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WO2024043343A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2024043343A1
WO2024043343A1 PCT/JP2023/030812 JP2023030812W WO2024043343A1 WO 2024043343 A1 WO2024043343 A1 WO 2024043343A1 JP 2023030812 W JP2023030812 W JP 2023030812W WO 2024043343 A1 WO2024043343 A1 WO 2024043343A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
electrode finger
bus bar
wave device
finger
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2023/030812
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English (en)
French (fr)
Inventor
昌和 三村
翔 永友
直弘 野竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202380057334.XA priority Critical patent/CN119678367A/zh
Publication of WO2024043343A1 publication Critical patent/WO2024043343A1/ja
Priority to US19/041,160 priority patent/US20250183870A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • HELECTRICITY
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    • HELECTRICITY
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    • H03H9/02992Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
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    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters
    • H03H9/566Electric coupling means therefor
    • H03H9/568Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • the elastic wave device is, for example, an elastic wave resonator, and is used, for example, in a ladder type filter.
  • a ladder filter In order to obtain good characteristics in a ladder filter, it is necessary to increase the capacitance ratio between the plurality of elastic wave resonators. In this case, it is necessary to increase the capacitance of some of the elastic wave resonators in the ladder filter.
  • This configuration is a configuration in which an electrode connected to a potential different from the input potential and the output potential, such as a reference potential, is arranged between an electrode connected to the input potential and an electrode connected to the output potential.
  • the present inventors discovered that in the above configuration, there are significant restrictions on the layout of the electrodes connected to the reference potential, etc., and that the width of the electrodes tends to become narrow and the length of the electrodes to be routed becomes long. I also found something easy. In this case, the electrical resistance of the electrode connected to the reference potential etc. tends to increase, and the potential of the electrode tends to become unstable. Therefore, when used in a filter device, the filter characteristics of the filter device may deteriorate.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can advance the miniaturization of a filter device and lower the electrical resistance of electrodes connected to other than input potential and output potential.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric film including a piezoelectric layer made of a piezoelectric material, and a first bus bar, which is provided on the piezoelectric layer, and one end of which is connected to the first bus bar.
  • a first comb-shaped electrode having a plurality of first electrode fingers, provided on the piezoelectric layer, a second busbar, and one end connected to the second busbar, and a first comb-shaped electrode having a plurality of first electrode fingers;
  • a second comb-shaped electrode having a plurality of second electrode fingers inserted into the first electrode fingers, and in a direction in which the first electrode fingers and the second electrode fingers are lined up, in a plan view,
  • a plurality of third electrode fingers each provided on the piezoelectric layer so as to be aligned with the first electrode finger and the second electrode finger, and adjacent third electrode fingers are connected to each other.
  • At least one third bus bar provided on the piezoelectric layer, and connected to a different potential from the first comb-shaped electrode and the second comb-shaped electrode; one of the first comb-shaped electrode and the second comb-shaped electrode is connected to an input potential, and the other of the first comb-shaped electrode and the second comb-shaped electrode is connected to an output potential.
  • the third electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are arranged in one period, and a part of the first comb-shaped electrode, a part of the third electrode, and the At least one of a portion of the second comb-shaped electrode and a portion of the third electrode intersects on the piezoelectric layer via the insulator layer.
  • an acoustic wave device in which the size of the filter device can be reduced and the electrical resistance of electrodes connected to other than the input potential and the output potential can be lowered.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a reference example elastic wave device.
  • FIG. 6 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 6 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view showing the vicinity of a portion where the third bus bar is laminated with the insulator layer and the first electrode finger in a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view showing the vicinity of a portion where the first bus bar is laminated with the insulator layer and the third electrode finger in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic front sectional view showing the vicinity of a portion where the first bus bar is laminated with the insulator layer and the third electrode finger in a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic front sectional view showing the vicinity of a portion where the first bus bar is laminated with the insulator layer and the third electrode finger in a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the third bus bar in the fifth embodiment of the present invention, taken along a direction perpendicular to the direction in which the third bus bar extends.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the third bus bar along a direction perpendicular to the direction in which the third bus bar extends in the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing a part of the functional electrode in the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic plan view of an elastic wave device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a schematic front sectional view showing the vicinity between two portions where the third bus bar in a modification of the eighth embodiment of the present invention is laminated with the insulator layer and the first electrode finger. It is.
  • FIGS. 21(a) to 21(c) are schematic plan views for explaining an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 22(a) to 22(d) are diagrams illustrating an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to a modification of the eighth embodiment.
  • FIG. 23(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 23(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 23(a).
  • FIG. 25(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric film of an acoustic wave device
  • FIG. 25(b) is a thickness slip that propagates through the piezoelectric film in the acoustic wave device FIG.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining a mode of bulk waves.
  • FIG. 26 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness shear mode.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating the resonance characteristics of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 28 is a diagram showing the relationship between d/p and the fractional band of a resonator, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes, and d is the thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 29 is a plan view of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 30 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device of the reference example in which spurious signals appear.
  • FIG. 26 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness shear mode.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating the resonance characteristics of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 28 is
  • FIG. 31 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 32 is a diagram showing the relationship between d/2p and metallization ratio MR.
  • FIG. 33 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 34 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • FIG. 35 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that uses Lamb waves.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG. In FIG. 2, each electrode is shown with hatching.
  • a reference potential symbol schematically indicates that a third electrode, which will be described later, is connected to the reference potential.
  • electrodes may be hatched and reference potential symbols may be used.
  • the elastic wave device 10 shown in FIG. 1 is configured to be able to utilize a thickness shear mode.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. The configuration of the elastic wave device 10 will be explained below.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric substrate 12 and a functional electrode 11.
  • the piezoelectric substrate 12 is a substrate having piezoelectricity.
  • the piezoelectric substrate 12 includes a support member 13 and a piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film.
  • the piezoelectric layer 14 is a layer made of piezoelectric material.
  • a piezoelectric film is a film having piezoelectricity, and does not necessarily refer to a film made of a piezoelectric material.
  • the piezoelectric film is a single layer piezoelectric layer 14, and is a film made of a piezoelectric material.
  • the piezoelectric film may be a laminated film including the piezoelectric layer 14.
  • the support member 13 includes a support substrate 16 and an insulating layer 15. An insulating layer 15 is provided on the support substrate 16. A piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15.
  • the present invention is not limited to the above, and the support member 13 may be composed only of the support substrate 16. Alternatively, the support member 13 may not necessarily be provided.
  • the piezoelectric layer 14 has a first main surface 14a and a second main surface 14b.
  • the first main surface 14a and the second main surface 14b are opposed to each other.
  • the second main surface 14b is located on the support member 13 side.
  • a functional electrode 11 is provided on the first main surface 14a.
  • the functional electrode 11 has a pair of comb-shaped electrodes and a third electrode 19.
  • the pair of comb-shaped electrodes is a first comb-shaped electrode 17 and a second comb-shaped electrode 18.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to an input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential.
  • the third electrode 19 is connected to a reference potential in this embodiment. In this embodiment, the third electrode 19 is a reference potential electrode.
  • first comb-shaped electrode 17 may be connected to the output potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 may be connected to an input potential. In this way, the first comb-shaped electrode 17 only needs to be connected to one of the input potential and the output potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 may be connected to the other of the input potential and the output potential.
  • the third electrode 19 does not necessarily need to be connected to the reference potential.
  • the third electrode 19 may be connected to a different potential from the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18. However, it is preferable that the third electrode 19 be connected to the reference potential.
  • the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first comb-shaped electrode 17 includes a first bus bar 22 and a plurality of first electrode fingers 25 . One end of each of the plurality of first electrode fingers 25 is connected to the first bus bar 22 .
  • the second comb-shaped electrode 18 includes a second bus bar 23 and a plurality of second electrode fingers 26 . One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the second bus bar 23 .
  • the first bus bar 22 and the second bus bar 23 face each other.
  • the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 26 are inserted into each other.
  • the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are arranged alternately in a direction perpendicular to the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 extend.
  • the third electrode 19 has one third bus bar 24 and a plurality of third electrode fingers 27.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are electrically connected to each other by a third bus bar 24.
  • a plurality of third electrode fingers 27 are provided so as to line up with the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are lined up. . Therefore, the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are lined up in one direction.
  • the plurality of third electrode fingers 27 extend parallel to the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers.
  • the direction in which the first electrode finger 25, second electrode finger 26, and third electrode finger 27 extend is referred to as the electrode finger extension direction, and the direction orthogonal to the electrode finger extension direction is referred to as the electrode finger orthogonal direction.
  • the electrode finger arrangement direction is parallel to the electrode finger orthogonal direction.
  • the electrode finger arrangement direction is also parallel to the direction in which the first bus bar 22, the second bus bar 23, and the third bus bar 24 extend.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be collectively referred to simply as an electrode finger.
  • the first bus bar 22, the second bus bar 23, and the third bus bar 24 may be collectively referred to simply as a bus bar.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is, starting from the first electrode finger 25, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. This is the order in which one period is Therefore, the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is: first electrode finger 25, third electrode finger 27, second electrode finger 26, third electrode finger 27, first electrode finger 25, third electrode finger. The second electrode finger 27, the second electrode finger 26, and so on. If the input potential is IN, the output potential is OUT, and the reference potential is GND, and the order of the multiple electrode fingers is expressed as the order of connected potentials, then IN, GND, OUT, GND, IN, GND, OUT, etc. followed by.
  • the electrode fingers located at both ends in the direction orthogonal to the electrode fingers are all the second electrode fingers 26.
  • the electrode finger located at the end in the direction orthogonal to the electrode finger is any type of electrode finger among the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. It may be.
  • the structure of the functional electrode 11 except for the third electrode 19 is the same as that of an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • the crossing region E is the area where the adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 or the adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 are located. It can also be said that these areas overlap.
  • the third bus bar 24 of the third electrode 19 electrically connects the plurality of third electrode fingers 27 to each other.
  • the third bus bar 24 is located in an area between the intersection area E and the first bus bar 22.
  • a plurality of first electrode fingers 25 are also located in this region.
  • the third bus bar 24 and the plurality of first electrode fingers 25 are electrically insulated from each other by the plurality of insulator layers 29 .
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 2.
  • the insulator layer 29 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to cover the first electrode finger 25. More specifically, in this embodiment, one insulator layer 29 covers a portion of one first electrode finger 25 in the electrode finger extending direction.
  • the plurality of insulator layers 29 are arranged along the direction orthogonal to the electrode fingers. Each insulator layer 29 is provided so as to partially cover one first electrode finger 25 . On the other hand, the plurality of third electrode fingers 27 are not covered with the insulator layer 29.
  • a third bus bar 24 is provided over the first main surface 14a, over the plurality of insulator layers 29, and over the plurality of third electrode fingers 27.
  • the plurality of first electrode fingers 25, which are a part of the first comb-shaped electrode 17, and the third bus bar 24, which is a part of the third electrode 19, are insulated on the piezoelectric layer 14. They intersect through the body layer 29.
  • the third bus bar 24 and the plurality of first electrode fingers 25 are electrically insulated from each other.
  • the third bus bar 24 electrically connects the plurality of third electrode fingers 27.
  • the material of the third bus bar 24 and the material of the third electrode finger 27 are the same. However, the material of the third bus bar 24 and the material of the third electrode finger 27 may be different from each other.
  • the third bus bar 24 is located in the area between the intersection area E and the first bus bar 22.
  • the third bus bar 24 is located in a region between the tips of the plurality of second electrode fingers 26 and the first bus bar 22. Therefore, the tips of the plurality of second electrode fingers 26 each face the third bus bar 24 across a gap in the electrode finger extending direction.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 25 each face the second bus bar 23 across a gap in the direction in which the electrode fingers extend.
  • the third bus bar 24 may be located in a region between the tips of the plurality of first electrode fingers 25 and the second bus bar 23.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 25 each face the third bus bar 24 with a gap in between.
  • the tips of the plurality of second electrode fingers 26 each face the first bus bar 22 with a gap in between.
  • the elastic wave device 10 may be configured as follows.
  • Each of the tips of the plurality of first electrode fingers 25 is connected to an electrode that has a different potential from that of the electrode finger and is connected to a potential that is any one of an input potential, an output potential, and a reference potential, in the direction in which the electrode finger extends. , as long as they are facing each other across a gap.
  • each of the tips of the plurality of second electrode fingers 26 has an electrode connected to a potential different from that of the second electrode finger, and which is one of the input potential, the output potential, and the reference potential. It is sufficient that they face each other across a gap in the stretching direction.
  • the elastic wave device 10 is an elastic wave resonator configured to utilize thickness-shear mode bulk waves. As shown in FIG. 2, the elastic wave device 10 has a plurality of excitation regions C. In the plurality of excitation regions C, bulk waves in thickness shear mode and elastic waves in other modes are excited. Note that in FIG. 2, only two excitation regions C among the plurality of excitation regions C are shown.
  • the plurality of excitation regions C among all the excitation regions C are regions where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from a direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the first electrode finger 25 and the third electrode finger 27 that meet.
  • the remaining plurality of excitation regions C are regions where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the third electrode fingers 27.
  • These excitation regions C are lined up in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the intersection region E includes a plurality of excitation regions C. Note that the crossover region E and the excitation region C are regions of the piezoelectric layer 14 that are defined based on the configuration of the functional electrode 11.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1)
  • the third electrode finger 27 of the third electrode 19 is located between the first electrode finger 25 of the first comb-shaped electrode 17 and the second electrode finger 26 of the second comb-shaped electrode 18. That's what I'm doing. 2)
  • a plurality of first electrode fingers 25 that are a part of the first comb-shaped electrode 17 and a third bus bar 24 that is a part of the third electrode 19 are connected to the insulating layer on the piezoelectric layer 14. 29.
  • FIG. 4 shows an example of the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device 10.
  • FIG. 4 is a diagram showing the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment. Note that FIG. 4 shows the results of FEM (Finite Element Method) simulation.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. More specifically, as shown in FIG. 2, the acoustic wave device 10 has an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27, and an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27; It has an excitation region C located between the centers of the finger 26 and the third electrode finger 27. In these excitation regions C, elastic waves of a plurality of modes including a bulk wave of a thickness-shear mode are excited. By combining these modes, a filter waveform can be suitably obtained even in one elastic wave device 10.
  • a filter waveform can be suitably obtained even when the number of elastic wave resonators configuring the filter device is one or a small number. Therefore, it is possible to further downsize the filter device.
  • a portion of the first comb-shaped electrode 17 and a portion of the third electrode 19 intersect with each other via the insulator layer 29. . Thereby, the length of the third electrode 19 can be shortened.
  • the third electrode 109 has a meandering shape. Specifically, the third electrode 109 has portions corresponding to a plurality of third electrode fingers. The third electrode 109 has a meandering shape by connecting one end or the other end of these parts. Therefore, the entire length of the third electrode 109 is long.
  • the third electrode 109 is connected to a reference potential via a terminal electrically connected to the outside.
  • the third electrode 109 includes a portion corresponding to a plurality of third electrode fingers between the portion corresponding to the third electrode finger located near the center and the terminal. Therefore, the length of the third electrode 109 from the portion corresponding to the third electrode finger located near the center to the portion connected to the terminal is particularly long.
  • each third electrode finger 27 is connected to the third bus bar 24.
  • the third bus bar 24 is connected to a terminal that is electrically connected to the outside. Therefore, regardless of the position of the third electrode finger 27, the length of the third electrode 19 from the third electrode finger 27 to the portion of the third electrode 19 connected to the above terminal is shortened. be able to. Therefore, the electrical resistance of the third electrode 19 can be lowered.
  • the stability of the potential of the third electrode 19 can be improved. Thereby, when the elastic wave device 10 is used as a filter device, deterioration of the filter characteristics of the filter device can be suppressed.
  • the width of the third bus bar 24 is preferably wider than the width of the third electrode finger 27. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 19 can be effectively lowered.
  • the width of the busbar is the dimension of the busbar along the direction perpendicular to the direction in which the busbar extends.
  • the width of the electrode finger is the dimension of the electrode finger along the direction orthogonal to the electrode finger.
  • the support member 13 consists of a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • the piezoelectric substrate 12 is a laminate of a support substrate 16, an insulating layer 15, and a piezoelectric layer 14. That is, the piezoelectric layer 14 and the support member 13 overlap when viewed from the direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other.
  • the piezoelectric layer 14 is, for example, a lithium niobate layer, such as a LiNbO 3 layer, or a lithium tantalate layer, such as a LiTaO 3 layer.
  • a recess is provided in the insulating layer 15.
  • a piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film is provided on the insulating layer 15 so as to close the recess. This forms a hollow section.
  • This hollow part is the hollow part 10a.
  • the support member 13 and the piezoelectric film are arranged such that a part of the support member 13 and a part of the piezoelectric film face each other with the cavity 10a in between.
  • the recess in the support member 13 may be provided across the insulating layer 15 and the support substrate 16.
  • the recess provided only in the support substrate 16 may be closed by the insulating layer 15.
  • the recess may be provided in the piezoelectric layer 14, for example.
  • the cavity 10a may be a through hole provided in the support member 13.
  • the cavity 10a is the acoustic reflection part in the present invention.
  • the acoustic reflection portion can effectively confine the energy of the elastic wave to the piezoelectric layer 14 side.
  • the acoustic reflecting portion may be provided at a position in the support member 13 that overlaps at least a portion of the functional electrode 11 in plan view. More specifically, in plan view, at least a portion of each of the first electrode finger 25, second electrode finger 26, and third electrode finger 27 only needs to overlap with the acoustic reflecting portion. In plan view, it is preferable that the plurality of excitation regions C overlap with the acoustic reflection section.
  • planar view refers to viewing from a direction corresponding to the upper side in FIG. 1 along the lamination direction of the support member 13 and the piezoelectric film.
  • the piezoelectric layer 14 side is the upper side.
  • planar view is synonymous with viewing from the direction facing the main surface.
  • the main surface opposing direction is a direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other. More specifically, the principal surface opposing direction is, for example, the normal direction of the first principal surface 14a.
  • the acoustic reflection portion may be an acoustic reflection film such as an acoustic multilayer film, which will be described later.
  • an acoustic reflective film may be provided on the surface of the support member.
  • the distance between the centers of multiple pairs of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the distance between the centers of multiple pairs of adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 are explained.
  • the distance is the same.
  • the distance between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the distance between centers of adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 may not be constant.
  • the distance between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the center distance between adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 is the longest. Let the distance be p. Note that when the center-to-center distance is constant as in this embodiment, the center-to-center distance between any adjacent electrode fingers is also the distance p.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and more preferably 0.24 or less. Thereby, bulk waves in thickness shear mode are suitably excited. Note that in this embodiment, the thickness d is the thickness of the piezoelectric layer 14.
  • the elastic wave device of the present invention does not necessarily have to be configured to be able to utilize thickness-shear mode bulk waves.
  • the elastic wave device of the present invention may be configured to be able to excite plate waves.
  • the excitation region is the intersection region E shown in FIG.
  • the piezoelectric layer 14 is made of lithium niobate.
  • the term "a certain member is made of a certain material” includes the case where a trace amount of impurity is included to the extent that the electrical characteristics of the acoustic wave device are not significantly deteriorated.
  • the specific band of the acoustic wave device 10 depends on the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate used in the piezoelectric layer 14. The fractional band is expressed by (
  • FIG. 6 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched region R in FIG. 6 is the region where a fractional band of at least 2% or more can be obtained.
  • the range of the region R is approximated, it becomes the range expressed by the following formulas (1), (2), and (3).
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within a range of 0° ⁇ 10°
  • the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 6.
  • the piezoelectric layer 14 is a lithium tantalate layer
  • the relationship between ⁇ and ⁇ at the Euler angle (within 0° ⁇ 10°, ⁇ , ⁇ ) and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. be.
  • the Euler angle is in the range of the above formula (1), formula (2), or formula (3).
  • the fractional band can be made sufficiently wide.
  • the elastic wave device 10 can be suitably used as a filter device.
  • the first electrode finger 25 is stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the insulator layer 29 and the third bus bar 24 are laminated in this order.
  • the order in which the first electrode finger 25, insulator layer 29, and third bus bar 24 are stacked is not limited to the above.
  • Layer 29 and first electrode finger 25 are laminated in this order. More specifically, one insulator layer 29 is provided between the third bus bar 24 and one first electrode finger 25.
  • a plurality of insulator layers 29 are provided on the third bus bar 24.
  • the plurality of insulator layers 29 are arranged along the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • Each insulator layer 29 is located between the third bus bar 24 and one first electrode finger 25. Thereby, the first comb-shaped electrode and the third electrode are electrically insulated.
  • the filter device when the acoustic wave device is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the third electrode can be lowered. I can do it.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the positions of the first bus bar 22 and the third bus bar 24 and the positions of the plurality of insulator layers 29. Except for the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the first bus bar 22 is located between the intersection area E and the third bus bar 24.
  • the plurality of insulator layers 29 are arranged along the direction perpendicular to the electrode fingers. Each insulator layer 29 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to partially cover one third electrode finger 27. On the other hand, the plurality of first electrode fingers 25 are not covered with the insulator layer 29.
  • the first bus bar 22 is provided over the first main surface 14a, over the plurality of insulator layers 29, and over the plurality of first electrode fingers 25.
  • the first bus bar 22, which is a part of the first comb-shaped electrode 17, and the plurality of third electrode fingers 27, which are part of the third electrode 19, are insulated on the piezoelectric layer 14. They intersect through the body layer 29. Thereby, the first bus bar 22 and the plurality of third electrode fingers 27 are electrically insulated from each other. On the other hand, the first bus bar 22 electrically connects the plurality of first electrode fingers 25.
  • the filter device when the acoustic wave device is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the third electrode 19 can be lowered. be able to.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view showing the vicinity of a portion where the first bus bar is laminated with the insulator layer and the third electrode finger in the second embodiment.
  • the third electrode finger 27, the insulator layer 29, and the first bus bar 22 are laminated. are stacked in this order.
  • the order in which the third electrode finger 27, insulator layer 29, and first bus bar 22 are stacked is not limited to the above.
  • Layer 29 and third electrode finger 27 are laminated in this order. More specifically, one insulator layer 29 is provided between the first bus bar 22 and one third electrode finger 27.
  • a plurality of insulator layers 29 are provided on the first bus bar 22.
  • the plurality of insulator layers 29 are arranged along the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • Each insulator layer 29 is located between the first bus bar 22 and one third electrode finger 27 . Thereby, the first comb-shaped electrode and the third electrode are electrically insulated.
  • the filter device when the acoustic wave device is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the third electrode can be lowered. I can do it.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to the input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential.
  • the first comb-shaped electrode 17 may be connected to the output potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the input potential. The same applies to the modified example of the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the positions of the second bus bar 23 and the third bus bar 24 and the positions of the plurality of insulator layers 29. Except for the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the third bus bar 24 is located between the intersection area E and the second bus bar 23.
  • the plurality of insulator layers 29 are arranged along the direction perpendicular to the electrode fingers. Each insulator layer 29 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to partially cover one second electrode finger 26. On the other hand, the plurality of third electrode fingers 27 are not covered with the insulator layer 29.
  • a third bus bar 24 is provided over the first main surface 14a, over the plurality of insulator layers 29, and over the plurality of third electrode fingers 27.
  • the plurality of second electrode fingers 26 that are part of the second comb-shaped electrode 18 and the plurality of third bus bars 24 that are part of the third electrode 19 are arranged on the piezoelectric layer 14. , intersect with each other via the insulator layer 29. Thereby, the third bus bar 24 and the plurality of second electrode fingers 26 are electrically insulated from each other. On the other hand, the third bus bar 24 electrically connects the plurality of third electrode fingers 27.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to the input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential. Therefore, a portion of the second comb-shaped electrode 18 connected to the output potential and a plurality of third bus bars 24 that are a portion of the third electrode 19 are connected to the insulating layer 29 on the piezoelectric layer 14. They intersect through
  • the configuration of this embodiment corresponds to the configuration in the first embodiment in which the first comb-shaped electrode 17 is connected to the output potential.
  • the filter device when the acoustic wave device is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the third electrode 19 can be lowered. be able to.
  • the second electrode finger 26, the insulator layer 29, and the third bus bar 24 are stacked. are stacked in this order.
  • the third bus bar 24 is laminated with the insulator layer 29 and the second electrode finger 26
  • the third bus bar 24, the insulator layer 29, and the second electrode finger are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 26 may be stacked in this order.
  • the third electrode is a comb-shaped electrode.
  • the third electrode is not limited to a comb-shaped electrode.
  • a fourth embodiment shows an example in which the third electrode is an electrode other than a comb-shaped electrode.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the third electrode 39 includes two third bus bars 34A and a third bus bar 34B.
  • the third electrode 39 has a grating-like shape.
  • This embodiment also differs from the first embodiment in the positions of the plurality of insulator layers 29.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • Some of the plurality of insulator layers 29 out of all the insulator layers 29 each cover a part of one first electrode finger 25. Each of the remaining insulator layers 29 partially covers one second electrode finger 26 .
  • a third bus bar 34A is located between the intersection area E and the first bus bar 22.
  • the third bus bar 34A intersects with the plurality of first electrode fingers 25 via the insulator layer 29. Thereby, the third bus bar 34A and the plurality of first electrode fingers 25 are electrically insulated from each other.
  • the third bus bar 34A electrically connects the plurality of third electrode fingers 27.
  • a third bus bar 34B is located between the intersection area E and the second bus bar 23.
  • the third bus bar 34B intersects with the plurality of second electrode fingers 26 via the insulator layer 29. Thereby, the third bus bar 34B and the plurality of second electrode fingers 26 are electrically insulated from each other. On the other hand, the third bus bar 34B electrically connects the plurality of third electrode fingers 27.
  • the filter device when an elastic wave device is used in a filter device, the filter device can be made smaller.
  • the third electrode 39 includes two third bus bars 34A and two third bus bars 34B. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 39 can be effectively lowered.
  • the first electrode finger 25, the insulator layer 29, and the third bus bar 34A are stacked in this order.
  • the insulator layer 29, and the first electrode are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 25 may be stacked in this order.
  • the second electrode finger 26, the insulator layer 29, and the third bus bar 34B are stacked in this order.
  • the third bus bar 34B is laminated with the insulator layer 29 and the second electrode finger 26
  • the third bus bar 34B, the insulator layer 29, and the second electrode are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 26 may be stacked in this order.
  • first to third modifications of the fourth embodiment will be shown, which differ from the fourth embodiment only in the positions of each bus bar and the positions of the plurality of insulator layers 29.
  • the filter device when used as a filter device, the filter device can be miniaturized, and the third electrode 39 Electrical resistance can be effectively lowered.
  • each of the plurality of insulator layers 29 covers a part of one third electrode finger 27.
  • the third bus bar 34A and the third bus bar 34B are located outside the first bus bar 22 and the second bus bar 23.
  • first bus bar 22 is located between the intersection area E and the third bus bar 34A.
  • the first bus bar 22 intersects with a plurality of third electrode fingers 27 via an insulator layer 29.
  • the second bus bar 23 is located between the intersection area E and the third bus bar 34B.
  • the second bus bar 23 intersects with a plurality of third electrode fingers 27 via an insulator layer 29.
  • the third electrode finger 27, the insulator layer 29, and the first bus bar 22 are laminated. are stacked in this order.
  • the first bus bar 22 is laminated with the insulator layer 29 and the third electrode finger 27, the first bus bar 22, the insulator layer 29, and the third electrode finger are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 27 may be stacked in this order.
  • the third electrode finger 27, the insulator layer 29, and the second bus bar 23 are laminated. are stacked in this order.
  • the second bus bar 23 is laminated with the insulator layer 29 and the third electrode finger 27, the second bus bar 23, the insulator layer 29, and the third electrode finger are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 27 may be stacked in this order.
  • some of the plurality of insulator layers 29 out of all the insulator layers 29 each cover a part of one first electrode finger 25.
  • Each of the remaining insulator layers 29 partially covers one third electrode finger 27 .
  • a third bus bar 34A is located between the intersection area E and the first bus bar 22.
  • the third bus bar 34A intersects with the plurality of first electrode fingers 25 via the insulator layer 29.
  • the second bus bar 23 is located between the intersection area E and the third bus bar 34B.
  • the second bus bar 23 intersects with a plurality of third electrode fingers 27 via an insulator layer 29.
  • the third bus bar 34A is laminated with the insulator layer 29 and the first electrode finger 25, from the piezoelectric layer 14 side
  • the first electrode finger 25, the insulator layer 29, and the third bus bar 24 are stacked in this order.
  • the third bus bar 34A, the insulator layer 29, and the first electrode The fingers 25 may be stacked in this order.
  • the third electrode finger 27, the insulator layer 29, and the second bus bar 23 are laminated. are stacked in this order.
  • the second bus bar 23 is laminated with the insulator layer 29 and the third electrode finger 27, the second bus bar 23, the insulator layer 29, and the third electrode finger are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 27 may be stacked in this order.
  • some of the plurality of insulator layers 29 out of all the insulator layers 29 each cover a part of one third electrode finger 27.
  • Each of the remaining insulator layers 29 partially covers one second electrode finger 26 .
  • the first bus bar 22 is located between the intersection area E and the third bus bar 34A.
  • the first bus bar 22 intersects with a plurality of third electrode fingers 27 via an insulator layer 29.
  • a third bus bar 34B is located between the intersection area E and the second bus bar 23.
  • the third bus bar 34B intersects with the plurality of second electrode fingers 26 via the insulator layer 29.
  • the third electrode finger 27, the insulator layer 29, and the first bus bar 22 are laminated. are stacked in this order.
  • the first bus bar 22 is laminated with the insulator layer 29 and the third electrode finger 27, the first bus bar 22, the insulator layer 29, and the third electrode finger are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 27 may be stacked in this order.
  • the second electrode finger 26, the insulator layer 29, and the third bus bar 34B are stacked in this order.
  • the third bus bar 34B is laminated with the insulator layer 29 and the second electrode finger 26
  • the third bus bar 34B, the insulator layer 29, and the second electrode are stacked from the piezoelectric layer 14 side.
  • the fingers 26 may be stacked in this order.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to the input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential.
  • the configuration of the third modification corresponds to the configuration in the second modification in which the first comb-shaped electrode 17 is connected to the output potential and the second comb-shaped electrode 18 is connected to the input potential.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the third bus bar in the fifth embodiment along a direction perpendicular to the direction in which the third bus bar extends.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the layer structure of the third bus bar 44 in the third electrode 49.
  • the elastic wave device of the third embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the third bus bar 44 is a laminate of a metal layer 44a and a conductive auxiliary layer 44b.
  • the thickness of the conductive auxiliary layer 44b is thicker than the thickness of the metal layer 44a.
  • the term "the thicknesses of the layers constituting the bus bar or the electrode fingers differ” means that the absolute value of the difference in the thickness of both layers is 10% of the thickness of both layers. This means the above.
  • the expression that the thickness of the busbar and the thickness of the electrode fingers are different means that the absolute value of the difference between the thicknesses of the busbar and the electrode fingers is 10% or more with respect to both the thicknesses of the busbar and the electrode fingers.
  • the third electrode finger 27 shown with reference to FIG. 1 is made of a single metal layer.
  • the third electrode finger 27 is made of the same metal layer as the metal layer 44a of the third bus bar 44. That is, the material of the metal layer 44a of the third bus bar 44 and the material of the metal layer forming the third electrode finger 27 are the same material. In this embodiment, the thickness of the metal layer 44a in the third bus bar 44 and the thickness of the metal layer forming the third electrode finger 27 are the same.
  • the third electrode finger 27 may be made of a laminated metal film.
  • a Ti layer and an Al layer may be laminated in this order from the piezoelectric layer 14 side.
  • the material of the third electrode finger 27 is not limited to the above.
  • the metal layer 44a of the third bus bar 44 may also be made of a laminated metal film.
  • the material of each layer of the third electrode finger 27 and the metal layer 44a may be the same. It is only necessary that the third electrode finger 27 and the metal layer 44a have the same thickness.
  • the third bus bar 44 has the conductive auxiliary layer 44b. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 49 can be made even lower.
  • the filter device can be made smaller.
  • the electrical resistance of the material of the conductive auxiliary layer 44b is lower than that of the material of the metal layer 44a. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 49 can be lowered even more effectively.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the third bus bar in the sixth embodiment along a direction perpendicular to the direction in which the third bus bar extends.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that in the third electrode 59, the thickness of the third bus bar 54 is different from the thickness of the third electrode finger 27.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the third bus bar 54 and the third electrode finger 27 shown with reference to FIG. 1 have the same layer structure. More specifically, in this embodiment, the third bus bar 54 and the third electrode finger 27 are made of a single metal layer. The materials used for the third bus bar 54 and the third electrode finger 27 are the same. However, the materials used for the third electrode finger 27 and the third bus bar 54 may be different from each other.
  • the thickness of the third bus bar 54 is thicker than the thickness of the third electrode finger 27. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 59 can be made even lower.
  • the filter device can be made smaller.
  • the thickness of the third bus bar 54 is the same as that of the third electrode finger. It is sufficient if it is thicker than 27.
  • the third electrode finger 27 and the third bus bar 54 may be made of a laminated metal film. In this case, it is sufficient that the total thickness of each layer in the third bus bar 54 is thicker than the total thickness of each layer in the third electrode finger 27.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing a part of the functional electrode in the seventh embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the configuration in which the plurality of third electrode fingers 27 are electrically connected to each other.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the third bus bar 24 in the third electrode 69 is located between the intersection region and the first bus bar 22.
  • a plurality of insulator layers 29 are provided on the first main surface 14 a of the piezoelectric layer 14 so as to partially cover each first electrode finger 25 .
  • the third electrode 69 has a plurality of connection electrodes 65.
  • Each connection electrode 65 connects the tips of the two adjacent third electrode fingers 27 on the first bus bar 22 side.
  • the connection electrode 65 and the two third electrode fingers 27 constitute a U-shaped electrode.
  • a third bus bar 24 is provided over the first main surface 14 a of the piezoelectric layer 14 , over the plurality of insulator layers 29 , and over the plurality of connection electrodes 65 .
  • a plurality of first electrode fingers 25, which are a part of the first comb-shaped electrode 17, and a third bus bar 24, which is a part of the third electrode 69, are arranged on the piezoelectric layer 14 to cover an insulating layer 29. They intersect through Thereby, the third bus bar 24 and the plurality of first electrode fingers 25 are electrically insulated from each other. On the other hand, the third bus bar 24 electrically connects the plurality of third electrode fingers 27.
  • connection electrode 65 extends in a direction perpendicular to the electrode fingers. Therefore, the area in which the connection electrode 65 and the third bus bar 24 are in contact is large. Therefore, the contact resistance between the connection electrode 65 and the third bus bar 24 is small. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 69 can be effectively lowered.
  • the filter device can be made smaller.
  • connection electrode 65 and the third electrode finger 27 are made of the same metal layer. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 69 can be effectively reduced without reducing productivity.
  • the width of the third bus bar 24 is narrower than the width of the connection electrode 65, when the width of the connection electrode 65 is defined as the dimension along the electrode finger extending direction of the connection electrode 65.
  • the width of the third bus bar 24 may be wider than the width of the connection electrode 65.
  • the third bus bar 24 is made of a single metal layer.
  • the third electrode finger 27 is made of a single metal layer.
  • the material of the third bus bar 24 and the material of the third electrode finger 27 are different from each other. In this case, it is preferable that the electrical resistance of the material of the third bus bar 24 is lower than the electrical resistance of the material of the third electrode finger 27. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 69 can be effectively lowered.
  • the third bus bar 24 may include the same metal layer as the third electrode finger 27.
  • the third bus bar 24 and the third electrode finger 27 may be made of a laminated metal film.
  • the electrical resistance of the material with the highest electrical resistance among the materials of each layer in the third bus bar 24 is lower than the electrical resistance of the material with the highest electrical resistance among the materials of each layer in the third electrode finger 27. is preferred. It is preferable that the electrical resistance of the material with the lowest electrical resistance among the materials of each layer in the third bus bar 24 is lower than the electrical resistance of the material with the lowest electrical resistance among the materials of each layer in the third electrode finger 27. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 69 can be lowered more reliably.
  • the thickness of the metal layer constituting the third bus bar 24 is thicker than the thickness of the metal layer constituting the third electrode finger 27. Thereby, the electrical resistance of the third electrode 69 can be made even lower.
  • the thickness of the third bus bar 24 and the thickness of the third electrode finger 27 may be the same.
  • the third bus bar 24 may be a laminate of a metal layer and a conductive auxiliary layer. Also in this case, the electrical resistance of the third electrode 69 can be made even lower.
  • FIG. 19 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the eighth embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the first bus bar 72 in the first comb-shaped electrode 77 includes a conductive auxiliary layer 72b. This embodiment also differs from the first embodiment in that the second bus bar 73 in the second comb-shaped electrode 78 includes a conductive auxiliary layer 73b.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the first bus bar 72 is a laminate in which a metal layer 72a and a conductive auxiliary layer 72b are stacked.
  • the thickness of the conductive auxiliary layer 72b is thicker than the thickness of the metal layer 72a.
  • the first electrode finger 25 is made of a single metal layer.
  • the first electrode finger 25 is made of the same metal layer as the metal layer 72a in the first bus bar 72. That is, the material of the metal layer 72a in the first bus bar 72 and the material of the metal layer forming the first electrode finger 25 are the same material. In this embodiment, the thickness of the metal layer 72a in the first bus bar 72 and the thickness of the metal layer forming the first electrode finger 25 are the same.
  • the first bus bar 72 has the conductive auxiliary layer 72b. Thereby, the electrical resistance of the first comb-shaped electrode 77 can be lowered.
  • the metal layer 72a in the first electrode finger 25 and the first bus bar 72 may be made of a laminated metal film. In this case, it is sufficient that the first electrode finger 25 and each layer of the metal layer 72a are made of the same material. It is only necessary that the first electrode finger 25 and the metal layer 72a have the same thickness. However, in the present invention, at least one of the material and thickness of each layer in the first electrode finger 25 and the metal layer 72a may be different from each other.
  • the second comb-shaped electrode 78 is also configured similarly to the first comb-shaped electrode 77. That is, the second electrode finger 26 is made of a single metal layer.
  • the second bus bar 73 is a laminate in which a metal layer 73a and a conductive auxiliary layer 73b are stacked. Thereby, the electrical resistance of the second comb-shaped electrode 78 can be lowered.
  • the metal layer 73a in the second electrode finger 26 and the second bus bar 73 may be made of a laminated metal film. In this case, it is only necessary that the second electrode finger 26 and each layer of the metal layer 73a be made of the same material. It is only necessary that the thicknesses of the second electrode finger 26 and the metal layer 73a are the same. However, in the present invention, at least one of the material and thickness of each layer in the second electrode finger 26 and the metal layer 73a may be different from each other.
  • the plurality of first electrode fingers 25 and the third bus bar 24 intersect with each other via the insulator layer 29 on the piezoelectric layer 14, as in the first embodiment. ing.
  • the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the third electrode 19 can be lowered.
  • a plurality of third electrode fingers and a third bus bar are stacked in the third electrode.
  • An example in which a plurality of third electrode fingers and a third bus bar are not stacked is shown as a modification of the eighth embodiment.
  • the plurality of third electrode fingers 27 and the third bus bar 24 are not stacked.
  • the layer constituting the plurality of third electrode fingers 27 and the layer constituting the third bus bar 24 are formed continuously. Therefore, in the third electrode 79, no contact resistance occurs between the third bus bar 24 and the third electrode finger 27. Therefore, the electrical resistance of the third electrode 79 can be effectively lowered.
  • the filter device can be made smaller.
  • FIGS. 21(a) to 21(c) are schematic plan views for explaining an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to the eighth embodiment.
  • a piezoelectric substrate 12 is prepared.
  • a plurality of first electrode fingers 25 , a plurality of second electrode fingers 26 , and a plurality of third electrode fingers 27 are formed on the first main surface 14 a of the piezoelectric layer 14 in the piezoelectric substrate 12 .
  • a metal layer 72a and a metal layer 73a are formed on the first main surface 14a.
  • one end of the plurality of first electrode fingers 25 is each connected to the metal layer 72a.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the metal layer 73a.
  • the plurality of electrode fingers, the metal layer 72a, and the metal layer 73a can be formed by, for example, a vacuum evaporation method or a sputtering method.
  • a plurality of insulator layers 29 are formed on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to partially cover each first electrode finger 25. More specifically, a plurality of insulator layers 29 are formed so that one insulator layer 29 partially covers one first electrode finger 25 .
  • the plurality of insulator layers 29 can be formed by, for example, a vacuum evaporation method or a sputtering method.
  • the third bus bar 24, the conductive auxiliary layer 72b, and the conductive auxiliary layer 73b are formed at the same time. More specifically, the third bus bar 24 is formed over the first main surface 14 a of the piezoelectric layer 14 , the plurality of insulator layers 29 , and the plurality of third electrode fingers 27 . As a result, the third electrode 19 is formed. A conductive auxiliary layer 72b is formed on the metal layer 72a. As a result, the first bus bar 72 is formed, thereby forming the first comb-shaped electrode 77. A conductive auxiliary layer 73b is formed on the metal layer 73a. Thereby, the second bus bar 73 is formed, thereby forming the second comb-shaped electrode 78.
  • the third bus bar 24, the conductive auxiliary layer 72b, and the conductive auxiliary layer 72b can be formed by, for example, a vacuum evaporation method or a sputtering method.
  • this manufacturing method by forming the third bus bar 24, the conductive auxiliary layer 72b, and the conductive auxiliary layer 73b at the same time, the number of steps for forming the functional electrode can be reduced. Thereby, the manufacturing process of the acoustic wave device can be simplified and costs can be reduced. Therefore, productivity can be increased. Note that this manufacturing method is just an example, and the manufacturing method of the elastic wave device is not limited to the above method.
  • FIGS. 22(a) to 22(d) are diagrams illustrating an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to a modification of the eighth embodiment.
  • a piezoelectric substrate 12 is prepared.
  • a plurality of first electrode fingers 25 and a plurality of second electrode fingers 26 are formed on the first main surface 14 a of the piezoelectric layer 14 in the piezoelectric substrate 12 .
  • a metal layer 72a and a metal layer 73a are formed on the first main surface 14a.
  • one end of the plurality of first electrode fingers 25 is each connected to the metal layer 72a.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the metal layer 73a.
  • a plurality of insulator layers 29 are formed on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to partially cover each first electrode finger 25. More specifically, a plurality of insulator layers 29 are formed so that one insulator layer 29 partially covers one first electrode finger 25 .
  • a third electrode 79 is formed. Specifically, a plurality of third electrode fingers 27 and third bus bars 24 are formed at the same time. More specifically, a plurality of third electrode fingers 27 are formed on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. A third bus bar 24 is formed over the first main surface and the plurality of insulator layers 29 .
  • a conductive auxiliary layer 72b and a conductive auxiliary layer 73b are formed at the same time. More specifically, a conductive auxiliary layer 72b is formed on the metal layer 72a. As a result, the first bus bar 72 is formed, thereby forming the first comb-shaped electrode 77. A conductive auxiliary layer 73b is formed on the metal layer 73a. Thereby, the second bus bar 73 is formed, thereby forming the second comb-shaped electrode 78.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are formed in separate steps. Thereby, the configurations of the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26 and the configuration of the third electrode finger 27 can be made different from each other. Therefore, the degree of freedom in design can be increased. Thereby, the filter characteristics can be easily improved.
  • the layer constituting the plurality of third electrode fingers 27 and the layer constituting the third bus bar 24 are formed at the same time. Therefore, contact resistance does not occur between the plurality of third electrode fingers 27 and the third bus bar 24. Therefore, the electrical resistance of the third electrode 79 can be effectively lowered. Note that this manufacturing method is just an example, and the manufacturing method of the elastic wave device is not limited to the above method.
  • the functional electrode is an IDT electrode.
  • the IDT electrode does not have a third electrode finger.
  • the "electrode" in the IDT electrode described below corresponds to an electrode finger.
  • the support member in the following examples corresponds to the support substrate in the present invention.
  • the reference potential may be referred to as ground potential.
  • FIG. 23(a) is a schematic perspective view showing the appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 23(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 23(a).
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut, it may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness shear mode, it is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 50 nm or more and 1000 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to a second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interposed with each other.
  • Electrode 3 and electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to this length direction.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions that intersect with the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 23(a) and 23(b). That is, in FIGS. 23(a) and 23(b), the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 23(a) and 23(b).
  • Electrode 3 and electrode 4 are adjacent does not mean that electrode 3 and electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when electrode 3 and electrode 4 are arranged with a gap between them. refers to Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 refers to the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension).
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°). (within range).
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 in between.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and have through holes 7a and 8a as shown in FIG. 24. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 in between, at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, other than silicon oxide, an appropriate insulating material such as silicon oxynitride or alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). It is desirable that the Si constituting the support member 8 has a high resistivity of 4 k ⁇ cm or more. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star.
  • Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 are made of a suitable metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the thickness shear mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is 0. It is considered to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 1 Since the elastic wave device 1 has the above-mentioned configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to downsize the device, the Q value is unlikely to decrease. This is because even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced, the propagation loss is small. Furthermore, the number of electrode fingers can be reduced because the bulk waves in the thickness shear mode are used. The difference between the Lamb wave used in the elastic wave device and the thickness-shear mode bulk wave will be explained with reference to FIGS. 25(a) and 25(b).
  • FIG. 25(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating through a piezoelectric film of an acoustic wave device as described in Japanese Patent Publication No. 2012-257019.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b are opposite to each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. It is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness-slip direction, so the waves are generated between the first principal surface 2a and the second principal surface of the piezoelectric layer 2.
  • 2b that is, the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Furthermore, even if the number of pairs of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 26 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between electrode 3 and electrode 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 As mentioned above, in the elastic wave device 1, at least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 are arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the elastic wave device 1 is made up of the electrodes 3 and 4. There is no need for a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 27 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 24. Note that the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distances between the electrode pairs made up of the electrodes 3 and 4 were all equal in multiple pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, as described above. Preferably it is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 28 is a diagram showing the relationship between this d/p and the fractional band of the resonator of the elastic wave device.
  • FIG. 29 is a plan view of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness-shear mode.
  • a pair of electrodes including an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 29 is the crossover width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness shear mode can be excited effectively.
  • the above-mentioned adjacent to the excitation region C which is a region where any of the adjacent electrodes 3, 4 overlap when viewed in the opposing direction.
  • the metallization ratio MR of the matching electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 30 and 31.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 23(b).
  • the excitation region C is a region where electrode 3 overlaps electrode 4 when electrode 3 and electrode 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of electrodes 3 and 4, that is, in a direction in which they face each other. 3, and a region between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • FIG. 31 shows the relationship between the fractional bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured according to the configuration of the elastic wave device 1, and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 31 shows the results when using a Z-cut piezoelectric layer made of LiNbO 3 , the same tendency occurs even when piezoelectric layers having other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters constituting the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristic shown in FIG. 30, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 32 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 32 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 33 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • a plurality of hatched regions R are regions where a fractional band of 2% or more can be obtained. Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within the range of 0° ⁇ 5°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 33.
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer is within the range of 0° ⁇ 5°, and ⁇ and ⁇ are If it is within any of the ranges R, the ratio band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 34 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • an acoustic multilayer film 82 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 82 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e with relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 82b, 82d with relatively high acoustic impedance.
  • the bulk wave in the thickness shear mode can be confined within the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the acoustic wave device 1.
  • the elastic wave device 81 by setting the above-mentioned d/p to 0.5 or less, resonance characteristics based on a bulk wave in the thickness shear mode can be obtained.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and high acoustic impedance layers 82b, 82d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 82b, 82d is disposed farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layer 82a, 82c, 82e.
  • the low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and the high acoustic impedance layers 82b, 82d can be made of any appropriate material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • examples of the material for the low acoustic impedance layers 82a, 82c, and 82e include silicon oxide and silicon oxynitride.
  • examples of the material for the high acoustic impedance layers 82b and 82d include alumina, silicon nitride, and metal.
  • FIG. 35 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that utilizes Lamb waves.
  • the elastic wave device 91 has a support substrate 92.
  • the support substrate 92 is provided with an open recess on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 93 is laminated on the support substrate 92 .
  • An IDT electrode 94 is provided on the piezoelectric layer 93 above the cavity 9 .
  • Reflectors 95 and 96 are provided on both sides of the IDT electrode 94 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer periphery of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the IDT electrode 94 includes first and second bus bars 94a and 94b, a plurality of first electrode fingers 94c, and a plurality of second electrode fingers 94d.
  • the plurality of first electrode fingers 94c are connected to the first bus bar 94a.
  • the plurality of second electrode fingers 94d are connected to the second bus bar 94b.
  • the plurality of first electrode fingers 94c and the plurality of second electrode fingers 94d are inserted into each other.
  • the elastic wave device 91 by applying an alternating current electric field to the IDT electrode 94 on the cavity 9, a Lamb wave as a plate wave is excited. Since the reflectors 95 and 96 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave described above can be obtained.
  • the elastic wave device of the present invention may utilize plate waves.
  • an IDT electrode 94, a reflector 95, and a reflector 96 are provided on the main surface corresponding to the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 shown in FIG. 1 and the like.
  • a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of third electrode fingers are provided on the first main surface 14a.
  • the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 in the first to eighth embodiments and each modification includes a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of It is sufficient that the third electrode finger and the reflectors 95 and 96 are provided. In this case, it is sufficient that the pair of comb-shaped electrodes and the plurality of third electrode fingers are sandwiched between the reflector 95 and the reflector 96 in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • an acoustic multilayer film 82 shown in FIG. 34 as an acoustic reflection film is provided between the support member and the piezoelectric layer as the piezoelectric film. It may be. Specifically, the support member and the piezoelectric film may be arranged such that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric film face each other with the acoustic multilayer film 82 in between. In this case, in the acoustic multilayer film 82, low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers may be alternately laminated.
  • the acoustic multilayer film 82 may be an acoustic reflection section in an elastic wave device.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and 0.24 It is more preferable that it is below. Thereby, even better resonance characteristics can be obtained.
  • MR ⁇ 1.75(d/p)+0 in the excitation region of the elastic wave device of the first to eighth embodiments and each modification example that utilizes a thickness-shear mode bulk wave, as described above, MR ⁇ 1.75(d/p)+0. It is preferable to satisfy 075. More specifically, when MR is the metallization ratio of the first electrode finger and the third electrode finger, and the second electrode finger and the third electrode finger with respect to the excitation region, MR ⁇ 1.75. It is preferable to satisfy (d/p)+0.075. In this case, spurious components can be suppressed more reliably.
  • Third bus bar 44a Metal layer 44b... Conductive auxiliary layer 49... Third electrode 54... Third bus bar 59... Third electrode 65... Connection electrode 69... Third electrode 72... First bus bar 72a... Metal layer 72b... Conductive auxiliary layer 73... Second bus bar 73a... Metal layer 73b... Conductive auxiliary layer 77, 78... First and second comb-shaped electrodes 79...

Landscapes

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Abstract

フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ入力電位及び出力電位以外に接続される電極の電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供する。 本発明に係る弾性波装置10は、圧電体からなる圧電層14を含む圧電膜と、圧電層14上に設けられており、第1のバスバー22と、第1のバスバー22に一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指25とを有する第1の櫛形電極17と、圧電層14上に設けられており、第2のバスバー23と、第2のバスバー23に一端がそれぞれ接続されており、複数の第1の電極指25と間挿し合っている複数の第2の電極指26とを有する第2の櫛形電極18と、第1の電極指25及び第2の電極指26が並ぶ方向において、平面視において、第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、それぞれ圧電層14上に設けられている複数の第3の電極指27と、隣り合う第3の電極指27同士を接続している少なくとも1本の第3のバスバー24とを有し、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18とは異なる電位に接続される、第3の電極27と、圧電層14上に設けられている絶縁体層29とを備える。第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18のうち一方は入力電位に接続される。第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18のうち他方は出力電位に接続される。第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が並んでいる順序は、第1の電極指25から開始した場合において、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序である。第1の櫛形電極17の一部及び第3の電極27の一部、並びに第2の櫛形電極18の一部及び第3の電極27の一部のうち少なくとも一方が、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。

Description

弾性波装置
 本発明は、弾性波装置に関する。
 従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献1に記載のような、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置が提案されている。この弾性波装置においては、支持体上に圧電層が設けられている。圧電層上に、対となる電極が設けられている。対となる電極は圧電層上において互いに対向しており、かつ互いに異なる電位に接続される。上記電極間に交流電圧を印加することにより、厚み滑りモードのバルク波を励振させている。
米国特許第10491192号明細書
 弾性波装置とは、例えば弾性波共振子であり、例えばラダー型フィルタに用いられる。ラダー型フィルタにおいて良好な特性を得るためには、複数の弾性波共振子間において、静電容量比を大きくする必要がある。この場合、ラダー型フィルタにおける一部の弾性波共振子の静電容量を大きくする必要がある。
 弾性波共振子の静電容量を大きくするためには、例えば、弾性波共振子を大型にすることを要する。よって、当該弾性波共振子をラダー型フィルタに用いる場合には、ラダー型フィルタが大型になりがちである。特に、静電容量の小さい厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有するラダー型フィルタは大型化してしまう。
 本発明者らは、弾性波装置の構成を以下の構成とすることにより、弾性波装置がフィルタ装置に用いられた場合に、大型化せずして好適なフィルタ波形を得られることを見出した。当該構成とは、入力電位に接続される電極、及び出力電位に接続される電極の間に、基準電位などの、入力電位及び出力電位と異なる電位に接続される電極を配置する構成である。
 しかしながら、本発明者らは、上記構成においては、基準電位などに接続される電極のレイアウト上の制約が大きいこと、及び該電極の幅が狭くなり易く、かつ該電極を引き回す長さが長くなり易いことも見出した。この場合には、基準電位などに接続される電極の電気抵抗が高くなり易く、該電極の電位が不安定になり易い。そのため、フィルタ装置に用いられた場合、フィルタ装置のフィルタ特性が劣化するおそれがある。
 本発明の目的は、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ入力電位及び出力電位以外に接続される電極の電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供することにある。
 本発明に係る弾性波装置は、圧電体からなる圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層上に設けられており、第1のバスバーと、前記第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指とを有する第1の櫛形電極と、前記圧電層上に設けられており、第2のバスバーと、前記第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指とを有する第2の櫛形電極と、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が並ぶ方向において、平面視において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第3の電極指と、隣り合う前記第3の電極指同士を接続している少なくとも1本の第3のバスバーとを有し、前記第1の櫛形電極及び前記第2の櫛形電極とは異なる電位に接続される、第3の電極と、前記圧電層上に設けられている絶縁体層とを備え、前記第1の櫛形電極及び前記第2の櫛形電極のうち一方が入力電位に接続され、前記第1の櫛形電極及び前記第2の櫛形電極のうち他方が出力電位に接続され、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が並んでいる順序が、前記第1の電極指から開始した場合において、前記第1の電極指、前記第3の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を1周期とする順序であり、前記第1の櫛形電極の一部及び前記第3の電極の一部、並びに前記第2の櫛形電極の一部及び前記第3の電極の一部のうち少なくとも一方が、前記圧電層上において、前記絶縁体層を介して交叉している。
 本発明によれば、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ入力電位及び出力電位以外に接続される電極の電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図3は、図2中のII-II線に沿う模式的断面図である。 図4は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の通過特性及び反射特性を示す図である。 図5は、参考例の弾性波装置の模式的平面図である。 図6は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。 図7は、本発明の第1の実施形態の変形例における、第3のバスバーが、絶縁体層及び第1の電極指と積層されている部分付近を示す模式的正面断面図である。 図8は、本発明の第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図9は、本発明の第2の実施形態における、第1のバスバーが、絶縁体層及び第3の電極指と積層されている部分付近を示す模式的正面断面図である。 図10は、本発明の第2の実施形態の変形例における、第1のバスバーが、絶縁体層及び第3の電極指と積層されている部分付近を示す模式的正面断面図である。 図11は、本発明の第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図12は、本発明の第4の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図13は、本発明の第4の実施形態の第1の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図14は、本発明の第4の実施形態の第2の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図15は、本発明の第4の実施形態の第3の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図16は、本発明の第5の実施形態における、第3のバスバーが延びる方向と直交する方向に沿う第3のバスバーの模式的断面図である。 図17は、本発明の第6の実施形態における、第3のバスバーが延びる方向と直交する方向に沿う第3のバスバーの模式的断面図である。 図18は、本発明の第7の実施形態における機能電極の一部を示す模式的平面図である。 図19は、本発明の第8の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図20は、本発明の第8の実施形態の変形例における第3のバスバーが、絶縁体層及び第1の電極指と積層されている2箇所の部分の間付近を示す模式的正面断面図である。 図21(a)~図21(c)は、第8の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための模式的平面図である。 図22(a)~図22(d)は、第8の実施形態の変形例に係る弾性波装置の製造方法の一例を示す図である。 図23(a)は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図23(b)は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図24は、図23(a)中のA-A線に沿う部分の断面図である。 図25(a)は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図25(b)は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図26は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図27は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図28は、隣り合う電極の中心間距離をp、圧電層の厚みをdとした場合のd/pと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図29は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図30は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。 図31は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図32は、d/2pと、メタライゼーション比MRとの関係を示す図である。 図33は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。 図34は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。 図35は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
 なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図2は、第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。なお、図1は、図2中のI-I線に沿う模式的断面図である。図2においては、各電極を、ハッチングを付して示す。図2においては、基準電位の記号により、後述する第3の電極が基準電位に接続されることを模式的に示している。図2以外の模式的平面図においても同様に、電極にハッチングを付し、基準電位の記号を用いることがある。
 図1に示す弾性波装置10は、厚み滑りモードを利用可能に構成されている。弾性波装置10は音響結合型フィルタである。以下において、弾性波装置10の構成を説明する。
 弾性波装置10は、圧電性基板12と、機能電極11とを有する。圧電性基板12は圧電性を有する基板である。具体的には、圧電性基板12は、支持部材13と、圧電膜としての圧電層14とを有する。圧電層14は圧電体からなる層である。一方で、本明細書において圧電膜とは、圧電性を有する膜であって、必ずしも圧電体からなる膜を指すものではない。もっとも、本実施形態では、圧電膜は単層の圧電層14であり、圧電体からなる膜である。なお、本発明においては、圧電膜は、圧電層14を含む積層膜であってもよい。本実施形態では、支持部材13は、支持基板16と、絶縁層15とを含む。支持基板16上に絶縁層15が設けられている。絶縁層15上に圧電層14が設けられている。上記に限られず、支持部材13は支持基板16のみにより構成されていてもよい。あるいは、支持部材13は必ずしも設けられていなくともよい。
 圧電層14は第1の主面14a及び第2の主面14bを有する。第1の主面14a及び第2の主面14bは互いに対向している。第1の主面14a及び第2の主面14bのうち、第2の主面14bが支持部材13側に位置している。第1の主面14aに機能電極11が設けられている。
 機能電極11は、1対の櫛形電極と、第3の電極19とを有する。1対の櫛形電極は、具体的には、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18である。第1の櫛形電極17は入力電位に接続される。第2の櫛形電極18は出力電位に接続される。第3の電極19は、本実施形態においては、基準電位に接続される。本実施形態では、第3の電極19は基準電位電極である。
 なお、第1の櫛形電極17は出力電位に接続されてもよい。第2の櫛形電極18は入力電位に接続されてもよい。このように、第1の櫛形電極17は、入力電位及び出力電位のうち一方の電位に接続されればよい。第2の櫛形電極18は、入力電位及び出力電位のうち他方の電位に接続されればよい。
 第3の電極19は、必ずしも基準電位に接続されなくともよい。第3の電極19は、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18とは異なる電位に接続されればよい。もっとも、第3の電極19が基準電位に接続されることが好ましい。
 第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。第1の櫛形電極17は、第1のバスバー22と、複数の第1の電極指25とを有する。複数の第1の電極指25の一端はそれぞれ、第1のバスバー22に接続されている。第2の櫛形電極18は、第2のバスバー23と、複数の第2の電極指26とを有する。複数の第2の電極指26の一端はそれぞれ、第2のバスバー23に接続されている。
 第1のバスバー22及び第2のバスバー23は互いに対向している。複数の第1の電極指25と複数の第2の電極指26とは互いに間挿し合っている。第1の電極指25及び第2の電極指26が延びる方向と直交する方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26は交互に並んでいる。
 第3の電極19は、1本の第3のバスバー24と、複数の第3の電極指27とを有する。複数の第3の電極指27は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。複数の第3の電極指27同士は、第3のバスバー24により電気的に接続されている。
 第1の電極指25及び第2の電極指26が並ぶ方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、複数の第3の電極指27がそれぞれ設けられている。よって、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27は、一方向において並んでいる。複数の第3の電極指27は、複数の第1の電極指25及び複数の第2の電極指と平行に延びている。
 以下においては、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が並んでいる方向を電極指配列方向としたときに、電極指配列方向は、電極指直交方向と平行である。電極指配列方向は、本実施形態では、第1のバスバー22、第2のバスバー23及び第3のバスバー24が延びる方向とも平行である。本明細書では、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27をまとめて、単に電極指と記載することがある。第1のバスバー22、第2のバスバー23及び第3のバスバー24をまとめて、単にバスバーと記載することがある。
 複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25から開始した場合において、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序である。よって、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26、第3の電極指27、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26…というように続く。入力電位をIN、出力電位をOUT、基準電位をGNDにより表わし、複数の電極指の順序を接続される電位の順序として表わすと、IN、GND、OUT、GND、IN、GND、OUT…というように続く。
 本実施形態では、複数の電極指が設けられている領域において、電極指直交方向における両端部に位置している電極指は、いずれも第2の電極指26である。なお、該領域において、電極指直交方向における端部に位置している電極指は、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27のうちいずれの種類の電極指であってもよい。
 機能電極11において、第3の電極19を除いた構成は、IDT(Interdigital Transducer)電極の構成と同様である。電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第2の電極指26が重なり合っている領域が交叉領域Eである。もっとも、交叉領域Eは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27、または隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27が重なり合っている領域であるともいえる。
 図2に示すように、第3の電極19の第3のバスバー24は、複数の第3の電極指27同士を電気的に接続している。具体的には、第3のバスバー24は、交叉領域Eと、第1のバスバー22との間の領域に位置している。この領域には、複数の第1の電極指25も位置している。もっとも、複数の絶縁体層29によって、第3のバスバー24及び複数の第1の電極指25は、互いに電気的に絶縁されている。
 図3は、図2中のII-II線に沿う模式的断面図である。
 絶縁体層29は、圧電層14の第1の主面14aに、第1の電極指25を覆うように設けられている。より具体的には、本実施形態では、1本の第1の電極指25の電極指延伸方向における一部を、1個の絶縁体層29が覆っている。
 なお、図2に示すように、複数の絶縁体層29が、電極指直交方向に沿って並んでいる。各絶縁体層29が、1本の第1の電極指25の一部を覆うように設けられている。一方で、複数の第3の電極指27は、絶縁体層29により覆われていない。第1の主面14a上、複数の絶縁体層29上及び複数の第3の電極指27上にわたり、第3のバスバー24が設けられている。
 このように、第1の櫛形電極17の一部である複数の第1の電極指25と、第3の電極19の一部である第3のバスバー24とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。これにより、第3のバスバー24及び複数の第1の電極指25は、互いに電気的に絶縁されている。他方、第3のバスバー24は、複数の第3の電極指27を電気的に接続している。第3のバスバー24の材料及び第3の電極指27の材料は同じである。もっとも、第3のバスバー24の材料及び第3の電極指27の材料は、互いに異なっていてもよい。
 本実施形態では、第3のバスバー24は、交叉領域Eと、第1のバスバー22との間の領域に位置している。言い換えれば、第3のバスバー24は、複数の第2の電極指26の先端と、第1のバスバー22との間の領域に位置している。そのため、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて、第3のバスバー24と対向している。一方で、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて、第2のバスバー23と対向している。
 なお、第3のバスバー24は、複数の第1の電極指25の先端と、第2のバスバー23との間の領域に位置していてもよい。この場合、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、ギャップを隔てて、第3のバスバー24と対向している。一方で、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、ギャップを隔てて、第1のバスバー22と対向している。
 これらのように、弾性波装置10は、第3の電極19が基準電位電極である場合、以下のように構成されていればよい。複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて対向していればよい。同様に、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて対向していればよい。
 弾性波装置10は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。図2に示すように、弾性波装置10は、複数の励振領域Cを有する。複数の励振領域Cにおいて、厚み滑りモードのバルク波や、他のモードの弾性波が励振される。なお、図2においては、複数の励振領域Cのうち2つの励振領域Cのみを示している。
 全ての励振領域Cのうち一部の複数の励振領域Cは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間の領域である。残りの複数の励振領域Cは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間の領域である。これらの励振領域Cが、電極指直交方向において並んでいる。上記交叉領域Eには、複数の励振領域Cが含まれている。なお、交叉領域E及び励振領域Cは、機能電極11の構成に基づいて定義される、圧電層14の領域である。
 本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。1)第1の櫛形電極17の第1の電極指25と、第2の櫛形電極18の第2の電極指26との間に、第3の電極19の第3の電極指27が位置していること。2)第1の櫛形電極17の一部である複数の第1の電極指25と、第3の電極19の一部である第3のバスバー24とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉していること。それによって、弾性波装置10がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができる。加えて、入力電位及び出力電位以外に接続される第3の電極19の電気抵抗を低くすることができる。これを以下において説明する。
 弾性波装置10の通過特性及び反射特性の一例を図4により示す。
 図4は、第1の実施形態に係る弾性波装置の通過特性及び反射特性を示す図である。なお、図4は、FEM(Finite Element Method)シミュレーションによる結果を示す。
 図4に示すように、1個の弾性波装置10においても、フィルタ波形を好適に得られることがわかる。弾性波装置10は音響結合型フィルタである。より詳細には、図2に示すように、弾性波装置10は、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間に位置する励振領域Cと、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間に位置する励振領域Cとを有する。これらの励振領域Cにおいて、厚み滑りモードのバルク波を含む複数のモードの弾性波が励振される。これらのモードを結合させることにより、1個の弾性波装置10においても、フィルタ波形を好適に得ることができる。
 弾性波共振子として弾性波装置10をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が1個、あるいは少ない個数でもフィルタ波形を好適に得ることができる。よって、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 加えて、図2及び図3に示すように、本実施形態においては、第1の櫛形電極17の一部及び第3の電極19の一部が、絶縁体層29を介して交叉している。これにより、第3の電極19の長さを短くすることができる。
 より詳細には、例えば、図5に示す参考例においては、第3の電極109はミアンダ状の形状を有する。具体的には、第3の電極109は、複数の第3の電極指に相当する部分を有する。これらの部分の一端同士または他端同士が接続されていることにより、第3の電極109がミアンダ状の形状とされている。そのため、第3の電極109の全体の長さが長い。
 図5において模式的に示すように、第3の電極109は、外部に電気的に接続される端子を介して、基準電位に接続される。第3の電極109においては、中央付近に位置する第3の電極指の相当する部分から、上記端子までの間に、複数の第3の電極指に相当する部分が含まれている。そのため、第3の電極109の、中央付近に位置する第3の電極指に相当する部分から、上記端子に接続されている部分までの長さは、特に長い。
 これに対して、図2に示す本実施形態では、各第3の電極指27の一端は、第3のバスバー24に接続されている。そして、第3のバスバー24が、外部に電気的に接続される端子に接続されている。よって、第3の電極指27の位置によらず、第3の電極指27から、第3の電極19における上記端子に接続されている部分までの、第3の電極19の長さを短くすることができる。従って、第3の電極19の電気抵抗を低くすることができる。
 この場合、第3の電極19の電位の安定性を高めることができる。それによって、弾性波装置10をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置のフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
 図2に示すように、第3のバスバー24の幅が、第3の電極指27の幅よりも広いことが好ましい。それによって、第3の電極19の電気抵抗を効果的に低くすることができる。なお、バスバーの幅とは、バスバーの、該バスバーが延びる方向と直交する方向に沿う寸法である。電極指の幅とは、電極指の電極指直交方向に沿う寸法である。
 以下において、本実施形態の構成をより詳細に説明する。
 図1に示すように、支持部材13は、支持基板16と絶縁層15とからなる。圧電性基板12は、支持基板16と、絶縁層15と、圧電層14との積層体である。すなわち、圧電層14及び支持部材13は、圧電層14の第1の主面14a及び第2の主面14bが対向している方向から見たときに、重なっている。
 支持基板16の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層15の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電層14は、例えば、LiNbO層などのニオブ酸リチウム層またはLiTaO層などのタンタル酸リチウム層である。
 絶縁層15には凹部が設けられている。絶縁層15上に、凹部を塞ぐように、圧電膜としての圧電層14が設けられている。これにより、中空部が構成されている。この中空部が空洞部10aである。本実施形態では、支持部材13の一部及び圧電膜の一部が、空洞部10aを挟み互いに対向するように、支持部材13と圧電膜とが配置されている。もっとも、支持部材13における凹部は、絶縁層15及び支持基板16にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板16のみに設けられた凹部が、絶縁層15により塞がれていてもよい。凹部は、例えば、圧電層14に設けられていても構わない。なお、空洞部10aは、支持部材13に設けられた貫通孔であってもよい。
 空洞部10aは、本発明における音響反射部である。音響反射部により、弾性波のエネルギーを圧電層14側に効果的に閉じ込めることができる。音響反射部は、平面視において、支持部材13における、機能電極11の少なくとも一部と重なる位置に設けられていればよい。より具体的には、平面視において、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27のそれぞれの少なくとも一部が、音響反射部と重なっていればよい。平面視において、複数の励振領域Cが、音響反射部と重なっていることが好ましい。
 本明細書において平面視とは、図1における上方に相当する方向から、支持部材13及び圧電膜の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図1においては、例えば、支持基板16側及び圧電層14側のうち、圧電層14側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電層14の第1の主面14a及び第2の主面14bが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第1の主面14aの法線方向である。
 なお、音響反射部は、後述する、音響多層膜などの音響反射膜であってもよい。例えば、支持部材の表面上に、音響反射膜が設けられていてもよい。
 本実施形態では、複数対の隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離と、複数対の隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離とは同じである。もっとも、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離と、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離とは、一定ではなくともよい。この場合には、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離、並びに隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離のうち、最も長い距離をpとする。なお、本実施形態のように、中心間距離が一定である場合には、いずれの隣り合う電極指同士の中心間距離も距離pである。
 圧電膜の厚みをdとしたときに、d/pが0.5以下であることが好ましく、d/pが0.24以下であることがより好ましい。これにより、厚み滑りモードのバルク波が好適に励振される。なお、本実施形態では、厚みdは圧電層14の厚みである。
 もっとも、本発明の弾性波装置は、必ずしも厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されていなくともよい。例えば、本発明の弾性波装置は、板波を励振可能に構成されていてもよい。この場合においては、励振領域は、図2に示す交叉領域Eである。
 本実施形態では、圧電層14はニオブ酸リチウムからなる。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が大幅に劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。弾性波装置10の比帯域は、圧電層14に用いられているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)に依存する。比帯域とは、共振周波数をfr、反共振周波数をfaとしたときに、(|fa-fr|/fr)×100[%]により表される。
 d/pを限りなく0に近づけた場合における、弾性波装置10の比帯域と、圧電層14のオイラー角(φ,θ,ψ)との関係を導出した。なお、オイラー角におけるφは0°とした。
 図6は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。
 図6のハッチングを付して示した領域Rが、少なくとも2%以上の比帯域が得られる領域である。領域Rの範囲を近似すると、下記の式(1)、式(2)及び式(3)で表される範囲となる。なお、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±10°以内の範囲である場合には、θ及びψと、比帯域との関係は、図6に示す関係と同様である。圧電層14がタンタル酸リチウム層である場合も、オイラー角(0°±10°の範囲内,θ,ψ)におけるθ及びψと、比帯域との関係は、図6に示す関係と同様である。
 (0°±10°の範囲内,0°~25°,任意のψ)  …式(1)
 (0°±10°の範囲内,25°~100°,0°~75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2 または 180°-75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2~180°)  …式(2)
 (0°±10°の範囲内,180°-40°[(1-(ψ-90)/8100)]1/2~180°,任意のψ)  …式(3)
 上記式(1)、式(2)または式(3)のオイラー角の範囲であることが好ましい。それによって、比帯域を十分に広くすることができる。これにより、弾性波装置10を、フィルタ装置に好適に用いることができる。
 図3に戻り、第1の実施形態では、第3のバスバー24が、絶縁体層29及び第1の電極指25と積層されている部分において、圧電層14側から、第1の電極指25、絶縁体層29及び第3のバスバー24がこの順序で積層されている。もっとも、第1の電極指25、絶縁体層29及び第3のバスバー24の積層の順序は、上記に限定されない。
 例えば、図7に示す第1の実施形態の変形例では、第3のバスバー24が、絶縁体層29及び第1の電極指25と積層されている部分において、第3のバスバー24、絶縁体層29及び第1の電極指25がこの順序で積層されている。より具体的には、1個の絶縁体層29が、第3のバスバー24と、1本の第1の電極指25との間に設けられている。
 なお、第3のバスバー24上には複数の絶縁体層29が設けられている。複数の絶縁体層29は電極指直交方向に沿って並んでいる。各絶縁体層29は、第3のバスバー24及び1本の第1の電極指25の間に位置している。これにより、第1の櫛形電極及び第3の電極が、電気的に絶縁されている。
 本変形例においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ第3の電極の電気抵抗を低くすることができる。
 図8は、第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 本実施形態は、第1のバスバー22及び第3のバスバー24の位置、及び複数の絶縁体層29の位置において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては本実施形態の弾性波装置は、第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 第1のバスバー22は、交叉領域Eと、第3のバスバー24との間に位置している。複数の絶縁体層29は、電極指直交方向に沿って並んでいる。各絶縁体層29は、1本の第3の電極指27の一部を覆うように、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。一方で、複数の第1の電極指25は、絶縁体層29により覆われていない。第1の主面14a上、複数の絶縁体層29上及び複数の第1の電極指25上にわたり、第1のバスバー22が設けられている。
 このように、第1の櫛形電極17の一部である第1のバスバー22と、第3の電極19の一部である複数の第3の電極指27とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。これにより、第1のバスバー22及び複数の第3の電極指27は、互いに電気的に絶縁されている。他方、第1のバスバー22は、複数の第1の電極指25を電気的に接続している。
 本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ第3の電極19の電気抵抗を低くすることができる。
 図9は、第2の実施形態における、第1のバスバーが、絶縁体層及び第3の電極指と積層されている部分付近を示す模式的正面断面図である。
 第1のバスバー22が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3の電極指27、絶縁体層29及び第1のバスバー22がこの順序で積層されている。もっとも、第3の電極指27、絶縁体層29及び第1のバスバー22の積層の順序は、上記に限定されない。
 例えば、図10に示す第2の実施形態の変形例では、第1のバスバー22が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分において、第1のバスバー22、絶縁体層29及び第3の電極指27がこの順序で積層されている。より具体的には、1個の絶縁体層29が、第1のバスバー22と、1本の第3の電極指27との間に設けられている。
 なお、第1のバスバー22上には複数の絶縁体層29が設けられている。複数の絶縁体層29は電極指直交方向に沿って並んでいる。各絶縁体層29は、第1のバスバー22及び1本の第3の電極指27の間に位置している。これにより、第1の櫛形電極及び第3の電極が、電気的に絶縁されている。
 本変形例においても、第2の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ第3の電極の電気抵抗を低くすることができる。
 図8に戻り、第2の実施形態では、第1の櫛形電極17は入力電位に接続される。第2の櫛形電極18は出力電位に接続される。もっとも、第1の櫛形電極17は出力電位に接続されてもよい。この場合、第2の櫛形電極18は入力電位に接続される。第2の実施形態の変形例においても同様である。
 図11は、第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 本実施形態は、第2のバスバー23及び第3のバスバー24の位置、及び複数の絶縁体層29の位置において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては本実施形態の弾性波装置は、第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 第3のバスバー24は、交叉領域Eと、第2のバスバー23との間に位置している。複数の絶縁体層29は、電極指直交方向に沿って並んでいる。各絶縁体層29は、1本の第2の電極指26の一部を覆うように、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。一方で、複数の第3の電極指27は、絶縁体層29により覆われていない。第1の主面14a上、複数の絶縁体層29上及び複数の第3の電極指27上にわたり、第3のバスバー24が設けられている。
 このように、第2の櫛形電極18の一部である複数の第2の電極指26と、第3の電極19の一部である複数の第3のバスバー24とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。これにより、第3のバスバー24及び複数の第2の電極指26は、互いに電気的に絶縁されている。他方、第3のバスバー24は、複数の第3の電極指27を電気的に接続している。
 本実施形態では、第1の櫛形電極17は入力電位に接続される。第2の櫛形電極18は出力電位に接続される。よって、出力電位に接続される第2の櫛形電極18の一部と、第3の電極19の一部である複数の第3のバスバー24とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。本実施形態の構成は、第1の実施形態において、第1の櫛形電極17が出力電位に接続される場合の構成に相当する。
 本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ第3の電極19の電気抵抗を低くすることができる。
 第3のバスバー24が、絶縁体層29及び第2の電極指26と積層されている部分においては、圧電層14側から、第2の電極指26、絶縁体層29及び第3のバスバー24がこの順序で積層されている。もっとも、第3のバスバー24が、絶縁体層29及び第2の電極指26と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3のバスバー24、絶縁体層29及び第2の電極指26がこの順序で積層されていてもよい。
 第1~第3の実施形態においては、第3の電極は櫛形電極である。もっとも、第3の電極は櫛形電極に限定されない。第3の電極が櫛形電極以外の電極である例を、第4の実施形態により示す。
 図12は、第4の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 本実施形態は、第3の電極39が、2本の第3のバスバー34A及び第3のバスバー34Bを有する点において、第1の実施形態と異なる。第3の電極39はグレーティング状の形状を有する。本実施形態は、複数の絶縁体層29の位置においても第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 全ての絶縁体層29のうち一部の複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第1の電極指25の一部を覆っている。残りの複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第2の電極指26の一部を覆っている。
 交叉領域Eと、第1のバスバー22との間に、第3のバスバー34Aが位置している。第3のバスバー34Aは、絶縁体層29を介して複数の第1の電極指25と交叉している。これにより、第3のバスバー34A及び複数の第1の電極指25は、互いに電気的に絶縁されている。他方、第3のバスバー34Aは、複数の第3の電極指27を電気的に接続している。
 交叉領域Eと、第2のバスバー23との間に、第3のバスバー34Bが位置している。第3のバスバー34Bは、絶縁体層29を介して複数の第2の電極指26と交叉している。これにより、第3のバスバー34B及び複数の第2の電極指26は、互いに電気的に絶縁されている。他方、第3のバスバー34Bは、複数の第3の電極指27を電気的に接続している。
 本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができる。加えて、第3の電極39は、2本の第3のバスバー34A及び第3のバスバー34Bを有する。それによって、第3の電極39の電気抵抗を効果的に低くすることができる。
 第3のバスバー34Aが、絶縁体層29及び第1の電極指25と積層されている部分においては、圧電層14側から、第1の電極指25、絶縁体層29及び第3のバスバー34Aがこの順序で積層されている。もっとも、第3のバスバー34Aが、絶縁体層29及び第1の電極指25と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3のバスバー34A、絶縁体層29及び第1の電極指25がこの順序で積層されていてもよい。
 第3のバスバー34Bが、絶縁体層29及び第2の電極指26と積層されている部分においては、圧電層14側から、第2の電極指26、絶縁体層29及び第3のバスバー34Bがこの順序で積層されている。もっとも、第3のバスバー34Bが、絶縁体層29及び第2の電極指26と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3のバスバー34B、絶縁体層29及び第2の電極指26がこの順序で積層されていてもよい。
 以下において、各バスバーの位置及び複数の絶縁体層29の位置のみが第4の実施形態と異なる、第4の実施形態の第1~第3の変形例を示す。第1~第3の変形例においても、第4の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ第3の電極39の電気抵抗を効果的に低くすることができる。
 図13に示す第1の変形例では、複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第3の電極指27の一部を覆っている。第3のバスバー34A及び第3のバスバー34Bは、第1のバスバー22及び第2のバスバー23の外側に位置している。
 より具体的には、交叉領域Eと、第3のバスバー34Aとの間に、第1のバスバー22が位置している。第1のバスバー22は、絶縁体層29を介して複数の第3の電極指27と交叉している。交叉領域Eと、第3のバスバー34Bとの間に、第2のバスバー23が位置している。第2のバスバー23は、絶縁体層29を介して複数の第3の電極指27と交叉している。
 第1のバスバー22が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3の電極指27、絶縁体層29及び第1のバスバー22がこの順序で積層されている。もっとも、第1のバスバー22が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第1のバスバー22、絶縁体層29及び第3の電極指27がこの順序で積層されていてもよい。
 第2のバスバー23が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3の電極指27、絶縁体層29及び第2のバスバー23がこの順序で積層されている。もっとも、第2のバスバー23が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第2のバスバー23、絶縁体層29及び第3の電極指27がこの順序で積層されていてもよい。
 図14に示す第2の変形例では、全ての絶縁体層29のうち、一部の複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第1の電極指25の一部を覆っている。残りの複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第3の電極指27の一部を覆っている。
 交叉領域Eと、第1のバスバー22との間に、第3のバスバー34Aが位置している。第3のバスバー34Aは、絶縁体層29を介して複数の第1の電極指25と交叉している。交叉領域Eと、第3のバスバー34Bとの間に、第2のバスバー23が位置している。第2のバスバー23は、絶縁体層29を介して複数の第3の電極指27と交叉している。
 第3のバスバー34Aが、絶縁体層29及び第1の電極指25と積層されている部分においては、圧電層14側から、第1の電極指25、絶縁体層29及び第3のバスバー24がこの順序で積層されている。もっとも、第3のバスバー24が、絶縁体層29及び第1の電極指25と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3のバスバー34A、絶縁体層29及び第1の電極指25がこの順序で積層されていてもよい。
 第2のバスバー23が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3の電極指27、絶縁体層29及び第2のバスバー23がこの順序で積層されている。もっとも、第2のバスバー23が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第2のバスバー23、絶縁体層29及び第3の電極指27がこの順序で積層されていてもよい。
 図15に示す第3の変形例では、全ての絶縁体層29のうち、一部の複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第3の電極指27の一部を覆っている。残りの複数の絶縁体層29はそれぞれ、1本の第2の電極指26の一部を覆っている。
 交叉領域Eと、第3のバスバー34Aとの間に、第1のバスバー22が位置している。第1のバスバー22は、絶縁体層29を介して複数の第3の電極指27と交叉している。交叉領域Eと、第2のバスバー23との間に、第3のバスバー34Bが位置している。第3のバスバー34Bは、絶縁体層29を介して複数の第2の電極指26と交叉している。
 第1のバスバー22が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3の電極指27、絶縁体層29及び第1のバスバー22がこの順序で積層されている。もっとも、第1のバスバー22が、絶縁体層29及び第3の電極指27と積層されている部分においては、圧電層14側から、第1のバスバー22、絶縁体層29及び第3の電極指27がこの順序で積層されていてもよい。
 第3のバスバー34Bが、絶縁体層29及び第2の電極指26と積層されている部分においては、圧電層14側から、第2の電極指26、絶縁体層29及び第3のバスバー34Bがこの順序で積層されている。もっとも、第3のバスバー34Bが、絶縁体層29及び第2の電極指26と積層されている部分においては、圧電層14側から、第3のバスバー34B、絶縁体層29及び第2の電極指26がこの順序で積層されていてもよい。
 なお、第2の変形例及び第3の変形例においては、第1の櫛形電極17は入力電位に接続される。第2の櫛形電極18は出力電位に接続される。第3の変形例の構成は、第2の変形例において、第1の櫛形電極17が出力電位に接続され、第2の櫛形電極18が入力電位に接続される場合の構成に相当する。
 図16は、第5の実施形態における、第3のバスバーが延びる方向と直交する方向に沿う第3のバスバーの模式的断面図である。
 本実施形態は、第3の電極49における第3のバスバー44の層構成において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第3の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 第3のバスバー44は、金属層44aと、導電補助層44bとの積層体である。導電補助層44bの厚みは、金属層44aの厚みよりも厚い。なお、本明細書において、バスバーや電極指を構成している層同士の厚みが異なるとは、双方の層の厚みの差の絶対値が、双方の層のいずれの厚みに対しても10%以上であることをいう。同様に、バスバーの厚み及び電極指の厚みが異なるとは、バスバー及び電極指の厚みの差の絶対値が、バスバー及び電極指のいずれの厚みに対しても10%以上であることをいう。
 一方で、図1を援用して示す第3の電極指27は、単層の金属層からなる。第3の電極指27は、第3のバスバー44における金属層44aと同じ金属層からなる。すなわち、第3のバスバー44における金属層44aの材料と、第3の電極指27を構成している金属層の材料とは、同じ材料である。本実施形態では、第3のバスバー44における金属層44aの厚みと、第3の電極指27を構成している金属層の厚みとは同じである。
 なお、第3の電極指27は積層金属膜からなっていてもよい。この場合、例えば、第3の電極指27において、圧電層14側から、Ti層及びAl層がこの順序で積層されていてもよい。もっとも、第3の電極指27の材料は上記に限定されない。同様に、第3のバスバー44の金属層44aも、積層金属膜からなっていてもよい。第3の電極指27及び第3のバスバー44の金属層44aが積層金属膜からなる場合、第3の電極指27及び金属層44aの各層の材料が同じであればよい。そして、第3の電極指27及び金属層44aの各層の厚みが同じであればよい。
 上記のように、第3のバスバー44は導電補助層44bを有する。それによって、第3の電極49の電気抵抗をより一層低くすることができる。加えて、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 導電補助層44bの材料の電気抵抗が、金属層44aの材料の電気抵抗よりも低いことが好ましい。それによって、第3の電極49の電気抵抗をより一層効果的に低くすることができる。
 図17は、第6の実施形態における、第3のバスバーが延びる方向と直交する方向に沿う第3のバスバーの模式的断面図である。
 本実施形態は、第3の電極59において、第3のバスバー54の厚みが第3の電極指27の厚みと異なる点で、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 第3のバスバー54、及び図1を援用して示す第3の電極指27においては、層構成は同じである。より具体的には、本実施形態では、第3のバスバー54及び第3の電極指27は、単層の金属層からなる。第3のバスバー54及び第3の電極指27に用いられている材料は同じである。もっとも、第3の電極指27及び第3のバスバー54に用いられている材料は、互いに異なっていてもよい。
 第3のバスバー54の厚みは、第3の電極指27の厚みよりも厚い。それによって、第3の電極59の電気抵抗をより一層低くすることができる。加えて、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 なお、第3のバスバー54における、電極指と積層されていない部分の厚みと、第3の電極指27の厚みとを比較した場合において、第3のバスバー54の厚みが、第3の電極指27の厚みよりも厚ければよい。ところで、第3の電極指27及び第3のバスバー54は、積層金属膜からなっていてもよい。この場合、第3のバスバー54における各層の厚みを合計した厚みが、第3の電極指27における各層の厚みを合計した厚みよりも厚ければよい。
 図18は、第7の実施形態における機能電極の一部を示す模式的平面図である。
 本実施形態は、複数の第3の電極指27同士が電気的に接続されている構成において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 第3の電極69における第3のバスバー24は、交叉領域と、第1のバスバー22との間に位置している。各第1の電極指25の一部を覆うように、圧電層14の第1の主面14aに、複数の絶縁体層29が設けられている。
 第3の電極69は、複数の接続電極65を有する。各接続電極65は、隣り合う2本の第3の電極指27の先端のうち、第1のバスバー22側の先端同士を接続している。接続電極65及び2本の第3の電極指27によって、U字状の電極が構成されている。圧電層14の第1の主面14a、複数の絶縁体層29上及び複数の接続電極65上にわたり、第3のバスバー24が設けられている。
 第1の櫛形電極17の一部である複数の第1の電極指25と、第3の電極69の一部である第3のバスバー24とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。これにより、第3のバスバー24及び複数の第1の電極指25は、互いに電気的に絶縁されている。他方、第3のバスバー24は、複数の第3の電極指27を電気的に接続している。
 接続電極65は電極指直交方向に延びている。そのため、接続電極65及び第3のバスバー24が接触している面積は大きい。よって、接続電極65及び第3のバスバー24の間において、接触抵抗は小さい。これにより、第3の電極69の電気抵抗を効果的に低くすることができる。加えて、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 接続電極65及び第3の電極指27は、同じ金属層からなる。それによって、生産性を低くせずして、第3の電極69の電気抵抗を効果的に小さくすることができる。
 接続電極65の電極指延伸方向に沿う寸法を接続電極65の幅としたときに、本実施形態では、第3のバスバー24の幅は、接続電極65の幅よりも狭い。もっとも、第3のバスバー24の幅は、接続電極65の幅よりも広くてもよい。
 本実施形態では、第3のバスバー24は単層の金属層からなる。第3の電極指27は単層の金属層からなる。第3のバスバー24の材料と、第3の電極指27の材料とは互いに異なる。この場合、第3のバスバー24の材料の電気抵抗が、第3の電極指27の材料の電気抵抗よりも低いことが好ましい。それによって、第3の電極69の電気抵抗を効果的に低くすることができる。なお、接続電極65が設けられている場合においても、第3のバスバー24は、第3の電極指27と同じ金属層を含んでいてもよい。なお、第3のバスバー24及び第3の電極指27は積層金属膜からなっていてもよい。この場合、第3のバスバー24における各層の材料のうち最も電気抵抗が高い材料の電気抵抗が、第3の電極指27における各層の材料のうち最も電気抵抗が高い材料の電気抵抗よりも低いことが好ましい。第3のバスバー24における各層の材料のうち最も電気抵抗が低い材料の電気抵抗が、第3の電極指27における各層の材料のうち最も電気抵抗が低い材料の電気抵抗よりも低いことが好ましい。それによって、第3の電極69の電気抵抗をより確実に低くすることができる。
 第3のバスバー24を構成している金属層の厚みは、第3の電極指27を構成している金属層の厚みよりも厚い。それによって、第3の電極69の電気抵抗をより一層低くすることができる。もっとも、例えば、第3のバスバー24の厚みと、第3の電極指27の厚みとが同じであってもよい。
 第5の実施形態と同様に、第3のバスバー24は、金属層と導電補助層との積層体であってもよい。この場合においても、第3の電極69の電気抵抗をより一層低くすることができる。
 図19は、第8の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 本実施形態は、第1の櫛形電極77における第1のバスバー72が、導電補助層72bを有する点において、第1の実施形態と異なる。本実施形態は、第2の櫛形電極78における第2のバスバー73が、導電補助層73bを有する点においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 第1のバスバー72は、金属層72aと、導電補助層72bとが積層された積層体である。導電補助層72bの厚みは、金属層72aの厚みよりも厚い。
 一方で、第1の電極指25は単層の金属層からなる。第1の電極指25は、第1のバスバー72における金属層72aと同じ金属層からなる。すなわち、第1のバスバー72における金属層72aの材料と、第1の電極指25を構成している金属層の材料とは、同じ材料である。本実施形態では、第1のバスバー72における金属層72aの厚みと、第1の電極指25を構成している金属層の厚みとは同じである。
 上記のように、第1のバスバー72は、導電補助層72bを有する。それによって、第1の櫛形電極77の電気抵抗を低くすることができる。なお、第1の電極指25及び第1のバスバー72における金属層72aは、積層金属膜からなっていてもよい。この場合、第1の電極指25及び金属層72aの各層の材料が同じであればよい。そして、第1の電極指25及び金属層72aの各層の厚みが同じであればよい。もっとも、本発明においては、第1の電極指25及び金属層72aにおける各層の材料及び厚みのうち少なくとも一方が、互いに異なっていてもよい。
 第2の櫛形電極78も、第1の櫛形電極77と同様に構成されている。すなわち、第2の電極指26は単層の金属層からなる。第2のバスバー73は、金属層73aと、導電補助層73bとが積層された積層体である。それによって、第2の櫛形電極78の電気抵抗を低くすることができる。なお、第2の電極指26及び第2のバスバー73における金属層73aは、積層金属膜からなっていてもよい。この場合、第2の電極指26及び金属層73aの各層の材料が同じであればよい。そして、第2の電極指26及び金属層73aの各層の厚みが同じであればよい。もっとも、本発明においては、第2の電極指26及び金属層73aにおける各層の材料及び厚みのうち少なくとも一方が、互いに異なっていてもよい。
 なお、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、複数の第1の電極指25と、第3のバスバー24とが、圧電層14上において、絶縁体層29を介して交叉している。それによって、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ第3の電極19の電気抵抗を低くすることができる。
 上記の第1の実施形態などにおいては、第3の電極において、複数の第3の電極指及び第3のバスバーが積層されている。もっとも、これに限定されるものではない。複数の第3の電極指及び第3のバスバーが積層されていない例を、第8の実施形態の変形例により示す。
 図20に示す第8の実施形態の変形例における第3の電極79では、複数の第3の電極指27及び第3のバスバー24は積層されていない。複数の第3の電極指27を構成している層と、第3のバスバー24を構成している層とは、連続的に形成されている。よって、第3の電極79においては、第3のバスバー24及び第3の電極指27の間に接触抵抗は生じない。従って、第3の電極79の電気抵抗を効果的に低くすることができる。加えて、第7の実施形態と同様に、弾性波装置10がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 以下において、第8の実施形態に係る弾性波装置、及び第8の実施形態の変形例に係る弾性波装置の製造方法の例を示す。
 図21(a)~図21(c)は、第8の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための模式的平面図である。
 図21(a)に示すように、圧電性基板12を用意する。次に、圧電性基板12における圧電層14の第1の主面14aに、複数の第1の電極指25、複数の第2の電極指26及び複数の第3の電極指27を形成する。同時に、第1の主面14aに金属層72a及び金属層73aを形成する。このとき、金属層72aに、複数の第1の電極指25の一端がそれぞれ接続されている。金属層73aに、複数の第2の電極指26の一端がそれぞれ接続されている。複数の電極指、金属層72a及び金属層73aは、例えば、真空蒸着法またはスパッタリング法などにより形成することができる。
 次に、図21(b)に示すように、圧電層14の第1の主面14aに、各第1の電極指25の一部を覆うように、複数の絶縁体層29を形成する。より具体的には、1個の絶縁体層29が1本の第1の電極指25の一部を覆うように、複数の絶縁体層29を形成する。複数の絶縁体層29は、例えば、真空蒸着法またはスパッタリング法などにより形成することができる。
 次に、図21(c)に示すように、第3のバスバー24、導電補助層72b及び導電補助層73bを同時に形成する。より具体的には、第3のバスバー24を、圧電層14の第1の主面14a、複数の絶縁体層29上及び複数の第3の電極指27上にわたり形成する。これにより、第3の電極19が形成される。導電補助層72bを金属層72a上に形成する。これにより、第1のバスバー72が形成されることによって、第1の櫛形電極77が形成される。導電補助層73bを金属層73a上に形成する。これにより、第2のバスバー73が形成されることによって、第2の櫛形電極78が形成される。
 第3のバスバー24、導電補助層72b及び導電補助層72bは、例えば、真空蒸着法またはスパッタリング法などにより形成することができる。
 この製造方法においては、第3のバスバー24、導電補助層72b及び導電補助層73bを同時に形成することによって、機能電極の形成の工程を少なくすることができる。それによって、弾性波装置の製造工程を簡素化することができ、コストを削減することができる。従って、生産性を高めることができる。なお、この製造方法は一例であって、弾性波装置の製造方法は上記に限定されない。
 図22(a)~図22(d)は、第8の実施形態の変形例に係る弾性波装置の製造方法の一例を示す図である。
 図22(a)に示すように、圧電性基板12を用意する。次に、圧電性基板12における圧電層14の第1の主面14aに、複数の第1の電極指25及び複数の第2の電極指26を形成する。同時に、第1の主面14aに、金属層72a及び金属層73aを形成する。このとき、金属層72aに、複数の第1の電極指25の一端がそれぞれ接続されている。金属層73aに、複数の第2の電極指26の一端がそれぞれ接続されている。
 次に、図22(b)に示すように、圧電層14の第1の主面14aに、各第1の電極指25の一部を覆うように、複数の絶縁体層29を形成する。より具体的には、1個の絶縁体層29が1本の第1の電極指25の一部を覆うように、複数の絶縁体層29を形成する。
 次に、図22(c)に示すように、第3の電極79を形成する。具体的には、複数の第3の電極指27及び第3のバスバー24を同時に形成する。より具体的には、圧電層14の第1の主面14aに、複数の第3の電極指27を形成する。第1の主面及び複数の絶縁体層29上にわたり、第3のバスバー24を形成する。
 次に、図22(d)に示すように、導電補助層72b及び導電補助層73bを同時に形成する。より具体的には、導電補助層72bを金属層72a上に形成する。これにより、第1のバスバー72が形成されることによって、第1の櫛形電極77が形成される。導電補助層73bを金属層73a上に形成する。これにより、第2のバスバー73が形成されることによって、第2の櫛形電極78が形成される。
 この製造方法においては、第1の電極指25及び第2の電極指26と、第3の電極指27とを、別の工程において形成する。これにより、第1の電極指25及び第2の電極指26の構成と、第3の電極指27の構成とを、互いに異ならせることができる。よって、設計の自由度を高くすることができる。それによって、フィルタ特性を改善させ易い。
 加えて、この製造方法では、複数の第3の電極指27を構成している層と、第3のバスバー24を構成している層とを同時に形成する。そのため、複数の第3の電極指27及び第3のバスバー24の間に接触抵抗は生じない。従って、第3の電極79の電気抵抗を効果的に低くすることができる。なお、この製造方法は一例であって、弾性波装置の製造方法は上記に限定されない。
 以下において、機能電極がIDT電極である例を用いて、厚み滑りモードの詳細を説明する。なお、IDT電極は第3の電極指を有しない。後述するIDT電極における「電極」は、電極指に相当する。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。以下においては、基準電位をグラウンド電位と記載することもある。
 図23(a)は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図23(b)は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図24は、図23(a)中のA-A線に沿う部分の断面図である。
 弾性波装置1は、LiNbOからなる圧電層2を有する。圧電層2は、LiTaOからなるものであってもよい。LiNbOやLiTaOのカット角は、Zカットであるが、回転YカットやXカットであってもよい。圧電層2の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、40nm以上、1000nm以下であることが好ましく、50nm以上、1000nm以下であることがより好ましい。圧電層2は、対向し合う第1,第2の主面2a,2bを有する。第1の主面2a上に、電極3及び電極4が設けられている。ここで電極3が「第1電極」の一例であり、電極4が「第2電極」の一例である。図23(a)及び図23(b)では、複数の電極3が、第1のバスバー5に接続されている。複数の電極4は、第2のバスバー6に接続されている。複数の電極3及び複数の電極4は、互いに間挿し合っている。電極3及び電極4は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極3と、隣りの電極4とが対向している。電極3,4の長さ方向、及び、電極3,4の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層2の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極3と、隣りの電極4とは、圧電層2の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極3,4の長さ方向が図23(a)及び図23(b)に示す電極3,4の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図23(a)及び図23(b)において、第1のバスバー5及び第2のバスバー6が延びている方向に電極3,4を延ばしてもよい。その場合、第1のバスバー5及び第2のバスバー6は、図23(a)及び図23(b)において電極3,4が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極3と、他方電位に接続される電極4とが隣り合う1対の構造が、上記電極3,4の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極3と電極4とが隣り合うとは、電極3と電極4とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極3と電極4とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極3と電極4とが隣り合う場合、電極3と電極4との間には、他の電極3,4を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、1.5対や2.5対などであってもよい。電極3,4間の中心間距離すなわちピッチは、1μm以上、10μm以下の範囲が好ましい。また、電極3,4の幅、すなわち電極3,4の対向方向の寸法は、50nm以上、1000nm以下の範囲であることが好ましく、150nm以上、1000nm以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極3,4間の中心間距離とは、電極3の長さ方向と直交する方向における電極3の寸法(幅寸法)の中心と、電極4の長さ方向と直交する方向における電極4の寸法(幅寸法)の中心とを結んだ距離となる。
 また、弾性波装置1では、Zカットの圧電層を用いているため、電極3,4の長さ方向と直交する方向は、圧電層2の分極方向に直交する方向となる。圧電層2として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交(電極3,4の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば90°±10°の範囲内)でもよい。
 圧電層2の第2の主面2b側には、絶縁層7を介して支持部材8が積層されている。絶縁層7及び支持部材8は、枠状の形状を有し、図24に示すように、貫通孔7a,8aを有する。それによって、空洞部9が形成されている。空洞部9は、圧電層2の励振領域Cの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材8は、少なくとも1対の電極3,4が設けられている部分と重ならない位置において、第2の主面2bに絶縁層7を介して積層されている。なお、絶縁層7は設けられずともよい。従って、支持部材8は、圧電層2の第2の主面2bに直接または間接に積層され得る。
 絶縁層7は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材8は、Siからなる。Siの圧電層2側の面における面方位は(100)や(110)であってもよく、(111)であってもよい。支持部材8を構成するSiは、抵抗率4kΩcm以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材8についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
 支持部材8の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
 上記複数の電極3,4及び第1,第2のバスバー5,6は、Al、AlCu合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。弾性波装置1では、電極3,4及び第1,第2のバスバー5,6は、Ti膜上にAl膜を積層した構造を有する。なお、Ti膜以外の密着層を用いてもよい。
 駆動に際しては、複数の電極3と、複数の電極4との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第1のバスバー5と第2のバスバー6との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層2において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置1では、圧電層2の厚みをd、複数対の電極3,4のうちいずれかの隣り合う電極3,4の中心間距離をpとした場合、d/pは0.5以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、d/pは0.24以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
 弾性波装置1では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極3,4の対数を小さくしたとしても、Q値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図25(a)及び図25(b)を参照して説明する。
 図25(a)は、日本公開特許公報 特開2012-257019号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜201中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜201では、第1の主面201aと、第2の主面201bとが対向しており、第1の主面201aと第2の主面201bとを結ぶ厚み方向がZ方向である。X方向は、IDT電極の電極指が並んでいる方向である。図25(a)に示すように、ラム波では、波が図示のように、X方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜201が全体として振動するものの、波はX方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Q値が低下する。
 これに対して、図25(b)に示すように、弾性波装置1では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層2の第1の主面2aと第2の主面2bとを結ぶ方向、すなわちZ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のX方向成分がZ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このZ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極3,4からなる電極対の対数を減らしたとしても、Q値の低下が生じ難い。
 なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図26に示すように、圧電層2の励振領域Cに含まれる第1領域451と、励振領域Cに含まれる第2領域452とで逆になる。図26では、電極3と電極4との間に、電極4が電極3よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第1領域451は、励振領域Cのうち、圧電層2の厚み方向に直交し圧電層2を2分する仮想平面VP1と、第1の主面2aとの間の領域である。第2領域452は、励振領域Cのうち、仮想平面VP1と、第2の主面2bとの間の領域である。
 上記のように、弾性波装置1では、電極3と電極4とからなる少なくとも1対の電極が配置されているが、X方向に波を伝搬させるものではないため、この電極3,4からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも1対の電極が設けられてさえおればよい。
 例えば、上記電極3がホット電位に接続される電極であり、電極4がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極3がグラウンド電位に、電極4がホット電位に接続されてもよい。弾性波装置1では、少なくとも1対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
 図27は、図24に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置1の設計パラメータは以下の通りである。
 圧電層2:オイラー角(0°,0°,90°)のLiNbO、厚み=400nm。
 電極3と電極4の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極3と電極4とが重なっている領域、すなわち励振領域Cの長さ=40μm、電極3,4からなる電極の対数=21対、電極間中心距離=3μm、電極3,4の幅=500nm、d/p=0.133。
 絶縁層7:1μmの厚みの酸化ケイ素膜。
 支持部材8:Si。
 なお、励振領域Cの長さとは、励振領域Cの電極3,4の長さ方向に沿う寸法である。
 弾性波装置1では、電極3,4からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極3と電極4とを等ピッチで配置した。
 図27から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が12.5%である良好な共振特性が得られている。
 ところで、上記圧電層2の厚みをd、電極3と電極4との電極の中心間距離をpとした場合、前述したように、弾性波装置1では、d/pは0.5以下、より好ましくは0.24以下である。これを、図28を参照して説明する。
 図27に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しd/pを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図28は、このd/pと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
 図28から明らかなように、d/p>0.5では、d/pを調整しても、比帯域は5%未満である。これに対して、d/p≦0.5の場合には、その範囲内でd/pを変化させれば、比帯域を5%以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、d/pが0.24以下の場合には、比帯域を7%以上と高めることができる。加えて、d/pをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、d/pを0.5以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
 図29は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置80では、圧電層2の第1の主面2a上において、電極3と電極4とを有する1対の電極が設けられている。なお、図29中のKが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は1対であってもよい。この場合においても、上記d/pが0.5以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
 弾性波装置1では、好ましくは、複数の電極3,4において、いずれかの隣り合う電極3,4が対向している方向に見たときに重なっている領域である励振領域Cに対する、上記隣り合う電極3,4のメタライゼーション比MRが、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図30及び図31を参照して説明する。図30は、上記弾性波装置1の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Bで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、d/p=0.08として、かつLiNbOのオイラー角(0°,0°,90°)とした。また、上記メタライゼーション比MR=0.35とした。
 メタライゼーション比MRを、図23(b)を参照して説明する。図23(b)の電極構造において、1対の電極3,4に着目した場合、この1対の電極3,4のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Cとなる。この励振領域Cとは、電極3と電極4とを、電極3,4の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極3における電極4と重なり合っている領域、電極4における電極3と重なり合っている領域、及び、電極3と電極4との間の領域における電極3と電極4とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Cの面積に対する、励振領域C内の電極3,4の面積が、メタライゼーション比MRとなる。すなわち、メタライゼーション比MRは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Cの面積に対する比である。
 なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をMRとすればよい。
 図31は弾性波装置1の構成に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図31は、ZカットのLiNbOからなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
 図31中の楕円Jで囲まれている領域では、スプリアスが1.0と大きくなっている。図31から明らかなように、比帯域が0.17を超えると、すなわち17%を超えると、スプリアスレベルが1以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図30に示す共振特性のように、矢印Bで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は17%以下であることが好ましい。この場合には、圧電層2の膜厚や電極3,4の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
 図32は、d/2pと、メタライゼーション比MRと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、d/2pと、MRが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図32の破線Dの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が17%以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、MR=3.5(d/2p)+0.075で表される。すなわち、MR=1.75(d/p)+0.075である。従って、好ましくは、MR≦1.75(d/p)+0.075である。その場合には、比帯域を17%以下としやすい。より好ましくは、図32中の一点鎖線D1で示すMR=3.5(d/2p)+0.05の右側の領域である。すなわち、MR≦1.75(d/p)+0.05であれば、比帯域を確実に17%以下にすることができる。
 図33は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。図33において示す、ハッチングを付して示した複数の領域Rがそれぞれ、2%以上の比帯域が得られる領域である。なお、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±5°の範囲内である場合には、θ及びψと比帯域との関係は、図33に示す関係と同様である。圧電層がタンタル酸リチウム(LiTaO)からなる場合においても、オイラー角(0°±5°の範囲内,θ,ψ)におけるθ及びψと、BWとの関係は、図33に示す関係と同様である。
 従って、圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±5°の範囲内であり、θ及びφが、図33に示す複数の領域Rのいずれかの範囲内であれば、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
 図34は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
 弾性波装置81では、圧電層2の第2の主面2bに音響多層膜82が積層されている。音響多層膜82は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層82a,82c,82eと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層82b,82dとの積層構造を有する。音響多層膜82を用いた場合、弾性波装置1における空洞部9を用いずとも、厚み滑りモードのバルク波を圧電層2内に閉じ込めることができる。弾性波装置81においても、上記d/pを0.5以下とすることにより、厚み滑りモードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜82においては、その低音響インピーダンス層82a,82c,82e及び高音響インピーダンス層82b,82dの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層82a,82c,82eよりも、少なくとも1層の高音響インピーダンス層82b,82dが圧電層2から遠い側に配置されておりさえすればよい。
 上記低音響インピーダンス層82a,82c,82e及び高音響インピーダンス層82b,82dは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層82a,82c,82eの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層82b,82dの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
 図35は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
 弾性波装置91は、支持基板92を有する。支持基板92には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板92上に圧電層93が積層されている。それによって、空洞部9が構成されている。この空洞部9の上方において圧電層93上に、IDT電極94が設けられている。IDT電極94の弾性波伝搬方向両側に、反射器95,96が設けられている。図35において、空洞部9の外周縁を破線で示す。ここでは、IDT電極94は、第1,第2のバスバー94a,94bと、複数本の第1の電極指94c及び複数本の第2の電極指94dとを有する。複数本の第1の電極指94cは、第1のバスバー94aに接続されている。複数本の第2の電極指94dは、第2のバスバー94bに接続されている。複数本の第1の電極指94cと、複数本の第2の電極指94dとは間挿し合っている。
 弾性波装置91では、上記空洞部9上のIDT電極94に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器95,96が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
 このように、本発明の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。なお、図35に示す例では、図1などに示す圧電層14の第1の主面14aに相当する主面に、IDT電極94、反射器95及び反射器96が設けられている。一方で、本発明の弾性波装置では、第1の主面14aに1対の櫛形電極及び複数の第3の電極指が設けられている。本発明の弾性波装置が板波を利用するものである場合、第1~第8の実施形態及び各変形例における圧電層14の第1の主面14aに、1対の櫛形電極及び複数の第3の電極指と、上記反射器95及び反射器96とが設けられていればよい。この場合においては、1対の櫛形電極及び複数の第3の電極指を、電極指直交方向において、反射器95及び反射器96が挟んでいればよい。
 第1~第8の実施形態及び各変形例の弾性波装置においては、例えば、支持部材及び圧電膜としての圧電層の間に、音響反射膜としての、図34に示す音響多層膜82が設けられていてもよい。具体的には、支持部材の少なくとも一部及び圧電膜の少なくとも一部が、音響多層膜82を挟み互いに対向するように、支持部材と圧電膜とが配置されていてもよい。この場合、音響多層膜82において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層されていればよい。音響多層膜82が、弾性波装置における音響反射部であってもよい。
 厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第8の実施形態及び各変形例の弾性波装置においては、上記のように、d/pが0.5以下であることが好ましく、0.24以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。
 さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第8の実施形態及び各変形例の弾性波装置の励振領域においては、上記のように、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。より具体的には、励振領域に対する、第1の電極指及び第3の電極指、並びに第2の電極指及び第3の電極指のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。
1…弾性波装置
2…圧電層
2a,2b…第1,第2の主面
3,4…電極
5,6…第1,第2のバスバー
7…絶縁層
7a…貫通孔
8…支持部材
8a…貫通孔
9…空洞部
10…弾性波装置
10a…空洞部
11…機能電極
12…圧電性基板
13…支持部材
14…圧電層
14a,14b…第1,第2の主面
15…絶縁層
16…支持基板
17,18…第1,第2の櫛形電極
19…第3の電極
22~24…第1~第3のバスバー
25~27…第1~第3の電極指
29…絶縁体層
34A,34B…第3のバスバー
39…第3の電極
44…第3のバスバー
44a…金属層
44b…導電補助層
49…第3の電極
54…第3のバスバー
59…第3の電極
65…接続電極
69…第3の電極
72…第1のバスバー
72a…金属層
72b…導電補助層
73…第2のバスバー
73a…金属層
73b…導電補助層
77,78…第1,第2の櫛形電極
79…第3の電極
80,81…弾性波装置
82…音響多層膜
82a,82c,82e…低音響インピーダンス層
82b,82d…高音響インピーダンス層
91…弾性波装置
92…支持基板
93…圧電層
94…IDT電極
94a,94b…第1,第2のバスバー
94c,94d…第1,第2の電極指
95,96…反射器
109…第3の電極
201…圧電膜
201a,201b…第1,第2の主面
451,452…第1,第2領域
C…励振領域
E…交叉領域
R…領域
VP1…仮想平面

Claims (23)

  1.  圧電体からなる圧電層を含む圧電膜と、
     前記圧電層上に設けられており、第1のバスバーと、前記第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指と、を有する第1の櫛形電極と、
     前記圧電層上に設けられており、第2のバスバーと、前記第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指と、を有する第2の櫛形電極と、
     前記第1の電極指及び前記第2の電極指が並ぶ方向において、平面視において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第3の電極指と、隣り合う前記第3の電極指同士を接続している少なくとも1本の第3のバスバーと、を有し、前記第1の櫛形電極及び前記第2の櫛形電極とは異なる電位に接続される、第3の電極と、
     前記圧電層上に設けられている絶縁体層と、
    を備え、
     前記第1の櫛形電極及び前記第2の櫛形電極のうち一方が入力電位に接続され、前記第1の櫛形電極及び前記第2の櫛形電極のうち他方が出力電位に接続され、
     前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が並んでいる順序が、前記第1の電極指から開始した場合において、前記第1の電極指、前記第3の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を1周期とする順序であり、
     前記第1の櫛形電極の一部及び前記第3の電極の一部、並びに前記第2の櫛形電極の一部及び前記第3の電極の一部のうち少なくとも一方が、前記圧電層上において、前記絶縁体層を介して交叉している、弾性波装置。
  2.  前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記電極指直交方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、
     前記第3の電極が1本の前記第3のバスバーを有し、
     前記交叉領域と、前記第1のバスバーとの間に、前記第3のバスバーが位置しており、前記第3のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第1の電極指と交叉している、請求項1に記載の弾性波装置。
  3.  前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記電極指直交方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、
     前記第3の電極が1本の前記第3のバスバーを有し、
     前記交叉領域と、前記第3のバスバーとの間に、前記第1のバスバーが位置しており、前記第1のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第3の電極指と交叉している、請求項1に記載の弾性波装置。
  4.  前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記電極指直交方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、
     前記第3の電極が2本の前記第3のバスバーを有し、
     前記交叉領域と、前記第1のバスバーとの間に、一方の前記第3のバスバーが位置しており、該第3のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第1の電極指と交叉しており、前記交叉領域と、前記第2のバスバーとの間に、他方の前記第3のバスバーが位置しており、該第3のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第2の電極指と交叉している、請求項1に記載の弾性波装置。
  5.  前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記電極指直交方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、
     前記第3の電極が2本の前記第3のバスバーを有し、
     前記交叉領域と、前記第1のバスバーとの間に、一方の前記第3のバスバーが位置しており、該第3のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第1の電極指と交叉しており、前記交叉領域と、他方の前記第3のバスバーとの間に、前記第2のバスバーが位置しており、前記第2のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第3の電極指と交叉している、請求項1に記載の弾性波装置。
  6.  前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記電極指直交方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、
     前記第3の電極が2本の前記第3のバスバーを有し、
     前記交叉領域と、一方の前記第3のバスバーとの間に、前記第1のバスバーが位置しており、前記第1のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第3の電極指と交叉しており、前記交叉領域と、他方の前記第3のバスバーとの間に、前記第2のバスバーが位置しており、前記第2のバスバーが、前記絶縁体層を介して前記複数の第3の電極指と交叉している、請求項1に記載の弾性波装置。
  7.  前記第3のバスバーが、前記絶縁体層及び前記第1の電極指と積層されている部分において、前記圧電層側から、前記第3のバスバー、前記絶縁体層及び前記第1の電極指がこの順序で積層されている、請求項2、4または5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  8.  前記第3のバスバーが、前記絶縁体層及び前記第1の電極指と積層されている部分において、前記圧電層側から、前記第1の電極指、前記絶縁体層及び前記第3のバスバーがこの順序で積層されている、請求項2、4または5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  9.  前記第1のバスバーが、前記絶縁体層及び前記第3の電極指と積層されている部分において、前記圧電層側から、前記第1のバスバー、前記絶縁体層及び前記第3の電極指がこの順序で積層されている、請求項3または6に記載の弾性波装置。
  10.  前記第1のバスバーが、前記絶縁体層及び前記第3の電極指と積層されている部分において、前記圧電層側から、前記第3の電極指、前記絶縁体層及び前記第1のバスバーがこの順序で積層されている、請求項3または6に記載の弾性波装置。
  11.  前記第3のバスバーの厚みが、前記第3の電極指の厚みよりも厚い、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  12.  前記第3のバスバーが、前記第3の電極指の材料と同じ材料であり、かつ前記第3の電極指の厚みと同じ厚みである金属層と、前記金属層よりも厚みが厚い導電補助層とが積層された積層体である、請求項11に記載の弾性波装置。
  13.  前記第3のバスバーが、前記第3の電極指よりも厚みが厚い金属層からなる、請求項11に記載の弾性波装置。
  14.  前記第3のバスバーが、前記第3の電極指よりも厚みが厚い金属層からなり、
     前記第3の電極が、隣り合う2本の前記第3の電極指の先端のうち前記第1のバスバー側の先端同士を接続している、複数の接続電極を含み、
     前記複数の接続電極と、前記第3のバスバーとが積層されている、請求項2、4、5、7または8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  15.  前記第1の櫛形電極が入力電位に接続され、前記第2の櫛形電極が出力電位に接続される、請求項1~14のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  16.  前記第1の櫛形電極が出力電位に接続され、前記第2の櫛形電極が入力電位に接続される、請求項1~14のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  17.  厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項1~16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  18.  前記圧電膜に積層されている支持部材をさらに備え、
     前記支持部材及び前記圧電膜の積層方向に沿って見た平面視において、前記支持部材における、前記複数の第1の電極指、前記複数の第2の電極指及び前記複数の第3の電極指と重なる位置に音響反射部が形成されており、
     隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離、並びに、隣り合う前記第2の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離のうち、最も長い距離をpとした場合において、前記圧電膜の厚みをdとした場合、d/pが0.5以下である、請求項1~16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  19.  d/pが0.24以下である、請求項18に記載の弾性波装置。
  20.  前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電膜の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電膜とが配置されている、請求項18または19に記載の弾性波装置。
  21.  前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電膜の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電膜とが配置されている、請求項18または19に記載の弾性波装置。
  22.  前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指の中心間の領域、並びに、隣り合う前記第2の電極指及び前記第3の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記第2の電極指及び前記第3の電極指の中心間の領域が励振領域であり、
     前記励振領域に対する、前記第1の電極指及び前記第3の電極指、並びに前記第2の電極指及び前記第3の電極指のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たす、請求項18~21のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  23.  前記圧電層がニオブ酸リチウムからなり、
     前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)が、以下の式(1)、式(2)または式(3)の範囲にある、請求項1~22のいずれか1項に記載の弾性波装置。
     (0°±10°の範囲内,0°~25°,任意のψ)  …式(1)
     (0°±10°の範囲内,25°~100°,0°~75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2 または 180°-75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2~180°)  …式(2)
     (0°±10°の範囲内,180°-40°[(1-(ψ-90)/8100)]1/2~180°,任意のψ)  …式(3)
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025187216A1 (ja) * 2024-03-06 2025-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2025187215A1 (ja) * 2024-03-06 2025-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2025204159A1 (ja) * 2024-03-25 2025-10-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643818A (en) * 1979-09-17 1981-04-22 Hitachi Ltd Surface elastic wave device and its manufacture
JPH11186867A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2015106802A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP2015144418A (ja) * 2013-12-28 2015-08-06 山之内 和彦 可変周波数弾性波変換器とこれを用いた電子装置
WO2020130128A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
US10833650B1 (en) * 2019-06-11 2020-11-10 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Reconfigurable MEMS devices, methods of forming reconfigurable MEMS devices, and methods for reconfiguring frequencies of a MEMS device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643818A (en) * 1979-09-17 1981-04-22 Hitachi Ltd Surface elastic wave device and its manufacture
JPH11186867A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2015106802A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP2015144418A (ja) * 2013-12-28 2015-08-06 山之内 和彦 可変周波数弾性波変換器とこれを用いた電子装置
WO2020130128A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
US10833650B1 (en) * 2019-06-11 2020-11-10 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Reconfigurable MEMS devices, methods of forming reconfigurable MEMS devices, and methods for reconfiguring frequencies of a MEMS device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025187216A1 (ja) * 2024-03-06 2025-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2025187215A1 (ja) * 2024-03-06 2025-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2025204159A1 (ja) * 2024-03-25 2025-10-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置

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