caracteriza por su frecuencia y polarización del campo eléctrico y/o los vectores de campo magnético. El patrón de campo electromagnético de un modo depende de la frecuencia, índices de refracción o constantes dieléctricas, y guía de onda o geometría de cavidad. Un modo eléctrico transversal (TE) es uno cuyo vector de campo eléctrico es normal a la dirección de propagación. De manera similar un modo magnético transversal (TM) es uno cuyo vector de campo magnético es normal a la dirección de propagación. Un modo eléctrico transversal y magnético (TE ) es uno cuyos vectores de campo eléctrico y magnético--, son^ ambos , normales^ a la dirección de propagación. Una guia de onda metálica hueca no soporta típicamente un modo TEM normal de propagación de radiación. Aún cuando la radiación parece recorrer a lo largo de la longitud de una guía de onda, lo puede hacer solamente reflejando fuera de las paredes internas de la guía de onda en algún ángulo. Por lo-^tanto.^ dependiendo del modo de propagación, la radiación (v.gr. , microonda) puede tener algún componente de campo eléctrico o algún componente de campo magnético a lo largo del eje de la guía de onda (frecuentemente denominado como el eje z) . La distribución de campo real dentro de una cavidad o guía de onda es una superposición de los modos en la misma. Cada uno de los modos se puede identificar con uno o mas suscritos (v.gr., TEio ( "T e uno cero"). Los suscritos normalmente especifican cuantas "medias ondas" en la longitud de onda de guía están contenidas en las- direcciones x e y. Se observará por aquellos expertos en el ramo que la longitud de onda de guía puede ser diferente a la longitud de onda de espacio libre debido a que la radiación se propaga dentro de la guía de onda reflejando en algún ángulo desde las paredes internas de la guía de onda. En algunos casos, un tercer suscrito se puede añadir para definir el número de medias ondas en el patrón de onda fijo a lo largo del eje z. Para una frecuencia de radiación dada, el tamaño de pequeña de manera que pueda soportar un solo modo de propagación. En tal .caso, el sistema se llama un sistema de modo único (es decir, un aplicador de modo único) . El modo TEio es usualmente dominante en una guía de onda de un solo modo rectangular. .- A medida que el tamaño de la guía de onda (o la cavidad a la que se conecta la guía de onda) aumenta, la guía de onda o aplicador en ocasiones puede soportar modos de orden superior adiciónales que forman un sistema de múltiples modos. Cuando muchos modos son capaces de ser sustentados *- J~" ·¦ .. . .„. . simultáneamente, el sistema frecuentemente se llama" de modos elevados. Un sistema de un solo modo sencillo tiene una distribución de campo que incluye cuando menos un máximo y/o mínimo. La magnitud de un máximo depende en gran parte de la cantidad de radiación suministrada al sistema. De esta manera, la distribución de campo de un sistema de modo sencillo es fuertemente variable y substancialmente no uniforme .
A diferencia de una cavidad de un solo modo, una cavidad de múltiples modos puede sustentar varios modos de propagación simultáneamente que, cuando se sobreponen, resulta en un patrón de distribución de campo complejo. En dicho patrón, los campos tienden a mancharse espacialmente y de— esta -.manera,......la..distribución de campo usualmente no muestra los mismos tipos de valores de campo mínimos y máximos fuertes dentro de la cavidad. Además, como se explica más completamente abajo, un mezclador de modo se puede utilizar para modos de "agitar" o "redistribuir" (v.gr. , mediante movimiento mecánico de un reflector de -radiación) ._ _J?s_ta redistribución deseablemente proporciona una distribución de campo promediada en tiempo más uniforme dentro de la cavidad. Una cavidad de múltiples modos consistente con esta invención puede soportar cuando menos dos modos, y puede sustentar mucho más de dos modos. Cada modo tiene uñ vector de campo eléctrico máximo. Aún cuando puede haber dos o más modos, un modo puede ser dominante y tiene una magnitud de vector de campo eléctrico máxima que es mayor que los otros modos. Como se utiliza en la presente, una cavidad de múltiples modos puede ser cualquier cavidad en la que la relación entre la primera y segunda magnitudes de modo es menor de aproximadamente 1:10, o menos de alrededor de 1:5, o aún menos de aproximadamente 1:2. Se apreciará por aquellos de experiencia ordinaria en el ramo que entre menor es la relación más distribuida la energía de campo eléctrico entre los modos, y por lo tanto es más distribuida la energía de radiación en la cavidad. La distribución de plasma dentro de una cavidad de pirócesahilent"cT" ueie ^'depender*' "fuertemente" "de *la" 'distribución de la radiación aplicada. Por ejemplo, en un sistema de un solo modo puro, puede haber solamente una ubicación única en la que el campo eléctrico está a un máximo. Por lo tanto, un plasma fuerte puede formarse solamente en una sola ubicación. En muchas aplicaciones, este plasma fuertemente localizado "podrirá conducir indeseablemente a -tratamiento de plasma no uniforme o calentamiento (es decir, sobrecalentamiento y calentamiento inferior localizados). Ya sea que se utilice una cavidad de un solo modo p de. múltiples modos consistente „ con testa invención, se apreciará por aquellos de experiencia ordinaria" en el ramo que la cavidad en que el plasma se forma puede estar completamente cerrada o parcialmente abierta. Por ejemplo, en ciertas aplicaciones, tales como en hornos ayudados, por plasma, la cavidad podría estar completamente cerrada. Ver, por ejemplo, la Solicitud de Patente de E.U.A., comúnmente poseída, presentada . al mismo tiempo, No. 10/ (Expediente del Abogado No. 1837.0020), que se incorpora completamente por referencia en la presente. En otras aplicaciones, sin embargo, puede ser deseable hacer fluir un gas a través de la cavidad, y por lo tanto, la cavidad debe estar abierta hasta cierto grado. De esta manera, el flujo, tipo, y presión del gas que fluye puede variar durante el tiempo. Esto puede ser deseable debido a que ciertos gases que facilitan la formación de plasma,"* taíes* "cómo" *a*fgbn '^on^^má's *~ acl es*" "de" encender, pero también pueden no necesitarse durante el procesamiento de plasma subsecuente. Mezclado de Modo Para muchas aplicaciones, una cavidad que contiene un plasma uniforme es deseable. Sin embargo, debido a que la radiación de microóndas puede tener' una longitud de onda- relativamente larga (v.gr., varias décimas de centímetros), obtener una distribución uniforme puede ser difícil de lograr. Como resultado, consistente con un aspecto de esta ,-inv.ención,., los modos de . radiación.,en . una ca idajd de múltiples modos se pueden mezclar, o redistribuir, durante un período de tiempo. Debido- a la distribución de campo dentro de la cavidad debe satisfacer todas las condiciones de límite ajustadas por la superficie interna de la cavidad (si es metálica} , aquellas distribuciones de campo se pueden cambiar, cambiando la posición de cualquier porción de esa superficie interna. En una modalidad consistente con esta invención, una superficie reflectora movible se puede colocar dentro de la cavidad de radiación. La forma y movimiento de la superficie reflectora, cuando se combina, debe cambiar la superficie interna de la cavidad durante el movimiento. Por ejemplo, un objeto metálico en forma de "L" (es decir, "mezclador de modo") cuando se hace girar alrededor de cualquier o""la "orlent:ac'ion~"d'é~~ las superficies reflectoras en la cavidad, y por lo tanto cambiar la distribución de radiación en la misma. Cualquier otro objeto asimétricamente configurado también se puede usar (cuando se hace girar) , pero objetos simétricamente configurados también pueden trabajar, en tanto que el movimiento" relativo (v.gr.,* rotación, traslación, o- ^ una combinación de ambos) ocasione algún cambio en la ubicación u orientación de las superficies reflectoras. En una modalidad, un mezclador de modo puede ser un cilindro que es giratorio alrededor, de un eje que _ no es el .eje ¾ longitudinal del cilindro . Cada modo de una cavidad de múltiples modos puede tener cuando menos un vector de campo eléctrico máximo, pero cada uno de estos vectores podría ocurrir periódicamente a través de la dimensión interna de la cavidad. Normalmente, estos máximos son fijos, suponiendo que la frecuencia de la radiación no cambia. Sin embargo, moviendo un mezclador de modo de modo que interactúe con la radiación, es posible mover las posiciones de los máximos. Por ejemplo, el mezclador 38 de modos se puede utilizar para optimizar la distribución de campo dentro de la cavidad 14 de manera que las condiciones de encendido de plasma y/o las condiciones de sostenimiento de plasma se optimizan. De esta manera, una vez que se excita un plasma, la posición del mezclador de modo se 'puécte **canái>iár ^para "mover"l'á" 'posición*" de '~xós: 'máximos para un proceso de plasma promediado en tiempo uniforme (v.gr., calentamiento). De esta manera, consistente con esta invención, el mezclado de modo puede ser útil durante el encendido de plasma. Por ejemplo, cuando una fibra eléctricamente ~conduCtora~se~ 'uti'l'iza como un catalizador de- plasma-, se sabe que la orientación de la fibra puede afectar fuertemente las condiciones de encendido de plasma mínimas. Se ha reportado, por ejemplo, que cuando una fibra se orienta a un ángulo que es mayor ...de .60° a : ampo eléctrico, _el catalizador hace poco para mejorar, o' relajar, estas condiciones. Moviendo" una" superficie reflector ya sea en o cerca de la cavidad, - sin embargo, la distribución de campo eléctrico se puede cambiar significativamente . El mezclado de modo también se puede lograr lanzando la radiación hacia la cámara de aplicador a través de, por ejemplo, una junta de guía de onda de rotación que se puede montar dentro de la cámara de aplicador. La junta giratoria se puede mover mecánicamente (v.gr., hacer girar) para lanzar efectivamente la radiación en diferentes direcciones en la cámara de radiación. Como resultado, el patrón de campo de cambio se puede generar dentro de la cámara de aplicador. El mezclado de modo también se puede lograr ianzandb"**la ra'd'íación' "en *la "cámara" dé^adiacion " a*"travésM' ñe una guía de onda flexible. En una modalidad, la guía de onda se puede montar dentro de la cámara. En otra modalidad, la guía de onda se puede extender hacia la cámara. La posición de la porción de extremo de la guía de onda flexible se puede mover continua o periódicamente (v.gr., doblar) en cualquier forma apropiada~para lanzar la radiación (v.gr., radiación de microondas) hacia la cámara en diferentes direcciones y/o ubicaciones. Este movimiento también puede resultar en mezclado de modo y facilitar procesamiento de plasma más uniforme. ( .gr.,,, calentamiento) sobre una base promediada en tiempo. Alternativamente, este movimiento se puede utilizar para optimizar la ubicación de un plasma para encendido u otro proceso ayudado por plasma. Si la guía de onda flexible es rectangular, una torsión sencilla del extremo abierto de la guía de onda girará la orientación de los vectores de campo eléctrico y magnético en la radiación dentro de la cámara de aplicador. Luego, una torsión periódica de la guía de onda puede resultar en mezclado de modo así como girando el campo eléctrico, que se puede utilizar para ayudar el encendido, modulación, o sostenimiento de un plasma. De esta manera, aún cuando la orientación inicial del catalizador sea perpendicular al campo eléctrico, la redirección de los vectores de campo eléctrico puede cambiar la orientación IñVféctivá"~ á una* 'más " efectiva" " "*" ~ Aqüe los~" experimentados en el ramo apreciarán que el mezclado de modo puede ser continuo, periódico o preprogramado . Además del encendido de plasma, el mezclado de modo puede ser útil durante el procesamiento de plasma subsecuente para reducir o crear (v.gr., sintonizar) "puntos calientes" *en~~l"a~ cámara.— -—Cuando una -cavidad de microondas solamente soporta un número pequeño de modos (v.gr., menos de 5), uno o más máximos de campo eléctrico localizados pueden conducir a "puntos calientes" (v.gr., dentro de la cavidad 12). En una modalidad,^ estos .puntos ..calientes se podrían ^configurar para coincidir con uno o más eventos de procesamiento o "encendidos de plasma, más separados, pero simultáneos. De esta manera, el catalizador de plasma se puede colocar en una o más de esas posiciones de encendido o procesamiento subsecuentes. Encendido de Ubicaciones Múltiples Un plasma se puede encender utilizando múltiples catalizadores de plasma en diferentes ubicaciones. En una modalidad, múltiples fibras se pueden utilizar para encender el plasma en puntos diferentes dentro de la cavidad. Dicho encendido de múltiples puntos puede ser especialmente benéfico cuando se desea un encendido de plasma uniforme. Por ejemplo, cuando un plasma se modula a una frecuencia elevada (es decir, décimas de Hertz y superiores), o encenderse en un volumen relativamente grande, o ambos, el 'golpe ó nuevo ""golpeo" instantáneo" sutis't'áñcialíñente' "uniformé" del plasma se puede mejorar. Alternativamente, cuando los catalizadores de plasma se usan en múltiples puntos, se pueden utilizar para encender en secuencia un plasma en diferentes ubicaciones dentro de una cámara de plasma introduciendo selectivamente el catalizador en esas ubicaciones 'diferentes. 'De esta - manera, un gradiente - deencendido de plasma se puede formar de manera controlable dentro de la cavidad, si se desea. Asimismo, en una cavidad de múltiples modos, la distribución al azar del catalizador a .través , de múltiples ubicaciones en la cavidad' aumenta la probabilidad de que por lo menos una de las fibras, o cualquier otro catalizador de plasma pasivo consistente con esta invención, se orienta de manera óptima con las lineas de campo eléctricas. Todavía, aún cuando el catalizador no esté orientado de manera óptica (o substancialmente alineado con las líneas de campo eléctrico), las condiciones de encendido se mejoran. Adicíonalmente, debido a que el polvo catalítico se puede suspender en un gas, se cree que cada partícula de polvo puede tener el efecto de ser colocado en una ubicación física diferente dentro de la cavidad, mejorando de esta manera la uniformidad de encendido dentro de la cavidad. Encendido/Sostenimiento de Plasma en Cavidad Doble. Se puede utilizar una disposición de cavidad doble para * encender y sostener ""un ' plasma" "consistente" con "esta invención. En una modalidad, un sistema incluye cuando menos una primera cavidad de encendido y una segunda cavidad en comunicación de fluido con la primera cavidad. Para encender un plasma, un gas en la primera cavidad de encendido se puede someter a radiación electromagnética que tiene una frecuencia 'dé menos' de "aproximadamente ~ 333 GHz, opcionalmente en presencia de un catalizador de plasma. De esta manera, la proximidad de la primera y segunda cavidades puede permitir que un plasma . formado en la primera cavidad encienda un plasmaren, la segunda cavidad,,, que .puede, ser sostenido con radiación electromagnética adicional. En una modalidad de esta invención, la primera cavidad puede ser muy pequeña y diseñada principalmente, o de manera única para encendido de plasma. De esta manera, muy poca energía de microondas se puede requerir para encender el plasma, permitiendo encendido más fácil, especialmente cuando se utiliza un catalizador de plasma consistente con esta invención . En una modalidad, la primera cavidad puede ser una cavidad de modo substancialmente único y la segunda cavidad es una cavidad de múltiples modos. Cuando la primera cavidad de encendido solamente soporta un modo sencillo, la distribución de campo eléctrico puede variar fuertemente dentro de la cavidad, formando uno o más máximos de campo Eléctrico' "colocados"* He * m nera*"" precisa"""' " Estos ""máximos* "son' normalmente las primeras ubicaciones en las que los plasmas de encienden, haciéndolas puntos ideales para colocar catalizadores de plasma. Se observará, sin embargo, que cuando se usa un catalizador de plasma, si no necesita colocarse en el máximo de campo eléctrico y, muchos casos, no necesi'ta~orientarse en ninguna dirección particular. En las modalidades anteriormente descritas, varias particularidades están agrupadas juntas en una sola modalidad para propósitos de adelgazar la exposición. Este método de ,ex„. posición rtn . se debe interpretar como que refleja una intención" de que la invención reivindicada requiere" ' más particularidades que las expresamente mencionadas en cada reivindicación. Más bien, como lo reflejan las siguientes reivindicaciones, los aspectos inventivos quedan en menos que todas las particularidades de la única modalidad descrita anterior. De esta manera, las siguientes reivindicaciones se incorporan por la .presente en esta descripción Detallada de Modalidades, con cada reivindicación valiendo por si como una modalidad preferida separada de la invención.

Claims (1)

  1. 42 REIVINDICACIONES 1. - Un método para formar un plasma que comprende: hacer fluir un gas hacia una cavidad de procesamiento de múltiples modos; y encender el plasma sometiendo el gas en la cavidad a"" ra Vi cioh "elector ¿magnésica'* 'qué"" "tiene "*uná~ frecuencia'"'menor' de aproximadamente 333 GHz en presencia de cuando menos un catalizador de plasma pasivo que comprende un material que es cuando menos eléctricamente semiconductor. 2. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el material comprende cuando menos un metal, material—inorgánico, carbono, aleación a " base de carbono-, compuesto a base de carbono, polímero eléctricamente conductor, elastómero de silicona conductora, nanocompuesto de polímero, compuesto orgánico-inorgánico, y cualquier combinación de los mismos. . , _ ... . 3. - El método de conformidad con la reivindicación 2, en donde el material está en la forma de cuando menos uno de nanopartícula, un nanotubo, un polvo, una escama, una fibra, una hoja, una aguja, un hilo, una hebra, un filamento, un rizo, una raspadura, una tira, una astilla, una tela tejida, una cinta, un bigote, y cualquier combinación de los mismos . 4. - El método de conformidad con la reivindicación 3, en donde el material comprende fibra de carbono. 43 5. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el material comprende carbono y está en la forma de cuando menos uno de una nanopartícula, un nanotubo, un polvo, una escama, una fibra, una hoja, una aguja, un hilo, una hebra, un filamento, un estambre, un rizo, una raspadura, íina "tira una" ' as¾"ila **una- tela " 'tej"ida," "una" cinta*"* ün""big"bte, ' y cualquier combinación de los mismos. 6. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el material comprende cuando menos un nanotubo. 7. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el material está cuando menos parcialmente ~revestido~con ~un "segundo material . ~ ¦- ¦¦ — 8. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el cuando menos un catalizador de plasma pasivo comprende una pluralidad de artículos alargados, eléctricamente A conductores _ distribuidos en diferentes ubicaciones e'n la cavidad. 9. - El método de conformidad con la reivindicación 8, en donde la radiación tiene líneas de campo eléctrico, en donde cada uno de los artículos tiene un eje longitudinal, y en donde los ejes longitudinales no están substancíalmente alineados con las líneas de campo eléctrico. 10. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el catalizador de plasma comprende cuando menos un componente eléctricamente conductor y por lo 44 menos un aditivo en una relación, el método comprendiendo además sostener el plasma, en donde el sostenimiento comprende : dirigir radiación electromagnéticfa adicional hacia la cdavidad; y * "pérmítfir "que* *e?~ ' cafa1izador'' "se" " consuma"" por" l plasma de modo que el plasma contiene cuando menos un aditivo. 11.- El método de conformidad con la reivindicación 10, en donde la relación difiere para porciones diferentes del catalizador, y en donde permitir comprende' dejar que fas porciones diferentes del "catalizador se consuman por el plasma en tiempos diferentes de modo que el plasma contiene una relación variable del componente eléctricamente conductor a por lo menos un aditivo. . 12.- . J El método . de ¾ conformidad, con., la reivindicación 1, en' donde la cavidad de múltiples modos se configura para soportar cuando menos un primer modo y un segundo modo de la radiación, cada uno de los modos teniendo un vector de campo eléctrico máximo en la cavidad, cada uno de los vectores teniendo una magnitud, y en donde una relación entre la magnitud de primer modo y la magnitud de segundo modo es menos de aproximadamente 1:10. 13.- El método de conformidad con la reivindicación 12, en donde la relación es menos de 45 aproximadamente 1:5. 14. - El método de conformidad con la reivindicación 13, en donde la relación es menos de aproximadamente 1:2. 15. - El método de conformidad con la rmVin<3i"cVcióh* 1 ,*" en "doñdé la"*'cavidad * dé *müT£iples" modós * está configurada para soportar cuando menos un primer modo y un segundo modo de la radiación, cada uno de los modos teniendo cuando menos un vector de campo eléctrico máximo en la cavidad en una posición, el método moviendo además cada una de las posiciones mediante mezclado de modos. 16'.*"- " El método de conformidad con 'la" reivindicación 1, en donde el encendido comprende encender la pluralidad de catalizadores de plasma en diferentes ubicaciones en la cavidad. . .17. - , ..„ . .El.. método. _ de ..... conformidad .. con .. .la reivindicación 1," en donde la cavidad es una cámara de radiación y el catalizador se coloca totalmente dentro de la cámara de modo que el catalizador no conduce substancialmente una corriente eléctrica a la cámara ni ningún objeto eléctricamente conductor colocado fuera de la cámara. 18.- El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el catalizador está colocado en la punta de un extendedor substancialmente no conductor eléctricamente que pasa a través de un portillo de encendido 46 formado en una cámara de radiación. 19. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde el catalizador comprende una pluralidad de segmentos discontinuos separados por y conectados mecánicamente a una pluralidad de segmentos eléctricamente "en" donde durante ~eí ' encendido el catalizador se extiende a través de un portillo de encendido en la cavidad entre una ubicación dentro de la cavidad y otra ubicación fuera de la cavidad. 20. - El método de conformidad con la reivindicación 1, en donde e.l encendido comprende encender el pl'asma~mi"entras~ "que"""él " catalizador" está suspendido en la" cavidad. 21. - Un método para formar un plasma que comprende encender un plasma sometiendo un gas a radiación electromagnético - ..que., . tiene .una ..frecuencia . menor ,.de. aproximadamente 33 GHz en presencia de un catalizador de plasma que comprende un polvo. 22. - El método de con ormidad con la reivindicación 21, en donde el someter ocurre en una cámara, el método comprendiendo además hacer fluir un gas hacia la cámara . 23. - El método de conformidad con la reivindicación 21, en donde el sometimiento ocurre en una cavidad, colocada en la cámara. 47 24. - El método de conformidad con la reivindicación 23, en donde la cámara es una cámara de múltiples modos. 25. - El método de conformidad con la reivindicación 21, que comprende además introducir el polvo a la" radiación utilizando n^as* ortador. ~" " ·—¦»- 26.- El método de conformidad con la reivindicación 21, que comprende además introducir el polvo a la radiación mediante una técnica que cuando menos suspende temporalmente en polvo en la cavidad, la técnica siendo cuando menos uno de alimentación, alimentación por gravedad, trasoas o',~~ i.orbe1Tino' rociado y soplado. - - - -.- 27. - El método de conformidad con la reivindicación 21, que comprende además introducir el polvo hacia una cavidad a través de una pluralidad de portillos de encendido.. . ,. . , , .. . . .. ... » 28. - El método de conformidad con la reivindicación 21, en donde el encendido comprende encender el plasma mientras que el polvo está suspendido. 29. - El método de conformidad con la reivindicación 21, en donde el catalizador de plasma, comprende un material no combustible. 30. - El método de conformidad con la reivindicación 29, en donde el catalizador de plasma es cuando menos uno de metal, carbono, aleación a base de 48 carbono, compuesto a base de carbono, polímero eléctricamente conductor, elastómero de silicona conductor, nanocompuesto de polímero y compuesto orgánico-inorgánico . 31. - Un método para formar un plasma que comprende someter un gas en una cavidad a radiación electromagnética que tiene una frecuencia menor de aproximadamente 333 GHz en presencia de un catalizador de plasma activo que comprende cuando menos una partícula de ionización. 32. - El método de conformidad con la reivindicación 31, en donde la cuando menos una partícula de ionización comprende un haz de partículas. . --· -33·.— ¦£ método" de conformi'dad* con la" reivindicación 31, en donde la partícula es cuando menos una de partícula de rayos x, una partícula de rayos gamma, una partícula alfa, una partícula beta, un neutrón, y un protón. .. . . _ ? 34.- . El . - método de . - conformidad- , con la reivindicación 31, en donde la cuando menos una partícula de ionización es una partícula cargada. 35. - El método de conformidad con la reivindicación 31, en donde la partícula de ionización comprende un producto de fisión radioactiva. 36. - El método de conformidad con la reivindicación 35, en donde se forma una cavidad en un recipiente que es cuando menos parcialmente transmisor al producto, el método comprendiendo además colocar una fuente 49 de fisión radioactiva fuera de la cavidad de manera que la fuente dirija el producto de fisión a través del recipiente hacia la cavidad. 37. - El método de conformidad con la reivindicación 35, en donde el recipiente y la fuente de fisión radioactiva están dentro de una cámara de radiación, y en donde la cámara comprende un material que impide substancialmente que el producto escape de la cámara. 38. - El método de conformidad con la reivindicación 35, que comprende además colocar una fuente de fisión radioactiva en una cavidad, en donde la fuente genera el cuando moños un producto de fisión. 39. - El método de conformidad con la reivindicación 31, en donde la partícula de ionización es un electrón libre, el método comprendiendo además generar el electrón activando una- fuente --de ^electrones. ¦¦ . . — . 40.- El método de conformidad con la reivindicación 39, en donde la activación comprende calentar la fuente de electrones. 41. - El método de conformidad con la reivindicación 31, en donde la partícula comprende un protón libre, el método comprendiendo además generar el protón libre ionizando hidrógeno. 42. - El método de conformidad con la reivindicación 31, en donde la cavidad está cuando menos 50 parcialmente abierta, que permite el flujo de gas a través de la misma. 43. - Un método para formar un plasma en un sistema, en donde el sistema tiene cuando menos una primera cavidad de encendido y una segunda cavidad en comunicación de fluido con ía primera cavidad, el método comprendiendo: someter un gas en la primera cavidad de encendido a radiación electromagnética que tiene una frecuencia menor de aproximadamente 333 GHz, de modo que el plasma en la primera cavidad ocasiona que el plasma se forme en la segunda cavidad; y "'sostener el segundo plasma "sometiéndolo a radiación electromagnética adicional. 44. - El método de conformidad con la reivindicación 43, en donde someter comprende exponer el gas a la radiación en. presencia de un catalizador- de plasma, 45. - El método de conformidad. con la reivindicación 43, en donde la primera cavidad es menor que la segunda cavidad. 46. - El método de conformidad con la reivindicación 45, en donde la primera cavidad es substancialmente una cavidad de modo sencillo y la segunda cavidad es una cavidad de múltiples modos. 47. - El método de conformidad con la reivindicación 46, en donde la segunda cavidad es de modos 51 elevados . 48.- El método de conformidad con la reivindicación 44, en donde el catalizador de plasma comprende fibra de carbono.
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Families Citing this family (237)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207646B1 (en) * 1994-07-15 2001-03-27 University Of Iowa Research Foundation Immunostimulatory nucleic acid molecules
US7212860B2 (en) * 1999-05-21 2007-05-01 Cardiac Pacemakers, Inc. Apparatus and method for pacing mode switching during atrial tachyarrhythmias
EP1361437A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-12 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) A novel biological cancer marker and methods for determining the cancerous or non-cancerous phenotype of cells
CN101076221B (zh) * 2002-05-08 2011-08-31 Btu国际公司 多个辐射源的等离子体产生和处理
US7445817B2 (en) 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
US20060233682A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-19 Cherian Kuruvilla A Plasma-assisted engine exhaust treatment
US7494904B2 (en) 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7498066B2 (en) 2002-05-08 2009-03-03 Btu International Inc. Plasma-assisted enhanced coating
JP4163681B2 (ja) * 2002-05-08 2008-10-08 レオナード クルツ シュティフトゥング ウント コンパニー カーゲー 大型のプラスチック製三次元物体の装飾方法
JP2005526359A (ja) 2002-05-08 2005-09-02 ダナ・コーポレーション 製造ラインにおけるプラズマ支援処理方法及び処理装置
US20060228497A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-12 Satyendra Kumar Plasma-assisted coating
US7560657B2 (en) 2002-05-08 2009-07-14 Btu International Inc. Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US20060057016A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-16 Devendra Kumar Plasma-assisted sintering
US7638727B2 (en) 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
US7432470B2 (en) 2002-05-08 2008-10-07 Btu International, Inc. Surface cleaning and sterilization
US7497922B2 (en) 2002-05-08 2009-03-03 Btu International, Inc. Plasma-assisted gas production
US7465362B2 (en) 2002-05-08 2008-12-16 Btu International, Inc. Plasma-assisted nitrogen surface-treatment
US20050233091A1 (en) * 2002-05-08 2005-10-20 Devendra Kumar Plasma-assisted coating
US20060237398A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-26 Dougherty Mike L Sr Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US20060062930A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-23 Devendra Kumar Plasma-assisted carburizing
US7189940B2 (en) * 2002-12-04 2007-03-13 Btu International Inc. Plasma-assisted melting
US7511246B2 (en) 2002-12-12 2009-03-31 Perkinelmer Las Inc. Induction device for generating a plasma
US20040216845A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Czeslaw Golkowski Non-thermal plasma generator device
JP2005024539A (ja) * 2003-06-10 2005-01-27 Hitachi Ltd 荷電粒子検出器およびそれを用いた検知装置
US20050067098A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Tokyo Electron Limited Method and system for introduction of an active material to a chemical process
JP4324078B2 (ja) * 2003-12-18 2009-09-02 キヤノン株式会社 炭素を含むファイバー、炭素を含むファイバーを用いた基板、電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源、該電子源を用いた表示パネル、及び、該表示パネルを用いた情報表示再生装置、並びに、それらの製造方法
FR2871478B1 (fr) * 2004-06-15 2006-12-22 Arash Mofakhami Systeme d'intrusion et de collision cation-electrons dans un materiau non conducteur
US7517215B1 (en) * 2004-07-09 2009-04-14 Erc Incorporated Method for distributed ignition of fuels by light sources
WO2006127037A2 (en) * 2004-11-05 2006-11-30 Dana Corporation Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas
JP5408878B2 (ja) * 2004-11-24 2014-02-05 エヌシーシー ナノ， エルエルシー ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用
ATE467335T1 (de) * 2005-03-09 2010-05-15 Askair Technologies Ag Verfahren zur führung einer durchfluss- plasmavorrichtung
US8633416B2 (en) 2005-03-11 2014-01-21 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Plasmas and methods of using them
US20090212015A1 (en) * 2005-03-18 2009-08-27 Dougherty Sr Mike L Plasma-Assisted Processing in a Manufacturing Line
AU2006259381B2 (en) * 2005-06-17 2012-01-19 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Boost devices and methods of using them
US7742167B2 (en) 2005-06-17 2010-06-22 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Optical emission device with boost device
JP2008547163A (ja) * 2005-06-17 2008-12-25 ビーティーユー インターナショナル インコーポレイテッド マイクロ波プラズマ調理
US8622735B2 (en) * 2005-06-17 2014-01-07 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Boost devices and methods of using them
JP4732057B2 (ja) * 2005-07-29 2011-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置および処理方法
KR100689037B1 (ko) 2005-08-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템
US20070051233A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Duge Robert T Radiant electromagnetic energy management
JP5531240B2 (ja) * 2005-09-20 2014-06-25 イマジニアリング株式会社 点火装置、内燃機関、点火プラグ、及びプラズマ装置
US8945686B2 (en) * 2007-05-24 2015-02-03 Ncc Method for reducing thin films on low temperature substrates
JP4699235B2 (ja) * 2006-02-20 2011-06-08 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4846392B2 (ja) * 2006-02-28 2011-12-28 株式会社東芝 水中補修溶接方法
US20070278199A1 (en) * 2006-04-14 2007-12-06 Ewa Environmental, Inc. Particle burning in an exhaust system
US7714248B2 (en) * 2006-05-24 2010-05-11 Kuan-Jiuh Lin Microwave plasma generator
EP1867386A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-19 Thomas Wendling Method for the production of nanoparticles
US7722778B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
US20110064605A1 (en) * 2006-07-05 2011-03-17 Thermapure, Inc. Method for treating an object contaminated with harmful biological organisms or chemical substances utilizing electromagnetic waves
US7541561B2 (en) * 2006-09-01 2009-06-02 General Electric Company Process of microwave heating of powder materials
US7326892B1 (en) 2006-09-21 2008-02-05 General Electric Company Process of microwave brazing with powder materials
US7524385B2 (en) * 2006-10-03 2009-04-28 Elemetric, Llc Controlled phase transition of metals
CN102266440B (zh) * 2006-10-24 2015-06-17 戴维·W·克雷姆平 抗再吸收的和造骨的食物增补剂和使用方法
US7775416B2 (en) * 2006-11-30 2010-08-17 General Electric Company Microwave brazing process
US8342386B2 (en) * 2006-12-15 2013-01-01 General Electric Company Braze materials and processes therefor
US8574686B2 (en) * 2006-12-15 2013-11-05 General Electric Company Microwave brazing process for forming coatings
US8409318B2 (en) * 2006-12-15 2013-04-02 General Electric Company Process and apparatus for forming wire from powder materials
US7946467B2 (en) * 2006-12-15 2011-05-24 General Electric Company Braze material and processes for making and using
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US8158217B2 (en) 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US9806273B2 (en) * 2007-01-03 2017-10-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
DE102007011310B4 (de) * 2007-03-06 2015-06-18 Biotronik Crm Patent Ag Medizinisches Implantat und Verfahren zur Herstellung desselben
FR2921388B1 (fr) * 2007-09-20 2010-11-26 Air Liquide Dispositif et procede de depot cvd assiste par plasma tres haute frequence a la pression atmospherique, et ses applications
US20090139607A1 (en) * 2007-10-28 2009-06-04 General Electric Company Braze compositions and methods of use
US8115135B2 (en) * 2008-02-14 2012-02-14 Adventix Technologies Inc. Plasma assisted oxygen decontaminant generator and sprayer
US20090295509A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Universal Phase, Inc. Apparatus and method for reaction of materials using electromagnetic resonators
WO2009146439A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
US9272359B2 (en) 2008-05-30 2016-03-01 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
WO2009146432A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
US8410712B2 (en) * 2008-07-09 2013-04-02 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds
US8128788B2 (en) 2008-09-19 2012-03-06 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for treating a process volume with multiple electromagnetic generators
US8760520B2 (en) 2008-11-10 2014-06-24 Eduard Levin System and method for tracking and monitoring personnel and equipment
CN101579617B (zh) * 2009-01-20 2012-05-30 江苏工业学院 一种微波化学反应器
US9186742B2 (en) * 2009-01-30 2015-11-17 General Electric Company Microwave brazing process and assemblies and materials therefor
WO2010144161A2 (en) 2009-02-17 2010-12-16 Lockheed Martin Corporation Composites comprising carbon nanotubes on fiber
CA2752525C (en) 2009-02-27 2017-05-16 Applied Nanostructured Solutions, Llc Low temperature cnt growth using gas-preheat method
US20100227134A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures
WO2010120810A1 (en) 2009-04-14 2010-10-21 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for excitation of resonances in molecules
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
EP2422595A1 (en) 2009-04-24 2012-02-29 Applied NanoStructured Solutions, LLC Cnt-infused emi shielding composite and coating
EP2425364A4 (en) 2009-04-27 2012-10-31 Applied Nanostructured Sols CNT-BASED RESISTANCE HEATING TO DECREASE COMPOSITE STRUCTURES
RU2012104702A (ru) * 2009-07-10 2013-08-20 Панасоник Корпорэйшн Устройство для микроволнового нагрева и способ управления микроволновым нагревом
CN102470546B (zh) 2009-08-03 2014-08-13 应用纳米结构方案公司 纳米颗粒在复合材料纤维中的结合
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
CA2775619A1 (en) 2009-11-23 2011-05-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Ceramic composite materials containing carbon nanotube-infused fiber materials and methods for production thereof
WO2011063424A1 (en) 2009-11-23 2011-05-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-tailored composite space-based structures
EP2513250A4 (en) 2009-12-14 2015-05-27 Applied Nanostructured Sols FIRE-RESISTANT COMPOSITE MATERIALS AND ARTICLES WITH CARBON NANOTUBES-INFUNDED FIBER MATERIALS
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US20110180385A1 (en) * 2010-01-28 2011-07-28 Raytheon Company Control of Catalytic Chemical Processes
BR112012018244A2 (pt) 2010-02-02 2016-05-03 Applied Nanostructured Sols materiais de fibra infundidos com nanotubo de carbono contendo nanotubos de carbono alinhados em paralelo, métodos para produção dos mesmos e materiais compósitos derivados dos mesmos
SG10201500751UA (en) * 2010-02-08 2015-04-29 Microspace Rapid Pte Ltd A micro-nozzle thruster
WO2011109485A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions,Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
CA2790205A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions, Llc Spiral wound electrical devices containing carbon nanotube-infused electrode materials and methods and apparatuses for production thereof
WO2011116187A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance
AU2010349785B2 (en) 2010-03-31 2014-02-27 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US10422578B2 (en) * 2010-04-08 2019-09-24 Ncc Nano, Pllc Apparatus for curing thin films on a moving substrate
KR101742772B1 (ko) * 2010-04-08 2017-06-01 엔씨씨 나노, 엘엘씨 이동 기판 상에서 박막들을 경화시키기 위한 장치
CN101940902A (zh) * 2010-05-04 2011-01-12 姚光纯 一种采用脉冲波提高催化化学反应效率的工艺方法
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
AU2011302314A1 (en) 2010-09-14 2013-02-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
EP2619133A1 (en) 2010-09-22 2013-07-31 Applied NanoStructured Solutions, LLC Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof
JP2014508370A (ja) 2010-09-23 2014-04-03 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー 強化送電線のセルフシールドワイヤとしてのｃｎｔ浸出繊維
US8755165B2 (en) 2010-10-18 2014-06-17 Veeco Instruments, Inc. Fault tolerant ion source power system
CN102476954A (zh) * 2010-11-22 2012-05-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件
CN102093915B (zh) * 2010-12-17 2013-05-01 南通海鹰机电集团有限公司 生物质发电系统重整反应釜
CN102172833B (zh) * 2011-02-21 2012-10-03 南京航空航天大学 基于放电诱导可控烧蚀的非导电工程陶瓷磨削加工方法
EP2684420B1 (en) * 2011-03-11 2016-08-03 Inderjit Singh A method and apparatus for plasma assisted laser cooking of food products
CN102794354A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有耐高温涂层的镍基超耐热合金冲压模具
CN102806270A (zh) * 2011-05-30 2012-12-05 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有耐高温涂层的铁素体不锈钢模具
CN102343391A (zh) * 2011-06-14 2012-02-08 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有硬膜结构的镍基超耐热合金冲压模具
CN102343394A (zh) * 2011-06-14 2012-02-08 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有硬膜结构的镍基超耐热模具的制备方法
CN102343392A (zh) * 2011-06-14 2012-02-08 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有硬膜结构的铁素体不锈钢模具的制备方法
CN102825135A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有自润滑涂层的铁素体不锈钢冲压模具
CN102389922A (zh) * 2011-06-16 2012-03-28 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有自润滑涂层的镍基超耐热合金冲压模具
JP5490192B2 (ja) * 2011-12-28 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波加熱処理装置および処理方法
CN103199215B (zh) * 2012-01-05 2016-12-21 三星Sdi株式会社 热处理设备
AU2013212461B2 (en) * 2012-01-27 2017-05-25 N/C Quest Inc. Carbon nanotube production method to stimulate soil microorganisms and plant growth produced from the emissions of internal combustion
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
CA2879076C (en) 2012-07-13 2020-11-10 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Torches and methods of using them
CN102961787B (zh) * 2012-12-13 2015-06-03 北京大学 一种全降解心血管支架用铁基复合材料及其制备方法
US9374853B2 (en) 2013-02-08 2016-06-21 Letourneau University Method for joining two dissimilar materials and a microwave system for accomplishing the same
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
US9793095B2 (en) 2013-03-14 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Microwave surface-wave plasma device
US9505503B2 (en) * 2013-03-27 2016-11-29 Lockheed Martin Corporation Reactants sprayed into plasma flow for rocket propulsion
US9934974B2 (en) 2013-06-19 2018-04-03 Tokyo Electron Limited Microwave plasma device
US9512766B2 (en) 2013-08-16 2016-12-06 Ford Global Technologies, Llc Multi-cell structure for automotive catalyst support
CN103495730B (zh) * 2013-10-12 2015-06-10 宝鸡正微金属科技有限公司 真空等离子粉末冶金烧结工艺
US10424462B2 (en) 2013-11-06 2019-09-24 Tokyo Electron Limited Multi-cell resonator microwave surface-wave plasma apparatus
CN103647095B (zh) * 2013-11-20 2016-01-20 江苏大学 一种激光-碱性燃料电池
CN104649247A (zh) * 2013-11-22 2015-05-27 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法
WO2015200432A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-30 Meacham Kirby G B Variable compression connecting rod
CN104176949A (zh) * 2014-08-18 2014-12-03 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 一种高红外吸收的玻璃纤维的制备方法
AU2015376829B2 (en) * 2015-01-12 2019-08-15 Guangdong Aisun Med-tech Co., Ltd. Plasma generating device and method for treatinig skin
US10153133B2 (en) * 2015-03-23 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
DE102015111555B3 (de) * 2015-07-16 2016-09-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur Behandlung von Materialien mit Mikrowellen
US10244613B2 (en) 2015-10-04 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation System and method for electrodeless plasma ignition in laser-sustained plasma light source
WO2017095972A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-08 The Board Of Regents For Oklahoma State University Microwave processing of thermoelectric materials and use of glass inclusions for improving the mechanical and thermoelectric properties
US10987735B2 (en) 2015-12-16 2021-04-27 6K Inc. Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures
ES2964898T3 (es) 2015-12-16 2024-04-10 6K Inc Metales deshidrogenados esferoidales y partículas de aleaciones metálicas
CA3011972A1 (en) * 2016-01-19 2017-07-27 Brilliant Light Power, Inc. Thermophotovoltaic electrical power generator
US9831066B1 (en) * 2016-05-27 2017-11-28 Mks Instruments, Inc. Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields
CN106435519A (zh) * 2016-09-18 2017-02-22 北京工业大学 一种提高cvd法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法
US9812295B1 (en) 2016-11-15 2017-11-07 Lyten, Inc. Microwave chemical processing
WO2018092160A1 (en) * 2016-11-17 2018-05-24 Gruppo Distribuzione Petroli S.R.L. Device for abatement of liquid, gaseous and/or solid pollutant substances of various kind, contained into the exhaust smokes, and process for treatment and abatement of such pollutant substances
CN106631086A (zh) * 2017-01-16 2017-05-10 青岛大学 一种多模烧结腔内微波焊接陶瓷材料的分析方法
CN106744676A (zh) * 2017-01-23 2017-05-31 上海朗研光电科技有限公司 辉光放电合成纳米粒子的装置及其合成方法
US9767992B1 (en) 2017-02-09 2017-09-19 Lyten, Inc. Microwave chemical processing reactor
US9997334B1 (en) 2017-02-09 2018-06-12 Lyten, Inc. Seedless particles with carbon allotropes
KR102507791B1 (ko) 2017-03-16 2023-03-08 라이텐, 인코포레이티드 탄소 및 엘라스토머 통합
US10920035B2 (en) 2017-03-16 2021-02-16 Lyten, Inc. Tuning deformation hysteresis in tires using graphene
CN106861912B (zh) * 2017-03-21 2018-08-17 哈尔滨工程大学 一种增强等离子体浓度提高除尘效率的装置及方法
US20180308661A1 (en) 2017-04-24 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with electrode filaments
CN107029645A (zh) * 2017-05-12 2017-08-11 武汉喜玛拉雅光电科技股份有限公司 一种连续微波合成装置及用其制备铂碳催化剂的方法
US10434490B2 (en) 2017-08-08 2019-10-08 H Quest Vanguard, Inc. Microwave-induced non-thermal plasma conversion of hydrocarbons
US9987611B1 (en) 2017-08-08 2018-06-05 H Quest Vanguard, Inc. Non-thermal plasma conversion of hydrocarbons
US11358869B2 (en) 2017-08-08 2022-06-14 H Quest Vanguard, Inc. Methods and systems for microwave assisted production of graphitic materials
US11358113B2 (en) 2017-08-08 2022-06-14 H Quest Vanguard, Inc. Non-thermal micro-plasma conversion of hydrocarbons
US20190061005A1 (en) * 2017-08-30 2019-02-28 General Electric Company High Quality Spherical Powders for Additive Manufacturing Processes Along With Methods of Their Formation
US11498466B2 (en) * 2017-11-15 2022-11-15 Nhk Spring Co., Ltd. Joined body and automobile seat frame
WO2019126196A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lyten, Inc. Structured composite materials
CN119044254A (zh) * 2018-01-04 2024-11-29 利腾股份有限公司 谐振气体传感器
EP3508334A1 (en) * 2018-01-08 2019-07-10 CL Schutzrechtsverwaltungs GmbH Apparatus for additively manufacturing of three-dimensional objects
WO2019143559A1 (en) 2018-01-16 2019-07-25 Lyten, Inc. Microwave transparent pressure barrier
ES2881679T3 (es) * 2018-06-14 2021-11-30 Fundacio Inst De Ciencies Fotòniques Un método y un sistema para autorreparar un objeto
EP3810358A1 (en) 2018-06-19 2021-04-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
CN109186216B (zh) * 2018-08-23 2023-08-22 绍兴市质量技术监督检测院 一种防泄漏的微波快速干燥装置
DE102018121897A1 (de) 2018-09-07 2020-03-12 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung mit einem silizium und stickstoff enthaltenden bereich und herstellungsverfahren
EP3488851A1 (en) * 2018-10-03 2019-05-29 AVM Biotechnology, LLC Immunoablative therapies
EP3671511B1 (en) 2018-12-19 2022-07-06 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG Communication system and method
KR102217086B1 (ko) * 2018-12-28 2021-02-18 금오공과대학교 산학협력단 자동차용 리어램프 사출 게이트 커팅 및 플라즈마 표면 처리 시스템
CN109570739B (zh) * 2019-02-12 2024-05-28 黄山学院 一种用于控制搅拌摩擦焊接变形的新装置
CN110289115B (zh) * 2019-02-22 2022-08-30 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种高强型硅橡胶基柔性中子屏蔽材料及其制备方法
US20200286757A1 (en) * 2019-03-08 2020-09-10 Dsgi Technologies, Inc. Apparatus for annealing semiconductor integrated circuit wafers
CN114007782A (zh) 2019-04-30 2022-02-01 6K有限公司 机械合金化的粉末原料
EP3962862A4 (en) 2019-04-30 2023-05-31 6K Inc. LITHIUM LANTHANE ZIRCONIUM OXIDE POWDER (LLZO)
US11158561B2 (en) * 2019-05-01 2021-10-26 Micron Technology, Inc. Memory device with low density thermal barrier
CN110064291B (zh) * 2019-05-07 2021-09-24 中冶华天工程技术有限公司 集成式低浓度恶臭废气处理装置
CN110557853B (zh) * 2019-07-18 2022-08-09 武汉纺织大学 能通电发热的高温烧结体的制造方法、产品及应用方法
CN112404713B (zh) * 2019-08-23 2022-10-14 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种oled激光焊接系统与温度控制方法
CN110385020B (zh) * 2019-09-02 2024-01-30 浙江大学城市学院 用于氮氧化物脱除的多针同轴式放电脱除方法及反应器
DE102019006499A1 (de) * 2019-09-16 2021-03-18 Albonair Gmbh Beheizte Einpritzdüse
CN110735691B (zh) * 2019-11-13 2021-07-30 燕山大学 一种基于等离子体的汽车尾气净化设备
ES2994209T3 (en) 2019-11-18 2025-01-20 6K Inc Unique feedstocks for spherical powders and methods of manufacturing
CN112899617B (zh) * 2019-12-04 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 形成耐等离子体涂层的方法、装置、零部件和等离子体处理装置
US11590568B2 (en) 2019-12-19 2023-02-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
CN111111391B (zh) * 2020-02-14 2025-04-22 成都智合芯电科技开发有限公司 一种基于微波的等离子炬
CN111219992A (zh) * 2020-03-19 2020-06-02 广东石井新材料有限公司 升降结构及氧枪系统
CN115335144B (zh) 2020-03-24 2024-12-17 埃芬科有限公司 用于稳定和辅助等离子体燃烧的纳米级陶瓷等离子体催化剂
CN111250916B (zh) * 2020-03-25 2021-06-29 荆门诺恒科技有限公司 一种航空发动机实验滑车的水戽斗组焊退火工装
CN111545148B (zh) * 2020-04-07 2022-06-07 华东交通大学 一种手性催化方法及其催化装置
CN111420834A (zh) * 2020-04-11 2020-07-17 张新旺 一种电缆半导电石墨涂敷设备
CN113539076B (zh) * 2020-04-20 2022-12-13 Oppo广东移动通信有限公司 终端设备及其折叠显示屏
CN111479375B (zh) * 2020-05-08 2022-12-02 高维等离子体源科技(孝感)有限公司 一种表面耦合诱导电离技术及其对应的等离子体与等离子体器件
US20230171870A1 (en) * 2020-05-09 2023-06-01 High-Dimensional Plasma Sources Technology (Xiaogan) Co., Ltd. Surface coupling induced ionization technique and its corresponding plasma and plasma devices
TWI755749B (zh) * 2020-06-08 2022-02-21 馬思正 内燃機降廢及節能設備
KR20230029836A (ko) 2020-06-25 2023-03-03 6케이 인크. 마이크로복합 합금 구조
KR102441127B1 (ko) * 2020-07-01 2022-09-07 한국핵융합에너지연구원 전도성 탄소 분말의 수분산성 향상 방법 및 전도성 탄소 분말의 콜로이드 용액 제조 방법
CN111850489B (zh) * 2020-07-29 2023-01-24 江苏集萃先进金属材料研究所有限公司 靶材中间料及其形成方法和实现该形成方法的装置
CN111992161A (zh) * 2020-09-04 2020-11-27 江西科技学院 用于铜矿渣污染物的光催化降解装置及其使用方法
KR102811425B1 (ko) 2020-09-24 2025-05-26 6케이 인크. 플라즈마를 개시하기 위한 시스템, 디바이스 및 방법
CN112383997B (zh) * 2020-10-05 2024-10-25 四川大学 一种大功率微波等离子体煤粉裂解装置
AT523841B1 (de) * 2020-10-19 2021-12-15 Omicron Electronics Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Entgasen einer Einrichtung und entsprechendes Prüfsystem zur Gasanalyse
CN112196645B (zh) * 2020-10-27 2024-07-26 武汉洛特福动力技术有限公司 一种筒式锥管旋流混合器
WO2022094528A1 (en) 2020-10-30 2022-05-05 6K Inc. Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders
CN112675648B (zh) * 2020-12-02 2022-04-15 杨振华 一种节能型空气净化设备及其使用方法
CN112594031B (zh) * 2020-12-08 2024-05-28 上研动力科技江苏有限公司 一种带有烟气处理及二次利用装置的柴油机
CN112759408B (zh) * 2021-01-04 2022-12-23 苏州第一元素纳米技术有限公司 碳化硼陶瓷及其制备方法与应用
AU2022206483A1 (en) 2021-01-11 2023-08-31 6K Inc. Methods and systems for reclamation of li-ion cathode materials using microwave plasma processing
CN112985064A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 陕西翼飞航智能科技有限公司 基于等离子体热风炉的烧结装置及烧结方法
EP4313449A1 (en) 2021-03-31 2024-02-07 6K Inc. Systems and methods for additive manufacturing of metal nitride ceramics
CN113218190B (zh) * 2021-04-01 2022-09-27 青海湘和有色金属有限责任公司 一种富氧侧吹炉稳定供氧装置及其使用方法
CN112996209B (zh) * 2021-05-07 2021-08-10 四川大学 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构
CN113244866B (zh) * 2021-05-14 2022-05-06 昆明理工大学 一种微波辅助气体催化合成轻烃的装置及其方法
US12226765B2 (en) 2021-05-17 2025-02-18 H Quest Vanguard, Inc. Microwave assisted fluidized bed reactor
CN113245901B (zh) * 2021-06-28 2022-03-04 浙江重力智能装备有限公司 一种数控机床用冷却液清理装置
CN114234239A (zh) * 2021-12-13 2022-03-25 哈尔滨工业大学 一种基于金属基颗粒与微波协同的燃烧系统及方法
CN114199032B (zh) * 2021-12-21 2023-11-28 清华大学深圳国际研究生院 等离子体辅助陶瓷烧结装置和陶瓷烧结方法
CN114543523B (zh) * 2022-01-19 2023-10-24 福建华清电子材料科技有限公司 精准控制氮气供应的氮化铝粉末制备石墨炉
CN114873561A (zh) * 2022-05-12 2022-08-09 哈尔滨工业大学 一种变催化剂粒径的填充床式重整制氢反应器及反应方法
US12261023B2 (en) 2022-05-23 2025-03-25 6K Inc. Microwave plasma apparatus and methods for processing materials using an interior liner
US12040162B2 (en) 2022-06-09 2024-07-16 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows
CN115121388A (zh) * 2022-08-09 2022-09-30 南木纳米科技(北京)有限公司 一种干法电池极片底涂机
CN115275507A (zh) * 2022-08-09 2022-11-01 南木纳米科技(北京)有限公司 一种干法隔膜涂布机
WO2024044498A1 (en) 2022-08-25 2024-02-29 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing a powder ingress preventor (pip)
US12195338B2 (en) 2022-12-15 2025-01-14 6K Inc. Systems, methods, and device for pyrolysis of methane in a microwave plasma for hydrogen and structured carbon powder production
CN116234137A (zh) * 2023-01-19 2023-06-06 安徽金屹能源发展有限公司 一种多模式微波等离子体发生装置
CN116219369B (zh) * 2023-03-09 2024-12-20 安徽光智科技有限公司 蒸发制备碳化硼薄膜的方法
CN116809053B (zh) * 2023-05-25 2025-07-11 浙江工业大学 一种等离子体增强抗氯性能的铈基催化剂改性方法
CN116609189B (zh) * 2023-07-21 2023-10-20 镇江华浩通信器材有限公司 一种射频同轴电缆连接器快速检测装置
CN119328307B (zh) * 2024-12-20 2025-04-15 广东东博智能装备股份有限公司 一种钢壳电池多轴联动激光壳盖焊接设备
CN119973330B (zh) * 2025-01-24 2025-11-14 南京航空航天大学 一种采用脉冲直流与感应涡流循环加载辅助扩散连接制备复杂空心结构的方法及装置
CN120740318B (zh) * 2025-08-29 2025-11-04 福建福碳新材料科技有限公司 一种半导体级高导热石墨材料生产反应炉

Family Cites Families (326)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU432371B2 (en) * 1967-07-13 1973-02-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Plasma sintering
US3612686A (en) 1968-01-03 1971-10-12 Iit Res Inst Method and apparatus for gas analysis utilizing a direct current discharge
US3731047A (en) * 1971-12-06 1973-05-01 Mc Donnell Douglas Corp Plasma heating torch
US4004934A (en) * 1973-10-24 1977-01-25 General Electric Company Sintered dense silicon carbide
JPS5823349B2 (ja) * 1975-08-11 1983-05-14 新日本製鐵株式会社 タイカブツノシヨウケツホウホウ
JPS5378170A (en) * 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
US4025818A (en) 1976-04-20 1977-05-24 Hughes Aircraft Company Wire ion plasma electron gun
CA1080562A (en) * 1977-02-10 1980-07-01 Frederick D. King Method of and apparatus for manufacturing an optical fibre with plasma activated deposition in a tube
US4307277A (en) * 1978-08-03 1981-12-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave heating oven
US4213818A (en) 1979-01-04 1980-07-22 Signetics Corporation Selective plasma vapor etching process
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
US4230448A (en) 1979-05-14 1980-10-28 Combustion Electromagnetics, Inc. Burner combustion improvements
JPS5673539A (en) 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Surface treating apparatus of microwave plasma
FR2480552A1 (fr) 1980-04-10 1981-10-16 Anvar Generateur de plasmaŸ
US4404456A (en) 1981-03-26 1983-09-13 Cann Gordon L Micro-arc welding/brazing of metal to metal and metal to ceramic joints
JPS5825073A (ja) 1981-08-07 1983-02-15 Mitsubishi Electric Corp 無電極放電ランプ
US4479075A (en) 1981-12-03 1984-10-23 Elliott William G Capacitatively coupled plasma device
US4500564A (en) * 1982-02-01 1985-02-19 Agency Of Industrial Science & Technology Method for surface treatment by ion bombardment
US4504007A (en) * 1982-09-14 1985-03-12 International Business Machines Corporation Solder and braze fluxes and processes for using the same
FR2533397A2 (fr) 1982-09-16 1984-03-23 Anvar Perfectionnements aux torches a plasma
US4664937A (en) * 1982-09-24 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
JPS59103348A (ja) * 1982-12-06 1984-06-14 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体装置の製造方法
JPS59169053A (ja) * 1983-03-16 1984-09-22 Toshiba Corp 無電極放電灯
JPS59169053U (ja) 1983-04-27 1984-11-12 富士電機株式会社 複合パワ−トランジスタ装置
DD222348A1 (de) 1983-12-27 1985-05-15 Erste Maschinenfabrik K Marx S Verfahren zur intensivierung des stoffueberganges bei thermisch-chemischen behandlungen von werkstoffen
US4504564A (en) * 1984-01-03 1985-03-12 Xerox Corporation Method for the preparation of photoconductive compositions
US4637895A (en) 1985-04-01 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material
US4666775A (en) 1985-04-01 1987-05-19 Kennecott Corporation Process for sintering extruded powder shapes
JPS62535A (ja) 1985-06-27 1987-01-06 Isuzu Motors Ltd 連続式プラズマ処理装置
US4624738A (en) 1985-07-12 1986-11-25 E. T. Plasma, Inc. Continuous gas plasma etching apparatus and method
US4687560A (en) 1985-08-16 1987-08-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of synthesizing a plurality of reactants and producing thin films of electro-optically active transition metal oxides
SE448297B (sv) 1985-09-27 1987-02-09 Stiftelsen Inst Mikrovags Forfarande och anordning for uppvermning av glasror
JPS6311580A (ja) 1986-06-30 1988-01-19 株式会社豊田中央研究所 セラミツクスの接合装置
US4767902A (en) 1986-09-24 1988-08-30 Questech Inc. Method and apparatus for the microwave joining of ceramic items
DE3632684A1 (de) 1986-09-26 1988-03-31 Philips Patentverwaltung Verfahren und vorrichtung zum innenbeschichten von rohren
JPH0689456B2 (ja) 1986-10-01 1994-11-09 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置
IT1213433B (it) 1986-12-23 1989-12-20 Eniricerche S P A Agip S P A Procedimento per oligomerizzare olefine leggere
US4919077A (en) 1986-12-27 1990-04-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor producing apparatus
US4792348A (en) 1987-03-02 1988-12-20 Powerplex Technologies, Inc. Method of forming glass bonded joint of beta-alumina
JPH0754759B2 (ja) 1987-04-27 1995-06-07 日本電信電話株式会社 プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器
US4883570A (en) 1987-06-08 1989-11-28 Research-Cottrell, Inc. Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electromagnetic waves
FR2616614B1 (fr) 1987-06-10 1989-10-20 Air Liquide Torche a plasma micro-onde, dispositif comportant une telle torche et procede pour la fabrication de poudre les mettant en oeuvre
JPH0623430B2 (ja) 1987-07-13 1994-03-30 株式会社半導体エネルギ−研究所 炭素作製方法
US4891488A (en) 1987-07-16 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4963709A (en) 1987-07-24 1990-10-16 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and device for microwave sintering large ceramic articles
EP0329338A3 (en) 1988-02-16 1990-08-01 Alcan International Limited Process and apparatus for heating bodies at high temperature and pressure utilizing microwave energy
US4893584A (en) 1988-03-29 1990-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus
JP2805009B2 (ja) * 1988-05-11 1998-09-30 株式会社日立製作所 プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置
DE3820237C1 (es) * 1988-06-14 1989-09-14 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De
DE3830249A1 (de) 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate
US5122431A (en) 1988-09-14 1992-06-16 Fujitsu Limited Thin film formation apparatus
US4877589A (en) * 1988-09-19 1989-10-31 Hare Louis R O Nitrogen fixation by electric arc and catalyst
US4956590A (en) 1988-10-06 1990-09-11 Techco Corporation Vehicular power steering system
US5015349A (en) * 1988-12-23 1991-05-14 University Of Connecticut Low power density microwave discharge plasma excitation energy induced chemical reactions
US5131993A (en) * 1988-12-23 1992-07-21 The Univeristy Of Connecticut Low power density plasma excitation microwave energy induced chemical reactions
JP2994652B2 (ja) 1989-01-26 1999-12-27 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置
US4888088A (en) 1989-03-06 1989-12-19 Tegal Corporation Ignitor for a microwave sustained plasma
US5103715A (en) * 1989-03-17 1992-04-14 Techco Corporation Power steering system
DE3912568A1 (de) 1989-04-17 1990-10-18 Siemens Ag Gas-laser, insbesondere co(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-laser
US5227695A (en) 1989-06-05 1993-07-13 Centre National De La Recherche Scientifique Device for coupling microwave energy with an exciter and for distributing it therealong for the purpose of producing a plasma
JPH0330288A (ja) * 1989-06-07 1991-02-08 Wolfgang Moshammer 含水物質などにマイクロ波エネルギーを放射して殺菌する方法と装置
US5114770A (en) 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
DE69030140T2 (de) * 1989-06-28 1997-09-04 Canon Kk Verfahren und Anordnung zur kontinuierlichen Bildung einer durch Mikrowellen-Plasma-CVD niedergeschlagenen grossflächigen Dünnschicht
US5130170A (en) 1989-06-28 1992-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation
JPH03193880A (ja) * 1989-08-03 1991-08-23 Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk 高圧力下でのマイクロ波プラズマｃｖｄによる高速成膜方法及びその装置
JPH03110798A (ja) 1989-09-25 1991-05-10 Ryohei Itaya マイクロ波プラズマ発生装置
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5277773A (en) * 1989-12-27 1994-01-11 Exxon Research & Engineering Co. Conversion of hydrocarbons using microwave radiation
EP0435591A3 (en) * 1989-12-27 1991-11-06 Exxon Research And Engineering Company Conversion of methane using microwave radiation
CA2031927A1 (en) 1989-12-27 1991-06-28 Imperial Oil Limited Method for improving the activity maintenance of a plasma initiator
US5023056A (en) * 1989-12-27 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Plasma generator utilizing dielectric member for carrying microwave energy
US5074112A (en) 1990-02-21 1991-12-24 Atomic Energy Of Canada Limited Microwave diesel scrubber assembly
KR910016054A (ko) 1990-02-23 1991-09-30 미다 가쓰시게 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법
US5164130A (en) 1990-04-20 1992-11-17 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method of sintering ceramic materials
US5120567A (en) * 1990-05-17 1992-06-09 General Electric Company Low frequency plasma spray method in which a stable plasma is created by operating a spray gun at less than 1 mhz in a mixture of argon and helium gas
JPH0462716A (ja) 1990-06-29 1992-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 結晶性炭素系薄膜およびその堆積方法
JPH0474858A (ja) 1990-07-16 1992-03-10 Asahi Chem Ind Co Ltd 窒化膜の製造方法
US5058527A (en) * 1990-07-24 1991-10-22 Ricoh Company, Ltd. Thin film forming apparatus
US5307892A (en) * 1990-08-03 1994-05-03 Techco Corporation Electronically controlled power steering system
US5072650A (en) 1990-08-03 1991-12-17 Techco Corporation Power steering system with improved stability
JPH0779102B2 (ja) * 1990-08-23 1995-08-23 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5085885A (en) * 1990-09-10 1992-02-04 University Of Delaware Plasma-induced, in-situ generation, transport and use or collection of reactive precursors
DE4029270C1 (es) * 1990-09-14 1992-04-09 Balzers Ag, Balzers, Li
JP2958086B2 (ja) * 1990-09-18 1999-10-06 奈良精機株式会社 注射針の熔融処理装置
JPH04144992A (ja) * 1990-10-01 1992-05-19 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
US5282338A (en) * 1990-10-12 1994-02-01 British Aerospace Public Limited Company Sealing structure
US5087272A (en) 1990-10-17 1992-02-11 Nixdorf Richard D Filter and means for regeneration thereof
JPH084103Y2 (ja) * 1990-10-24 1996-02-07 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ装置
JP2714247B2 (ja) 1990-10-29 1998-02-16 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
JP2994814B2 (ja) * 1990-11-09 1999-12-27 キヤノン株式会社 液晶装置
JP2824808B2 (ja) * 1990-11-16 1998-11-18 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置
AU649770B2 (en) 1991-01-25 1994-06-02 Societe Prolabo Apparatus for simultaneous treatment, in a moist medium, on a plurality of samples, and utilisation of the said apparatus
US5202541A (en) * 1991-01-28 1993-04-13 Alcan International Limited Microwave heating of workpieces
EP0502269A1 (en) 1991-03-06 1992-09-09 Hitachi, Ltd. Method of and system for microwave plasma treatments
US5397558A (en) * 1991-03-26 1995-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming diamond or diamond containing carbon film
CA2069386A1 (en) 1991-06-25 1992-12-26 Donald A. Rhoda Counterweight attachment technique
US5349154A (en) 1991-10-16 1994-09-20 Rockwell International Corporation Diamond growth by microwave generated plasma flame
US5223308A (en) * 1991-10-18 1993-06-29 Energy Conversion Devices, Inc. Low temperature plasma enhanced CVD process within tubular members
US5321223A (en) * 1991-10-23 1994-06-14 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method of sintering materials with microwave radiation
US5961871A (en) 1991-11-14 1999-10-05 Lockheed Martin Energy Research Corporation Variable frequency microwave heating apparatus
US5521360A (en) 1994-09-14 1996-05-28 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Apparatus and method for microwave processing of materials
US5311906A (en) * 1992-02-04 1994-05-17 Techco Corporation Preload mechanism for power steering apparatus
US5316043A (en) 1992-02-04 1994-05-31 Techco Corporation Preload mechanism for power steering apparatus
DE4204650C1 (es) * 1992-02-15 1993-07-08 Hoffmeister, Helmut, Dr., 4400 Muenster, De
WO1993018471A1 (fr) * 1992-03-06 1993-09-16 Omron Corporation Dispositif de traitement d'images, procede associe et appareil le mettant en ×uvre
US5222448A (en) * 1992-04-13 1993-06-29 Columbia Ventures Corporation Plasma torch furnace processing of spent potliner from aluminum smelters
US5366764A (en) * 1992-06-15 1994-11-22 Sunthankar Mandar B Environmentally safe methods and apparatus for depositing and/or reclaiming a metal or semi-conductor material using sublimation
US5330800A (en) * 1992-11-04 1994-07-19 Hughes Aircraft Company High impedance plasma ion implantation method and apparatus
US5800618A (en) 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
US5271963A (en) 1992-11-16 1993-12-21 Materials Research Corporation Elimination of low temperature ammonia salt in TiCl4 NH3 CVD reaction
JP2738251B2 (ja) * 1993-01-20 1998-04-08 松下電器産業株式会社 内燃機関用フィルタ再生装置
US5422322A (en) 1993-02-10 1995-06-06 The Stackpole Corporation Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same
US5307766A (en) * 1993-03-12 1994-05-03 Westinghouse Electric Corp. Temperature control of steam for boilers
US5370525A (en) 1993-03-22 1994-12-06 Blue Pacific Environments Corporation Microwave combustion enhancement device
US5449887A (en) 1993-03-25 1995-09-12 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Thermal insulation for high temperature microwave sintering operations and method thereof
WO1994022628A1 (fr) * 1993-04-05 1994-10-13 Seiko Epson Corporation Procede et appareil d'assemblage par brasage
US5938854A (en) 1993-05-28 1999-08-17 The University Of Tennessee Research Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
JP2803017B2 (ja) * 1993-06-07 1998-09-24 工業技術院長 抗血栓性医用材料及び医療用具並びにこれらの製造方法、製造装置及びプラズマ処理装置
JP2654903B2 (ja) 1993-06-11 1997-09-17 富士電波工業株式会社 マイクロ波焼結方法及びマイクロ波焼結炉
US5505275A (en) * 1993-09-09 1996-04-09 Techo Corporation Power steering system
WO1995004219A1 (en) 1993-07-29 1995-02-09 Techco Corp. Improved bootstrap power steering systems
US5435698A (en) 1993-07-29 1995-07-25 Techco Corporation Bootstrap power steering systems
US5755097A (en) 1993-07-29 1998-05-26 Techco Corporation Bootstrap power steering systems
US6342195B1 (en) * 1993-10-01 2002-01-29 The Penn State Research Foundation Method for synthesizing solids such as diamond and products produced thereby
US5479254A (en) 1993-10-22 1995-12-26 Woskov; Paul P. Continuous, real time microwave plasma element sensor
US5671045A (en) 1993-10-22 1997-09-23 Masachusetts Institute Of Technology Microwave plasma monitoring system for the elemental composition analysis of high temperature process streams
JPH07153405A (ja) 1993-11-30 1995-06-16 Nissin Electric Co Ltd プラズマ応用装置
ZA95482B (en) * 1994-01-31 1995-10-09 Atomic Energy South Africa Treatment of a chemical
JPH07245193A (ja) * 1994-03-02 1995-09-19 Nissin Electric Co Ltd プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
CA2124093C (en) 1994-03-31 2001-04-17 Prasad S. Apte Microwave sintering process
DE4423471A1 (de) 1994-07-05 1996-01-11 Buck Chem Tech Werke Vorrichtung zur Plasmabehandlung von feinkörnigen Gütern
GB9414561D0 (en) * 1994-07-19 1994-09-07 Ea Tech Ltd Method of and apparatus for microwave-plasma production
JPH0891951A (ja) * 1994-09-22 1996-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd アルミニウムと窒化ケイ素の接合体およびその製造方法
JP3339200B2 (ja) * 1994-09-28 2002-10-28 ソニー株式会社 プラズマ発生装置、プラズマ加工方法および薄膜トランジスタの製造方法
DE4443240A1 (de) 1994-11-24 1996-05-30 Gvu Mbh Verfahren zum chemischen Modifizieren von alkylgruppenhaltigen Feststoffen
JPH08217558A (ja) 1995-02-15 1996-08-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd セラミックス接合装置
US5536477A (en) * 1995-03-15 1996-07-16 Chang Yul Cha Pollution arrestor
JPH08281423A (ja) 1995-04-07 1996-10-29 Tamura Seisakusho Co Ltd フラックスレスはんだ付方法およびその装置
US5794113A (en) 1995-05-01 1998-08-11 The Regents Of The University Of California Simultaneous synthesis and densification by field-activated combustion
US5689949A (en) 1995-06-05 1997-11-25 Simmonds Precision Engine Systems, Inc. Ignition methods and apparatus using microwave energy
US5793013A (en) 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
JPH0917597A (ja) 1995-06-27 1997-01-17 Kao Corp プラズマ発生装置及び方法
SE504795C2 (sv) 1995-07-05 1997-04-28 Katator Ab Nätbaserad förbränningskatalysator och framställning av densamma
JP2970475B2 (ja) 1995-07-07 1999-11-02 日本電気株式会社 時分割スイッチ
JPH0927459A (ja) 1995-07-10 1997-01-28 Canon Inc 半導体素子の製造装置
US6139656A (en) 1995-07-10 2000-10-31 Ford Global Technologies, Inc. Electrochemical hardness modification of non-allotropic metal surfaces
JPH0927482A (ja) 1995-07-11 1997-01-28 Speedfam Co Ltd プラズマエッチング装置
JPH09102400A (ja) 1995-07-31 1997-04-15 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置
JP3041844B2 (ja) 1995-08-11 2000-05-15 住友電気工業株式会社 成膜又はエッチング装置
US6132550A (en) * 1995-08-11 2000-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatuses for desposition or etching
US5848348A (en) 1995-08-22 1998-12-08 Dennis; Mahlon Denton Method for fabrication and sintering composite inserts
US5980999A (en) * 1995-08-24 1999-11-09 Nagoya University Method of manufacturing thin film and method for performing precise working by radical control and apparatus for carrying out such methods
JP3062589B2 (ja) 1995-08-24 2000-07-10 名古屋大学長 ラジカル制御による薄膜形成方法
JPH0978240A (ja) 1995-09-12 1997-03-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬質炭素被膜形成装置及び硬質炭素被膜形成基板の製造方法
US6096389A (en) 1995-09-14 2000-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process
US5796080A (en) 1995-10-03 1998-08-18 Cem Corporation Microwave apparatus for controlling power levels in individual multiple cells
JP3102318B2 (ja) 1995-10-06 2000-10-23 住友金属工業株式会社 アルミナ製マイクロ波導入窓の製造方法
US5859404A (en) * 1995-10-12 1999-01-12 Hughes Electronics Corporation Method and apparatus for plasma processing a workpiece in an enveloping plasma
US5712000A (en) 1995-10-12 1998-01-27 Hughes Aircraft Company Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films
JP3150056B2 (ja) * 1995-10-19 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE19542352A1 (de) * 1995-11-14 1997-05-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Verbinden von Bauteilen aus keramischen Werkstoffen und von Metallen mit keramischen Werkstoffen
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
JP2702468B2 (ja) 1995-12-06 1998-01-21 株式会社日立製作所 複合セラミックスとその製法
GB9525543D0 (en) 1995-12-14 1996-02-14 Central Research Lab Ltd A single mode resonant cavity
US5847355A (en) * 1996-01-05 1998-12-08 California Institute Of Technology Plasma-assisted microwave processing of materials
JP2000503452A (ja) 1996-01-19 2000-03-21 ベリン―リュ．ビスキュイ．フランス マイクロ波を印加するための装置、特に金属支持体上で製品を調理するための装置
US6376021B1 (en) * 1996-02-12 2002-04-23 Polymer Alloys Llc Heat treatment of polyphenylene oxide-coated metal
JP3727705B2 (ja) 1996-02-15 2005-12-14 株式会社ブリヂストン マイクロ波プラズマ発生装置
JP2970520B2 (ja) 1996-02-19 1999-11-02 株式会社日立製作所 プラズマ発生装置及びプラズマ発生装置を用いた分析装置並びに質量分析装置
JP4252631B2 (ja) 1996-02-29 2009-04-08 和夫 杉山 はんだ接合用表面の清浄方法及び改質方法並びにはんだ付け方法
JP3485290B2 (ja) 1996-03-15 2004-01-13 和夫 杉山 物質表面の有機物の除去方法
JPH09266096A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法
AU729396B2 (en) * 1996-04-04 2001-02-01 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Apparatus and method for treating exhaust gas and pulse generator used therefor
DE19616776C1 (de) 1996-04-26 1997-09-18 Bayer Ag Verfahren zur Antifilz-Ausrüstung von Wollmaterial mit Hilfe einer Niedertemperatur-Plasmabehandlung
US5828338A (en) 1996-05-23 1998-10-27 Hughes Electronics Thyratron switched beam steering array
DE19622015A1 (de) 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
JP3895000B2 (ja) * 1996-06-06 2007-03-22 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 浸炭焼入焼戻方法及び装置
JPH1081971A (ja) * 1996-07-10 1998-03-31 Suzuki Motor Corp 高分子基材へのプラズマＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成方法及び装置
US6011248A (en) * 1996-07-26 2000-01-04 Dennis; Mahlon Denton Method and apparatus for fabrication and sintering composite inserts
JP3670452B2 (ja) * 1996-07-31 2005-07-13 株式会社東芝 磁場発生用コイルユニットおよびコイル巻装方法
US6038854A (en) * 1996-08-19 2000-03-21 The Regents Of The University Of California Plasma regenerated particulate trap and NOx reduction system
US5711147A (en) * 1996-08-19 1998-01-27 The Regents Of The University Of California Plasma-assisted catalytic reduction system
JPH1066948A (ja) 1996-08-27 1998-03-10 Sharp Corp 生ゴミ処理装置
JPH1081588A (ja) 1996-09-05 1998-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
JPH1087310A (ja) 1996-09-13 1998-04-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd フラーレンの製造方法及び装置
US6248206B1 (en) 1996-10-01 2001-06-19 Applied Materials Inc. Apparatus for sidewall profile control during an etch process
JP2001511937A (ja) * 1996-11-01 2001-08-14 エッチ． マイリー、ジョージ 慣性静電閉じ込め放電プラズマを用いるプラズマ・ジェット発生源
US5734501A (en) * 1996-11-01 1998-03-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Highly canted retroreflective cube corner article
US5715677A (en) 1996-11-13 1998-02-10 The Regents Of The University Of California Diesel NOx reduction by plasma-regenerated absorbend beds
FR2757082B1 (fr) 1996-12-13 1999-01-15 Air Liquide Procede d'epuration d'un gaz plasmagene et installation pour la mise en oeuvre d'un tel procede
AU5960698A (en) * 1997-01-17 1998-08-07 California Institute Of Technology Microwave technique for brazing materials
JP3022794B2 (ja) 1997-01-21 2000-03-21 ニチメン電子工研株式会社 ダイヤモンド様炭素薄膜堆積装置
US6189482B1 (en) * 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
JPH10216460A (ja) 1997-01-31 1998-08-18 Hitachi Ltd 電子ビームガス処理装置
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US6039834A (en) * 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US5998774A (en) 1997-03-07 1999-12-07 Industrial Microwave Systems, Inc. Electromagnetic exposure chamber for improved heating
DE19709673C2 (de) * 1997-03-11 2001-01-04 Heraeus Kulzer Gmbh & Co Kg Verfahren zur Behandlung von Oberflächen
US6287988B1 (en) 1997-03-18 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device
JPH10259420A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Nkk Corp 金属板酸化物の還元方法
JP2965935B2 (ja) 1997-03-31 1999-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ方法
US6054700A (en) 1997-04-10 2000-04-25 Nucon Systems Process and apparatus for joining thick-walled ceramic parts
JPH10294036A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Fuji Electric Co Ltd 回路遮断器の消弧装置
JPH10294306A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置のプラズマクリーニング方法
FR2762748B1 (fr) 1997-04-25 1999-06-11 Air Liquide Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface
US5952671A (en) * 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
JPH1131599A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置における予熱方法及びプラズマ処理装置
US5841237A (en) 1997-07-14 1998-11-24 Lockheed Martin Energy Research Corporation Production of large resonant plasma volumes in microwave electron cyclotron resonance ion sources
JPH1154773A (ja) * 1997-08-01 1999-02-26 Canon Inc 光起電力素子及びその製造方法
JPH11106947A (ja) 1997-09-29 1999-04-20 Nkk Corp 金属板の表面改質方法
US6284202B1 (en) 1997-10-03 2001-09-04 Cha Corporation Device for microwave removal of NOx from exhaust gas
CN1102087C (zh) * 1997-10-15 2003-02-26 东京电子株式会社 处理基片的等离子体处理系统和方法
US6122912A (en) 1997-10-16 2000-09-26 Techco Corporation Electro-hydraulic power steering systems having improved efficiency
US5868670A (en) * 1997-11-03 1999-02-09 Werner A. Randell, Sr. Article of manufacture for a biomedical electrode and indicator
JP3266076B2 (ja) 1997-11-04 2002-03-18 日本電気株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置及びその実施に使用する対向電極
JP4054123B2 (ja) 1997-11-20 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ成膜方法
US6183689B1 (en) * 1997-11-25 2001-02-06 Penn State Research Foundation Process for sintering powder metal components
CN1078264C (zh) * 1997-12-11 2002-01-23 中国科学院物理研究所 微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
JPH11186222A (ja) 1997-12-24 1999-07-09 Sony Corp Ｅｃｒエッチング装置
US6028393A (en) * 1998-01-22 2000-02-22 Energy Conversion Devices, Inc. E-beam/microwave gas jet PECVD method and apparatus for depositing and/or surface modification of thin film materials
US20020034461A1 (en) 1998-01-29 2002-03-21 Segal David Leslie Plasma assisted processing of gas
JPH11228290A (ja) 1998-02-03 1999-08-24 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したダイヤモンド成長装置
US6892669B2 (en) * 1998-02-26 2005-05-17 Anelva Corporation CVD apparatus
JPH11273895A (ja) 1998-03-24 1999-10-08 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
DE19814812C2 (de) * 1998-04-02 2000-05-11 Mut Mikrowellen Umwelt Technol Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender
JPH11297266A (ja) 1998-04-13 1999-10-29 Hitachi Ltd 質量分析計およびイオン源
US6228773B1 (en) 1998-04-14 2001-05-08 Matrix Integrated Systems, Inc. Synchronous multiplexed near zero overhead architecture for vacuum processes
JP4037956B2 (ja) * 1998-04-28 2008-01-23 東海カーボン株式会社 チャンバー内壁保護部材
US6214372B1 (en) * 1998-05-04 2001-04-10 Con Lin Co., Inc. Method of using isomer enriched conjugated linoleic acid compositions
US6368678B1 (en) 1998-05-13 2002-04-09 Terry Bluck Plasma processing system and method
JP4014300B2 (ja) 1998-06-19 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6152254A (en) 1998-06-23 2000-11-28 Techco Corporation Feedback and servo control for electric power steering system with hydraulic transmission
JP2000012526A (ja) 1998-06-25 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2000021871A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JP4024389B2 (ja) * 1998-07-14 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CA2338230A1 (en) * 1998-07-21 2000-02-03 Edward H. Phillips Feedback and servo control for electric power steering systems
JP2991192B1 (ja) * 1998-07-23 1999-12-20 日本電気株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6362449B1 (en) 1998-08-12 2002-03-26 Massachusetts Institute Of Technology Very high power microwave-induced plasma
JP3293564B2 (ja) * 1998-08-20 2002-06-17 株式会社村田製作所 電子デバイスの作製方法
US6204606B1 (en) * 1998-10-01 2001-03-20 The University Of Tennessee Research Corporation Slotted waveguide structure for generating plasma discharges
TW383500B (en) * 1998-10-03 2000-03-01 United Semiconductor Corp Manufacturing method for lower electrode of capacitor using hemisphere grain polysilicon
DE19847848C1 (de) * 1998-10-16 2000-05-11 R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic Vorrichtung und Erzeugung angeregter/ionisierter Teilchen in einem Plasma
JP2000173989A (ja) 1998-12-01 2000-06-23 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
US6329628B1 (en) 1998-12-10 2001-12-11 Polytechnic University Methods and apparatus for generating a plasma torch
JP2000203990A (ja) 1999-01-19 2000-07-25 Japan Science & Technology Corp プラズマスパッタリングによる結晶薄膜の低温成長法
US6575264B2 (en) 1999-01-29 2003-06-10 Dana Corporation Precision electro-hydraulic actuator positioning system
US6186090B1 (en) * 1999-03-04 2001-02-13 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor
JP2000269182A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体デバイスの製造方法及び製造装置
US6237526B1 (en) * 1999-03-26 2001-05-29 Tokyo Electron Limited Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
JP2000288382A (ja) 1999-04-09 2000-10-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ハロゲン化合物の分解装置
WO2000061283A1 (en) 1999-04-09 2000-10-19 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Device for decomposing organic halogen compound and fluid heating device
JP2000306884A (ja) 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4214613B2 (ja) 1999-04-27 2009-01-28 日本ゼオン株式会社 静電荷像現像用現像剤
JP2000310874A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Nippon Zeon Co Ltd 静電荷像現像用現像剤
SE516722C2 (sv) * 1999-04-28 2002-02-19 Hana Barankova Förfarande och apparat för plasmabehandling av gas
DE10145297A1 (de) 2001-09-14 2003-04-10 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Einätzen von Strukturen in einen Ätzkörper mit einem Plasma
JP2000348897A (ja) 1999-05-31 2000-12-15 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JP2000348898A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Nisshin:Kk 表面波励起プラズマの生成方法
JP2000349081A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Sony Corp 酸化膜形成方法
DE19928876A1 (de) 1999-06-24 2000-12-28 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer durch Mikrowellenanregung
JP2001013719A (ja) 1999-07-02 2001-01-19 Nippon Zeon Co Ltd 静電荷像現像用現像剤
US6149985A (en) 1999-07-07 2000-11-21 Eastman Kodak Company High-efficiency plasma treatment of imaging supports
FR2797372B1 (fr) * 1999-08-04 2002-10-25 Metal Process Procede de production de plasmas elementaires en vue de creer un plasma uniforme pour une surface d'utilisation et dispositif de production d'un tel plasma
JP2001053069A (ja) 1999-08-10 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法とプラズマ処理装置
DE19943064B4 (de) 1999-09-09 2013-01-31 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur epitaktischen Abscheidung von Atomen oder Molekülen aus einem Reaktivgas auf einer Abscheidungsoberfläche eines Substrats
JP3471263B2 (ja) * 1999-09-22 2003-12-02 株式会社東芝 冷陰極電子放出素子及びその製造方法
JP2001093871A (ja) 1999-09-24 2001-04-06 Tadahiro Omi プラズマ加工装置、製造工程およびそのデバイス
AU8027800A (en) * 1999-10-18 2001-04-30 Penn State Research Foundation, The Microwave processing in pure h fields and pure e fields
EP1102299A1 (en) * 1999-11-05 2001-05-23 Iljin Nanotech Co., Ltd. Field emission display device using vertically-aligned carbon nanotubes and manufacturing method thereof
DE29920122U1 (de) 1999-11-16 2000-03-23 TRW Fahrwerksysteme GmbH & Co KG, 40547 Düsseldorf Elektro-hydraulisches Lenksystem
JP2001149771A (ja) * 1999-11-30 2001-06-05 Japan Organo Co Ltd マイクロ波プラズマ装置
JP2001149754A (ja) 1999-11-30 2001-06-05 Japan Organo Co Ltd 揮発性有機物質を含む排ガスの処理方法および処理装置
JP2001149918A (ja) 1999-11-30 2001-06-05 Japan Organo Co Ltd 揮発性有機物質を含む排水の処理装置および処理方法
JP2000323463A (ja) 2000-01-01 2000-11-24 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
JP2000317303A (ja) 2000-01-01 2000-11-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法
JP2000306901A (ja) 2000-01-01 2000-11-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2001196420A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
US6372192B1 (en) 2000-01-28 2002-04-16 Ut-Battelle, Inc. Carbon fiber manufacturing via plasma technology
DE10005146A1 (de) 2000-02-04 2001-08-09 Widia Gmbh Vorrichtung zur Einstellung einer Mikrowellen-Energiedichteverteilung in einem Applikator und Verwendung dieser Vorrichtung
US20010027023A1 (en) 2000-02-15 2001-10-04 Shigenori Ishihara Organic substance removing methods, methods of producing semiconductor device, and organic substance removing apparatuses
JP3595233B2 (ja) 2000-02-16 2004-12-02 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 電子放出源及びその製造方法
US6367412B1 (en) * 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Porous ceramic liner for a plasma source
DE10009569C2 (de) * 2000-02-29 2003-03-27 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Glaskörpern mittels Mikrowellenerwärmung
US6345497B1 (en) * 2000-03-02 2002-02-12 The Regents Of The University Of California NOx reduction by electron beam-produced nitrogen atom injection
JP2001257097A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Toshiba Corp プラズマ発生装置
JP3439423B2 (ja) 2000-04-11 2003-08-25 オーエスジー株式会社 ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法
JP2001303252A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Ebara Corp 物質生成方法及びその装置
KR20020093071A (ko) * 2000-04-26 2002-12-12 코넬 리서치 화운데이션,인크. 향상된 작동개시 필드를 위하여 파이버를 이용하는 램프
KR100341407B1 (ko) * 2000-05-01 2002-06-22 윤덕용 플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법
WO2001085612A2 (en) * 2000-05-11 2001-11-15 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Process for preparing carbon nanotubes
JP3897516B2 (ja) 2000-05-23 2007-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 レジストアッシング方法
JP2001351915A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Univ Nagoya Ｔａ１−ＸＴｉＸＯ混成誘電体薄膜の製造方法及びＴａ１−ＸＴｉＸＯ混成誘電体薄膜
JP4523118B2 (ja) * 2000-06-14 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2001357999A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Yoshihiko Otsuki プラズマ発生装置
JP2002025425A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Ltd 電子エミッターとその製造法および電子線装置
JP2002022135A (ja) 2000-07-10 2002-01-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 廃油の燃焼方法およびその装置
JP2002028487A (ja) 2000-07-18 2002-01-29 Nippon Corrosion Engineering Co Ltd 原子状酸素発生用触媒、その製造方法及び原子状酸素を発生させる方法
JP3908898B2 (ja) 2000-08-25 2007-04-25 株式会社神戸製鋼所 炭素系材料のエッチング方法
JP3463091B2 (ja) 2000-08-29 2003-11-05 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブの製造方法
DE10047696A1 (de) 2000-09-25 2002-04-18 Dilthey Ulrich Plasma-Pluspolbrenner für hohe Leistungsbereiche
WO2002032831A1 (en) 2000-10-19 2002-04-25 Japan As Represented By Director-General Of National Institute For Fusion Science Burning furnace, burnt body producing method, and burnt body
JP2002126502A (ja) 2000-10-20 2002-05-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ハロゲン化合物分解装置用放電管の気密支持装置
JP3865289B2 (ja) * 2000-11-22 2007-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 マイクロ波によるプラズマ発生装置
US20020124867A1 (en) 2001-01-08 2002-09-12 Apl Co., Ltd. Apparatus and method for surface cleaning using plasma
AU2002237870A1 (en) 2001-01-17 2002-07-30 The Penn State Research Foundation Microwave processing using highly microwave absorbing powdered material layers
US7591957B2 (en) 2001-01-30 2009-09-22 Rapt Industries, Inc. Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification
DE10104614A1 (de) 2001-02-02 2002-08-22 Bosch Gmbh Robert Plasmaanlage und Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung
DE10104615A1 (de) 2001-02-02 2002-08-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung mit einer HF-ICP-Plasmastrahlquelle
DE10104613A1 (de) 2001-02-02 2002-08-22 Bosch Gmbh Robert Plasmaanlage und Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung
DE10104611A1 (de) 2001-02-02 2002-08-14 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur keramikartigen Beschichtung eines Substrates
DE10108717C1 (de) 2001-02-23 2002-07-11 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zur Entladung von dielektrischen Oberflächen
JP2002280196A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
JP2002273168A (ja) 2001-03-15 2002-09-24 Alpha Tekku:Kk 除害装置及び除害方法
JP2002273161A (ja) 2001-03-16 2002-09-24 Mitsubishi Electric Corp 窒素酸化物分解方法および装置
US6503846B1 (en) 2001-06-20 2003-01-07 Texas Instruments Incorporated Temperature spike for uniform nitridization of ultra-thin silicon dioxide layers in transistor gates
DE10141696A1 (de) 2001-08-25 2003-03-13 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Erzeugung einer nanostruktuierten Funktionsbeschichtung und damit herstellbare Beschichtung
JP2003075077A (ja) 2001-09-05 2003-03-12 Natl Inst For Fusion Science マイクロ波焼成炉およびマイクロ波焼成方法
JP3687902B2 (ja) 2001-09-05 2005-08-24 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 連続焼成炉及びそれを用いた焼成体の製造方法
US6897615B2 (en) 2001-11-01 2005-05-24 Axcelis Technologies, Inc. Plasma process and apparatus
JP3571711B2 (ja) 2001-12-28 2004-09-29 美濃窯業株式会社 電磁波連続焼成炉、電磁波漏洩防止装置、及び電磁波を使用した焼成体の連続焼成方法
JP2005526359A (ja) 2002-05-08 2005-09-02 ダナ・コーポレーション 製造ラインにおけるプラズマ支援処理方法及び処理装置
WO2003096766A1 (en) 2002-05-08 2003-11-20 Dana Corporation Plasma control using phase and/or frequency of multiple radiation sources
US7097782B2 (en) 2002-11-12 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Method of exposing a substrate to a surface microwave plasma, etching method, deposition method, surface microwave plasma generating apparatus, semiconductor substrate etching apparatus, semiconductor substrate deposition apparatus, and microwave plasma generating antenna assembly
DE10256257A1 (de) 2002-12-03 2004-06-24 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Beschichtung auf einem Substrat
EP1579023A4 (en) 2002-12-04 2009-07-22 Btu Int PLASMA ASSISTED FUSION
US7189940B2 (en) 2002-12-04 2007-03-13 Btu International Inc. Plasma-assisted melting

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