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WO2024029609A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2024029609A1
WO2024029609A1 PCT/JP2023/028485 JP2023028485W WO2024029609A1 WO 2024029609 A1 WO2024029609 A1 WO 2024029609A1 JP 2023028485 W JP2023028485 W JP 2023028485W WO 2024029609 A1 WO2024029609 A1 WO 2024029609A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
electrode fingers
main surface
piezoelectric layer
bus bar
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Ceased
Application number
PCT/JP2023/028485
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English (en)
French (fr)
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直弘 野竹
翔 永友
昌和 三村
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to US18/980,079 priority patent/US20250112618A1/en
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    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • the elastic wave device is, for example, an elastic wave resonator, and is used, for example, in a ladder type filter.
  • a ladder filter In order to obtain good characteristics in a ladder filter, it is necessary to increase the capacitance ratio between the plurality of elastic wave resonators. In this case, it is necessary to increase the capacitance of some of the elastic wave resonators in the ladder filter.
  • This configuration is a configuration in which an electrode connected to a reference potential is arranged between an electrode connected to an input potential and an electrode connected to an output potential.
  • the present inventors discovered that in the above configuration, there are large restrictions on the layout of the electrodes connected to the reference potential, and that the width of the electrodes tends to be narrow and the length of the electrodes to be routed tends to become long. I also found that. In this case, the electrical resistance of the electrode connected to the reference potential tends to increase, and the potential of the electrode tends to become unstable. Therefore, when used in a filter device, the filter characteristics of the filter device may deteriorate.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can advance the miniaturization of a filter device and lower the electrical resistance of wiring connected to a reference potential.
  • a piezoelectric layer has a first main surface and a second main surface facing each other, and a support layer is laminated on the second main surface of the piezoelectric layer.
  • a piezoelectric substrate including a member, a first bus bar provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and a plurality of first electrodes each having one end connected to the first bus bar.
  • a first comb-shaped electrode having a finger and connected to an input potential; a first comb-shaped electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer; a second comb-shaped electrode connected to an output potential and having a plurality of second electrode fingers interposed with the plurality of first electrode fingers; and a second comb-shaped electrode connected to the output potential; and a plurality of third electrode fingers provided on the first main surface of the piezoelectric layer so as to be aligned with the first electrode fingers and the second electrode fingers in the direction in which the second electrode fingers are aligned. a plurality of connection electrodes respectively connected to the plurality of third electrode fingers; and a third electrode finger electrically connected to the plurality of third electrode fingers by the plurality of connection electrodes.
  • the first electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are arranged in the order in which they are arranged.
  • the order is such that the first electrode finger, the third electrode finger, the second electrode finger and the third electrode finger constitute one cycle
  • the A third bus bar is provided to face the plurality of third electrode fingers with at least the piezoelectric layer in between, and the plurality of connection electrodes penetrate at least the piezoelectric layer so that The bus bar No. 3 is connected to the plurality of third electrode fingers.
  • a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, and the first main surface of the piezoelectric layer.
  • a first comb-shaped electrode which is provided in the first bus bar and has a plurality of first electrode fingers each having one end connected to the first bus bar, and is connected to an input potential; It is provided on the first main surface of the piezoelectric layer, has one end connected to a second bus bar, and is intercalated with the plurality of first electrode fingers.
  • a second comb-shaped electrode having a plurality of second electrode fingers and connected to an output potential; a plurality of third electrode fingers provided on the first main surface of the piezoelectric layer so as to line up with the second electrode fingers; and connected to the plurality of third electrode fingers, respectively.
  • a reference potential electrode having a plurality of connection electrodes and a third bus bar electrically connected to the plurality of third electrode fingers by the plurality of connection electrodes, and connected to a reference potential; a support provided on the piezoelectric substrate; a third main surface provided on the support and located on the piezoelectric substrate side; and a third main surface facing the third main surface.
  • a lid member having a fourth main surface, and the order in which the first electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are arranged is from the first electrode finger to the third electrode finger.
  • the first electrode finger, the third electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger constitute one cycle, and the third bus bar is connected to the plurality of electrode fingers.
  • the third bus bar is provided on the third main surface of the lid member so as to face the third electrode fingers, and the plurality of connection electrodes are provided on at least the plurality of third electrode fingers. , the third bus bar and the plurality of third electrode fingers are connected.
  • a piezoelectric substrate in yet another broad aspect of the acoustic wave device according to the present invention, includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, and the first main surface of the piezoelectric layer.
  • a first comb-shaped electrode provided on the surface, having a first bus bar and a plurality of first electrode fingers each having one end connected to the first bus bar, and connected to an input potential; , is provided on the first main surface of the piezoelectric layer, has one end connected to a second bus bar, and is interposed with the plurality of first electrode fingers.
  • a second comb-shaped electrode connected to an output potential, and a plurality of second electrode fingers connected to the output potential; and a plurality of third electrode fingers provided on the first main surface of the piezoelectric layer so as to be aligned with the second electrode fingers, and connected to the plurality of third electrode fingers, respectively.
  • a third bus bar electrically connected to the plurality of third electrode fingers by the plurality of connection electrodes, and connected to a reference potential; , a plurality of conductive bonding members provided on the piezoelectric substrate, and a fifth main body that is bonded to the piezoelectric substrate by the plurality of conductive bonding members and located on the piezoelectric substrate side; and a mounting board having a sixth main surface facing the fifth main surface, the first electrode finger, the second electrode finger and the third electrode When the order in which the fingers are lined up starts from the first electrode finger, the first electrode finger, the third electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are arranged in one cycle.
  • the third bus bar is provided on the fifth main surface of the mounting board so as to face the plurality of third electrode fingers, and the plurality of connection electrodes are It is provided on at least the plurality of third electrode fingers, and connects the third bus bar and the plurality of third electrode fingers.
  • an acoustic wave device in which the size of the filter device can be reduced and the electrical resistance of the wiring connected to the reference potential can be lowered.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the elastic wave device of the first reference example.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the elastic wave device of the second reference example.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view showing the vicinity of a portion where the first electrode finger is covered with an insulating film in the second reference example.
  • FIG. 9 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a portion corresponding to the cross section taken along line II-II in FIG. 2 in a modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view showing an enlarged part of the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing the electrode configuration on the first main surface of the piezoelectric layer in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic front sectional view showing an enlarged part of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 16(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 16(a).
  • FIG. 18(a) is a schematic front sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric film of an acoustic wave device
  • FIG. 18(b) is a thickness slip that propagates through the piezoelectric film in the acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining a mode of bulk waves.
  • FIG. 19 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness shear mode.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating the resonance characteristics of an elastic wave device that uses bulk waves in thickness-shear mode.
  • FIG. 21 is a diagram showing the relationship between d/p and the fractional band of a resonator, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes, and d is the thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 22 is a plan view of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 23 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device of the reference example in which spurious signals appear.
  • FIG. 24 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 25 is a diagram showing the relationship between d/2p and metallization ratio MR.
  • FIG. 26 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 27 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • FIG. 28 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that uses Lamb waves.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG. In FIG. 2, each electrode is shown with hatching.
  • a reference potential symbol schematically indicates that a reference potential electrode, which will be described later, is connected to the reference potential.
  • electrodes may be hatched and reference potential symbols may be used.
  • the elastic wave device 10 shown in FIG. 1 is configured to be able to utilize a thickness shear mode.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. The configuration of the elastic wave device 10 will be explained below.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric substrate 12 and a functional electrode 11.
  • Piezoelectric substrate 12 has support member 13 and piezoelectric layer 14 .
  • the support member 13 includes a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • An insulating layer 15 is provided on the support substrate 16.
  • a piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15.
  • the support member 13 may be composed only of the support substrate 16. Note that the support member 13 does not necessarily have to be provided.
  • the piezoelectric layer 14 has a first main surface 14a and a second main surface 14b.
  • the first main surface 14a and the second main surface 14b are opposed to each other.
  • the second main surface 14b is located on the support member 13 side.
  • the functional electrode 11 has a pair of comb-shaped electrodes and a reference potential electrode 19.
  • Reference potential electrode 19 is connected to a reference potential.
  • the pair of comb-shaped electrodes is a first comb-shaped electrode 17 and a second comb-shaped electrode 18.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to an input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential.
  • the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first comb-shaped electrode 17 includes a first bus bar 22 and a plurality of first electrode fingers 25 . One end of each of the plurality of first electrode fingers 25 is connected to the first bus bar 22 .
  • the second comb-shaped electrode 18 includes a second bus bar 23 and a plurality of second electrode fingers 26 . One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the second bus bar 23 .
  • the first bus bar 22 and the second bus bar 23 face each other.
  • the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 26 are inserted into each other.
  • the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are arranged alternately in a direction perpendicular to the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 extend.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 2.
  • the reference potential electrode 19 has a third bus bar 24, a plurality of third electrode fingers 27, and a plurality of connection electrodes 28.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the plurality of third electrode fingers 27 extend parallel to the plurality of first electrode fingers 25.
  • the direction in which the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 extend is referred to as the electrode finger extension direction
  • the direction orthogonal to the electrode finger extension direction is referred to as the electrode finger orthogonal direction.
  • the third bus bar 24 is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the third bus bar 24 extends in a direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the third bus bar 24 is provided to face the plurality of third electrode fingers 27 with the piezoelectric layer 14 in between.
  • the direction in which the third bus bar 24 extends is not limited to the above.
  • connection electrodes 28 are provided so as to penetrate the piezoelectric layer 14.
  • One connection electrode 28 connects one third electrode finger 27 and third bus bar 24 . That is, the plurality of third electrode fingers 27 are electrically connected to the third bus bar 24 via the plurality of connection electrodes 28.
  • the third bus bar 24 may be provided so as to face the plurality of third electrode fingers 27 with at least the piezoelectric layer 14 in between.
  • the third bus bar 24 may face the plurality of third electrode fingers 27 with the piezoelectric layer 14 and other layers in between.
  • the plurality of connection electrodes 28 may connect the third bus bar 24 and the plurality of third electrode fingers 27 by penetrating at least the piezoelectric layer 14 of the piezoelectric substrate 12 .
  • the third electrode fingers 27 are provided between the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26. Therefore, in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are lined up, the first electrode fingers 25, the second electrode fingers 26, and the third electrode fingers 27 are lined up.
  • the electrode finger arrangement direction is a direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be collectively referred to simply as an electrode finger.
  • FIG. 4 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment. Note that FIG. 4 shows a cross section where the connection electrode 28 shown in FIG. 3 is not located. The same applies to the portion shown in FIG. 1 above.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is as follows: starting from the first electrode finger 25, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, etc. and the third electrode finger 27 constitutes one period. Therefore, the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is: first electrode finger 25, third electrode finger 27, second electrode finger 26, third electrode finger 27, first electrode finger 25, third electrode finger. The second electrode finger 27, the second electrode finger 26, and so on.
  • the electrode finger at the end in the direction orthogonal to the electrode finger may be any type of electrode finger among the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. good.
  • the second electrode fingers 26 are electrode fingers located at both ends in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the elastic wave device 10 has a plurality of terminals that are electrically connected to the outside. In this embodiment, these terminals are configured as electrode pads. Each comb-shaped electrode and reference potential electrode 19 are electrically connected to these terminals via appropriate wiring. The first comb-shaped electrode 17 is then connected to the input potential. A second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential. A reference potential electrode 19 is connected to a reference potential. Note that each of the above-mentioned terminals may be configured as a wiring.
  • the elastic wave device 10 is an elastic wave resonator configured to utilize thickness-shear mode bulk waves. As shown in FIG. 2, the elastic wave device 10 has a plurality of excitation regions C. In the plurality of excitation regions C, bulk waves in thickness shear mode and elastic waves in other modes are excited. Note that in FIG. 2, only two excitation regions C among the plurality of excitation regions C are shown.
  • Some of the plurality of excitation regions C among all the excitation regions C are regions where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from a direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the first electrode finger 25 and the third electrode finger 27 that meet.
  • the remaining plurality of excitation regions C are regions where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the third electrode fingers 27.
  • These excitation regions C are lined up in the direction perpendicular to the electrode fingers. Note that the excitation region C is a region of the piezoelectric layer 14 defined based on the configuration of the functional electrode 11.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1)
  • the third electrode finger 27 of the reference potential electrode 19 is located between the first electrode finger 25 of the first comb-shaped electrode 17 and the second electrode finger 26 of the second comb-shaped electrode 18.
  • the plurality of connection electrodes 28 shown in FIG. 3 connect the third bus bar 24 and the plurality of third electrode fingers 27 by penetrating the piezoelectric layer 14. Thereby, when the acoustic wave device 10 is used in a filter device, the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the wiring connected to the reference potential can be lowered. This will be explained below.
  • FIG. 5 shows an example of the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device 10.
  • FIG. 5 is a diagram showing the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment. Note that FIG. 5 shows the results of FEM (Finite Element Method) simulation.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. More specifically, as shown in FIG. 2, the acoustic wave device 10 has an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27, and an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27; It has an excitation region C located between the centers of the finger 26 and the third electrode finger 27. In these excitation regions C, elastic waves of a plurality of modes including a bulk wave of a thickness-shear mode are excited. By combining these modes, a filter waveform can be suitably obtained even in one elastic wave device 10.
  • a filter waveform can be suitably obtained even when the number of elastic wave resonators configuring the filter device is one or a small number. Therefore, it is possible to further downsize the filter device.
  • the reference potential electrode 19 is three-dimensionally configured. Thereby, the length of the reference potential electrode 19 can be made shorter than in a configuration in which the reference potential electrode 19 is routed only on one main surface of the piezoelectric layer 14.
  • the reference potential electrode 109 is provided only on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • a portion of the reference potential electrode 109 provided between the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18 has a meandering shape. Therefore, the entire length of the reference potential electrode 109 is long.
  • the reference potential electrode 109 is connected to a reference potential via a terminal that is electrically connected to the outside.
  • the reference potential electrode 109 has portions corresponding to a plurality of third electrode fingers.
  • the reference potential electrode 109 includes a plurality of portions corresponding to third electrode fingers between the portion corresponding to the third electrode fingers located near the center and the terminal. Therefore, the length of the reference potential electrode 109 from the portion corresponding to the third electrode finger located near the center to the portion connected to the terminal is particularly long.
  • each third electrode finger 27 is connected to the third bus bar 24.
  • the third bus bar 24 is connected to a terminal that is electrically connected to the outside. Therefore, regardless of the position of the third electrode finger 27, the length of the reference potential electrode 19 from the third electrode finger 27 to the portion of the reference potential electrode 19 connected to the terminal can be shortened. can. Therefore, the electrical resistance of the reference potential electrode 19 can be lowered.
  • the stability of the potential of the reference potential electrode 19 can be improved. Thereby, when the elastic wave device 10 is used as a filter device, deterioration of the filter characteristics of the filter device can be suppressed.
  • the reference potential electrode 119 three-dimensionally on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • a portion of the first electrode finger 25 is covered with an insulating film 115.
  • the third bus bar 114 is provided over the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14, over the third electrode finger 27, and over the insulating film 115.
  • wiring connected to the signal potential is provided on the first main surface 14a. Therefore, the degree of freedom in layout of the reference potential electrode 119 is low. Therefore, the length of the wiring connected to the reference potential may become longer overall.
  • the third bus bar 24 is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the second main surface 14b has a high degree of freedom in layout. Therefore, wiring for connecting the reference potential electrode 19 to the reference potential can be easily provided on the second main surface 14b without increasing the size of the acoustic wave device 10.
  • the width of the third bus bar 24 is preferably wider than the width of the third electrode finger 27. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 19 can be effectively lowered.
  • the width of the third bus bar 24 is a dimension of the third bus bar 24 along a direction perpendicular to the direction in which the third bus bar 24 extends.
  • the width of the third electrode finger 27 is the dimension of the third electrode finger 27 along the direction perpendicular to the electrode finger.
  • the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 has a high degree of freedom in layout. Therefore, the width of the third bus bar 24 can be easily increased.
  • the support member 13 consists of a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • the piezoelectric substrate 12 is a laminate of a support substrate 16, an insulating layer 15, and a piezoelectric layer 14. That is, the piezoelectric layer 14 and the support member 13 overlap when viewed from the direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other.
  • the piezoelectric layer 14 is, for example, a lithium niobate layer, such as a LiNbO 3 layer, or a lithium tantalate layer, such as a LiTaO 3 layer.
  • a hollow portion is provided in the insulating layer 15. That is, in the insulating layer 15, a hollow portion is formed as the cavity portion 10a.
  • the insulating layer 15 covers the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14. As shown in FIG. 3, the insulating layer 15 covers the third bus bar 24 in the reference potential electrode 19.
  • the configuration of the cavity 10a shown in FIG. 1 is not limited to the above.
  • the insulating layer 15 may be provided with a recess.
  • a piezoelectric layer 14 may be provided on the insulating layer 15 so as to close this recess.
  • the cavity 10a may be configured.
  • the support member 13 and the piezoelectric layer 14 are arranged such that a part of the support member 13 and a part of the piezoelectric layer 14 face each other with the cavity 10a in between.
  • the recess in the support member 13 may be provided across the insulating layer 15 and the support substrate 16.
  • the recess provided only in the support substrate 16 may be closed by the insulating layer 15.
  • the recess may be provided in the piezoelectric layer 14.
  • the cavity 10a may be a through hole provided in the support member 13.
  • the cavity 10a is the acoustic reflection part in the present invention.
  • the acoustic reflection portion can effectively confine the energy of the elastic wave to the piezoelectric layer 14 side.
  • the acoustic reflecting portion may be provided at a position in the support member 13 that overlaps at least a portion of the functional electrode 11 in plan view. More specifically, in plan view, at least a portion of each of the first electrode finger 25, second electrode finger 26, and third electrode finger 27 only needs to overlap with the acoustic reflecting portion. In plan view, it is preferable that the plurality of excitation regions C overlap with the acoustic reflection section.
  • planar view refers to viewing along the lamination direction of the support member 13 and the piezoelectric layer 14 from a direction corresponding to the upper side in FIG.
  • the piezoelectric layer 14 side is the upper side.
  • planar view is synonymous with viewing from the direction facing the main surface.
  • the main surface opposing direction is a direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other. More specifically, the principal surface opposing direction is, for example, the normal direction of the first principal surface 14a.
  • the acoustic reflection portion may be an acoustic reflection film such as an acoustic multilayer film, which will be described later.
  • an acoustic reflective film may be provided on the surface of the support member.
  • the distance between the centers of adjacent pairs of first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the distance between adjacent pairs of second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 are determined.
  • the distance between centers is the same in all cases.
  • d/p is preferably 0.5 or less. More preferably, d/p is 0.24 or less. Thereby, bulk waves in thickness shear mode are suitably excited.
  • the distance between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the distance between centers of adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 may not be constant. .
  • the distance between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the center distance between adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 is the longest.
  • the distance is p.
  • d/p is preferably 0.5 or less, more preferably 0.24 or less.
  • the elastic wave device of the present invention does not necessarily have to be configured to be able to utilize the thickness shear mode.
  • intersection region E includes a plurality of excitation regions C.
  • the elastic wave device according to the present invention may be configured to be able to utilize plate waves.
  • the excitation region is the crossover region E.
  • the third bus bar 24 overlaps with a portion including one end of each third electrode finger 27.
  • the third electrode finger 27 can be arranged between the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26 without making the length of the third electrode finger 27 too long.
  • the length of the third electrode finger 27 is the dimension of the third electrode finger 27 along the electrode finger extending direction.
  • the third bus bar 24 is provided in a portion that overlaps with the outer region of the intersection region E in the direction in which the electrode fingers extend in plan view. Specifically, the third bus bar 24 overlaps with the region between the first bus bar 22 and the plurality of second electrode fingers 26 in plan view. Note that the third bus bar 24 may overlap the area between the second bus bar 23 and the plurality of first electrode fingers 25 in plan view.
  • piezoelectric layer 14 is a lithium niobate layer.
  • the material for the piezoelectric layer 14 LiNbO 3 with a rotated Y cut is used.
  • the fractional band of the acoustic wave device 10 depends on the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate used in the piezoelectric layer 14.
  • the fractional band is expressed by (
  • FIG. 9 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched region R in FIG. 9 is the region where a fractional band of at least 2% or more can be obtained. Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within a range of 0° ⁇ 10°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 9. Even when the piezoelectric layer 14 is a lithium tantalate layer, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 9 when ⁇ is within the range of 0° ⁇ 10°. When the range of region R is approximated, it becomes the range expressed by the following equations (1), (2), and (3).
  • the Euler angle is in the range of the above formula (1), formula (2), or formula (3).
  • the fractional band can be made sufficiently wide.
  • the elastic wave device 10 can be suitably used as a filter device.
  • the position where the third bus bar 24 of the reference potential electrode 19 shown in FIG. 3 is provided is not limited to the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the third bus bar 24 is provided on the insulating layer 15.
  • the third bus bar 24 is located within the cavity.
  • the third bus bar 24 faces the piezoelectric layer 14 with the insulating layer 15 in between.
  • the third bus bar 24 faces the plurality of third electrode fingers 27 with the insulating layer 15 and piezoelectric layer 14 in between.
  • Each connection electrode 28 penetrates the piezoelectric layer 14 and the insulating layer 15.
  • Each third electrode finger 27 is electrically connected to the third bus bar 24 via each connection electrode 28 .
  • the third bus bar 24 may be embedded in the insulating layer 15. Specifically, the third bus bar 24 may be provided between the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 and the surface of the insulating layer 15 on the cavity side. In this case, the third bus bar 24 and the plurality of third electrode fingers 27 may be electrically connected by the plurality of connection electrodes 28.
  • the filter device can be miniaturized as in the first embodiment, and the filter device can be connected to the reference potential.
  • the electrical resistance of the wiring can be lowered.
  • the width of the connection electrode 28 is narrower than the width of the third electrode finger 27.
  • the width of the connection electrode 28 may be greater than or equal to the width of the third electrode finger 27.
  • the width of the connection electrode 28 refers to the dimension of the connection electrode 28 along the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • a dielectric film may be provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to cover the plurality of electrode fingers.
  • the plurality of electrode fingers are protected by a dielectric film. Therefore, the plurality of electrode fingers are less likely to be damaged.
  • the elastic wave device according to the present invention may have, for example, a WLP (Wafer Level Package) structure.
  • the elastic wave device according to the present invention may have a configuration in which the elastic wave resonator is mounted on a mounting board.
  • the third bus bar of the reference potential electrode may be provided in a portion other than the piezoelectric substrate. Examples of these are illustrated by the second embodiment and the third embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • a portion where each comb-shaped electrode and a plurality of third electrode fingers are provided is shown by a schematic diagram of a rectangle with two diagonal lines added. The same applies to schematic front sectional views other than FIG. 11.
  • FIG. 11 shows a cross section of a portion of the reference potential electrode where the third bus bar and the connection electrode are not provided.
  • the elastic wave device 30 of this embodiment has a WLP structure. Specifically, a first support body 32 is provided on the piezoelectric substrate 12 as a support body in the present invention. More specifically, the first support 32 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. The first support body 32 has a frame-like shape. Therefore, the first support body 32 has an opening 32a.
  • a first comb-shaped electrode, a second comb-shaped electrode, and a plurality of third electrode fingers of the functional electrode 31 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the element electrode forming portion F is located within the opening 32a.
  • a plurality of second supports 33 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the second support body 33 has a columnar shape.
  • the plurality of second supports 33 are located within the opening 32a of the first support 32.
  • the first support 32 and the second support 33 are each a laminate of a plurality of metal layers. Note that the second support body 33 does not necessarily have to be provided.
  • a lid member 34 is provided on the first support 32 and the plurality of second supports 33 so as to close the opening 32a. Thereby, a hollow portion surrounded by the piezoelectric substrate 12, the first support body 32, and the lid member 34 is configured. The element electrode forming portion F is located within this hollow portion.
  • the lid member 34 has a lid member main body 34A and an inorganic oxide layer 34B.
  • the lid member main body 34A has a pair of main surfaces. Both main surfaces face each other.
  • One main surface of the lid member main body 34A faces the piezoelectric substrate 12.
  • the inorganic oxide layer 34B is provided on both main surfaces of the lid member main body 34A.
  • the main surface of the lid member 34 is the surface of the portion of the inorganic oxide layer 34B that is provided on the main surface of the lid member main body 34A.
  • the lid member 34 has a third main surface 34a and a fourth main surface 34b.
  • the third main surface 34a and the fourth main surface 34b are opposed to each other.
  • the third main surface 34a is the main surface on the piezoelectric substrate 12 side.
  • the inorganic oxide layer 34B may not be provided.
  • the third main surface 34a and the fourth main surface 34b of the lid member 34 are the main surfaces of the lid member main body 34A.
  • the lid member main body 34A is a silicon substrate.
  • the support substrate 16 in the piezoelectric substrate 12 is also a silicon substrate.
  • the materials of the support substrate 16 and the lid member main body 34A are not limited to those mentioned above.
  • a through electrode 35 is provided on the lid member 34. More specifically, the lid member 34 is provided with a through hole. The through hole is provided so as to reach the second support body 33. A through electrode 35 is provided within the through hole. One end of the through electrode 35 is connected to the second support 33. An external terminal 36 is provided to be connected to the other end of the through electrode 35 . The external terminal 36 is configured as an electrode pad. Note that in this embodiment, the through electrode 35 and the external terminal 36 are provided as one unit. However, the through electrode 35 and the external terminal 36 may be provided separately.
  • the inorganic oxide layer 34B of the lid member 34 is provided not only on the main surface of the lid member main body 34A but also inside the through hole. More specifically, in the through hole, the inorganic oxide layer 34B is located between the through electrode 35 and the lid member main body 34A. The inorganic oxide layer 34B is provided so as to cover the vicinity of the outer peripheral edge of the external terminal 36. The inorganic oxide layer 34B extends between the external terminal 36 and the lid member main body 34A. Inorganic oxide layer 34B is, for example, a silicon oxide layer. However, the material of the inorganic oxide layer 34B is not limited to the above.
  • the inorganic oxide layer 34B does not need to be provided inside the through hole of the lid member main body 34A.
  • the inorganic oxide layer 34B does not need to be provided on the external terminal 36 or between the external terminal 36 and the lid member main body 34A.
  • Bumps 37 as conductive bonding members are provided in portions of the plurality of external terminals 36 that are not covered with the inorganic oxide layer 34B.
  • the bumps 37 may be, for example, solder bumps or Au bumps.
  • the conductive bonding member may be, for example, a conductive adhesive.
  • the conductive bonding member is electrically connected to an external reference potential or signal potential.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view showing an enlarged part of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the third bus bar 24 of the reference potential electrode 39 in this embodiment is provided on the third main surface 34a of the lid member 34.
  • the third bus bar 24 faces the plurality of third electrode fingers 27 .
  • connection electrodes 38 in the reference potential electrode 39 are provided between the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 and the lid member 34.
  • the connection electrode 38 is a columnar electrode. More specifically, each connection electrode 38 is provided over one third electrode finger 27 and over the piezoelectric layer 14 .
  • Each connection electrode 38 is connected to the third bus bar 24. That is, the plurality of connection electrodes 38 connect the third bus bar 24 and the plurality of third electrode fingers 27. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 39 is low.
  • each connection electrode 38 only needs to be provided on at least the third electrode finger 27. At least one connecting electrode 38 may be provided only on the third electrode finger 27. In this case, the connection electrode 38 is not provided directly on the piezoelectric layer 14.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing the electrode configuration on the first main surface of the piezoelectric layer in the second embodiment.
  • the third bus bar 24 is provided in a portion that overlaps with the outer region of the intersection region E in the direction in which the electrode fingers extend in plan view. Specifically, the third bus bar 24 overlaps with the region between the first bus bar 22 and the plurality of second electrode fingers 26 in plan view. Note that the third bus bar 24 may overlap the area between the second bus bar 23 and the plurality of first electrode fingers 25 in plan view.
  • the third bus bar 24 is electrically connected to the reference potential via other wiring and the through electrodes 35 and bumps 37 shown in FIG.
  • the third main surface 34a of the lid member 34 has a high degree of freedom in layout. Therefore, wiring for connecting the reference potential electrode 39 to the reference potential can be easily provided on the third main surface 34a without increasing the size of the acoustic wave device 30.
  • the width of the third bus bar 24 can be easily increased. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 39 can be easily and effectively lowered.
  • the elastic wave device 30 of this embodiment is an acoustic coupling filter, similar to the first embodiment. Therefore, when using the elastic wave device 30 as an elastic wave resonator in a filter device, a filter waveform can be suitably obtained even when the number of elastic wave resonators constituting the filter device is one or a small number. Therefore, the filter device can be made smaller, and the electrical resistance of the wiring connected to the reference potential can be lowered.
  • the first support 32 may be provided on a layer other than the piezoelectric layer 14 on the piezoelectric substrate 12. More specifically, the support member 13 is a laminate of a support substrate 16 and an insulating layer 15, similar to the first embodiment.
  • the outer periphery of the piezoelectric layer 14 may be located inside the outer periphery of the insulating layer 15 or the support substrate 16.
  • the first support 32 may be provided on the insulating layer 15 or the support substrate 16.
  • FIG. 14 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the elastic wave device 40 has a configuration in which an elastic wave resonator is mounted on a mounting board 45.
  • the elastic wave device 40 has a CSP (Chip Size Package) structure.
  • the mounting board 45 is a printed circuit board (PCB).
  • the material of the mounting board 45 is high temperature co-fired ceramic (HTCC).
  • HTCC high temperature co-fired ceramic
  • the material of the mounting board 45 is not limited to the above.
  • the support substrate 16 in the piezoelectric substrate 12 is a silicon substrate.
  • the material of the support substrate 16 is not limited to the above.
  • a plurality of conductive bonding members are provided on the piezoelectric substrate 12. More specifically, a plurality of electrode pads 48 are provided on the piezoelectric substrate 12. A conductive bonding member is provided on each of the plurality of electrode pads 48 . In this embodiment, the conductive bonding member is the bump 47.
  • the bumps 47 may be, for example, solder bumps or Au bumps.
  • the piezoelectric substrate 12 is bonded to the mounting board 45 using a plurality of conductive bonding members.
  • the mounting board 45 has a fifth main surface 45a and a sixth main surface 45b. Of the fifth main surface 45a and the sixth main surface 45b, the fifth main surface 45a is the main surface on the piezoelectric substrate 12 side.
  • a sealing resin 44 is provided on the fifth main surface 45a so as to cover the support substrate 16 of the piezoelectric substrate 12.
  • the piezoelectric substrate 12, the sealing resin 44, and the mounting substrate 45 constitute a hollow portion.
  • the element electrode forming portion F of the piezoelectric layer 14 is located within this hollow portion.
  • a plurality of external terminals 46 are provided on the sixth main surface 45b of the mounting board 45.
  • a plurality of via electrodes and a plurality of wiring lines are provided within the mounting board 45.
  • Each external terminal 46 is electrically connected to a via electrode and wiring within the mounting board 45.
  • Each of the plurality of external terminals 46 is electrically connected to an external reference potential or signal potential via a bump or a conductive adhesive.
  • FIG. 15 is a schematic front sectional view showing an enlarged part of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the third bus bar 24 of the reference potential electrode 39 in this embodiment is provided on the fifth main surface 45a of the mounting board 45.
  • the third bus bar 24 faces the plurality of third electrode fingers 27 .
  • connection electrodes 38 in the reference potential electrode 39 are provided between the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 and the fifth main surface 45a of the mounting board 45.
  • the connection electrode 38 is a columnar electrode. More specifically, each connection electrode 38 is provided only on one third electrode finger 27. Each connection electrode 38 is connected to the third bus bar 24. That is, the plurality of connection electrodes 38 connect the third bus bar 24 and the plurality of third electrode fingers 27. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 39 is low.
  • each connection electrode 38 only needs to be provided on at least the third electrode finger 27. At least one connection electrode 38 may be provided over the third electrode finger 27 and over the piezoelectric layer 14 .
  • the third bus bar 24 is provided in a portion that overlaps with the outer region of the intersecting region E in the electrode finger extending direction in plan view. Specifically, the third bus bar 24 overlaps with the region between the first bus bar 22 and the plurality of second electrode fingers 26 in plan view. Note that the third bus bar 24 may overlap the area between the second bus bar 23 and the plurality of first electrode fingers 25 in plan view.
  • the third bus bar 24 is electrically connected to the reference potential through the wiring on the fifth main surface 45a of the mounting board 45 shown in FIG. be done.
  • the fifth main surface 45a has a high degree of freedom in layout. Therefore, wiring for connecting the reference potential electrode 39 to the reference potential can be easily provided on the fifth main surface 45a without increasing the size of the acoustic wave device 40.
  • the width of the third bus bar 24 can be easily increased. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 39 can be easily and effectively lowered.
  • the elastic wave device 40 of this embodiment is an acoustic coupling filter, similar to the first embodiment. Therefore, when using the elastic wave device 40 as an elastic wave resonator in a filter device, a filter waveform can be suitably obtained even when the number of elastic wave resonators constituting the filter device is one or a small number. Therefore, the filter device can be made smaller, and the electrical resistance of the wiring connected to the reference potential can be lowered.
  • the functional electrode is an IDT electrode.
  • the IDT electrode does not have a third electrode finger.
  • the "electrode" in the IDT electrode described below corresponds to an electrode finger.
  • the support member in the following examples corresponds to the support substrate in the present invention.
  • the reference potential may be referred to as ground potential.
  • FIG. 16(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 16(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 16(a).
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut, it may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness shear mode, it is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 50 nm or more and 1000 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to a second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interposed with each other.
  • Electrode 3 and electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to this length direction.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions that intersect with the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 16(a) and 16(b). That is, in FIGS. 16(a) and 16(b), the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 16(a) and 16(b).
  • Electrode 3 and electrode 4 are adjacent does not mean that electrode 3 and electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when electrode 3 and electrode 4 are arranged with a gap between them. refers to Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 refers to the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension).
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°). (within range).
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 in between.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and have through holes 7a and 8a as shown in FIG. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 in between, at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, other than silicon oxide, an appropriate insulating material such as silicon oxynitride or alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). It is desirable that the Si constituting the support member 8 has a high resistivity of 4 k ⁇ cm or more. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star.
  • Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 are made of a suitable metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the thickness shear mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is 0. It is considered to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 1 Since the elastic wave device 1 has the above-mentioned configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to downsize the device, the Q value is unlikely to decrease. This is because even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced, the propagation loss is small. Furthermore, the number of electrode fingers can be reduced because the bulk waves in the thickness shear mode are used. The difference between the Lamb wave used in the elastic wave device and the thickness-shear mode bulk wave will be explained with reference to FIGS. 18(a) and 18(b).
  • FIG. 18(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of an acoustic wave device as described in Japanese Patent Publication No. 2012-257019.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b are opposite to each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. It is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness-slip direction, so the waves are generated between the first main surface 2a and the second main surface of the piezoelectric layer 2.
  • 2b that is, the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Furthermore, even if the number of pairs of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 19 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between electrode 3 and electrode 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 As mentioned above, in the elastic wave device 1, at least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 are arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the elastic wave device 1 is made up of the electrodes 3 and 4. There is no need for a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 20 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 17. Note that the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distances between the electrode pairs made up of the electrodes 3 and 4 were all equal in multiple pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, as described above. Preferably it is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 21 is a diagram showing the relationship between this d/p and the fractional band of the resonator of the elastic wave device.
  • FIG. 22 is a plan view of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • a pair of electrodes including an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 22 is the crossover width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness shear mode can be excited effectively.
  • the above-mentioned adjacent to the excitation region C which is a region where any of the adjacent electrodes 3, 4 overlap when viewed in the opposing direction.
  • the metallization ratio MR of the matching electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 23 and 24.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 16(b).
  • the excitation region C is a region where electrode 3 overlaps electrode 4 when electrode 3 and electrode 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of electrodes 3 and 4, that is, in a direction in which they face each other. 3, and a region between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • FIG. 24 shows the relationship between the fractional bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured according to the configuration of the elastic wave device 1, and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 24 shows the results when a Z-cut piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used, the same tendency occurs even when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters constituting the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 23, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 25 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 25 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 26 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • a plurality of hatched regions R are regions where a fractional band of 2% or more can be obtained. Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within the range of 0° ⁇ 5°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 26.
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer is within the range of 0° ⁇ 5°, and ⁇ and ⁇ are If it is within any of the ranges R, the ratio band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 27 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • an acoustic multilayer film 82 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 82 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e with relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 82b, 82d with relatively high acoustic impedance.
  • the bulk wave in the thickness shear mode can be confined within the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the acoustic wave device 1.
  • the elastic wave device 81 by setting the above-mentioned d/p to 0.5 or less, resonance characteristics based on a bulk wave in the thickness shear mode can be obtained.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and high acoustic impedance layers 82b, 82d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 82b, 82d is disposed farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layer 82a, 82c, 82e.
  • the low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and the high acoustic impedance layers 82b, 82d can be made of any appropriate material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • examples of the material for the low acoustic impedance layers 82a, 82c, and 82e include silicon oxide and silicon oxynitride.
  • examples of the material for the high acoustic impedance layers 82b and 82d include alumina, silicon nitride, and metal.
  • FIG. 28 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that utilizes Lamb waves.
  • the elastic wave device 91 has a support substrate 92.
  • the support substrate 92 is provided with an open recess on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 93 is laminated on the support substrate 92 .
  • An IDT electrode 94 is provided on the piezoelectric layer 93 above the cavity 9 .
  • Reflectors 95 and 96 are provided on both sides of the IDT electrode 94 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer periphery of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the IDT electrode 94 includes first and second bus bars 94a and 94b, a plurality of first electrode fingers 94c, and a plurality of second electrode fingers 94d.
  • the plurality of first electrode fingers 94c are connected to the first bus bar 94a.
  • the plurality of second electrode fingers 94d are connected to the second bus bar 94b.
  • the plurality of first electrode fingers 94c and the plurality of second electrode fingers 94d are inserted into each other.
  • the elastic wave device 91 by applying an alternating current electric field to the IDT electrode 94 on the cavity 9, a Lamb wave as a plate wave is excited. Since the reflectors 95 and 96 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave described above can be obtained.
  • the elastic wave device of the present invention may utilize plate waves.
  • an IDT electrode 94, a reflector 95, and a reflector 96 are provided on the main surface corresponding to the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 shown in FIG. 1 and the like.
  • a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of third electrode fingers are provided on the first main surface 14a.
  • a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of comb-shaped electrodes are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 in the first to third embodiments and modifications.
  • 3 electrode fingers and the reflector 95 and reflector 96 may be provided.
  • the pair of comb-shaped electrodes and the plurality of third electrode fingers may be sandwiched between the reflector 95 and the reflector 96 in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • an acoustic multilayer film 82 shown in FIG. 27 may be provided as an acoustic reflection film between the support member and the piezoelectric layer. .
  • the support member and the piezoelectric layer may be arranged such that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric layer face each other with the acoustic multilayer film 82 in between.
  • low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers may be alternately laminated.
  • the acoustic multilayer film 82 may be an acoustic reflection section in an elastic wave device.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and preferably 0.24 or less. It is more preferable that Thereby, even better resonance characteristics can be obtained.
  • MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 It is preferable to satisfy the following. More specifically, when MR is the metallization ratio of the first electrode finger and the third electrode finger, and the second electrode finger and the third electrode finger with respect to the excitation region, MR ⁇ 1.75. It is preferable to satisfy (d/p)+0.075. In this case, spurious components can be suppressed more reliably.
  • First support 32a Opening 33... Second support 34... Lid member 34A... Lid member body 34B... Inorganic oxide layers 34a, 34b... Third, fourth main body Surface 35...Through electrode 36...External terminal 37...Bump 38...Connection electrode 39...Reference potential electrode 40...Acoustic wave device 44...Sealing resin 45...Mounting substrates 45a, 45b...Fifth and sixth main surfaces 46...External Terminals 47...Bumps 48...Electrode pads 80, 81...Acoustic wave device 82...Acoustic multilayer films 82a, 82c, 82e...Low acoustic impedance layers 82b, 82d...High acoustic impedance layer 91...Acoustic wave device 92...Support substrate 93...Piezoelectric Layer 94...IDT electrodes 94a, 94b...First and second bus bars 94c, 94d...First and second electrode fingers 95, 96...Reflector 109...Reference potential

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Abstract

フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供する。　本発明に係る弾性波装置１０は、互いに対向し合う第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂを有する圧電層１４と、圧電層１４の第２の主面１４ｂに積層されている支持部材とを含む圧電性基板１２と、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられており、第１のバスバー２２と、第１のバスバー２２に一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指２５とを有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極１７と、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられており、第２のバスバー２３と、第２のバスバー２３に一端がそれぞれ接続されており、複数の第１の電極指２５と間挿し合っている複数の第２の電極指２６とを有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極１８と、第１の電極指２５及び第２の電極指２６が並ぶ方向において、第１の電極指２５及び第２の電極指２６と並ぶように、それぞれ圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている複数の第３の電極指２７と、複数の第３の電極指２７にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、複数の接続電極により、複数の第３の電極指２７と電気的に接続されている第３のバスバー２４とを有し、基準電位に接続される、基準電位電極１９とを備える。第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が並んでいる順序は、第１の電極指２５から開始した場合において、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６及び第３の電極指２７を１周期とする順序である。第３のバスバー２４は、複数の第３の電極指２７と、少なくとも圧電層１４を挟み対向するように設けられている。複数の接続電極が、少なくとも圧電層１４を貫通することにより、第３のバスバー２４と複数の第３の電極指２７とを接続している。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献１に記載のような、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置が提案されている。この弾性波装置においては、支持体上に圧電層が設けられている。圧電層上に、対となる電極が設けられている。対となる電極は圧電層上において互いに対向しており、かつ互いに異なる電位に接続される。上記電極間に交流電圧を印加することにより、厚み滑りモードのバルク波を励振させている。
米国特許第１０４９１１９２号明細書
　弾性波装置とは、例えば弾性波共振子であり、例えばラダー型フィルタに用いられる。ラダー型フィルタにおいて良好な特性を得るためには、複数の弾性波共振子間において、静電容量比を大きくする必要がある。この場合、ラダー型フィルタにおける一部の弾性波共振子の静電容量を大きくする必要がある。
　弾性波共振子の静電容量を大きくするためには、例えば、弾性波共振子を大型にすることを要する。よって、当該弾性波共振子をラダー型フィルタに用いる場合には、ラダー型フィルタが大型になりがちである。特に、静電容量の小さい厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有するラダー型フィルタは大型化してしまう。
　本発明者らは、弾性波装置の構成を以下の構成とすることにより、弾性波装置がフィルタ装置に用いられた場合に、大型化せずして好適なフィルタ波形を得られることを見出した。当該構成とは、入力電位に接続される電極、及び出力電位に接続される電極の間に、基準電位に接続される電極を配置する構成である。
　しかしながら、本発明者らは、上記構成においては、基準電位に接続される電極のレイアウト上の制約が大きいこと、及び該電極の幅が狭くなり易く、かつ該電極を引き回す長さが長くなり易いことも見出した。この場合には、基準電位に接続される電極の電気抵抗が高くなり易く、該電極の電位が不安定になり易い。そのため、フィルタ装置に用いられた場合、フィルタ装置のフィルタ特性が劣化するおそれがある。
　本発明の目的は、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、互いに対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の前記第２の主面に積層されている支持部材とを含む圧電性基板と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指とを有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第１の主面に設けられている複数の第３の電極指と、前記複数の第３の電極指にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、前記複数の接続電極により、前記複数の第３の電極指と電気的に接続されている第３のバスバーとを有し、基準電位に接続される、基準電位電極とが備えられており、前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、前記第３のバスバーが、前記複数の第３の電極指と、少なくとも前記圧電層を挟み対向するように設けられており、前記複数の接続電極が、少なくとも前記圧電層を貫通することにより、前記第３のバスバーと前記複数の第３の電極指とを接続している。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、互いに対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層を含む圧電性基板と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指とを有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第１の主面に設けられている複数の第３の電極指と、前記複数の第３の電極指にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、前記複数の接続電極により、前記複数の第３の電極指と電気的に接続されている第３のバスバーとを有し、基準電位に接続される、基準電位電極と、前記圧電性基板上に設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記圧電性基板側に位置する第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する蓋部材とが備えられており、前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、前記第３のバスバーが、前記複数の第３の電極指と対向するように、前記蓋部材の前記第３の主面に設けられており、前記複数の接続電極が、少なくとも前記複数の第３の電極指上に設けられており、前記第３のバスバーと前記複数の第３の電極指とを接続している。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の広い局面では、互いに対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層を含む圧電性基板と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指とを有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第１の主面に設けられている複数の第３の電極指と、前記複数の第３の電極指にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、前記複数の接続電極により、前記複数の第３の電極指と電気的に接続されている第３のバスバーとを有し、基準電位に接続される、基準電位電極と、前記圧電性基板上に設けられている複数の導電性接合部材と、前記複数の導電性接合部材により、前記圧電性基板と接合されており、前記圧電性基板側に位置する第５の主面、及び前記第５の主面と対向している第６の主面を有する実装基板とがを備えられており、前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、前記第３のバスバーが、前記複数の第３の電極指と対向するように、前記実装基板の前記第５の主面に設けられており、前記複数の接続電極が、少なくとも前記複数の第３の電極指上に設けられており、前記第３のバスバーと前記複数の第３の電極指とを接続している。
　本発明によれば、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図３は、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う模式的断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第１～第３の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の通過特性及び反射特性を示す図である。 図６は、第１の参考例の弾性波装置の模式的平面図である。 図７は、第２の参考例の弾性波装置の模式的平面図である。 図８は、第２の参考例における第１の電極指が絶縁膜に覆われている部分付近を示す模式的正面断面図である。 図９は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の変形例における、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面に相当する部分を示す模式的断面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の一部を拡大して示す模式的正面断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態における圧電層の第１の主面における電極構成を示す模式的平面図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１５は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の一部を拡大して示す模式的正面断面図である。 図１６（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１６（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図１７は、図１６（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。 図１８（ａ）は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図１８（ｂ）は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図１９は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図２０は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図２１は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／ｐと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図２２は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図２３は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。 図２４は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図２５は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲとの関係を示す図である。 図２６は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。 図２７は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。 図２８は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。なお、図１は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。図２においては、各電極を、ハッチングを付して示す。図２においては、基準電位の記号により、後述する基準電位電極が基準電位に接続されることを模式的に示している。図２以外の模式的平面図においても同様に、電極にハッチングを付し、基準電位の記号を用いることがある。
　図１に示す弾性波装置１０は、厚み滑りモードを利用可能に構成されている。弾性波装置１０は音響結合型フィルタである。以下において、弾性波装置１０の構成を説明する。
　弾性波装置１０は、圧電性基板１２と、機能電極１１とを有する。圧電性基板１２は、支持部材１３と、圧電層１４とを有する。本実施形態では、支持部材１３は、支持基板１６と、絶縁層１５とを含む。支持基板１６上に絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５上に圧電層１４が設けられている。もっとも、支持部材１３は支持基板１６のみにより構成されていてもよい。なお、支持部材１３は必ずしも設けられていなくともよい。
　圧電層１４は第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂを有する。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂは互いに対向している。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂのうち、第２の主面１４ｂが支持部材１３側に位置している。
　図２に示すように、機能電極１１は、１対の櫛形電極と、基準電位電極１９とを有する。基準電位電極１９は基準電位に接続される。１対の櫛形電極は、具体的には、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８である。第１の櫛形電極１７は入力電位に接続される。第２の櫛形電極１８は出力電位に接続される。
　第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８は、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている。第１の櫛形電極１７は、第１のバスバー２２と、複数の第１の電極指２５とを有する。複数の第１の電極指２５の一端はそれぞれ、第１のバスバー２２に接続されている。第２の櫛形電極１８は、第２のバスバー２３と、複数の第２の電極指２６とを有する。複数の第２の電極指２６の一端はそれぞれ、第２のバスバー２３に接続されている。
　第１のバスバー２２及び第２のバスバー２３は互いに対向している。複数の第１の電極指２５と複数の第２の電極指２６とは互いに間挿し合っている。第１の電極指２５及び第２の電極指２６が延びる方向と直交する方向において、第１の電極指２５及び第２の電極指２６は交互に並んでいる。
　図３は、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う模式的断面図である。
　基準電位電極１９は、第３のバスバー２４と、複数の第３の電極指２７と、複数の接続電極２８とを有する。複数の第３の電極指２７は、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている。複数の第３の電極指２７は、複数の第１の電極指２５と平行に延びている。以下においては、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。
　第３のバスバー２４は圧電層１４の第２の主面１４ｂに設けられている。第３のバスバー２４は電極指直交方向に延びている。第３のバスバー２４は、複数の第３の電極指２７と、圧電層１４を挟み対向するように設けられている。もっとも、第３のバスバー２４が延びる方向は上記に限定されない。
　複数の接続電極２８は、圧電層１４を貫通するように設けられている。そして、１つの接続電極２８が、１本の第３の電極指２７及び第３のバスバー２４を接続している。すなわち、複数の第３の電極指２７は、複数の接続電極２８を介して、第３のバスバー２４に電気的に接続されている。
　なお、第３のバスバー２４は、複数の第３の電極指２７と、少なくとも圧電層１４を挟み対向するように設けられていればよい。具体的には、例えば、第３のバスバー２４は、複数の第３の電極指２７と、圧電層１４及び他の層を挟み対向していてもよい。複数の接続電極２８が、圧電性基板１２における、少なくとも圧電層１４を貫通することにより、第３のバスバー２４と複数の第３の電極指２７とを接続していればよい。
　図２に示すように、本実施形態では、全ての第３の電極指２７は、第１の電極指２５及び第２の電極指２６の間に設けられている。よって、第１の電極指２５及び第２の電極指２６が並ぶ方向において、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が並んでいる。第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が並んでいる方向を電極指配列方向とした場合、電極指配列方向は、電極指直交方向である。以下においては、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７をまとめて、単に電極指と記載することがある。
　図４は、第１の実施形態における第１～第３の電極指付近を示す模式的正面断面図である。なお、図４は、図３に示す接続電極２８が位置していない断面を示している。上記の図１が示す部分も同様である。
　図４に示すように、複数の電極指が並んでいる順序は、第１の電極指２５から開始した場合において、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６及び第３の電極指２７を１周期とする順序である。よって、複数の電極指が並んでいる順序は、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６、第３の電極指２７、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６…というように続く。機能電極１１においては、電極指直交方向における端部の電極指は、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７のうちいずれの種類の電極指であってもよい。例えば、図２に示す本実施形態では、第２の電極指２６が電極指直交方向における両端部に位置している電極指である。
　弾性波装置１０は、外部に電気的に接続される複数の端子を有する。本実施形態では、これらの端子は、電極パッドとして構成されている。これらの端子にそれぞれ、各櫛形電極及び基準電位電極１９が、適宜の配線を介して電気的に接続されている。そして、第１の櫛形電極１７が入力電位に接続される。第２の櫛形電極１８が出力電位に接続される。基準電位電極１９が基準電位に接続される。なお、上記各端子は、配線として構成されていてもよい。
　弾性波装置１０は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。図２に示すように、弾性波装置１０は、複数の励振領域Ｃを有する。複数の励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波や、他のモードの弾性波が励振される。なお、図２においては、複数の励振領域Ｃのうち２つの励振領域Ｃのみを示している。
　全ての励振領域Ｃのうち一部の複数の励振領域Ｃは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間の領域である。残りの複数の励振領域Ｃは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間の領域である。これらの励振領域Ｃが、電極指直交方向において並んでいる。なお、励振領域Ｃは、機能電極１１の構成に基づいて定義される、圧電層１４の領域である。
　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）第１の櫛形電極１７の第１の電極指２５と、第２の櫛形電極１８の第２の電極指２６との間に、基準電位電極１９の第３の電極指２７が位置していること。２）図３に示す複数の接続電極２８が、圧電層１４を貫通することにより、第３のバスバー２４と複数の第３の電極指２７とを接続していること。それによって、弾性波装置１０がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる。これを以下において説明する。
　弾性波装置１０の通過特性及び反射特性の一例を図５により示す。
　図５は、第１の実施形態に係る弾性波装置の通過特性及び反射特性を示す図である。なお、図５は、ＦＥＭ（Ｆｉｎｉｔｅ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｍｅｔｈｏｄ）シミュレーションによる結果を示す。
　図５に示すように、１個の弾性波装置１０においても、フィルタ波形を好適に得られることがわかる。弾性波装置１０は音響結合型フィルタである。より詳細には、図２に示すように、弾性波装置１０は、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間に位置する励振領域Ｃと、隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間に位置する励振領域Ｃとを有する。これらの励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波を含む複数のモードの弾性波が励振される。これらのモードを結合させることにより、１個の弾性波装置１０においても、フィルタ波形を好適に得ることができる。
　弾性波共振子として弾性波装置１０をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が１個、あるいは少ない個数でもフィルタ波形を好適に得ることができる。よって、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
　加えて、図３に示すように、本実施形態においては、基準電位電極１９は３次元的に構成されている。これにより、圧電層１４の一方の主面のみにおいて基準電位電極１９を引き回す構成よりも、基準電位電極１９の長さを短くすることができる。
　より詳細には、例えば、図６に示す第１の参考例においては、基準電位電極１０９は、圧電層１４の第１の主面１４ａのみに設けられている。基準電位電極１０９における、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間に設けられている部分は、ミアンダ状の形状を有する。そのため、基準電位電極１０９の全体の長さが長い。
　基準電位電極１０９は、外部に電気的に接続される端子を介して、基準電位に接続される。基準電位電極１０９は、複数の第３の電極指に相当する部分を有する。基準電位電極１０９においては、中央付近に位置する第３の電極指に相当する部分から、上記端子までの間に、複数の第３の電極指に相当する部分が含まれている。そのため、基準電位電極１０９の、中央付近に位置する第３の電極指に相当する部分から、上記端子に接続されている部分までの長さは、特に長い。
　これに対して、図２に示す本実施形態では、各第３の電極指２７の一端は、第３のバスバー２４に接続されている。そして、第３のバスバー２４が、外部に電気的に接続される端子に接続されている。よって、第３の電極指２７の位置によらず、第３の電極指２７から、基準電位電極１９における上記端子に接続されている部分までの、基準電位電極１９の長さを短くすることができる。従って、基準電位電極１９の電気抵抗を低くすることができる。
　この場合、基準電位電極１９の電位の安定性を高めることができる。それによって、弾性波装置１０をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置のフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
　なお、図７により示す第２の参考例のように、圧電層１４の第１の主面１４ａにおいて、基準電位電極１１９を三次元的に構成することも考えられる。具体的には、図７及び図８に示すように、第２の参考例では、第１の電極指２５の一部が絶縁膜１１５により覆われている。第３のバスバー１１４は、圧電層１４の第１の主面１４ａ上、第３の電極指２７上及び絶縁膜１１５上にわたり設けられている。もっとも、第１の主面１４ａには、信号電位に接続される配線が設けられている。そのため、基準電位電極１１９のレイアウトの自由度は低い。よって、基準電位に接続される配線の長さが、全体的に長くなることもある。
　これに対して、図３に示す本実施形態においては、第３のバスバー２４が圧電層１４の第２の主面１４ｂに設けられている。第２の主面１４ｂにおいては、レイアウトの自由度は高い。よって、第２の主面１４ｂには、基準電位電極１９を基準電位に接続するための配線を、弾性波装置１０の大型化を伴わずして、容易に設けることができる。
　図２に示すように、第３のバスバー２４の幅が、第３の電極指２７の幅よりも広いことが好ましい。それによって、基準電位電極１９の電気抵抗を効果的に低くすることができる。なお、第３のバスバー２４の幅とは、第３のバスバー２４の、第３のバスバー２４が延びる方向と直交する方向に沿う寸法である。第３の電極指２７の幅とは、第３の電極指２７の電極指直交方向に沿う寸法である。
　上記のように、圧電層１４の第２の主面１４ｂにおいては、レイアウトの自由度が高い。よって、第３のバスバー２４の幅を容易に広くすることができる。
　以下において、本実施形態の構成をより詳細に説明する。
　図１に示すように、支持部材１３は、支持基板１６と絶縁層１５とからなる。圧電性基板１２は、支持基板１６と、絶縁層１５と、圧電層１４との積層体である。すなわち、圧電層１４及び支持部材１３は、圧電層１４の第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂが対向している方向から見たときに、重なっている。
　支持基板１６の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層１５の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電層１４は、例えば、ＬｉＮｂＯ３層などのニオブ酸リチウム層またはＬｉＴａＯ３層などのタンタル酸リチウム層である。
　絶縁層１５には中空部が設けられている。すなわち、絶縁層１５において、空洞部１０ａとしての中空部が構成されている。本実施形態では、絶縁層１５は、圧電層１４の第２の主面１４ｂを覆っている。図３に示すように、絶縁層１５は基準電位電極１９における第３のバスバー２４を覆っている。
　もっとも、図１に示す空洞部１０ａの構成は上記に限定されない。例えば、絶縁層１５に凹部が設けられていてもよい。この凹部を塞ぐように、絶縁層１５上に圧電層１４が設けられていてもよい。これにより、空洞部１０ａが構成されていてもよい。この場合、支持部材１３の一部及び圧電層１４の一部が、空洞部１０ａを挟み互いに対向するように、支持部材１３と圧電層１４とが配置されている。支持部材１３における凹部は、絶縁層１５及び支持基板１６にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板１６のみに設けられた凹部が、絶縁層１５により塞がれていてもよい。凹部は圧電層１４に設けられていても構わない。なお、空洞部１０ａは、支持部材１３に設けられた貫通孔であってもよい。
　空洞部１０ａは、本発明における音響反射部である。音響反射部により、弾性波のエネルギーを圧電層１４側に効果的に閉じ込めることができる。音響反射部は、平面視において、支持部材１３における、機能電極１１の少なくとも一部と重なる位置に設けられていればよい。より具体的には、平面視において、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７のそれぞれの少なくとも一部が、音響反射部と重なっていればよい。平面視において、複数の励振領域Ｃが、音響反射部と重なっていることが好ましい。
　本明細書において平面視とは、図１における上方に相当する方向から、支持部材１３及び圧電層１４の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図１においては、例えば、支持基板１６側及び圧電層１４側のうち、圧電層１４側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電層１４の第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第１の主面１４ａの法線方向である。
　なお、音響反射部は、後述する、音響多層膜などの音響反射膜であってもよい。例えば、支持部材の表面上に、音響反射膜が設けられていてもよい。
　第１の実施形態では、隣り合う複数対の第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間距離と、隣り合う複数対の第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間距離とは、いずれも同じである。この場合、圧電層１４の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましい。ｄ／ｐが０．２４以下であることがより好ましい。これにより、厚み滑りモードのバルク波が好適に励振される。
　もっとも、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間距離と、隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間距離とは、一定ではなくともよい。この場合には、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間距離、並びに隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間距離のうち、最も長い距離をｐとすることが好ましい。この場合において、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましく、ｄ／ｐが０．２４以下であることがより好ましい。なお、本発明の弾性波装置は、必ずしも厚み滑りモードを利用可能に構成されていなくともよい。
　図２に示すように、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７、または隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７が重なり合っている領域が、交叉領域Ｅである。交叉領域Ｅは、複数の励振領域Ｃを含む。本発明に係る弾性波装置は、板波を利用可能に構成されていてもよい。この場合には、励振領域は交叉領域Ｅである。
　平面視において、第３のバスバー２４は、各第３の電極指２７の一端を含む部分と重なっている。これにより、第３の電極指２７の長さを長くしすぎることなく、第３の電極指２７を第１の電極指２５及び第２の電極指２６の間に配置することができる。第３の電極指２７の長さとは、第３の電極指２７の電極指延伸方向に沿う寸法である。
　第３のバスバー２４は、平面視において、交叉領域Ｅの、電極指延伸方向における外側の領域と重なる部分に設けられている。具体的には、第３のバスバー２４は、平面視において、第１のバスバー２２及び複数の第２の電極指２６の間の領域と重なっている。なお、第３のバスバー２４は、平面視において、第２のバスバー２３及び複数の第１の電極指２５の間の領域と重なっていてもよい。
　本実施形態においては、圧電層１４はニオブ酸リチウム層である。具体的には、圧電層１４の材料として、回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３が用いられている。この場合、弾性波装置１０の比帯域は、圧電層１４に用いられているニオブ酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）に依存する。比帯域とは、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］により表される。
　ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合における、弾性波装置１０の比帯域と、圧電層１４のオイラー角（φ，θ，ψ）との関係を導出した。なお、オイラー角におけるφは０°とした。
　図９は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。
　図９のハッチングを付して示した領域Ｒが、少なくとも２％以上の比帯域が得られる領域である。なお、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±１０°以内の範囲である場合には、θ及びψと、比帯域との関係は、図９に示す関係と同様である。圧電層１４がタンタル酸リチウム層である場合も、φが０°±１０°の範囲内である場合、θ及びψと、比帯域との関係は、図９に示す関係と同様である。領域Ｒの範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°の範囲内，０°～２５°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°の範囲内，２５°～１００°，７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２　または　１８０°－７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°の範囲内，１８０°－４０°［（１－（ψ－９０）２／８１００）］１／２～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角の範囲であることが好ましい。それによって、比帯域を十分に広くすることができる。これにより、弾性波装置１０をフィルタ装置に好適に用いることができる。
　ところで、図３に示す基準電位電極１９の第３のバスバー２４が設けられている位置は、圧電層１４の第２の主面１４ｂに限定されない。例えば、図１０に示す第１の実施形態の変形例においては、第３のバスバー２４は、絶縁層１５上に設けられている。第３のバスバー２４は、空洞部内に位置している。第３のバスバー２４は、絶縁層１５を挟み圧電層１４と対向している。そして、第３のバスバー２４は、絶縁層１５及び圧電層１４を挟み、複数の第３の電極指２７と対向している。各接続電極２８は、圧電層１４及び絶縁層１５を貫通している。各接続電極２８を介して、各第３の電極指２７が、第３のバスバー２４に電気的に接続されている。
　なお、第３のバスバー２４は、絶縁層１５中に埋め込まれていてもよい。具体的には、第３のバスバー２４は、圧電層１４の第２の主面１４ｂと、絶縁層１５における空洞部側の表面との間に設けられていてもよい。この場合において、第３のバスバー２４及び複数の第３の電極指２７が、複数の接続電極２８により電気的に接続されていてもよい。
　本変形例や、第３のバスバー２４が絶縁層１５中に設けられている場合においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる。
　第１の実施形態及び本変形例においては、接続電極２８の幅は、第３の電極指２７の幅よりも狭い。もっとも、接続電極２８の幅は、第３の電極指２７の幅以上であってもよい。接続電極２８の幅とは、接続電極２８の電極指直交方向に沿う寸法をいう。
　圧電層１４の第１の主面１４ａには、複数の電極指を覆うように、誘電体膜が設けられていてもよい。この場合、複数の電極指が誘電体膜に保護される。よって、複数の電極指が破損し難い。
　本発明に係る弾性波装置は、例えば、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造であってもよい。あるいは、本発明に係る弾性波装置は、弾性波共振子が実装基板に実装された構成を有していてもよい。これらの場合には、圧電性基板以外の部分に、基準電位電極の第３のバスバーが設けられていてもよい。これらの例を、第２の実施形態及び第３の実施形態により示す。
　図１１は、第２の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図１１においては、各櫛形電極及び複数の第３の電極指が設けられている部分を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。図１１以外の略図的正面断面図においても同様である。なお、図１１は、基準電位電極における第３のバスバー及び接続電極が設けられていない部分の断面を示している。
　本実施形態の弾性波装置３０はＷＬＰ構造である。具体的には、圧電性基板１２上に、本発明における支持体としての、第１の支持体３２が設けられている。より具体的には、圧電層１４の第１の主面１４ａに第１の支持体３２が設けられている。第１の支持体３２は枠状の形状を有する。よって、第１の支持体３２は、開口部３２ａを有する。
　圧電層１４の第１の主面１４ａには、機能電極３１における、第１の櫛形電極、第２の櫛形電極及び複数の第３の電極指が設けられている。圧電層１４における、各櫛形電極及び複数の第３の電極指が設けられている部分を素子電極形成部Ｆとしたときに、素子電極形成部Ｆが開口部３２ａ内に位置している。
　圧電層１４の第１の主面１４ａには、複数の第２の支持体３３が設けられている。第２の支持体３３は柱状の形状を有する。複数の第２の支持体３３は、第１の支持体３２の開口部３２ａ内に位置している。本実施形態では、第１の支持体３２及び第２の支持体３３はそれぞれ、複数の金属層の積層体である。なお、第２の支持体３３は必ずしも設けられていなくともよい。
　第１の支持体３２上及び複数の第２の支持体３３上に、開口部３２ａを塞ぐように、蓋部材３４が設けられている。それによって、圧電性基板１２、第１の支持体３２及び蓋部材３４により囲まれた中空部が構成されている。素子電極形成部Ｆは、この中空部内に位置している。
　蓋部材３４は、蓋部材本体３４Ａと無機酸化物層３４Ｂとを有する。蓋部材本体３４Ａは、１対の主面を有する。双方の主面は互いに対向している。蓋部材本体３４Ａの一方の主面は、圧電性基板１２と対向している。無機酸化物層３４Ｂは、蓋部材本体３４Ａの双方の主面に設けられている。蓋部材３４の主面は、無機酸化物層３４Ｂにおける、蓋部材本体３４Ａの主面に設けられている部分における表面である。
　より具体的には、蓋部材３４は第３の主面３４ａ及び第４の主面３４ｂを有する。第３の主面３４ａ及び第４の主面３４ｂは互いに対向している。第３の主面３４ａ及び第４の主面３４ｂのうち、第３の主面３４ａが圧電性基板１２側の主面である。もっとも、無機酸化物層３４Ｂは設けられていなくともよい。この場合には、蓋部材３４の第３の主面３４ａ及び第４の主面３４ｂは、蓋部材本体３４Ａの主面である。
　本実施形態においては、蓋部材本体３４Ａはシリコン基板である。なお、圧電性基板１２における支持基板１６もシリコン基板である。もっとも、支持基板１６及び蓋部材本体３４Ａの材料は上記に限定されない。
　蓋部材３４には、貫通電極３５が設けられている。より具体的には、蓋部材３４に貫通孔が設けられている。該貫通孔は、第２の支持体３３に至るように設けられている。該貫通孔内に貫通電極３５が設けられている。貫通電極３５の一端は第２の支持体３３に接続されている。貫通電極３５の他端に接続されるように、外部端子３６が設けられている。外部端子３６は、電極パッドとして構成されている。なお、本実施形態では、貫通電極３５及び外部端子３６は一体として設けられている。もっとも、貫通電極３５及び外部端子３６は個別に設けられていてもよい。
　蓋部材３４の無機酸化物層３４Ｂは、蓋部材本体３４Ａの主面だけではなく、貫通孔内にも設けられている。より詳細には、貫通孔内においては、無機酸化物層３４Ｂは、貫通電極３５及び蓋部材本体３４Ａの間に位置している。無機酸化物層３４Ｂは、外部端子３６の外周縁付近を覆うように設けられている。無機酸化物層３４Ｂは、外部端子３６及び蓋部材本体３４Ａの間に至っている。無機酸化物層３４Ｂは、例えば、酸化ケイ素層である。もっとも、無機酸化物層３４Ｂの材料は上記に限定されない。
　なお、無機酸化物層３４Ｂは、蓋部材本体３４Ａの貫通孔内には設けられていなくともよい。無機酸化物層３４Ｂは、外部端子３６上、並びに外部端子３６及び蓋部材本体３４Ａの間に設けられていなくともよい。
　複数の外部端子３６における、無機酸化物層３４Ｂに覆われていない部分に、導電性接合部材としてのバンプ３７が設けられている。バンプ３７は、例えば、はんだバンプであってもよく、Ａｕバンプであってもよい。なお、導電性接合部材は、例えば、導電性接着剤であっても構わない。導電性接合部材は、外部の基準電位または信号電位に、電気的に接続される。
　図１２は、第２の実施形態に係る弾性波装置の一部を拡大して示す模式的正面断面図である。
　本実施形態における基準電位電極３９の第３のバスバー２４は、蓋部材３４の第３の主面３４ａに設けられている。第３のバスバー２４は、複数の第３の電極指２７と対向している。
　基準電位電極３９における複数の接続電極３８は、圧電層１４の第１の主面１４ａと、蓋部材３４との間に設けられている。接続電極３８は柱状の電極である。より具体的には、各接続電極３８は、１本の第３の電極指２７上及び圧電層１４上にわたり設けられている。そして、各接続電極３８は、第３のバスバー２４に接続されている。すなわち、複数の接続電極３８は、第３のバスバー２４と複数の第３の電極指２７とを接続している。これにより、基準電位電極３９の電気抵抗が低い。
　なお、各接続電極３８は、少なくとも第３の電極指２７上に設けられていればよい。少なくとも１つの接続電極３８が、第３の電極指２７上にのみ設けられていてもよい。この場合、該接続電極３８は、圧電層１４上に直接的に設けられていない。
　図１３は、第２の実施形態における圧電層の第１の主面における電極構成を示す模式的平面図である
　第３のバスバー２４は、平面視において、交叉領域Ｅの、電極指延伸方向における外側の領域と重なる部分に設けられている。具体的には、第３のバスバー２４は、平面視において、第１のバスバー２２及び複数の第２の電極指２６の間の領域と重なっている。なお、第３のバスバー２４は、平面視において、第２のバスバー２３及び複数の第１の電極指２５の間の領域と重なっていてもよい。
　第３のバスバー２４は、他の配線や、図１１に示す貫通電極３５及びバンプ３７を介して、基準電位に電気的に接続される。なお、蓋部材３４の第３の主面３４ａにおけるレイアウトの自由度は高い。よって、第３の主面３４ａには、基準電位電極３９を基準電位に接続するための配線を、弾性波装置３０の大型化を伴わずして、容易に設けることができる。加えて、第３のバスバー２４の幅を容易に広くすることができる。これにより、基準電位電極３９の電気抵抗を容易に、効果的に低くすることができる。
　さらに、本実施形態の弾性波装置３０は、第１の実施形態と同様に、音響結合型フィルタである。よって、弾性波共振子として弾性波装置３０をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が１個、あるいは少ない個数でもフィルタ波形を好適に得ることができる。従って、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる。
　ところで、上記第１の支持体３２は、圧電性基板１２における圧電層１４以外の層上に設けられていてもよい。より詳細には、支持部材１３は、第１の実施形態と同様に、支持基板１６及び絶縁層１５の積層体である。例えば、平面視において、圧電層１４の外周縁が、絶縁層１５または支持基板１６の外周縁よりも内側に位置していてもよい。この場合において、第１の支持体３２が、絶縁層１５上または支持基板１６上に設けられていてもよい。
　図１４は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　弾性波装置４０は、弾性波共振子が実装基板４５に実装された構成を有する。具体的には、弾性波装置４０はＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造である。実装基板４５はプリント回路基板（ＰＣＢ）である。実装基板４５の材料は、本実施形態では、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）である。もっとも、実装基板４５の材料は上記に限定されない。
　一方で、圧電性基板１２における支持基板１６はシリコン基板である。もっとも、支持基板１６の材料は上記に限定されない。
　圧電性基板１２上に、複数の導電性接合部材が設けられている。より具体的には、圧電性基板１２上には、複数の電極パッド４８が設けられている。複数の電極パッド４８上にそれぞれ、導電性接合部材が設けられている。本実施形態では、導電性接合部材はバンプ４７である。バンプ４７は、例えば、はんだバンプであってもよく、Ａｕバンプであってもよい。
　圧電性基板１２は、複数の導電性接合部材により、実装基板４５に接合されている。実装基板４５は、第５の主面４５ａ及び第６の主面４５ｂを有する。第５の主面４５ａ及び第６の主面４５ｂのうち、第５の主面４５ａが圧電性基板１２側の主面である。第５の主面４５ａには、圧電性基板１２における支持基板１６を覆うように、封止樹脂４４が設けられている。圧電性基板１２、封止樹脂４４及び実装基板４５により、中空部が構成されている。この中空部内に、圧電層１４における素子電極形成部Ｆが位置している。
　実装基板４５の第６の主面４５ｂには、複数の外部端子４６が設けられている。実装基板４５内には、複数のビア電極及び複数の配線が設けられている。各外部端子４６は、実装基板４５内のビア電極及び配線に電気的に接続されている。そして、複数の外部端子４６はそれぞれ、バンプまたは導電性接着剤などを介して、外部の基準電位または信号電位に、電気的に接続される。
　図１５は、第３の実施形態に係る弾性波装置の一部を拡大して示す模式的正面断面図である。
　本実施形態における基準電位電極３９の第３のバスバー２４は、実装基板４５の第５の主面４５ａに設けられている。第３のバスバー２４は、複数の第３の電極指２７と対向している。
　基準電位電極３９における複数の接続電極３８は、圧電層１４の第１の主面１４ａと、実装基板４５の第５の主面４５ａとの間に設けられている。接続電極３８は柱状の電極である。より具体的には、各接続電極３８は、１本の第３の電極指２７上のみに設けられている。そして、各接続電極３８は、第３のバスバー２４に接続されている。すなわち、複数の接続電極３８は、第３のバスバー２４と複数の第３の電極指２７とを接続している。これにより、基準電位電極３９の電気抵抗が低い。
　なお、各接続電極３８は、少なくとも第３の電極指２７上に設けられていればよい。少なくとも１つの接続電極３８が、第３の電極指２７上及び圧電層１４上にわたり設けられていてもよい。
　第３のバスバー２４は、図１３に示した第３の実施形態と同様に、平面視において、交叉領域Ｅの、電極指延伸方向における外側の領域と重なる部分に設けられている。具体的には、第３のバスバー２４は、平面視において、第１のバスバー２２及び複数の第２の電極指２６の間の領域と重なっている。なお、第３のバスバー２４は、平面視において、第２のバスバー２３及び複数の第１の電極指２５の間の領域と重なっていてもよい。
　第３のバスバー２４は、図１４に示す実装基板４５の第５の主面４５ａ上の配線、実装基板４５内の配線及びビア電極、並びに外部端子４６を介して、基準電位に電気的に接続される。なお、第５の主面４５ａにおけるレイアウトの自由度は高い。よって、第５の主面４５ａには、基準電位電極３９を基準電位に接続するための配線を、弾性波装置４０の大型化を伴わずして、容易に設けることができる。加えて、第３のバスバー２４の幅を容易に広くすることができる。これにより、基準電位電極３９の電気抵抗を容易に、効果的に低くすることができる。
　さらに、本実施形態の弾性波装置４０は、第１の実施形態と同様に、音響結合型フィルタである。よって、弾性波共振子として弾性波装置４０をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が１個、あるいは少ない個数でもフィルタ波形を好適に得ることができる。従って、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ基準電位に接続される配線の電気抵抗を低くすることができる。
　以下において、機能電極がＩＤＴ電極である例を用いて、厚み滑りモードの詳細を説明する。なお、ＩＤＴ電極は第３の電極指を有しない。後述するＩＤＴ電極における「電極」は、電極指に相当する。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。以下においては、基準電位をグラウンド電位と記載することもある。
　図１６（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１６（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図１７は、図１６（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）では、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極３，４の長さ方向が図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）において、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）において電極３，４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、弾性波装置１では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°の範囲内）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図１７に示すように、貫通孔７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。支持部材８を構成するＳｉは、抵抗率４ｋΩｃｍ以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
　支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。弾性波装置１では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して説明する。
　図１８（ａ）は、日本公開特許公報　特開２０１２－２５７０１９号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図１８（ａ）に示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図１８（ｂ）に示すように、弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図１９に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図１９では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。弾性波装置１では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図２０は、図１７に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　弾性波装置１では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図２０から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、弾性波装置１では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図２１を参照して説明する。
　図２０に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図２１は、このｄ／ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図２１から明らかなように、ｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　図２２は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置８０では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図２２中のＫが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に見たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図２３及び図２４を参照して説明する。図２３は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１６（ｂ）を参照して説明する。図１６（ｂ）の電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図２４は弾性波装置１の構成に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図２４は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図２４中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図２４から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図２３に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図２５は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図２５の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図２５中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図２６は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図２６において示す、ハッチングを付して示した複数の領域Ｒがそれぞれ、２％以上の比帯域が得られる領域である。なお、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°の範囲内である場合には、θ及びψと比帯域との関係は、図２６に示す関係と同様である。圧電層がタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる場合においても、オイラー角（０°±５°の範囲内，θ，ψ）におけるθ及びψと、ＢＷとの関係は、図２６に示す関係と同様である。
　従って、圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°の範囲内であり、θ及びφが、図２６に示す複数の領域Ｒのいずれかの範囲内であれば、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図２７は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置８１では、圧電層２の第２の主面２ｂに音響多層膜８２が積層されている。音響多層膜８２は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄとの積層構造を有する。音響多層膜８２を用いた場合、弾性波装置１における空洞部９を用いずとも、厚み滑りモードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。弾性波装置８１においても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑りモードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜８２においては、その低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅ及び高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅよりも、少なくとも１層の高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄが圧電層２から遠い側に配置されておりさえすればよい。
　上記低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅ及び高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
　図２８は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　弾性波装置９１は、支持基板９２を有する。支持基板９２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板９２上に圧電層９３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層９３上に、ＩＤＴ電極９４が設けられている。ＩＤＴ電極９４の弾性波伝搬方向両側に、反射器９５，９６が設けられている。図２８において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極９４は、第１，第２のバスバー９４ａ，９４ｂと、複数本の第１の電極指９４ｃ及び複数本の第２の電極指９４ｄとを有する。複数本の第１の電極指９４ｃは、第１のバスバー９４ａに接続されている。複数本の第２の電極指９４ｄは、第２のバスバー９４ｂに接続されている。複数本の第１の電極指９４ｃと、複数本の第２の電極指９４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置９１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極９４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器９５，９６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本発明の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。なお、図２８に示す例では、図１などに示す圧電層１４の第１の主面１４ａに相当する主面に、ＩＤＴ電極９４、反射器９５及び反射器９６が設けられている。一方で、本発明の弾性波装置では、第１の主面１４ａに１対の櫛形電極及び複数の第３の電極指が設けられている。本発明の弾性波装置が板波を利用するものである場合、第１～第３の実施形態及び変形例における圧電層１４の第１の主面１４ａに、１対の櫛形電極及び複数の第３の電極指と、上記反射器９５及び反射器９６とが設けられていればよい。この場合、１対の櫛形電極及び複数の第３の電極指を、電極指直交方向において、反射器９５及び反射器９６が挟んでいればよい。
　第１～第３の実施形態及び変形例の弾性波装置においては、例えば、支持部材及び圧電層の間に、音響反射膜としての、図２７に示す音響多層膜８２が設けられていてもよい。具体的には、支持部材の少なくとも一部及び圧電層の少なくとも一部が、音響多層膜８２を挟み互いに対向するように、支持部材と圧電層とが配置されていてもよい。この場合、音響多層膜８２において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層されていればよい。音響多層膜８２が、弾性波装置における音響反射部であってもよい。
　厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第３の実施形態及び変形例における弾性波装置においては、上記のように、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましく、０．２４以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第３の実施形態及び変形例における弾性波装置の励振領域においては、上記のように、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。より具体的には、励振領域に対する、第１の電極指及び第３の電極指、並びに第２の電極指及び第３の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。
１…弾性波装置
２…圧電層
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３，４…電極
５，６…第１，第２のバスバー
７…絶縁層
７ａ…貫通孔
８…支持部材
８ａ…貫通孔
９…空洞部
１０…弾性波装置
１０ａ…空洞部
１１…機能電極
１２…圧電性基板
１３…支持部材
１４…圧電層
１４ａ，１４ｂ…第１，第２の主面
１５…絶縁層
１６…支持基板
１７，１８…第１，第２の櫛形電極
１９…基準電位電極
２２～２４…第１～第３のバスバー
２５～２７…第１～第３の電極指
２８…接続電極
３０…弾性波装置
３１…機能電極
３２…第１の支持体
３２ａ…開口部
３３…第２の支持体
３４…蓋部材
３４Ａ…蓋部材本体
３４Ｂ…無機酸化物層
３４ａ，３４ｂ…第３，第４の主面
３５…貫通電極
３６…外部端子
３７…バンプ
３８…接続電極
３９…基準電位電極
４０…弾性波装置
４４…封止樹脂
４５…実装基板
４５ａ，４５ｂ…第５，第６の主面
４６…外部端子
４７…バンプ
４８…電極パッド
８０，８１…弾性波装置
８２…音響多層膜
８２ａ，８２ｃ，８２ｅ…低音響インピーダンス層
８２ｂ，８２ｄ…高音響インピーダンス層
９１…弾性波装置
９２…支持基板
９３…圧電層
９４…ＩＤＴ電極
９４ａ，９４ｂ…第１，第２のバスバー
９４ｃ，９４ｄ…第１，第２の電極指
９５，９６…反射器
１０９…基準電位電極
１１４…第３のバスバー
１１５…絶縁膜
１１９…基準電位電極
２０１…圧電膜
２０１ａ，２０１ｂ…第１，第２の主面
４５１，４５２…第１，第２領域
Ｃ…励振領域
Ｅ…交叉領域
Ｆ…素子電極形成部
Ｒ…領域
ＶＰ１…仮想平面

Claims (19)

  1. 　互いに対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の前記第２の主面に積層されている支持部材と、を含む圧電性基板と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指と、を有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、
    　前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第１の主面に設けられている複数の第３の電極指と、前記複数の第３の電極指にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、前記複数の接続電極により、前記複数の第３の電極指と電気的に接続されている第３のバスバーと、を有し、基準電位に接続される、基準電位電極と、
    を備え、
    　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、
    　前記第３のバスバーが、前記複数の第３の電極指と、少なくとも前記圧電層を挟み対向するように設けられており、前記複数の接続電極が、少なくとも前記圧電層を貫通することにより、前記第３のバスバーと前記複数の第３の電極指とを接続している、弾性波装置。
  2. 　前記第３のバスバーが、前記圧電層の前記第２の主面に設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記支持部材が、前記圧電層の前記第２の主面に、前記第３のバスバーを覆うように設けられている、絶縁層を含む、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　互いに対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層を含む圧電性基板と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指と、を有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、
    　前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第１の主面に設けられている複数の第３の電極指と、前記複数の第３の電極指にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、前記複数の接続電極により、前記複数の第３の電極指と電気的に接続されている第３のバスバーと、を有し、基準電位に接続される、基準電位電極と、
    　前記圧電性基板上に設けられている支持体と、
    　前記支持体上に設けられており、前記圧電性基板側に位置する第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する蓋部材と、
    を備え、
    　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、
    　前記第３のバスバーが、前記複数の第３の電極指と対向するように、前記蓋部材の前記第３の主面に設けられており、前記複数の接続電極が、少なくとも前記複数の第３の電極指上に設けられており、前記第３のバスバーと前記複数の第３の電極指とを接続している、弾性波装置。
  5. 　少なくとも１つの前記接続電極が、前記第３の電極指上及び前記圧電層上にわたり設けられている、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記蓋部材がシリコン基板を含む、請求項４または５に記載の弾性波装置。
  7. 　互いに対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層を含む圧電性基板と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指と、を有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、
    　前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第１の主面に設けられている複数の第３の電極指と、前記複数の第３の電極指にそれぞれ接続されている複数の接続電極と、前記複数の接続電極により、前記複数の第３の電極指と電気的に接続されている第３のバスバーと、を有し、基準電位に接続される、基準電位電極と、
    　前記圧電性基板上に設けられている複数の導電性接合部材と、
    　前記複数の導電性接合部材により、前記圧電性基板と接合されており、前記圧電性基板側に位置する第５の主面、及び前記第５の主面と対向している第６の主面を有する実装基板と、
    を備え、
    　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、
    　前記第３のバスバーが、前記複数の第３の電極指と対向するように、前記実装基板の前記第５の主面に設けられており、前記複数の接続電極が、少なくとも前記複数の第３の電極指上に設けられており、前記第３のバスバーと前記複数の第３の電極指とを接続している、弾性波装置。
  8. 　前記実装基板の前記第５の主面に、前記圧電性基板を覆うように、かつ前記圧電性基板及び前記実装基板と共に中空部を構成するように、封止樹脂が設けられている、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記複数の導電性接合部材が複数のバンプである、請求項７または８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電性基板が、前記圧電層と積層されている支持基板を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電性基板が、前記圧電層の前記第２の主面に積層されている支持部材を含み、
    　前記支持部材及び前記圧電層の積層方向に沿って見た平面視において、前記支持部材における、前記複数の第１の電極指、前記複数の第２の電極指及び前記複数の第３の電極指と重なる位置に音響反射部が形成されており、
    　隣り合う前記第１の電極指及び前記第３の電極指の中心間距離、並びに、隣り合う前記第２の電極指及び前記第３の電極指の中心間距離のうち、最も長い距離をｐとした場合において、前記圧電層の厚みをｄとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１３に記載の弾性波装置。
  15. 　前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項１３または１４に記載の弾性波装置。
  16. 　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射層を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項１３または１４に記載の弾性波装置。
  17. 　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記第１の電極指及び前記第３の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域、並びに、隣り合う前記第２の電極指及び前記第３の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域が励振領域であり、
    　前記励振領域に対する、前記第１の電極指及び前記第３の電極指、並びに前記第２の電極指及び前記第３の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１３～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる、請求項１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  19. 　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１８に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°の範囲内，０°～２５°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°の範囲内，２５°～１００°，７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２　または　１８０°－７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°の範囲内，１８０°－４０°［（１－（ψ－９０）２／８１００）］１／２～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
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